JP3178744U - ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱不良による短絡を抑制可能なダイオードを提供する。
【解決手段】ダイオードは、本体10、第一電極20および第二電極30を備える。本体10は縦方向長さ、横方向長さおよび高さを有し、縦方向高さが横方向長さより大きく、横方向長さが高さより大きい。第一電極20は細長くて扁平な形を呈し、一端が縦方向に沿って本体に入り込み、他端が縦方向に沿って本体の外部から水平方向上の所定長さまで延びる。第二電極30は細長くて扁平な形を呈し、かつ本体上の第一電極に向かい合う別の一側に位置し、一端が本体10に入り込み、他端が本体10の外部から水平方向上の所定長さまで延びる。第一電極20と第二電極30とは所定長さが本体10の縦方向長さ以上である。ダイオードと外部との接触面積が増大することで放熱効果を増す。
【選択図】図1A

Description

本考案は、ダイオードに関し、詳しくはダイオードの放熱効果を向上させることができる構造に関するものである。
ダイオードは電子システムにおいての最も基本となる構成ユニットの一つであり、電流が単一方向に流れる特性によって整流を行うため、よく電子製品に応用される。従来の技術において、ダイオードは円柱状の本体と、本体から外部に延びて形成された二つの電極とから構成される。ダイオードを表面実装工程に対応させるには、本体が直方体に製作され、二つの電極が短くて薄い湾曲状の片体によって本体と結合されたのち、プリント回路板に接着される。
従来の技術によるダイオードは、本体の形のため比較的大きい空間を取り、かつ回路板の差込孔または表面実装に対応するため二つの電極の長さが比較的短い。従来の技術によるダイオードが太陽電池の接続箱に使用される際、電圧は比較的高く、電極の長さは比較的短いため、ダイオードの放熱効果を低下させてしまう。特に長期にわたって使用されるとダイオードの温度を急遽上昇させ、電極を短絡させてしまうような事態が発生する。
上述した状況に鑑み、太陽電池の接続箱に使用されるダイオードの放熱問題について研究および改良を進めることによってダイオードの放熱効果を最大限に果たし、過熱によって短絡が発生するという問題を減少させることが研究開発の目的である。
本考案は、上述した欠点を克服するため、電極を細長くて扁平な形に製作し、電極の長さを一定にし、電極を外部に延ばす面積を拡張することによってダイオードの放熱面積を形成し、ダイオードの放熱効果を向上させ、ダイオードの放熱不良による短絡を抑制可能なダイオードを提供することを主な目的とする。
上述の目的を達成するために、本考案によるダイオードは、本体、第一電極および第二電極を備える。本体は縦方向長さ、横方向長さおよび高さを有し、縦方向高さが横方向長さより大きく、横方向長さが高さより大きい。第一電極は細長くて扁平な形を呈し、一端が縦方向に沿って本体に入り込み、他端が縦方向に沿って本体の外部から水平方向上の所定長さまで延びる。第二電極は細長くて扁平な形を呈し、かつ本体上の第一電極に向かい合う別の一側に位置し、一端が本体に入り込み、他端が本体の外部から水平方向上の所定長さまで延びる。第一電極と第二電極とは所定長さが本体の縦方向長さ以上である。
本考案の第1実施形態によるダイオードを示す斜視図である。 図1AのA−A方向に沿ったダイオードの断面図である。 図1Aに示したダイオードの一部分を示す平面図である。 本考案の第2実施形態によるダイオードを示す斜視図である。
以下、本考案の複数の実施形態によるダイオードを図面に基づいて説明する。ただし、本考案により提示されたダイオードの原理は、それに関連する技術領域において常識を熟知した人ならば理解できるため、詳細な説明はしない。かつ以下の説明に対応する図面は本考案の実施形態の特徴の説明のみに用いられるため、実際のサイズに基づいて作成されたものではない。
(第1実施形態)
本考案の第1実施形態によるダイオードは、図1Aに示すように、本体10、第一電極20および第二電極30を備える。第一電極20と第二電極30とはそれぞれ本体10の両側に位置する正極と負極である。
図1Bおよび図1Cに示すように、本実施形態において、本体10は扁平な直方体を呈し、縦方向長さd2、横方向長さd3および高さhを有する。第一電極2と第二電極30とは細長くて扁平な形を呈し、それぞれの一端によって本体10の縦方向の両端に入り込み、かつそれぞれ本体10の縦方向の両端から水平方向上の所定長さd1まで延びる。所定長さd1は本体10の縦方向長さd2以上である。一方、第一電極20と第二電極30とは本体10内のダイオードチップBの頂面および底面を挟んで電気的に接続するため、本体10内の一端に位置するように水平に配置され、かつ上下が相互に向かい合う。
電極は金属材料から構成されるため、電極の面積が放熱効果に関わる。良好な放熱効果を達成するため、第一電極20および第二電極30上の外部に延びた所定長さd1は本体10の縦方向長さd2の二倍であってもよい。第一電極20と第二電極30を延長し、本体10の外部に露出する面積を増大させることによってダイオードの放熱効果を向上させ、ダイオードの内部の熱をダイオードの外部に迅速に拡散させれば、ダイオードの高温が原因でダイオードチップBが焼損し、第一電極20および第二電極30が短絡するような事態を避けることができる。
(第2実施形態)
本考案の第2実施形態によるダイオードは、図2に示すように、本体10’、第一電極20および第二電極30を備える。本体10’は円柱形を呈する。本体10’、第一電極20および第二電極30の連結方式は第1実施形態と同じであるため、説明を省略する。
この技術を熟知した技術者であれば、異なる使用状況に応じ、本体10’の外部から水平方向に延びた第一電極20の長さと第二電極30の長さとを一致させなくてもよいことがわかる。つまり、水平方向に沿って外部に延びた第一電極20の所定長さd1または第二電極30の所定長さd1が本体10’の縦方向長さd2よりも大きければ、放熱効果を増進することができる。
(第3実施形態)
本考案の第3実施形態によるダイオード堆積構造(stacked diode structure)は、高電圧または高電流の使用状態に対応できる。太陽電池の接続箱は内部空間が非常に狭い。空間が限られた上で放熱効果を向上させるためにダイオード堆積構造は複数のダイオードを備える。第1実施形態の如き、ダイオードは本体が扁平な直方体を呈する。複数のダイオードは本体の高さの方向に沿って重なり、並列に接続されるとそれぞれのダイオードの第一電極を相互に電気的に接続し、それぞれのダイオードの第二電極を相互に電気的に接続することができる。上述したとおり、体積が増大した上で電流を平均し、熱エネルギーを分散させれば、放熱効果を効果的に果たすことができる。
従って、本考案によるダイオードは、両端が細長くて扁平な電極が外部の一定の長さまで延び、ダイオードと外部との接触面積が増大することによってダイオードの放熱効果を向上させるため、ダイオードの放熱不良が原因で電極を短絡させてしまうという問題を解決することができるだけでなく、異なる使用環境に応じて多様な使用方式を行うことができる。
10、10’:本体、
20:第一電極、
30:第二電極、
d1:所定長さ、
d2:縦方向長さ、
d3:横方向長さ、
h:高さ、
B:ダイオードチップ

Claims (10)

  1. 縦方向長さ、横方向長さおよび高さを有し、縦方向高さが横方向長さより大きく、横方向長さが高さより大きい本体と、
    細長くて扁平な形を呈し、一端が縦方向に沿って本体に入り込み、他端が縦方向に沿って本体の外部から水平方向上の所定長さまで延びる第一電極と、
    細長くて扁平な形を呈し、かつ本体上の第一電極に向かい合う別の一側に位置し、一端が本体に入り込み、他端が本体の外部から水平方向上の所定長さまで延びる第二電極と、を備え、
    第一電極および第二電極は所定長さが本体の縦方向長さ以上であり、第一電極および第二電極は本体内に水平に配置され、かつ上下が相互に向かい合うことを特徴とするダイオード。
  2. 本体は、扁平な直方体を呈することを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
  3. 本体は、内部にダイオードチップを有し、第一電極の一端および第二電極の一端はそれぞれ本体の内部に位置し、かつダイオードチップの頂面および底面を挟んで電気的に接続することを特徴とする請求項2に記載のダイオード。
  4. 第一電極および第二電極は、所定長さが本体の縦方向長さの二倍よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載のダイオード。
  5. 本体は、円柱形を呈することを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
  6. 本体は、内部にダイオードチップを有し、第一電極の一端および第二電極の一端はそれぞれ本体の内部に位置し、かつダイオードチップの頂面および底面を挟んで電気的に接続することを特徴とする請求項5に記載のダイオード。
  7. 第一電極および第二電極は、所定長さが本体の縦方向長さの二倍よりも大きいことを特徴とする請求項6に記載のダイオード。
  8. 複数のダイオードを備えるダイオード堆積構造であって、
    ダイオードは、本体、第一電極および第二電極を有し、
    本体は、扁平な直方体を呈し、かつ縦方向長さ、横方向長さおよび高さを有し、縦方向高さが横方向長さより大きく、横方向長さが高さより大きく、
    第一電極は、細長くて扁平な形を呈し、一端が縦方向に沿って本体に入り込み、他端が縦方向に沿って本体の外部から水平方向上の所定長さまで延び、
    第二電極は、細長くて扁平な形を呈し、かつ本体上の第一電極に向かい合う別の一側に位置し、一端が本体に入り込み、他端が本体の外部から水平方向上の所定長さまで延び、
    第一電極および第二電極は、所定長さが本体の縦方向長さ以上であり、
    第一電極および第二電極は、本体内に水平に配置され、かつ上下が相互に向き合い、
    複数のダイオードは、本体の高さの方向に沿って重なり、複数のダイオードの第一電極同士が相互に電気的に接続され、第二電極同士が相互に電気的に接続されることを特徴とするダイオード堆積構造。
  9. 本体は内部にダイオードチップを有し、第一電極の一端および第二電極の一端はそれぞれ本体の内部に位置し、かつダイオードチップの頂面および底面を挟んで電気的に接続することを特徴とする請求項8に記載のダイオード堆積構造。
  10. 第一電極および第二電極は所定長さが本体の縦方向長さの二倍よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載のダイオード堆積構造。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019126250A (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 浙江人和光伏科技有限公司 太陽電池用接続箱の導電性モジュール

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL252939A (ja) * 1959-10-19 1900-01-01
NL276298A (ja) * 1961-04-03 1900-01-01
JP2747634B2 (ja) * 1992-10-09 1998-05-06 ローム株式会社 面実装型ダイオード
US6307755B1 (en) * 1999-05-27 2001-10-23 Richard K. Williams Surface mount semiconductor package, die-leadframe combination and leadframe therefor and method of mounting leadframes to surfaces of semiconductor die
US7095101B2 (en) * 2000-11-15 2006-08-22 Jiahn-Chang Wu Supporting frame for surface-mount diode package
US6791172B2 (en) * 2001-04-25 2004-09-14 General Semiconductor Of Taiwan, Ltd. Power semiconductor device manufactured using a chip-size package
US6630726B1 (en) * 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
JP2004079760A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその組立方法
JP4338620B2 (ja) * 2004-11-01 2009-10-07 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN100435324C (zh) * 2004-12-20 2008-11-19 半导体元件工业有限责任公司 具有增强散热性的半导体封装结构
JP4262672B2 (ja) * 2004-12-24 2009-05-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
US8018042B2 (en) * 2007-03-23 2011-09-13 Microsemi Corporation Integrated circuit with flexible planar leads
US7800916B2 (en) * 2007-04-09 2010-09-21 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate with internal stacked semiconductor chips, method of making same, electrical assembly utilizing same and information handling system utilizing same
KR100896883B1 (ko) * 2007-08-16 2009-05-14 주식회사 동부하이텍 반도체칩, 이의 제조방법 및 이를 가지는 적층 패키지
JP5107839B2 (ja) * 2008-09-10 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
US7993941B2 (en) * 2008-12-05 2011-08-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package and method of forming Z-direction conductive posts embedded in structurally protective encapsulant
JP5273101B2 (ja) * 2010-06-23 2013-08-28 株式会社デンソー 半導体モジュールおよびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019126250A (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 浙江人和光伏科技有限公司 太陽電池用接続箱の導電性モジュール

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