JP3168616B2 - 半導体基板露光装置 - Google Patents
半導体基板露光装置Info
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- JP3168616B2 JP3168616B2 JP16872191A JP16872191A JP3168616B2 JP 3168616 B2 JP3168616 B2 JP 3168616B2 JP 16872191 A JP16872191 A JP 16872191A JP 16872191 A JP16872191 A JP 16872191A JP 3168616 B2 JP3168616 B2 JP 3168616B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- light
- reflecting mirror
- mercury lamp
- substrate exposure
- Prior art date
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路製造装
置、特に半導体基板露光装置照明部に関する。
置、特に半導体基板露光装置照明部に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体基板露光装置照明
部は、図3に示すように、中空の筐体306の下部に照
明窓305が開口され、筐体306内に1個の水銀ラン
プ301が設けられ、水銀ランプ301からの光を30
2で集光させて反射鏡303により照明窓305から出
射するようになっていた。304は水銀ランプ301を
点灯させるための電源である。
部は、図3に示すように、中空の筐体306の下部に照
明窓305が開口され、筐体306内に1個の水銀ラン
プ301が設けられ、水銀ランプ301からの光を30
2で集光させて反射鏡303により照明窓305から出
射するようになっていた。304は水銀ランプ301を
点灯させるための電源である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
基板露光装置照明部は、図3に示すようにその照明部内
に光源である水銀ランプを1個のみ有していたため、照
明部から発せられる光の照度が低く、フォトレジストを
塗布し、半導体基板(以下、ウェハーという)を露光す
る際に、ある所定の露光量を得るために長時間の露光時
間が必要であった。そのため、半導体基板露光装置の単
位時間あたりの処理能力を低下させるという欠点があ
り、特に大口径ウェハーに対しては、このような半導体
基板露光装置の処理能力低下はコストの観点から非常に
不利である。
基板露光装置照明部は、図3に示すようにその照明部内
に光源である水銀ランプを1個のみ有していたため、照
明部から発せられる光の照度が低く、フォトレジストを
塗布し、半導体基板(以下、ウェハーという)を露光す
る際に、ある所定の露光量を得るために長時間の露光時
間が必要であった。そのため、半導体基板露光装置の単
位時間あたりの処理能力を低下させるという欠点があ
り、特に大口径ウェハーに対しては、このような半導体
基板露光装置の処理能力低下はコストの観点から非常に
不利である。
【0004】本発明の目的は前記課題を解決した半導体
基板露光装置照明部を提供することにある。
基板露光装置照明部を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体基板露光装置は、水銀ランプ
と、前記水銀ランプからの光を集光する第1の反射鏡
と、前記水銀ランプと前記第1の反射鏡とを結ぶ光軸上
で前記水銀ランプから見て前記第1の反射鏡のある側と
逆側に設けられ、前記集光した光を照明窓に向けて反射
させる第2の反射鏡とを有する半導体基板露光装置にお
いて、前記水銀ランプを前記光軸に沿って複数設けたも
のである。
め、本発明に係る半導体基板露光装置は、水銀ランプ
と、前記水銀ランプからの光を集光する第1の反射鏡
と、前記水銀ランプと前記第1の反射鏡とを結ぶ光軸上
で前記水銀ランプから見て前記第1の反射鏡のある側と
逆側に設けられ、前記集光した光を照明窓に向けて反射
させる第2の反射鏡とを有する半導体基板露光装置にお
いて、前記水銀ランプを前記光軸に沿って複数設けたも
のである。
【0006】
【作用】本発明では、光源の個数を増やすことにより、
光量を増量して露光時間を短縮するようにしたものであ
る。
光量を増量して露光時間を短縮するようにしたものであ
る。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【0008】(実施例1)図1は、本発明の実施例1を
示す断面図である。
示す断面図である。
【0009】図1において、中空の筐体106の一部に
照明窓105が開口され、筐体106内には、光源と、
光源からの光を集光する反射鏡102と、光源及び反射
鏡102からの光を照明窓105に向けて反射,出射す
る反射鏡103が設けられている。
照明窓105が開口され、筐体106内には、光源と、
光源からの光を集光する反射鏡102と、光源及び反射
鏡102からの光を照明窓105に向けて反射,出射す
る反射鏡103が設けられている。
【0010】本実施例では、前記光源として2個の水銀
ランプ101a,101bを有しており、照明窓105
から出射される光量を増量したものである。
ランプ101a,101bを有しており、照明窓105
から出射される光量を増量したものである。
【0011】光源である水銀ランプ101a,101b
が2個あり各々電源104に接続されており、2個の水
銀ランプ101a,101bから発せられた光は、反射
鏡102によって集光され、反射鏡103によって照明
窓105へ導かれる。
が2個あり各々電源104に接続されており、2個の水
銀ランプ101a,101bから発せられた光は、反射
鏡102によって集光され、反射鏡103によって照明
窓105へ導かれる。
【0012】上記構造の照明部より発せられた光によっ
てウェハーを露光する場合、光の照度が高いため、従来
の約2分の1の露光時間で所定の露光量を得ることがで
きる。その結果、半導体基板露光装置の単位時間あたり
の処理能力は約1.7倍と向上する。
てウェハーを露光する場合、光の照度が高いため、従来
の約2分の1の露光時間で所定の露光量を得ることがで
きる。その結果、半導体基板露光装置の単位時間あたり
の処理能力は約1.7倍と向上する。
【0013】(実施例2)図2は、本発明の実施例2を
示す断面図である。
示す断面図である。
【0014】本実施例では、光源として3個の水銀ラン
プ101a,101b,101cを有しており、各々電
源104に接続されている。水銀ランプ101a,10
1b,101cから発せられた光は、反射鏡102によ
って集光され、反射鏡103によって照明窓106へ導
かれる。
プ101a,101b,101cを有しており、各々電
源104に接続されている。水銀ランプ101a,10
1b,101cから発せられた光は、反射鏡102によ
って集光され、反射鏡103によって照明窓106へ導
かれる。
【0015】上記構造の照明部より発せられる光は、さ
らに照度が高くなり、従来の約3分の1の露光時間で所
定の露光量を得ることができる。その結果、半導体基板
露光装置の単位時間あたりの処理能力は約2.5倍と向
上する。
らに照度が高くなり、従来の約3分の1の露光時間で所
定の露光量を得ることができる。その結果、半導体基板
露光装置の単位時間あたりの処理能力は約2.5倍と向
上する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
露光装置照明部は、その照明部内に光源を2個以上有し
ているため、照明部から発せられる光の照度が高くな
り、ウェハーを露光する際に、比較的短時間の露光時間
で所定の露光量を得ることができる。このため、半導体
基板露光装置の単位時間あたりの処理能力を向上するこ
とができ、特に大口径ウェハーに対しては、このような
半導体基板露光装置の処理能力向上はコストの観点から
非常に有利である。
露光装置照明部は、その照明部内に光源を2個以上有し
ているため、照明部から発せられる光の照度が高くな
り、ウェハーを露光する際に、比較的短時間の露光時間
で所定の露光量を得ることができる。このため、半導体
基板露光装置の単位時間あたりの処理能力を向上するこ
とができ、特に大口径ウェハーに対しては、このような
半導体基板露光装置の処理能力向上はコストの観点から
非常に有利である。
【図1】本発明の実施例1を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例2を示す断面図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
101a,101b,101c 水銀ランプ 102,103 反射鏡 104 電源 105 照明窓 106 筐体
Claims (1)
- 【請求項1】 水銀ランプと、前記水銀ランプからの光
を集光する第1の反射鏡と、前記水銀ランプと前記第1
の反射鏡とを結ぶ光軸上で前記水銀ランプから見て前記
第1の反射鏡のある側と逆側に設けられ、前記集光した
光を照明窓に向けて反射させる第2の反射鏡とを有する
半導体基板露光装置において、前記水銀ランプを前記光軸に沿って複数設けたものであ
る ことを特徴とする半導体基板露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16872191A JP3168616B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体基板露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16872191A JP3168616B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体基板露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04365315A JPH04365315A (ja) | 1992-12-17 |
JP3168616B2 true JP3168616B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=15873209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16872191A Expired - Fee Related JP3168616B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体基板露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3168616B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5184767B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2013-04-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP16872191A patent/JP3168616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04365315A (ja) | 1992-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |