JP3158031B2 - Microstrip line coupling structure - Google Patents

Microstrip line coupling structure

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路基板に
おけるマイクロストリップ線路間の結合構造に関するも
のである。
The present invention relates to a coupling structure between microstrip lines in a high-frequency circuit board.

【0002】[0002]

【従来技術】従来より、高周波回路基板において、信号
を伝送するための線路として、マイクロソトリップ線路
が知られている。また、マイクロストリップ線路間を接
続する技術は、回路基板の回路設計上、重要なものとな
っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a microstrip line has been known as a line for transmitting a signal in a high-frequency circuit board. In addition, a technique for connecting the microstrip lines is important in designing a circuit board.

【0003】従来からのマイクロストリップ線路間を接
続する方法について図5〜図8をもとに説明する。図
5,6において、導体層からなるグランド層(地導体層
または接地層ともいう。)21と、グランド層21の一
方の面に誘電体層22を介して形成された第1のストリ
ップ導体路23からなる第1のマイクロストリップ線路
24が形成されている。一方、グランド層21の反対の
面には、グランド層21の他方の面に形成された誘電体
層25を介して形成された第2のストリップ導体路26
からなる第2のマイクロストリップ線路27が形成され
ている。
A conventional method for connecting microstrip lines will be described with reference to FIGS. 5 and 6, a ground layer (also referred to as a ground conductor layer or a ground layer) 21 made of a conductor layer and a first strip conductor path formed on one surface of the ground layer 21 via a dielectric layer 22. 23, a first microstrip line 24 is formed. On the other hand, on a surface opposite to the ground layer 21, a second strip conductor path 26 formed through a dielectric layer 25 formed on the other surface of the ground layer 21 is formed.
A second microstrip line 27 is formed.

【0004】そして、第1のマイクロストリップ線路2
4と、第2のマイクロストリップ線路27を接続する方
法として、図5によれば、グランド層21に孔部28が
形成されており、この孔部28を貫通する導体路29に
よって、第1のストリップ導体路23と、第2のストリ
ップ導体路26とが電気的に接続されている。
Then, the first microstrip line 2
As a method for connecting the second microstrip line 27 to the second microstrip line 27, according to FIG. 5, a hole 28 is formed in the ground layer 21. The strip conductor 23 and the second strip conductor 26 are electrically connected.

【0005】一方、他の接続方法として、図6によれ
ば、第1のストリップ導体路23および第2のストリッ
プ導体路26はいずれも開放された終端部30、31を
有するものであり、グランド層21に長孔(スロット)
32が形成されており、このスロット32を挟むように
第1のストリップ導体路23と第2のストリップ導体路
26が信号波長の1/2波長の長さで平面的に重なるよ
うに配置することにより、スロット32を介して電磁結
合により接続されている。この時、スロット32は、1
/2波長の長さをもち、導体路23、26に対して、平
面上、直角になるように形成される。
On the other hand, as another connection method, according to FIG. 6, both the first strip conductor path 23 and the second strip conductor path 26 have open end portions 30, 31 and are grounded. Slots in layer 21
The first strip conductor path 23 and the second strip conductor path 26 are arranged so as to overlap with each other in a plane with a length of 波長 wavelength of the signal wavelength so as to sandwich the slot 32. Are connected by electromagnetic coupling through the slot 32. At this time, slot 32 is 1
It has a length of 1/2 wavelength and is formed to be perpendicular to the conductor paths 23 and 26 on a plane.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
5の方法によれば、直流電流は損失無く透過するもの
の、図7の透過係数の周波数特性図から明らかなよう
に、信号の周波数が高くなるに従い損失が著しく増大す
るという問題があった。
However, according to the method shown in FIG. 5, although the DC current is transmitted without loss, the frequency of the signal is increased as is clear from the frequency characteristic diagram of the transmission coefficient shown in FIG. Accordingly, there is a problem that the loss increases remarkably.

【0007】また、図6のように電磁結合による方法で
は、図8から明らかなように、高周波領域では損失は小
さいが、低周波数の領域において損失が著しく大きくな
るという問題があった。
In addition, the method using electromagnetic coupling as shown in FIG. 6 has a problem that the loss is small in a high frequency region, but is significantly large in a low frequency region, as is apparent from FIG.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
点に対して検討を重ねた結果、マイクロストリップ線路
間を電磁結合させると同時に、特定の箇所で導体線によ
ってストリップ導体路間を接続することにより、接続間
で低周波から高周波領域まで損失のない良好な特性が得
られることを知見に本発明に至った。
The inventor of the present invention has studied the above problems, and as a result, the microstrip lines have been electromagnetically coupled with each other, and at the same time, the conductors have been connected between the strip conductor paths at specific locations. The present invention has been made based on the finding that good characteristics without loss can be obtained from the low frequency to the high frequency region by the connection.

【0009】即ち、本発明のマイクロストリップ線路の
結合構造は、導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第1の誘電体層を介して形成された第1
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第2
の誘電体層を介して形成された第2のストリップ導体路
とを具備し、前記第1および第2のストリップ導体路を
平面的にみて信号波長の1/2の長さで重なるように配
置し、前記グランド層における前記導体路の重なり部分
の中央部に、信号波長の1/2波長の長さの長孔からな
る第1の孔部を形成してなるとともに、第1のストリッ
プ導体路と第2のストリップ導体路とを、前記第1の誘
電体層、第1の孔部内および第2の誘電体層を貫通する
導体線により電気的に接続したことを特徴とするもので
ある。
That is, the coupling structure of the microstrip line according to the present invention includes a ground layer formed of a conductor layer and a first layer formed on one surface of the ground layer via the first dielectric layer.
And a second conductor on the other surface of the ground layer.
A second strip conductor path formed with a dielectric layer interposed therebetween, and the first and second strip conductor paths are arranged so as to overlap with each other by a half of a signal wavelength in a plan view. A first hole formed of a long hole having a length equal to a half wavelength of the signal wavelength is formed in a center portion of the overlapping portion of the conductor paths in the ground layer, and a first strip conductor path is formed. And a second strip conductor path is electrically connected by a conductor wire passing through the first dielectric layer, the first hole, and the second dielectric layer.

【0010】また、本発明の他の結合構造は、導体層か
らなるグランド層と、該グランド層の一方の面に第1の
誘電体層を介して形成された第1のストリップ導体路
と、該グランド層の他方の面に第2の誘電体層を介して
形成された第2のストリップ導体路とを具備し、前記第
1および第2のストリップ導体路を平面的にみて信号波
長の1/2の長さで重なるように配置し、前記グランド
層における前記導体路の重なり部分の中央部に、信号波
長の1/2波長の長さの長孔からなる第1の孔部を形成
し、前記第1のストリップ導体路の端部に位置する部分
に第2の孔部を形成するとともに、第1のストリップ導
体の端部と第2のストリップ導体とを、前記第1の誘電
体層、第2の孔部内および第2の誘電体層を貫通する導
体線により電気的に接続したことを特徴とする。
Another connection structure of the present invention includes a ground layer made of a conductor layer, a first strip conductor path formed on one surface of the ground layer via a first dielectric layer, A second strip conductor path formed on the other surface of the ground layer via a second dielectric layer, wherein the first and second strip conductor paths have a signal wavelength of 1 And a first hole made of a long hole having a half wavelength of the signal wavelength is formed at the center of the overlapping portion of the conductor path in the ground layer. Forming a second hole in a portion located at an end of the first strip conductor path, and connecting the end of the first strip conductor and the second strip conductor to the first dielectric layer; Electrically through the conductor hole passing through the second hole and through the second dielectric layer. Characterized in that the connection was.

【0011】[0011]

【作用】本発明の結合構造によれば、低周波の信号は信
号導体路間に接続された導体線を経由して直流電流のよ
うに透過することができる。高周波の信号は、マイクロ
ストリップ線路とグランド層のスロット間での電磁結合
により、高周波数の信号を伝送することができる。この
時、本発明の構造によれば、信号導体路の先端から引き
出した導体線はこの高周波数の信号の透過に悪影響を与
えないように置かれるとき、低周波と高周波の両領域に
おいて信号を透過することができる。
According to the coupling structure of the present invention, a low-frequency signal can be transmitted like a direct current through a conductor line connected between signal conductor paths. A high-frequency signal can be transmitted by electromagnetic coupling between the microstrip line and the slot in the ground layer. At this time, according to the structure of the present invention, when the conductor line drawn from the tip of the signal conductor path is placed so as not to adversely affect the transmission of the high frequency signal, the signal is transmitted in both the low frequency and high frequency regions. Can be transmitted.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の結合構造を図1乃至図4
をもとに説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The coupling structure of the present invention is shown in FIGS.
It is explained based on.

【0013】図1は、本発明の結合構造の概略配置図で
ある。図1によれば、導体層からなるグランド層1が全
面に形成され、グランド層1の一方の面には第1の誘電
体層2を介して第1のストリップ導体路3が形成され、
これらにより第1のマイクロストリップ線路4が形成さ
れている。このマイクロストリップ線路においては、グ
ランド層1とストリップ導体路3との電磁結合により、
信号が伝送される。
FIG. 1 is a schematic layout diagram of the coupling structure of the present invention. According to FIG. 1, a ground layer 1 made of a conductor layer is formed on the entire surface, and a first strip conductor path 3 is formed on one surface of the ground layer 1 via a first dielectric layer 2,
These form a first microstrip line 4. In this microstrip line, the electromagnetic coupling between the ground layer 1 and the strip conductor path 3 causes
A signal is transmitted.

【0014】一方、グランド層1の他方の面には、第2
の誘電体層5を介して第2のストリップ導体路6が形成
され、これらにより第2のマイクロストリップ線路7が
形成されている。
On the other hand, the second surface of the ground layer 1
A second strip conductor path 6 is formed with the dielectric layer 5 interposed therebetween, thereby forming a second microstrip line 7.

【0015】そして、第1のマイクロストリップ線路4
と第2のマイクロストリップ線路7との結合構造とし
て、図1によれば、第1のストリップ導体路3および第
2のストリップ導体路6は、いずれも開放端8、9を有
しており、これらは、平面的にみて重なるように配置さ
れている。この重なりは、伝送信号の1/2波長の長さ
で重なるように配置される。
Then, the first microstrip line 4
According to FIG. 1, the first strip conductor path 3 and the second strip conductor path 6 both have open ends 8 and 9 as a coupling structure between the first strip conductor path 3 and the second microstrip line 7. These are arranged so as to overlap in plan view. This overlap is arranged so as to overlap by a half wavelength of the transmission signal.

【0016】また、グランド層1には、一端が長い長孔
(スロット)からなる第1の孔部10が形成されてい
る。この第1の孔部10は、第1のストリップ導体路3
および第2のストリップ導体路6の重なる部分における
中間位置に形成されている。従って、第1のストリップ
導体路3および第2のストリップ導体路6が伝送信号の
1/2波長の長さで重なるように配置される場合、孔部
10から第1のストリップ導体路3および第2のストリ
ップ導体路6の開放端8、9までの長さは信号波長の1
/4波長の長さになる。また、この長孔の幅は、ストリ
ップ導体路3、6とほぼ同一の幅からなり、その長さは
信号波長の1/2波長の長さに設定されることが望まし
い。
The ground layer 1 has a first hole 10 formed of a long hole (slot) having a long end. The first hole 10 is provided in the first strip conductor path 3.
And the second strip conductor 6 is formed at an intermediate position in the overlapping portion. Therefore, when the first strip conductor 3 and the second strip conductor 6 are arranged so as to overlap each other by a half wavelength of the transmission signal, the first strip conductor 3 and the second strip conductor The length of the strip conductor path 6 to the open ends 8 and 9 is 1 of the signal wavelength.
/ 4 wavelength. Further, the width of the elongated hole is substantially the same as the width of the strip conductor paths 3 and 6, and the length is desirably set to a half wavelength of the signal wavelength.

【0017】そして、第1のストリップ導体路3および
第2のストリップ導体路6は、第1の誘電体層2と、孔
部10内と、第2の誘電体層5とを貫通する導体線11
により接続されている。この導体線11は、グランド層
1とは電気的には接続されていない。
The first strip conductor path 3 and the second strip conductor path 6 are formed of a conductor wire penetrating through the first dielectric layer 2, the inside of the hole 10, and the second dielectric layer 5. 11
Connected by The conductor wire 11 is not electrically connected to the ground layer 1.

【0018】かかる図1の構造によれば、例えば、スト
リップ導体路3から入力された信号が低周波の場合は、
ストリップ導体路3、6間に接続された導体線11を経
由して直流電流のように透過し、ストリップ導体路6に
伝送される。また、高周波の信号の場合は、孔部10を
挟むストリップ導体路3、6間の電磁結合により、スト
リップ導体路6に信号が伝送されることになる。
According to the structure of FIG. 1, for example, when the signal input from the strip conductor path 3 has a low frequency,
Via the conductor wire 11 connected between the strip conductors 3, 6, it is transmitted like a direct current and transmitted to the strip conductor 6. In the case of a high-frequency signal, a signal is transmitted to the strip conductor path 6 by electromagnetic coupling between the strip conductor paths 3 and 6 sandwiching the hole 10.

【0019】次に、図2は、本発明の他の結合構造の概
略図である。図2によれば、グランド層1には、図1で
説明したように第1の孔部10と、第2の孔部12が形
成されている。そして、ストリップ導体路路3の端部7
と、ストリップ導体路路6とが、第1の誘電体層2と、
孔部12内と、第2の誘電体層5とを貫通する導体線1
1により接続されている。なお、孔部12の形状は、導
体線11がグランド層1と電気的には接続されないレベ
ルであればいかなる形状でもよい。
Next, FIG. 2 is a schematic view of another coupling structure of the present invention. According to FIG. 2, the first hole 10 and the second hole 12 are formed in the ground layer 1 as described with reference to FIG. 1. The end 7 of the strip conductor path 3
And the strip conductor path 6 comprises: a first dielectric layer 2;
Conductor wire 1 penetrating through hole 12 and second dielectric layer 5
1 connected. The shape of the hole 12 may be any shape as long as the conductor wire 11 is at a level that is not electrically connected to the ground layer 1.

【0020】図2の構造によれば、例えば、ストリップ
導体路3から入力された信号が低周波の場合は、ストリ
ップ導体路3、6間に接続された導体線11を経由して
ストリップ導体路6に伝送される。また、高周波の信号
の場合は、孔部10を挟むストリップ導体路3、6間の
電磁結合により、ストリップ導体路6に信号が伝送され
ることになる。
According to the structure of FIG. 2, for example, when the signal input from the strip conductor 3 is of a low frequency, the strip conductor is connected via the conductor wire 11 connected between the strip conductors 3 and 6. 6 is transmitted. In the case of a high-frequency signal, a signal is transmitted to the strip conductor path 6 by electromagnetic coupling between the strip conductor paths 3 and 6 sandwiching the hole 10.

【0021】上述した図1および図2の結合構造におい
て、第1の孔部10の形状は上記の形状に限定するもの
ではなく、特に長辺の長さや幅は、電磁結合による線路
の接続特性を阻害しない範囲であれば、他の形状であっ
ても何ら問題はない。
In the coupling structure shown in FIGS. 1 and 2 described above, the shape of the first hole 10 is not limited to the above-described shape. There is no problem even if the shape is other than the above range.

【0022】上記の結合構造において、誘電体層として
は、とりわけ限定するものではないが、例えば、アルミ
ナ系、窒化アルミニウム系、ガラスセラミックス系焼結
体など周知の材料により形成される。
In the above coupling structure, the dielectric layer is not particularly limited, but is formed of a known material such as an alumina-based, aluminum nitride-based, or glass-ceramic-based sintered body.

【0023】また、ストリップ導体路、グランド層は、
いずれも公知の多層化技術により形成されるもので、例
えば、誘電体層に対するメタライズにより形成するか、
または誘電体層成形体にメタライズペーストを塗布した
後、同時焼成することによっても形成できる。なお、導
体層はW,Mo,Ag、Cu、Au等の導体により形成
できるが、高周波領域までの信号の伝送特性の点からは
良電気伝導性に優れたCu、Ag、Auなどが好適に使
用される。
Further, the strip conductor path and the ground layer
Both are formed by a known multilayer technology, for example, by forming by metallizing a dielectric layer,
Alternatively, it can also be formed by applying a metallized paste to the molded body of the dielectric layer and firing it simultaneously. The conductor layer can be formed of a conductor such as W, Mo, Ag, Cu, or Au. However, from the viewpoint of signal transmission characteristics up to a high-frequency region, Cu, Ag, Au, or the like having excellent electric conductivity is preferably used. used.

【0024】また、導体線11は、上記導体層と同様な
メタライズ法によりスルーホールを形成してメタライズ
を充填することにより形成できる他、金属線を埋設して
形成することも可能である。
The conductor wire 11 can be formed by forming a through hole by the same metallization method as the above-mentioned conductor layer and filling the metallization, or can be formed by burying a metal wire.

【0025】次に、上記の結合構造の伝送特性について
調べた。誘電体層として誘電率3.67のガラスセラミ
ックス基板を用いて、Cuメタライズ法により図1およ
び図2に示すような回路を形成した。なお、ストリップ
導体路の線幅は1.85mm、第1の孔部(スロット)
の長辺は7.83mm、短辺は1.55mmとし、スト
リップ導体路3、6の重なる長さを7.92mmとし、
スロットは、重なる部分の中間位置に形成した。なお、
導体線径は0.6mmとした。
Next, the transmission characteristics of the above coupling structure were examined. Using a glass ceramic substrate having a dielectric constant of 3.67 as a dielectric layer, circuits as shown in FIGS. 1 and 2 were formed by Cu metallization. The strip conductor has a line width of 1.85 mm and a first hole (slot).
The long side is 7.83 mm, the short side is 1.55 mm, and the overlapping length of the strip conductor paths 3 and 6 is 7.92 mm.
The slot was formed at an intermediate position between the overlapping portions. In addition,
The conductor wire diameter was 0.6 mm.

【0026】各基板に対して、ストリップ導体路3から
信号を入力し、ストリップ導体路6から出力される信号
の強さを測定し、入力信号強度に対する出力信号強度の
比率(透過係数)と、28GHzまでの信号の周波数と
の関係を調べた。その結果を図3および図4に示した。
なお、従来例である図7および図8の回路を形成し、同
様に伝送特性を評価した。
A signal is input to each substrate from the strip conductor path 3, the strength of the signal output from the strip conductor path 6 is measured, and the ratio of the output signal strength to the input signal strength (transmission coefficient); The relationship with the signal frequency up to 28 GHz was examined. The results are shown in FIG. 3 and FIG.
The circuits of FIGS. 7 and 8, which are conventional examples, were formed, and the transmission characteristics were similarly evaluated.

【0027】図7乃至図8の結果によれば、従来例で
は、低周波または高周波のいずれかで損失が大きくなっ
ているのに対して、本発明に基づく図3および図4で
は、低周波から高周波まで伝送損失の小さいものであっ
た。とりわけ、図4については、その伝送損失が小さく
良好な伝送特性を示した。
According to the results shown in FIGS. 7 and 8, in the conventional example, the loss is increased at either the low frequency or the high frequency. On the other hand, in FIGS. The transmission loss was small from high to high frequencies. In particular, FIG. 4 shows good transmission characteristics with small transmission loss.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のマイクロス
トリップ線路の結合構造によれば、低周波から高周波ま
で伝送損失の小さい結合が可能となる。これにより、回
路の信頼性と回路設計の自由度を高めることができる。
As described in detail above, according to the coupling structure of the microstrip line of the present invention, coupling with low transmission loss from low frequency to high frequency is possible. Thereby, the reliability of the circuit and the degree of freedom in circuit design can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のマイクロストリップ線路の結合構造の
一実施例を示す概略配置図であり、(a)は平面図、
(b)は断面図である。
FIG. 1 is a schematic layout view showing one embodiment of a coupling structure of a microstrip line according to the present invention, wherein (a) is a plan view,
(B) is a sectional view.

【図2】本発明のマイクロストリップ線路の結合構造の
他の実施例を示す概略配置図であり、(a)は平面図、
(b)は断面図である。
FIG. 2 is a schematic layout view showing another embodiment of the coupling structure of the microstrip line according to the present invention, wherein (a) is a plan view,
(B) is a sectional view.

【図3】図1のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a transmission coefficient and a transmission frequency in the coupling structure of the microstrip line in FIG. 1;

【図4】図2のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a transmission coefficient and a transmission frequency in the coupling structure of the microstrip line in FIG. 2;

【図5】従来のマイクロストリップ線路の結合構造の概
略配置図であり、(a)は平面図、(b)は断面図であ
る。
5A and 5B are schematic layout diagrams of a conventional coupling structure of a microstrip line, where FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a cross-sectional view.

【図6】従来のマイクロストリップ線路の他の結合構造
の概略配置図であり、(a)は平面図、(b)は断面図
である。
6A and 6B are schematic layout views of another coupling structure of a conventional microstrip line, where FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a cross-sectional view.

【図7】図5のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a transmission coefficient and a transmission frequency in the coupling structure of the microstrip line of FIG. 5;

【図8】図6のマイクロストリップ線路の結合構造にお
ける透過係数と伝送周波数との関係を示す図である。
8 is a diagram illustrating a relationship between a transmission coefficient and a transmission frequency in the coupling structure of the microstrip line in FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 グランド層 2 第1の誘電体層 3 第1のストリップ導体路 4 第1のマイクロストリップ線路 5 第2の誘電体層 6 第2のストリップ導体路 7 第2のマイクロストリップ線路 8,9 開放端 10 第1の孔部 11 導体線 12 第2の孔部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ground layer 2 1st dielectric layer 3 1st strip conductor path 4 1st microstrip line 5 2nd dielectric layer 6 2nd strip conductor path 7 2nd microstrip line 8, 9 Open end DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 1st hole 11 Conductor wire 12 2nd hole

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第1の誘電体層を介して形成された第1
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第2
の誘電体層を介して形成された第2のストリップ導体路
とを具備し、記第1および第2のストリップ導体路を
平面的にみて信号波長の1/2の長さで重なるように配
置し、前記グランド層における前記導体路の重なり部分
の中央部に、信号波長の1/2波長の長さの長孔からな
る第1の孔部を形成してなるとともに、第1のストリッ
プ導体路と第2のストリップ導体路とを、前記第1の誘
電体層、第1の孔部内および第2の誘電体層を貫通する
導体線により電気的に接続したことを特徴とするマイク
ロストリップ線路の結合構造。
A ground layer formed of a conductor layer; and a first layer formed on one surface of the ground layer via a first dielectric layer.
And a second conductor on the other surface of the ground layer.
Dielectric layer and a second strip conductor paths formed through the front Symbol first and second strip conductor so as to overlap one half of the length of the signal wavelength as seen in a plan view A first hole formed of a long hole having a length equal to a half wavelength of a signal wavelength is formed in a center portion of an overlapping portion of the conductor path in the ground layer, and a first strip conductor is formed. A microstrip line, wherein the path and the second strip conductor path are electrically connected by a conductor line passing through the first dielectric layer, the first hole and through the second dielectric layer. Connection structure.
【請求項2】導体層からなるグランド層と、該グランド
層の一方の面に第1の誘電体層を介して形成された第1
のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第2
の誘電体層を介して形成された第2のストリップ導体路
とを具備し、前記第1および第2のストリップ導体路を
平面的にみて信号波長の1/2の長さで重なるように配
置し、前記グランド層における前記導体路の重なり部分
の中央部に、信号波長の1/2波長の長さの長孔からな
る第1の孔部を形成し、前記第1のストリップ導体路の
端部に位置する部分に第2の孔部を形成するとともに、
第1のストリップ導体の端部と第2のストリップ導体と
を、前記第1の誘電体層、第2の孔部内および第2の誘
電体層を貫通する導体線により電気的に接続したことを
特徴とするマイクロストリップ線路の結合構造。
2. A ground layer comprising a conductor layer, and a first layer formed on one surface of the ground layer via a first dielectric layer.
And a second conductor on the other surface of the ground layer.
A second strip conductor path formed with a dielectric layer interposed therebetween, and the first and second strip conductor paths are arranged so as to overlap with each other by a half of a signal wavelength in a plan view. And forming a first hole formed of a long hole having a length of 1 / wavelength of the signal wavelength at a center portion of the overlapping portion of the conductor paths in the ground layer, and forming an end of the first strip conductor path. Forming a second hole in the portion located in the portion,
The fact that the end portion of the first strip conductor and the second strip conductor are electrically connected by a conductor wire passing through the first dielectric layer, the second hole, and the second dielectric layer. Characteristic coupling structure of microstrip line.
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