JP3165639B2 - レーザエッチング方法 - Google Patents
レーザエッチング方法Info
- Publication number
- JP3165639B2 JP3165639B2 JP07587596A JP7587596A JP3165639B2 JP 3165639 B2 JP3165639 B2 JP 3165639B2 JP 07587596 A JP07587596 A JP 07587596A JP 7587596 A JP7587596 A JP 7587596A JP 3165639 B2 JP3165639 B2 JP 3165639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- laser
- laser beam
- processing
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池の集積化
モジュールや電子デバイスのレーザエッチング方法に関
するものである。
モジュールや電子デバイスのレーザエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すように、アモルファス型太陽
電池はガラス基板上に厚さ６０００〜８０００Åの負極
の透明電極５を熱ＣＶＤで成膜し、その上に厚さ４００
０〜５０００Åのアモルファスシリコン( Ｓｉ) 膜４を
プラズマＣＶＤで蒸着し、その上に正電極として厚さ３
０００〜５０００ÅのＡｌ電極３が蒸着されている。
電池はガラス基板上に厚さ６０００〜８０００Åの負極
の透明電極５を熱ＣＶＤで成膜し、その上に厚さ４００
０〜５０００Åのアモルファスシリコン( Ｓｉ) 膜４を
プラズマＣＶＤで蒸着し、その上に正電極として厚さ３
０００〜５０００ÅのＡｌ電極３が蒸着されている。
【０００３】一枚のガラス基板に膜を成膜するが、出力
電圧を上げる目的で、基板上の電池を複数の短冊形状の
電池に切断し、それぞれの負電極、正電極を直列に接続
する。このために、アモルファスシリコン膜４を蒸着す
る前に透明電極５をレーザでエッチングしておき、これ
にアモルファスシリコン膜４を蒸着後、透明電極エッチ
ング部分の横をレーザでエッチングし、この後Ａｌ電極
３を蒸着し、アモルファスシリコン膜エッチング部分の
横に更にエッチングする。
電圧を上げる目的で、基板上の電池を複数の短冊形状の
電池に切断し、それぞれの負電極、正電極を直列に接続
する。このために、アモルファスシリコン膜４を蒸着す
る前に透明電極５をレーザでエッチングしておき、これ
にアモルファスシリコン膜４を蒸着後、透明電極エッチ
ング部分の横をレーザでエッチングし、この後Ａｌ電極
３を蒸着し、アモルファスシリコン膜エッチング部分の
横に更にエッチングする。
【０００４】このようにして、正極であるＡｌ電極３と
負極である透明電極５を接続し、かつＡｌ電極エッチン
グ部分１０によって隣り合う電池を絶縁する。このとき
図中のＡｌ電極エッチング部分１０の右側はＡｌ電極３
がアモルファスシリコンエッチング部分で透明電極５と
接続されているため、左側が絶縁されていることが必要
とされる条件となる。
負極である透明電極５を接続し、かつＡｌ電極エッチン
グ部分１０によって隣り合う電池を絶縁する。このとき
図中のＡｌ電極エッチング部分１０の右側はＡｌ電極３
がアモルファスシリコンエッチング部分で透明電極５と
接続されているため、左側が絶縁されていることが必要
とされる条件となる。
【０００５】従来のレーザエッチング装置の構成を図８
に示す。エキシマレーザ０１から発振されたレーザ光を
結像レンズ０２でマスク０３上で結像させ、マスクで矩
形にビームを整形したのち、反射鏡０４で反射させ、対
物レンズ０５で縮小して加工対象である太陽電池０６上
にレーザビームを照射する。
に示す。エキシマレーザ０１から発振されたレーザ光を
結像レンズ０２でマスク０３上で結像させ、マスクで矩
形にビームを整形したのち、反射鏡０４で反射させ、対
物レンズ０５で縮小して加工対象である太陽電池０６上
にレーザビームを照射する。
【０００６】エキシマレーザ０１は１０から１００Ｈｚ
の発振周波数を持つ断続的に発振するレーザであるが、
太陽電池０６はＸＹテーブル０７によって移動するの
で、矩形のレーザビームを図９の( ａ) のように連続的
につなげることで連続的なエッチング線を得ることがで
きる。
の発振周波数を持つ断続的に発振するレーザであるが、
太陽電池０６はＸＹテーブル０７によって移動するの
で、矩形のレーザビームを図９の( ａ) のように連続的
につなげることで連続的なエッチング線を得ることがで
きる。
【０００７】図９は、従来の加工実施例を示したもので
ある。(ａ) の５ショット加工痕( 同じ場所を５回レー
ザで加工することを５ショット加工と言う) では、加工
ライン軸１に沿って、矩形のビーム加工痕２をつなげて
連続的な加工線を形成する。太陽電池のエッチングには
通常１回のレーザビーム照射では目的の厚さの加工がで
きないため、同じ場所を数回照射する必要がある。この
例では同じ場所を５回照射した場合について示す。レー
ザビームの長さ方向に５分の１づつずらしてレーザビー
ムを連続的に照射することで、同じ場所を５回レーザで
照射することが可能となる。
ある。(ａ) の５ショット加工痕( 同じ場所を５回レー
ザで加工することを５ショット加工と言う) では、加工
ライン軸１に沿って、矩形のビーム加工痕２をつなげて
連続的な加工線を形成する。太陽電池のエッチングには
通常１回のレーザビーム照射では目的の厚さの加工がで
きないため、同じ場所を数回照射する必要がある。この
例では同じ場所を５回照射した場合について示す。レー
ザビームの長さ方向に５分の１づつずらしてレーザビー
ムを連続的に照射することで、同じ場所を５回レーザで
照射することが可能となる。
【０００８】(ｂ) は１ショット加工断面図を示す。ア
モルファス型太陽電池は厚さ６０００〜８０００Åの負
極の透明電極５上に厚さ４０００〜５０００Åのアモル
ファスシリコン膜４をプラズマＣＶＤで蒸着し、その上
に正電極として厚さ３０００〜５０００ÅのＡｌ電極３
が蒸着されている。これをレーザ光でエッチングする
と、( ｂ) のようにレーザビームが照射されたあとにビ
ーム加工痕２ができる。顕微鏡観察結果によれば、この
ビーム加工痕２内には金属電極残さ６が加工痕の溝の隅
と中央部に残ることが確認されている。
モルファス型太陽電池は厚さ６０００〜８０００Åの負
極の透明電極５上に厚さ４０００〜５０００Åのアモル
ファスシリコン膜４をプラズマＣＶＤで蒸着し、その上
に正電極として厚さ３０００〜５０００ÅのＡｌ電極３
が蒸着されている。これをレーザ光でエッチングする
と、( ｂ) のようにレーザビームが照射されたあとにビ
ーム加工痕２ができる。顕微鏡観察結果によれば、この
ビーム加工痕２内には金属電極残さ６が加工痕の溝の隅
と中央部に残ることが確認されている。
【０００９】(ｃ) は５ショット加工のＡ−Ａ断面のレ
ーザビームの重なりを示す模式図である。加工ライン軸
に沿って、ビームを重ねて照射するため、加工痕は図の
ように重なる。このようにしてＡｌ電極３とアモルファ
スシリコン膜４を除去することで、太陽電池を複数の電
池に絶縁分割する。
ーザビームの重なりを示す模式図である。加工ライン軸
に沿って、ビームを重ねて照射するため、加工痕は図の
ように重なる。このようにしてＡｌ電極３とアモルファ
スシリコン膜４を除去することで、太陽電池を複数の電
池に絶縁分割する。
【００１０】(ｄ) は５ショット加工を行った後の加工
断面図である。(ｂ) で示した金属電極残さ６上にレー
ザビームがあたるため金属電極残さがそのまま残留して
いる。
断面図である。(ｂ) で示した金属電極残さ６上にレー
ザビームがあたるため金属電極残さがそのまま残留して
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の加工例では、金
属電極残さの上に重ねてビーム加工を行うため、金属電
極残さの除去が難しく、加工痕の壁面に金属電極残さが
残るため、図９の（ｄ）に示すように、Ａｌ電極３と透
明電極５の間を金属電極残さ６が接続し、正極と負極が
短絡して、電池として発電出来なくなるという問題点が
あった。
属電極残さの上に重ねてビーム加工を行うため、金属電
極残さの除去が難しく、加工痕の壁面に金属電極残さが
残るため、図９の（ｄ）に示すように、Ａｌ電極３と透
明電極５の間を金属電極残さ６が接続し、正極と負極が
短絡して、電池として発電出来なくなるという問題点が
あった。
【００１２】そこで、本発明の目的は、Ａｌ電極をエッ
チングして太陽電池を複数の絶縁された電池に分ける場
合に安定した絶縁抵抗を得ることができるレーザエッチ
ング方法を提供することにある。
チングして太陽電池を複数の絶縁された電池に分ける場
合に安定した絶縁抵抗を得ることができるレーザエッチ
ング方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係るレーザエッチング方法は、アモルファ
スシリコン太陽電池で集積型モジュールを製作する場合
に使用するレーザエッチング方法で、矩形のレーザビー
ムを使用して太陽電池をエッチングする場合に、矩形レ
ーザビームの長手方向軸を基板移動方向軸に対して傾け
てエッチングすることを特徴とする。
に、本発明に係るレーザエッチング方法は、アモルファ
スシリコン太陽電池で集積型モジュールを製作する場合
に使用するレーザエッチング方法で、矩形のレーザビー
ムを使用して太陽電池をエッチングする場合に、矩形レ
ーザビームの長手方向軸を基板移動方向軸に対して傾け
てエッチングすることを特徴とする。
【００１４】また、矩形レーザビームの長手方向軸は、
エッチング装置のマスクを回転させることで、基板移動
方向軸に対して傾けられることを特徴とする。
エッチング装置のマスクを回転させることで、基板移動
方向軸に対して傾けられることを特徴とする。
【００１５】また、矩形レーザビームの長手方向軸は、
太陽電池を移動させるテーブルを回転させることで、基
板移動方向軸に対して傾けられることを特徴とする。
太陽電池を移動させるテーブルを回転させることで、基
板移動方向軸に対して傾けられることを特徴とする。
【００１６】［作用］図１の（ａ）に示すように、加工
ライン軸１に対し傾けてレーザビームを照射すること
で、レーザ加工痕２の長手方向軸を傾ける。このように
することで、レーザ加工痕２を傾きに応じた距離図上で
下にずらすことが出来るので、（ｂ）に示す１ショット
加工断面図の金属電極残さ６が無い部分（加工痕端部か
らＸの距離）に次のビームの端部を照射することができ
る。このビームの重なりを示す図が（ｃ）である。この
図は５つのビームが重なる（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図
である。レーザビームの傾きによって図上右方向にレー
ザビームがずれて照射される。このときのずれを距離Ｘ
とするようにビームを傾ける。ビームは、金属電極残さ
６がない直前に照射されたビームの端部からＸの距離に
端部がくるように照射するため、図上左側には金属電極
残さが残らなくなる。加工後の断面形状を（ｄ）に示
す。図上左側は上記の理由によって金属電極残さが残ら
ず、アモルファスシリコンがむき出しになった壁面がで
きる。従って、Ａｌ電極３と、透明電極５は絶縁され
る。
ライン軸１に対し傾けてレーザビームを照射すること
で、レーザ加工痕２の長手方向軸を傾ける。このように
することで、レーザ加工痕２を傾きに応じた距離図上で
下にずらすことが出来るので、（ｂ）に示す１ショット
加工断面図の金属電極残さ６が無い部分（加工痕端部か
らＸの距離）に次のビームの端部を照射することができ
る。このビームの重なりを示す図が（ｃ）である。この
図は５つのビームが重なる（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図
である。レーザビームの傾きによって図上右方向にレー
ザビームがずれて照射される。このときのずれを距離Ｘ
とするようにビームを傾ける。ビームは、金属電極残さ
６がない直前に照射されたビームの端部からＸの距離に
端部がくるように照射するため、図上左側には金属電極
残さが残らなくなる。加工後の断面形状を（ｄ）に示
す。図上左側は上記の理由によって金属電極残さが残ら
ず、アモルファスシリコンがむき出しになった壁面がで
きる。従って、Ａｌ電極３と、透明電極５は絶縁され
る。
【００１７】一方、図上右側は常にＡｌ電極が表面に存
在する部分を加工するために、金属電極残さ６が壁面に
残り、Ａｌ電極３と、透明電極５は短絡状態となる。
在する部分を加工するために、金属電極残さ６が壁面に
残り、Ａｌ電極３と、透明電極５は短絡状態となる。
【００１８】図２に示すように、Ａｌエッチングはエッ
チング部分の片方を絶縁できればよいので、絶縁側が図
１の（ｄ）の加工断面左側となるようにすればよい。図
１の（ａ）で絶縁側を図上上側とすれば、太陽電池基板
の移動方向に対して右まわりに傾けることで、上側を絶
縁することができる。
チング部分の片方を絶縁できればよいので、絶縁側が図
１の（ｄ）の加工断面左側となるようにすればよい。図
１の（ａ）で絶縁側を図上上側とすれば、太陽電池基板
の移動方向に対して右まわりに傾けることで、上側を絶
縁することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレーザエッチ
ング方法を実施例に基づいて詳細に説明する。
ング方法を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２０】［第１実施例］図３は本発明の第１実施例
を示す装置構成図である。図示のように、エッチング装
置のマスク０３をマスク形状０３１に示すように回転さ
せることで、太陽電池０６の表面に照射されるレーザビ
ーム形状をＸＹテーブル０７の移動方向に対して傾ける
ようになっている。その他の構成は、図８と同様なの
で、図８と同一部材には同一符号を付して重複する説明
は省略する。
を示す装置構成図である。図示のように、エッチング装
置のマスク０３をマスク形状０３１に示すように回転さ
せることで、太陽電池０６の表面に照射されるレーザビ
ーム形状をＸＹテーブル０７の移動方向に対して傾ける
ようになっている。その他の構成は、図８と同様なの
で、図８と同一部材には同一符号を付して重複する説明
は省略する。
【００２１】これによれば、エキシマレーザ０１で発振
したレーザ光はマスク０３上に結像レンズ０２によって
像を結ぶため、マスク０３をマスク形状０３１のように
マスクローテーション距離０３２分傾けることで、傾い
た矩形ビームに成形できる。これをＸＹテーブル０７上
の太陽電池０６に照射し、ＸＹテーブル０７を移動させ
ることで、図１の（ａ）に示すようなレーザ加工痕２を
生じることができる。
したレーザ光はマスク０３上に結像レンズ０２によって
像を結ぶため、マスク０３をマスク形状０３１のように
マスクローテーション距離０３２分傾けることで、傾い
た矩形ビームに成形できる。これをＸＹテーブル０７上
の太陽電池０６に照射し、ＸＹテーブル０７を移動させ
ることで、図１の（ａ）に示すようなレーザ加工痕２を
生じることができる。
【００２２】図４にマスクローテーション距離と加工後
の太陽電池の開放電圧の関係を示す。この場合の対物レ
ンズ縮小率は１／５、マスクの形状は幅２５０ミクロ
ン，長さ２５ｍｍである。従って、加工ビームの形状は
幅５０ミクロン，長さ５ｍｍとなる。マスクローテーシ
ョン０ミクロンは加工軸と水平であることを示し、プラ
スの値は加工対象の移動方向に対し左回りに回転させた
ときのマスクローテーション距離０３１を示す。従っ
て、実際の加工ビームではこのマスクローテーション距
離の１／５の距離だけ加工軸に対して傾くことになる。
の太陽電池の開放電圧の関係を示す。この場合の対物レ
ンズ縮小率は１／５、マスクの形状は幅２５０ミクロ
ン，長さ２５ｍｍである。従って、加工ビームの形状は
幅５０ミクロン，長さ５ｍｍとなる。マスクローテーシ
ョン０ミクロンは加工軸と水平であることを示し、プラ
スの値は加工対象の移動方向に対し左回りに回転させた
ときのマスクローテーション距離０３１を示す。従っ
て、実際の加工ビームではこのマスクローテーション距
離の１／５の距離だけ加工軸に対して傾くことになる。
【００２３】開放電圧は電池が短絡されていると低くな
る。この図４では、マスクローテーション距離２５ミク
ロンで最も高い開放電圧が得られる。実際のビームでは
この１／５の５ミクロンの傾きを持っていることにな
り、この傾きの分だけ、加工ビームはずれる。この条件
での１ショットの加工痕の観察では、図１の（ｂ）で述
べた金属電極残さが生じない場所の加工痕壁面からの距
離Ｘは４〜５ミクロンであるため、このマスクローテー
ションが丁度金属電極残さが無い場所に次のビームを照
射する条件となっている。
る。この図４では、マスクローテーション距離２５ミク
ロンで最も高い開放電圧が得られる。実際のビームでは
この１／５の５ミクロンの傾きを持っていることにな
り、この傾きの分だけ、加工ビームはずれる。この条件
での１ショットの加工痕の観察では、図１の（ｂ）で述
べた金属電極残さが生じない場所の加工痕壁面からの距
離Ｘは４〜５ミクロンであるため、このマスクローテー
ションが丁度金属電極残さが無い場所に次のビームを照
射する条件となっている。
【００２４】図５にはマスクローテーション距離と効率
（マスクローテーション距離０ミクロンを１００とした
相対値）の関係を示す。開放電圧と同じようにマスクロ
ーテーション距離２５ミクロンが最も高い太陽電池効率
を与える。このようにＡｌ電極をエッチングして太陽電
池を複数の絶縁された電池に分ける場合に矩形のレーザ
ビーム形状を傾けて照射することで、安定した絶縁抵抗
を得ることができ、太陽電池効率を最大とすることがで
きる。
（マスクローテーション距離０ミクロンを１００とした
相対値）の関係を示す。開放電圧と同じようにマスクロ
ーテーション距離２５ミクロンが最も高い太陽電池効率
を与える。このようにＡｌ電極をエッチングして太陽電
池を複数の絶縁された電池に分ける場合に矩形のレーザ
ビーム形状を傾けて照射することで、安定した絶縁抵抗
を得ることができ、太陽電池効率を最大とすることがで
きる。
【００２５】［第２実施例］図６は本発明の第２実施例
を示す装置構成図である。これによれば、ＸＹテーブル
をＸＹθテーブル０７１として、レーザビームを照射す
る前にθ回転し、照射後θ回転を戻し、レーザビームを
所定の長さ移動させた後、レーザビームを照射すること
を繰り返すようになっている。
を示す装置構成図である。これによれば、ＸＹテーブル
をＸＹθテーブル０７１として、レーザビームを照射す
る前にθ回転し、照射後θ回転を戻し、レーザビームを
所定の長さ移動させた後、レーザビームを照射すること
を繰り返すようになっている。
【００２６】図７にテーブルの移動方法を示す。（ａ）
に示すように、長さＬの１ショットビーム８０をθ傾け
て５回照射する場合には、（ｂ）のようにＡ１で加工ラ
イン軸８１に沿ってθ回転し、照射した後、先程とは逆
にθ回転した後、Ｌ／５の距離加工ライン軸８１に沿っ
て紙面右方向に基板を移動する。移動した点がＡ２とな
る。ここでＡ１と同様にθ回転させた後レーザを照射
し、θ回転を戻し、更にＬ／５の距離移動させる。これ
を繰り返すことで、（ｃ）に示すようなエッチング加工
ができる。
に示すように、長さＬの１ショットビーム８０をθ傾け
て５回照射する場合には、（ｂ）のようにＡ１で加工ラ
イン軸８１に沿ってθ回転し、照射した後、先程とは逆
にθ回転した後、Ｌ／５の距離加工ライン軸８１に沿っ
て紙面右方向に基板を移動する。移動した点がＡ２とな
る。ここでＡ１と同様にθ回転させた後レーザを照射
し、θ回転を戻し、更にＬ／５の距離移動させる。これ
を繰り返すことで、（ｃ）に示すようなエッチング加工
ができる。
【００２７】これによれば、第１実施例のようにレーザ
ビームのマスクの傾き角を変えずに、太陽電池を移動さ
せるテーブルをＸＹθテーブルとすることで、レーザビ
ームを第１実施例と同様に傾けることが可能となり、第
１実施例と同じ効果が得られる。
ビームのマスクの傾き角を変えずに、太陽電池を移動さ
せるテーブルをＸＹθテーブルとすることで、レーザビ
ームを第１実施例と同様に傾けることが可能となり、第
１実施例と同じ効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
モルファスシリコン太陽電池で集積型モジュールを製作
する場合に使用するレーザエッチング方法で、矩形のレ
ーザビームを使用して太陽電池をエッチングする場合
に、矩形レーザビームの長手方向軸を基板移動方向軸に
対して傾けてエッチングするので、安定した絶縁抵抗を
得ることができ、太陽電池効率を最大とすることができ
る。
モルファスシリコン太陽電池で集積型モジュールを製作
する場合に使用するレーザエッチング方法で、矩形のレ
ーザビームを使用して太陽電池をエッチングする場合
に、矩形レーザビームの長手方向軸を基板移動方向軸に
対して傾けてエッチングするので、安定した絶縁抵抗を
得ることができ、太陽電池効率を最大とすることができ
る。
【図１】本発明のエッチング状態を示す図である。
【図２】アモルファスシリコン太陽電池の加工断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１実施例を示す装置構成図である。
【図４】同じくマスクローテーション距離と太陽電池開
放電圧の関係図である。
放電圧の関係図である。
【図５】同じくマスクローテーション距離と太陽電池効
率の関係図である。
率の関係図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す装置構成図である。
【図７】同じくエッチング方法の説明図である。
【図８】従来の装置構成図である。
【図９】同じくエッチング状態を示す図である。
１ 加工ライン軸 ２ レーザ加工痕 ３ Ａｌ電極 ４ アモルファスシリコン膜 ５ 透明電極 ６ 金属電極残さ １０ Ａｌ電極エッチング部分 ０１ エキシマレーザ ０２ 結像レンズ ０３ マスク ０４ 反射鏡 ０５ 対物レンズ ０６ 太陽電池 ０７ ＸＹテーブル
フロントページの続き (72)発明者 西田 聖一 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三菱重工業株式会社 長崎研究所内 (72)発明者 高野 暁己 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三菱重工業株式会社 長崎研究所内 (72)発明者 芹澤 暁 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重 工業株式会社 長崎造船所内 (56)参考文献 特開 昭63−215390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−237483（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (3)
- 【請求項１】 アモルファスシリコン太陽電池で集積型
モジュールを製作する場合に使用するレーザエッチング
方法で、矩形のレーザビームを使用して太陽電池をエッ
チングする場合に、矩形レーザビームの長手方向軸を基
板移動方向軸に対して傾けてエッチングするレーザエッ
チング方法。 - 【請求項２】 矩形レーザビームの長手方向軸は、エッ
チング装置のマスクを回転させることで、基板移動方向
軸に対して傾けられる請求項１記載のレーザエッチング
方法。 - 【請求項３】 矩形レーザビームの長手方向軸は、太陽
電池を移動させるテーブルを回転させることで、基板移
動方向軸に対して傾けられる請求項１記載のレーザエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07587596A JP3165639B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | レーザエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07587596A JP3165639B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | レーザエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266325A JPH09266325A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3165639B2 true JP3165639B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=13588897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07587596A Expired - Lifetime JP3165639B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | レーザエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3165639B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720452B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2007-05-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법 |
| KR100546711B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2006-01-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법 |
| JP2007167936A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Miyachi Technos Corp | 金メッキ剥離方法及び金メッキ剥離装置 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP07587596A patent/JP3165639B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09266325A (ja) | 1997-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3436858B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| CN100444333C (zh) | 照射激光的方法、激光照射系统和半导体器件的制造方法 | |
| US7393714B2 (en) | Method of manufacturing external force detection sensor | |
| US4900695A (en) | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same | |
| US20050079418A1 (en) | In-line deposition processes for thin film battery fabrication | |
| US6509546B1 (en) | Laser excision of laminate chip carriers | |
| AU2233300A (en) | Method of fabricating thin-film photovoltaic module | |
| JP4964186B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH10284418A (ja) | 薄膜半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2007184421A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール | |
| JP3165639B2 (ja) | レーザエッチング方法 | |
| CN212858217U (zh) | 一种集成同轴视觉的激光切割光学系统 | |
| US20200027832A1 (en) | Device structure and techniques for forming semiconductor device having angled conductors | |
| KR20040068022A (ko) | 레이저 조사 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및레이저 조사 시스템 | |
| JP3676202B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2002231986A (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2002043298A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2648064B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JP3521268B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2006305601A (ja) | レーザ加工方法 | |
| Weick | Laser generation of conductor patterns | |
| JPH0237047B2 (ja) | ||
| JP2000261020A (ja) | 集積型薄膜太陽電池 | |
| JP3505201B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0897453A (ja) | 太陽電池モジュールの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010130 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080302 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090302 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 12 |