JP3171196B2 - Resist coating equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、レジスト塗布装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a resist coating apparatus.
(従来の技術) 一般に、半導体デバイスは精密写真転送技術を用いて
製造されるが、このような半導体製造工程において、例
えば半導体ウエハ等にレジスト液を塗布し、フォトレジ
スト膜を形成する装置としてレジスト塗布装置が用いら
れている。(Prior Art) Generally, a semiconductor device is manufactured by using a precision photo transfer technique. In such a semiconductor manufacturing process, for example, a resist liquid is applied to a semiconductor wafer or the like to form a photoresist film. A coating device is used.
このようなレジスト塗布装置としては、被処理体を高
速回転させてレジスト液を均一に塗布するいわゆるスピ
ンコーティング装置が広く用いられている。As such a resist coating apparatus, a so-called spin coating apparatus for uniformly applying a resist liquid by rotating an object to be processed at high speed is widely used.
すなわち、上記レジスト塗布装置では、高速回転可能
構成されたウエハ支持機構上に例えば真空チャック等に
より半導体ウエハを吸着保持し、レジスト液送出機構に
より、ウエハ支持機構の上方に設けたレジスト供給ノズ
ルからレジスト液を送出し、半導体ウエハのほぼ中央部
に所定量のレジスト液を供給する。そして、半導体ウエ
ハを高速回転させることにより、遠心力でレジスト液を
拡散させ、均一な厚さとなる如く半導体ウエハ上にレジ
スト液を塗布する。That is, in the resist coating apparatus, a semiconductor wafer is sucked and held by, for example, a vacuum chuck or the like on a wafer support mechanism configured to be rotatable at high speed, and a resist supply nozzle provided above the wafer support mechanism is used to send a resist by a resist solution sending mechanism. The liquid is supplied, and a predetermined amount of resist liquid is supplied to a substantially central portion of the semiconductor wafer. Then, by rotating the semiconductor wafer at a high speed, the resist liquid is diffused by centrifugal force, and the resist liquid is applied on the semiconductor wafer so as to have a uniform thickness.
また、上述したレジスト塗布装置では、レジスト供給
ラインに例えばサックバックバルブ等を設け、レジスト
液供給後、レジスト供給ノズル先端部のレジスト液をノ
ズル内に引き込み、いわゆるレジスト液のボタ落ちを防
止したり、レジスト供給ノズル先端部へのレジスト液の
付着を防いでノズル先端部におけるレジスト液の固化を
防止するよう構成されたものがある。In the above-described resist coating apparatus, for example, a suck back valve or the like is provided in the resist supply line, and after supplying the resist liquid, the resist liquid at the tip of the resist supply nozzle is drawn into the nozzle to prevent so-called dripping of the resist liquid. There is an apparatus configured to prevent the resist liquid from adhering to the tip of the resist supply nozzle and to prevent the resist liquid from solidifying at the tip of the nozzle.
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、一般にレジスト塗布装置による塗布処
理においては、例えばレジスト塗布の前処理あるいは後
処理等の関係から、レジスト塗布装置による塗布処理に
時間的な間隔が空き、例えば塗布処理終了後、次の塗布
処理を実施するまでに数分ないし数十分あるいは場合に
よっては1時間以上待機状態とされることがある。(Problems to be Solved by the Invention) However, in general, in a coating process by a resist coating device, there is a time interval between the coating processes by the resist coating device due to, for example, a pre-treatment or a post-treatment of the resist coating. After the end of the coating process, it may be in a standby state for several minutes to several tens of minutes or for one hour or more before the next coating process is performed.
このような場合、たとえサックバックバルブ等によ
り、レジスト供給ノズル先端部のレジスト液をノズル内
に引き込んだとしても、この先端部のレジスト液は、ノ
ズル内で空気と接触するため、レジスト液中の溶媒が蒸
発して、レジスト液の粘度が高くなる。そして、この粘
度の高くなったレジスト液が次のレジスト塗布の際に被
処理体上に供給され、塊状になって付着したり、場合に
よってはノズル内で固まってしまい、レジスト液の送出
が困難になることがあった。In such a case, even if the resist liquid at the tip of the resist supply nozzle is drawn into the nozzle by a suck back valve or the like, the resist liquid at the tip contacts the air in the nozzle, so The solvent evaporates and the viscosity of the resist solution increases. Then, the resist liquid having the increased viscosity is supplied onto the object to be processed at the time of the next resist coating, and adheres in a lump or, in some cases, solidifies in the nozzle, making it difficult to deliver the resist liquid. Had to be.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、待機時間、すなわち次のレジスト塗布処理までの待
ち時間が長くなった場合でも、粘度の高くなったレジス
ト液が被処理体上に供給されたり、レジスト供給ノズル
内でレジスト液が固まってしまうことを防止することが
でき、常に良好な塗布処理を実施することのできるレジ
スト塗布装置を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of such conventional circumstances, and even when the waiting time, that is, the waiting time until the next resist coating process is lengthened, the resist liquid having a high viscosity remains on the object to be processed. An object of the present invention is to provide a resist coating apparatus which can prevent the resist liquid from being supplied or solidified in the resist supply nozzle, and can always perform a good coating process.
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、レジスト供給ノズルからレジスト
液を送出し、該レジスト液を被処理体に塗布するレジス
ト液送出機構を具備したレジスト塗布装置において、 前記レジスト液送出機構によるレジスト液送出停止後
の経過時間を測定し、 前記レジスト液送出停止後の経過時間が、前記レジス
ト液が固化して前記レジスト供給ノズルから送出不能と
なる以前の第1の設定時間を越えた場合、前記レジスト
供給ノズルから所定量のレジスト液を廃棄するととも
に、 前記レジスト液送出停止後の経過時間が、前記第1の
設定時間より短い第2の設定時間であって、溶媒の蒸発
により粘度の高くなった前記レジスト液が前記被処理体
に供給されるようになる第2の設定時間を越えた場合、
前記被処理物に前記レジスト液を供給する直前に前記レ
ジスト供給ノズルから所定量のレジスト液を廃棄するこ
とを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the present invention relates to a resist coating apparatus provided with a resist liquid sending mechanism for sending a resist solution from a resist supply nozzle and applying the resist solution to an object to be processed. Measuring the elapsed time after stopping the resist solution delivery by the resist solution delivery mechanism; and measuring the elapsed time after stopping the resist solution delivery, the first time before the resist solution solidifies and cannot be delivered from the resist supply nozzle. When a predetermined time is exceeded, a predetermined amount of the resist solution is discarded from the resist supply nozzle, and an elapsed time after the stoppage of the resist solution delivery is a second set time shorter than the first set time. If the resist liquid having a higher viscosity due to evaporation of the solvent exceeds a second set time at which the resist liquid is supplied to the object to be processed,
A predetermined amount of the resist solution is discarded from the resist supply nozzle immediately before the resist solution is supplied to the workpiece.
また、請求項2の発明は、請求項1記載のレジスト塗
布装置において、 前記レジスト液送出機構の前記第1及び第2の設定時
間が、前記レジスト液の種類、及び/又は、温度、及び
/又は、湿度の条件によって異なるよう構成されたこと
を特徴とする。The invention of claim 2 is the resist coating apparatus according to claim 1, wherein the first and second set times of the resist solution sending mechanism are different from each other by the type of the resist solution and / or the temperature and / or the temperature. Alternatively, it is characterized in that it is configured to differ depending on the condition of humidity.
(作用) 本発明のレジスト塗布装置では、レジスト液送出機構
によるレジスト液送出停止後の経過時間を測定する。そ
して、この経過時間と予めメモリに記憶された時間と照
合し、予め設定された設定時間(レジスト液の種類等に
より予め設定する)を越えた場合は、例えば設定時間経
過後直ちに、あるいは設定時間経過後コンピュータの指
示により次のレジスト塗布前にレジスト液送出機構を作
動させ、レジスト供給ノズルから、このノズル先端部内
に在る予め設定された量のレジスト液を廃棄する。待ち
時間が長い時は1回に限らず複数回間欠的に実行する。(Operation) In the resist coating apparatus of the present invention, the elapsed time after the stoppage of the resist solution delivery by the resist solution delivery mechanism is measured. Then, the elapsed time is compared with the time stored in the memory in advance, and if the time exceeds a preset time (predetermined by the type of the resist solution), for example, immediately after the elapse of the set time, or After the lapse of time, before the next application of the resist, the resist liquid delivery mechanism is operated by the instruction of the computer, and a predetermined amount of the resist liquid existing in the tip of the nozzle is discarded from the resist supply nozzle. When the waiting time is long, it is executed not only once but intermittently a plurality of times.
したがって、次のレジスト塗布処理までの待ち時間が
長くなった場合でも、粘度の高くなったレジスト液が被
処理体上に供給されたり、レジスト供給ノズル内でレジ
スト液が固まってしまうことを防止することができ、常
に良好な塗布処理を実施することができる。Therefore, even when the waiting time until the next resist coating process becomes long, it is possible to prevent the resist liquid having increased viscosity from being supplied onto the object to be processed or the resist liquid from being hardened in the resist supply nozzle. It is possible to always carry out a good coating treatment.
(実施例) 以下、本発明を半導体ウエハにレジスト液を塗布する
レジスト塗布装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。(Embodiment) An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating apparatus for coating a semiconductor wafer with a resist solution will be described below with reference to the drawings.
第1図に示すように、ウエハ支持機構1は、例えば真
空チャックによりその上面に被処理体としての半導体ウ
エハ2を吸着保持し、回転駆動機構3によって、この半
導体ウエハ2を高速回転させる如く構成されている。な
お、回転駆動機構3の駆動用モータ等は発熱するため、
この回転駆動機構3は、例えば冷却水等により冷却し、
熱が半導体ウエハ2に伝わらないように構成することが
好ましい。As shown in FIG. 1, a wafer support mechanism 1 is configured such that a semiconductor wafer 2 as an object to be processed is sucked and held on an upper surface thereof by, for example, a vacuum chuck, and the semiconductor wafer 2 is rotated at a high speed by a rotation drive mechanism 3. Have been. Since the drive motor of the rotary drive mechanism 3 generates heat,
The rotation drive mechanism 3 is cooled by, for example, cooling water or the like,
It is preferable that the configuration is such that heat is not transmitted to the semiconductor wafer 2.
また、レジスト塗布装置には、所定のレジスト液を収
容するためのレジスト液収容ボトル4が設けられてお
り、このレジスト液収容ボトル4には、レジスト液収容
ボトル4内のレジスト液を所定量ずつ送出可能に構成さ
れたレジスト液送出機構5が接続されている。なお、レ
ジスト液送出機構5は、周知の従来のレジスト塗布装置
と同様に、例えばレジスト液供給停止後ノズル部先端部
のレジスト液を吸入するサックバックバルブ、ポンプ等
から構成されている。Further, the resist coating apparatus is provided with a resist liquid storage bottle 4 for storing a predetermined resist liquid, and the resist liquid storage bottle 4 is filled with the resist liquid in the resist liquid storage bottle 4 by a predetermined amount. A resist solution delivery mechanism 5 configured to allow delivery is connected. The resist solution delivery mechanism 5 includes, for example, a suck-back valve, a pump, and the like, which suck the resist solution at the tip of the nozzle after stopping the supply of the resist solution, similarly to a well-known conventional resist coating apparatus.
さらに、上記レジスト液送出機構5には、上記ウエハ
支持機構1の上部に位置する如く、レジスト供給ノズル
6が接続されている。このレジスト供給ノズル6は、ノ
ズル駆動機構7によって図示矢印の如く回転可能に構成
されており、ノズル先端部が半導体ウエハ2の中央部上
方(塗布位置)と、廃液回収部8上方(待機位置)との
間を移動する如く構成されている。Further, a resist supply nozzle 6 is connected to the resist solution delivery mechanism 5 so as to be located above the wafer support mechanism 1. The resist supply nozzle 6 is configured to be rotatable by a nozzle driving mechanism 7 as shown by an arrow in the drawing, and the tip of the nozzle is located above the center of the semiconductor wafer 2 (coating position) and above the waste liquid collecting unit 8 (standby position). It is configured to move between
また、ウエハ支持機構1の周囲には、ウエハ支持機構
1の周囲を囲む如く、カップ9が設けられている。この
カップ9は、後述する如く半導体ウエハ2を高速回転さ
せた際に、レジスト液が周囲に飛散することを防止する
ためのものである。A cup 9 is provided around the wafer support mechanism 1 so as to surround the wafer support mechanism 1. The cup 9 is for preventing the resist solution from scattering around when the semiconductor wafer 2 is rotated at a high speed as described later.
さらに、上記回転駆動機構3、レジスト液送出機構
5、ノズル駆動機構7は、例えばマイクロコンピュータ
等からなる制御部10に接続されており、この制御部10に
よって統括的に制御される如く構成されている。Further, the rotation drive mechanism 3, the resist solution delivery mechanism 5, and the nozzle drive mechanism 7 are connected to a control unit 10 composed of, for example, a microcomputer or the like, and are configured to be totally controlled by the control unit 10. I have.
上記構成のこの実施例のレジスト塗布装置で半導体ウ
エハ2に所定のレジスト液を塗布し、所定の厚さのフォ
トレジスト膜を形成する場合、従来のレジスト塗布装置
と同様に、予めレジスト液収容ボトル4内に所定のレジ
スト液を収容するとともに、レジスト液送出機構5によ
るレジスト液の送出量等を設定しておく。When a predetermined resist liquid is applied to the semiconductor wafer 2 by the resist coating apparatus of this embodiment having the above-described configuration to form a photoresist film of a predetermined thickness, a resist liquid storage bottle is previously prepared as in the conventional resist coating apparatus. 4, a predetermined resist solution is stored, and the amount of the resist solution delivered by the resist solution delivery mechanism 5 is set.
また、この実施例のレジスト塗布装置では、予め制御
部10に2種類の設定時間T1、T2を設定しておく。In the resist coating apparatus of this embodiment, two types of set times T 1 and T 2 are set in the control unit 10 in advance.
上記T1は、レジスト供給ノズル6内のレジスト液が完
全に固化してしまい、レジスト液の送出が不能になるこ
とを防止するためのものであり、塗布処理を実施しない
待機時間がこの予め設定され記憶されている時間T1以上
となった場合、塗布を実施するしないにかかわらず、レ
ジスト液送出機構5に作動指令信号を送出し、予め設定
された量のレジスト液の廃棄(ダミーディスペンス)を
実施するためのものである。したがって、上記時間T1は
例えば30分あるいは1時間等T2に較べて長い時間に設定
される。勿論T1はレジスト液の種類、温度、湿度等の雰
囲気条件によって異なる。The T 1 may cause to resist liquid completely solidifies in the resist supply nozzle 6 is for the resist solution delivery is prevented from becoming disabled, waiting time is not performed the coating process set this in advance If a is the stored time above T 1, regardless of whether or not to carry out the coating, sends the operation command signal to the resist liquid discharging mechanism 5, the disposal of the resist solution preset amount (dummy dispense) It is for implementing. Therefore, the time T 1 is set to a longer time compared to like T 2, for example, 30 minutes or 1 hour. Of course T 1 is different from the kind of the resist solution, temperature, atmospheric conditions such as humidity.
また、上記T2は、溶媒の蒸発により、粘度の高くなっ
たレジスト液が半導体ウエハ2に供給されることを防止
するためのものであり、塗布処理を実施しない待機時間
がこのT2以上となった場合、半導体ウエハ2に塗布を実
施する直前にダミーディスペンスを実施するためのもの
である。したがって、例えば10分あるいは20分等T1に較
べて短い時間に設定される。Further, the T 2 are, by evaporation of the solvent, is intended to prevent the raised resist solution viscosity is supplied to the semiconductor wafer 2, the waiting time that does not implement the coating process the T 2 or more and If this happens, the dummy dispense is performed immediately before the application to the semiconductor wafer 2. Therefore, it is set to be shorter compared to example 10 minutes or 20 minutes, etc. T 1.
なお、これらのT1、T2は、塗布処理を実施するレジス
ト液の種類により、上述した条件を考慮して設定する。
例えば、溶媒が蒸発し易く、固まり易いレジスト液の場
合は、T1、T2を短い時間に設定しておく。また、固まり
難いレジスト液の場合は、T1、T2をある程度長い時間に
設定しておくことにより、レジスト液の消費量を抑制す
ることができる。Note that these T 1 and T 2 are set in consideration of the above-described conditions depending on the type of the resist solution to be subjected to the coating treatment.
For example, in the case of a resist solution in which the solvent is easily evaporated and hardened, T 1 and T 2 are set to short times. In addition, in the case of a resist solution that is difficult to harden, the consumption of the resist solution can be suppressed by setting T 1 and T 2 to a relatively long time.
次に、第2図を参照して上記レジスト塗布装置の動作
について説明する。Next, the operation of the resist coating apparatus will be described with reference to FIG.
例えばレジスト塗布装置の図示しないメインスイッチ
等がONとされると、制御部10はノズル駆動機構7により
レジスト供給ノズル6を待機位置(廃液回収部8上方)
に位置させるとともに、レジスト液送出機構5により、
レジスト液収容ボトル4内のレジスト液をレジスト供給
ノズル6の先端部まで送出し、次の送出動作で所定量の
レジスト液がレジスト供給ノズル6先端から送り出され
る状態として、レジスト塗布処理が実施可能な状態(待
機状態)とする(21)。For example, when a main switch (not shown) of the resist coating device is turned on, the control unit 10 causes the nozzle driving mechanism 7 to move the resist supply nozzle 6 to a standby position (above the waste liquid collecting unit 8).
And the resist solution delivery mechanism 5
The resist liquid in the resist liquid storage bottle 4 is delivered to the tip of the resist supply nozzle 6, and a predetermined amount of the resist solution is delivered from the tip of the resist supply nozzle 6 in the next delivery operation, so that the resist coating process can be performed. State (standby state) (21).
この後、レジスト液送出機構5動作終了後の経過時間
tの測定を開始する(22)。Thereafter, measurement of the elapsed time t after the end of the operation of the resist solution delivery mechanism 5 is started (22).
制御部10には、図示しない自動搬送機構等によりウエ
ハ支持機構1上に半導体ウエハ2が載置されると、この
自動搬送機構からウエハ載置信号が入力されるよう構成
されているので、次に、制御部10はウエハ載置信号の入
力を待つ(23)。When the semiconductor wafer 2 is mounted on the wafer support mechanism 1 by an automatic transfer mechanism (not shown) or the like, the control unit 10 is configured to receive a wafer mounting signal from the automatic transfer mechanism. Next, the control unit 10 waits for the input of the wafer mounting signal (23).
そして、ウエハ載置信号の入力がない時は、上述した
T1と経過時間tとを比較し(24)、経過時間がT1以上と
なった場合は、ダミーディスペンスを実施し(25)、経
過時間tをゼロにリセットして(26)、新たに経過時間
tの測定を開始する(22)。When there is no input of the wafer placement signal,
Comparing the T 1 and the elapsed time t (24), when the elapsed time becomes above T 1, carried out dummy dispense (25), resets the elapsed time t to zero (26), new The measurement of the elapsed time t is started (22).
したがって、上記T1の間、ウエハ支持機構1上に半導
体ウエハ2が載置されず、ウエハ載置信号の入力がない
場合は、T1毎にダミーディスペンスが実施され、レジス
ト供給ノズル6内の所定量のレジスト液が廃液回収部8
内に廃棄される。このため、例えば数時間に亘って待機
するような場合でもレジスト供給ノズル6内のレジスト
液が固まってしまい、レジスト液が送出不能になること
を防止することができる。Therefore, if the semiconductor wafer 2 is not placed on the wafer support mechanism 1 during the above T 1 and there is no input of a wafer placement signal, a dummy dispense is performed every T 1, and the inside of the resist supply nozzle 6 A predetermined amount of resist solution is collected in a waste liquid collecting unit 8.
Discarded in For this reason, it is possible to prevent the resist liquid in the resist supply nozzle 6 from solidifying even when waiting for several hours, for example, so that the resist liquid cannot be delivered.
一方ウエハ載置信号の入力があった時は、まず、上述
したT2と経過時間tとを比較し(27)、経過時間tがT2
以上の場合はダミーディスペンスを実施した後(28)、
塗布処理を実施する(29)。また、経過時間がT2未満の
場合はダミーディスペンスを行わず塗布処理を実施する
(29)。Meanwhile when an input of the wafer mounting preamble signal is, first, it compares the elapsed time t and T 2 as described above (27), the elapsed time t is T 2
In these cases, after a dummy dispense (28),
A coating process is performed (29). Further, the elapsed time is carried out coating treatment without dummy dispense if it is less than T 2 (29).
なお、塗布処理は、ノズル駆動機構7によりレジスト
供給ノズル6を塗布位置に移動させ、この後、レジスト
液送出機構5により所定量のレジスト液を送出して、半
導体ウエハ2のほぼ中央部に所定量のレジスト液を供給
し、回転駆動機構3により半導体ウエハ2を高速回転さ
せて遠心力でレジスト液を拡散させ、均一な厚さとなる
如く実施する。In the coating process, the resist supply nozzle 6 is moved to the coating position by the nozzle driving mechanism 7, and thereafter, a predetermined amount of the resist liquid is sent out by the resist liquid sending mechanism 5, and the resist liquid is sent to a substantially central portion of the semiconductor wafer 2. A fixed amount of resist solution is supplied, the semiconductor wafer 2 is rotated at high speed by the rotation drive mechanism 3, and the resist solution is diffused by centrifugal force, so that the thickness becomes uniform.
しかる後、経過時間tをゼロにリセットして(30)、
再び、経過時間tの測定を開始する(22)。Thereafter, the elapsed time t is reset to zero (30),
The measurement of the elapsed time t is started again (22).
このような一連の動作を繰り返すことにより、所望枚
数の半導体ウエハ2の塗布処理を実施する。By repeating such a series of operations, a coating process for a desired number of semiconductor wafers 2 is performed.
すなわち、この実施例のレジスト塗布装置では、例え
ばT1を1時間、T2を10分程度に設定した場合、待機時
間、つまり塗布処理と次の塗布処理との間の時間が10分
未満の時は、そのまま塗布処理を実施し、待機時間が10
分以上、かつ、1時間未満の時に次の塗布処理を実施す
る場合は、塗布処理の直前にダミーディスペンスを実施
する。したがって、溶媒の蒸発により、粘度の高くなっ
たレジスト液が半導体ウエハ2に供給されることを防止
することができ、良好な塗布処理を実施することができ
る。That is, in this embodiment the resist coating apparatus, for example, a T 1 1 hour, if you set the T 2 to about 10 minutes, waiting time, i.e. the time between the coating process and the subsequent coating treatment is less than 10 minutes Time, apply the coating process as it is, and wait for 10 minutes.
If the next coating process is to be performed when the time is equal to or longer than one minute and less than one hour, a dummy dispense is performed immediately before the coating process. Therefore, it is possible to prevent the resist liquid having the increased viscosity from being supplied to the semiconductor wafer 2 due to the evaporation of the solvent, and it is possible to perform a favorable coating process.
また、次の塗布処理までの時間が1時間以上となる場
合は、1時間毎にダミーディスペンスを実施するので、
レジスト供給ノズル6内のレジスト液が固まってしま
い、レジスト液が送出不能になることを防止することが
できる。If the time until the next coating process is one hour or more, dummy dispensing is performed every hour,
It is possible to prevent the resist liquid in the resist supply nozzle 6 from hardening and the resist liquid from being unable to be delivered.
なお、通常のレジスト塗布装置の塗布処理において
は、長時間(例えば1時間以上)に亘って、待機状態と
されることは稀であるので、例えば上記T1毎のダミーデ
ィスペンス機能は、省略し、T2によるダミーディスペン
ス機能だけとすることもできる。また、T1を例えば10分
程度と短い時間に設定すれば、T1毎のダミーディスペン
ス機能のみとし、T2によるダミーディスペンス機能を省
略することもできる。In the coating process of the conventional resist coating apparatus, a long time over (e.g. over 1 hour), since it is rarely a standby state, for example a dummy dispense function for each said T 1, it is omitted , it is also possible to only dummy dispense function by T 2. Further, by setting the T 1, for example, 10 minutes to a short time, and only the dummy dispense function for each T 1, it can be omitted dummy dispense function by T 2.
さらに、例えば塗布処理毎にカップ9内に溶剤を供給
して洗浄したり、レジスト供給ノズル6の先端部に溶剤
を供給して洗浄するよう構成することもできる。さらに
また、廃液回収部8はレジスト液の溶剤蒸発雰囲気にす
るとさらに良好なレジスト液の塗布を実現する。Further, for example, the cleaning may be performed by supplying a solvent into the cup 9 for each coating process, or by supplying the solvent to the tip of the resist supply nozzle 6 for cleaning. Further, when the waste liquid collecting section 8 is set to an atmosphere in which the solvent of the resist liquid is evaporated, more excellent application of the resist liquid is realized.
[発明の効果] 以上説明したように、本発明のレジスト塗布装置によ
れば、待機時間すなわち次の塗布処理までの待ち時間が
長くなった場合でも、粘度の高くなったレジスト液が被
処理体上に供給されたり、レジスト供給ノズル内でレジ
スト液が固まってしまうことを防止することができ、常
に良好な塗布処理を実施することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the resist coating apparatus of the present invention, even when the waiting time, that is, the waiting time until the next coating processing is lengthened, the resist liquid having a high viscosity can be used for the object to be processed. It is possible to prevent the resist liquid from being supplied to the top or to be hardened in the resist supply nozzle, and it is possible to always perform a favorable coating process.
第1図は本発明の一実施例のレジスト塗布装置の構成を
示す図、第2図は第1図に示すレジスト塗布装置の動作
を説明するための図である。 1……ウエハ支持機構、2……半導体ウエハ、3……回
転駆動機構、4……レジスト液収容ボトル、5……レジ
スト液送出機構、6……レジスト供給ノズル、7……ノ
ズル駆動機構、8……廃液回収部、9……カップ、10…
…制御部。FIG. 1 is a view showing the configuration of a resist coating apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining the operation of the resist coating apparatus shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer support mechanism, 2 ... Semiconductor wafer, 3 ... Rotation drive mechanism, 4 ... Resist liquid storage bottle, 5 ... Resist liquid delivery mechanism, 6 ... Resist supply nozzle, 7 ... Nozzle drive mechanism, 8 ... waste liquid collecting section, 9 ... cup, 10 ...
... Control unit.
Claims (2)
し、該レジスト液を被処理体に塗布するレジスト液送出
機構を具備したレジスト塗布装置において、 前記レジスト液送出機構によるレジスト液送出停止後の
経過時間を測定し、 前記レジスト液送出停止後の経過時間が、前記レジスト
液が固化して前記レジスト供給ノズルから送出不能とな
る以前の第1の設定時間を越えた場合、前記レジスト供
給ノズルから所定量のレジスト液を廃棄するとともに、 前記レジスト液送出停止後の経過時間が、前記第1の設
定時間より短い第2の設定時間であって、溶媒の蒸発に
より粘度の高くなった前記レジスト液が前記被処理体に
供給されるようになる第2の設定時間を越えた場合、前
記被処理物に前記レジスト液を供給する直前に前記レジ
スト供給ノズルから所定量のレジスト液を廃棄すること
を特徴とするレジスト塗布装置。1. A resist coating apparatus provided with a resist solution sending mechanism for sending a resist solution from a resist supply nozzle and applying the resist solution to an object to be processed. When the time elapsed after the stoppage of the resist solution supply exceeds a first set time before the resist solution solidifies and cannot be delivered from the resist supply nozzle, a predetermined time is taken from the resist supply nozzle. Along with discarding a fixed amount of the resist solution, the elapsed time after the stoppage of the resist solution delivery is a second set time shorter than the first set time, and the resist solution having increased viscosity due to evaporation of the solvent is When a second set time period during which the resist solution is supplied to the object is exceeded, the resist supply is performed immediately before the resist solution is supplied to the object. Resist coating apparatus characterized by discarding a prescribed amount of the resist solution from the nozzle.
て、 前記レジスト液送出機構の前記第1及び第2の設定時間
が、前記レジスト液の種類、及び/又は、温度、及び/
又は、湿度の条件によって異なるよう構成されたことを
特徴とするレジスト塗布装置。2. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein the first and second set times of the resist solution sending mechanism are different from each other by the type and / or temperature of the resist solution.
Alternatively, the resist coating apparatus is configured to be different depending on humidity conditions.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09841090A JP3171196B2 (en) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | Resist coating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09841090A JP3171196B2 (en) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | Resist coating equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03296213A JPH03296213A (en) | 1991-12-26 |
JP3171196B2 true JP3171196B2 (en) | 2001-05-28 |
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ID=14219062
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3171196B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100877472B1 (en) * | 2002-01-22 | 2009-01-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631918B1 (en) * | 2000-10-27 | 2006-10-04 | 삼성전자주식회사 | Wafer photo resist uncoating sencing unit of semiconductor manufacture device |
JP2007103800A (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | Chemical applying apparatus and method for controlling the same |
JP7441706B2 (en) * | 2020-03-31 | 2024-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
US11754923B2 (en) | 2021-03-26 | 2023-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Resist dispensing system and method of use |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP09841090A patent/JP3171196B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
KR100877472B1 (en) * | 2002-01-22 | 2009-01-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03296213A (en) | 1991-12-26 |
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