JP3173006U - Sensor element - Google Patents
Sensor element Download PDFInfo
- Publication number
- JP3173006U JP3173006U JP2011006431U JP2011006431U JP3173006U JP 3173006 U JP3173006 U JP 3173006U JP 2011006431 U JP2011006431 U JP 2011006431U JP 2011006431 U JP2011006431 U JP 2011006431U JP 3173006 U JP3173006 U JP 3173006U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor element
- region
- conductive structure
- element according
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
- G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
- G01D11/245—Housings for sensors
Abstract
【課題】後続の処理プロセスにおいて損傷しないセンサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子は、導電構造3と、この導電構造3上に配置され且つ導電構造3と導電接続されるセンサチップ2と、センサ素子が直方体形状になるように構成されたセンサチップ2のカプセル封止部1と、センサチップ2の表面部分21に至るカプセル封止部1の入口部14とを備える。この入口部14はセンサ素子の上面12の中央に配置されており、更にこの上面12とは反対側のセンサ素子の下面11を備えており、この下面11は、カプセル封止部1により被覆されていない導電構造3の複数の領域を有しており、これらの領域には中央に配置された領域31と、縁部側に配置された4つの領域とが含まれている。
【選択図】図2A sensor element is provided that is not damaged in subsequent processing processes.
A sensor element includes a conductive structure, a sensor chip disposed on and connected to the conductive structure, and a sensor chip configured such that the sensor element has a rectangular parallelepiped shape. And the inlet part 14 of the encapsulation part 1 reaching the surface part 21 of the sensor chip 2. The inlet portion 14 is disposed at the center of the upper surface 12 of the sensor element, and further includes a lower surface 11 of the sensor element opposite to the upper surface 12, and the lower surface 11 is covered with the capsule sealing portion 1. The plurality of regions of the conductive structure 3 are not included, and these regions include a region 31 disposed in the center and four regions disposed on the edge side.
[Selection] Figure 2
Description
本考案はセンサ素子に関する。 The present invention relates to a sensor element.
センサ素子は今日、しばしばセンサチップを含んでおり、このセンサチップの基板上に測定感度の高い部品又は構造の形態で実際のセンサ機能部が取り付けられているか、又はその基板に組み込まれている。ここで、基板は、例えばシリコンなどの半導体基板であってよく、この基板に例えば電子評価回路のような回路機能部も同じように組み込まれている。 Sensor elements today often include a sensor chip, on which the actual sensor function is mounted or incorporated in the form of components or structures with high measurement sensitivity. Here, the substrate may be a semiconductor substrate such as silicon, for example, and a circuit function unit such as an electronic evaluation circuit is similarly incorporated in the substrate.
このようなセンサチップの例が出願人の特許文献1であるEP1236038B1に記載されている。
An example of such a sensor chip is described in EP1236038B1 of the applicant's
保護されていないセンサチップは、後続の処理プロセスにおいて損傷する可能性がある。また、センサチップの電気的な接続構造も大抵は不適切であり、例えば従来のプリント基板などの回路支持体に直接接続することはできない。 Unprotected sensor chips can be damaged in subsequent processing processes. Also, the electrical connection structure of the sensor chip is usually inappropriate and cannot be directly connected to a circuit support such as a conventional printed circuit board.
この点では有利にはセンサチップにいわゆる「パッケージ」が設けられ、このパッケージでは、大抵の場合、プラスチック注形物によるセンサチップのカプセリングが行われる。本考案では、このようにカプセル封止されたセンサチップもセンサ素子と称する。 In this respect, the sensor chip is advantageously provided with a so-called “package”, which in most cases encapsulates the sensor chip with a plastic casting. In the present invention, the sensor chip thus encapsulated is also referred to as a sensor element.
本考案の課題は、後続の処理プロセスにおいて損傷しないセンサ素子を提供することである。 An object of the present invention is to provide a sensor element that is not damaged in subsequent processing processes.
本考案は、請求項1の特徴部分に記載されたセンサ素子に関する。このセンサ素子は、導電構造及びセンサチップを含んでいる。このセンサチップは導電構造上に配置されており、この導電構造と導電接続されている。このセンサチップ用カプセル封止部は、センサ素子が直方体形状になるように設けられている。このセンサチップの表面部分に至るカプセル封止部の入口部は、センサ素子の上面中央に配置されている。このセンサ素子の、上面の反対側の下面は、導電構造の、カプセル封止部により被覆されていない複数の領域を有しており、これらの領域は中央に配置された領域と、縁部に配置された4つの領域とを含んでいる。
The invention relates to a sensor element as described in the characterizing part of
有利には、縁部領域はセンサ素子用の電気接続箇所として用いられる。この場合、このようなセンサ素子は簡単に回路支持体上に配置することができる。この回路支持体は、金属被覆された領域に、例えば対応部分を有する。この場合、回路支持体側の領域は、少なくともセンサ素子の接続箇所に対して回路支持体の導体路と接続することができる。有利には、このセンサ素子の接続箇所として構成されている領域は、例えばソルダペーストのような導電性接着剤を介して回路支持体上の接続箇所と接続される。 Advantageously, the edge region is used as an electrical connection for the sensor element. In this case, such a sensor element can easily be arranged on the circuit support. This circuit support has, for example, a corresponding part in the metallized area. In this case, the region on the circuit support side can be connected to the conductor path of the circuit support at least with respect to the connection portion of the sensor element. Advantageously, the region configured as a connection point for this sensor element is connected to a connection point on the circuit support via a conductive adhesive such as solder paste.
センサ素子のむき出しになっている、寸法の小さな領域のジオメトリによって、センサ素子のコンパクトな構造を達成するのに有利であり、同時に接続箇所同士を良好に電気的に絶縁し、また面積の大きな中央の領域を介して、センサチップに生じる熱を外部へ熱放出することができる。さらに、センサ素子の上面に至る中央入口部により、センサ素子の周辺からセンサチップの敏感な表面部分に至る可能な限り最も短い接続が実現される。センサ素子の下面の、とりわけ矩形状の中央の領域の斜めに切られたコーナーは、その取付の際に光学的に方向の誤りを保護するという意味で、センサ素子の誤った配向に対する光学的な保護として使用することができる。というのは、とりわけ上記の矩形の形状と、上記の中央に配置され且つ対称に構成される入口部とにより、取付の際に正しく配向することが難しくなるからである。この点において、後続の加工の際に損傷から保護される、極めてコンパクト且つ外からの影響を受け難いセンサ素子が実現される。 The geometry of the small area that is exposed to the sensor element is advantageous for achieving a compact structure of the sensor element, while at the same time providing good electrical insulation between the connections and a large area in the center. Through this area, the heat generated in the sensor chip can be released to the outside. Furthermore, the central entrance to the upper surface of the sensor element provides the shortest possible connection from the periphery of the sensor element to the sensitive surface portion of the sensor chip. The diagonally cut corners of the lower surface of the sensor element, in particular the central area of the rectangular shape, are optically sensitive to incorrect orientation of the sensor element in the sense that it protects optical orientation errors during its installation. Can be used as protection. This is because, inter alia, the rectangular shape and the inlet portion arranged in the center and configured symmetrically make it difficult to orient correctly during installation. In this respect, a sensor element is realized which is protected from damage during subsequent processing and is extremely compact and less susceptible to external influences.
本考案の有利な発展形態は従属請求項に記載されている。 Advantageous developments of the invention are described in the dependent claims.
本考案の更なる実施形態、利点及び適用は、従属請求項と、図面に基づく以下の説明とから明らかとなる。 Further embodiments, advantages and applications of the invention emerge from the dependent claims and the following description based on the drawings.
図1a)には、本考案の1つの実施例によるセンサ素子の下面11が斜視図で示されている。このセンサ素子は基本的に直方体の形状を有しており、この形状は主にカプセル封止部1の成形によって規定されている。カプセル封止部1はこの実施例では、内部に設けられているセンサチップ及び導電構造の注形物と見なされる。ここでは、以下に示すように、必ずしもセンサチップが完全にカプセル封止される必要はなく、また見ることや触ることができなくする必要もない。同じ事はカプセル封止部と導電構造との関係についてもいえる。いずれにせよ、このカプセル封止部は実質的にセンサチップを保護し、センサ素子の扱いを簡単にする。カプセル封止部1は、トランスファー成形法又は他の注形法で作製することができる。有利には、カプセル封止部1はプラスチックでできている。
FIG. 1a) shows a perspective view of a
センサ素子の下面11にはさらに領域31,32が見え、これらの領域は、導電構造のむき出しの領域、すなわちカプセル封止部1によって覆われていない領域である。有利には、導電構造は、リードフレームとも称される導体路の構造であり、この導体路構造は、典型的には導体路の枠組みのみで支持体を含んではおらず、有利には銅によって作製されている。有利な発展形態によれば、このような導体路構造は金属ストリップからエッチングされる。ここで有利には、金属ストリップは上からも下からもそれぞれ金属ストリップの厚さが半分になるまでこの金属ストリップの種々の領域においてエッチングすることができる。これによって、導体路構造は異なる2つの垂直面の導体路を有するようになる。また、例えば金属コーティング又は貴金属コーティングによってこのような導体路構造を加工し、導体路構造を保護してもよい。他の発展形態によれば、導電構造は打ち抜き格子として金属ストリップを打ち抜くことによって作製してもよい。
有利には、センサチップは導電構造上に配置されている。この導電構造とセンサチップとはほとんど流し込まれており、例えば導電構造の領域31,32が注形材料によって互いに絶縁され続けることが保証される。
Advantageously, the sensor chip is arranged on a conductive structure. The conductive structure and the sensor chip are almost poured into, for example, ensuring that the
面積の大きな領域31はセンサ素子の下面11の中央に配置されており、すなわち、この領域は少なくとも下面11の中心上に延在している。この中心は、ここの例のように下面11の形状が矩形の場合、この矩形の対角線の交点と見なすことができる。この実施例によれば、中央の領域31は2つの長手方向側面と2つの横方向側面とを有する長方形の形態である。
The
中央の領域31のコーナーのうちの1つは斜めに切られている。この斜めに切られたコーナーは、この例の場合視覚的な目印として用いられ、この目印によって、センサ素子を回路支持体に又は回路支持体上に取り付ける際にセンサ素子を精確に位置決めするのが簡単になろう。有利には、導電構造の中央の領域31は大きな面積で形成されており、とりわけその面積は縁部に配置される各領域32の面積の少なくとも2倍の大きさである。とりわけ図1には示されていないセンサチップが中央の領域31上に取り付けられ、例えば良好な熱伝導性を有する接着剤によって中央の領域31に接着されているため、この中央の領域は有利には熱の排出に用いられる。センサチップから生じる熱は、領域31に移行し、場合により更なる熱結合を介して回路支持体上のヒートシンクに排出することができる。このような面積の大きな領域31は「パッド」とも称する。また、センサ素子はこの「パッド」を介して所定の電位することもできる。他方、この「パッド」はセンサチップをその位置に維持し、機械的に安定させることもできる。
One of the corners of the
縁部に配置される、領域31に対して幾らか面積の小さい領域32は、被覆されていないつまりカプセル封止部1によって全ては覆われていない、導電構造とりわけ導体路構造の領域である。ここで縁部側とは、この領域32が、中央に配置される領域31の外側に配置され、多かれ少なかれセンサ素子の下面11の縁部の近くに配置されることを意味する。しかしながら、縁部の領域32の全ては、この実施例では、センサ素子の、下面11の境界を成すエッジに直接接しているのではなく、幾らか内側にずらされて配置されている。
The
典型的には、センサ素子はその下面11が回路支持体上に載置され、導電接続される。例えば、領域31,32と共に作用する回路支持体の領域には、予めはんだ用フラックスが施されており、これによって、回路支持体とセンサ素子との間で電気コンタクトがはんだ用フラックスを介して形成される。
Typically, the
図1a)には、さらにセンサ素子の2つの側面13が示されている。側面13も被覆されていない導電構造の領域33,34を有している。
FIG. 1 a) further shows two
センサ素子を製造することに関して、注形プロセスによってカプセル封止部1が形成されるまでは、少なくともセンサチップは導電構造上に配置されている。
Regarding the production of the sensor element, at least the sensor chip is arranged on the conductive structure until the
有利には、複数のセンサ素子が同時に1つの共通の製造プロセスにおいて製造される。このために、多数のセンサ素子用に導体路構造から成る1つの構成体を設けることができ、これらの導体路構造は互いに接続されているか、乃至はまだ互いに切り離されていない。この構成体の面積の大きな領域31にはセンサチップが載置され、この構成体と導電接続され、その後、構成体全体が全てのセンサチップと共に注形される。引き続いて鋸引きによって切り離されて個々のセンサ素子となり、これによって、例えば側面に配置される領域33,34が自動的にむき出しにされる。
Advantageously, a plurality of sensor elements are manufactured simultaneously in one common manufacturing process. For this purpose, it is possible to provide a single component consisting of a conductor track structure for a large number of sensor elements, which conductor track structures are connected to one another or have not yet been separated from one another. A sensor chip is placed in the
図1b)によれば、センサ素子の上面12にセンサチップの表面部分に至る入口部14が示されている。また、入口部14はここでもセンサ素子の上面12の中央に配置されており、カプセル封止部1に凹陥部乃至は開口部を有している。また、入口部14の中央の配置は、ここでも矩形の上面12の対角線の交点によって定められる。
According to FIG. 1b), an
図2には、本考案の1つの実施例によるセンサ素子が断面図で示されており、例えばこのセンサ素子は図1のセンサ素子であってもよい。この場合、図2の断面はセンサ素子の真ん中を貫く断面であり、この断面は領域31を長手方向に沿って切断したものではなく、領域31の幅に沿って切断したものである。
FIG. 2 shows a cross-sectional view of a sensor element according to one embodiment of the present invention. For example, the sensor element may be the sensor element of FIG. In this case, the cross section of FIG. 2 is a cross section that passes through the middle of the sensor element, and this cross section is not the
この断面図には導電構造3の中央領域31が示されており、中央領域31上に接着層4を介してセンサチップ2が取り付けられている。センサチップ2はその表面の部分21に例えば測定層などの測定構造を有しており、この測定構造は湿度センサの場合、例えばポリマー層又はセラミック層として形成されており、センサ素子周辺の水分子を吸収することができる。この点で有利であるのは、表面部分21が入口部14を介してセンサ素子周辺環境と接しているか、乃至は、センサ素子を取り囲む流体がこの表面部分21に達することができるようにする場合である。このために、カプセル封止部1は入口部14の箇所に、表面部分21まで達する、開口部の形態の凹陥部を有している。この例によれば、開口部は円型であり、センサチップ2の方向に先細になっており、つまり円すい構造を有する。このような凹陥部は注形の際に、例えば適切に形成された注形形態によって達成することができる。さらに、センサ素子はボンディングワイヤを有することができ、このボンディングワイヤを介してセンサチップはその接続箇所から出発してその上面に達して導電構造の導体路に電気的に接続される。これらのボンディングワイヤはセンサチップを取り付けた後に導電構造に接続されて、次に注形時に一緒に鋳込まれる。
This sectional view shows a
図3a)には、本考案の1実施例によるセンサ素子の下面が平面図で示されている。図3b)には、本考案の1実施例によるセンサ素子の側面が平面図で示されている。図3c)には、本考案の1実施例によるセンサ素子の側面が平面図で示されている。図3d)には、本考案の1実施例によるセンサ素子の上面が平面図で示されている。 FIG. 3a) shows a plan view of the underside of a sensor element according to one embodiment of the present invention. FIG. 3b) shows a side view of a sensor element according to an embodiment of the present invention. FIG. 3c) shows a side view of a sensor element according to an embodiment of the present invention. FIG. 3d) shows a top view of the sensor element according to one embodiment of the present invention.
図3d)から始めると、図1及び2のセンサ素子と同じものでもよいこのセンサ素子は、矩形の底面を有するセンサ素子である。その矩形は長さd及び幅bを有し、d=bである。この発展形態によれば、長さdも幅bもそれぞれ2mmである。 Starting from FIG. 3d), this sensor element, which may be the same as the sensor element of FIGS. 1 and 2, is a sensor element having a rectangular bottom surface. The rectangle has a length d and a width b, where d = b. According to this development, both the length d and the width b are 2 mm.
図3a)のセンサ素子の下面11上において、面積の大きな中央の領域31は、長さl1は少なくとも1mm、例えば1.6mmを有しており、中央の領域31の幅b1は少なくとも0.5mm、例えば0.7mmを有している。電気接続箇所として用いられる複数の縁部領域32のうちのいずれの縁部領域も少なくとも0.2mm、有利には0.3mmの長さl2を有しており、少なくとも0.2mm、有利には0.25mmの幅b2を有する。領域31の長手面に配置された2つの領域32の間の間隔a2は、一方の領域32の中央からもう一方の領域32の中央までで、少なくとも1mm、有利にはa2=1.27mmである。有利には、いずれの領域32もカプセル封止部1の、下面11の終端のエッジに直接接していない。これによって、有利には、このような領域32とエッジとの間隔r2は、有利には0.01mmより大きく、特に有利には0.1mmとなる。領域31の斜めに切られたコーナーの一辺の長さe1は、有利には0.2mmである。
On the
図3b)及び図3c)には、センサ素子の、相互に境を接する2つの側面13が示されており、どの側面13もそれぞれ2つの領域33,34を有している。図3b)の側面13は密に並んだ、高さh3の2つの領域33を有しており、この高さは、導体路構造の高さ/厚さの半分に相当する。つまり有利には約0.075mmである。領域33の幅b3は、有利には0.1mmより大きく、特に有利には0.2mmである。2つの領域33は、それらの内側が有利には0.5mmだけ互いに離れている。図3c)の側面13は互いに離隔された、高さh4の別の2つの領域34を有しており、この高さも、導体路構造の高さ/厚さの半分に相当する。つまり有利には約0.075mmである。領域34の幅b4は、有利には0.2mmより大きく、特に有利には0.4mmである。2つの領域34は、それらの内側が有利にはa4=0.87mmだけ互いに離れている。
FIGS. 3b) and 3c) show two
本出願には本考案の有利な実施形態が記載されているが、本考案がこれらの実施形態に限定されず、以下の請求項の範囲内で示したこととは異なるやり方によっても実施することができることは明らかである。 While the present application describes advantageous embodiments of the present invention, the present invention is not limited to these embodiments and may be implemented in a manner different from that set forth within the scope of the following claims. Obviously you can.
1 カプセル封止部、 2 センサチップ、 3 導電構造、 4 接着層、 11 下面、 12 上面、 13 側面、 14 入口部、 21 表面部分、 31 中央に配置された領域、 32 縁部の領域、 33 領域、 34 領域、 a2 領域32の間の間隔、 a4 領域34の間の間隔、 b 矩形の底面の長さ、 b1 領域31の幅、 b2 領域32の幅、 b3 領域33の幅、 b4 領域34の幅、 d 矩形の底面の幅、 e1 領域31の斜めに切られたコーナーの一辺、 h センサ素子の高さ、 h3 領域33の高さ、 h4 領域34の高さ、 l1 領域31の長さ、 l2 領域32の長さ、 r2 領域32とエッジとの間隔
DESCRIPTION OF
Claims (25)
− 当該導電構造(3)上に配置され且つ当該導電構造(3)と導電接続されるセンサチップ(2)と、
− 前記センサ素子が直方体形状になるように構成された前記センサチップ(2)のカプセル封止部(1)と、
− 前記センサチップ(2)の表面部分(21)に至る前記カプセル封止部(1)の入口部(14)とを備えており、
当該入口部(14)は前記センサ素子の上面(12)の中央に配置されており、
さらに前記の上面(12)とは反対側のセンサ素子の下面(11)を備えており、
当該下面(11)は、前記カプセル封止部(1)により被覆されていない導電構造(3)の複数の領域(31,32)を有しており、
当該複数の領域(31,32)には、中央に配置された領域(31)と、縁部側に配置された4つの領域(32)とが含まれていることを特徴とする
センサ素子。 -Conductive structure (3);
A sensor chip (2) disposed on the conductive structure (3) and conductively connected to the conductive structure (3);
-The encapsulation part (1) of the sensor chip (2) configured so that the sensor element has a rectangular parallelepiped shape;
An inlet part (14) of the encapsulation part (1) reaching the surface part (21) of the sensor chip (2),
The inlet portion (14) is arranged at the center of the upper surface (12) of the sensor element,
Furthermore, the lower surface (11) of the sensor element opposite to the upper surface (12) is provided,
The lower surface (11) has a plurality of regions (31, 32) of the conductive structure (3) not covered by the encapsulation part (1),
The plurality of regions (31, 32) include a region (31) disposed in the center and four regions (32) disposed on the edge side.
前記入口(14)は前記の矩形の上面(12)の対角線の交点に配置されている、請求項1から4のいずれか1項記載のセンサ素子。 The upper surface (12) and the lower surface (11) of the sensor element are formed in a rectangular shape,
The sensor element according to any one of claims 1 to 4, wherein the inlet (14) is arranged at an intersection of diagonal lines of the rectangular upper surface (12).
前記各側面(13)は、前記導電構造(3)の、前記カプセル封止部(1)により被覆されていない少なくとも1つの領域(33,34)を有している、請求項18又は19記載のセンサ素子。 The rectangular parallelepiped sensor element has four flat side surfaces (13),
20. Each side (13) has at least one region (33, 34) of the conductive structure (3) that is not covered by the encapsulation (1). Sensor element.
隣接する前記側面(13)の前記被覆されていない前記領域(33,34)は断面が異なる、請求項20又は21記載のセンサ素子。 The uncovered regions (33, 34) of the two opposite sides (13) have the same cross-section;
22. Sensor element according to claim 20 or 21, wherein the uncovered regions (33, 34) of adjacent side surfaces (13) have different cross sections.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201120051190 DE202011051190U1 (en) | 2011-09-02 | 2011-09-02 | sensor module |
DE202011051190.1 | 2011-09-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3173006U true JP3173006U (en) | 2012-01-19 |
Family
ID=45372897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011006431U Expired - Lifetime JP3173006U (en) | 2011-09-02 | 2011-10-31 | Sensor element |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3173006U (en) |
KR (1) | KR200481748Y1 (en) |
DE (1) | DE202011051190U1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015230316A (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | センシリオン アクチエンゲゼルシャフト | Method for manufacturing gas sensor package |
JP2015230315A (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | センシリオン アクチエンゲゼルシャフト | Gas sensor package |
US11397160B2 (en) | 2016-02-22 | 2022-07-26 | Semitec Corporation | Gas sensor, gas detection device, gas detection method and device provided with gas detection device |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202013102632U1 (en) * | 2013-06-19 | 2013-12-20 | Sensirion Ag | sensor module |
EP3045909B1 (en) | 2015-01-14 | 2020-11-04 | Sensirion AG | Sensor package |
EP3124962B1 (en) * | 2015-07-29 | 2022-09-28 | Sensirion AG | Gas sensor array and a method for manufacturing thereof |
DE202017106413U1 (en) | 2017-10-23 | 2017-10-30 | Sensirion Ag | Sensor module, in particular for measuring the ambient temperature, the relative humidity and a gas concentration in the vicinity of the sensor module |
DE202019101992U1 (en) | 2019-04-05 | 2019-04-15 | Sensirion Automotive Solutions Ag | Sensor module, in particular for measuring the ambient temperature |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE50011713D1 (en) | 1999-12-08 | 2005-12-29 | Sensirion Ag Zuerich | CAPACITIVE SENSOR |
JP4775712B2 (en) * | 2006-08-22 | 2011-09-21 | 横河電機株式会社 | Condensation detection sensor |
KR100911461B1 (en) * | 2007-07-18 | 2009-08-11 | 최현규 | Semiconductor package |
WO2010140545A1 (en) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | アルプス電気株式会社 | Moisture detecting sensor package and manufacturing method therefor |
JP2011151225A (en) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Alps Electric Co Ltd | Humidity sensor package and method of manufacturing the same |
-
2011
- 2011-09-02 DE DE201120051190 patent/DE202011051190U1/en not_active Expired - Lifetime
- 2011-10-28 KR KR2020110009581U patent/KR200481748Y1/en active IP Right Grant
- 2011-10-31 JP JP2011006431U patent/JP3173006U/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015230316A (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | センシリオン アクチエンゲゼルシャフト | Method for manufacturing gas sensor package |
JP2015230315A (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | センシリオン アクチエンゲゼルシャフト | Gas sensor package |
US11397160B2 (en) | 2016-02-22 | 2022-07-26 | Semitec Corporation | Gas sensor, gas detection device, gas detection method and device provided with gas detection device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR200481748Y1 (en) | 2016-11-04 |
KR20130001705U (en) | 2013-03-12 |
DE202011051190U1 (en) | 2011-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3173006U (en) | Sensor element | |
US7687893B2 (en) | Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads | |
KR101647587B1 (en) | Semiconductor package | |
US10790258B2 (en) | Electronic device and mounting structure of the same | |
JP2012253190A (en) | Semiconductor package and assembling method of the same | |
JP5098301B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2011155203A (en) | Semiconductor device | |
WO2006109566A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI631673B (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP6677616B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US20180012920A1 (en) | Sensor package structure | |
CN105321908A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
KR200489765Y1 (en) | Sensor module | |
JP7067886B2 (en) | Magnetic sensor | |
TWI538267B (en) | Crystal Oscillator | |
TWM548357U (en) | Packaging structure with antistatic structure | |
JP5273265B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2005197604A (en) | Semiconductor device | |
JP2007141947A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP5971133B2 (en) | Circuit board | |
JP2016039190A (en) | Semiconductor device | |
KR101516371B1 (en) | Chip substrate comprising a bonding groove and a sealing member for the chip substrate | |
JP7312708B2 (en) | Packages for storing electronic components, electronic devices and electronic modules | |
KR100668932B1 (en) | Leadframe and semiconductor package using it | |
US20130264714A1 (en) | Semiconductor device and method of assembling same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3173006 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |