JP3178433B2 - 電力分配器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電力分配器に係わ
り、詳細にはインピーダンス整合によって低損失を実現
する電力分配器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＲＦアンプ（Radio Frequency am
plifier）などの高周波の電力増幅器に適用される電力
分配器には、高効率化によってランニングコストを抑え
ることが要求され、電力分配器における入出力ポートや
各分配ラインは互いにインピーダンスが整合され低損失
化を図っている。

【０００３】図１２は従来の電力分配器の平面の構成の
概要を表わしたものである。この電力分配器は入力され
た信号の電力を４等分することができる。平板状のプリ
ント基板１０には、入力インピーダンスが５０［Ω］の
入力ポート１１と、出力インピーダンスが同じ５０
［Ω］の出力ポート１２₁〜１２₄とを備えている。そし
て、これらを銅箔からなる複数のインピーダンス変換ラ
インおよび伝送ラインを配置して接続することで電力の
等分配を行うことができるようになっている。入力イン
ピーダンスが５０［Ω］の入力ポート１１には、それぞ
れ特性インピーダンスが７０．７［Ω］のλ／４インピ
ーダンス変換ライン１３₁、１３₂の一端が接続されてい
る。λ／４インピーダンス変換ライン１３₁、１３₂それ
ぞれの他端には特性インピーダンスが５０［Ω］の伝送
ライン１４₁、１４₂の一端が接続されている。また、こ
れらλ／４インピーダンス変換ライン１３₁、１３₂の他
端間には、吸収抵抗１５₁が接続されている。

【０００４】５０［Ω］の伝送ライン１４₁の他端に
は、それぞれ７０．７［Ω］のλ／４インピーダンス変
換ライン１６₁、１６₂の一端が接続されている。これら
λ／４インピーダンス変換ライン１６₁、１６₂の他端に
はそれぞれ出力インピーダンスが５０［Ω］の出力ポー
ト１２₁、１２₂が接続されている。またλ／４インピー
ダンス変換ライン１６₁、１６₂の他端間には吸収抵抗１
５₂が接続されている。同様に５０［Ω］の伝送ライン
１４₂の他端には、それぞれ７０．７［Ω］のλ／４イ
ンピーダンス変換ライン１６₃、１６₄の一端が接続され
ている。これらλ／４インピーダンス変換ライン１
６₃、１６₄の他端にはそれぞれ出力インピーダンスが５
０［Ω］の出力ポート１２₃、１２₄が接続されている。
またλ／４インピーダンス変換ライン１６₃、１６₄の他
端間には吸収抵抗１５₃が接続されている。

【０００５】このような構成の電力分配器では、入力イ
ンピーダンスが５０［Ω］の入力ポート１１から入力さ
れた信号は、まず特性インピーダンスが７０．７［Ω］
のλ／４インピーダンス変換ライン１３₁、１３₂に２分
配される。この際、λ／４インピーダンス変換ライン１
３₁、１３₂のインピーダンス変換特性により、電力分配
は２等分される。さらにλ／４インピーダンス変換ライ
ン１３₁、１３₂の他端に接続されている特性インピーダ
ンスが５０［Ω］の伝送ライン１４₁、１４₂とのインピ
ーダンス整合が行われ、理想的には損失のない信号伝送
が行われる。吸収抵抗１５₁は、実際には各種誤差に起
因するインピーダンス不整合によって発生した反射波を
熱エネルギーに変換することで、アイソレーションを向
上させる。同様に伝送ライン１４₁、１４₂を伝送される
信号は、それぞれ特性インピーダンスが７０．７［Ω］
のλ／４インピーダンス変換ライン１６₁、１６₂、１６
₃、１６₄それぞれに等分配され、吸収抵抗１５₂、１５₃
では誤差によって生じたインピーダンス不整合による反
射波を熱エネルギーに変換することでアイソレーション
を向上させる。したがって、出力ポート１２₁〜１２₄に
は、それぞれ入力ポート１１から入力された信号の電力
が４等分されて出力されることになる。

【０００６】ところで、このような信号分配には上述し
たように複数のλ／４インピーダンス変換ラインが必要
である。詳細には、分配数をｎとすると、“２×（ｎ−
１）”本のλ／４インピーダンス変換ラインが必要とな
る。さらにこのλ／４インピーダンス変換ラインは信号
の電気長に依存するため、特に波長の長い低周波の信号
の場合には回路が大型化してしまうという問題があっ
た。

【０００７】そこで特開平９−２４６８１７号公報「高
周波電力分配合成器」には、線路のインピーダンスを半
分にする直列分配と、線路のインピーダンスを２倍にす
る並列分配とを交互に繰り返して接続することで、イン
ピーダンス整合を行うようにしている。このようにλ／
４インピーダンス変換ラインを用いないようにすること
で、小型化と、伝送信号の周波数に依存しない広帯域の
電力分配器を構成する技術が開示されている。

【０００８】また特公昭６３−２２７２５号公報「マイ
クロ集積回路電力分配器」には、結合スロット線間に挿
入される吸収抵抗を小さくするために、マイクロストリ
ップ線路の接地導体面にストリップ線路と結合するスロ
ット線路を形成したストリップ・スロット結合線路を用
いることによって吸収抵抗を小型化を図る電力分配器に
関する技術が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電力分
配器は、低損失で信号を等分配するものである。たとえ
ば、ＲＦアンプなどで大きな増幅率で増幅をする場合、
回路構成、高効率などを考慮して複数の増幅器で並列に
増幅することが行われる。

【００１０】図１３はこのような増幅装置の構成の一例
の概要を表わしたものである。すなわち入力ポート１７
から入力した信号を大きな増幅率で増幅するため、回路
構成および線形性などを考慮して、第１の増幅器１８
と、第２の増幅器１９とに直列分割される。第２の増幅
器１９は、たとえば４つの小増幅器２０₁〜２０₄が並列
接続されている。このような構成により所望の増幅率α
を、第１の増幅器１８の増幅率α₁と、小増幅器２０₁〜
２０₄の４つの増幅器それぞれの増幅率β₁〜β₄から実
現することができる。このようにして入力ポート１７か
らの入力信号は、増幅率αで増幅され、出力ポート２１
から出力される。小増幅器２０₁〜２０₄に対して出力信
号の飽和を回避し、その制御を容易にする等を目的とす
る場合、同一の増幅特性のものを用いる方が好都合であ
り、第１の増幅器１８の出力信号は、公知の電力分配器
によって等分配されて各小増幅器２０₁〜２０₄に配分さ
れることが行われる。

【００１１】ところで、広ダイナミックレンジ化等を目
的としたフィードフォワード制御では、これら増幅した
信号の一部をさらに分配する必要がある。その場合、図
１３に示した等分配の小増幅器の構成のうちの１つをフ
ィードフォワード制御のためだけに用いることも可能で
あるが、増幅器の構成を大型化してしまう。そこで、た
とえば小増幅器２０₄の増幅信号のみを少し大きくし
て、その一部をフィードフォワード制御に用いることが
行われる。その場合、第１の増幅器１８の信号分配は不
等分配される必要がある。ところが、従来の図１２に示
した電力分配器では、トーナメント形の信号分配器であ
るため不等分配を行おうとすると、インピーダンス整合
がとれなくなるため、分配損失が増大してしまうという
問題があった。また、特開平９−２４６８１７号公報や
特公昭６３−２２７２５号公報では、その不等分配に関
する技術について開示も示唆もされていない。

【００１２】そこで本発明の目的は、低周波信号に対し
ても回路を小型化でき、かつ低損失で信号の不等分配を
行う電力分配器を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）誘電体基板と、（ロ）この誘電体基板の第１
の面に形成された入力ポートと、（ハ）誘電体基板の第
１の面に形成された第１および第２の出力ポートと、
（ニ）誘電体基板の第１の面に形成され、入力ポートを
一端に接続し他端に第１の出力ポートを接続した伝送信
号の４分の１波長にわたって配置された第１のインピー
ダンス変換ラインと、（ホ）誘電体基板の第１の面に形
成され、入力ポートを一端に接続し他端に第２の出力ポ
ートを接続した伝送信号の４分の１波長にわたって配置
された第２のインピーダンス変換ラインと、（へ）誘電
体基板の第１の面に形成された第１の接地導体パターン
と、（ト）誘電体基板の第１の面と反対の第２の面に形
成され、第１の接地導体パターンとスルーホールによっ
て電気的に接続された第２の接地導体パターンと、
（チ）第１の接地導体パターンに一端をそれぞれ接地し
た第１および第２の終端抵抗と、（リ）誘電体基板の第
２の面に第１のインピーダンス変換ラインと対向するよ
うに伝送信号の４分の１波長にわたって配置されその一
端に第１の終端抵抗の他端を電気的に接続し、第１のイ
ンピーダンス変換ラインと電磁結合する第１の伝送ライ
ンと、（ヌ）誘電体基板の第２の面に第２のインピーダ
ンス変換ラインと対向するように伝送信号の４分の１波
長にわたって配置されその一端に第２の終端抵抗の他端
を電気的に接続し、第２のインピーダンス変換ラインと
電磁結合する第２の伝送ラインとを電力分配器に具備さ
せる。

【００１４】すなわち請求項１記載の発明では、誘電体
基板の一方の面としての第１の面に入力ポートと、第１
および第２の出力ポートと、第１のインピーダンス変換
ラインと、第２のインピーダンス変換ラインと、第１の
接地導体パターンを形成する。また、誘電体基板の他方
の面としての第２の面に第２の接地導体パターンと、第
１および第２の伝送ラインを形成する。また、第１およ
び第２の終端抵抗の一端を第１の接地導体パターンにそ
れぞれ接地し、第１の終端抵抗については他端を第１の
伝送ラインの一端に接続し、第２の終端抵抗については
他端を第２の伝送ラインの一端に接続する。ここで、第
１のインピーダンス変換ライン、第２のインピーダンス
変換ライン、第１の伝送ラインおよび第２の伝送ライン
は共に伝送信号の４分の１波長にわたって配置されてい
る。また、第１のインピーダンス変換ラインと第１の伝
送ラインは誘電体基板を挟んで対向配置され、第２のイ
ンピーダンス変換ラインと第２の伝送ラインは誘電体基
板を挟んで対向配置されている。このような構成によ
り、第１および第２のインピーダンス変換ラインには入
力信号が等分配される。そして第１および第２のインピ
ーダンス変換ラインは、インピーダンス整合を行って、
入出力線路としての第１および第２のインピーダンス変
換ラインそれぞれの入力端とは異なる他方の端からそれ
ぞれ出力される信号と、第１および第２の伝送ラインの
第１および第２の終端抵抗が接続されている方とは反対
の端から出力される信号とを、それぞれ低損失の出力信
号として分配することができる。また、誘電体基板を利
用してカップリングすることで電磁結合を行っているの
で、伝送信号の波長に依存しないばかりでなく、各イン
ピーダンス変換ラインおよび各伝送ラインの配置領域を
も小さくすることができるので大幅な回路の小型化を行
うことができる。さらに、インピーダンス変換ラインと
伝送ラインそれぞれとのカップリングの度合いを調整す
ることでインピーダンス変換ラインの他端から出力され
る信号の電力と、伝送ラインの他端から出力される信号
の電力との分配を容易に変更することができ、低損失の
不等分配器を構成することができる。

【００１５】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
電力分配器で、第１および第２の伝送ラインにおける誘
電体基板と反対側の面にはヒートシンクが配置されてい
ることを特徴としている。

【００１６】すなわち請求項２記載の発明では、ヒート
シンクを配置することで、誘電体基板に形成された各伝
送ラインの信号伝送によって発生した熱エネルギの発散
を行うことができる。

【００１７】

【００１８】

【００１９】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
電力分配器で、インピーダンス変換ラインの一端および
伝送ラインの一端から出力される信号の電力分配比を、
誘電体基板の厚さに応じて変更することを特徴としてい
る。

【００２０】すなわち請求項３記載の発明では、インピ
ーダンス変換ラインの一端および伝送ラインの一端から
出力される信号は誘電体基板の厚さに応じた電力分配比
で出力されるようにしている。

【００２１】請求項４記載の発明では、請求項１記載の
電力分配器で、インピーダンス変換ラインの一端および
伝送ラインの一端から出力される信号の電力分配比を、
各ライン幅に応じて変更することを特徴としている。

【００２２】すなわち請求項４記載の発明では、インピ
ーダンス変換ラインの一端および伝送ラインの一端から
出力される信号は各インピーダンス変換ラインおよび伝
送ラインの幅に応じた電力分配比で出力されるようにし
ている。

【００２３】請求項５記載の発明では、請求項１記載の
電力分配器で、インピーダンス変換ラインの一端および
伝送ラインの一端から出力される信号の電力分配比を、
誘電体基板を介して対向して配置する領域に応じて変更
することを特徴としている。

【００２４】すなわち請求項５記載の発明では、インピ
ーダンス変換ラインの一端および伝送ラインの一端から
出力される信号は誘電体基板を介して対向して配置され
る領域に応じた電力分配比で出力されるようにしてい
る。

【００２５】請求項６記載の発明では、請求項１記載の
電力分配器で、インピーダンス変換ラインの一端および
伝送ラインの一端から出力される信号の電力分配比を、
各ラインのエアー層の厚さに応じて変更することを特徴
としている。

【００２６】すなわち請求項６記載の発明では、インピ
ーダンス変換ラインの一端および伝送ラインの一端から
出力される信号は各インピーダンス変換ラインおよび伝
送ラインのエアー層の厚さに応じた電力分配比で出力さ
れるようにしている。

【００２７】

【発明の実施の形態】

【００２８】

【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。

【００２９】第１の実施例

【００３０】図１は本発明の第１の実施例における電力
分配器の構成の概要を表わしたものである。ガラスエポ
キシ樹脂などからなる平板状の誘電体基板３０の上面お
よび下面には銅箔などの金属薄膜からなる接地導体パタ
ーン３１、３２および信号伝送ラインが形成されてい
る。この誘電体基板３０の上面および下面に形成されて
いる各信号伝送ライン、接地導体パターン３１、３２
は、複数のスルーホールによって電気的に接続されてい
る。さらに誘電体基板３０の下面には接地導体パターン
３２を介してヒートシンク３３が設置され、誘電体基板
３０に形成された各信号伝送ライン上の信号伝送によっ
て発生した熱エネルギーの発散を行う。

【００３１】すなわち図１を参照すると、平板状の誘電
体基板３０の上側に位置する面一帯には、接地導体パタ
ーン３１が蒸着あるいは印刷などによって形成されてい
る。接地導体パターン３１は、エッチング処理によって
この接地導体パターンと電気的に絶縁するように、誘電
体基板３０の上面に配置される信号ラインが形成されて
いる。そしてこれら信号ラインとして、入力インピーダ
ンスが５０［Ω］の入力ポート３４と、出力インピーダ
ンスが５０［Ω］である２つの出力ポート３５、３６
と、特性インピーダンスが７０．７［Ω］であるλ／４
インピーダンス変換ライン３７、３８が配置されてい
る。入力ポート３４はλ／４インピーダンス変換ライン
３７、３８のそれぞれの一端に接続され、各λ／４イン
ピーダンス変換ライン３７、３８の他端にはそれぞれ出
力ポート３５、３６が接続されており、Ｔ字型の形状の
金属薄膜として配置されている。

【００３２】さらにこの誘電体基板３０の上面の接地導
体パターン３１が除去されている領域には、特性インピ
ーダンスが５９．５［Ω］であるλ／４インピーダンス
変換ライン３９、４０が配置されている。これらλ／４
インピーダンス変換ライン３９、４０の一端にはそれぞ
れスルーホール４１、４２を有し、これらスルーホール
を介して誘電体基板３０の下側に位置する面の信号伝送
ラインと電気的に接続されている。一方、λ／４インピ
ーダンス変換ライン３９、４０の他端には、それぞれ出
力インピーダンスが５０［Ω］である出力ポート４３、
４４が接続されている。また、出力ポート３５、３６近
傍の接地導体パターン３１上のエッチング境界に接する
ように終端抵抗値が７０．７［Ω］である終端抵抗４
５、４６がねじ止めで設置されている。終端抵抗４５、
４６は、それぞれ一端は接地導体パターン３１に接続さ
れており、その他端はそれぞれリードによって伝送ライ
ン４７、４８と電気的に接続されている。伝送ライン４
７、４８はそれぞれスルーホール４９、５０を備えてお
り、これらスルーホールを介して誘電体基板３０の下面
に配置されている信号伝送ラインと電気的に接続されて
いる。

【００３３】このように誘電体基板３０の上面には接地
導体パターン３１以外に、λ／４インピーダンス変換ラ
イン３７、３８と、その一端にスルーホール４１、４２
を有するλ／４インピーダンス変換ライン３９、４０
と、同じく一端にスルーホール４９、５０を有する伝送
ライン４７、４８が形成されている。また、接地導体パ
ターン３１のエッチング境界に接するようにして終端抵
抗４５、４６がねじ止めされており、リードを介してそ
れぞれ伝送ライン４７、４８と電気的に接続されてい
る。

【００３４】図２は図１に示した電力分配器における誘
電体基板３０の下側に位置する面の構成の概要を表わし
たものである。ただし、図１に示した第１の実施例にお
ける電力分配器の誘電体基板３０の上面と同一部分であ
るスルーホールについては、同一符号を付し、説明を省
略する。図２に示すように、図１における誘電体基板３
０の下面一帯には、上面と同様に銅箔などの金属薄膜に
よって形成されている接地導体パターン３２が配置され
ている。この接地導体パターン３２に対して電気的に絶
縁されるように、λ／４インピーダンス変換ラインがエ
ッチング処理によって形成されている。図２に示す誘電
体基板３０の上面には、このようにエッチングによって
形成されたλ／４インピーダンス変換ライン５１、５２
が形成されている。λ／４インピーダンス変換ライン５
１の両端はスルーホール４１、４９を有しており、スル
ーホール４１を介してλ／４インピーダンス変換ライン
３９と、スルーホール４９を介して終端抵抗４５と接続
されている。λ／４インピーダンス変換ライン５２の両
端はスルーホール４２、５０を有しており、スルーホー
ル４２を介してλ／４インピーダンス変換ライン４０
と、スルーホール５０を介して終端抵抗４６と接続され
ている。また、これらλ／４インピーダンス変換ライン
５１、５２は、それぞれλ／４インピーダンス変換ライ
ン３７、３８のほぼ裏面に形成されており、誘電体基板
３０を介して電磁結合されていることを特徴としてい
る。

【００３５】このように誘電体基板３０を介して電磁結
合されているλ／４インピーダンス変換ライン３７とλ
／４インピーダンス変換ライン５１、λ／４インピーダ
ンス変換ライン３８とλ／４インピーダンス変換ライン
５２は、それぞれカップリングされ、そのカップリング
の度合いに応じて信号の電力が裏面のλ／４インピーダ
ンス変換ライン５１、５２それぞれに分配されることに
なる。このようにλ／４インピーダンス変換ライン５
１、５２に分配された信号は、それぞれスルーホール４
１、４２を介してλ／４インピーダンス変換ライン３
９、４０を介して５０［Ω］のインピーダンス変換によ
るインピーダンス整合が行われ、５０［Ω］の出力ポー
ト４３、４４から出力される。これに対して、λ／４イ
ンピーダンス変換ライン５１、５２に分配されなかった
分の信号は、そのまま出力インピーダンスが５０［Ω］
の出力ポート３５、３６より出力される。

【００３６】図３は図１に示すＡ−Ａ線に沿う断面の構
成を表わしたものである。このようにガラスエポキシ樹
脂からなる誘電体基板３０の上側の面には銅箔などの金
属薄膜からなる接地導体パターン３１が配置されてお
り、エッチングによりλ／４インピーダンス変換ライン
３７が形成されている。また、誘電体基板３０の下側の
面には銅箔などの金属薄膜からなる接地導体パターン３
２が配置されており、エッチング処理によりλ／４イン
ピーダンス変換ライン５１が形成されている。これらλ
／４インピーダンス変換ライン３７、５１は誘電体基板
３０を介在させており、電磁的に結合されるようになっ
ている。また、誘電体基板３０の下側の面には導体接地
パターン３２を介してヒートシンク３３が設置されてお
り、誘電体基板３０の下側の面に形成されているλ／４
インピーダンス変換ライン５１の形状に合わせて、溝５
３が形成されている。

【００３７】次に、誘電体基板３０の上面および下面に
形成される基板パターンの概要について説明する。

【００３８】図４は図１に示す第１の実施例における電
力分配器の上面からみた誘電体基板３０上に形成される
導体パターンの概要を表わしたものである。ただし図１
に示す第１の実施例における電力分配器の構成部分と同
一部分には同一符号を付し、説明を適宜省略する。入力
ポート３４は、それぞれλ／４インピーダンス変換ライ
ン３７、３８を介して出力ポート３５、３６に接続され
るようにＴ字型の形状の金属薄膜を接地導体パターン３
１からエッチング処理で形成される。これらλ／４イン
ピーダンス変換ライン３７、３８は、入力インピーダン
スが５０［Ω］の入力ポート３４から入力される信号の
電力を２等分して分配することができるように特性イン
ピーダンスが７０．７［Ω］となる同一膜厚、同一形状
で形成されている。同様にして、出力ポート４３、４４
と接続されているλ／４インピーダンス変換ライン３
９、４０、伝送ライン４７、４８をエッチングで形成す
る。さらに、これらライン上の一端には、それぞれスル
ーホール４１、４２、４９、５０が形成され、それぞれ
裏面の伝送ラインと電気的に接続することができるよう
になっている。

【００３９】さらに終端抵抗設置部５４、５５は、接地
導体パターン３１上にエッチング境界に接して設けられ
ている。この終端抵抗設置部５４、５５に設置された終
端抵抗４５、４６は、それぞれねじ止めによって固定さ
れるとともに、その一端は接地導体パターン３１と電気
的に接続されて接地されるようになっており、その他端
は図示しないリードを介してそれぞれ伝送ライン４７、
４８を介して電気的に接続するようになっている。

【００４０】図５は誘電体基板３０の図２における上面
に形成される導体パターンの概要を表わしたものであ
る。ただし図２に示す第１の実施例におけ誘電体基板３
０の構成部分と同一部分には同一符号を付し、説明を適
宜省略する。このように接地導体パターン３２をエッチ
ングにより、λ／４インピーダンス変換ライン５１、５
２を同一膜厚、同一形状になるように形成している。そ
してそれぞれ出力ポート４３、４４に接続されている裏
面のλ／４インピーダンス変換ライン３９、４０と電気
的に接続するためのスルーホール４１、４２と、終端抵
抗４５、４６で電気的に終端するためのスルーホール４
９、５０が形成されている。

【００４１】次に、このような構成の電力分配器におけ
る動作について説明する。ここでは、誘電体基板３０の
両面に形成されて電磁結合されているλ／４インピーダ
ンス変換ライン３７とλ／４インピーダンス変換ライン
５１、λ／４インピーダンス変換ライン３８とλ／４イ
ンピーダンス変換ライン５２は、それぞれ３［ｄＢ］カ
ップリング、すなわち２分配されているものとする。

【００４２】したがって５０［Ω］の入力ポート３４か
ら入力された信号は、特性インピーダンス７０．７
［Ω］のλ／４インピーダンス変換ライン３７、３８に
よって形成されるトーナメント形の信号分配器によって
２分配される。この２分配された信号のうちλ／４イン
ピーダンス変換ライン３７を伝播する信号は、その裏面
に形成され、このλ／４インピーダンス変換ライン３７
とカップリングされているλ／４インピーダンス変換ラ
イン５１によってさらに分配される。この場合、上述し
たように３［ｄＢ］カップリングのため２分配される。
すなわち、λ／４インピーダンス変換ライン５１に分配
された信号は、スルーホール４１を介してλ／４インピ
ーダンス変換ライン３９によって５０［Ω］の出力ポー
ト４３とインピーダンス整合が行われて、この出力ポー
ト４３から出力される。一方、λ／４インピーダンス変
換ライン５１に分配されなかった信号は、λ／４インピ
ーダンス変換ライン３７によって５０［Ω］の出力ポー
ト３５とインピーダンス整合が行われて、この出力ポー
ト３５から出力される。このように出力ポート３５、４
３からは等分配された信号が出力される。

【００４３】同様にして２分配された信号のうちλ／４
インピーダンス変換ライン３８を伝播する信号は、その
裏面に形成され、このλ／４インピーダンス変換ライン
３８とカップリングされているλ／４インピーダンス変
換ライン５２によってさらに分配される。この場合、上
述したように３［ｄＢ］カップリングのため２分配され
る。すなわち、λ／４インピーダンス変換ライン５２に
分配された信号は、スルーホール４２を介してλ／４イ
ンピーダンス変換ライン４０によって５０［Ω］の出力
ポート４４とインピーダンス整合が行われて、この出力
ポート４４から出力される。一方、λ／４インピーダン
ス変換ライン５２に分配されなかった信号は、λ／４イ
ンピーダンス変換ライン３８によって５０［Ω］の出力
ポート３６とインピーダンス整合が行われて、この出力
ポート３６から出力される。このように出力ポート３
５、３６、４３、４４からは出力される信号は、４等分
配された信号となる。

【００４４】次に、これまで説明した電力分配器の各伝
送ラインをモデル化したシミュレーションについて図６
〜図８を参照して、第１の実施例における電力分配器に
ついて説明する。

【００４５】図６は第１の実施例における電力分配器を
モデル化してシミュレーションを行う際に用いたシミュ
レーション条件を表わしたものである。同図（ａ）はλ
／４インピーダンス変換ラインをモデリングしたときの
シミュレーション条件で、同図（ｂ）はカップリングを
モデリングしたときのシミュレーション条件を示してい
る。すなわち、同図（ａ）で示すように、λ／４インピ
ーダンス変換ラインについて、誘電体基板３０の基板厚
Ｈを３．０［ｍｍ］、金属薄膜の膜厚Ｔを１８［μ
ｍ］、エアー層ＨＵを１０［ｍｍ］としている。まだ同
図（ｂ）で示すように、カップリングモデルについて、
誘電体基板３０の基板厚Ｈを３．０［ｍｍ］、金属薄膜
の膜厚Ｔを１８［μｍ］、エアー層ＨＵを１０［ｍ
ｍ］、ヒートシンク３３に伝送ラインに応じて形成され
ている溝５３のエアー層ＨＬを１０［ｍｍ」としてい
る。また、誘電体基板３０の誘電率を３．５としてい
る。

【００４６】図７は第１の実施例における電力分配器の
シミュレーションモデルの構成を表わしたものである。
ただし、図１あるいは図２に示す第１の実施例における
電力分配器と同一部分には同一符号を付している。すな
わち入力ポート３４には、入力インピーダンスに相当す
る５０［Ω］の入力インピーダンス５６が接続されてい
る。また、この入力ポート３４には、λ／４インピーダ
ンス変換ライン３７とその裏面のλ／４インピーダンス
変換ライン５１によってカップリングされている電力分
配部に相当する第１のカップリングライン５７と、λ／
４インピーダンス変換ライン３８とその裏面のλ／４イ
ンピーダンス変換ライン５２によってカップリングされ
ている電力分配部に相当する第２のカップリングライン
５８とに接続されている。λ／４インピーダンス変換ラ
イン３７の他端に接続される出力ポート３５には、その
出力インピーダンスに相当する５０［Ω］の第１の出力
インピーダンス５９が接続されている。λ／４インピー
ダンス変換ライン３８の他端に接続される出力ポート３
６には、その出力インピーダンスに相当する５０［Ω］
の第２の出力インピーダンス６０が接続されている。λ
／４インピーダンス変換ライン５１の他端は、スルーホ
ール４９に相当する第１の仮想出力ポート６１に接続さ
れ、その第１の仮想出力ポート６１には、７０．７
［Ω］の終端抵抗４５が接続されている。λ／４インピ
ーダンス変換ライン５２の他端は、スルーホール５０に
相当する第２の仮想出力ポート６２に接続され、その第
２の仮想出力ポート６２には、７０．７［Ω］の終端抵
抗４６が接続されている。

【００４７】λ／４インピーダンス変換ライン５１は、
スルーホール４１を介して特性インピーダンスが５９．
５［Ω］のλ／４インピーダンス変換ライン３９を介し
て出力ポート４３が接続されている。出力ポート４３に
は、その出力インピーダンスに相当する５０［Ω］の第
３の出力インピーダンス６３が接続されている。同様に
λ／４インピーダンス変換ライン５２は、スルーホール
４２を介して特性インピーダンスが５９．５［Ω］のλ
／４インピーダンス変換ライン４０を介して出力ポート
４４が接続されている。出力ポート４４には、その出力
インピーダンスに相当する５０［Ω］の第４の出力イン
ピーダンス６４が接続されている。

【００４８】また、第１および第２のカップリングライ
ン５７、５８は、それぞれ幅７［ｍｍ］、長さ２４［ｍ
ｍ］、空気の誘電率を１．０とし、λ／４インピーダン
ス変換ライン３９、４０は、それぞれ幅４．５［ｍ
ｍ］、長さ２２［ｍｍ］としている。

【００４９】図８は、図７に示したシミュレーションモ
デルを用いたシミュレーション結果を表わしたものであ
る。ここでは、図７に示すシミュレーションモデルにつ
いて、入力ポート３４を第１のポート、出力ポート３５
を第２のポート、出力ポート４３を第３のポート、出力
ポート３６を第５のポート、出力ポート４４を第６のポ
ートとしている。そして、横軸に単位［ＧＨｚ］の周波
数、横軸に単位［ｄＢ］として、各Ｓパラメータ
（Ｓ₁₂、Ｓ₁₃、Ｓ₁₅、Ｓ₁₆）についてグラフ化してい
る。シミュレーション結果６５が示すように、図７では
各Ｓパラメータは等価的に同一回路となるので同一結果
になるが、その値は“−６．２［ｄＢ］”となって、４
等分配されたことを示している。ただし、各出力ポート
から等分配された信号は、０．２ｄＢずつ損失している
ことを示している。

【００５０】本シミュレーションモデルでは、虚数モデ
ルについては無視している。しかし、構造解析によって
磁界の解析を行わなければ、精密な構成を決定すること
ができない以上、この段階におけるシミュレーション
で、虚数モデルを用いた精密な解析は無意味であり、設
計方針を確認するための大まかな判断材料でしかないこ
とに留意すべきである。

【００５１】したがって、このようなシミュレーション
を行った後は、第１および第２のカップリングライン５
７、５８におけるカップリング量を操作するか、インピ
ーダンス変換ライン３９、４０を微調整するなどして構
造解析の結果、低損失な等分配を行う電力分配器を構成
することができる。

【００５２】このように第１の実施例における電力分配
器は、誘電体基板３０の上面に形成されたλ／４インピ
ーダンス変換ライン３７、３８によって形成されるトー
ナメント形の信号分配器によって２等分した信号を、こ
れらλ／４インピーダンス変換ラインの裏面に形成さ
れ、３［ｄＢ］カップリングされたλ／４インピーダン
ス変換ライン５１、５２へ分配するようにしている。こ
れにより、λ／４インピーダンス変換ライン５１、５２
から出力される信号と、カップリングされずλ／４イン
ピーダンス変換ライン３７、３８の他端に接続されてい
る出力ポートから出力信号は等分配されたものを出力す
ることができる。

【００５３】ところで、λ／４インピーダンス変換ライ
ン３７とλ／４インピーダンス変換ライン５１、λ／４
インピーダンス変換ライン３８とλ／４インピーダンス
変換ライン５２それぞれのカップリング量は、自由に変
更することができる。たとえばカップリングを４．７
［ｄＢ］カップリング、すなわち３分の１だけλ／４イ
ンピーダンス変換ライン５１、５２にカップリングされ
るようにした場合、出力ポート３５、３６、４３、４４
の分配比は、２：２：１：１という低損失の不等４分配
が可能となる。さらに、カップリングを６［ｄＢ］カッ
プリング、すなわち４分の１だけλ／４インピーダンス
変換ライン５１、５２にカップリングされるようにした
場合、出力ポート３５、３６、４３、４４の分配比は、
３：３：１：１という低損失の不等８分配を行うことが
可能となる。ただし、λ／４インピーダンス変換ライン
の分配前の信号に対して２分の１の分配比を越えてカッ
プリングしている伝送ラインに分配することはできな
い。

【００５４】すなわち従来は、トーナメント形で行われ
ていた２ⁿ（ｎは、２以上の自然数）分配の電力分配を
非常に小型化された回路構成で実現でき、かつ低損失に
行うことができる。また、従来の構成では電力損失を避
けられなかった不等分配についても、低損失かつ小型化
された回路構成で実現できるようになる。

【００５５】第２の実施例

【００５６】第１の実施例における電力分配器は、従来
のトーナメント形と同様に２ⁿ（ｎは、２以上の自然
数）分配を実現するものであったが、第２の実施例にお
ける電力分配器は不等分配によって、その分配比を任意
のポートに割り当てることができる。

【００５７】図９は本発明の第２の実施例における電力
分配器の構成の概要を表わしたものである。ガラスエポ
キシ樹脂などからなる平板状の誘電体基板７０の上面お
よび下面には銅箔などの金属薄膜からなる接地導体パタ
ーン７１、７２および各種信号伝送ラインが形成されて
いる。この誘電体基板７０の上面および下面の各信号伝
送ライン、接地導体パターン７１、７２は、それぞれ複
数のスルーホールによって電気的に接続されている。さ
らに誘電体基板７０の下面には接地導体パターン７２を
介してヒートシンク７３が設置され、誘電体基板７０に
形成された各信号伝送ライン上の信号伝送によって発生
した熱エネルギーの発散を行う。

【００５８】すなわち図９を参照すると、平板状の誘電
体基板７０の上側に位置する面一帯には、接地導体パタ
ーン７１が蒸着あるいは印刷などによって形成されてい
る。接地導体パターン７１は、エッチング処理によって
この接地導体パターンと電気的に絶縁するように、誘電
体基板７０の上面に配置される信号ラインが形成されて
いる。そしてこれら信号ラインとして、入力インピーダ
ンスが５０［Ω］の入力ポート７４と、出力インピーダ
ンスが５０［Ω］である６つの出力ポート７５〜８０
と、λ／４インピーダンス変換ライン８１、８２と、カ
ップリング用伝送ライン８３、８４と、特性インピーダ
ンスが７０．７［Ω］のλ／４インピーダンス変換ライ
ン８５、８６が、それぞれ金属薄膜として配置されてい
る。

【００５９】入力ポート７４は、スルーホール８７を介
して裏面に接続される信号伝送ラインと電気的に接続さ
れている。λ／４インピーダンス変換ライン８１、８２
は、それぞれ一端が終端抵抗値が７０．７［Ω］の終端
抵抗８８、８９が接続されており、その他端にはそれぞ
れ出力ポート７５、７６が接続されている。終端抵抗８
８、８９は、λ／４インピーダンス変換ライン８１、８
２の一端部近傍の接地導体パターン７１上のエッチング
境界に接して、ねじ止めで設置されており、各終端抵抗
とインピーダンス変換ラインはそれぞれリードを介して
電気的に接続されている。λ／４インピーダンス変換ラ
イン８５、８６は、その両端近傍にスルーホール９０〜
９３を有しており、これらスルーホールを介して裏面に
形成されている信号伝送ラインと電気的に接続されてい
る。カップリング用伝送ライン８３、８４は、それぞれ
一端が終端抵抗値が５０［Ω］の終端抵抗９４、９５が
接続されており、その他端にはそれぞれ出力ポート７
７、７８が接続されている。終端抵抗９４、９５は、カ
ップリング用伝送ライン８３、８４の一端部近傍の接地
導体パターン７１上のエッチング境界に接してねじ止め
で設置されており、各終端抵抗とインピーダンス変換ラ
インはそれぞれリードを介して電気的に接続されてい
る。出力ポート７９、８０は、それぞれスルーホール９
６、９７を介して裏面に形成されている信号伝送ライン
と電気的に接続されている。

【００６０】このように誘電体基板７０の上面には接地
導体パターン７１以外に、各種信号伝送ラインがエッチ
ング処理により形成されているが、その多くはスルーホ
ールを介して裏面に形成されている信号伝送ラインと電
気的に接続されている。

【００６１】図１０は図９に示した電力分配器における
誘電体基板７０の下側に位置する面の構成の概要を表わ
したものである。ただし、図９に示した第２の実施例に
おける電力分配器の誘電体基板７０の上面と同一部分で
あるスルーホールについては、同一符号を付し、説明を
省略する。図１０に示すように、図９における誘電体基
板７０の下面一帯には、上面と同様に銅箔などの金属薄
膜によって形成されている接地導体パターン７２が配置
されている。この接地導体パターン７２には、電気的に
絶縁されるように、λ／４インピーダンス変換ラインが
エッチングによって形成されている。図１０に示す誘電
体基板３０の上面には、このようにエッチングによって
形成されたλ／４インピーダンス変換ライン９８、９９
とカップリング用伝送ライン１００、１０１が配置され
ている。λ／４インピーダンス変換ライン９８、９９
は、それぞれ特性インピーダンスが７０．７［Ω］であ
り、その一端がそれぞれ接続されており、スルーホール
８７を介して入力ポート８７と電気的に接続されてい
る。また、他端にはスルーホール９０、９２を有してお
り、これら各スルーホール９０、９２を介してそれぞれ
λ／４インピーダンス変換ライン８５、８６と電気的に
接続されている。カップリング用伝送ライン１００は、
それぞれ特性インピーダンスが５０［Ω］であり、その
一端にスルーホール９６を有しており、出力ポート７９
と電気的に接続されている。その他端は、スルーホール
９１を介してλ／４インピーダンス変換ライン８５と電
気的に接続されている。カップリング用伝送ライン１０
１は、それぞれ特性インピーダンスが７０．７［Ω］で
あり、その一端にスルーホール９７を有しており、出力
ポート８０と電気的に接続されている。その他端は、ス
ルーホール９３を介してλ／４インピーダンス変換ライ
ン８６と電気的に接続されている。

【００６２】また、これらλ／４インピーダンス変換ラ
イン９８、９９は、それぞれλ／４インピーダンス変換
ライン８１、８２のほぼ裏面に形成されており、誘電体
基板７０を介して電磁結合されている。さらにカップリ
ング用伝送ライン１００、１０１は、それぞれカップリ
ング用伝送ライン８３、８４のほぼ裏面に形成されてお
り、誘電体基板７０を介して電磁結合されている。

【００６３】図１１は図９に示すＢ−Ｂ線に沿う断面の
構成を表わしたものである。このようにガラスエポキシ
樹脂からなる誘電体基板７０の上側の面には銅箔などの
金属薄膜からなる接地導体パターン７１が配置されてお
り、エッチングによりλ／４インピーダンス変換ライン
８１およびカップリング用伝送ライン８３が形成されて
いる。また、誘電体基板７０の下側の面には銅箔などの
金属薄膜からなる接地導体パターン７２が配置されてお
り、エッチングによりλ／４インピーダンス変換ライン
９８およびカップリング用伝送ライン１００が形成され
ている。これらλ／４インピーダンス変換ライン８１、
９８およびカップリング用伝送ライン８３、カップリン
グ用伝送ライン１００は、誘電体基板７０を介在させて
おり、電磁的に結合されるようになっている。また、誘
電体基板７０の下側の面には導体接地パターン７２を介
してヒートシンク７３が設置されており、誘電体基板７
０の下側の面に形成されているλ／４インピーダンス変
換ライン９８およびカップリング用伝送ライン１００の
形状に合わせて、溝１０２、１０３が形成されている。

【００６４】次に、このような構成の第２の実施例にお
ける電力分配器の動作について説明する。ここでは、誘
電体基板７０の両面に形成されて電磁結合されているλ
／４インピーダンス変換ライン８１とλ／４インピーダ
ンス変換ライン９８、λ／４インピーダンス変換ライン
８２とλ／４インピーダンス変換ライン９９は、それぞ
れ４．７［ｄＢ］カップリング、すなわち１：２の比で
分配されているものとする。また、同様に両面に形成さ
れて電磁結合されているカップリング用伝送ライン８
３、１００、カップリング用伝送ライン８４、１０１
は、それぞれ３［ｄＢ］カップリング、すなわち１：１
の比で分配されているものとする。

【００６５】５０［Ω］の入力ポート７４から入力され
た信号（電力：Ａ）は、スルーホール８７を介して裏面
に形成された特性インピーダンスが７０．７［Ω］のλ
／４インピーダンス変換ライン９８、９９に２分配され
る。そして誘電体基板７０の両面でカップリングされて
いるλ／４インピーダンス変換ライン８１とλ／４イン
ピーダンス変換ライン９８、λ／４インピーダンス変換
ライン８２とλ／４インピーダンス変換ライン９９は、
それぞれ４．７［ｄＢ］カップリングされているため、
１：２の比で分配され、出力ポート７５、７６からはそ
れぞれ入力信号の３分の１（電力：Ａ／３）が出力され
る。両インピーダンス変換ライン９８、９９の残りの３
分の２（電力：２Ａ／３）は、それぞれスルーホール９
０、９２を介して誘電体基板７０の上面に形成された特
性インピーダンスが５９．５［Ω］のλ／４インピーダ
ンス変換ライン８５、８６に入力されて、５０［Ω］に
インピーダンス変換される。このインピーダンス変換後
は、スルーホール９１、９３を介して裏面に形成された
特性インピーダンスが５０［Ω］のカップリング用伝送
ライン１００、１０１に入力される。

【００６６】カップリング用伝送ライン８３とカップリ
ング用伝送ライン１００、カップリング用伝送ライン８
４とカップリング用伝送ライン１０１は、それぞれ３
［ｄＢ］カップリングされているため、スルーホール９
６、９７を介して等分された信号（電力：Ａ／３）が出
力ポート７９、８０から出力される。一方、残りの等分
された信号（電力：Ａ／３）は、カップリング用伝送ラ
イン８３、８４の他端に接続された出力ポート７７、７
８から出力される。

【００６７】このように入力インピーダンスが５０
［Ω］の入力ポート７４から入力された信号は、それぞ
れ出力インピーダンスが５０［Ω］の出力ポート７５、
７６、７７、７８、７９、８０に１：１：１：１：１：
１の比で６等分配されて出力される。ここで、誘電体基
板７０の両面に形成されて電磁結合されているλ／４イ
ンピーダンス変換ライン８１とλ／４インピーダンス変
換ライン９８、λ／４インピーダンス変換ライン８２と
λ／４インピーダンス変換ライン９９との各カップリン
グ、同様に両面に形成されて電磁結合されているカップ
リング用伝送ライン８３とカップリング用伝送ライン１
００、カップリング用伝送ライン８４とカップリング用
伝送ライン１０１との各カップリングを、それぞれ変更
することで低損失な不等６分配を行うことが可能とな
る。

【００６８】このように第２の実施例における電力分配
器は、カップリングによる信号分配を行い、低損失の不
等分配を可能とし、その分配比を任意のポートに割り当
てることができる。

【００６９】なお第１および第２の実施例における電力
分配器でカップリングされているλ／４インピーダンス
変換ラインについて、介在させている誘電体基板の基
板厚の変更、インピーダンス変更ライン幅の変更、
両面に形成させて電磁結合させているインピーダンス変
換ラインをずらして配置するなどの配置方法、裏面に
配置させているインピーダンス変換ラインの形状に応じ
て形成されている溝５３、１０２、１０３の深さの調
整、すなわちエアー層の厚さの変更などの方策によっ
て、容易にそのカップリングの度合いを変更することが
できる。またエアー層の誘電率を変更することによって
も、カップリング量を変更することができる。

【００７０】なお第２の実施例における電力分配器で
は、終端抵抗８８、８９を外側の接地導体パターン７１
に設置するようにしていたが、これに限定されるもので
はない。たとえば、中央部に接地導体パターンをエッチ
ング処理時に残しておくようにすることで、裏面に形成
されている接地導体パターン７２とスルーホールを介し
て等電位に保ち、この中央部の接地導体パターン上に終
端抵抗を設置するようにしてもよい。

【００７１】なお第１および第２の実施例における電力
分配器では、終端抵抗の設置を接地導体パターン上で行
っているが、これに限定されるものではない。たとえば
誘電体基板を貫通させて、直接ヒートシンクにねじ止め
させることで、接地と熱伝導を同時に達成させることも
可能である。これら終端抵抗は、万が一反射波が発生し
た場合にこれを熱エネルギーに変換し、ヒートシンクに
より直接的に熱を発散させることができるので、周波数
特性や信頼性を向上させることができるようになる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、第１および第２のインピーダンス変換ライン
には入力信号が等分配される。そして第１および第２の
インピーダンス変換ラインは、インピーダンス整合を行
って、入出力線路としての第１および第２のインピーダ
ンス変換ラインそれぞれの入力端とは異なる他方の端か
らそれぞれ出力される信号と、第１および第２の伝送ラ
インの第１および第２の終端抵抗が接続されている方と
は反対の端から出力される信号とを、それぞれ低損失の
出力信号として分配することができる。また、誘電体基
板を利用してカップリングすることで電磁結合を行って
いるので、伝送信号の波長に依存しないばかりでなく、
各インピーダンス変換ラインおよび各伝送ラインの配置
領域をも小さくすることができるので大幅な回路の小型
化を行うことができる。さらに、インピーダンス変換ラ
インと伝送ラインそれぞれとのカップリングの度合いを
調整することでインピーダンス変換ラインの他端から出
力される信号の電力と、伝送ラインの他端から出力され
る信号の電力との分配を容易に変更することができ、低
損失の不等分配器を構成することができる。また、従来
はトーナメント形で行われていた２ⁿ（ｎは、２以上の
自然数）分配の電力分配を非常に小型化された回路構成
で実現できるだけでなく、これらの組み合わせにより２
ⁿ分配に限定されることなく、適用分野に応じた適切な
電力分配を行う電力分配器を構成することができるよう
になる。

【００７３】また請求項２記載の発明によれば、ヒート
シンクを配置したので、誘電体基板に形成された各伝送
ラインの信号伝送によって発生した熱エネルギの発散を
行うことができる。

【００７４】

【００７５】さらにまた請求項３〜請求項６記載の発明
によれば、インピーダンス変換ラインと伝送ラインのカ
ップリング量を容易に変更することができるので、適用
分野に対して適切な電力分配を行う電力分配器をさらに
低コストで提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における電力分配器の構
成の概要を示す斜視図である。

【図２】第１の実施例における電力分配器の誘電体基板
の下側の面の構成の概要を示す斜視図である。

【図３】図１に示すＡ−Ａ線の断面図である。

【図４】第１の実施例における電力分配器の誘電体基板
の上面に形成される導体パターンの構成の概要を示す平
面図である。

【図５】第１の実施例における電力分配器の誘電体基板
の下面に形成される導体パターンの構成の概要を示す平
面図である。

【図６】第１の実施例における電力分配器のシミュレー
ション条件を示す説明図である。

【図７】第１の実施例における電力分配器のシミュレー
ションモデルの概要を示す説明図である。

【図８】第１の実施例における電力分配器のシミュレー
ション結果を示す説明図である。

【図９】本発明の第２の実施例における電力分配器の構
成の概要を示す斜視図である。

【図１０】第２の実施例における電力分配器の誘電体基
板の下側の面の構成の概要を示す斜視図である。

【図１１】図９に示すＢ−Ｂ線の断面図である。

【図１２】従来提案された電力分配器の平面の構成の概
要を示す平面図である。

【図１３】電力分配器が適用される増幅装置の構成の一
例を示すブロック図である。

【符号の説明】

３０、７０ 誘電体基板 ３１、３２、７１、７２ 接地導体パターン ３３、７３ ヒートシンク ３４、７４ 入力ポート ３５、３６、４３、４４、７５〜８０ 出力ポート ３７〜４０、５１、５２、８１、８２、８５、８６、９
８、９９ λ／４インピーダンス変換ライン ４１、４２、４９、５０、８７、９０〜９３ スルーホ
ール ４５、４６、８８、８９、９４〜９７ 終端抵抗 ４７、４８ 伝送ライン ５３、１０２、１０３ 溝 ５４、５５ 終端抵抗設置部 ８３、８４、１００、１０１ カップリング用伝送ライ
ン

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 5/12 H01P 5/18

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、 この誘電体基板の第１の面に形成された 入力ポートと、前記誘電体基板の第１の面に形成された 第１および第２
   の出力ポートと、前記誘電体基板の第１の面に形成され、前記入力ポート
   を一端に接続し他端に前記第１の出力ポートを接続した
   伝送信号の４分の１波長にわたって配置された第１のイ
   ンピーダンス変換ラインと、 前記誘電体基板の第１の面に形成され、前記入力ポート
   を一端に接続し他端に前記第２の出力ポートを接続した
   伝送信号の４分の１波長にわたって配置された第２のイ
   ンピーダンス変換ラインと、 前記誘電体基板の第１の面に形成された第１の接地導体
   パターンと、 前記誘電体基板の第１の面と反対の第２の面に形成さ
   れ、第１の接地導体パターンとスルーホールによって電
   気的に接続された第２の接地導体パターンと、 前記第１の接地導体パターンに一端をそれぞれ接地した
   第１および第２の終端抵抗と、 前記誘電体基板の第２の面に第１のインピーダンス変換
   ラインと対向するように伝送信号の４分の１波長にわた
   って配置されその一端に前記第１の終端抵抗の他端を電
   気的に接続し、第１のインピーダンス変換ラインと電磁
   結合する第１の伝送ラインと、 前記誘電体基板の第２の面に第２のインピーダンス変換
   ラインと対向するように伝送信号の４分の１波長にわた
   って配置されその一端に前記第２の終端抵抗の他端を電
   気的に接続し、第２のインピーダンス変換ラインと電磁
   結合する第２の伝送ライン とを具備することを特徴とす
   る電力分配器。
2. 【請求項２】 前記第１および第２の伝送ラインにおけ
   る前記誘電体基板と反対側の面にはヒートシンクが配置
   されていることを特徴とする請求項１記載の電力分配
   器。
3. 【請求項３】 前記インピーダンス変換ラインの一端お
   よび前記伝送ラインの一端から出力される信号の電力分
   配比を、前記誘電体基板の厚さに応じて変更 することを
   特徴とする請求項１記載の電力分配器。
4. 【請求項４】 前記インピーダンス変換ラインの一端お
   よび前記伝送ラインの一端から出力される信号の電力分
   配比を、各ライン幅に応じて変更することを特徴とする
   請求項１記載の電力分配器。
5. 【請求項５】 前記インピーダンス変換ラインの一端お
   よび前記伝送ラインの一端から出力される信号の電力分
   配比を、前記誘電体基板を介して対向して配置する領域
   に応じて変更することを特徴とする請求項１記載の電力
   分配器。
6. 【請求項６】 前記インピーダンス変換ラインの一端お
   よび前記伝送ラインの一端から出力される信号の電力分
   配比を、各ラインのエアー層の厚さに応じて変更するこ
   とを特徴とする請求項１記載の電力分配器。