JP3154686B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置の製造装置に係り、特に樹脂パッケー
ジに形成された樹脂突起に磁性金属膜を配設した構成の
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法及び半導体
装置の製造装置に関する。近年、電子機器の小型化によ
り樹脂封止型の半導体装置も小型化し、よって半導体装
置に設けられる外部接続端子のピッチが小さくなる傾向
にある。また、近年では半導体装置に対し高い信頼性が
要求されるようになってきている。そのため、小型化及
び高信頼性を共に実現しうる半導体装置の製造装置が必
要となる。
法及び半導体装置の製造装置に係り、特に樹脂パッケー
ジに形成された樹脂突起に磁性金属膜を配設した構成の
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法及び半導体
装置の製造装置に関する。近年、電子機器の小型化によ
り樹脂封止型の半導体装置も小型化し、よって半導体装
置に設けられる外部接続端子のピッチが小さくなる傾向
にある。また、近年では半導体装置に対し高い信頼性が
要求されるようになってきている。そのため、小型化及
び高信頼性を共に実現しうる半導体装置の製造装置が必
要となる。
【０００２】
【従来の技術】図４５は、従来の樹脂封止型半導体装置
の一例を示す断面図である。同図において、１は樹脂パ
ッケージ，２は半導体素子，３はアウターリード，４は
ボンディングワイヤ，５はダイパッドを示す。この半導
体装置はＳＳＯＰ(Shrink Small Outline Package)と呼
ばれるパッケージ構造のものであり、アウターリード３
がガルウイング状に曲げられて実装基板に実装される構
成とされている。
の一例を示す断面図である。同図において、１は樹脂パ
ッケージ，２は半導体素子，３はアウターリード，４は
ボンディングワイヤ，５はダイパッドを示す。この半導
体装置はＳＳＯＰ(Shrink Small Outline Package)と呼
ばれるパッケージ構造のものであり、アウターリード３
がガルウイング状に曲げられて実装基板に実装される構
成とされている。
【０００３】この種の半導体装置は、多数の製造工程を
経て製造される。特に、樹脂封止型の半導体装置は、そ
の製造工程に樹脂パッケージ１を形成する封止工程を有
しており、この封止工程は通常金型を用いたトランスフ
ァーモールド法を用いて形成されるため、樹脂パッケー
ジ１が形成された際、樹脂の通路となるゲート部が合わ
せて形成される。
経て製造される。特に、樹脂封止型の半導体装置は、そ
の製造工程に樹脂パッケージ１を形成する封止工程を有
しており、この封止工程は通常金型を用いたトランスフ
ァーモールド法を用いて形成されるため、樹脂パッケー
ジ１が形成された際、樹脂の通路となるゲート部が合わ
せて形成される。
【０００４】このため、金型を離型し樹脂パッケージ１
を取り出した際、この樹脂パッケージ１とゲート部が連
続的に形成された状態となっている。このゲート部は半
導体装置には不要のものであるため、ゲートブレイク工
程を実施することにより、樹脂パッケージ１とゲート部
とを分離する処理が行なわれる。このゲートブレイク工
程では、樹脂パッケージ１とゲート部とを切断して分離
するため、必然的に樹脂屑が発生する。よって、ゲート
ブレイク工程で発生する樹脂屑を除去する必要があっ
た。
を取り出した際、この樹脂パッケージ１とゲート部が連
続的に形成された状態となっている。このゲート部は半
導体装置には不要のものであるため、ゲートブレイク工
程を実施することにより、樹脂パッケージ１とゲート部
とを分離する処理が行なわれる。このゲートブレイク工
程では、樹脂パッケージ１とゲート部とを切断して分離
するため、必然的に樹脂屑が発生する。よって、ゲート
ブレイク工程で発生する樹脂屑を除去する必要があっ
た。
【０００５】ところで、上記した図４５に示すＳＳＯＰ
タイプの半導体装置では、樹脂１内に示すインナーリー
ド８からアウターリード３への引き回し部分９の面積
や、アウターリード３自身の占める面積が大きく、実装
面積が大きくなってしまうという問題点がある。そこで
本出願人は先に、上記の問題点を解決しうる半導体装置
として、特開平９−１６２３４８号（特願平７−３２２
８０３号）を提案した。図４６は、上記出願に係る半導
体装置２１０を示している。同図に示されるように、半
導体装置２１０は、半導体素子２１１，樹脂パッケージ
２１２，及び金属膜２１３等からなる極めて簡単な構成
とされており、樹脂パッケージ２１２の実装面２１６に
一体的に形成された樹脂突起２１７に金属膜２１３を被
膜形成したことを特徴としている。
タイプの半導体装置では、樹脂１内に示すインナーリー
ド８からアウターリード３への引き回し部分９の面積
や、アウターリード３自身の占める面積が大きく、実装
面積が大きくなってしまうという問題点がある。そこで
本出願人は先に、上記の問題点を解決しうる半導体装置
として、特開平９−１６２３４８号（特願平７−３２２
８０３号）を提案した。図４６は、上記出願に係る半導
体装置２１０を示している。同図に示されるように、半
導体装置２１０は、半導体素子２１１，樹脂パッケージ
２１２，及び金属膜２１３等からなる極めて簡単な構成
とされており、樹脂パッケージ２１２の実装面２１６に
一体的に形成された樹脂突起２１７に金属膜２１３を被
膜形成したことを特徴としている。
【０００６】上記構成とされた半導体装置２１０は、従
来のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリード
が不要となり、インナーリードからアウターリードへの
引き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が
不要となり、半導体装置２１０の小型化を図ることがで
きる。また、従来のＢＧＡのような半田ボールを形成す
るために搭載基板を用いる必要がなくなるため、半導体
装置２１０のコスト低減を図ることができる。更に、樹
脂突起２１７及び金属膜２１３は、協働してＢＧＡ(Bal
l Grid Array) タイプの半導体装置の半田バンプと同等
の機能を奏するため、実装性を向上することができる。
来のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリード
が不要となり、インナーリードからアウターリードへの
引き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が
不要となり、半導体装置２１０の小型化を図ることがで
きる。また、従来のＢＧＡのような半田ボールを形成す
るために搭載基板を用いる必要がなくなるため、半導体
装置２１０のコスト低減を図ることができる。更に、樹
脂突起２１７及び金属膜２１３は、協働してＢＧＡ(Bal
l Grid Array) タイプの半導体装置の半田バンプと同等
の機能を奏するため、実装性を向上することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記構成とされた半導
体装置２１０は、リードフレームに形成された凹部に予
め金属膜２１３を形成しておき、これに半導体素子２１
１を搭載しワイヤ２１８を配設した上で樹脂パッケージ
２１２を形成し（封止工程）、その後リードフレームの
みをエッチング等で除去（分離工程）し、更にその後に
樹脂パッケージ２１２に結合しているゲート部を除去す
る（ゲートブレイク工程）ことにより製造される。
体装置２１０は、リードフレームに形成された凹部に予
め金属膜２１３を形成しておき、これに半導体素子２１
１を搭載しワイヤ２１８を配設した上で樹脂パッケージ
２１２を形成し（封止工程）、その後リードフレームの
みをエッチング等で除去（分離工程）し、更にその後に
樹脂パッケージ２１２に結合しているゲート部を除去す
る（ゲートブレイク工程）ことにより製造される。
【０００８】ここで、分離工程以降の製造工程（即ち、
分離工程及びゲートブレイク工程に注目する。先ず、分
離工程に注目する。この分離工程で実施されるリードフ
レームのエッチング処理は、金属膜２１３を残し、他の
リードフレームを溶解する選択エッチングで行なわれ
る。また、エッチング液はシャワーで供給されるため、
エッチング時には樹脂パッケージ２１２の固定が必要と
なる。
分離工程及びゲートブレイク工程に注目する。先ず、分
離工程に注目する。この分離工程で実施されるリードフ
レームのエッチング処理は、金属膜２１３を残し、他の
リードフレームを溶解する選択エッチングで行なわれ
る。また、エッチング液はシャワーで供給されるため、
エッチング時には樹脂パッケージ２１２の固定が必要と
なる。
【０００９】一方、ゲートブレイク工程に注目すると、
上記した分離工程が終了した状態においては、各樹脂パ
ッケージ２１２はゲート部（封止工程において、樹脂パ
ッケージ２１２と共に形成される）で連結された構成で
あるため、ゲート部を除去する必要がある。このゲート
部の除去処理は、人手（作業者）により実施されてい
た。
上記した分離工程が終了した状態においては、各樹脂パ
ッケージ２１２はゲート部（封止工程において、樹脂パ
ッケージ２１２と共に形成される）で連結された構成で
あるため、ゲート部を除去する必要がある。このゲート
部の除去処理は、人手（作業者）により実施されてい
た。
【００１０】このため、ゲート部の除去処理は他の工程
処理に比べて遅くなり、これに起因して半導体装置の製
造効率が低下してしまうという問題点があった。また、
ゲートブレイク工程で発生する樹脂屑も、人手により除
去することが行なわれていたため、樹脂屑の除去処理に
おいても時間を要し半導体装置２１０の製造効率が悪い
という問題点があった。
処理に比べて遅くなり、これに起因して半導体装置の製
造効率が低下してしまうという問題点があった。また、
ゲートブレイク工程で発生する樹脂屑も、人手により除
去することが行なわれていたため、樹脂屑の除去処理に
おいても時間を要し半導体装置２１０の製造効率が悪い
という問題点があった。
【００１１】更に、人手による処理ではゲート切断面が
不均一になる（即ち、ゲートの一部が残るゲート残りが
発生する）可能性があり、樹脂パッケージ２１２の形状
にバラツキが発生するおそれがあった。このように、樹
脂パッケージ２１２の形状にバラツキが存在すると、他
の構成が全て正常であっても、外形不良ということのみ
で半導体装置２１０が不良と判断されてしまい、スルー
プットが低下してしまうという問題点もある。
不均一になる（即ち、ゲートの一部が残るゲート残りが
発生する）可能性があり、樹脂パッケージ２１２の形状
にバラツキが発生するおそれがあった。このように、樹
脂パッケージ２１２の形状にバラツキが存在すると、他
の構成が全て正常であっても、外形不良ということのみ
で半導体装置２１０が不良と判断されてしまい、スルー
プットが低下してしまうという問題点もある。
【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、小型化された半導体装置を高い信頼性をもって製
造しうる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装
置を提供することを目的とする。
あり、小型化された半導体装置を高い信頼性をもって製
造しうる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装
置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項１記載の発明では、半導体素子を封止する樹脂パッケ
ージを有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹
脂突起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂突起の形成位置と対応する位置に凹部が形成さ
れると共に、該凹部内に前記金属膜が形成されてなるリ
ードフレームに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程
と、前記半導体素子と前記金属膜とを電気的に接続する
接続工程と、前記リードフレーム上に、前記半導体素子
を封止するよう樹脂を形成し前記樹脂パッケージを形成
する封止工程と、前記リードフレームをエッチング処理
により除去することにより、ゲート部が一体化された状
態の前記樹脂パッケージを前記金属膜と共に前記リード
フレームから分離する分離工程と、前記ゲート部を前記
樹脂パッケージから分離し除去するゲートブレイク工程
とを具備し、かつ、前記分離工程において、枠体に配設
された貼着テープに前記樹脂パッケージを貼付し、該枠
体を前記エッチング処理時のキャリアとして用いること
を特徴とするものである。
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項１記載の発明では、半導体素子を封止する樹脂パッケ
ージを有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹
脂突起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂突起の形成位置と対応する位置に凹部が形成さ
れると共に、該凹部内に前記金属膜が形成されてなるリ
ードフレームに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程
と、前記半導体素子と前記金属膜とを電気的に接続する
接続工程と、前記リードフレーム上に、前記半導体素子
を封止するよう樹脂を形成し前記樹脂パッケージを形成
する封止工程と、前記リードフレームをエッチング処理
により除去することにより、ゲート部が一体化された状
態の前記樹脂パッケージを前記金属膜と共に前記リード
フレームから分離する分離工程と、前記ゲート部を前記
樹脂パッケージから分離し除去するゲートブレイク工程
とを具備し、かつ、前記分離工程において、枠体に配設
された貼着テープに前記樹脂パッケージを貼付し、該枠
体を前記エッチング処理時のキャリアとして用いること
を特徴とするものである。
【００１４】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記貼着テ
ープに前記樹脂パッケージのみを貼着し、前記ゲート部
は前記貼着テープから離間した状態とすることを特徴と
するものである。また、請求項３記載の発明では、前記
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記キャリアとして、前記貼着テープの相対向する
２辺のみを前記枠体に固定し、他の２辺は前記枠体から
離間させたものを用いることを特徴とするものである。
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記貼着テ
ープに前記樹脂パッケージのみを貼着し、前記ゲート部
は前記貼着テープから離間した状態とすることを特徴と
するものである。また、請求項３記載の発明では、前記
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記キャリアとして、前記貼着テープの相対向する
２辺のみを前記枠体に固定し、他の２辺は前記枠体から
離間させたものを用いることを特徴とするものである。
【００１５】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記枠体をチタン，樹脂，若しくは樹脂コーテ
ィングされた金属のいずれかにより形成することを特徴
とするものである。また、請求項５記載の発明では、前
記請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法において、前記貼着テープの貼着材として、水に濡
れることにより貼着力を失う材質を用いることを特徴と
するものである。
項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記枠体をチタン，樹脂，若しくは樹脂コーテ
ィングされた金属のいずれかにより形成することを特徴
とするものである。また、請求項５記載の発明では、前
記請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法において、前記貼着テープの貼着材として、水に濡
れることにより貼着力を失う材質を用いることを特徴と
するものである。
【００１６】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記貼着テープに前記樹脂パッケージを貼着す
る際、前記貼着テープを前記樹脂パッケージに対して上
部に位置させると共に、押圧機構により該貼着テープの
前記樹脂パッケージと対向する部位のみを前記樹脂パッ
ケージに向け押圧することにより、前記貼着テープを前
記樹脂パッケージのみに貼着することを特徴とするもの
である。
項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記貼着テープに前記樹脂パッケージを貼着す
る際、前記貼着テープを前記樹脂パッケージに対して上
部に位置させると共に、押圧機構により該貼着テープの
前記樹脂パッケージと対向する部位のみを前記樹脂パッ
ケージに向け押圧することにより、前記貼着テープを前
記樹脂パッケージのみに貼着することを特徴とするもの
である。
【００１７】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項６記載の半導体装置の製造方法において、前記押圧機
構として、スポットエアーを生成するスポットエアー生
成装置を用いたことを特徴とするものである。また、請
求項８記載の発明では、前記請求項２乃至４のいずれか
に記載の半導体装置の製造方法において、前記貼着テー
プに前記樹脂パッケージを貼着する際、前記貼着テープ
を前記樹脂パッケージに対して下部に位置させると共
に、押圧機構により前記リードフレームの全面を前記貼
着テープに向け押圧することにより、前記貼着テープを
前記樹脂パッケージのみに貼着することを特徴とするも
のである。
項６記載の半導体装置の製造方法において、前記押圧機
構として、スポットエアーを生成するスポットエアー生
成装置を用いたことを特徴とするものである。また、請
求項８記載の発明では、前記請求項２乃至４のいずれか
に記載の半導体装置の製造方法において、前記貼着テー
プに前記樹脂パッケージを貼着する際、前記貼着テープ
を前記樹脂パッケージに対して下部に位置させると共
に、押圧機構により前記リードフレームの全面を前記貼
着テープに向け押圧することにより、前記貼着テープを
前記樹脂パッケージのみに貼着することを特徴とするも
のである。
【００１８】また、請求項９記載の発明では、半導体素
子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂パ
ッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構成
の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体装
置の製造装置において、リードフレームと一体化された
状態の前記樹脂パッケージが供給され、枠体に貼着テー
プが配設された構成のキャリアに前記樹脂パッケージを
貼付する樹脂パッケージ貼着部と、前記樹脂パッケージ
貼着部から前記キャリアが供給され、前記リードフレー
ムをエッチングにより除去するエッチング部とを具備す
ることを特徴とするものである。
子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂パ
ッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構成
の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体装
置の製造装置において、リードフレームと一体化された
状態の前記樹脂パッケージが供給され、枠体に貼着テー
プが配設された構成のキャリアに前記樹脂パッケージを
貼付する樹脂パッケージ貼着部と、前記樹脂パッケージ
貼着部から前記キャリアが供給され、前記リードフレー
ムをエッチングにより除去するエッチング部とを具備す
ることを特徴とするものである。
【００１９】
【００２０】
【００２１】また、請求項１０記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れ、かつゲート部が一体化された状態の前記樹脂パッケ
ージが供給部から搬送されると共に、該樹脂パッケージ
の搬送経路を挟むよう上ローラ及び下ローラを配設し、
該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、かつ、前
記上ローラを１本配設すると共に、前記下ローラを前記
樹脂パッケージの進行方向に対し前記上ローラを挟むよ
う２本配設したことを特徴とするものである。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れ、かつゲート部が一体化された状態の前記樹脂パッケ
ージが供給部から搬送されると共に、該樹脂パッケージ
の搬送経路を挟むよう上ローラ及び下ローラを配設し、
該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、かつ、前
記上ローラを１本配設すると共に、前記下ローラを前記
樹脂パッケージの進行方向に対し前記上ローラを挟むよ
う２本配設したことを特徴とするものである。
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】また、請求項１１記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れ、かつゲート部が一体化された状態の前記樹脂パッケ
ージが供給部から搬送されると共に、該樹脂パッケージ
の搬送経路を挟むよう上ローラ及び下ローラを配設し、
該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、かつ、前
記樹脂パッケージの前記金属膜が配設された側の面に、
保護テープを配設したことを特徴とするものである。 ま
た、請求項１２記載の発明では、 半導体素子を封止する
樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂パッケージに形
成された樹脂突起に金属膜を配設した構成の外部接続端
子を有した半導体装置を製造する半導体装置の製造装置
において、表面部に貼着テープが貼着され、かつゲート
部が一体化された状態の前記樹脂パッケージが供給部か
ら搬送されると共に、該樹脂パッケージの搬送経路を挟
むよう上ローラ及び下ローラを配設し、該上ローラと下
ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲート部との境界部
分を折曲することにより、前記樹脂パッケージと前記ゲ
ート部とを分離する構成とし、かつ、分離されたゲート
部を前記樹脂パッケージと共に液体内に浸漬する浸漬槽
を設け、該液体内で前記ゲート部のみを回収する構成と
したことを特徴とするものである。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れ、かつゲート部が一体化された状態の前記樹脂パッケ
ージが供給部から搬送されると共に、該樹脂パッケージ
の搬送経路を挟むよう上ローラ及び下ローラを配設し、
該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、かつ、前
記樹脂パッケージの前記金属膜が配設された側の面に、
保護テープを配設したことを特徴とするものである。 ま
た、請求項１２記載の発明では、 半導体素子を封止する
樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂パッケージに形
成された樹脂突起に金属膜を配設した構成の外部接続端
子を有した半導体装置を製造する半導体装置の製造装置
において、表面部に貼着テープが貼着され、かつゲート
部が一体化された状態の前記樹脂パッケージが供給部か
ら搬送されると共に、該樹脂パッケージの搬送経路を挟
むよう上ローラ及び下ローラを配設し、該上ローラと下
ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲート部との境界部
分を折曲することにより、前記樹脂パッケージと前記ゲ
ート部とを分離する構成とし、かつ、分離されたゲート
部を前記樹脂パッケージと共に液体内に浸漬する浸漬槽
を設け、該液体内で前記ゲート部のみを回収する構成と
したことを特徴とするものである。
【００２８】また、請求項１３記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープを通過さ
せるスリットを有した剥離治具を配設し、かつ、前記剥
離軸に設けられるスリットの幅を前記樹脂パッケージの
厚さに比べて小さく設定したことを特徴とするものであ
る。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープを通過さ
せるスリットを有した剥離治具を配設し、かつ、前記剥
離軸に設けられるスリットの幅を前記樹脂パッケージの
厚さに比べて小さく設定したことを特徴とするものであ
る。
【００２９】また、請求項１４記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープを貫通し
前記樹脂パッケージを突き上げる突き上げ治具を設けた
ことを特徴とするものである。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープを貫通し
前記樹脂パッケージを突き上げる突き上げ治具を設けた
ことを特徴とするものである。
【００３０】また、請求項１５記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープと前記樹脂パッケージとの界面に高圧水を
噴射する高圧水発生装置を具備することを特徴とするも
のである。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープと前記樹脂パッケージとの界面に高圧水を
噴射する高圧水発生装置を具備することを特徴とするも
のである。
【００３１】更に、請求項１６記載の発明では、半導体
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープと前記樹
脂パッケージとの界面に位置するようワイヤを設け、前
記貼着テープの走行に伴い前記ワイヤが前記貼着テープ
と前記樹脂パッケージとを剥離する構成としたことを特
徴とするものである。
素子を封止する樹脂パッケージを有すると共に、該樹脂
パッケージに形成された樹脂突起に金属膜を配設した構
成の外部接続端子を有した半導体装置を製造する半導体
装置の製造装置において、表面部に貼着テープが貼着さ
れた状態の前記樹脂パッケージが搬送されると共に、前
記貼着テープの走行経路途中に前記貼着テープと前記樹
脂パッケージとの界面に位置するようワイヤを設け、前
記貼着テープの走行に伴い前記ワイヤが前記貼着テープ
と前記樹脂パッケージとを剥離する構成としたことを特
徴とするものである。
【００３２】上記の各手段は、次のよう作用する。請求
項１及び請求項９記載の発明によれば、分離工程におい
て、枠体に配設された貼着テープに樹脂パッケージを貼
付し、この枠体をエッチング処理時のキャリアとして用
いることにより、複雑な搬送機構を必要とすることな
く、エッチング時における樹脂パッケージ（リードフレ
ーム）の搬送を容易に行なうことができる。
項１及び請求項９記載の発明によれば、分離工程におい
て、枠体に配設された貼着テープに樹脂パッケージを貼
付し、この枠体をエッチング処理時のキャリアとして用
いることにより、複雑な搬送機構を必要とすることな
く、エッチング時における樹脂パッケージ（リードフレ
ーム）の搬送を容易に行なうことができる。
【００３３】また、枠体単位でエッチング処理を行なう
ため、樹脂パッケージの貼付も脱落が無いように確実に
行うことができる。仮に樹脂パッケージの脱落があった
としても容易に判明し、かつリードフレームのエッチン
グが不充分であった場合でもエッチング再処理が容易と
なる。更に、枠体に対して樹脂パッケージの位置も容易
に決まるため、エッチング完了後に実施される貼着テー
プから樹脂パッケージを分離する処理、及びゲート部の
除去処理等を容易に行なうことができる。
ため、樹脂パッケージの貼付も脱落が無いように確実に
行うことができる。仮に樹脂パッケージの脱落があった
としても容易に判明し、かつリードフレームのエッチン
グが不充分であった場合でもエッチング再処理が容易と
なる。更に、枠体に対して樹脂パッケージの位置も容易
に決まるため、エッチング完了後に実施される貼着テー
プから樹脂パッケージを分離する処理、及びゲート部の
除去処理等を容易に行なうことができる。
【００３４】また、請求項２記載の発明によれば、貼着
テープに樹脂パッケージのみを貼着し、ゲート部は貼着
テープから離間した状態とすることにより、エッチング
完了後に実施される樹脂パッケージとゲート部とを分離
する処理を容易に行なうことができる。また、請求項３
記載の発明によれば、キャリアとして、貼着テープの相
対向する２辺のみを枠体に固定し、他の２辺は前記枠体
から離間させたことにより、エッチング処理時において
エッチング液は枠体と貼着テープの前記他の２辺との離
間部分から流出させることができる。よって、キャリア
内にエッチング液が溜まることを防止でき、偏りのない
エッチング処理が可能となる。
テープに樹脂パッケージのみを貼着し、ゲート部は貼着
テープから離間した状態とすることにより、エッチング
完了後に実施される樹脂パッケージとゲート部とを分離
する処理を容易に行なうことができる。また、請求項３
記載の発明によれば、キャリアとして、貼着テープの相
対向する２辺のみを枠体に固定し、他の２辺は前記枠体
から離間させたことにより、エッチング処理時において
エッチング液は枠体と貼着テープの前記他の２辺との離
間部分から流出させることができる。よって、キャリア
内にエッチング液が溜まることを防止でき、偏りのない
エッチング処理が可能となる。
【００３５】また、請求項４記載の発明によれば、枠体
をチタン，樹脂，若しくは樹脂コーティングされた金属
のいずれかにより形成したことにより、枠体がエッチン
グ液により侵されることを防止することができる。ま
た、請求項５記載の発明によれば、貼着テープの貼着材
として、水に濡れることにより貼着力を失う材質を用い
ることにより、単に水（或いは湯）内に浸漬させるだけ
で分離されたゲート部がテープに再貼着することなくゲ
ート部のみを除去する処理を容易に行なうことができ
る。
をチタン，樹脂，若しくは樹脂コーティングされた金属
のいずれかにより形成したことにより、枠体がエッチン
グ液により侵されることを防止することができる。ま
た、請求項５記載の発明によれば、貼着テープの貼着材
として、水に濡れることにより貼着力を失う材質を用い
ることにより、単に水（或いは湯）内に浸漬させるだけ
で分離されたゲート部がテープに再貼着することなくゲ
ート部のみを除去する処理を容易に行なうことができ
る。
【００３６】また、請求項６乃至８記載の発明によれ
ば、貼着テープに対し樹脂パッケージのみが貼着し、ゲ
ート部については貼着テープに貼着しない状態とするこ
とができる。よって、ゲートブレークした際、樹脂パッ
ケージは貼着テープと貼着された状態を維持し、またゲ
ート部は貼着テープと貼着していないため落下するた
め、樹脂パッケージとゲート部とを容易に分離すること
ができる。
ば、貼着テープに対し樹脂パッケージのみが貼着し、ゲ
ート部については貼着テープに貼着しない状態とするこ
とができる。よって、ゲートブレークした際、樹脂パッ
ケージは貼着テープと貼着された状態を維持し、またゲ
ート部は貼着テープと貼着していないため落下するた
め、樹脂パッケージとゲート部とを容易に分離すること
ができる。
【００３７】
【００３８】
【００３９】また、請求項１０記載の発明によれば、上
ローラを１本配設すると共に、下ローラを樹脂パッケー
ジの進行方向に対し上ローラを挟むよう２本配設するこ
とにより、少ないローラ数で確実に樹脂パッケージとゲ
ート部との境界部分を折曲することができ、より確実に
樹脂パッケージとゲート部とを分離することができる。
ローラを１本配設すると共に、下ローラを樹脂パッケー
ジの進行方向に対し上ローラを挟むよう２本配設するこ
とにより、少ないローラ数で確実に樹脂パッケージとゲ
ート部との境界部分を折曲することができ、より確実に
樹脂パッケージとゲート部とを分離することができる。
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】また、請求項１１記載の発明によれば、樹
脂パッケージの金属膜が配設された側の面に保護テープ
を配設したことにより、分離処理時に外力が印加されて
も、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜を確実に
保護することができる。また、請求項１２記載の発明に
よれば、分離されたゲート部を樹脂パッケージと共に液
体内に浸漬する浸漬槽を設け、この液体内でゲート部の
みを回収することにより、容易に樹脂パッケージとゲー
ト部の分離処理を行なうことができる。
脂パッケージの金属膜が配設された側の面に保護テープ
を配設したことにより、分離処理時に外力が印加されて
も、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜を確実に
保護することができる。また、請求項１２記載の発明に
よれば、分離されたゲート部を樹脂パッケージと共に液
体内に浸漬する浸漬槽を設け、この液体内でゲート部の
みを回収することにより、容易に樹脂パッケージとゲー
ト部の分離処理を行なうことができる。
【００４５】また、請求項１３記載の発明によれば、樹
脂パッケージが貼着された貼着テープの走行経路途中に
貼着テープを通過させるスリットを有した剥離治具を配
設し、かつスリットの幅を樹脂パッケージの厚さに比べ
て小さく設定したことにより、貼着テープはスリットを
通過するが、樹脂パッケージはスリットを通過すること
ができないため、この剥離治具において樹脂パッケージ
を貼着テープから剥離させることができる。
脂パッケージが貼着された貼着テープの走行経路途中に
貼着テープを通過させるスリットを有した剥離治具を配
設し、かつスリットの幅を樹脂パッケージの厚さに比べ
て小さく設定したことにより、貼着テープはスリットを
通過するが、樹脂パッケージはスリットを通過すること
ができないため、この剥離治具において樹脂パッケージ
を貼着テープから剥離させることができる。
【００４６】また、単に樹脂パッケージが貼着された貼
着テープを剥離治具を通過させるだけで樹脂パッケージ
を貼着テープから剥離させることができるため、自動的
に効率良く剥離処理を行なうことができる。また、請求
項１４記載の発明によれば、樹脂パッケージが貼着され
た貼着テープの走行経路途中に、貼着テープを貫通し樹
脂パッケージを突き上げる突き上げ治具を設けたことに
より、単に突き上げ治具を樹脂パッケージに向け移動さ
せるだけの動作で樹脂パッケージを貼着テープから剥離
させることができるため、自動的に効率良く剥離処理を
行なうことができる。
着テープを剥離治具を通過させるだけで樹脂パッケージ
を貼着テープから剥離させることができるため、自動的
に効率良く剥離処理を行なうことができる。また、請求
項１４記載の発明によれば、樹脂パッケージが貼着され
た貼着テープの走行経路途中に、貼着テープを貫通し樹
脂パッケージを突き上げる突き上げ治具を設けたことに
より、単に突き上げ治具を樹脂パッケージに向け移動さ
せるだけの動作で樹脂パッケージを貼着テープから剥離
させることができるため、自動的に効率良く剥離処理を
行なうことができる。
【００４７】また、請求項１５記載の発明によれば、貼
着テープと樹脂パッケージとの界面に高圧水発生装置に
より高圧水を噴射することにより、この高圧水により貼
着テープと樹脂パッケージとを分離させることができ
る。この際、樹脂パッケージに付着している塵埃も同時
に除去（洗浄）することができる。
着テープと樹脂パッケージとの界面に高圧水発生装置に
より高圧水を噴射することにより、この高圧水により貼
着テープと樹脂パッケージとを分離させることができ
る。この際、樹脂パッケージに付着している塵埃も同時
に除去（洗浄）することができる。
【００４８】更に、請求項１６記載の発明によれば、樹
脂パッケージが貼着された貼着テープの走行経路途中に
貼着テープと樹脂パッケージとの界面に位置するようワ
イヤを設けることにより、貼着テープの走行に伴いワイ
ヤは貼着テープと樹脂パッケージとを剥離するため、単
に樹脂パッケージが貼着された貼着テープをワイヤの配
設位置を通過させるだけで樹脂パッケージを貼着テープ
から剥離させることができ、自動的に効率良く剥離処理
を行なうことができる。
脂パッケージが貼着された貼着テープの走行経路途中に
貼着テープと樹脂パッケージとの界面に位置するようワ
イヤを設けることにより、貼着テープの走行に伴いワイ
ヤは貼着テープと樹脂パッケージとを剥離するため、単
に樹脂パッケージが貼着された貼着テープをワイヤの配
設位置を通過させるだけで樹脂パッケージを貼着テープ
から剥離させることができ、自動的に効率良く剥離処理
を行なうことができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１及び図２は本発明の一実施例
である半導体装置の製造方法及び製造装置により製造さ
れる半導体装置１０を示している。図１（Ａ）は半導体
装置の平面図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０の断
面図であり、更に図２は半導体装置１０の底面図であ
る。この半導体装置１０は、大略すると半導体素子１
１，樹脂パッケージ１２，及び金属膜１３とからなる極
めて簡単な構成とされている。
図面と共に説明する。図１及び図２は本発明の一実施例
である半導体装置の製造方法及び製造装置により製造さ
れる半導体装置１０を示している。図１（Ａ）は半導体
装置の平面図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０の断
面図であり、更に図２は半導体装置１０の底面図であ
る。この半導体装置１０は、大略すると半導体素子１
１，樹脂パッケージ１２，及び金属膜１３とからなる極
めて簡単な構成とされている。
【００５０】半導体素子１１は、その上面に複数の電極
パッド１４が形成されており、素子固定樹脂１５上に搭
載された構成とされている。また、樹脂パッケージ１２
は、例えばエポキシ樹脂を後述するようにトランスファ
ーモールド（ポッティングも可能である）することによ
り形成されるものであり、その実装面１６の所定位置に
は樹脂突起１７が一体的に形成されている。この樹脂突
起１７は、樹脂パッケージ１２の実装面１６から下方に
向け突出形成されている。尚、この樹脂突起１７の配設
ピッチは、例えば０．８ｍｍ程度とすることが可能であ
る。
パッド１４が形成されており、素子固定樹脂１５上に搭
載された構成とされている。また、樹脂パッケージ１２
は、例えばエポキシ樹脂を後述するようにトランスファ
ーモールド（ポッティングも可能である）することによ
り形成されるものであり、その実装面１６の所定位置に
は樹脂突起１７が一体的に形成されている。この樹脂突
起１７は、樹脂パッケージ１２の実装面１６から下方に
向け突出形成されている。尚、この樹脂突起１７の配設
ピッチは、例えば０．８ｍｍ程度とすることが可能であ
る。
【００５１】また、金属膜１３は、樹脂パッケージ１２
に形成された樹脂突起１７を覆うように形成されてい
る。この金属膜１３と前記した電極パッド１４との間に
はワイヤ１８が配設されており、これにより金属膜１３
と半導体素子１１は電気的に接続した構成となってい
る。尚、金属膜１３の詳細については、説明の便宜上、
後述するものとする。
に形成された樹脂突起１７を覆うように形成されてい
る。この金属膜１３と前記した電極パッド１４との間に
はワイヤ１８が配設されており、これにより金属膜１３
と半導体素子１１は電気的に接続した構成となってい
る。尚、金属膜１３の詳細については、説明の便宜上、
後述するものとする。
【００５２】上記構成とされた半導体装置１０は、従来
のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリードが
不要となり、インナーリードからアウターリードへの引
き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が不
要となり、半導体装置１０の小型化を図ることができ
る。また、従来のＢＧＡのような半田ボールを形成する
ために搭載基板を用いる必要がなくなるため、半導体装
置１０のコスト低減を図ることができる。また、樹脂突
起１７及び金属膜１３は、協働してＢＧＡタイプの半導
体装置の半田バンプと同等の機能を奏するため、実装性
を向上することができる。
のＳＳＯＰのようなインナーリードやアウターリードが
不要となり、インナーリードからアウターリードへの引
き回しのための面積や、アウターリード自身の面積が不
要となり、半導体装置１０の小型化を図ることができ
る。また、従来のＢＧＡのような半田ボールを形成する
ために搭載基板を用いる必要がなくなるため、半導体装
置１０のコスト低減を図ることができる。また、樹脂突
起１７及び金属膜１３は、協働してＢＧＡタイプの半導
体装置の半田バンプと同等の機能を奏するため、実装性
を向上することができる。
【００５３】続いて、金属膜１３について図３乃至図８
を用いて説明する。各図は、金属膜１３の配設位置近傍
を拡大して示す図である。金属膜１３は、前記のように
樹脂突起１７を被覆するよう配設されると共に、ワイヤ
１８により半導体素子１１と電気的に接続する構成とさ
れている。また、この金属膜１３は半導体装置１０の外
部接続端子として機能するものであり、前記したように
半導体装置１０を実装基板に実装する時には、金属膜１
３は実装基板に形成された接続電極に半田付けされる。
を用いて説明する。各図は、金属膜１３の配設位置近傍
を拡大して示す図である。金属膜１３は、前記のように
樹脂突起１７を被覆するよう配設されると共に、ワイヤ
１８により半導体素子１１と電気的に接続する構成とさ
れている。また、この金属膜１３は半導体装置１０の外
部接続端子として機能するものであり、前記したように
半導体装置１０を実装基板に実装する時には、金属膜１
３は実装基板に形成された接続電極に半田付けされる。
【００５４】この金属膜１３は、単層の金属層により形
成してもまた複数の金属層を積層して形成した構成とし
てもよい。図３は単層の金属層により金属膜１３Ａを形
成したものであり、図４乃至図８は複数の金属層を積層
して金属膜１３Ｂ〜１３Ｅを形成したものである。ま
た、金属膜１３（１３Ａ〜１３Ｄ）の材質を選定するに
際し、前記のように金属膜１３はその内側にワイヤ１８
が接続されると共に外側は実装基板に半田付けが行われ
るため、金属膜１３の最内層はボンディング性が良好で
あることが要求され、また最外層は半田付け性が良好で
あることが要求される（以下、この金属膜１３に要求さ
れる条件を金属膜要求特性という）。この金属膜要求特
性を満たす金属膜１３（１３Ａ〜１３Ｅ）の材質として
は、次のようなものが考えられる。
成してもまた複数の金属層を積層して形成した構成とし
てもよい。図３は単層の金属層により金属膜１３Ａを形
成したものであり、図４乃至図８は複数の金属層を積層
して金属膜１３Ｂ〜１３Ｅを形成したものである。ま
た、金属膜１３（１３Ａ〜１３Ｄ）の材質を選定するに
際し、前記のように金属膜１３はその内側にワイヤ１８
が接続されると共に外側は実装基板に半田付けが行われ
るため、金属膜１３の最内層はボンディング性が良好で
あることが要求され、また最外層は半田付け性が良好で
あることが要求される（以下、この金属膜１３に要求さ
れる条件を金属膜要求特性という）。この金属膜要求特
性を満たす金属膜１３（１３Ａ〜１３Ｅ）の材質として
は、次のようなものが考えられる。
【００５５】図３に示される単層の金属膜１３Ａでは、
金属膜１３Ａの材質としてボンディング性及び半田付け
性が共に良好な材質を選定する必要がある。これを満足
する材料としては、例えば銀（Ａｇ），或いはパラジウ
ム（Ｐｄ）がある。また、図４に示されるような外層１
３Ｂ-1と内層１３Ｂ-2とを積層した２層構造の金属膜１
３Ｂでは、金属膜要求特性を満たす外層１３Ｂ-1と内層
１３Ｂ-2との組み合わせとして、外層１３Ｂ-1をパラジ
ウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｂ-2を金（Ａｕ）
により形成する組み合わせ、また外層１３Ｂ-1を金（Ａ
ｕ）により形成し、内層１３Ｂ-2をパラジウム（Ｐｄ）
により形成する組み合わせが考えられる。
金属膜１３Ａの材質としてボンディング性及び半田付け
性が共に良好な材質を選定する必要がある。これを満足
する材料としては、例えば銀（Ａｇ），或いはパラジウ
ム（Ｐｄ）がある。また、図４に示されるような外層１
３Ｂ-1と内層１３Ｂ-2とを積層した２層構造の金属膜１
３Ｂでは、金属膜要求特性を満たす外層１３Ｂ-1と内層
１３Ｂ-2との組み合わせとして、外層１３Ｂ-1をパラジ
ウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｂ-2を金（Ａｕ）
により形成する組み合わせ、また外層１３Ｂ-1を金（Ａ
ｕ）により形成し、内層１３Ｂ-2をパラジウム（Ｐｄ）
により形成する組み合わせが考えられる。
【００５６】また、図５に示されるような外層１３Ｃ-
1，中間層１３Ｃ-2, 内層１３Ｃ-3とを積層した３層構
造の金属膜１３Ｃでは、外層１３Ｃ-1を金（Ａｕ）によ
り形成し、中間層１３Ｃ-2をニッケル（Ｎｉ）により形
成し、内層１３Ｃ-3を金（Ａｕ）により形成する組み合
わせが考えられる。また、他の組み合わせとしては、 ・外層１３Ｃ-1にパラジウム（Ｐｄ），中間層１３Ｃ-2
にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｃ-3にパラジウム（Ｐ
ｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｃ-1に金（Ａｕ），中間層１３Ｃ-2にパラジ
ウム（Ｐｄ），内層１３Ｃ-3に金（Ａｕ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｃ-1に半田，中間層１３Ｃ-2にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｃ-3に金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｃ-1に半田，中間層１３Ｃ-2にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｃ-3にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ が考えられる。上記した各組み合わせにより金属膜１３
Ｃを構成することにより、金属膜要求特性を満たすと共
に、中間層１３Ｃ-2による外層１３Ｃ-1と内層１３Ｃ-3
との接合性を向上することができる。
1，中間層１３Ｃ-2, 内層１３Ｃ-3とを積層した３層構
造の金属膜１３Ｃでは、外層１３Ｃ-1を金（Ａｕ）によ
り形成し、中間層１３Ｃ-2をニッケル（Ｎｉ）により形
成し、内層１３Ｃ-3を金（Ａｕ）により形成する組み合
わせが考えられる。また、他の組み合わせとしては、 ・外層１３Ｃ-1にパラジウム（Ｐｄ），中間層１３Ｃ-2
にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｃ-3にパラジウム（Ｐ
ｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｃ-1に金（Ａｕ），中間層１３Ｃ-2にパラジ
ウム（Ｐｄ），内層１３Ｃ-3に金（Ａｕ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｃ-1に半田，中間層１３Ｃ-2にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｃ-3に金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｃ-1に半田，中間層１３Ｃ-2にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｃ-3にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ が考えられる。上記した各組み合わせにより金属膜１３
Ｃを構成することにより、金属膜要求特性を満たすと共
に、中間層１３Ｃ-2による外層１３Ｃ-1と内層１３Ｃ-3
との接合性を向上することができる。
【００５７】また、図６に示されるような外層１３Ｄ-
1，第１中間層１３Ｄ-2, 第２中間層１３Ｄ-3, 内層１
３Ｄ-4とを積層した４層構造の金属膜１３Ｄでは、外層
１３Ｄ-1を半田により形成し、第１中間層１３Ｄ-2をニ
ッケル（Ｎｉ）により形成し、第２中間層１３Ｄ-3をパ
ラジウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｄ-4を金（Ａ
ｕ）により形成する組み合わせが考えられる。
1，第１中間層１３Ｄ-2, 第２中間層１３Ｄ-3, 内層１
３Ｄ-4とを積層した４層構造の金属膜１３Ｄでは、外層
１３Ｄ-1を半田により形成し、第１中間層１３Ｄ-2をニ
ッケル（Ｎｉ）により形成し、第２中間層１３Ｄ-3をパ
ラジウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｄ-4を金（Ａ
ｕ）により形成する組み合わせが考えられる。
【００５８】また、他の組み合わせとしては、 ・外層１３Ｄ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｄ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3にパラジ
ウム（Ｐｄ），内層１３Ｄ-4に金（Ａｕ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｄ-2にパ
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｄ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｄ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3に金（Ａ
ｕ），内層１３Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1に半田，第１中間層１３Ｄ-2にニッケル
（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3に金（Ａｕ），内層１３
Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせ が考えられる。
Ｄ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3にパラジ
ウム（Ｐｄ），内層１３Ｄ-4に金（Ａｕ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｄ-2にパ
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｄ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），内層１３Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｄ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3に金（Ａ
ｕ），内層１３Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み
合わせ ・外層１３Ｄ-1に半田，第１中間層１３Ｄ-2にニッケル
（Ｎｉ），第２中間層１３Ｄ-3に金（Ａｕ），内層１３
Ｄ-4にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせ が考えられる。
【００５９】また、図７に示されるような外層１３Ｅ-
1，第１中間層１３Ｅ-2, 第２中間層１３Ｅ-3, 第３中
間層１３Ｅ-4, 内層１３Ｅ-5とを積層した５層構造の金
属膜１３Ｅでは、外層１３Ｅ-1を金（Ａｕ）により形成
し、第１中間層１３Ｅ-2をパラジウム（Ｐｄ）により形
成し、第２中間層１３Ｅ-3をニッケル（Ｎｉ）により形
成し、第３中間層１３Ｅ-4をパラジウム（Ｐｄ）により
形成し、内層１３Ｅ-5を金（Ａｕ）により形成する組み
合わせが考えられる。
1，第１中間層１３Ｅ-2, 第２中間層１３Ｅ-3, 第３中
間層１３Ｅ-4, 内層１３Ｅ-5とを積層した５層構造の金
属膜１３Ｅでは、外層１３Ｅ-1を金（Ａｕ）により形成
し、第１中間層１３Ｅ-2をパラジウム（Ｐｄ）により形
成し、第２中間層１３Ｅ-3をニッケル（Ｎｉ）により形
成し、第３中間層１３Ｅ-4をパラジウム（Ｐｄ）により
形成し、内層１３Ｅ-5を金（Ａｕ）により形成する組み
合わせが考えられる。
【００６０】また、他の組み合わせとしては、 ・外層１３Ｅ-1に半田，第１中間層１３Ｅ-2にニッケル
（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に金（Ａｕ），第３中間
層１３Ｅ-4にパラジウム（Ｐｄ），内層１３Ｅ-5に金
（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｅ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に金（Ａ
ｕ），第３中間層１３Ｅ-4にパラジウム（Ｐｄ），内層
１３Ｅ-5に金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｅ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に銅（Ｃ
ｕ），第３中間層１３Ｅ-4にニッケル（Ｎｉ），内層１
３Ｅ-5にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｅ-2にニ
ッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に銅（Ｃｕ），第
３中間層１３Ｅ-4にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｅ-5に
金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｅ-2にパ
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｅ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），第３中間層１３Ｅ-4に金（Ａｕ），内層１３Ｅ-5
にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせが考えられ
る。
（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に金（Ａｕ），第３中間
層１３Ｅ-4にパラジウム（Ｐｄ），内層１３Ｅ-5に金
（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｅ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に金（Ａ
ｕ），第３中間層１３Ｅ-4にパラジウム（Ｐｄ），内層
１３Ｅ-5に金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｅ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に銅（Ｃ
ｕ），第３中間層１３Ｅ-4にニッケル（Ｎｉ），内層１
３Ｅ-5にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｅ-2にニ
ッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｅ-3に銅（Ｃｕ），第
３中間層１３Ｅ-4にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｅ-5に
金（Ａｕ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｅ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｅ-2にパ
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｅ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），第３中間層１３Ｅ-4に金（Ａｕ），内層１３Ｅ-5
にパラジウム（Ｐｄ）を用いる組み合わせが考えられ
る。
【００６１】また、図８（Ａ）に示されるような外層１
３Ｆ-1，第１中間層１３Ｆ-2, 第２中間層１３Ｆ-3, 第
３中間層１３Ｆ-4, 第４中間層１３Ｆ-5, 内層１３Ｆ-6
とを積層した６層構造の金属膜１３Ｆでは、外層１３Ｆ
-1を金（Ａｕ）により形成し、第１中間層１３Ｆ-2をパ
ラジウム（Ｐｄ）により形成し、第２中間層１３Ｆ-3を
ニッケル（Ｎｉ）により形成し、第３中間層１３Ｆ-4を
金（Ａｕ）により形成し、第４中間層１３Ｆ-5をパラジ
ウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｆ-6を金（Ａｕ）
により形成する組み合わせが考えられる。
３Ｆ-1，第１中間層１３Ｆ-2, 第２中間層１３Ｆ-3, 第
３中間層１３Ｆ-4, 第４中間層１３Ｆ-5, 内層１３Ｆ-6
とを積層した６層構造の金属膜１３Ｆでは、外層１３Ｆ
-1を金（Ａｕ）により形成し、第１中間層１３Ｆ-2をパ
ラジウム（Ｐｄ）により形成し、第２中間層１３Ｆ-3を
ニッケル（Ｎｉ）により形成し、第３中間層１３Ｆ-4を
金（Ａｕ）により形成し、第４中間層１３Ｆ-5をパラジ
ウム（Ｐｄ）により形成し、内層１３Ｆ-6を金（Ａｕ）
により形成する組み合わせが考えられる。
【００６２】また、他の組み合わせとしては、 ・外層１３Ｆ-1に金（Ａｕ），第１中間層１３Ｆ-2にパ
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｆ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），第３中間層１３Ｆ-4に銅（Ｃｕ），第４中間層１
３Ｆ-5にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｆにをパラジウム
（Ｐｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｆ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｆ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｆ-3に銅（Ｃ
ｕ），第３中間層１３Ｆ-4にニッケル（Ｎｉ），第４中
間層１３Ｆ-5にパラジウム（Ｐｄ），内層１３Ｆにを金
（Ａｕ）を用いる組み合わせが考えられる。
ラジウム（Ｐｄ），第２中間層１３Ｆ-3にニッケル（Ｎ
ｉ），第３中間層１３Ｆ-4に銅（Ｃｕ），第４中間層１
３Ｆ-5にニッケル（Ｎｉ），内層１３Ｆにをパラジウム
（Ｐｄ）を用いる組み合わせ ・外層１３Ｆ-1にパラジウム（Ｐｄ），第１中間層１３
Ｆ-2にニッケル（Ｎｉ），第２中間層１３Ｆ-3に銅（Ｃ
ｕ），第３中間層１３Ｆ-4にニッケル（Ｎｉ），第４中
間層１３Ｆ-5にパラジウム（Ｐｄ），内層１３Ｆにを金
（Ａｕ）を用いる組み合わせが考えられる。
【００６３】また、図８（Ｂ）に示されるような外層１
３Ｇ-1，第１中間層１３Ｇ-2, 第２中間層１３Ｇ-3, 第
３中間層１３Ｇ-4, 第４中間層１３Ｇ-5, 第５中間層１
３Ｇ-6, 内層１３Ｇ-7とを積層した６層構造の金属膜１
３Ｇでは、外層１３Ｇ-1を金（Ａｕ）により形成し、第
１中間層１３Ｇ-2をパラジウム（Ｐｄ）により形成し、
第２中間層１３Ｇ-3をニッケル（Ｎｉ）により形成し、
第３中間層１３Ｇ-4を銅（Ｃｕ）により形成し、第４中
間層１３Ｇ-5をニッケル（Ｎｉ）により形成し、第５中
間層１３Ｇ-6をパラジウム（Ｐｄ）により形成し、内層
１３Ｇ-7を金（Ａｕ）により形成する組み合わせが考え
られる。
３Ｇ-1，第１中間層１３Ｇ-2, 第２中間層１３Ｇ-3, 第
３中間層１３Ｇ-4, 第４中間層１３Ｇ-5, 第５中間層１
３Ｇ-6, 内層１３Ｇ-7とを積層した６層構造の金属膜１
３Ｇでは、外層１３Ｇ-1を金（Ａｕ）により形成し、第
１中間層１３Ｇ-2をパラジウム（Ｐｄ）により形成し、
第２中間層１３Ｇ-3をニッケル（Ｎｉ）により形成し、
第３中間層１３Ｇ-4を銅（Ｃｕ）により形成し、第４中
間層１３Ｇ-5をニッケル（Ｎｉ）により形成し、第５中
間層１３Ｇ-6をパラジウム（Ｐｄ）により形成し、内層
１３Ｇ-7を金（Ａｕ）により形成する組み合わせが考え
られる。
【００６４】上記した各組み合わせにより金属膜１３を
構成することにより、金属膜要求特性を満たすと共に外
層，各中間層，及び外層の接合性を向上することができ
る。続いて、上記した第１実施例に係る半導体装置１０
の製造方法について説明する。尚、以下の説明では、金
属膜１３として外層１３Ｃ-1，中間層１３Ｃ-2, 内層１
３Ｃ-3とを積層した３層構造の金属膜１３Ｃを設けた構
成を例に挙げて説明するものとする。
構成することにより、金属膜要求特性を満たすと共に外
層，各中間層，及び外層の接合性を向上することができ
る。続いて、上記した第１実施例に係る半導体装置１０
の製造方法について説明する。尚、以下の説明では、金
属膜１３として外層１３Ｃ-1，中間層１３Ｃ-2, 内層１
３Ｃ-3とを積層した３層構造の金属膜１３Ｃを設けた構
成を例に挙げて説明するものとする。
【００６５】半導体装置１０は、図１５に示されるリー
ドフレーム２０を用いて製造される。このリードフレー
ム２０は、導電性金属基材２１に複数の凹部２２が形成
されると共に、この凹部２２に金属膜１３Ｃが形成され
た構成とされている。凹部２２の形成位置は、半導体装
置１０に形成された樹脂突起１７の形成位置と対応する
よう構成されており、また金属膜１３Ｃは樹脂突起１７
に嵌入しうるよう形成されている。
ドフレーム２０を用いて製造される。このリードフレー
ム２０は、導電性金属基材２１に複数の凹部２２が形成
されると共に、この凹部２２に金属膜１３Ｃが形成され
た構成とされている。凹部２２の形成位置は、半導体装
置１０に形成された樹脂突起１７の形成位置と対応する
よう構成されており、また金属膜１３Ｃは樹脂突起１７
に嵌入しうるよう形成されている。
【００６６】また後述するように、リードフレーム２０
は複数の半導体装置１０を一括的に形成できるよう（即
ち、いわゆる複数個取りができるよう）構成されてお
り、従って凹部２２及び金属膜１３Ｃも１枚の金属基材
２１に複数組形成されている。また本実施例では、隣接
する１個の半導体装置１０の領域が極めて近接して形成
されており、よって高密度化が図られた構成とされてい
る。尚、図中２３は、例えばリードフレーム２０を後の
工程において位置決めする際に用いる位置決め孔であ
る。
は複数の半導体装置１０を一括的に形成できるよう（即
ち、いわゆる複数個取りができるよう）構成されてお
り、従って凹部２２及び金属膜１３Ｃも１枚の金属基材
２１に複数組形成されている。また本実施例では、隣接
する１個の半導体装置１０の領域が極めて近接して形成
されており、よって高密度化が図られた構成とされてい
る。尚、図中２３は、例えばリードフレーム２０を後の
工程において位置決めする際に用いる位置決め孔であ
る。
【００６７】ここで、半導体装置１０の製造方法を説明
する前に、先ずリードフレーム２０の製造方法について
図９乃至図１５を用いて説明する。リードフレーム２０
を製造するには、先ず図９に示すように、導電材料（例
えば銅）よりなる平板状の金属基材２１を用意し、この
金属基材２１の上下両面にエッチングレジスト２４を塗
布する（エッチングレジスト塗布工程）。このエッチン
グレジスト２４は、例えば感光性樹脂であり、ドライフ
ィルムを貼着した後に液状の感光性樹脂を塗布すること
により所定膜厚に形成される。
する前に、先ずリードフレーム２０の製造方法について
図９乃至図１５を用いて説明する。リードフレーム２０
を製造するには、先ず図９に示すように、導電材料（例
えば銅）よりなる平板状の金属基材２１を用意し、この
金属基材２１の上下両面にエッチングレジスト２４を塗
布する（エッチングレジスト塗布工程）。このエッチン
グレジスト２４は、例えば感光性樹脂であり、ドライフ
ィルムを貼着した後に液状の感光性樹脂を塗布すること
により所定膜厚に形成される。
【００６８】続いて、エッチングレジスト２４に図示し
ないマスクを用いて露光処理を行い、その後に現像処理
を行うことによりエッチングレジスト２４の凹部形成位
置及び治具穴形成位置に対応する部位を除去し、図１０
に示すエッチングレジストパターン２４ａを形成する
（エッチングレジストパターン形成工程）。エッチング
レジストパターン形成工程が終了すると、エッチングレ
ジストパターン２４ａが形成された金属基材２１に対し
エッチング処理が実施される（エッチング工程）。この
エッチング工程では、凹部２２の形成位置においては金
属基材２１の上面からのみのハーフエッチングが実施さ
れ、位置決め孔２３の形成位置においては両面エッチン
グが実施される。尚、金属基材２１の材料として銅（Ｃ
ｕ）が用いられた場合には、エッチング液としては、例
えば塩化第２鉄等が用いられる。
ないマスクを用いて露光処理を行い、その後に現像処理
を行うことによりエッチングレジスト２４の凹部形成位
置及び治具穴形成位置に対応する部位を除去し、図１０
に示すエッチングレジストパターン２４ａを形成する
（エッチングレジストパターン形成工程）。エッチング
レジストパターン形成工程が終了すると、エッチングレ
ジストパターン２４ａが形成された金属基材２１に対し
エッチング処理が実施される（エッチング工程）。この
エッチング工程では、凹部２２の形成位置においては金
属基材２１の上面からのみのハーフエッチングが実施さ
れ、位置決め孔２３の形成位置においては両面エッチン
グが実施される。尚、金属基材２１の材料として銅（Ｃ
ｕ）が用いられた場合には、エッチング液としては、例
えば塩化第２鉄等が用いられる。
【００６９】これにより、図１１に示されるように、金
属基材２１の凹部形成位置には凹部２２が形成されると
共に、位置決め孔形成位置には位置決め孔２３が形成さ
れる。この際、ハーフエッチングにより形成される凹部
２２の深さは、金属基材２１の板厚に対し６０％程度の
深さとすることが可能である。上記のエッチング工程が
終了すると、エッチングレジストパターン２４ａを除去
する処理（エッチングレジスト除去工程）が実施され、
図１２に示されるように、凹部２２及び位置決め孔２３
が形成された金属基材２１のみの状態となる。
属基材２１の凹部形成位置には凹部２２が形成されると
共に、位置決め孔形成位置には位置決め孔２３が形成さ
れる。この際、ハーフエッチングにより形成される凹部
２２の深さは、金属基材２１の板厚に対し６０％程度の
深さとすることが可能である。上記のエッチング工程が
終了すると、エッチングレジストパターン２４ａを除去
する処理（エッチングレジスト除去工程）が実施され、
図１２に示されるように、凹部２２及び位置決め孔２３
が形成された金属基材２１のみの状態となる。
【００７０】続いて、図１２に示す状態の金属基材２１
には、その上下両面にメッキレジスト２５が塗布される
（メッキレジスト塗布工程）。そして、図示しないマス
クを用いてこのメッキレジスト２５に露光処理を行い、
その後に現像処理を行うことにより、エッチングレジス
ト２４の凹部形成位置に対応する部位のみを除去し、図
１３に示すメッキレジストパターン２５ａを形成する
（メッキレジストパターン形成工程）。
には、その上下両面にメッキレジスト２５が塗布される
（メッキレジスト塗布工程）。そして、図示しないマス
クを用いてこのメッキレジスト２５に露光処理を行い、
その後に現像処理を行うことにより、エッチングレジス
ト２４の凹部形成位置に対応する部位のみを除去し、図
１３に示すメッキレジストパターン２５ａを形成する
（メッキレジストパターン形成工程）。
【００７１】上記のように、メッキレジストパターン形
成工程では、図１０に示したエッチングレジスト形成工
程と異なり、メッキレジストパターン２５ａは凹部２２
の形成位置のみを露出させ、金属基材２１の他の部分は
位置決め孔２３の形成位置を含め全て覆う構成としてい
る。メッキレジストパターン形成工程が終了すると、続
いて図１４に示されるように、金属膜形成工程が実施さ
れ金属膜１３Ｃが形成される。本実施例においては、金
属膜１３Ｃの形成にメッキ法を用いている。本実施例に
係る金属膜１３Ｃは、外層１３Ｃ-1, 中間層１３Ｃ-2,
及び内層１３Ｃ-3を積層した３層構造とされているた
め、各層毎にメッキ処理を行う。
成工程では、図１０に示したエッチングレジスト形成工
程と異なり、メッキレジストパターン２５ａは凹部２２
の形成位置のみを露出させ、金属基材２１の他の部分は
位置決め孔２３の形成位置を含め全て覆う構成としてい
る。メッキレジストパターン形成工程が終了すると、続
いて図１４に示されるように、金属膜形成工程が実施さ
れ金属膜１３Ｃが形成される。本実施例においては、金
属膜１３Ｃの形成にメッキ法を用いている。本実施例に
係る金属膜１３Ｃは、外層１３Ｃ-1, 中間層１３Ｃ-2,
及び内層１３Ｃ-3を積層した３層構造とされているた
め、各層毎にメッキ処理を行う。
【００７２】具体的には、外層１３Ｃ-1として金（Ａ
ｕ）, 中間層１３Ｃ-2としてパラジウム（Ｐｄ）, 内層
１３Ｃ-3として金（Ａｕ）を用いた場合には、先ず内層
１３Ｃ-3となる金メッキを行い、続いて中間層１３Ｃ-2
となるパラジウムメッキを行い、最後に外層１３Ｃ-1と
なる金メッキを行う。この金属膜１３Ｃを構成する各層
１３Ｃ-1〜１３Ｃ-3の厚さは、メッキ時間を制御するこ
とにより任意に設定することができる。
ｕ）, 中間層１３Ｃ-2としてパラジウム（Ｐｄ）, 内層
１３Ｃ-3として金（Ａｕ）を用いた場合には、先ず内層
１３Ｃ-3となる金メッキを行い、続いて中間層１３Ｃ-2
となるパラジウムメッキを行い、最後に外層１３Ｃ-1と
なる金メッキを行う。この金属膜１３Ｃを構成する各層
１３Ｃ-1〜１３Ｃ-3の厚さは、メッキ時間を制御するこ
とにより任意に設定することができる。
【００７３】上記の処理を実施することにより金属膜１
３Ｃは金属基材２１に形成されるが、後に説明するよう
に分離工程において、金属基材２１に形成された金属膜
１３Ｃは樹脂パッケージ１２をリードフレーム２０から
分離する際に樹脂パッケージ１２と共にリードフレーム
２０から離脱する必要がある。このため、金属膜１３Ｃ
は金属基材２１に対しある程度の分離性も要求される。
３Ｃは金属基材２１に形成されるが、後に説明するよう
に分離工程において、金属基材２１に形成された金属膜
１３Ｃは樹脂パッケージ１２をリードフレーム２０から
分離する際に樹脂パッケージ１２と共にリードフレーム
２０から離脱する必要がある。このため、金属膜１３Ｃ
は金属基材２１に対しある程度の分離性も要求される。
【００７４】従って、金属膜１３Ｃを凹部２２に形成す
るに先立ち、上記分離性を確保するために、凹部２２内
に導電性のペースト等の分離性を向上させる部材を塗布
しておき、その上部に金属膜１３Ｃを形成する構成とし
てもよい。また、上記した金属膜形成工程では、メッキ
法を用いて金属膜１３Ｃを形成する方法を説明したが、
金属膜１３Ｃの形成はメッキ法に限定されるものではな
く、例えば蒸着法，スパッタリング法等の他の膜形成技
術を用いて形成する構成としてもよい。
るに先立ち、上記分離性を確保するために、凹部２２内
に導電性のペースト等の分離性を向上させる部材を塗布
しておき、その上部に金属膜１３Ｃを形成する構成とし
てもよい。また、上記した金属膜形成工程では、メッキ
法を用いて金属膜１３Ｃを形成する方法を説明したが、
金属膜１３Ｃの形成はメッキ法に限定されるものではな
く、例えば蒸着法，スパッタリング法等の他の膜形成技
術を用いて形成する構成としてもよい。
【００７５】また本実施例では、エッチングレジスト配
設工程，エッチングレジストパターン形成工程，エッチ
ング工程，及びエッチングレジスト除去工程を実施する
ことにより、先ず金属基材２１に凹部２２をエッチング
形成した後、エッチングレジスト２４とは別個にメッキ
レジスト２５を配設する構成としている。即ち、レジス
ト除去工程が終了した後、メッキレジスト配設工程を実
施することにより金属基材２１の両面にメッキレジスト
２５を配設し、続くメッキレジストパターン形成工程に
おいてメッキレジスト２５の凹部２２の形成位置に対応
する部位のみを除去して所定のメッキレジストパターン
２５ａを形成している。この際、上記のようにエッチン
グレジスト２４とメッキレジスト２５とを異ならせるこ
とにより、エッチングレジストパターン２４ａとメッキ
レジストパターン２４ｂとを異なるパターンとすること
ができる。
設工程，エッチングレジストパターン形成工程，エッチ
ング工程，及びエッチングレジスト除去工程を実施する
ことにより、先ず金属基材２１に凹部２２をエッチング
形成した後、エッチングレジスト２４とは別個にメッキ
レジスト２５を配設する構成としている。即ち、レジス
ト除去工程が終了した後、メッキレジスト配設工程を実
施することにより金属基材２１の両面にメッキレジスト
２５を配設し、続くメッキレジストパターン形成工程に
おいてメッキレジスト２５の凹部２２の形成位置に対応
する部位のみを除去して所定のメッキレジストパターン
２５ａを形成している。この際、上記のようにエッチン
グレジスト２４とメッキレジスト２５とを異ならせるこ
とにより、エッチングレジストパターン２４ａとメッキ
レジストパターン２４ｂとを異なるパターンとすること
ができる。
【００７６】これにより、続いて実施される金属膜形成
工程では、エッチングに拘わらず、金属膜１３Ｃを形成
したい部位のみ形成することができる。特に、本実施例
では、メッキレジスト配設工程において、位置決め孔２
３をメッキレジスト２５により覆う構成としたため、精
度を必要とする位置決め孔２３に金属膜１３が形成され
ることを防止できる。
工程では、エッチングに拘わらず、金属膜１３Ｃを形成
したい部位のみ形成することができる。特に、本実施例
では、メッキレジスト配設工程において、位置決め孔２
３をメッキレジスト２５により覆う構成としたため、精
度を必要とする位置決め孔２３に金属膜１３が形成され
ることを防止できる。
【００７７】位置決め孔２３は、その形成時において高
精度に位置決めが行なわれているため、その後に金属膜
１３を形成すると、その位置精度が低下してしまう。よ
って、メッキレジスト配設工程において位置決め孔２３
をメッキレジスト２５で覆う構成とし、金属膜１３が被
膜されるのを防止することにより、その後の工程におい
て精度の高い処理を行なうことが可能となる。
精度に位置決めが行なわれているため、その後に金属膜
１３を形成すると、その位置精度が低下してしまう。よ
って、メッキレジスト配設工程において位置決め孔２３
をメッキレジスト２５で覆う構成とし、金属膜１３が被
膜されるのを防止することにより、その後の工程におい
て精度の高い処理を行なうことが可能となる。
【００７８】上記のように金属膜形成工程において凹部
２２内に金属膜１３Ｃが形成されると、続いてメッキレ
ジストパターン２５ａを除去するメッキレジスト除去工
程、及び金属基材２１の表面平滑化工程が実施され、図
１５に示されるリードフレーム２０が形成される。上記
したリードフレーム２０の製造方法では、各レジスト塗
布，各レジストパターン形成，エッチング，金属膜形
成，及び各レジスト除去等の簡単な工程によりリードフ
レーム２０を形成することができる。尚、上記下実施例
では、メッキレジスト２５をエッチングレジスト２４と
別個に配設する構成としたが、エッチング工程において
エッチングする部位とメッキ工程においてメッキする部
位が同一である場合には、メッキレジスト２５を配設す
る工程及びこれに関連する工程を省略することも可能で
ある。
２２内に金属膜１３Ｃが形成されると、続いてメッキレ
ジストパターン２５ａを除去するメッキレジスト除去工
程、及び金属基材２１の表面平滑化工程が実施され、図
１５に示されるリードフレーム２０が形成される。上記
したリードフレーム２０の製造方法では、各レジスト塗
布，各レジストパターン形成，エッチング，金属膜形
成，及び各レジスト除去等の簡単な工程によりリードフ
レーム２０を形成することができる。尚、上記下実施例
では、メッキレジスト２５をエッチングレジスト２４と
別個に配設する構成としたが、エッチング工程において
エッチングする部位とメッキ工程においてメッキする部
位が同一である場合には、メッキレジスト２５を配設す
る工程及びこれに関連する工程を省略することも可能で
ある。
【００７９】次に、上記のようにして製造されるリード
フレーム２０を用いて半導体装置１０を製造する製造方
法について説明する。半導体装置１０を製造するには、
図１６に示すように、リードフレーム２０の所定素子搭
載位置に素子固定樹脂１５を塗布すると共に、素子固定
樹脂１５の上部に半導体素子１１を搭載する（素子搭載
工程）。素子固定樹脂１５は絶縁性を有すると共に接着
剤として機能し、よって半導体素子１１はリードフレー
ム２０上に素子固定樹脂１５の接着力により搭載された
状態となる。
フレーム２０を用いて半導体装置１０を製造する製造方
法について説明する。半導体装置１０を製造するには、
図１６に示すように、リードフレーム２０の所定素子搭
載位置に素子固定樹脂１５を塗布すると共に、素子固定
樹脂１５の上部に半導体素子１１を搭載する（素子搭載
工程）。素子固定樹脂１５は絶縁性を有すると共に接着
剤として機能し、よって半導体素子１１はリードフレー
ム２０上に素子固定樹脂１５の接着力により搭載された
状態となる。
【００８０】素子搭載工程が終了すると、リードフレー
ム２０はワイヤボンディング装置に装着され、図１７に
示されるように、半導体素子１１に形成された電極パッ
ド１４と、リードフレーム２０に形成されている金属膜
１３Ｃ（具体的には、内層１３Ｃ-3）との間にワイヤ１
８を配設し、半導体素子１１と金属膜１３Ｃとを電気的
に接続する（接続工程）。この際、前記したように、位
置決め孔２３は金属膜１３Ｃが形成されないことによ
り、この位置決め孔２３を用いてリードフレーム２０を
ワイヤボンディング装置に高精度に位置決めされた状態
で装着することができる。
ム２０はワイヤボンディング装置に装着され、図１７に
示されるように、半導体素子１１に形成された電極パッ
ド１４と、リードフレーム２０に形成されている金属膜
１３Ｃ（具体的には、内層１３Ｃ-3）との間にワイヤ１
８を配設し、半導体素子１１と金属膜１３Ｃとを電気的
に接続する（接続工程）。この際、前記したように、位
置決め孔２３は金属膜１３Ｃが形成されないことによ
り、この位置決め孔２３を用いてリードフレーム２０を
ワイヤボンディング装置に高精度に位置決めされた状態
で装着することができる。
【００８１】また、ワイヤ１８を電極パッド１４と金属
膜１３Ｃとの間でワイヤボンディングする際、図１７に
示す例では、先ず電極パッド１４にワイヤ１８の一端を
ボンディングし（ファーストボンディング）し、続いて
ワイヤ１８の他端を金属膜１３Ｃにボンディング（セカ
ンドボンディング）する方法を採用した。しかるに、図
１８に示すように、先ず金属膜１３Ｃにワイヤ１８の一
端を接続し、続いて金属膜１３Ｃから電極パッド１４に
ワイヤ１８を引き出した上で、ワイヤ１８の他端部を電
極パッド１４に接続する方法を採用してもよい。
膜１３Ｃとの間でワイヤボンディングする際、図１７に
示す例では、先ず電極パッド１４にワイヤ１８の一端を
ボンディングし（ファーストボンディング）し、続いて
ワイヤ１８の他端を金属膜１３Ｃにボンディング（セカ
ンドボンディング）する方法を採用した。しかるに、図
１８に示すように、先ず金属膜１３Ｃにワイヤ１８の一
端を接続し、続いて金属膜１３Ｃから電極パッド１４に
ワイヤ１８を引き出した上で、ワイヤ１８の他端部を電
極パッド１４に接続する方法を採用してもよい。
【００８２】このように、先ず金属膜１３Ｃにワイヤ１
８の一端を接続し、その後にワイヤ１８の他端部を電極
パッド１４に接続する、いわゆる逆打ちのワイヤボンデ
ィング法を用いたことにより、ワイヤループの低背化を
図ることができ、これに伴い半導体装置１０の低背化を
図ることができる。また、一般に電極パッド１４の配設
ピッチは金属膜１３Ｃの配設ピッチに比べて狭く、また
ワイヤボンディング処理においてファーストボンディン
グのボンディング領域はセカンドボンディングのボンデ
ィング領域よりも広い。よって、配設ピッチの広い金属
膜１３Ｃにファーストボンディングを行い、配設ピッチ
の狭い電極パッド１４にセカンドボンディングを行う構
成とすることにより、高密度にワイヤ１８の配設を行う
ことが可能となる。
８の一端を接続し、その後にワイヤ１８の他端部を電極
パッド１４に接続する、いわゆる逆打ちのワイヤボンデ
ィング法を用いたことにより、ワイヤループの低背化を
図ることができ、これに伴い半導体装置１０の低背化を
図ることができる。また、一般に電極パッド１４の配設
ピッチは金属膜１３Ｃの配設ピッチに比べて狭く、また
ワイヤボンディング処理においてファーストボンディン
グのボンディング領域はセカンドボンディングのボンデ
ィング領域よりも広い。よって、配設ピッチの広い金属
膜１３Ｃにファーストボンディングを行い、配設ピッチ
の狭い電極パッド１４にセカンドボンディングを行う構
成とすることにより、高密度にワイヤ１８の配設を行う
ことが可能となる。
【００８３】更に、他のワイヤボンディング方法とし
て、予め金属膜１３Ｃにスタッドバンプ４５を形成して
おき、このスタッドバンプ４５にワイヤ１８をセカンド
ボンディングする方法が考えられる。以下、このワイヤ
ボンディング方法について図１９乃至図２１を用いて説
明する。図１９（Ａ）は、素子搭載工程が終了した状態
を示している。この状態において、先ずリードフレーム
２０の凹部２２に形成されている金属膜１３Ｃに、キャ
ピラリ４６を用いてスタッドバンプ４５を形成する。図
１９（Ｂ）は、金属膜１３Ｃにスタッドバンプ４５が形
成された状態を示している。尚、スタッドバンプ４５の
形成方法の詳細については、図２１を用いて後述するも
のとする。
て、予め金属膜１３Ｃにスタッドバンプ４５を形成して
おき、このスタッドバンプ４５にワイヤ１８をセカンド
ボンディングする方法が考えられる。以下、このワイヤ
ボンディング方法について図１９乃至図２１を用いて説
明する。図１９（Ａ）は、素子搭載工程が終了した状態
を示している。この状態において、先ずリードフレーム
２０の凹部２２に形成されている金属膜１３Ｃに、キャ
ピラリ４６を用いてスタッドバンプ４５を形成する。図
１９（Ｂ）は、金属膜１３Ｃにスタッドバンプ４５が形
成された状態を示している。尚、スタッドバンプ４５の
形成方法の詳細については、図２１を用いて後述するも
のとする。
【００８４】スタッドバンプ４５が形成されると、キャ
ピラリ４６は半導体チップ１１に形成されている電極パ
ッド１４上に移動し、図１９（Ｃ）に示されるように、
電極パッド１４に対しワイヤ１８をボンディング（ファ
ーストボンディング）する。電極パッド１４に対するボ
ンディング処理が終了すると、キャピラリ４６はスタッ
ドバンプ４５の上部位置まで移動し、これに伴いワイヤ
１８もスタッドバンプ４５の上部位置まで引き出され
る。
ピラリ４６は半導体チップ１１に形成されている電極パ
ッド１４上に移動し、図１９（Ｃ）に示されるように、
電極パッド１４に対しワイヤ１８をボンディング（ファ
ーストボンディング）する。電極パッド１４に対するボ
ンディング処理が終了すると、キャピラリ４６はスタッ
ドバンプ４５の上部位置まで移動し、これに伴いワイヤ
１８もスタッドバンプ４５の上部位置まで引き出され
る。
【００８５】次に、図２０（Ｄ）に示されるように、キ
ャピラリ４６はスタッドバンプ４５に押圧されてワイヤ
１８とスタッドバンプ４５とがボンディング（セカンド
ボンディング）される。続いて、同様の処理が他方の電
極パッド１４に対しても実施され、よって図２０（Ｅ）
に示されるように、電極パッド１４と金属膜１３Ｃとの
間にワイヤ１８が配設された状態となる。
ャピラリ４６はスタッドバンプ４５に押圧されてワイヤ
１８とスタッドバンプ４５とがボンディング（セカンド
ボンディング）される。続いて、同様の処理が他方の電
極パッド１４に対しても実施され、よって図２０（Ｅ）
に示されるように、電極パッド１４と金属膜１３Ｃとの
間にワイヤ１８が配設された状態となる。
【００８６】上記したワイヤボンディング方法では、先
ず金属膜１３Ｃ上にスタッドバンプ４５を形成してお
き、その後に電極パッド１４にワイヤ１８をファースト
ボンディングした上でワイヤ１８を金属膜１３Ｃ上のス
タッドバンプ４５に引出し、金属膜１３Ｃ上ではなくス
タッドバンプ４５にセカンドボンディングするため、金
属膜１３Ｃ上に直接ワイヤ１８をボンディングする構成
に比べてワイヤ１８を確実にボンディングすることがで
きる。
ず金属膜１３Ｃ上にスタッドバンプ４５を形成してお
き、その後に電極パッド１４にワイヤ１８をファースト
ボンディングした上でワイヤ１８を金属膜１３Ｃ上のス
タッドバンプ４５に引出し、金属膜１３Ｃ上ではなくス
タッドバンプ４５にセカンドボンディングするため、金
属膜１３Ｃ上に直接ワイヤ１８をボンディングする構成
に比べてワイヤ１８を確実にボンディングすることがで
きる。
【００８７】即ち、セカンドボンディングでは、ファー
ストボンディングと異なりワイヤ１８にボールが形成さ
れていない状態でボンディング処理が実施される。ま
た、セカンドボンディングでは、ワイヤ１８がキャピラ
リ４６により押圧されつつ溶接されるため、その接合部
分の機械的強度はどうしてもファーストボンディングに
比べて低くなってしまう。
ストボンディングと異なりワイヤ１８にボールが形成さ
れていない状態でボンディング処理が実施される。ま
た、セカンドボンディングでは、ワイヤ１８がキャピラ
リ４６により押圧されつつ溶接されるため、その接合部
分の機械的強度はどうしてもファーストボンディングに
比べて低くなってしまう。
【００８８】しかるに、予めセカンドボンディング位置
である金属膜１３Ｃ上にワイヤ１８と同一材料のスタッ
ドバンプ４５を形成しておき、このスタッドバンプ４５
に対しワイヤ１８をセカンドボンディングすることによ
り、ワイヤ１８を確実に金属膜１３Ｃと接続させること
ができる。続いて、図２１を用いて、上記したスタッド
バンプ４５の形成方法について説明する。尚、以下の説
明ではワイヤ１８として金（Ａｕ）線を用いた場合につ
いて説明する。また図示の便宜上、同図には金属膜１３
Ｃ近傍のみを図示し、他の構成の図示は省略している。
である金属膜１３Ｃ上にワイヤ１８と同一材料のスタッ
ドバンプ４５を形成しておき、このスタッドバンプ４５
に対しワイヤ１８をセカンドボンディングすることによ
り、ワイヤ１８を確実に金属膜１３Ｃと接続させること
ができる。続いて、図２１を用いて、上記したスタッド
バンプ４５の形成方法について説明する。尚、以下の説
明ではワイヤ１８として金（Ａｕ）線を用いた場合につ
いて説明する。また図示の便宜上、同図には金属膜１３
Ｃ近傍のみを図示し、他の構成の図示は省略している。
【００８９】スタッドバンプ４５を形成するには、先ず
図２１（Ａ）に示すように、キャピラリ４５を金属膜１
３Ｃの上部位置に移動させ、ワイヤボンディング装置に
設けられているスパークロッド（図示せず）を放電させ
て、ワイヤ１８の先端にボール４７（例えば、φ９０μ
ｍ）を形成する。次に、図２１（Ｂ）に示されるよう
に、キャピラリ４５を下動させて金属膜１３Ｃに対しボ
ール４７を押圧し、この状態で例えば超音波溶接により
ボール４７を金属膜１３Ｃにボンディングする。ボール
４７はキャピラリ４５に押し潰されるため、このボンデ
ィング処理が終了した状態においてボール４７の形状
は、ボール径１０〜１２０μｍ，高さ３０〜４０μｍと
なっている。
図２１（Ａ）に示すように、キャピラリ４５を金属膜１
３Ｃの上部位置に移動させ、ワイヤボンディング装置に
設けられているスパークロッド（図示せず）を放電させ
て、ワイヤ１８の先端にボール４７（例えば、φ９０μ
ｍ）を形成する。次に、図２１（Ｂ）に示されるよう
に、キャピラリ４５を下動させて金属膜１３Ｃに対しボ
ール４７を押圧し、この状態で例えば超音波溶接により
ボール４７を金属膜１３Ｃにボンディングする。ボール
４７はキャピラリ４５に押し潰されるため、このボンデ
ィング処理が終了した状態においてボール４７の形状
は、ボール径１０〜１２０μｍ，高さ３０〜４０μｍと
なっている。
【００９０】上記のボンディング処理が終了すると、続
いて図２１（Ｃ）に示されるように、キャピラリ４６を
ボール４７より上方に向け約３００μｍ引き上げる。続
いて、図２１（Ｄ）に示されるように、キャピラリ４６
を水平方向に約４０〜５０μｍ移動させる。上記動作に
より、キャピラリ４６はボール４７の中心位置から水平
方向に若干量ずれたところに位置することとなる。
いて図２１（Ｃ）に示されるように、キャピラリ４６を
ボール４７より上方に向け約３００μｍ引き上げる。続
いて、図２１（Ｄ）に示されるように、キャピラリ４６
を水平方向に約４０〜５０μｍ移動させる。上記動作に
より、キャピラリ４６はボール４７の中心位置から水平
方向に若干量ずれたところに位置することとなる。
【００９１】次に、図２１（Ｅ）に示されるように、ボ
ール４７の中心位置から水平方向に若干量ずれた位置を
維持しつつキャピラリ４６を下動させ、ボール４７を潰
す処理を行なう。続いて、ワイヤ１８をクランプした状
態（即ち、ワイヤ１８の送りが行なわれないようにした
状態）として、図２１（Ｆ）に示されるように、キャピ
ラリ４６を上動させる。これにより、ワイヤ１８は切断
されてスタッドバンプ４５が形成される。
ール４７の中心位置から水平方向に若干量ずれた位置を
維持しつつキャピラリ４６を下動させ、ボール４７を潰
す処理を行なう。続いて、ワイヤ１８をクランプした状
態（即ち、ワイヤ１８の送りが行なわれないようにした
状態）として、図２１（Ｆ）に示されるように、キャピ
ラリ４６を上動させる。これにより、ワイヤ１８は切断
されてスタッドバンプ４５が形成される。
【００９２】上記したスタッドバンプ４５の形成方法に
よれば、図２１（Ｅ）に示す処理において、キャピラリ
４５はボール４７を押し潰すため、形成されるスタッド
バンプ４５と金属膜１３Ｃとを強固に接合させることが
できる。また、同様の理由によりスタッドバンプ４５の
形成面積は広くなる。よって、図２１（Ｇ）〜（Ｉ）に
示されるように、ワイヤ１８をセカンドボンディングす
る際、スタッドバンプ４５上のボンディング面積が広い
ため、確実にボンディング処理を行なうことができる。
また、ワイヤ１８とスタッドバンプ４５とは同一材質
（金）であるためその接合性は良好であり、よってこれ
によってもワイヤ１８とスタッドバンプ４５との接合力
を向上させることができる。
よれば、図２１（Ｅ）に示す処理において、キャピラリ
４５はボール４７を押し潰すため、形成されるスタッド
バンプ４５と金属膜１３Ｃとを強固に接合させることが
できる。また、同様の理由によりスタッドバンプ４５の
形成面積は広くなる。よって、図２１（Ｇ）〜（Ｉ）に
示されるように、ワイヤ１８をセカンドボンディングす
る際、スタッドバンプ４５上のボンディング面積が広い
ため、確実にボンディング処理を行なうことができる。
また、ワイヤ１８とスタッドバンプ４５とは同一材質
（金）であるためその接合性は良好であり、よってこれ
によってもワイヤ１８とスタッドバンプ４５との接合力
を向上させることができる。
【００９３】また、図２１（Ｆ）を用いて説明したよう
に、ボール４７を潰した後にキャピラリ４６は上動して
ワイヤ１８を切断するが、この上動位置は上記のように
キャピラリ４６を水平移動した位置（即ち、ボール中心
位置よりずれた位置）となっている。よって、ワイヤ１
８をリスタッドバンプ４５にセカンドボンディングする
際、ワイヤ切断位置に形成される突起４８がボンディン
グの邪魔になるようなことはない。
に、ボール４７を潰した後にキャピラリ４６は上動して
ワイヤ１８を切断するが、この上動位置は上記のように
キャピラリ４６を水平移動した位置（即ち、ボール中心
位置よりずれた位置）となっている。よって、ワイヤ１
８をリスタッドバンプ４５にセカンドボンディングする
際、ワイヤ切断位置に形成される突起４８がボンディン
グの邪魔になるようなことはない。
【００９４】尚、上記した接続工程においては、ワイヤ
１８として金線を用いた例を示したが、ワイヤ１８とし
て金線を被覆するよう絶縁材が配設された被覆金線を用
いた構成としてもよい。この被覆金線は、絶縁材により
被覆されていることにより、隣接するワイヤ１８が接触
してもショートするようなことはない。よって、特に高
密度にワイヤ１８を配設する必要がある場合に有利であ
る。
１８として金線を用いた例を示したが、ワイヤ１８とし
て金線を被覆するよう絶縁材が配設された被覆金線を用
いた構成としてもよい。この被覆金線は、絶縁材により
被覆されていることにより、隣接するワイヤ１８が接触
してもショートするようなことはない。よって、特に高
密度にワイヤ１８を配設する必要がある場合に有利であ
る。
【００９５】上記した接続工程が終了すると、続いてリ
ードフレーム２０上に形成された複数の半導体素子１１
を封止するよう樹脂パッケージ１２を形成する封止工程
を実施する。本実施例では、樹脂パッケージ１２をトラ
ンスファーモールドにより成形する方法について説明す
るが、樹脂パッケージ１２はポッティング等の他の樹脂
形成方法により形成することも可能である。このポッテ
ィングを行なう場合、リードフレーム２０上にポッティ
ングする樹脂の流れを阻止するダムとなる枠体を配設し
ておき、この枠体内に樹脂をポッティングする構成とす
ることが望ましい。
ードフレーム２０上に形成された複数の半導体素子１１
を封止するよう樹脂パッケージ１２を形成する封止工程
を実施する。本実施例では、樹脂パッケージ１２をトラ
ンスファーモールドにより成形する方法について説明す
るが、樹脂パッケージ１２はポッティング等の他の樹脂
形成方法により形成することも可能である。このポッテ
ィングを行なう場合、リードフレーム２０上にポッティ
ングする樹脂の流れを阻止するダムとなる枠体を配設し
ておき、この枠体内に樹脂をポッティングする構成とす
ることが望ましい。
【００９６】トランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージ１２を形成する場合には、低コストでかつ高い信頼
性をもって樹脂パッケージ１２を形成することができ、
またポッティングにより樹脂パッケージ１２を形成する
場合には、製造設備の簡単化，低コスト化を図ることが
できる。図２２は、接続工程が終了したリードフレーム
２０をモールド金型に装着して樹脂をモールドした直後
の状態を示す図であり、２９はゲート，３０はカル，３
１はランナーを夫々示している。同図に示されるよう
に、樹脂パッケージ１２はリードフレーム２０に一括的
に複数個形成される。尚、モールド直後の状態では、複
数個形成された各樹脂パッケージ１２はゲート３２に導
入された樹脂（以下、ゲート３２に導入され固化した樹
脂を特にゲート部３２という）により連結した状態とな
っている。
ージ１２を形成する場合には、低コストでかつ高い信頼
性をもって樹脂パッケージ１２を形成することができ、
またポッティングにより樹脂パッケージ１２を形成する
場合には、製造設備の簡単化，低コスト化を図ることが
できる。図２２は、接続工程が終了したリードフレーム
２０をモールド金型に装着して樹脂をモールドした直後
の状態を示す図であり、２９はゲート，３０はカル，３
１はランナーを夫々示している。同図に示されるよう
に、樹脂パッケージ１２はリードフレーム２０に一括的
に複数個形成される。尚、モールド直後の状態では、複
数個形成された各樹脂パッケージ１２はゲート３２に導
入された樹脂（以下、ゲート３２に導入され固化した樹
脂を特にゲート部３２という）により連結した状態とな
っている。
【００９７】図２４は樹脂封止工程で用いるモールド金
型（以下、単に金型という）を示す図であり、図２３は
図２４に矢印Ａで示す部位を拡大して示す図である。先
ず、図２３を用いて金型の全体構成について説明する。
金型は、大略すると上型３４と下型３６とにより構成さ
れている。上型３４は、上型用ピンプレート３８と上型
用チェイスブロック４２とにより構成されており、上型
用ピンプレート３８は上型用チェイスブロック４２に対
して図中上下方向に移動可能な構成とされている。
型（以下、単に金型という）を示す図であり、図２３は
図２４に矢印Ａで示す部位を拡大して示す図である。先
ず、図２３を用いて金型の全体構成について説明する。
金型は、大略すると上型３４と下型３６とにより構成さ
れている。上型３４は、上型用ピンプレート３８と上型
用チェイスブロック４２とにより構成されており、上型
用ピンプレート３８は上型用チェイスブロック４２に対
して図中上下方向に移動可能な構成とされている。
【００９８】上型用ピンプレート３８には複数のエジェ
クターピン４３が設けられており、このエジェクターピ
ン４３は下方に向け延出して上型用チェイスブロック４
２に形成されているピン孔６８に移動可能に挿通されて
いる。また、上型用チェイスブロック４２は、下型３６
と対向する位置に凹部が形成されており、この凹部内に
は上型用キャビティインサート４４が嵌装されている。
この上型用キャビティインサート４４には、後に詳述す
るパッケージキャビティ５６，アンカーキャビティ５８
等が形成されている。
クターピン４３が設けられており、このエジェクターピ
ン４３は下方に向け延出して上型用チェイスブロック４
２に形成されているピン孔６８に移動可能に挿通されて
いる。また、上型用チェイスブロック４２は、下型３６
と対向する位置に凹部が形成されており、この凹部内に
は上型用キャビティインサート４４が嵌装されている。
この上型用キャビティインサート４４には、後に詳述す
るパッケージキャビティ５６，アンカーキャビティ５８
等が形成されている。
【００９９】一方、下型３６は、下型用ピンプレート４
０と下型用チェイスブロック４８とにより構成されてお
り、下型用ピンプレート４０は下型用チェイスブロック
４８に対して図中上下方向に移動可能な構成とされてい
る。下型用ピンプレート４０には複数のエジェクターピ
ン５２が設けられており、このエジェクターピン５２は
上方に向け延出して下型用チェイスブロック４８に形成
されているピン孔６８ａに移動可能に挿通されている。
また、下型用チェイスブロック４８は、上型３４と対向
する位置に凹部が形成されており、この凹部内には下型
用キャビティインサート５０が嵌装されている。この下
型用キャビティインサート５０は、上型用キャビティイ
ンサート４４と異なり、その上面は平坦面とされてい
る。
０と下型用チェイスブロック４８とにより構成されてお
り、下型用ピンプレート４０は下型用チェイスブロック
４８に対して図中上下方向に移動可能な構成とされてい
る。下型用ピンプレート４０には複数のエジェクターピ
ン５２が設けられており、このエジェクターピン５２は
上方に向け延出して下型用チェイスブロック４８に形成
されているピン孔６８ａに移動可能に挿通されている。
また、下型用チェイスブロック４８は、上型３４と対向
する位置に凹部が形成されており、この凹部内には下型
用キャビティインサート５０が嵌装されている。この下
型用キャビティインサート５０は、上型用キャビティイ
ンサート４４と異なり、その上面は平坦面とされてい
る。
【０１００】また、下型用ピンプレート４０及び下型用
チェイスブロック４８の中央位置には、プランジャー５
４が移動可能に挿通されており、下型用チェイスブロッ
ク４８内で、かつプランジャー５４の先端部分には樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２の原料となる樹脂６４
（タブレット）が配設されている。尚、上型３４及び下
型３６の内部には、図示しないヒーターが配設されてお
り、金型３２内において樹脂６４を溶融しうる構成とさ
れている。
チェイスブロック４８の中央位置には、プランジャー５
４が移動可能に挿通されており、下型用チェイスブロッ
ク４８内で、かつプランジャー５４の先端部分には樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２の原料となる樹脂６４
（タブレット）が配設されている。尚、上型３４及び下
型３６の内部には、図示しないヒーターが配設されてお
り、金型３２内において樹脂６４を溶融しうる構成とさ
れている。
【０１０１】上記構成とされた上型３４及び下型３６
は、図示しない駆動装置により、図２４に示す上型３４
と下型３６とが離間した状態（離型状態）から、上型３
４と下型３６とがクランプした状態（クランプ状態）と
なる位置まで移動する構成とされている。続いて、図２
３を用いて上型３４（上型用キャビティインサート４
４）、及び下型３６（下型用キャビティインサート５
０）の具体的構成について説明する。尚、説明の便宜
上、図２３は樹脂封止処理が終了し上型３４と下型３６
とを離型した状態を示している。よって、リードフレー
ム２０（基板）には樹脂パッケージ１２及びゲート部３
２が形成されている。
は、図示しない駆動装置により、図２４に示す上型３４
と下型３６とが離間した状態（離型状態）から、上型３
４と下型３６とがクランプした状態（クランプ状態）と
なる位置まで移動する構成とされている。続いて、図２
３を用いて上型３４（上型用キャビティインサート４
４）、及び下型３６（下型用キャビティインサート５
０）の具体的構成について説明する。尚、説明の便宜
上、図２３は樹脂封止処理が終了し上型３４と下型３６
とを離型した状態を示している。よって、リードフレー
ム２０（基板）には樹脂パッケージ１２及びゲート部３
２が形成されている。
【０１０２】先ず、上型用キャビティインサート４４の
構成について説明する。金型は、先に図１に示した半導
体装置１０の樹脂パッケージ１２を形成するために用い
られるものであり、よって樹脂パッケージ１２はリード
フレーム２０の片側にのみ形成される。樹脂パッケージ
１２を形成するためのパッケージキャビティ５６は、上
型用キャビティインサート４４のみに形成されており、
下型用キャビティインサート５０の上面は平坦面とされ
ている。
構成について説明する。金型は、先に図１に示した半導
体装置１０の樹脂パッケージ１２を形成するために用い
られるものであり、よって樹脂パッケージ１２はリード
フレーム２０の片側にのみ形成される。樹脂パッケージ
１２を形成するためのパッケージキャビティ５６は、上
型用キャビティインサート４４のみに形成されており、
下型用キャビティインサート５０の上面は平坦面とされ
ている。
【０１０３】また、図２３に示される上型用キャビティ
インサート４４では、２個（複数個）のパッケージキャ
ビティ５６が形成されているが、本実施例ではこの複数
個設けられたパッケージキャビティ５６の間にアンカー
キャビティ５８が形成された構成とされている。このア
ンカーキャビティ５８は、成型時において樹脂６４を各
パッケージキャビティ５６に注入するためのゲートキャ
ビティとしても機能するものであり、またアンカーキャ
ビティ５８において樹脂パッケージ１２を連結するゲー
ト部３２が形成される。
インサート４４では、２個（複数個）のパッケージキャ
ビティ５６が形成されているが、本実施例ではこの複数
個設けられたパッケージキャビティ５６の間にアンカー
キャビティ５８が形成された構成とされている。このア
ンカーキャビティ５８は、成型時において樹脂６４を各
パッケージキャビティ５６に注入するためのゲートキャ
ビティとしても機能するものであり、またアンカーキャ
ビティ５８において樹脂パッケージ１２を連結するゲー
ト部３２が形成される。
【０１０４】上記構成とされた上型用キャビティインサ
ート４４を用いて形成された樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２に注目すると、アンカーキャビティ５８を設
けることにより、隣接する樹脂パッケージ１２間はゲー
ト部３２により一体的に連結された構成となる。これに
より、樹脂パッケージ１２はゲート部３２により補強さ
れた構成となる。
ート４４を用いて形成された樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２に注目すると、アンカーキャビティ５８を設
けることにより、隣接する樹脂パッケージ１２間はゲー
ト部３２により一体的に連結された構成となる。これに
より、樹脂パッケージ１２はゲート部３２により補強さ
れた構成となる。
【０１０５】また、リードフレーム２０と樹脂パッケー
ジ１２との接合力は、樹脂パッケージ１２と一体構成形
成されたゲート部３２がリードフレーム２０に接合され
ることにより増大する。即ち、樹脂成型された状態にお
いて、リードフレーム２０と樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２との接合面は広くなり、よって接合力は増大
する。
ジ１２との接合力は、樹脂パッケージ１２と一体構成形
成されたゲート部３２がリードフレーム２０に接合され
ることにより増大する。即ち、樹脂成型された状態にお
いて、リードフレーム２０と樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２との接合面は広くなり、よって接合力は増大
する。
【０１０６】従って、上型用キャビティインサート４４
から樹脂パッケージ１２が離型される際、樹脂６４が有
する接着力により樹脂パッケージ１２とリードフレーム
２０との界面部分に樹脂パッケージ１２とリードフレー
ム２０とを剥離させようとする力（以下、剥離力とい
う）が作用しても、上記の接合力により樹脂パッケージ
１２とリードフレーム２０とが剥離することを確実に防
止することができる。これにより、リードフレーム２０
に形成されている金属膜１１３が樹脂突起１１７から剥
離することを防止でき、よって製造される半導体装置１
０の信頼性を向上させることができる。
から樹脂パッケージ１２が離型される際、樹脂６４が有
する接着力により樹脂パッケージ１２とリードフレーム
２０との界面部分に樹脂パッケージ１２とリードフレー
ム２０とを剥離させようとする力（以下、剥離力とい
う）が作用しても、上記の接合力により樹脂パッケージ
１２とリードフレーム２０とが剥離することを確実に防
止することができる。これにより、リードフレーム２０
に形成されている金属膜１１３が樹脂突起１１７から剥
離することを防止でき、よって製造される半導体装置１
０の信頼性を向上させることができる。
【０１０７】ここで、前記したパッケージキャビティ５
６とアンカーキャビティ５８の深さに注目して以下説明
する。本実施例では、アンカーキャビティ５８のゲート
幅Ｗ１とパッケージキャビティ５６のパッケージ幅Ｗ２
とは略同一とされている。しかるに、アンカーキャビテ
ィ５８の深さとパッケージキャビティ５６の深さは、異
なるよう構成されている。
６とアンカーキャビティ５８の深さに注目して以下説明
する。本実施例では、アンカーキャビティ５８のゲート
幅Ｗ１とパッケージキャビティ５６のパッケージ幅Ｗ２
とは略同一とされている。しかるに、アンカーキャビテ
ィ５８の深さとパッケージキャビティ５６の深さは、異
なるよう構成されている。
【０１０８】従って、パッケージキャビティ５６で形成
される樹脂パッケージ１２の高さＨ１と、アンカーキャ
ビティ５８により形成されるゲート部３２の高さＨ２
は、異なる高さとなっている。具体的には、本実施例の
場合には樹脂パッケージ１２の高さＨ１をゲート部３２
の高さＨ２より高くなるよう構成している（Ｈ１＞Ｈ
２）。従って、形成される樹脂パッケージ１２とゲート
部３２とは異なった形状を有することとなる。
される樹脂パッケージ１２の高さＨ１と、アンカーキャ
ビティ５８により形成されるゲート部３２の高さＨ２
は、異なる高さとなっている。具体的には、本実施例の
場合には樹脂パッケージ１２の高さＨ１をゲート部３２
の高さＨ２より高くなるよう構成している（Ｈ１＞Ｈ
２）。従って、形成される樹脂パッケージ１２とゲート
部３２とは異なった形状を有することとなる。
【０１０９】前記したように、本実施例で設けられるゲ
ート部３２は、樹脂パッケージ１２を補強すると共にゲ
ート機能を奏するため形成されるものであるため、最終
的には樹脂パッケージ１２から除去されるものである。
このため、仮に樹脂パッケージ１２とゲート部３２とが
同一形状であったとすると、樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２との識別が困難となり、除去作業時においてゲ
ート部３２のみを除去する作業が面倒となる。
ート部３２は、樹脂パッケージ１２を補強すると共にゲ
ート機能を奏するため形成されるものであるため、最終
的には樹脂パッケージ１２から除去されるものである。
このため、仮に樹脂パッケージ１２とゲート部３２とが
同一形状であったとすると、樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２との識別が困難となり、除去作業時においてゲ
ート部３２のみを除去する作業が面倒となる。
【０１１０】これに対し、本実施例のように、アンカー
キャビティ５８の形状とパッケージキャビティ５６の形
状とを異ならせ、樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を積極的に異なる形状とすることにより、樹脂パッケー
ジ１２とゲート部３２のと判別を容易に行なうことがで
きる。これにより、樹脂パッケージ１２からゲート部３
２を除去する作業が容易となり、この除去作業の効率を
向上させることができる。
キャビティ５８の形状とパッケージキャビティ５６の形
状とを異ならせ、樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を積極的に異なる形状とすることにより、樹脂パッケー
ジ１２とゲート部３２のと判別を容易に行なうことがで
きる。これにより、樹脂パッケージ１２からゲート部３
２を除去する作業が容易となり、この除去作業の効率を
向上させることができる。
【０１１１】続いて、下型用キャビティインサート５０
に注目し、以下説明する。前記したように、本実施例で
は、リードフレーム２０の片面に樹脂パッケージ１２を
形成する構成とされているため、下型用キャビティイン
サート５０の上面は略平坦面とされている。しかるに、
樹脂パッケージ１２及びゲート部３２の形成後に上型３
４と下型３６を離型させる際、リードフレーム２０が下
型用キャビティインサート５０に係止された状態を維持
するよう、アンカーホール６２が形成されている。
に注目し、以下説明する。前記したように、本実施例で
は、リードフレーム２０の片面に樹脂パッケージ１２を
形成する構成とされているため、下型用キャビティイン
サート５０の上面は略平坦面とされている。しかるに、
樹脂パッケージ１２及びゲート部３２の形成後に上型３
４と下型３６を離型させる際、リードフレーム２０が下
型用キャビティインサート５０に係止された状態を維持
するよう、アンカーホール６２が形成されている。
【０１１２】このアンカーホール６２は、その内部に、
リードフレーム２０，樹脂パッケージ１２，及びゲート
部３２を下型用キャビティインサート５０から離脱させ
る際に用いるエジェクターピン５２が配設されている。
このエジェクターピン５２は、前記したように下型用ピ
ンプレート４０に接続されたものであり、上動すること
によりゲート部３２と連結形成されているカル６０を上
動付勢し、これによりリードフレーム２０，樹脂パッケ
ージ１２，及びゲート部３２は下型用キャビティインサ
ート５０から離脱する構成とされている。
リードフレーム２０，樹脂パッケージ１２，及びゲート
部３２を下型用キャビティインサート５０から離脱させ
る際に用いるエジェクターピン５２が配設されている。
このエジェクターピン５２は、前記したように下型用ピ
ンプレート４０に接続されたものであり、上動すること
によりゲート部３２と連結形成されているカル６０を上
動付勢し、これによりリードフレーム２０，樹脂パッケ
ージ１２，及びゲート部３２は下型用キャビティインサ
ート５０から離脱する構成とされている。
【０１１３】また、本実施例では、アンカーホール６２
内にエジェクターピン５２が配設されているため、アン
カーホール６２とエジェクターピン５２のピン孔とを共
用化することができ、よって金型構造の簡単化を図るこ
とができる。更に、アンカーホール６２の上端近傍には
傾斜角（アンダーカット）が設けられており、前記した
エジェクターピン５２は上動限にある時、この傾斜角が
形成されている部分には進入しないよう構成されている
（即ち、空間部が形成されている）。よって、樹脂６４
を充填した際、アンカーホール６２内にも樹脂６４は充
填されアンカー突状部８０が形成される。
内にエジェクターピン５２が配設されているため、アン
カーホール６２とエジェクターピン５２のピン孔とを共
用化することができ、よって金型構造の簡単化を図るこ
とができる。更に、アンカーホール６２の上端近傍には
傾斜角（アンダーカット）が設けられており、前記した
エジェクターピン５２は上動限にある時、この傾斜角が
形成されている部分には進入しないよう構成されている
（即ち、空間部が形成されている）。よって、樹脂６４
を充填した際、アンカーホール６２内にも樹脂６４は充
填されアンカー突状部８０が形成される。
【０１１４】このアンカー突状部８０が形成されること
により、カル６０は下型用キャビティインサート５０に
食い込んだ状態となるため、離型時において樹脂パッケ
ージ１２，及びゲート部３２を下型用キャビティインサ
ート５０に係止することができる。このように、樹脂パ
ッケージ１２及びゲート部３２が下型用キャビティイン
サート５０に仮固定されることにより、離型時に樹脂パ
ッケージ１２及びゲート部３２が上型用キャビティイン
サート４４に持っていかれることを防止することがで
き、また樹脂パッケージ１２とリードフレーム２０との
間に剥離力が作用することを低減することができる。
により、カル６０は下型用キャビティインサート５０に
食い込んだ状態となるため、離型時において樹脂パッケ
ージ１２，及びゲート部３２を下型用キャビティインサ
ート５０に係止することができる。このように、樹脂パ
ッケージ１２及びゲート部３２が下型用キャビティイン
サート５０に仮固定されることにより、離型時に樹脂パ
ッケージ１２及びゲート部３２が上型用キャビティイン
サート４４に持っていかれることを防止することがで
き、また樹脂パッケージ１２とリードフレーム２０との
間に剥離力が作用することを低減することができる。
【０１１５】上記した封止工程を実施することにより、
リードフレーム２０上に樹脂パッケージ１２及びゲート
部３２が形成されると、続いて樹脂パッケージ１２及び
ゲート部３２をリードフレーム２０から分離する分離工
程が実施される。本実施例では、リードフレーム２０を
エッチングにより溶解除去することにより、樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２をリードフレーム２０から分
離する方法を採用している。
リードフレーム２０上に樹脂パッケージ１２及びゲート
部３２が形成されると、続いて樹脂パッケージ１２及び
ゲート部３２をリードフレーム２０から分離する分離工
程が実施される。本実施例では、リードフレーム２０を
エッチングにより溶解除去することにより、樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２をリードフレーム２０から分
離する方法を採用している。
【０１１６】また、エッチングによりリードフレーム２
０を除去する方法としては、エッチング液をシャワー状
にリードフレーム２０に噴射することによりエッチング
処理を行なう方法や、また樹脂パッケージ１２及びゲー
ト部３２と共にリードフレーム２０をエッチング液内に
浸漬する方法が考えられる。この何れの方法を採用する
ことも可能であるが、以下の説明ではエッチング液をシ
ャワー状にリードフレーム２０に噴射する方法を例に挙
げて説明するものとする。
０を除去する方法としては、エッチング液をシャワー状
にリードフレーム２０に噴射することによりエッチング
処理を行なう方法や、また樹脂パッケージ１２及びゲー
ト部３２と共にリードフレーム２０をエッチング液内に
浸漬する方法が考えられる。この何れの方法を採用する
ことも可能であるが、以下の説明ではエッチング液をシ
ャワー状にリードフレーム２０に噴射する方法を例に挙
げて説明するものとする。
【０１１７】図２５は、この分離工程で用いられるエッ
チング装置５０を示している。図２５（Ａ）はエッチン
グ装置５０を平面視した概略構成図であり、また図２５
（Ｂ）はエッチング装置５０を側面視した概略構成図で
ある。このエッチング装置５０は、大略するとキャリヤ
供給部５１，リードフレームスタッカー５３，貼着部５
５，枠回転機構５７，エッチング部５９，及びキャリヤ
回収部６７等により構成されている。
チング装置５０を示している。図２５（Ａ）はエッチン
グ装置５０を平面視した概略構成図であり、また図２５
（Ｂ）はエッチング装置５０を側面視した概略構成図で
ある。このエッチング装置５０は、大略するとキャリヤ
供給部５１，リードフレームスタッカー５３，貼着部５
５，枠回転機構５７，エッチング部５９，及びキャリヤ
回収部６７等により構成されている。
【０１１８】キャリヤ供給部５１は、複数のキャリヤ６
０を収納すると共に、このキャリヤ６０を貼着部５５に
供給する機能を奏するものである。また、リードフレー
ムスタッカー５３には、前記した封止工程において樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０（図２８参照）が複数個収納されている。貼
着部５５では、リードフレームスタッカー５３から樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０が供給されると共に、キャリヤ供給部５１か
らはキャリヤ６０が供給され、リードフレーム２０をキ
ャリヤ６０に貼着する処理を行なう。本実施例では、リ
ードフレーム２０に対しエッチング処理を行なう際、リ
ードフレーム２０をキャリヤ６０に貼着した状態で搬送
及びエッチング処理を行なうことを特徴とするものであ
る。
０を収納すると共に、このキャリヤ６０を貼着部５５に
供給する機能を奏するものである。また、リードフレー
ムスタッカー５３には、前記した封止工程において樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０（図２８参照）が複数個収納されている。貼
着部５５では、リードフレームスタッカー５３から樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０が供給されると共に、キャリヤ供給部５１か
らはキャリヤ６０が供給され、リードフレーム２０をキ
ャリヤ６０に貼着する処理を行なう。本実施例では、リ
ードフレーム２０に対しエッチング処理を行なう際、リ
ードフレーム２０をキャリヤ６０に貼着した状態で搬送
及びエッチング処理を行なうことを特徴とするものであ
る。
【０１１９】図２６及び図２７は、リードフレーム２０
が貼着された状態のキャリヤ６０を示している。同図に
示されるように、キャリヤ６０は金属枠６１と貼着テー
プ６３とにより構成されている。金属枠６１は矩形状の
枠体であり、チタン若しくは樹脂コーティングされた金
属により形成されている。また、樹脂により枠体６１を
形成することも可能である。
が貼着された状態のキャリヤ６０を示している。同図に
示されるように、キャリヤ６０は金属枠６１と貼着テー
プ６３とにより構成されている。金属枠６１は矩形状の
枠体であり、チタン若しくは樹脂コーティングされた金
属により形成されている。また、樹脂により枠体６１を
形成することも可能である。
【０１２０】即ち、金属枠６１の材質は、エッチング液
により変質しない材質が選定されている。このように金
属枠６１の材質を選定することにより、金属枠６１がエ
ッチング液により侵されることを防止することができ、
繰り返しの使用を可能とすることができる。また、貼着
テープ６３は、金属枠６１と同様にエッチング液により
変質しない樹脂ベースフィルム上に貼着材を塗布した構
成とされている。本実施例では、貼着テープ６３の貼着
材として、水に濡れることにより貼着力を失う材質を用
いている。
により変質しない材質が選定されている。このように金
属枠６１の材質を選定することにより、金属枠６１がエ
ッチング液により侵されることを防止することができ、
繰り返しの使用を可能とすることができる。また、貼着
テープ６３は、金属枠６１と同様にエッチング液により
変質しない樹脂ベースフィルム上に貼着材を塗布した構
成とされている。本実施例では、貼着テープ６３の貼着
材として、水に濡れることにより貼着力を失う材質を用
いている。
【０１２１】この貼着テープ６３は、相対向する２辺６
３ａ，６３ｂのみを金属枠６１に固定し、他の相対向す
る２辺６３ｃ，６３ｄは金属枠６１から離間させた構成
としている。この構成とすることにより、キャリヤ６０
の内際には間隙６０ａが形成されることとなる。続い
て、図２９を用いて、貼着部５５で実施されるリードフ
レーム２０をキャリヤ６０に貼着する具体的処理につい
て説明する。リードフレーム２０をキャリヤ６０に貼着
するには、先ずリードフレームスタッカー５３から樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０が貼着部５５に供給されると共に、貼着部５
５に予め配設されている位置決め架台７０に装着され
る。
３ａ，６３ｂのみを金属枠６１に固定し、他の相対向す
る２辺６３ｃ，６３ｄは金属枠６１から離間させた構成
としている。この構成とすることにより、キャリヤ６０
の内際には間隙６０ａが形成されることとなる。続い
て、図２９を用いて、貼着部５５で実施されるリードフ
レーム２０をキャリヤ６０に貼着する具体的処理につい
て説明する。リードフレーム２０をキャリヤ６０に貼着
するには、先ずリードフレームスタッカー５３から樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２が形成されたリードフ
レーム２０が貼着部５５に供給されると共に、貼着部５
５に予め配設されている位置決め架台７０に装着され
る。
【０１２２】位置決め架台７０には凹部７０ａが形成さ
れており、この凹部７０ａの形成位置はリードフレーム
２０の所定装着位置に選定されている。よって、単に位
置決め架台７０の凹部７０ａにリードフレーム２０を装
着することにより、リードフレーム２０は貼着部５５内
の所定位置に位置決めされた状態となる。上記のよう
に、位置決め架台７０にリードフレーム２０が装着され
ると、続いてキャリヤ供給部５１からはキャリヤ６０が
供給され、リードフレーム２０と同様に位置決め架台７
０に形成されているキャリヤ用凹部７０ｂに装着され
る。これにより、リードフレーム２０とキャリヤ６０は
位置決め架台７０により位置決めされた状態となる。ま
た本実施例では、上記装着状態においてリードフレーム
２０は樹脂パッケージ１２及びゲート部３２に対し下部
に位置しており、かつキャリヤ６０に設けられた貼着テ
ープ６３が樹脂パッケージ１２及びゲート部３２の上部
に位置するよう構成されている。
れており、この凹部７０ａの形成位置はリードフレーム
２０の所定装着位置に選定されている。よって、単に位
置決め架台７０の凹部７０ａにリードフレーム２０を装
着することにより、リードフレーム２０は貼着部５５内
の所定位置に位置決めされた状態となる。上記のよう
に、位置決め架台７０にリードフレーム２０が装着され
ると、続いてキャリヤ供給部５１からはキャリヤ６０が
供給され、リードフレーム２０と同様に位置決め架台７
０に形成されているキャリヤ用凹部７０ｂに装着され
る。これにより、リードフレーム２０とキャリヤ６０は
位置決め架台７０により位置決めされた状態となる。ま
た本実施例では、上記装着状態においてリードフレーム
２０は樹脂パッケージ１２及びゲート部３２に対し下部
に位置しており、かつキャリヤ６０に設けられた貼着テ
ープ６３が樹脂パッケージ１２及びゲート部３２の上部
に位置するよう構成されている。
【０１２３】リードフレーム２０及びキャリヤ６０が位
置決め架台７０に装着されると、続いて張り付け治具６
９が下動し、貼着テープ６３をリードフレーム２０に向
け押圧する。この際、張り付け治具６９には下方に向け
突出した押圧部６９ａが形成されており、かつこの押圧
部６９ａの形成位置は樹脂パッケージ１２の位置に対応
するよう構成されている。また、前記したようにゲート
部３２の高さＨ２は、樹脂パッケージ１２の高さＨ１に
比べて低く形成されている（図２３参照）。
置決め架台７０に装着されると、続いて張り付け治具６
９が下動し、貼着テープ６３をリードフレーム２０に向
け押圧する。この際、張り付け治具６９には下方に向け
突出した押圧部６９ａが形成されており、かつこの押圧
部６９ａの形成位置は樹脂パッケージ１２の位置に対応
するよう構成されている。また、前記したようにゲート
部３２の高さＨ２は、樹脂パッケージ１２の高さＨ１に
比べて低く形成されている（図２３参照）。
【０１２４】よって、張り付け治具６９により貼着処理
が行なわれた状態におていて、貼着テープ６３は樹脂パ
ッケージ１２の上部にのみと貼着し、ゲート部３２と貼
着テープ６３とは離間した状態となっている。尚、図２
６に示されるように、リードフレーム２０は貼着テープ
６３に複数個整列した状態で装着され、よって一括して
多数のリードフレーム２０に対し分離工程を実施できる
構成となっている。
が行なわれた状態におていて、貼着テープ６３は樹脂パ
ッケージ１２の上部にのみと貼着し、ゲート部３２と貼
着テープ６３とは離間した状態となっている。尚、図２
６に示されるように、リードフレーム２０は貼着テープ
６３に複数個整列した状態で装着され、よって一括して
多数のリードフレーム２０に対し分離工程を実施できる
構成となっている。
【０１２５】ここで、再び図２５に戻り、エッチング装
置５０の構成についての説明を続ける。上記のようにリ
ードフレーム２０（樹脂パッケージ１２，ゲート部３
２）がキャリヤ６０に装着されると、このキャリヤ６０
は枠回転機構５７により回転されて上下が反転される。
これにより、貼着テープ６３が下に位置し、リードフレ
ーム２０が上に位置した状態となる。
置５０の構成についての説明を続ける。上記のようにリ
ードフレーム２０（樹脂パッケージ１２，ゲート部３
２）がキャリヤ６０に装着されると、このキャリヤ６０
は枠回転機構５７により回転されて上下が反転される。
これにより、貼着テープ６３が下に位置し、リードフレ
ーム２０が上に位置した状態となる。
【０１２６】続いて、上記のようにリードフレーム２０
が上に位置するよう反転されたキャリヤ６０は、搬送ベ
ルト６６に載置されてエッチング部５９に搬送される。
このエッチング部５９は、上部にエッチング液を噴射す
るノズル６５が配設されており、よって搬送ベルト６６
に載置されてキャリヤ６０が移動する際、リードフレー
ム２０に向けエッチング液が噴射される。これにより、
リードフレーム２０はエッチング液により溶解除去され
る。
が上に位置するよう反転されたキャリヤ６０は、搬送ベ
ルト６６に載置されてエッチング部５９に搬送される。
このエッチング部５９は、上部にエッチング液を噴射す
るノズル６５が配設されており、よって搬送ベルト６６
に載置されてキャリヤ６０が移動する際、リードフレー
ム２０に向けエッチング液が噴射される。これにより、
リードフレーム２０はエッチング液により溶解除去され
る。
【０１２７】また、リードフレーム２０に形成されてい
た金属膜１３はエッチング液により溶解しない材質とさ
れているため、リードフレーム２０がエッチングされる
ことにより、金属膜１３は樹脂パッケージ１２に形成さ
れた樹脂突起１７に付着した状態となる。ところで、上
記したように貼着テープ６３は、相対向する２辺６３
ａ，６３ｂのみを金属枠６１に固定し、他の相対向する
２辺６３ｃ，６３ｄは金属枠６１から離間させた構成と
されているため、キャリヤ６０の内際には間隙６０ａが
形成されている。よって、エッチング部５９においてキ
ャリヤ６０（リードフレーム２０）に向けて噴射された
エッチング液は、この間隙６０ａよりキャリヤ６０の下
部に排出されていく。よって、キャリヤ６０内にエッチ
ング液が溜まることを防止でき、偏りのないエッチング
処理が可能となる。
た金属膜１３はエッチング液により溶解しない材質とさ
れているため、リードフレーム２０がエッチングされる
ことにより、金属膜１３は樹脂パッケージ１２に形成さ
れた樹脂突起１７に付着した状態となる。ところで、上
記したように貼着テープ６３は、相対向する２辺６３
ａ，６３ｂのみを金属枠６１に固定し、他の相対向する
２辺６３ｃ，６３ｄは金属枠６１から離間させた構成と
されているため、キャリヤ６０の内際には間隙６０ａが
形成されている。よって、エッチング部５９においてキ
ャリヤ６０（リードフレーム２０）に向けて噴射された
エッチング液は、この間隙６０ａよりキャリヤ６０の下
部に排出されていく。よって、キャリヤ６０内にエッチ
ング液が溜まることを防止でき、偏りのないエッチング
処理が可能となる。
【０１２８】エッチング部５９においてリードフレーム
２０がエッチングされると、キャリヤ６０には樹脂パッ
ケージ１２とゲート部３２のみが残存した状態となる。
この状態のキャリヤ６０はキャリア回収部６７に搬送さ
れ、このキャリア回収部６７内に収納される。上記のよ
うに、本実施例では分離工程において、キャリヤ６０に
配設された貼着テープ６３にリードフレーム２０と一体
化した状態の樹脂パッケージ１２を貼付し、エッチング
処理時においてこのキャリヤ６０を単位として搬送を行
なう構成とした。これにより、エッチング処理時におい
て、複雑な搬送機構を必要とすることなく樹脂パッケー
ジ１２（リードフレーム２０）の搬送を行なうことが可
能となり、よってエッチング装置５０内における搬送機
構の構成を簡単化することができる。
２０がエッチングされると、キャリヤ６０には樹脂パッ
ケージ１２とゲート部３２のみが残存した状態となる。
この状態のキャリヤ６０はキャリア回収部６７に搬送さ
れ、このキャリア回収部６７内に収納される。上記のよ
うに、本実施例では分離工程において、キャリヤ６０に
配設された貼着テープ６３にリードフレーム２０と一体
化した状態の樹脂パッケージ１２を貼付し、エッチング
処理時においてこのキャリヤ６０を単位として搬送を行
なう構成とした。これにより、エッチング処理時におい
て、複雑な搬送機構を必要とすることなく樹脂パッケー
ジ１２（リードフレーム２０）の搬送を行なうことが可
能となり、よってエッチング装置５０内における搬送機
構の構成を簡単化することができる。
【０１２９】また、貼着テープ６３に対し樹脂パッケー
ジ１２（リードフレーム２０）を脱落が無いように確実
に行うことができ、仮に樹脂パッケージ１２の脱落があ
ったとしても容易にこれを認識することができる。更
に、リードフレーム２０に対するエッチングが不充分で
あった場合でも、キャリヤ６０を再びエッチング部５９
に送り込むだけでよく、エッチング再処理が容易とな
る。
ジ１２（リードフレーム２０）を脱落が無いように確実
に行うことができ、仮に樹脂パッケージ１２の脱落があ
ったとしても容易にこれを認識することができる。更
に、リードフレーム２０に対するエッチングが不充分で
あった場合でも、キャリヤ６０を再びエッチング部５９
に送り込むだけでよく、エッチング再処理が容易とな
る。
【０１３０】更に、図２９を用いて説明したように、金
属枠６１に対して樹脂パッケージ１２（リードフレーム
２０）の位置は高精度に位置決めされるため、エッチン
グ完了後に実施される貼着テープ６３から樹脂パッケー
ジ１２を分離する処理、及びゲート部３２の除去処理等
を容易に行なうことができる。次に、貼着部５５の他実
施例について、図３０及び図３１を用いて説明する。
属枠６１に対して樹脂パッケージ１２（リードフレーム
２０）の位置は高精度に位置決めされるため、エッチン
グ完了後に実施される貼着テープ６３から樹脂パッケー
ジ１２を分離する処理、及びゲート部３２の除去処理等
を容易に行なうことができる。次に、貼着部５５の他実
施例について、図３０及び図３１を用いて説明する。
【０１３１】図３０は、第２実施例である貼着部５５Ａ
を示している。先に図２９を用いて説明した第１実施例
に係る貼着部５５は、位置決め架台７０を用い、樹脂パ
ッケージ１２が上側に位置するようリードフレーム２０
を位置決め架台７０に装着すると共に、その上部から貼
着テープ６３を樹脂パッケージ１２に貼着する構成とし
ていた。
を示している。先に図２９を用いて説明した第１実施例
に係る貼着部５５は、位置決め架台７０を用い、樹脂パ
ッケージ１２が上側に位置するようリードフレーム２０
を位置決め架台７０に装着すると共に、その上部から貼
着テープ６３を樹脂パッケージ１２に貼着する構成とし
ていた。
【０１３２】これに対し、本実施例では、貼着テープ６
３の貼着面が上に位置するようキャリヤ６０を平らな基
台（図示せず）上に載置すると共に、樹脂パッケージ１
２が下側に位置するようにしてリードフレーム２０をキ
ャリヤ６０に貼着したことを特徴とするものである。本
実施例の構成によれば、樹脂パッケージ１２を下側に位
置した状態において、ゲート部３２に対して樹脂パッケ
ージ１２は突出しているため、単にリードフレーム２０
を貼着テープ６３に向け押圧するだけの処理で、樹脂パ
ッケージ１２のみを貼着テープ６３に貼着することがで
きる。よって、第１実施例で必要とされた張り付け治具
６９を不要とすることができ、貼着部５５の構成を簡単
化することができる。
３の貼着面が上に位置するようキャリヤ６０を平らな基
台（図示せず）上に載置すると共に、樹脂パッケージ１
２が下側に位置するようにしてリードフレーム２０をキ
ャリヤ６０に貼着したことを特徴とするものである。本
実施例の構成によれば、樹脂パッケージ１２を下側に位
置した状態において、ゲート部３２に対して樹脂パッケ
ージ１２は突出しているため、単にリードフレーム２０
を貼着テープ６３に向け押圧するだけの処理で、樹脂パ
ッケージ１２のみを貼着テープ６３に貼着することがで
きる。よって、第１実施例で必要とされた張り付け治具
６９を不要とすることができ、貼着部５５の構成を簡単
化することができる。
【０１３３】図３１は、第３実施例である貼着部５５Ｂ
を示している。先に説明した第１実施例に係る貼着部５
５は、樹脂パッケージ１２の位置に対応するよう設けら
れた押圧部６９ａを有する張り付け治具６９を用いて樹
脂パッケージ１２を貼着テープ６３に貼着する構成とし
ていた。これに対し、本実施例では、スポットエアー生
成装置７１を設けると共に、このスポットエアー生成装
置７１が生成した高圧空気を噴射するノズル７２を樹脂
パッケージ１２の位置に対応する位置に配設したことを
特徴とするものである。従って、貼着テープ６３の樹脂
パッケージ１２と対向する位置には上部からスポットエ
アーが吹き付けられ、このスポットエアーに押圧される
ことにより貼着テープ６３は樹脂パッケージ１２とのみ
貼着される。
を示している。先に説明した第１実施例に係る貼着部５
５は、樹脂パッケージ１２の位置に対応するよう設けら
れた押圧部６９ａを有する張り付け治具６９を用いて樹
脂パッケージ１２を貼着テープ６３に貼着する構成とし
ていた。これに対し、本実施例では、スポットエアー生
成装置７１を設けると共に、このスポットエアー生成装
置７１が生成した高圧空気を噴射するノズル７２を樹脂
パッケージ１２の位置に対応する位置に配設したことを
特徴とするものである。従って、貼着テープ６３の樹脂
パッケージ１２と対向する位置には上部からスポットエ
アーが吹き付けられ、このスポットエアーに押圧される
ことにより貼着テープ６３は樹脂パッケージ１２とのみ
貼着される。
【０１３４】本実施例の構成では、第１実施例のように
治具６９が直接貼着テープ６３を押圧せず、スポットエ
アーにより押圧する構成であるため、貼着テープ６３に
傷が付くことを防止することができる。よって、本実施
例の構成によれば、キャリヤ６０の長寿命化を図ること
ができる。上記のように、分離工程において樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２がリードフレーム２０から分
離されると、続いてゲートブレーク処理が実施される。
図３２は、リードフレーム２０が除去された直後の樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２を示している。同図に
示すように、この状態の樹脂パッケージ１２にはゲート
部３２が一体的に連結された構成となっている。
治具６９が直接貼着テープ６３を押圧せず、スポットエ
アーにより押圧する構成であるため、貼着テープ６３に
傷が付くことを防止することができる。よって、本実施
例の構成によれば、キャリヤ６０の長寿命化を図ること
ができる。上記のように、分離工程において樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２がリードフレーム２０から分
離されると、続いてゲートブレーク処理が実施される。
図３２は、リードフレーム２０が除去された直後の樹脂
パッケージ１２及びゲート部３２を示している。同図に
示すように、この状態の樹脂パッケージ１２にはゲート
部３２が一体的に連結された構成となっている。
【０１３５】従って、個々の半導体装置１０を形成する
には、ゲート部３２を樹脂パッケージ１２から分離する
必要がある。このため、図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示す位
置、即ち樹脂パッケージ１２とゲート部３２との境界部
分において、ゲート部３２を樹脂パッケージ１２から切
断する必要がある。そこで、図３２に示すゲート部３２
が連結された樹脂パッケージ１２は、ゲートブレイク装
置に搬送され、前記した図３２（Ｂ）に矢印Ｃで切断処
理を行い、ゲート部３２と樹脂パッケージ１２とを分離
する処理を行なう。このゲートブレイク処理が実施され
ることにより、半導体装置１０が形成される。
には、ゲート部３２を樹脂パッケージ１２から分離する
必要がある。このため、図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示す位
置、即ち樹脂パッケージ１２とゲート部３２との境界部
分において、ゲート部３２を樹脂パッケージ１２から切
断する必要がある。そこで、図３２に示すゲート部３２
が連結された樹脂パッケージ１２は、ゲートブレイク装
置に搬送され、前記した図３２（Ｂ）に矢印Ｃで切断処
理を行い、ゲート部３２と樹脂パッケージ１２とを分離
する処理を行なう。このゲートブレイク処理が実施され
ることにより、半導体装置１０が形成される。
【０１３６】図３３乃至図３９は、このゲートブレイク
処理を行なうゲートブレイク装置８０Ａ〜８０Ｅを示し
ている。各図に示されるように、ゲートブレイク処理を
行なうには、貼着テープ６３に貼着されている樹脂パッ
ケージ１２に保護テープ７３を貼着する。この保護テー
プ７３は、貼着テープ６３の基材と同一の部材である。
処理を行なうゲートブレイク装置８０Ａ〜８０Ｅを示し
ている。各図に示されるように、ゲートブレイク処理を
行なうには、貼着テープ６３に貼着されている樹脂パッ
ケージ１２に保護テープ７３を貼着する。この保護テー
プ７３は、貼着テープ６３の基材と同一の部材である。
【０１３７】また、貼着テープ６３は樹脂パッケージ１
２の表面に貼着しているため、保護テープ７３は樹脂パ
ッケージ１２の金属膜１３が形成されている面に貼着さ
れることとなる。このように、樹脂パッケージ１２の金
属膜１３が配設された側の面に保護テープ７３を配設す
ることにより、金属膜１３は保護テープ７３により保護
された構成となる。このため、分離処理時等に外力が印
加されても、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜
１３を確実に保護することが可能となる。
２の表面に貼着しているため、保護テープ７３は樹脂パ
ッケージ１２の金属膜１３が形成されている面に貼着さ
れることとなる。このように、樹脂パッケージ１２の金
属膜１３が配設された側の面に保護テープ７３を配設す
ることにより、金属膜１３は保護テープ７３により保護
された構成となる。このため、分離処理時等に外力が印
加されても、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜
１３を確実に保護することが可能となる。
【０１３８】また、保護テープ７３を配設することによ
り、樹脂パッケージ１２及びゲート部３２は、各テープ
６３，７３により挟まれた構成となるため、以下説明す
るゲートブレーク処理において樹脂パッケージ１２とゲ
ート部３２が分離されても、樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２がバラバラに落下することを防止することが
できる。
り、樹脂パッケージ１２及びゲート部３２は、各テープ
６３，７３により挟まれた構成となるため、以下説明す
るゲートブレーク処理において樹脂パッケージ１２とゲ
ート部３２が分離されても、樹脂パッケージ１２及びゲ
ート部３２がバラバラに落下することを防止することが
できる。
【０１３９】以下、各ゲートブレイク装置８０Ａ〜８０
Ｅについて説明する。先ず、図３３乃至図３５に示すゲ
ートブレイク装置８０Ａについて説明する。ゲートブレ
イク装置８０Ａは、ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃ（折り曲
げ治具）を用いて樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を分離する構成とされている。ゲート部３２及び樹脂パ
ッケージ１２を貼着した各テープ６３，７３は、図中左
から右に向けて（図中、矢印で示す方向に）走行し、そ
の走行途中に設けられたゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃによ
り分離処理が行なわれる。
Ｅについて説明する。先ず、図３３乃至図３５に示すゲ
ートブレイク装置８０Ａについて説明する。ゲートブレ
イク装置８０Ａは、ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃ（折り曲
げ治具）を用いて樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を分離する構成とされている。ゲート部３２及び樹脂パ
ッケージ１２を貼着した各テープ６３，７３は、図中左
から右に向けて（図中、矢印で示す方向に）走行し、そ
の走行途中に設けられたゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃによ
り分離処理が行なわれる。
【０１４０】ゴムローラ７４Ａは大径のローラ（以下、
上ゴムローラ７４Ａという）であり、他のゴムローラ７
４Ｂ，７４Ｃはゴムローラ７４Ａより小径とされている
（以下、ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃを下ゴムローラ７４
Ｂ，７４Ｃという）。また、上ゴムローラ７４Ａは各テ
ープ６３，７３の走行経路に対し上部に配設されてお
り、下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは各テープ６３，７３
の走行経路に対し下部に配設されている。更に、一対の
下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは、上記走行方向に対し上
ゴムローラ７４Ａを挟むよう配設されている。
上ゴムローラ７４Ａという）であり、他のゴムローラ７
４Ｂ，７４Ｃはゴムローラ７４Ａより小径とされている
（以下、ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃを下ゴムローラ７４
Ｂ，７４Ｃという）。また、上ゴムローラ７４Ａは各テ
ープ６３，７３の走行経路に対し上部に配設されてお
り、下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは各テープ６３，７３
の走行経路に対し下部に配設されている。更に、一対の
下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは、上記走行方向に対し上
ゴムローラ７４Ａを挟むよう配設されている。
【０１４１】上ゴムローラ７４Ａは各テープ６３，７３
を下方に向け押圧し、また下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃ
は、各テープ６３，７３を上方に向け押圧するよう構成
されている。従って、各ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃの配
設位置において、各テープ６３，７３の走行経路は、略
Ｖ字状に大きく折曲された状態となる（図３３及び図３
４参照）。
を下方に向け押圧し、また下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃ
は、各テープ６３，７３を上方に向け押圧するよう構成
されている。従って、各ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃの配
設位置において、各テープ６３，７３の走行経路は、略
Ｖ字状に大きく折曲された状態となる（図３３及び図３
４参照）。
【０１４２】この折曲位置において、上ゴムローラ７４
Ａは樹脂パッケージ１２またはゲート部３２を下方に付
勢し、逆に下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは樹脂パッケー
ジ１２またはゲート部３２を上方に付勢する。よって、
図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示す樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２との境界部分（肉薄となった機械的強度が弱い
部分）に曲げ力が集中し、この部位においてゲート部３
２は樹脂パッケージ１２の表面側に折曲される。これに
より、上記境界部分は割れ、樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２は分離する。
Ａは樹脂パッケージ１２またはゲート部３２を下方に付
勢し、逆に下ゴムローラ７４Ｂ，７４Ｃは樹脂パッケー
ジ１２またはゲート部３２を上方に付勢する。よって、
図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示す樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２との境界部分（肉薄となった機械的強度が弱い
部分）に曲げ力が集中し、この部位においてゲート部３
２は樹脂パッケージ１２の表面側に折曲される。これに
より、上記境界部分は割れ、樹脂パッケージ１２とゲー
ト部３２は分離する。
【０１４３】このように、本実施例によれば、ゴムロー
ラ７４Ａ〜７４Ｂからなる簡単な構成により、確実に樹
脂パッケージ１２とゲート部３２とを分離することがで
きる。また、樹脂パッケージ１２の走行経路を挟んで、
その上部に上ゴムローラ７４Ａを１本配設すると共に、
この上ゴムローラ７４Ａを挟むよう下ゴムローラ７４
Ｂ，７４Ｃ２本配設することにより、少ないローラ数で
確実に樹脂パッケージ１２とゲート部３２との分離処理
を行なうことができる。
ラ７４Ａ〜７４Ｂからなる簡単な構成により、確実に樹
脂パッケージ１２とゲート部３２とを分離することがで
きる。また、樹脂パッケージ１２の走行経路を挟んで、
その上部に上ゴムローラ７４Ａを１本配設すると共に、
この上ゴムローラ７４Ａを挟むよう下ゴムローラ７４
Ｂ，７４Ｃ２本配設することにより、少ないローラ数で
確実に樹脂パッケージ１２とゲート部３２との分離処理
を行なうことができる。
【０１４４】また、上記のようにゲートブレイク時にお
いて、樹脂パッケージ１２の表面方向にゲート部３２が
折曲されるよう各ゴム７４Ａ〜７４Ｃを配置している。
また、図３２（Ｂ）に示されるように、樹脂パッケージ
１２とゲート部３２との境界部分の表面側には溝部３２
ａが形成され肉薄となっている。よって、ゲート部３２
を樹脂パッケージ１２の表面方向に折曲することによ
り、分離時に樹脂パッケージ１２に欠けが発生すること
を防止でき、歩留りの向上を図ることができる。
いて、樹脂パッケージ１２の表面方向にゲート部３２が
折曲されるよう各ゴム７４Ａ〜７４Ｃを配置している。
また、図３２（Ｂ）に示されるように、樹脂パッケージ
１２とゲート部３２との境界部分の表面側には溝部３２
ａが形成され肉薄となっている。よって、ゲート部３２
を樹脂パッケージ１２の表面方向に折曲することによ
り、分離時に樹脂パッケージ１２に欠けが発生すること
を防止でき、歩留りの向上を図ることができる。
【０１４５】更に、各ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃは、図
示しない駆動機構により図３３に矢印で示す方向に回転
する構成とされているため、各ゴムローラ７４Ａ〜７４
Ｃの回転により各テープ６３，７３は樹脂パッケージ１
２の搬送方向へ移動付勢される。即ち、本実施例では各
ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃを樹脂パッケージ１２を搬送
する搬送機構として兼用されており、よって搬送機構の
構成を簡単化することができる。
示しない駆動機構により図３３に矢印で示す方向に回転
する構成とされているため、各ゴムローラ７４Ａ〜７４
Ｃの回転により各テープ６３，７３は樹脂パッケージ１
２の搬送方向へ移動付勢される。即ち、本実施例では各
ゴムローラ７４Ａ〜７４Ｃを樹脂パッケージ１２を搬送
する搬送機構として兼用されており、よって搬送機構の
構成を簡単化することができる。
【０１４６】続いて、図３６に示すゲートブレイク装置
８０Ｂについて説明する。ゲートブレイク装置８０Ｂ
は、くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂ（プレス治具）を用
い、樹脂パッケージ１２とゲート部３２との厚さの差を
利用して両者を分離する構成とされている。尚、本実施
例においても、ゲート部３２及び樹脂パッケージ１２
は、一対のテープ６３，７３の間に貼着された状態でゲ
ートブレークされる。
８０Ｂについて説明する。ゲートブレイク装置８０Ｂ
は、くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂ（プレス治具）を用
い、樹脂パッケージ１２とゲート部３２との厚さの差を
利用して両者を分離する構成とされている。尚、本実施
例においても、ゲート部３２及び樹脂パッケージ１２
は、一対のテープ６３，７３の間に貼着された状態でゲ
ートブレークされる。
【０１４７】前記したように、樹脂パッケージ１２の高
さＨ１は、ゲート部３２の高さＨ２に比べて大きく設定
されている（図３２（Ｂ）参照）。従って、金属膜１３
の形成面を上側（くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂと対向す
る側）にして固定ブロック８２に装着すると、ゲート部
３２と固定ブロック８２との間（具体的には、ゲート部
３２と貼着テープ６３との間）には間隙が形成される。
さＨ１は、ゲート部３２の高さＨ２に比べて大きく設定
されている（図３２（Ｂ）参照）。従って、金属膜１３
の形成面を上側（くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂと対向す
る側）にして固定ブロック８２に装着すると、ゲート部
３２と固定ブロック８２との間（具体的には、ゲート部
３２と貼着テープ６３との間）には間隙が形成される。
【０１４８】また、くし歯状突起７８Ａはゲート部３２
の全面と対向するよう構成されており、またくし歯状突
起７８Ｂはゲート部３２と樹脂パッケージ１２との境界
部分と対向するよう構成されている。この状態におい
て、図中矢印で示すように、くし歯状突起７８Ａ，７８
Ｂを固定ブロック８２に向けて下方にプレスする。これ
により、図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示した境界部分に剪断
力が発生し、よってこの部位においてゲート部３２は打
ち抜かれ、樹脂パッケージ１２とゲート部３２とは分離
する。
の全面と対向するよう構成されており、またくし歯状突
起７８Ｂはゲート部３２と樹脂パッケージ１２との境界
部分と対向するよう構成されている。この状態におい
て、図中矢印で示すように、くし歯状突起７８Ａ，７８
Ｂを固定ブロック８２に向けて下方にプレスする。これ
により、図３２（Ｂ）に矢印Ｃで示した境界部分に剪断
力が発生し、よってこの部位においてゲート部３２は打
ち抜かれ、樹脂パッケージ１２とゲート部３２とは分離
する。
【０１４９】本実施例のように、ゲート部３２、または
ゲート部３２と樹脂パッケージ１２との境界部分をくし
歯状突起７８Ａ，７８Ｂ（プレス治具）によりプレス
し、樹脂パッケージ１２とゲート部３２を分離する構成
では、くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂを上記の各境界位置
或いはゲート部３２に配設することにより、複数の切断
箇所を一括的に切断することが可能である。よって、こ
の構成とした場合に、効率の高い分離処理を行なうこと
ができる。
ゲート部３２と樹脂パッケージ１２との境界部分をくし
歯状突起７８Ａ，７８Ｂ（プレス治具）によりプレス
し、樹脂パッケージ１２とゲート部３２を分離する構成
では、くし歯状突起７８Ａ，７８Ｂを上記の各境界位置
或いはゲート部３２に配設することにより、複数の切断
箇所を一括的に切断することが可能である。よって、こ
の構成とした場合に、効率の高い分離処理を行なうこと
ができる。
【０１５０】続いて、図３７及び図３８（Ａ），（Ｂ）
に示すゲートブレイク装置８０Ｃ，８０Ｄについて説明
する。ゲートブレイク装置８０Ｃは、レーザ発生装置８
４を用い、レーザ光により樹脂パッケージ１２とゲート
部３２との境界部分を切断する構成とされている。ま
た、ゲートブレイク装置８０Ｄは、回転するカッター８
６により樹脂パッケージ１２とゲート部３２との境界部
分を切断する構成とされている。
に示すゲートブレイク装置８０Ｃ，８０Ｄについて説明
する。ゲートブレイク装置８０Ｃは、レーザ発生装置８
４を用い、レーザ光により樹脂パッケージ１２とゲート
部３２との境界部分を切断する構成とされている。ま
た、ゲートブレイク装置８０Ｄは、回転するカッター８
６により樹脂パッケージ１２とゲート部３２との境界部
分を切断する構成とされている。
【０１５１】この各ゲートブレイク装置８０Ｃ，８０Ｄ
では、分離位置を高精度に位置出しすることが可能であ
る。よって、形成される樹脂パッケージ１２（半導体装
置１０）の寸法精度を高めることができる。また、半導
体装置１０がチップサイズ化し、これに伴い樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２の形状が小さくなった場合に
おいても、確実に樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を分離することができる。更に、ゲートブレイク装置８
０Ｃの場合に、レーザ発生装置８４を用いて分離処理を
行なうため、分離位置において樹脂屑が発生することを
防止することができる。
では、分離位置を高精度に位置出しすることが可能であ
る。よって、形成される樹脂パッケージ１２（半導体装
置１０）の寸法精度を高めることができる。また、半導
体装置１０がチップサイズ化し、これに伴い樹脂パッケ
ージ１２及びゲート部３２の形状が小さくなった場合に
おいても、確実に樹脂パッケージ１２とゲート部３２と
を分離することができる。更に、ゲートブレイク装置８
０Ｃの場合に、レーザ発生装置８４を用いて分離処理を
行なうため、分離位置において樹脂屑が発生することを
防止することができる。
【０１５２】続いて、図３９に示すゲートブレイク装置
８０Ｅについて説明する。ゲートブレイク装置８０Ｅ
は、高圧水発生装置８７が生成する高圧水８７ａを用
い、樹脂パッケージ１２とゲート部３２との厚さの差を
利用して両者を分離する構成とされている。高圧水発生
装置８７は例えば高圧ポンプにより構成されており、供
給される水を高圧にて噴射する機能を奏するものであ
る。この高圧水発生装置８７には、噴射ノズル８８Ａ，
８８Ｂが接続されており、昇圧された水（高圧水８７
ａ）は噴射ノズル８８から噴射される構成とされてい
る。
８０Ｅについて説明する。ゲートブレイク装置８０Ｅ
は、高圧水発生装置８７が生成する高圧水８７ａを用
い、樹脂パッケージ１２とゲート部３２との厚さの差を
利用して両者を分離する構成とされている。高圧水発生
装置８７は例えば高圧ポンプにより構成されており、供
給される水を高圧にて噴射する機能を奏するものであ
る。この高圧水発生装置８７には、噴射ノズル８８Ａ，
８８Ｂが接続されており、昇圧された水（高圧水８７
ａ）は噴射ノズル８８から噴射される構成とされてい
る。
【０１５３】本実施例では、噴射ノズル８８Ａはゲート
部３２の全面と対向するよう構成されており、また噴射
ノズル８８Ｂはゲート部３２と樹脂パッケージ１２との
境界部分と対向するよう構成されている。この状態にお
いて、各噴射ノズル８８Ａ，８８Ｂから高圧水発生装置
８７で生成された高圧水８７ａを噴射すると、図３２
（Ｂ）に矢印Ｃで示した境界部分に剪断力が発生し、よ
ってこの部位においてゲート部３２は打ち抜かれ、樹脂
パッケージ１２とゲート部３２とは分離する。
部３２の全面と対向するよう構成されており、また噴射
ノズル８８Ｂはゲート部３２と樹脂パッケージ１２との
境界部分と対向するよう構成されている。この状態にお
いて、各噴射ノズル８８Ａ，８８Ｂから高圧水発生装置
８７で生成された高圧水８７ａを噴射すると、図３２
（Ｂ）に矢印Ｃで示した境界部分に剪断力が発生し、よ
ってこの部位においてゲート部３２は打ち抜かれ、樹脂
パッケージ１２とゲート部３２とは分離する。
【０１５４】本実施例のように、高圧水８７ａを用いて
樹脂パッケージ１２とゲート部３２を分離する構成で
は、前記した各ゲートブレイク装置８０Ａ〜８０Ｄのよ
うに、保護テープ７３に対しくし歯状突起７８Ａ，７８
Ｂ、レーザ光，カッター８６等が直接接触する構成と異
なり、ゲートブレイク時において保護テープ７３に印加
される負荷を軽減することができる。よって、保護テー
プ７３に損傷が発生することを防止でき、繰り返し使用
することが可能となる。更に、ゲートブレイク時に樹脂
屑が発生しても、高圧水８７ａによりこれを洗浄するこ
とができる。
樹脂パッケージ１２とゲート部３２を分離する構成で
は、前記した各ゲートブレイク装置８０Ａ〜８０Ｄのよ
うに、保護テープ７３に対しくし歯状突起７８Ａ，７８
Ｂ、レーザ光，カッター８６等が直接接触する構成と異
なり、ゲートブレイク時において保護テープ７３に印加
される負荷を軽減することができる。よって、保護テー
プ７３に損傷が発生することを防止でき、繰り返し使用
することが可能となる。更に、ゲートブレイク時に樹脂
屑が発生しても、高圧水８７ａによりこれを洗浄するこ
とができる。
【０１５５】上記のように、ゲートブレイク装置８０Ａ
〜８０Ｄを用いて一体化されたゲート部３２と樹脂パッ
ケージ１２とを自動的に分離する構成としたことによ
り、従来のように人手によりゲートブレークを行なう構
成に比べて製造効率を向上させることができる。また、
ゲートブレイク処理を最適化された均一の条件で実施す
ることが可能となり、よってブレイク時において樹脂屑
の発生を抑制することができる。これにより、樹脂屑の
除去処理が容易となり、半導体装置４０の製造効率を向
上させることができる。
〜８０Ｄを用いて一体化されたゲート部３２と樹脂パッ
ケージ１２とを自動的に分離する構成としたことによ
り、従来のように人手によりゲートブレークを行なう構
成に比べて製造効率を向上させることができる。また、
ゲートブレイク処理を最適化された均一の条件で実施す
ることが可能となり、よってブレイク時において樹脂屑
の発生を抑制することができる。これにより、樹脂屑の
除去処理が容易となり、半導体装置４０の製造効率を向
上させることができる。
【０１５６】一方、上記のように樹脂パッケージ１２と
ゲート部３２が分離されることにより半導体装置４０が
形成されると、不要物となるゲート部３２と半導体装置
４０（樹脂パッケージ１２）とを仕分ける処理が行なわ
れる。この仕分け作業の方法としては、前記のように樹
脂パッケージ１２とゲート部３２はその厚さが異なるた
めこれを利用し、半導体装置４０より小さく、かつゲー
ト部３２より大きい仕分け孔を設けておき、この仕分け
孔により半導体装置４０とゲート部３２とを仕分けする
ことが考えられる。しかるに、この方法ではゲート部３
２が複数枚重なっていた場合にはゲート部３２は残るこ
ととなり、確実な仕分け処理を行なうことができない。
ゲート部３２が分離されることにより半導体装置４０が
形成されると、不要物となるゲート部３２と半導体装置
４０（樹脂パッケージ１２）とを仕分ける処理が行なわ
れる。この仕分け作業の方法としては、前記のように樹
脂パッケージ１２とゲート部３２はその厚さが異なるた
めこれを利用し、半導体装置４０より小さく、かつゲー
ト部３２より大きい仕分け孔を設けておき、この仕分け
孔により半導体装置４０とゲート部３２とを仕分けする
ことが考えられる。しかるに、この方法ではゲート部３
２が複数枚重なっていた場合にはゲート部３２は残るこ
ととなり、確実な仕分け処理を行なうことができない。
【０１５７】そこで、本実施例では、図４０に示すよう
に、ゲートブレイク処理が終了した後、貼着テープ６３
を水或いは湯が装填されている浸漬槽８９に浸漬する構
成とした。具体的には、上記したゲートブレイク処理が
終了した後、先ず保護テープ７３を剥離する。この剥離
時において、樹脂パッケージ１２から分離されたゲート
部３２の内、保護テープ７３に貼着しているものは除去
される。
に、ゲートブレイク処理が終了した後、貼着テープ６３
を水或いは湯が装填されている浸漬槽８９に浸漬する構
成とした。具体的には、上記したゲートブレイク処理が
終了した後、先ず保護テープ７３を剥離する。この剥離
時において、樹脂パッケージ１２から分離されたゲート
部３２の内、保護テープ７３に貼着しているものは除去
される。
【０１５８】しかるに、ゲート部３２には、ゲートブレ
イク処理時において貼着テープ６３に貼着したものも含
まれている。このゲート部３２は、保護テープ７３を剥
離しても貼着テープ６３に貼着した状態を維持する。続
いて、このゲート部３２が貼着された状態の貼着テープ
６３を前記した浸漬槽８９に浸漬させる。前記したよう
に、貼着テープ６３の貼着材は、水に濡れることにより
貼着力を失う材質のものが選定されている。更に、前記
したように樹脂パッケージ１２は押圧処理が行なわれる
ことにより貼着テープ６３に強固に貼着されている（図
２９〜図３１参照）のに対し、ゲート部３２と貼着テー
プ６３との貼着力は弱い。
イク処理時において貼着テープ６３に貼着したものも含
まれている。このゲート部３２は、保護テープ７３を剥
離しても貼着テープ６３に貼着した状態を維持する。続
いて、このゲート部３２が貼着された状態の貼着テープ
６３を前記した浸漬槽８９に浸漬させる。前記したよう
に、貼着テープ６３の貼着材は、水に濡れることにより
貼着力を失う材質のものが選定されている。更に、前記
したように樹脂パッケージ１２は押圧処理が行なわれる
ことにより貼着テープ６３に強固に貼着されている（図
２９〜図３１参照）のに対し、ゲート部３２と貼着テー
プ６３との貼着力は弱い。
【０１５９】このため、樹脂パッケージ１２及びゲート
部３２が共に貼着されている貼着テープ６３を単に浸漬
槽８９に浸漬させるだけで、ゲート部３２のみが貼着テ
ープから剥離する。よって樹脂パッケージ１２とゲート
部３２とを分離する処理を容易に行なうことができる。
上記のように、貼着テープ６３からゲート部３２を剥離
する処理が終了すると、続いて貼着テープ６３から樹脂
パッケージ１２を剥離する剥離工程が実施される。この
剥離工程を実施することにより、個々の半導体装置１０
が製造される。
部３２が共に貼着されている貼着テープ６３を単に浸漬
槽８９に浸漬させるだけで、ゲート部３２のみが貼着テ
ープから剥離する。よって樹脂パッケージ１２とゲート
部３２とを分離する処理を容易に行なうことができる。
上記のように、貼着テープ６３からゲート部３２を剥離
する処理が終了すると、続いて貼着テープ６３から樹脂
パッケージ１２を剥離する剥離工程が実施される。この
剥離工程を実施することにより、個々の半導体装置１０
が製造される。
【０１６０】図４１乃至図４４は、この剥離工程で使用
される剥離装置１０２Ａ〜１０２Ｄを示している。以
下、各剥離装置１０２Ａ〜１０２Ｄについて説明する。
先ず、図４１に示す剥離装置１０２Ａについて説明す
る。本実施例に係る剥離装置１０２Ａは、剥離治具９１
を用いて貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構
成とされている。
される剥離装置１０２Ａ〜１０２Ｄを示している。以
下、各剥離装置１０２Ａ〜１０２Ｄについて説明する。
先ず、図４１に示す剥離装置１０２Ａについて説明す
る。本実施例に係る剥離装置１０２Ａは、剥離治具９１
を用いて貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構
成とされている。
【０１６１】剥離治具９１は、上部治具９２，下部治具
９３，及び収納部９５とにより構成されており、また上
部治具９２と下部治具９３との間にはスリット９４が設
けられている。この剥離治具９１は、樹脂パッケージ１
２が貼着された貼着テープ６３の走行経路途中に配設さ
れており、かつ貼着テープ６３が上記のスリット９４内
を通過するよう構成されている。また、スリット９４を
通過する際、図示されるように、貼着テープ６３はＶ字
状に大きく曲げられるよう構成されている。
９３，及び収納部９５とにより構成されており、また上
部治具９２と下部治具９３との間にはスリット９４が設
けられている。この剥離治具９１は、樹脂パッケージ１
２が貼着された貼着テープ６３の走行経路途中に配設さ
れており、かつ貼着テープ６３が上記のスリット９４内
を通過するよう構成されている。また、スリット９４を
通過する際、図示されるように、貼着テープ６３はＶ字
状に大きく曲げられるよう構成されている。
【０１６２】また、上記のスリット９４は、その幅が樹
脂パッケージ１２の高さＨ１に比べて小さく設定されて
いる。よって、貼着テープ６３はスリット９４を通過す
るが、樹脂パッケージ１２はスリット９４を通過するこ
とができない。また、貼着テープ６３の走行経路はスリ
ット９４の位置で大きく曲げられている。よって、樹脂
パッケージ１２は、貼着テープ６３の走行に伴い剥離治
具９１により貼着テープ６３から剥離され半導体装置１
０が製造される。この製造装置１０は、樹脂パッケージ
１２が貼着テープ６３から剥離することにより落下する
が、この落下位置には収納部９５が設けられている。よ
って、半導体装置１０は、この収納部９５に収納され
る。
脂パッケージ１２の高さＨ１に比べて小さく設定されて
いる。よって、貼着テープ６３はスリット９４を通過す
るが、樹脂パッケージ１２はスリット９４を通過するこ
とができない。また、貼着テープ６３の走行経路はスリ
ット９４の位置で大きく曲げられている。よって、樹脂
パッケージ１２は、貼着テープ６３の走行に伴い剥離治
具９１により貼着テープ６３から剥離され半導体装置１
０が製造される。この製造装置１０は、樹脂パッケージ
１２が貼着テープ６３から剥離することにより落下する
が、この落下位置には収納部９５が設けられている。よ
って、半導体装置１０は、この収納部９５に収納され
る。
【０１６３】本実施例に係る剥離装置１０２Ａは、単に
樹脂パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３を剥離
治具９１を通過させるだけで樹脂パッケージ１２を貼着
テープ６３から剥離させることができるため、自動的に
効率良く剥離処理を行なうことができる。続いて、図４
２に示す剥離装置１０２Ｂについて説明する。本実施例
に係る剥離装置１０２Ｂは、突き上げ治具９６を用いて
貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構成とされ
ている。
樹脂パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３を剥離
治具９１を通過させるだけで樹脂パッケージ１２を貼着
テープ６３から剥離させることができるため、自動的に
効率良く剥離処理を行なうことができる。続いて、図４
２に示す剥離装置１０２Ｂについて説明する。本実施例
に係る剥離装置１０２Ｂは、突き上げ治具９６を用いて
貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構成とされ
ている。
【０１６４】突き上げ治具９６は、樹脂パッケージ１２
を突き上げる突き上げ針９７を有しており、貼着テープ
６３の走行経路の下部に配設されている。この突き上げ
治具９６は、貼着テープ６３に対して上下に移動しうる
構成とされてるいる。また、貼着テープ６３が走行する
際、樹脂パッケージ１２は貼着テープ６３の上部に位置
するよう構成されている。
を突き上げる突き上げ針９７を有しており、貼着テープ
６３の走行経路の下部に配設されている。この突き上げ
治具９６は、貼着テープ６３に対して上下に移動しうる
構成とされてるいる。また、貼着テープ６３が走行する
際、樹脂パッケージ１２は貼着テープ６３の上部に位置
するよう構成されている。
【０１６５】そして、貼着テープ６３の走行に伴い、樹
脂パッケージ１２が突き上げ治具９６の上部まで搬送さ
れると、突き上げ治具９６は上動し、突き上げ針９７は
貼着テープ６３を貫通して樹脂パッケージ１２を上方に
向け突き上げる。これにより、樹脂パッケージ１２は貼
着テープ６３から剥離し、半導体装置１０が形成され
る。
脂パッケージ１２が突き上げ治具９６の上部まで搬送さ
れると、突き上げ治具９６は上動し、突き上げ針９７は
貼着テープ６３を貫通して樹脂パッケージ１２を上方に
向け突き上げる。これにより、樹脂パッケージ１２は貼
着テープ６３から剥離し、半導体装置１０が形成され
る。
【０１６６】上記のように、本実施例に係る剥離装置１
０２Ｂは、単に突き上げ治具９６を樹脂パッケージ１２
に向け移動させるだけの動作で樹脂パッケージ１２を貼
着テープ６３から剥離させることができるため、自動的
に効率良く剥離処理を行なうことができる。続いて、図
４３に示す剥離装置１０２Ｃについて説明する。本実施
例に係る剥離装置１０２Ｃは、高圧水発生装置９８を用
いて貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構成と
されている。
０２Ｂは、単に突き上げ治具９６を樹脂パッケージ１２
に向け移動させるだけの動作で樹脂パッケージ１２を貼
着テープ６３から剥離させることができるため、自動的
に効率良く剥離処理を行なうことができる。続いて、図
４３に示す剥離装置１０２Ｃについて説明する。本実施
例に係る剥離装置１０２Ｃは、高圧水発生装置９８を用
いて貼着テープ６３からゲート部３２を剥離する構成と
されている。
【０１６７】高圧水発生装置９８は例えば高圧ポンプに
より構成されており、供給される水を高圧にて噴射する
機能を奏するものである。この高圧水発生装置９８に
は、噴射ノズル９９が接続されており、昇圧された水
（高圧水９８ａ）は噴射ノズル９９から噴射される構成
とされている。この噴射ノズル９９は、貼着テープ６３
と樹脂パッケージ１２との界面向け高圧水９８ａを噴射
するよう構成されている。
より構成されており、供給される水を高圧にて噴射する
機能を奏するものである。この高圧水発生装置９８に
は、噴射ノズル９９が接続されており、昇圧された水
（高圧水９８ａ）は噴射ノズル９９から噴射される構成
とされている。この噴射ノズル９９は、貼着テープ６３
と樹脂パッケージ１２との界面向け高圧水９８ａを噴射
するよう構成されている。
【０１６８】従って、高圧水発生装置９８で生成され、
噴射ノズル９９から噴射された高圧水９８ａは、貼着テ
ープ６３と樹脂パッケージ１２との界面に噴射され、よ
ってこの水圧により貼着テープ６３から樹脂パッケージ
１２を分離させることができる。このように、高圧水９
８ａを用いて剥離処理を行なうことにより、貼着テープ
６３が損傷することを防止でき、貼着テープ６３を繰り
返し使用することが可能となる。また、高圧水９８ａの
噴射により、樹脂パッケージ１２に付着している塵埃を
同時に除去（洗浄）することができる。尚、本実施例の
場合には、前記したように貼着テープ６３に塗布される
貼着材としては、水に濡れることにより貼着力を失う材
質を用いることが望ましい。
噴射ノズル９９から噴射された高圧水９８ａは、貼着テ
ープ６３と樹脂パッケージ１２との界面に噴射され、よ
ってこの水圧により貼着テープ６３から樹脂パッケージ
１２を分離させることができる。このように、高圧水９
８ａを用いて剥離処理を行なうことにより、貼着テープ
６３が損傷することを防止でき、貼着テープ６３を繰り
返し使用することが可能となる。また、高圧水９８ａの
噴射により、樹脂パッケージ１２に付着している塵埃を
同時に除去（洗浄）することができる。尚、本実施例の
場合には、前記したように貼着テープ６３に塗布される
貼着材としては、水に濡れることにより貼着力を失う材
質を用いることが望ましい。
【０１６９】続いて、図４４に示す剥離装置１０２Ｄに
ついて説明する。本実施例に係る剥離装置１０２Ｄは、
ワイヤー１００を用いて貼着テープ６３からゲート部３
２を剥離する構成とされている。ワイヤー１００は、樹
脂パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３の走行経
路途中で、かつ貼着テープ６３と樹脂パッケージ１２と
の界面に位置するよう設けられている。また、このワイ
ヤー１００と対向する下部位置には、押し上げ治具１０
１が配設されている。貼着テープ６３は、このワイヤー
１００と押し上げ治具１０１との間を走行するよう構成
されている。更に、貼着テープ６３は、押し上げ治具１
０１よりその走行経路がＶ字状に大きく曲げられてい
る。
ついて説明する。本実施例に係る剥離装置１０２Ｄは、
ワイヤー１００を用いて貼着テープ６３からゲート部３
２を剥離する構成とされている。ワイヤー１００は、樹
脂パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３の走行経
路途中で、かつ貼着テープ６３と樹脂パッケージ１２と
の界面に位置するよう設けられている。また、このワイ
ヤー１００と対向する下部位置には、押し上げ治具１０
１が配設されている。貼着テープ６３は、このワイヤー
１００と押し上げ治具１０１との間を走行するよう構成
されている。更に、貼着テープ６３は、押し上げ治具１
０１よりその走行経路がＶ字状に大きく曲げられてい
る。
【０１７０】上記構成とすることにより、貼着テープ６
３の走行経に伴い、相対的にワイヤ１００は貼着テープ
６３と樹脂パッケージ１２との界面内に進行し、これに
より樹脂パッケージ１２は貼着テープ６３から剥離され
る。よって、本実施例の剥離装置１０２Ｄも、単に樹脂
パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３をワイヤ１
００の配設位置を通過させるだけで樹脂パッケージ１２
を貼着テープ６３から剥離させることができ、自動的に
効率良く剥離処理を行なうことができる。
３の走行経に伴い、相対的にワイヤ１００は貼着テープ
６３と樹脂パッケージ１２との界面内に進行し、これに
より樹脂パッケージ１２は貼着テープ６３から剥離され
る。よって、本実施例の剥離装置１０２Ｄも、単に樹脂
パッケージ１２が貼着された貼着テープ６３をワイヤ１
００の配設位置を通過させるだけで樹脂パッケージ１２
を貼着テープ６３から剥離させることができ、自動的に
効率良く剥離処理を行なうことができる。
【０１７１】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１及び請求
項９記載の発明によれば、複雑な搬送機構を必要とする
ことなく、エッチング時における樹脂パッケージ（リー
ドフレーム）の搬送を容易に行なうことができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１及び請求
項９記載の発明によれば、複雑な搬送機構を必要とする
ことなく、エッチング時における樹脂パッケージ（リー
ドフレーム）の搬送を容易に行なうことができる。
【０１７２】また、枠体単位でエッチング処理を行なう
ため、樹脂パッケージの貼付も脱落が無いように確実に
行うことができる。更に、枠体に対して樹脂パッケージ
の位置も容易に決まるため、エッチング完了後に実施さ
れる貼着テープから樹脂パッケージを分離する処理、及
びゲート部の除去処理等を容易に行なうことができる。
ため、樹脂パッケージの貼付も脱落が無いように確実に
行うことができる。更に、枠体に対して樹脂パッケージ
の位置も容易に決まるため、エッチング完了後に実施さ
れる貼着テープから樹脂パッケージを分離する処理、及
びゲート部の除去処理等を容易に行なうことができる。
【０１７３】また、請求項２記載の発明によれば、エッ
チング完了後に実施される樹脂パッケージとゲート部と
を分離する処理を容易に行なうことができる。また、請
求項３記載の発明によれば、エッチング処理時において
エッチング液は枠体と貼着テープの前記他の２辺との離
間部分から流出させることができ、よってキャリア内に
エッチング液が溜まることを防止でき、偏りのないエッ
チング処理を行なうことができる。
チング完了後に実施される樹脂パッケージとゲート部と
を分離する処理を容易に行なうことができる。また、請
求項３記載の発明によれば、エッチング処理時において
エッチング液は枠体と貼着テープの前記他の２辺との離
間部分から流出させることができ、よってキャリア内に
エッチング液が溜まることを防止でき、偏りのないエッ
チング処理を行なうことができる。
【０１７４】また、請求項４記載の発明によれば、枠体
がエッチング液により侵されることを防止することがで
きる。また、請求項５記載の発明によれば、単に水（或
いは湯）内に浸漬させるだけで貼着テープから樹脂パッ
ケージ及びゲート部を剥離させることができ、よって貼
着テープから樹脂パッケージ，ゲート部を剥離する処理
を容易に行なうことができる。
がエッチング液により侵されることを防止することがで
きる。また、請求項５記載の発明によれば、単に水（或
いは湯）内に浸漬させるだけで貼着テープから樹脂パッ
ケージ及びゲート部を剥離させることができ、よって貼
着テープから樹脂パッケージ，ゲート部を剥離する処理
を容易に行なうことができる。
【０１７５】また、請求項６乃至８記載の発明によれ
ば、貼着テープに対し樹脂パッケージにのみが貼着し、
ゲート部については貼着テープに貼着しない状態とする
ことができ、よって樹脂パッケージとゲート部とを容易
に分離することができる。
ば、貼着テープに対し樹脂パッケージにのみが貼着し、
ゲート部については貼着テープに貼着しない状態とする
ことができ、よって樹脂パッケージとゲート部とを容易
に分離することができる。
【０１７６】
【０１７７】また、請求項１０記載の発明によれば、少
ないローラ数で確実に樹脂パッケージとゲート部との境
界部分を折曲することができ、より確実に樹脂パッケー
ジとゲート部とを分離することができる。
ないローラ数で確実に樹脂パッケージとゲート部との境
界部分を折曲することができ、より確実に樹脂パッケー
ジとゲート部とを分離することができる。
【０１７８】
【０１７９】また、請求項１１記載の発明によれば、樹
脂パッケージの金属膜が配設された側の面に保護テープ
を配設したことにより、分離処理時に外力が印加されて
も、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜を確実に
保護することができる。
脂パッケージの金属膜が配設された側の面に保護テープ
を配設したことにより、分離処理時に外力が印加されて
も、他の部位に比べて比較的強度の弱い金属膜を確実に
保護することができる。
【０１８０】また、請求項１２記載の発明によれば、分
離されたゲート部を樹脂パッケージと共に液体内に浸漬
する浸漬槽を設け、この液体内でゲート部のみを回収す
ることにより、容易に樹脂パッケージとゲート部の分離
処理を行なうことができる。また、請求項１３及び１６
記載の発明によれば、単に樹脂パッケージが貼着された
貼着テープを剥離治具を通過させるだけで樹脂パッケー
ジを貼着テープから剥離させることができるため、自動
的に効率良く剥離処理を行なうことができる。
離されたゲート部を樹脂パッケージと共に液体内に浸漬
する浸漬槽を設け、この液体内でゲート部のみを回収す
ることにより、容易に樹脂パッケージとゲート部の分離
処理を行なうことができる。また、請求項１３及び１６
記載の発明によれば、単に樹脂パッケージが貼着された
貼着テープを剥離治具を通過させるだけで樹脂パッケー
ジを貼着テープから剥離させることができるため、自動
的に効率良く剥離処理を行なうことができる。
【０１８１】更に、請求項１４記載の発明によれば、単
に突き上げ治具を樹脂パッケージに向け移動させるだけ
の動作で樹脂パッケージを貼着テープから剥離させるこ
とができるため、自動的に効率良く剥離処理を行なうこ
とができる。また、請求項１５記載の発明によれば、高
圧水により容易に貼着テープと樹脂パッケージとを分離
させることができ、また樹脂パッケージに付着している
塵埃も同時に除去（洗浄）することができる。
に突き上げ治具を樹脂パッケージに向け移動させるだけ
の動作で樹脂パッケージを貼着テープから剥離させるこ
とができるため、自動的に効率良く剥離処理を行なうこ
とができる。また、請求項１５記載の発明によれば、高
圧水により容易に貼着テープと樹脂パッケージとを分離
させることができ、また樹脂パッケージに付着している
塵埃も同時に除去（洗浄）することができる。
【図１】本発明に係る製造方法及び製造装置で製造され
る半導体装置を説明するための図であり、（Ａ）は平面
図，（Ｂ）は断面図である。
る半導体装置を説明するための図であり、（Ａ）は平面
図，（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明に係る製造方法及び製造装置で製造され
る半導体装置を説明するための図である（底面図）。
る半導体装置を説明するための図である（底面図）。
【図３】金属膜（１層）を拡大して示す図である。
【図４】金属膜（２層）を拡大して示す図である。
【図５】金属膜（３層）を拡大して示す図である。
【図６】金属膜（４層）を拡大して示す図である。
【図７】金属膜（５層）を拡大して示す図である。
【図８】金属膜（６層，７層）を拡大して示す図であ
る。
る。
【図９】リードフレームの形成方法を説明するための図
である（エッチングレジスト塗布工程）。
である（エッチングレジスト塗布工程）。
【図１０】リードフレームの形成方法を説明するための
図である（エッチングレジストパターン形成工程）。
図である（エッチングレジストパターン形成工程）。
【図１１】リードフレームの形成方法を説明するための
図である（エッチング工程）。
図である（エッチング工程）。
【図１２】リードフレームの形成方法を説明するための
図である（エッチングレジスト除去工程）。
図である（エッチングレジスト除去工程）。
【図１３】リードフレームの形成方法を説明するための
図である（メッキレジスト塗布工程及びメッキレジスト
パターン形成工程）。
図である（メッキレジスト塗布工程及びメッキレジスト
パターン形成工程）。
【図１４】リードフレームの形成方法を説明するための
図である（金属膜形成工程及びメッキレジスト除去工
程）。
図である（金属膜形成工程及びメッキレジスト除去工
程）。
【図１５】完成したリードフレームを示す断面図であ
る。
る。
【図１６】半導体装置の製造方法の一実施例を説明する
ための図である（素子搭載工程）。
ための図である（素子搭載工程）。
【図１７】半導体装置の製造方法の一実施例を説明する
ための図である（接続工程）。
ための図である（接続工程）。
【図１８】半導体装置の製造方法における接続工程の変
形例を説明するための図である。
形例を説明するための図である。
【図１９】半導体装置の製造方法における接続工程の変
形例を説明するための図（その１）である。
形例を説明するための図（その１）である。
【図２０】半導体装置の製造方法における接続工程の変
形例を説明するための図（その２）である。
形例を説明するための図（その２）である。
【図２１】スタッドバンプの形成方法を説明するための
図である。
図である。
【図２２】接続工程が終了した状態のリードフレームを
示す図である。
示す図である。
【図２３】樹脂封止工程で用いる金型の構造を説明する
ための図である（その１）。
ための図である（その１）。
【図２４】樹脂封止工程で用いる金型の構造を説明する
ための図である（その２）。
ための図である（その２）。
【図２５】分離工程で用いるエッチング装置の一実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２６】エッチング装置で用いるキャリヤを説明する
ための図である。
ための図である。
【図２７】図２６におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。
る。
【図２８】リードフレームに形成された状態の樹脂パッ
ケージ及びゲート部を説明するための図である。
ケージ及びゲート部を説明するための図である。
【図２９】貼着部で実施される貼着方法の第１実施例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３０】貼着部で実施される貼着方法の第２実施例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３１】貼着部で実施される貼着方法の第３実施例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３２】ゲート部が一体的に連結した状態の樹脂パッ
ケージを示す図である。
ケージを示す図である。
【図３３】ゲートブレイク装置の第１実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図３４】図３３のゲートブレーク位置を拡大して示す
図である。
図である。
【図３５】ゲートブレイク装置の第１実施例を示す平面
図である。
図である。
【図３６】ゲートブレイク装置の第２実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図３７】ゲートブレイク装置の第３実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図３８】ゲートブレイク装置の第４実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図３９】ゲートブレイク装置の第５実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図４０】樹脂パッケージとゲート部を分離する浸漬槽
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４１】剥離装置の第１実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図４２】剥離装置の第２実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図４３】剥離装置の第３実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図４４】剥離装置の第４実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図４５】従来の半導体装置及びその製造方法の一例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４６】小型化された半導体装置の一例を説明するた
めの図である。
めの図である。
１０ 半導体装置 １１ 半導体素子 １２ 樹脂パッケージ １３，１３Ａ〜１３Ｅ 金属膜 １７ 樹脂突起 ２０ リードフレーム ２１ 金属基材 ２２ 凹部 ２４ エッチングレジスト ２５ メッキレジスト ３２ ゲート部 ３４ 上型 ３６ 下型 ４３ イジェクターピン ４５ スタッドバンプ ４６ キャピラリ ５０ エッチング装置 ５１ キャリヤ供給部 ５３ リードフレームスタッカー ５４ プランジャー ５５，５５Ａ，５５Ｂ 貼着部 ５６ パッケージキャビティ ５７ 枠回転機構 ５８ アンカーキャビティ ５９ エッチング部 ６０ キャリヤ ６１ 金属枠 ６３ 貼着テープ ６４ 樹脂 ６７ キャリヤ回収部 ６９ 貼り付け治具 ６９ａ 押圧部 ７０ 位置決め架台 ７１ スポットエアー生成装置 ７３ 保護テープ ７４Ａ 上ゴムローラー ７４Ｂ，７４Ｃ 下ゴムローラー ７８Ａ，７８Ｂ くし歯状突起 ８０Ａ〜８０Ｅ ゲートブレイク装置 ８２ 固定ブロック ８４ レーザ発生装置 ８６ カッター ８７，９８ 高圧水発生装置 ８８，９９ 噴射ノズル ８９ 浸漬槽 ９１ 剥離治具 ９２ 上部治具 ９３ 下部治具 ９４ スリット ９６ 突き上げ治具 ９７ 突き上げ針 １００ ワイヤ １０１ 押し上げ治具 １０２Ａ〜１０２Ｄ 剥離装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野寺 正徳 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (72)発明者 織茂 政一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (72)発明者 米田 義之 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−162348（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−208756（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/28 H01L 23/12,23/50
Claims (16)
- 【請求項１】 半導体素子を封止する樹脂パッケージを
有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突起
に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導体
装置を製造する半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂突起の形成位置と対応する位置に凹部が形成さ
れると共に、該凹部内に前記金属膜が形成されてなるリ
ードフレームに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程
と、 前記半導体素子と前記金属膜とを電気的に接続する接続
工程と、 前記リードフレーム上に、前記半導体素子を封止するよ
う樹脂を形成し前記樹脂パッケージを形成する封止工程
と、 前記リードフレームをエッチング処理により除去するこ
とにより、ゲート部が一体化された状態の前記樹脂パッ
ケージを前記金属膜と共に前記リードフレームから分離
する分離工程と、 前記ゲート部を前記樹脂パッケージから分離し除去する
ゲートブレイク工程とを具備し、 かつ、前記分離工程において、枠体に配設された貼着テ
ープに前記樹脂パッケージを貼付し、該枠体を前記エッ
チング処理時のキャリアとして用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記貼着テープに前記樹脂パッケージのみを貼着し、前
記ゲート部は前記貼着テープから離間した状態とするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記キャリアとして、前記貼着テープの相対向する２辺
のみを前記枠体に固定し、他の２辺は前記枠体から離間
させたものを用いることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記枠体をチタン，樹脂，若しくは樹脂コーティングさ
れた金属のいずれかにより形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記貼着テープの貼着材として、水に濡れることにより
貼着力を失う材質を用いることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２乃至４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記貼着テープに前記樹脂パッケージを貼着する際、前
記貼着テープを前記樹脂パッケージに対して上部に位置
させると共に、押圧機構により該貼着テープの前記樹脂
パッケージと対向する部位のみを前記樹脂パッケージに
向け押圧することにより、前記貼着テープを前記樹脂パ
ッケージのみに貼着することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記押圧機構として、スポットエアーを生成するスポッ
トエアー生成装置を用いたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 請求項２乃至４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記貼着テープに前記樹脂パッケージを貼着する際、前
記貼着テープを前記樹脂パッケージに対して下部に位置
させると共に、押圧機構により前記リードフレームの全
面を前記貼着テープに向け押圧することにより、前記貼
着テープを前記樹脂パッケージのみに貼着することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 半導体素子を封止する樹脂パッケージを
有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突起
に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導体
装置を製造する半導体装置の製造装置において、 リードフレームと一体化された状態の前記樹脂パッケー
ジが供給され、枠体に貼着テープが配設された構成のキ
ャリアに前記樹脂パッケージを貼付する樹脂パッケージ
貼着部と、 前記樹脂パッケージ貼着部から前記キャリアが供給さ
れ、前記リードフレームをエッチングにより除去するエ
ッチング部とを具備することを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項１０】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着され、かつゲート部が一体化
された状態の前記樹脂パッケージが供給部から搬送され
ると共に、該樹脂パッケージの搬送経路を挟むよう上ロ
ーラ及び下ローラを配設し、 該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、 かつ、前記上ローラを１本配設すると共に、前記下ロー
ラを前記樹脂パッケージの進行方向に対し前記上ローラ
を挟むよう２本配設したことを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項１１】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着され、かつゲート部が一体化
された状態の前記樹脂パッケージが供給部から搬送され
ると共に、該樹脂パッケージの搬送経路を挟むよう上ロ
ーラ及び下ローラを配設し、 該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、 かつ、前記樹脂パッケージの前記金属膜が配設された側
の面に、保護テープを配設したことを特徴とする半導体
装置の製造装置。 - 【請求項１２】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着され、かつゲート部が一体化
された状態の前記樹脂パッケージが供給部から搬送され
ると共に、該樹脂パッケージの搬送経路を挟むよう上ロ
ーラ及び下ローラを配設し、 該上ローラと下ローラで前記樹脂パッケージと前記ゲー
ト部との境界部分を折曲することにより、前記樹脂パッ
ケージと前記ゲート部とを分離する構成とし、 かつ、分離されたゲート部を前記樹脂パッケージと共に
液体内に浸漬する浸漬槽を設け、該液体内で前記ゲート
部のみを回収する構成としたことを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項１３】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着された状態の前記樹脂パッケ
ージが搬送されると共に、前記貼着テープの走行経路途
中に前記貼着テープを通過させるスリットを有した剥離
治具を配設し、 かつ、前記剥離軸に設けられるスリットの幅を前記樹脂
パッケージの厚さに比べて小さく設定したことを特徴と
する半導体装置の製造装置。 - 【請求項１４】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着された状態の前記樹脂パッケ
ージが搬送されると共に、前記貼着テープの走行経路途
中に前記貼着テープを貫通し前記樹脂パッケージを突き
上げる突き上げ治具を設けたことを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項１５】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着された状態の前記樹脂パッケ
ージが搬送されると共に、前記貼着テープと前記樹脂パ
ッケージとの界面に高圧水を噴射する高圧水発生装置を
具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項１６】 半導体素子を封止する樹脂パッケージ
を有すると共に、該樹脂パッケージに形成された樹脂突
起に金属膜を配設した構成の外部接続端子を有した半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置において、 表面部に貼着テープが貼着された状態の前記樹脂パッケ
ージが搬送されると共に、前記貼着テープの走行経路途
中に前記貼着テープと前記樹脂パッケージとの界面に位
置するようワイヤを設け、 前記貼着テープの走行に伴い前記ワイヤが前記貼着テー
プと前記樹脂パッケージとを剥離する構成としたことを
特徴とする半導体装置の製造装置。
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|---|---|---|---|
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ID=18431918
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-12-22 JP JP35359697A patent/JP3154686B2/ja not_active Expired - Lifetime
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