JP3187864B2 - イオン注入装置の冷却機構 - Google Patents
イオン注入装置の冷却機構Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子の製
造工程において使用されるイオン注入装置の冷却機構に
関する。
造工程において使用されるイオン注入装置の冷却機構に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、被処理体（例えば半導体ウエハ
等）に不純物を導入する装置の１つとして、イオン注入
装置が知られている。これは、導入すべき不純物元素を
イオン化し、このイオンを加速して半導体ウエハに打ち
込む装置である。
等）に不純物を導入する装置の１つとして、イオン注入
装置が知られている。これは、導入すべき不純物元素を
イオン化し、このイオンを加速して半導体ウエハに打ち
込む装置である。
【０００３】また、かかるイオン注入装置を用いて導入
される不純物量を正確に制御するために、半導体ウエハ
に打ち込まれたイオンの電荷量を検出する技術が、従
来、知られている。
される不純物量を正確に制御するために、半導体ウエハ
に打ち込まれたイオンの電荷量を検出する技術が、従
来、知られている。
【０００４】図５は、かかる技術の一例を概念的に示す
ものである。
ものである。
【０００５】図において、半導体ウエハ１０を保持する
ウエハ保持部材５２は、導電性材料（例えばステンレ
ス）で形成されており、また、イオン注入装置の他の構
成部からは電気的に絶縁された状態にされている。加え
て、このウエハ保持部材５２は、アース５４によって接
地され、さらに、このアース５４には、ウエハ保持部材
５２からグランドに流れ込む電流の値を測定するための
電流計５６が設けられている。
ウエハ保持部材５２は、導電性材料（例えばステンレ
ス）で形成されており、また、イオン注入装置の他の構
成部からは電気的に絶縁された状態にされている。加え
て、このウエハ保持部材５２は、アース５４によって接
地され、さらに、このアース５４には、ウエハ保持部材
５２からグランドに流れ込む電流の値を測定するための
電流計５６が設けられている。
【０００６】かかる構成によれば、半導体ウエハ１０に
打ち込まれたイオン量を、このイオンの電荷がアース５
４によってグランドに流れ込む際の電流値によって検出
することができる。
打ち込まれたイオン量を、このイオンの電荷がアース５
４によってグランドに流れ込む際の電流値によって検出
することができる。
【０００７】また、従来のイオン注入装置においては、
イオンの注入による半導体ウエハ１０の温度上昇を抑え
るための冷却機構を設けるのが一般的である。かかる冷
却機構としては、例えば、上述のウエハ保持部材５２の
内部に設けた流路（図示せず）に冷媒を流通させること
によってこのウエハ保持部材５２を冷却し、これによっ
て半導体ウエハ１０の冷却を行うものが知られている。
イオンの注入による半導体ウエハ１０の温度上昇を抑え
るための冷却機構を設けるのが一般的である。かかる冷
却機構としては、例えば、上述のウエハ保持部材５２の
内部に設けた流路（図示せず）に冷媒を流通させること
によってこのウエハ保持部材５２を冷却し、これによっ
て半導体ウエハ１０の冷却を行うものが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５に示したようにし
て半導体ウエハ１０に打ち込まれたイオン量を検出する
ためには、上述したように、ウエハ保持部材５２をイオ
ン注入装置の他の構成部から電気的に絶縁された状態に
しておかなければならない。したがって、ウエハ保持部
材５２の内部に設けた流路に流通させる冷媒としても、
絶縁性のものを使用する必要がある。
て半導体ウエハ１０に打ち込まれたイオン量を検出する
ためには、上述したように、ウエハ保持部材５２をイオ
ン注入装置の他の構成部から電気的に絶縁された状態に
しておかなければならない。したがって、ウエハ保持部
材５２の内部に設けた流路に流通させる冷媒としても、
絶縁性のものを使用する必要がある。
【０００９】冷媒として導電性のものを使用した場合に
は、ウエハ保持部材５２と冷媒との間での電荷の流入・
流出が生じてしまうことや、ウエハ保持部材５２内の流
路に冷媒を供給するための配管が拾ったノイズがウエハ
保持部材５２に伝わってしまうことに起因して、アース
５４を流れる電流に変動が生じ、電流計５６によって電
流値を測定する際に測定誤差が生じてしまうからであ
る。
は、ウエハ保持部材５２と冷媒との間での電荷の流入・
流出が生じてしまうことや、ウエハ保持部材５２内の流
路に冷媒を供給するための配管が拾ったノイズがウエハ
保持部材５２に伝わってしまうことに起因して、アース
５４を流れる電流に変動が生じ、電流計５６によって電
流値を測定する際に測定誤差が生じてしまうからであ
る。
【００１０】このため、従来は、かかる冷媒として、絶
縁性の高いもの、例えばフレオン（登録商標；デュポン
社）等を使用していた。
縁性の高いもの、例えばフレオン（登録商標；デュポン
社）等を使用していた。
【００１１】しかしながら、フレオン等の従来使用され
ていた冷媒は、環境破壊の原因となるとされており、将
来は使用が禁止されるものと考えられている。
ていた冷媒は、環境破壊の原因となるとされており、将
来は使用が禁止されるものと考えられている。
【００１２】このため、近年、例えば純水等の他の冷媒
を使用するための検討が行われている。
を使用するための検討が行われている。
【００１３】ところが、純水は、従来より知られている
ように、完全な絶縁物ではなく、超純水の場合でも１８
ＭΩ程度の抵抗しかない。
ように、完全な絶縁物ではなく、超純水の場合でも１８
ＭΩ程度の抵抗しかない。
【００１４】したがって、冷媒として純水を使用する場
合には、電流計５６によって測定された電流値から求め
られる電荷量が実際にイオン注入によって半導体ウエハ
に導入されたイオンの電荷量と一致しないので、半導体
ウエハ１０に注入されたイオン量を正確に検出すること
ができず、このため、半導体ウエハ１０に導入される不
純物量を正確に制御することができないという課題があ
った。
合には、電流計５６によって測定された電流値から求め
られる電荷量が実際にイオン注入によって半導体ウエハ
に導入されたイオンの電荷量と一致しないので、半導体
ウエハ１０に注入されたイオン量を正確に検出すること
ができず、このため、半導体ウエハ１０に導入される不
純物量を正確に制御することができないという課題があ
った。
【００１５】さらに、本発明者の検討によれば、このア
ース５４を流れる電流の変動値（イオン量の検出誤差）
は、イオン注入装置の長期間の使用によって変化する。
このため、電流計５６によって測定された電流値を補正
することによって、半導体ウエハ１０に注入されたイオ
ン量の検出精度を向上させることは、非常に困難であ
る。
ース５４を流れる電流の変動値（イオン量の検出誤差）
は、イオン注入装置の長期間の使用によって変化する。
このため、電流計５６によって測定された電流値を補正
することによって、半導体ウエハ１０に注入されたイオ
ン量の検出精度を向上させることは、非常に困難であ
る。
【００１６】イオン注入装置の長期間の使用によってア
ース５４を流れる電流の変動値が変化するのは、純水の
抵抗値が低下してしまうことや、純水の流量が変化する
ことなどに起因するものと思われる。
ース５４を流れる電流の変動値が変化するのは、純水の
抵抗値が低下してしまうことや、純水の流量が変化する
ことなどに起因するものと思われる。
【００１７】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、微少な導電性を有する冷媒を
使用する場合に生じるイオン量の検出誤差を軽減するこ
とができるイオン注入装置の冷却機構を提供することを
目的とする。
みて試されたものであり、微少な導電性を有する冷媒を
使用する場合に生じるイオン量の検出誤差を軽減するこ
とができるイオン注入装置の冷却機構を提供することを
目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
の冷却機構は、イオン注入手段によって注入されたイオ
ンの電荷量を検出する電荷量検出手段を有するイオン注
入装置に設けられた、微少な導電性を有する冷媒を用い
て冷却を行なう冷却機構であって、前記冷媒を流通させ
るための流路と、この流路に前記冷媒を供給するため
の、絶縁性材料によって形成された第１の配管と、この
第１の配管に前記冷媒と接するように配設され且つ接地
された導電性部材と、前記流路から前記冷媒を流出させ
るための、絶縁性材料によって形成された第２の配管
と、を具備することを特徴とする。
の冷却機構は、イオン注入手段によって注入されたイオ
ンの電荷量を検出する電荷量検出手段を有するイオン注
入装置に設けられた、微少な導電性を有する冷媒を用い
て冷却を行なう冷却機構であって、前記冷媒を流通させ
るための流路と、この流路に前記冷媒を供給するため
の、絶縁性材料によって形成された第１の配管と、この
第１の配管に前記冷媒と接するように配設され且つ接地
された導電性部材と、前記流路から前記冷媒を流出させ
るための、絶縁性材料によって形成された第２の配管
と、を具備することを特徴とする。
【００１９】また、かかる発明においては、前記導電性
部材が、前記第１の配管途中に設けられた継手であるこ
とが望ましい。
部材が、前記第１の配管途中に設けられた継手であるこ
とが望ましい。
【００２０】
【作用】本発明によれば、導電性の冷媒は、第１の配管
に配設された、接地された導電性部材を伝ってこの第１
の配管から保持部材内の流路に供給され、さらに、第２
の配管に流出する。
に配設された、接地された導電性部材を伝ってこの第１
の配管から保持部材内の流路に供給され、さらに、第２
の配管に流出する。
【００２１】これにより、導電性の冷媒中のイオン量を
減少させることができ、これにより、保持部材と冷媒と
の間のイオンの流入・流出や、第１の配管内を流れる冷
媒に拾われたノイズが保持部材に与える影響等を、軽減
させることができる。
減少させることができ、これにより、保持部材と冷媒と
の間のイオンの流入・流出や、第１の配管内を流れる冷
媒に拾われたノイズが保持部材に与える影響等を、軽減
させることができる。
【００２２】したがって、本発明によれば、イオン注入
手段から被処理体に注入されたイオンの電荷量を、電荷
量検出手段で検出する際の、冷媒による検出誤差を軽減
させることができる。
手段から被処理体に注入されたイオンの電荷量を、電荷
量検出手段で検出する際の、冷媒による検出誤差を軽減
させることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の１実施例について、図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００２４】図１は、本実施例に係わる冷却機構が搭載
されるイオン注入装置の１構成例を概略的に示す図であ
る。
されるイオン注入装置の１構成例を概略的に示す図であ
る。
【００２５】図において、イオン源１２で生成された不
純物イオンは、イオンビームとなって、分析マグネット
１４を通過する。ここで、イオンビーム内の不要な不純
物イオンはこの分析マグネット１４を通過する際に除去
され、必要な不純物イオンのみを含むイオンビームが可
変スリット１６に達する。この可変スリット１６を通過
したイオンビームは、加速管１８で所望の速度に加速さ
れ、レンズ２０によって収束させられた後、Ｙスキャン
プレート２２およびＸスキャンプレート２４によって軌
道を定められて、ファラデー２６内に達する。
純物イオンは、イオンビームとなって、分析マグネット
１４を通過する。ここで、イオンビーム内の不要な不純
物イオンはこの分析マグネット１４を通過する際に除去
され、必要な不純物イオンのみを含むイオンビームが可
変スリット１６に達する。この可変スリット１６を通過
したイオンビームは、加速管１８で所望の速度に加速さ
れ、レンズ２０によって収束させられた後、Ｙスキャン
プレート２２およびＸスキャンプレート２４によって軌
道を定められて、ファラデー２６内に達する。
【００２６】このファラデー２６内の構成を、図２に示
す。
す。
【００２７】図に示したように、ファラデー２６内に
は、プラテン３０とシャフト３２とからなるウエハ保持
部材２８が設けられている。
は、プラテン３０とシャフト３２とからなるウエハ保持
部材２８が設けられている。
【００２８】本実施例の装置では、このシャフト３２を
回転させることで、ファラデー２６に対する半導体ウエ
ハ１０の搬入・搬出を行なう。すなわち、まず、プラテ
ン３０のウエハ搭載面３０ａが水平になった状態でこの
ウエハ搭載面３０ａに半導体ウエハ１０を保持させ、そ
の後、シャフト３２を回転させてウエハ搭載面３０ａを
垂直状態にすることにより半導体ウエハ１０のセットが
行われる。
回転させることで、ファラデー２６に対する半導体ウエ
ハ１０の搬入・搬出を行なう。すなわち、まず、プラテ
ン３０のウエハ搭載面３０ａが水平になった状態でこの
ウエハ搭載面３０ａに半導体ウエハ１０を保持させ、そ
の後、シャフト３２を回転させてウエハ搭載面３０ａを
垂直状態にすることにより半導体ウエハ１０のセットが
行われる。
【００２９】このようにして半導体ウエハ１０がセット
された状態で、上述のイオン源１２をオンし、ファラデ
ー２６に設けられた開口２６ａを通過したイオンビーム
を半導体ウエハ１０に打ち込むことにより、この半導体
ウエハ１０に対する不純物の導入を行うことができる。
された状態で、上述のイオン源１２をオンし、ファラデ
ー２６に設けられた開口２６ａを通過したイオンビーム
を半導体ウエハ１０に打ち込むことにより、この半導体
ウエハ１０に対する不純物の導入を行うことができる。
【００３０】また、このファラデー２６内の、開口２６
ａとウエハ保持部材２８との間には、セットアップフラ
グ３４が設けられている。このセットアップフラグ３４
も、上述のウエハ保持部材２８と同様、シャフト３６を
有しており、このシャフト３６を回転させることによ
り、フラグ３８を水平状態或いは垂直状態にすることが
できる。
ａとウエハ保持部材２８との間には、セットアップフラ
グ３４が設けられている。このセットアップフラグ３４
も、上述のウエハ保持部材２８と同様、シャフト３６を
有しており、このシャフト３６を回転させることによ
り、フラグ３８を水平状態或いは垂直状態にすることが
できる。
【００３１】セットアップフラグ３４のフラグ３８を垂
直状態にした場合、イオンビームは、このフラグ３８の
開口２６ａ側の表面に照射される。一方、フラグ３８を
水平状態にした場合、イオンビームは、このフラグ３８
に遮られること無く、ウエハ保持部材２８に保持された
半導体ウエハ１０に達する。
直状態にした場合、イオンビームは、このフラグ３８の
開口２６ａ側の表面に照射される。一方、フラグ３８を
水平状態にした場合、イオンビームは、このフラグ３８
に遮られること無く、ウエハ保持部材２８に保持された
半導体ウエハ１０に達する。
【００３２】ここで、ファラデー２６の筐体と、このフ
ァラデー２６内に設けられたウエハ保持部材２８および
セットアップフラグ３４は、それぞれ、導電性材料（例
えばアルミニウム等）によって形成され、互いに導通し
た状態となっている。また、このファラデー２６および
シャフト３２，３６は、それぞれ、装置本体から絶縁さ
れた状態で支持されている。
ァラデー２６内に設けられたウエハ保持部材２８および
セットアップフラグ３４は、それぞれ、導電性材料（例
えばアルミニウム等）によって形成され、互いに導通し
た状態となっている。また、このファラデー２６および
シャフト３２，３６は、それぞれ、装置本体から絶縁さ
れた状態で支持されている。
【００３３】ウエハ保持部材２８のシャフト３２に設け
られたアース５４から流出する電流値は、ドーズプロセ
ッサ４０によって測定する。このドーズプロセッサ４０
によれば、アース５４から流出する電流の値と時間とか
ら、イオンビームによって半導体ウエハ１０に打ち込ま
れたイオン量を検出することができ、さらに、このイオ
ン量によって半導体ウエハ１０に導入された不純物量を
知ることができる。
られたアース５４から流出する電流値は、ドーズプロセ
ッサ４０によって測定する。このドーズプロセッサ４０
によれば、アース５４から流出する電流の値と時間とか
ら、イオンビームによって半導体ウエハ１０に打ち込ま
れたイオン量を検出することができ、さらに、このイオ
ン量によって半導体ウエハ１０に導入された不純物量を
知ることができる。
【００３４】また、セットアップフラグ３４のフラグ３
８を垂直にした状態で、このフラグ３８の開口２６ａ側
の表面をイオンビームでスキャンし、このときアース５
４から流出する電流値をドーズプロセッサ４０で測定す
ることにより、イオンビームのフォーカスが十分である
か否かを検出することができる。
８を垂直にした状態で、このフラグ３８の開口２６ａ側
の表面をイオンビームでスキャンし、このときアース５
４から流出する電流値をドーズプロセッサ４０で測定す
ることにより、イオンビームのフォーカスが十分である
か否かを検出することができる。
【００３５】上述したウエハ保持部材２８およびセット
アップフラグ３４には、イオンビームを打ち込んだとき
の温度上昇を防止するための冷却機構が設けられてい
る。
アップフラグ３４には、イオンビームを打ち込んだとき
の温度上昇を防止するための冷却機構が設けられてい
る。
【００３６】図３（ａ）および（ｂ）に、ウエハ保持部
材２８を冷却するための冷却機構を概略的に示す。
材２８を冷却するための冷却機構を概略的に示す。
【００３７】図３（ａ）に示したように、シャフト３２
は、第１のパイプ３２−１と、このパイプ３２−１の内
側に同心で配設された第２のパイプ３２−２とによって
構成され、これにより、冷媒を流通させるための２系統
の流路３２ａ，３２ｂを構成している。
は、第１のパイプ３２−１と、このパイプ３２−１の内
側に同心で配設された第２のパイプ３２−２とによって
構成され、これにより、冷媒を流通させるための２系統
の流路３２ａ，３２ｂを構成している。
【００３８】なお、本実施例では、冷媒として、純水を
用いることとする。
用いることとする。
【００３９】また、この流路３２ａには、第１の配管４
２が接続されている。この第１の配管４２は、絶縁性材
料（例えばポリエチレン等）によって形成されており、
この第１の配管４２の流路に純水の抵抗値を低下させる
ためのフィルター４３が設けられ、且つ、図３（ｂ）に
示したように、その途中に金属（例えばステンレス）製
の継手４８が設けられている。なお、この継手４８は、
アース５０によって接地されている。
２が接続されている。この第１の配管４２は、絶縁性材
料（例えばポリエチレン等）によって形成されており、
この第１の配管４２の流路に純水の抵抗値を低下させる
ためのフィルター４３が設けられ、且つ、図３（ｂ）に
示したように、その途中に金属（例えばステンレス）製
の継手４８が設けられている。なお、この継手４８は、
アース５０によって接地されている。
【００４０】一方、流路３２ｂには、同じく絶縁性材料
によって形成された第２の配管４４が接続されている。
によって形成された第２の配管４４が接続されている。
【００４１】さらに、プラテン３０内には、流路３０ｂ
が設けられている。なお、この流路３０ｂは、流路３２
ａから流入した純水がこの流路３０ｂを流れて流路３２
ｂに達するように、構成されている。
が設けられている。なお、この流路３０ｂは、流路３２
ａから流入した純水がこの流路３０ｂを流れて流路３２
ｂに達するように、構成されている。
【００４２】かかる構成によれば、ポンプ４６から供給
された純水を、フィルター４３を有する第１の配管４２
→流路３２ａ→流路２８ｂ→流路３２ｂ→第２の配管４
４→ポンプ４６の経路で循環させることにより、ウエハ
保持部材２８の冷却を行うことができる。
された純水を、フィルター４３を有する第１の配管４２
→流路３２ａ→流路２８ｂ→流路３２ｂ→第２の配管４
４→ポンプ４６の経路で循環させることにより、ウエハ
保持部材２８の冷却を行うことができる。
【００４３】また、第１の配管４２に継手４８を設ける
とともに、この継手４８をアース５０で接地したことに
より、ウエハ保持部材２８と純水との間でのイオンの流
入・流出や、ウエハ保持部材２８内の流路に純水を供給
するための配管が拾ったノイズがウエハ保持部材２８に
伝わってしまうといったことを回避することができる。
このため、本実施例の冷却機構によれば、純水のごとき
導電性の冷媒を使用した場合にも、アース５４を流れる
電流に変動が生じることがなく、したがって、上述のド
ーズプロセッサ４０によって電流値を測定する際に測定
誤差が生じることもない。
とともに、この継手４８をアース５０で接地したことに
より、ウエハ保持部材２８と純水との間でのイオンの流
入・流出や、ウエハ保持部材２８内の流路に純水を供給
するための配管が拾ったノイズがウエハ保持部材２８に
伝わってしまうといったことを回避することができる。
このため、本実施例の冷却機構によれば、純水のごとき
導電性の冷媒を使用した場合にも、アース５４を流れる
電流に変動が生じることがなく、したがって、上述のド
ーズプロセッサ４０によって電流値を測定する際に測定
誤差が生じることもない。
【００４４】なお、かかる測定誤差を最小限に抑えるた
めには、継手４８を、極力、ウエハ保持部材２８の近傍
に設けることが望ましい。
めには、継手４８を、極力、ウエハ保持部材２８の近傍
に設けることが望ましい。
【００４５】図４は、かかる効果を説明するためのグラ
フであり、アース５０で接地した継手４８を設けた場合
と設けていない場合との、ドーズプロセッサ４０の測定
誤差を比較するためのグラフである。
フであり、アース５０で接地した継手４８を設けた場合
と設けていない場合との、ドーズプロセッサ４０の測定
誤差を比較するためのグラフである。
【００４６】図において、横軸は純水の比抵抗値であ
り、縦軸はドーズプロセッサ４０によって測定された電
流値（リーク電流値）である。なお、本グラフは、半導
体ウエハ１０にイオンビームを打ち込まないときの測定
結果であり、したがって、ドーズプロセッサ４０によっ
て測定された電流値は、そのまま測定誤差の値を示して
いる。
り、縦軸はドーズプロセッサ４０によって測定された電
流値（リーク電流値）である。なお、本グラフは、半導
体ウエハ１０にイオンビームを打ち込まないときの測定
結果であり、したがって、ドーズプロセッサ４０によっ
て測定された電流値は、そのまま測定誤差の値を示して
いる。
【００４７】図４から判るように、本実施例の冷却機構
によれば、ドーズプロセッサ４０の測定誤差を飛躍的に
小さくすることができる。また、純水の抵抗値の低下
や、純水の流量の変化による測定誤差の変化も低減させ
ることができる。
によれば、ドーズプロセッサ４０の測定誤差を飛躍的に
小さくすることができる。また、純水の抵抗値の低下
や、純水の流量の変化による測定誤差の変化も低減させ
ることができる。
【００４８】加えて、本発明者の検討によれば、従来の
冷却機構においては、ドーズプロセッサ４０の測定誤差
は、純水の抵抗値の変化や流量の変化だけでなく、第１
の配管４２を形成する材質によっても異なることが解っ
た。
冷却機構においては、ドーズプロセッサ４０の測定誤差
は、純水の抵抗値の変化や流量の変化だけでなく、第１
の配管４２を形成する材質によっても異なることが解っ
た。
【００４９】しかし、本実施例の冷却機構によれば、こ
のような原因による測定誤差の差異も低減させることが
できる。したがって、第１の配管４２を交換する際に、
まったく同じ配管を使用する必要がなく、冷却機構のメ
ンテナンスの負担を低減させることも可能である。
のような原因による測定誤差の差異も低減させることが
できる。したがって、第１の配管４２を交換する際に、
まったく同じ配管を使用する必要がなく、冷却機構のメ
ンテナンスの負担を低減させることも可能である。
【００５０】なお、本実施例では、冷媒として純水を使
用した場合について説明したが、他の導電性の冷媒を使
用する場合でも同様の効果を得ることができるのはもち
ろんである。
用した場合について説明したが、他の導電性の冷媒を使
用する場合でも同様の効果を得ることができるのはもち
ろんである。
【００５１】また、本実施例では、第１の配管４２に接
地した継手４８を設けることとしたが、冷媒と接するよ
うに導電性部材を設け且つこの導電性部材を接地するこ
ととすれば、継手４８以外のものによっても、同様の効
果を得ることができる。
地した継手４８を設けることとしたが、冷媒と接するよ
うに導電性部材を設け且つこの導電性部材を接地するこ
ととすれば、継手４８以外のものによっても、同様の効
果を得ることができる。
【００５２】併せて、本実施例では、冷却機構をウエハ
保持部材２８のみの冷却に適用した場合について説明し
たが、セットアップフラグ３４についても同様の冷却機
構を設けることとしてもよく、さらには、ウエハ保持部
材２８とセットアップフラグ３４とを同時に冷却するよ
うに構成してもよいことはもちろんである。
保持部材２８のみの冷却に適用した場合について説明し
たが、セットアップフラグ３４についても同様の冷却機
構を設けることとしてもよく、さらには、ウエハ保持部
材２８とセットアップフラグ３４とを同時に冷却するよ
うに構成してもよいことはもちろんである。
【００５３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、導電性の冷媒を使用する場合に生じるイオン量の
検出誤差を軽減することができるイオン注入装置の冷却
機構を提供することができる。
れば、導電性の冷媒を使用する場合に生じるイオン量の
検出誤差を軽減することができるイオン注入装置の冷却
機構を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例に係わる冷却機構が搭載され
るイオン注入装置の１構成例を示す概略図である。
るイオン注入装置の１構成例を示す概略図である。
【図２】図１に示したイオン注入装置に設けられたファ
ラデーの内部構成を拡大して示す概略的斜視図である。
ラデーの内部構成を拡大して示す概略的斜視図である。
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）ともに、図１に示した
イオン注入装置に設けられた冷却機構の構成を示す図で
ある。
イオン注入装置に設けられた冷却機構の構成を示す図で
ある。
【図４】図３に示した冷却機構の効果を説明するための
グラフである。
グラフである。
【図５】従来のイオン注入装置の１構成例を示す概念図
である。
である。
１０ 半導体ウエハ １２ イオン源 １４ 分析マグネット １６ 可変スリット １８ 加速管 ２０ レンズ ２２ Ｙスキャンプレート ２４ Ｘスキャンプレート ２６ ファラデー ２８ ウエハ保持部材 ３０ プラテン ３２ シャフト ３４ セットアップフラグ ３６ シャフト ３８ プラテン ４０ ドーズプロセッサ ５４ アース
ＴＥ０３７４０１
ＴＥ０３７４０１
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−82771（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/317 H01J 37/20 H01L 21/265 603
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン注入手段によって注入されたイオ
ンの電荷量を検出する電荷量検出手段を有するイオン注
入装置に設けられた、微少な導電性を有する冷媒を用い
て冷却を行なう冷却機構であって、前記冷媒を流通させ
るための流路と、この流路に前記冷媒を供給するため
の、絶縁性材料によって形成された第１の配管と、この
第１の配管に前記冷媒と接するように配設され且つ接地
された導電性部材と、前記流路から前記冷媒を流出させ
るための、絶縁性材料によって形成された第２の配管
と、を具備することを特徴とする、イオン注入装置の冷
却機構。 - 【請求項２】 前記導電性部材が、前記第１の配管途中
に設けられた継手であることを特徴とする請求項１記載
のイオン注入装置の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16382391A JP3187864B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | イオン注入装置の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16382391A JP3187864B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | イオン注入装置の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363853A JPH04363853A (ja) | 1992-12-16 |
| JP3187864B2 true JP3187864B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=15781414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16382391A Expired - Fee Related JP3187864B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | イオン注入装置の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187864B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015041267A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | アンチコンタミネーショントラップおよび真空応用装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16382391A patent/JP3187864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363853A (ja) | 1992-12-16 |
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