JP3165090B2

JP3165090B2 - 光スイッチ

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Publication number: JP3165090B2
Application number: JP29842797A
Authority: JP
Inventors: 博史下村; 直也逸見
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-10-30
Filing date: 1997-10-30
Publication date: 2001-05-14
Anticipated expiration: 2017-10-30
Also published as: JPH11135866A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光通信、光交換にお
ける光スイッチに関し、特に不純物添加ファイバを用い
た光スイッチに関する。

【０００２】

【従来の技術】光信号をノード内で電気信号に変換する
ことなく光のまま経路編集を行う光ＡＤＭシステムなど
の光交換はノードの規模を小さくすることができ通信の
低コスト化に大きく貢献する。こうしたノードを構築す
る上で重要なのがスイッチ技術である。例えば、光ＡＤ
Ｍシステムにおいて、信号光の分岐挿入の切換を行う光
ゲートスイッチは、低クロストーク、低挿入損失の特性
が要求される。したがって、クロストークが大きいポリ
マー型やＬｉＮｂＯ３などの光スイッチではコヒーレン
トクロストークが発生しパワーペナルティの原因となり
システム実現の障害となっていた。こうした要求を満た
すスイッチとしてメカ（機械的）スイッチおよぴ半導体
光増幅器を利用した半導体光スイッチが検討されてい
る。しかし、前者のメカスイッチは機械的可動部を持つ
ためどうしても耐久性の問題が生じデバイスの信頼性が
課題となる。

【０００３】また、後者の半導体光スイッチについても
次のような問題がある。一般に信号光を光増幅器に入力
する際、利得が小さい場合は自然放出光雑音によりＳ／
Ｎ比が劣化する。したがって、Ｓ／Ｎの劣化を防ぐため
には利得を大きくする必要がある。しかし、半導体光増
幅器は高出力化するとキャリアの反転分布密度が戎少す
るため利得が飽和し、出力飽和の現象が見られ信号波形
が歪み受信感度劣化の原因となる。このような利得が小
さいときのＳ／Ｎ劣化、利得が大きいときの波形劣化を
避けるためには、光レベル設計の自由度が大きく限定さ
れてしまう。こうした条件ではより厳しい光レベル調整
が必要で光強度のモニタ項目が増加するなど、ノードの
規模を小さくすることには貢献しない。

【０００４】以上のことから低クロストークかつ飽和出
力パワーの大きい光スイッチの実現が期待される。そこ
で、新たに不純物添加ファイバ型光スイッチが提案され
ており、不純物添加ファイバに対する励起パワーのオン
オフにより低クロストーク性が、励起パワーの制御によ
りスイッチの挿入損失量がそれぞれ自在に設定可能とさ
れている。また、反射ミラーを用いた折り返し構成や光
分岐とアイソレータを用いたループバック構成によりス
イッチの適用範囲を広げることが可能とされている。さ
らに、不純物添加ファイバの後方にスイッチする波長の
信号光のみを透過させる光フィルタを配置することで光
増幅時に発生する自然放出光雑音を取り除くことが可能
とされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た不純物添加ファイバ型光スイッチには以下の問題点が
ある。すなわち、励起パワーのオン、オフにより低クロ
ストーク性を、励起パワーの制御によりスイッチの挿入
摸失量と利得が自在に設定可能ではあるが、各不純物添
加ファイバ、すなわち各ゲートスイッチ毎に励起光源
と、この励起光源を制御するための制御手段が必要とな
る。このため、スイッチ規模がマトリックスサイズで発
展した場合には、ゲートススイッチと制御手段の数が多
数になり、光スイッチ全体の規模及びコストの面からの
問題が生じる。

【０００６】本発明は、励起光源及び制御手段の増大を
抑制し、小規模でかつ低コストな光スイッチを実現する
ことを可能とする。

【０００７】

【発明を解決するための手段】本発明の光スイッチは、
信号光が入力される第１の光伝送路と、前記第１の光伝
送路に光分岐によって接続された複数の第２の光伝送路
と、前記第２の光伝送路のそれぞれに配設された不純物
添加ファイバと、前記各不純物添加ファイバに励起光を
供給するための励起光源と、前記励起光源からの励起光
を前記不純物添加ファイバに選択的に供給する励起光ス
イッチとを備え、前記励起光の経路を前記励起光スイッ
チによって切り替え制御することにより前記不純物添加
ファイバの入力側の光伝送路に入力された信号光が出力
側の光伝送路に出力することをオン／オフ制御し、かつ
前記オン時に前記励起光の光強度を制御することにより
前記出力側の光伝送路へ出力される信号光の光強度を制
御することを特徴とする。この場合、次の形態が採用可
能である。第１に、前記励起光スイッチと前記第２の光
伝送路を接続して前記不純物添加ファイバに対して励起
光を供給する光伝送路が、前記不純物添加ファイバの出
力側に接続される。第２に、前記第２の光伝送路の出力
端には前記第２の光伝送路を伝送された光は反射する反
射ミラーが配設され、かつ前記第２の光伝送路には前記
不純物添加ファイバを逆方向に伝送される光を出力する
ための第３の光伝送路が接続される。第３に、前記励起
光スイッチと前記第２の光伝送路を接続して前記不純物
添加ファイバに対して励起光を供給する光伝送路が、前
記不純物添加ファイバの入力側に接続される。

【０００８】また、本発明では、前記した光スイッチを
２つ備え、各光スイッチの前記第１の光伝送路を互いに
反対方向に接続し、一方の光スイッチの前記第２の光伝
送路から信号光を入力し、他方の光スイッチの前記第２
の光伝送路から信号光を出力するように構成したことを
特徴とする。この場合、前記２つの光スイッチのそれぞ
れの励起光源を１つの励起光源で共用してもよい。

【０００９】さらに、本発明の光スイッチは、信号光が
入力される複数の第１の光伝送路と、前記各第１の光伝
送路にそれぞれ接続された複数の不純物添加ファイバ
と、前記各不純物添加ファイバにそれぞれ接続された第
２の光伝送路と、前記各不純物添加ファイバに励起光を
供給するための励起光源と、前記励起光源からの励起光
を前記不純物添加ファイバに選択的に供給する励起光ス
イッチとを備え、前記励起光の経路を前記励起光スイッ
チによって切り替え制御することにより前記第１の光伝
送路に入力された信号光が前記第２の光伝送路に出力す
ることをオン／オフ制御し、かつ前記オン時に前記励起
光の光強度を制御することにより前記第２の光伝送路へ
出力される信号光の光強度を制御する。あるいは、信号
光が入力される複数の第１の光伝送路と、前記各第１の
光伝送路にそれぞれ接続された複数の不純物添加ファイ
バと、前記各不純物添加ファイバにそれぞれ接続された
第２の光伝送路と、前記各不純物添加ファイバに励起光
を供給するための複数個の励起光源と、前記各励起光源
からの励起光を前記１以上の数の不純物添加ファイバに
供給する光クロスコネクト装置を備え、前記励起光の経
路を前記光クロスコネクト装置によって切り替え制御す
ることにより前記第１の光伝送路に入力された信号光が
前記第２の光伝送路に出力することをオン／オフ制御
し、かつ前記オン時に前記励起光の光強度を制御するこ
とにより前記第２の光伝送路へ出力される信号光の光強
度を制御するる。

【００１０】本発明によれば、励起光源と不純物添加フ
ァイバとの間に励起光スイッチを配置することにより、
一つの励起光源で複数の不純物添加ファイバにおける信
号光の利得を制御でき、これら不純物添加ファイバによ
り構成されるゲートスイッチのオン、オフ制御を可能と
する。ゲートスイッチ動作時の利得特性は鋭い立ち上が
りを示すため、前記励起光スイッチの漏れ光による影響
はほとんど無い。したがってクロストークレベルの比較
的大きいポリマー型やＬｉＮｂＯ₃などのスイッチで十
分利用可能となる。すなわち、ポリマー型やＬｉＮｂＯ
₃などの光スイッチのクロストークレベルの高さの問題
と、不純物添加ファイバゲートに要求される励起光源の
数の問題を補完しあいながら低クロスーク、低挿入損失
のスイッチを実現することができる。また、同時に不純
物添加ファイバに励起光を供給しているオン時に、当該
励起光の光強度を制御することにより出力側の光伝送路
へ出力される信号光の光強度を制御することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１本発明の第１の実施形態の構成
図である。第１の光伝送路１１０には波長１５５０ｎｍ
の信号光が０ｄＢｍの光強度で伝送されており、この信
号光は光分岐２１より二分されそれぞれ第２の光伝送路
１２０，１２１に出力される。前記各光伝送路１２０，
１２１にはそれぞれ長さ５０メートルのエルビウム添加
ファイバであるＥＤＦ１１及びＥＤＦ１２が配設されて
おり、前記信号光はこれらＥＦＤ１１，ＥＦＤ１２を通
過可能とされている。そして、前記ＥＤＦ１１とＥＤＦ
１２の各出力端の前記光伝送路１２０，１２１には、そ
れぞれ光分岐２２，２３において、光伝送路１１１，１
１２及び励起光スイッチ４１を介して励起光源３１が接
続されている。前記励起光源３１からは、波長１４８０
ｎｍの励起光が出力される。また、前記励起光スイッチ
４１はＬＮ（リチウムナイオベート光）スイッチとして
構成され、その選択により前記励起光源１３１からの励
起光を前記ＥＤＦ１１とＥＤＦ１２のいずれか一方に供
給するように構成されている。

【００１２】この構成によれば、ＬＮスイッチ４１が励
起光源３１からの励起光をＥＤＦ１１に供給するように
切り換えられたときには、ＥＤＦ１１が光励起されるた
め、前記した波長１５５０ｎｍの信号光は光伝送路１２
０に０ｄＢｍの光強度で出力される。一方ＬＮスイッチ
４１の漏れ光により光分岐２３に入力される励起光はＥ
ＤＦ１２を十分に光勧起することはできず、ＥＤＦ１２
に入力された波長１５５０ｎｍの信号光はＥＤＦ１２に
よって光吸収されてしまう。そのため光伝送路１２１か
ら出力される信号光の光強度は−６０ｄＢｍ以下とな
る。なお、ＬＮスイッチ４１の挿入損失は２ｄＢ、クロ
ストークは２０ｄＢであるが、この構成によって挿入損
失のない、かつ低クロストークの光スイッチが実現でき
る。

【００１３】ここで、前記励起光スイッチ４１として、
ポリマー光スイッチを用いてものよい。この場合には、
例えば、光伝送路１１０には波長１５５０ｎｍの信号光
が０ｄＢｍの光強度で伝送されている場合に、励起光源
３１から出力される波長１４８０ｎｍの励起光はポリマ
ー光スイッチ４１によって光経路が選択され、光分岐２
２に入力される。これにより、ＥＤＦｌｌが光励起され
前記信号光は光伝送路１２０に０ｄＢｍの光強度で出力
される。一方、ポリマー光スイッチ４１の漏れ光により
光分岐２３に入力される励起光はＥＤＦ１２を十分に光
励起することはできず、ＥＤＦ１２に入力された前記信
号光はＥＤＦ１２によって光吸収されてしまう。そのた
め光伝送路１２１に出力される光強度は−６０ｄＢｍ以
下となる。ポリマー光スイッチ４１の挿入損失は２ｄ
Ｂ、クロストークは２０ｄＢであるが、前記実施形態と
同様に挿入損失のない、かつ低クロストークの光スイッ
チが実現できる。

【００１４】なお、励起光源３１から出力される励起光
を波長９８０ｎｍの光にした場合でも、前記各実施形態
と同様に、挿入損失がなく、かつ低クロストークの光ス
イッチが実現されている。また、このように励起光の波
長を下げることにより、出力信号光の雑音指数を大きく
低減することも可能となる。

【００１５】図２は本発明の第２の実施形態の構成図で
あり、前記第１の実施形態と等価な部分には同一符号を
付してある。この実施形態では、ＥＤＦ１１，ＥＤＦ１
２の出力端側の光伝送路１２０，１２１にそれぞれ信号
光の波長を含むその近傍の波長を透過させる光フィルタ
５１，５２を介挿している。この構成によれば、光伝送
路１１０には波長１５５０ｎｍの信号光が０ｄＢｍの光
強度で伝送され、光分岐２１より二分され長さ５０メー
トルのＥＤＦ１ｌおよぴＥＤＦ１２に入力される。ま
た、励起光源３１から出力される波長１４８０ｎｍの励
起光はＬＮスイッチ４１によって光経路を選択され、光
分岐２２に入力される。したがって、ＥＤＦｌｌが光励
起され、波長１５５０ｎｍの信号光は光フィルタ５１を
透過して光伝送路１２０に０ｄＢｍの光強度で出力され
る。一方、ＬＮスイッチ４１の漏れ光により光分岐２３
に入力される励起光はＥＤＦ１２を十分に光励起するこ
とはできず、ＥＤＦ１２に入力された信号光はＥＤＦ１
２によって光吸収されてしまう。，そのため光伝送路１
２１から出力される光強度は−６０ｄＢｍ以下となる。
そして、前記光フィルタ５１により、光増幅に伴う雑音
を除去することができるため、励起光スイッチ４１の導
入によるＳ／Ｎ比の劣化を防ぐことができる。

【００１６】図３は本発明の第３の実施形態の構成図で
あり、ここでは、光伝送路１１０は光分岐２１より二分
されそれぞれ光アイソレータ６１，６２を経てＥＤＦｌ
ｌおよぴＥＤＦ１２に接続されている。また、光ＥＤＦ
１１，ＥＤＦ１２の出力端側の光伝送路１２０，１２１
の各端部にはそれぞれ光反射ミラー７１，７２が配置さ
れるとともに、この光反射ミラー７１，７２で反射され
た光は再びＥＦＤ１１，ＥＦＤ１２を通過してそれぞれ
光伝送路１２２，１２３に伝送されるように構成されて
いる。また、前記各光伝送路１２０，１２１には光分岐
２２，２３を介して励起光スイッチ４１及び励起光源３
１が接続されている。この構成では、励起光源３１から
出力される波長１４８０ｎｍの励起光はＬＮスイッチ４
１によって光経路を選択され、光分岐２２に入力され
る。したがって、ＥＤＦ１１が光励起され、光伝送路１
１０からの二分岐された波長１５５０ｎｍの一方の信号
光は光伝送路１２０に出力され、かつその端部で光反射
ミラー７１で反射される。そして、反射された信号光は
再度ＥＤＦ１１に入力され光伝送路１２２に０ｄＢｍの
光強度で出力される。一方ＬＮスイッチ４１の漏れ光に
より光分岐２３に入力される励起光はＥＤＦ１２を十分
に光励起することはできず、ＥＤＦ１２に入力された前
記信号光はＥＤＦ１２によって光吸収され、わずかな漏
れ光も光反射ミラー７２によって反射され再度ＥＤＦ１
２に入力される。そのため光伝送路１２３から出力され
る光強度は−８０ｄＢｍ以下となる。このように、ＥＤ
Ｆを２度通過させる構成によって光スイッチがオンのと
きはより少ないパワーで効率的に光励起することができ
る一方、光スイッチがオフのときは十分に光吸収させる
ことができるためより大きいオン、オフ比が得られる。

【００１７】図４は本発明の第４の実施形態の構成図で
ある。ここでは、図１に示した第１の実施形態における
光分岐２１，２２をＥＤＦ１１，ＥＤＦ１２のそれぞれ
入力端側に配設している。この構成では、励起光源３１
から出力される波長１４８０ｎｍの励起光はＬＮスイッ
チ４１によって光経路を選択され、光分岐２２に入力さ
れる。したがって、ＥＤＦｌ１は信号光の入力方向と同
じ方向から光励起されることになり、波長１５５０ｎｍ
の信号光は光伝送路１２０に０ｄＢｍの光強度で出力さ
れる。一方、ＬＮスイツチ４１の漏れ光により光分岐２
３に入力される励起光はＥＤＦ１２を十分に光励起する
ことはできず、ＥＤＦ１２に入力された前記信号光はＥ
ＤＦ１２によって光吸収されてしまう。このため、光伝
送路１２１から出力される光強度は−６０ｄＢｍ以下と
なる。この実施形態では、ＥＤＦの前方励起を行うため
に、ＥＤＦ入力時に−の光損失を抑えることができるた
め雑音指数が減少する。

【００１８】図５は前記第１の実施形態の光スイッチを
２つ組み合わせて構成した第５の実施形態のスイッチの
構成図である。なお、同図における各符号は図１の符号
をそのまま用いている。この溝成では図１の１×２の光
スイッチの光伝送路１１０を互いに背中合わせに接続す
ることにより、２×２の光スイッチを実現している。す
なわち、一方の光伝送路１２０，１２１からの信号光は
励起光スイッチ４１の選択動作により選択されて光伝送
路１１０を伝送された後、他方の励起光スイッチ４１で
の選択によって他方の光伝送路１２０，１２１のいずれ
かに伝送されることになる。このように光スイッチを組
み合わせることによってスイッチ規模を拡張することが
できる。

【００１９】図６は、図５に示した光スイッチを１つの
励起光源で動作可能とした第６の実施形態のスイッチの
構成図である。すなわち、互いに伝送路１１０が接続さ
れた図示左右の２つの光スイッチのそれぞれに設けられ
ているＬＮスイッチ４１，４１に対して光分岐２４及び
光伝送路１１３，１１４，１１５を介して共通に１つの
励起光源３１を接続している。この光スイッチでは、励
起光源３１から出力された波長１４８０ｎｍの励起光は
光分岐２４によって光伝送路１１３，１１４に分岐され
左右のＬＮスイッチ４１に入力される。この構成を用い
ることによってスイッチ規模が大きくなってもより少な
い励起光源で光スイッチを駆動させることができる。

【００２０】図７は本発明の第７の実施形態の構成図で
あり、ここでは、複数本の異なる光伝送路２１１〜２１
４に、それぞれ独立した信号光が伝送されており、これ
らの光伝送路２１１〜２１４の信号光をオン、オフする
光スイッチとして構成された例である。前記各光伝送路
２１１〜２１４にはそれぞれ励起光入力のための光分岐
２１〜２４と、ＥＤＦ１１〜ＥＤＦ１４が接続され、光
伝送路２２１〜２２４に接続されている。そして、前記
光分岐２１〜２４には励起光スイッチ４２と、これに接
続された１つの励起光源３１とが接続されている。前記
励起光スイッチ４２は１対４の光スイッチとして構成さ
れ、４つまで同時に光出力することが可能である。した
がって、前記光伝送路２１１〜２１４のうち、励起光ス
イッチ４２により選択されてＥＤＦ１１〜１４に励起光
が入力された光伝送路を伝送される信号光が光伝送路２
２１〜２２４に出力され、励起光が入力されないＥＤＦ
の光伝送路の信号光は出力されることがない。この構成
を用いることによってより少ない励起光源で多くの光ス
イッチを駆動させることができる。

【００２１】なお、光スイッチの数が多くなり励起光の
パワーが不足する場合には、図８の様に複数の励起光源
３２，３３と、複数の光分岐２１〜２４の問に、前記励
起光源３２，３３からの励起光を選択的、あるいは合一
的に出力する光クロスコネクト装置８１を設置すること
によって前記励起光スイッチと同様な動作を行わせ、図
７と同様な光スイッチとして構成することも可能であ
る。この構成では、スイッチ規模が大きくなってもより
少ない励起光源で光スイッチを駆動させることができ
る。

【００２２】なお、本発明においては各光伝送路におけ
る波長多重数は前記実施形懸で説明する１に限定される
ものではなく、８，１６，３２，６４など自由に任意の
波長数に設定でき、波長多重光の一括スイッチングが可
能である。また入力光の波長１５５０ｎｍ帯に限定され
るものではなく１３００ｎｍ帯など自由に設定できる。
また、励起光源の波長を前記実施形態では１４８０ｎ
ｍ，９８０ｎｍを示したが不純物添加ファイバを励起で
きるものであればこの波長に限られるものではなく、信
号光波長と不純物添加ファイバの程類によって任意に設
定できる。

【００２３】また、励起光源と光伝送路の間に設置した
励起光スイッチは音響光学スイッチ、石英系スイッチな
どでも代用できる。なお、実施形態では主に光スイッチ
のオン、オフ比について記載したが、励起光の光パワー
を制御することにより光スイッチから出力される光の光
強度を任意の値に制御することモ可能である。

【００２４】また、前記実施形態では不純物添加ファイ
バとしてＥＤＦを利用した例を示しているが、エルビウ
ム以外でもテルルなど他の元素を添加した光増幅用の不
純物添加ファイバでも利用可能であり、そのファイバ長
および不純物添加量も光スイッチのスペックに応じて自
由に設定できる。また、不純物添加ファイバへの励起光
のパワー制御は励起光源の注入電流を制御する方法や、
可変もしくは固定減衰器によって制御する方法など自由
に設定してよい。また、励起光を不純物添加ファイバど
ちらから入力してもよく、あるいは両方から入力するこ
とも可能である。さらに２以上の励起光源から出力され
た励起光を偏波多重して不純物添加ファイバに入力して
高い利得を得ることも可能である。さらに、用いた光分
岐の光分岐比は１：１，１：１０など光スイッチ内の光
レベル設計において自由に設定可能である。

【００２５】ここで、前記第２の実施形態に示した光フ
ィルタにおいては、透過帯域幅に特に指定はなく光スイ
ッチを通過する信号光の数によって適宜変更してもよ
い。また、光スイッチ内には励起光や戻り光が光スイッ
チの入力及び出力側に影響を与えないために適宜光フィ
ルタ、光アイソレータを設置することも可能である。

【００２６】また、第３の実施形態で説明した光反射ミ
ラーを用いた折返し構成では、入力光の光伝送路と出力
光の光伝送路を同一にしたり区別したりすることはシス
テムでの使用形態によって自由に変更可能である。ま
た、光アイソレータと光分岐の組み合わせは光サーキュ
レータで代用することも可能である。さらに、前記した
光反射ミラーは反射率可変ミラーを用いて出力光パワー
制御に応用してもよい。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
伝送路に配設されてゲートスイッチとして機能する不純
物添加ファイバと励起光源との間に、不純物添加ファイ
バに対して選択的に励起光を供給する励起光スイッチを
配置することにより、一つの励起光源で複数のゲートス
イッチのオン、オフ制御を可能にでき、構成が簡単な光
スイッチを得ることができる。また、前記したゲートス
イッチは動作時の利得特性は鋭い立ち上がりを示すた
め、前記励起光スイッチでの漏れ光による影響は殆どな
く、したがってクロストークレベルの比較的大きいポリ
マー型やＬｉＮｂＯ₃などのスイッチで十分利用可能と
なり、低クロストーク、低挿入損失の光スイッチを実現
することができる。さらに、不純物添加ファイバを用い
ることにより、光スイッチでの利得を得ることもでき
る。また、同時に不純物添加ファイバに励起光を供給し
ているオン時に、当該励起光の光強度を制御することに
より出力側の光伝送路へ出力される信号光の光強度を制
御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光スイッチの第１の実施形態の構成図
である。

【図２】本発明の光スイッチの第２の実施形態の構成図
である。

【図３】本発明の光スイッチの第３の実施形態の構成図
である。

【図４】本発明の光スイッチの第４の実施形態の構成図
である。

【図５】本発明の光スイッチの第５の実施形態の構成図
である。

【図６】本発明の光スイッチの第６の実施形態の構成図
である。

【図７】本発明の光スイッチの第７の実施形態の構成図
である。

【図８】本発明の光スイッチの第８の実施形態の構成図
である。

【符号の説明】

１１〜１４不純物添加ファイバ（ＥＤＦ）２１〜２４光分岐３１，３２励起光源４１，４２励起光スイッチ５１，５２光フィルタ６１，６２光アイソレータ７１，７２光反射ミラー８１光クロスコネクト装置１１０光伝送路（第１の光伝送路）１１１〜１１５光伝送路（励起光伝送路）１２０，１２１光伝送路（第２の光伝送路）２１１〜２１４光伝送路（第１の光伝送路）２２１〜２１４光伝送路（第２の光伝送路）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−9929（ＪＰ，Ａ) 特開平２−291531（ＪＰ，Ａ) 特開平３−235922（ＪＰ，Ａ) 特開平４−260381（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−135441（ＪＰ，Ａ) 特開平５−29686（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 3/10 H01S 3/06 - 3/07 G02F 1/35

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】信号光が入力される第１の光伝送路と、前
記第１の光伝送路に光分岐によって接続された複数の第
２の光伝送路と、前記第２の光伝送路のそれぞれに配設
された不純物添加ファイバと、前記各不純物添加ファイ
バに励起光を供給するための励起光源と、前記励起光源
からの励起光を前記不純物添加ファイバに選択的に供給
する励起光スイッチとからなる単光スイッチを２つ備
え、前記各単光スイッチの第１の光伝送路を互いに反対方向
に接続し、一方の単光スイッチの第２の光伝送路から信
号光を入力し、他方の単光スイッチの第２の光伝送路か
ら信号光を出力するように構成したことを特徴とする光
スイッチ。
【請求項２】前記２つの単光スイッチのそれぞれの励起
光源を１つの励起光源で共用してなる請求項１に記載の
光スイッチ。