JP3153949B2 - Device for automatically detecting defective pixels in solid-state image sensor, method for automatically detecting defective pixels in solid-state image sensor, automatic defect correction device, and camera - Google Patents

Device for automatically detecting defective pixels in solid-state image sensor, method for automatically detecting defective pixels in solid-state image sensor, automatic defect correction device, and camera

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JP3153949B2
JP3153949B2 JP19969093A JP19969093A JP3153949B2 JP 3153949 B2 JP3153949 B2 JP 3153949B2 JP 19969093 A JP19969093 A JP 19969093A JP 19969093 A JP19969093 A JP 19969093A JP 3153949 B2 JP3153949 B2 JP 3153949B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は例えばCCD撮像素子の
欠陥画素を自動的に検出すると共にこの欠陥画素よりの
撮像信号を自動的に補正するようにした固体撮像素子の
欠陥画素の自動検出装置、固体撮像素子の欠陥画素の自
動検出方法及び自動欠陥補正装置並びにカメラに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for automatically detecting a defective pixel of a solid-state image sensor, for example, which automatically detects a defective pixel of a CCD image sensor and automatically corrects an image signal from the defective pixel. The present invention relates to a method for automatically detecting a defective pixel of a solid-state imaging device, an automatic defect correction device, and a camera.

【0002】[0002]

【従来の技術】CCD撮像素子等の如く半導体で形成し
た固体撮像素子では、半導体の局部的な結晶欠陥等によ
って感度が低下する欠陥画素が生じることがあり、この
ような場合、その欠陥画素の撮像出力信号に起因する画
質劣化が生じることが知られている。
2. Description of the Related Art In a solid-state image pickup device formed of a semiconductor such as a CCD image pickup device or the like, a defective pixel whose sensitivity is reduced due to a local crystal defect of the semiconductor or the like may be generated. It is known that image quality degradation caused by an imaging output signal occurs.

【0003】このような欠陥画素を検出する場合、従来
は、固体撮像素子の製造上の検査工程で膨大なメモリや
アベレージング装置など高価な装置を用いて検出し、固
体撮像素子毎にその欠陥画素についての欠陥データを付
加して出荷するようにしており、セット内で自動的に検
出することは行っていなかった。したがって、出荷以降
に何らかのストレス要因で発生してしまう傷などに伴う
画素欠陥には全く対処できなかった。
Conventionally, when such a defective pixel is detected, it is detected using an expensive device such as an enormous memory or an averaging device in an inspection process in the manufacture of the solid-state imaging device, and the defect is detected for each solid-state imaging device. The system is shipped with defective data for pixels, and has not been automatically detected in a set. Therefore, pixel defects due to scratches or the like caused by some stress factor after shipment cannot be dealt with at all.

【0004】そこで、近年、ビデオカメラなどの機器に
組み込んだ状態でも、欠陥画素を検出してこれを補正で
きる欠陥検出補正システムが提案されている。この種の
欠陥検出補正システムでは、1画面内を検出走査する際
に、画面の端から順に欠陥画素を検出してその画素につ
いての欠陥データをメモリに順次記憶するようにしてい
る。この欠陥検出時に記憶する欠陥データは、欠陥画素
の絶対位置を特定するアドレスデータもしくはこれに欠
陥レベルの大きさを示すレベルデータを加えたものであ
る。
Therefore, in recent years, there has been proposed a defect detection / correction system capable of detecting and correcting defective pixels even when the defective pixels are incorporated in a device such as a video camera. In this type of defect detection and correction system, when detecting and scanning one screen, defective pixels are detected in order from the edge of the screen, and defect data for the pixels is sequentially stored in a memory. The defect data stored at the time of this defect detection is address data for specifying the absolute position of the defective pixel or data obtained by adding level data indicating the magnitude of the defect level.

【0005】したがって、この欠陥検出補正システムを
実際にビデオカメラなどの機器に搭載する場合には、欠
陥データを記憶できるデータ量はメモリの記憶容量によ
って制限され、一般的には欠陥画素10個分以内が妥当
なデータ量とされている。
Therefore, when this defect detection and correction system is actually mounted on a device such as a video camera, the amount of data that can store defect data is limited by the storage capacity of the memory. Is considered a reasonable amount of data.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
欠陥検出補正システムでは、欠陥検出を画面内の初めの
ラインから順次検査し、欠陥画素を検出した場合にその
欠陥データをリアルタイムでメモリに記憶し、1フレー
ムの走査を終了するようにしていたので、仮に、存在す
る欠陥画素数がメモリの記憶容量数(例えば、10個)
を越えている場合には、それ以降検出した欠陥画素につ
いての欠陥データを記憶できないという不都合があっ
た。
However, in the conventional defect detection and correction system, defect detection is sequentially inspected from the first line in the screen, and when a defective pixel is detected, the defect data is stored in a memory in real time. Since the scanning of one frame is ended, the number of existing defective pixels is assumed to be the number of storage capacities of the memory (for example, 10).
When the number exceeds the threshold value, there is a disadvantage that the defect data of the defective pixel detected thereafter cannot be stored.

【0007】特に、欠陥レベル(大きさ)の大小による
選択を行わず、欠陥検出レベルをある任意の値に固定し
た場合には、メモリの記憶容量に相当する許容数を越え
た後に検出された欠陥画素については、欠陥レベルが非
常に大きかったとしても、その欠陥データを記憶できな
いため、欠陥レベルの大きさに無関係に画面の前半部分
しか欠陥補正を行えないことになる。
In particular, when the defect detection level is fixed to an arbitrary value without making a selection based on the magnitude of the defect level (magnitude), the defect is detected after exceeding an allowable number corresponding to the storage capacity of the memory. Regarding the defective pixel, even if the defect level is very high, the defect data cannot be stored, so that the defect correction can be performed only in the first half of the screen regardless of the level of the defect level.

【0008】本発明は、斯る点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、限られた記憶容量のメ
モリを有効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥画素
の検出及び欠陥補正ができるようにすることを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to efficiently detect defective pixels over the entire screen by effectively using a memory having a limited storage capacity. And defect correction.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明固体撮像素子の欠
陥画素の自動検出装置は例えば図1、図2に示す如く固
体撮像素子3の欠陥画素のアドレスデータ及び欠陥レベ
ルデータをn個記憶できる記憶手段20と、この記憶手
段20にn個の欠陥画素が記憶されたときにこの固体撮
像素子3よりの欠陥画素の欠陥レベルとこの記憶手段2
0に記憶したn個の欠陥画素の欠陥レベルとを比較する
欠陥レベル比較手段21と、この欠陥レベル比較手段2
1がこの固体撮像素子3よりの欠陥画素の欠陥レベルの
方が大きいと判断したときに、この欠陥画素のアドレス
データ及び欠陥レベルデータを欠陥レベルが小さいと判
断された欠陥画素に代えて記憶させる書き込み制御手段
22とを有するものである。
According to the present invention, an apparatus for automatically detecting defective pixels of a solid-state image sensor can store n pieces of address data and defect level data of defective pixels of the solid-state image sensor 3 as shown in FIGS. A storage unit 20; a defect level of a defective pixel from the solid-state imaging device 3 when n defective pixels are stored in the storage unit 20;
A defect level comparing means 21 for comparing the defect levels of the n defective pixels stored in 0 with this defect level comparing means 2;
When 1 determines that the defect level of the defective pixel from the solid-state imaging device 3 is higher, the address data and the defect level data of the defective pixel are stored in place of the defective pixel determined to have the lower defect level. And a write control unit 22.

【0010】また本発明自動欠陥補正装置は上述の固体
撮像素子の欠陥画素の自動検出装置を用いた自動欠陥補
正装置であって、この記憶手段20に記憶したn個の欠
陥画素のアドレスデータとこの固体撮像素子3の現在の
アドレスとを比較し、一致したときに欠陥補正パルスを
発生する補正パルス発生回路12と、この欠陥補正パル
スに応答してこの固体撮像素子3の撮像出力信号に対し
て欠陥補正を行う欠陥補正回路8とを有するものであ
る。
An automatic defect correction apparatus according to the present invention is an automatic defect correction apparatus using the above-described automatic defect pixel detection apparatus for a solid-state imaging device. A correction pulse generation circuit 12 that compares the current address of the solid-state imaging device 3 and generates a defect correction pulse when they match with each other, and responds to the defect correction pulse with respect to the imaging output signal of the solid-state imaging device 3 And a defect correction circuit 8 for correcting defects.

【0011】[0011]

【作用】本発明によれば固体撮像素子の欠陥画素の欠陥
レベルの上位レベルのものから許容される個数までのも
のを欠陥画素として自動的に検出するので、どのような
環境においても、限られた記憶容量のメモリを有効に利
用し得、画面全体に亘って効率的な欠陥画素の検出及び
欠陥補正ができる。
According to the present invention, the defective pixels of the solid-state imaging device are automatically detected as defective pixels from the highest level to the allowable number of defective pixels. Thus, a memory having a reduced storage capacity can be effectively used, and defective pixel detection and defect correction can be efficiently performed over the entire screen.

【0012】[0012]

【実施例】以下図面を参照して本発明固体撮像素子の欠
陥画素の自動検出装置、固体撮像素子の欠陥画素の自動
検出方法及び自動欠陥補正装置並びにカメラの実施例に
つき説明しよう。図2は固体撮像素子であるCCD撮像
素子をビデオカメラに適用した構成図を示し、この図2
において、被写体はレンズ1及び絞り2からなる光学系
によってCCD撮像素子3の撮像画面に結像される。こ
の光学系の絞り2は後述する欠陥画素の検出、欠陥補正
時にマイコン4によって開閉制御される。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an apparatus for automatically detecting defective pixels of a solid-state image sensor, a method of automatically detecting defective pixels of a solid-state image sensor, an automatic defect correcting apparatus, and a camera according to the present invention. FIG. 2 shows a configuration diagram in which a CCD image sensor, which is a solid-state image sensor, is applied to a video camera.
In the above, the subject is formed on the imaging screen of the CCD imaging device 3 by an optical system including the lens 1 and the aperture 2. The aperture 2 of the optical system is controlled to be opened and closed by the microcomputer 4 when a defective pixel is detected and a defect is corrected, which will be described later.

【0013】この図2において、5はタイミングジェネ
レータを示し、このタイミングジェネレータ5は垂直ク
ロック信号、水平クロック信号等各種のタイミング信号
を発生し、CCD撮像素子3における各画素(フォトセ
ンサ)から垂直転送レジスタへの信号電荷の読み出し、
垂直転送レジスタによる垂直転送、水平転送レジスタに
よる水平転送等の駆動を行う。
In FIG. 2, reference numeral 5 denotes a timing generator. The timing generator 5 generates various timing signals such as a vertical clock signal and a horizontal clock signal, and transfers the vertical signals from each pixel (photo sensor) in the CCD image sensor 3. Reading signal charge to register,
Driving such as vertical transfer by a vertical transfer register and horizontal transfer by a horizontal transfer register is performed.

【0014】このCCD撮像素子3の撮像出力信号はサ
ンプルホールド(S/H)及び自動利得制御(AGC)
回路6を通してアナログ−デジタル(A/D)変換回路
7に供給し、このA/D変換回路7でアナログ−デジタ
ル変換されて例えば10ビットのデータとして欠陥補正
回路8及び本発明に係る欠陥画素の自動検出装置9に供
給する。
The image pickup output signal of the CCD image pickup device 3 is sampled and held (S / H) and automatic gain control (AGC).
The data is supplied to an analog-to-digital (A / D) conversion circuit 7 through a circuit 6, and is converted from analog to digital by the A / D conversion circuit 7 and becomes, for example, 10-bit data. It is supplied to the automatic detection device 9.

【0015】この欠陥補正回路8で欠陥補正された撮像
出力信号を信号処理回路10に供給し、この信号処理回
路10で各種の信号処理が行われて輝度(Y)信号及び
クロマ(C)信号を得、この輝度信号及びクロマ信号を
エンコーダ11に供給し、このエンコーダ11で所要の
ビデオ信号を得、このビデオ信号をビデオ信号出力端子
13より導出する如くする。
The image pickup output signal corrected for defects by the defect correction circuit 8 is supplied to a signal processing circuit 10, which performs various kinds of signal processing, and outputs a luminance (Y) signal and a chroma (C) signal. The luminance signal and the chroma signal are supplied to an encoder 11, a required video signal is obtained by the encoder 11, and the video signal is derived from a video signal output terminal 13.

【0016】ここで図1を参照して本発明に係る欠陥画
素の自動検出装置の例につき説明する。図1において、
9aはA/D変換回路7よりの撮像出力信号が供給され
る撮像信号入力端子を示し、この撮像信号入力端子9a
に供給される撮像出力信号を欠陥検出コンパレータ23
に供給すると共にラッチ回路24に供給する如くする。
Here, an example of an automatic defective pixel detecting apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG.
Reference numeral 9a denotes an image signal input terminal to which an image output signal from the A / D conversion circuit 7 is supplied.
The image pickup output signal supplied to the
And to the latch circuit 24.

【0017】この欠陥検出コンパレータ23においては
この撮像出力信号のレベルと検出レベル入力端子23a
よりの予め設定した検出レベルとを比較し、この欠陥検
出コンパレータ23において、欠陥画素と判定したとき
に、この欠陥検出コンパレータ23より欠陥画素である
旨のフラッグ信号をアドレス書き込み制御回路22に供
給する。
In the defect detection comparator 23, the level of the imaging output signal and the detection level input terminal 23a
The defect detection comparator 23 supplies a flag signal indicating that the pixel is defective to the address writing control circuit 22 when the defect detection comparator 23 determines that the pixel is defective. .

【0018】9bはタイミングジェネレータ5よりの垂
直クロック信号が供給される垂直クロック入力端子を示
し、この垂直クロック入力端子9bよりの垂直クロック
信号を垂直アドレスカウンタ25に供給し、この垂直ア
ドレスカウンタ25の出力側に現在の垂直アドレスデー
タを得、この垂直アドレスデータをアドレス書き込み制
御回路22に供給する。
Reference numeral 9b denotes a vertical clock input terminal to which a vertical clock signal from the timing generator 5 is supplied. The vertical clock signal from the vertical clock input terminal 9b is supplied to the vertical address counter 25. The current vertical address data is obtained at the output side, and this vertical address data is supplied to the address write control circuit 22.

【0019】また、9cはタイミングジェネレータ5よ
りの水平クロック信号が供給される水平クロック入力端
子を示し、この水平クロック入力端子9cよりの水平ク
ロック信号を水平アドレスカウンタ26に供給し、この
水平アドレスカウンタ26の出力側に現在の水平アドレ
スデータを得、この水平アドレスデータをアドレス書き
込み制御回路22に供給する。
Reference numeral 9c denotes a horizontal clock input terminal to which a horizontal clock signal from the timing generator 5 is supplied. The horizontal clock signal from the horizontal clock input terminal 9c is supplied to a horizontal address counter 26. The current horizontal address data is obtained at the output side of 26, and this horizontal address data is supplied to the address write control circuit 22.

【0020】また、20は例えば2個の欠陥画素の欠陥
レベルデータ、その奇数フィールドの垂直アドレスデー
タ及び水平アドレスデータ、その偶数フィールドの垂直
アドレスデータ及び水平アドレスデータを記憶できる2
つの記憶部20a,20bを有するRAMである。
Reference numeral 20 can store, for example, defect level data of two defective pixels, vertical address data and horizontal address data of odd fields thereof, and vertical address data and horizontal address data of even fields thereof.
It is a RAM having two storage units 20a and 20b.

【0021】このRAM20の2つの記憶部20a及び
20bの夫々の欠陥レベルデータを切り換えスイッチ2
7を介して欠陥レベル比較回路21の一方の入力端子に
供給すると共にラッチ回路24の出力信号をこの欠陥レ
ベル比較回路21に供給する。この欠陥レベル比較回路
21においては、このRAM20の2つの記憶部20a
及び20bに夫々記憶された欠陥レベルデータとラッチ
回路24にラッチされた撮像出力信号の欠陥レベルとを
比較し、この撮像出力信号の欠陥レベルが大きいと判断
されたときに、この欠陥レベルデータをアドレス書き込
み制御回路22に供給する。
The switch 2 switches the defect level data in the two storage units 20a and 20b of the RAM 20.
7 and to one input terminal of the defect level comparison circuit 21 and the output signal of the latch circuit 24 to the defect level comparison circuit 21. In the defect level comparison circuit 21, the two storage units 20a of the RAM 20
And 20b are compared with the defect level of the imaging output signal latched by the latch circuit 24. When it is determined that the defect level of the imaging output signal is large, the defect level data is determined. It is supplied to the address write control circuit 22.

【0022】このアドレス書き込み制御回路22におい
ては欠陥検出コンパレータ23より、欠陥画素である旨
のフラッグ信号が供給されると共に欠陥レベル比較回路
21によりRAM20の例えば一方の記憶部20aに記
憶されている欠陥レベルが撮像信号入力端子9aに供給
された撮像出力信号の欠陥レベルより小さいと判断され
たときには、その新たに供給された撮像出力信号の欠陥
レベルデータ、その欠陥画素の奇数フィールドの垂直ア
ドレスデータ及び水平アドレスデータ、偶数フィールド
の垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータを、この
RAM20の一方の記憶部20aに書き込む如くする。
In the address write control circuit 22, a flag signal indicating that the pixel is a defective pixel is supplied from the defect detection comparator 23, and the defect level comparison circuit 21 stores the defect stored in, for example, one storage unit 20a of the RAM 20. When it is determined that the level is lower than the defect level of the imaging output signal supplied to the imaging signal input terminal 9a, the defect level data of the newly supplied imaging output signal, the vertical address data of the odd field of the defective pixel, and The horizontal address data, the vertical address data of the even-numbered fields, and the horizontal address data are written into one storage unit 20a of the RAM 20.

【0023】上述のCCD撮像素子の欠陥画素の自動検
出装置の動作につき、図3を参照して更に述べるに、こ
の検出開始するに、このビデオカメラの電源を投入し、
このときマイコン4はレンズ絞り2を閉じ、CCD撮像
素子3への光入射が無い全黒の状態とすると共にRAM
20の一方及び他方の記憶部20a及び20bに記憶さ
れた内容をリセットする(ステップS1)。次に、撮像
出力信号より欠陥検出コンパレータ23で欠陥画素を検
出し、欠陥画素と判定された第1番目及び第2番目の欠
陥画素(A)及び(B)の夫々の欠陥レベルデータ、そ
の奇数フィールドの垂直アドレスデータ及び水平アドレ
スデータ、その偶数フィールドの垂直アドレスデータ及
び水平アドレスデータをこのRAM20の一方及び他方
の記憶部20a及び20bに夫々記憶する(ステップS
2)。
The operation of the above-described apparatus for automatically detecting a defective pixel of the CCD image pickup device will be further described with reference to FIG. 3. To start the detection, the video camera is turned on.
At this time, the microcomputer 4 closes the lens aperture 2 to bring the CCD image pickup device 3 into an all black state in which no light enters, and the RAM 4
The contents stored in one and the other storage units 20a and 20b of the memory 20 are reset (step S1). Next, a defect pixel is detected by the defect detection comparator 23 from the image pickup output signal, and defect level data of the first and second defective pixels (A) and (B) determined to be defective pixels, and their odd numbers The vertical address data and the horizontal address data of the field and the vertical address data and the horizontal address data of the even field are stored in one and the other storage units 20a and 20b of the RAM 20, respectively (step S).
2).

【0024】更に、この欠陥検出コンパレータ23で第
3番目の欠陥画素(C)を検出し(ステップS3)たと
きは、ラッチ回路24にラッチされている欠陥画素
(C)の欠陥レベルと一方の記憶部20aに記憶されて
いる欠陥画素(A)の欠陥レベルとを欠陥レベル比較回
路21で比較し、このレベル判定を行う(ステップS
4,S5)。
Further, when the third defective pixel (C) is detected by the defect detection comparator 23 (step S3), the defect level of the defective pixel (C) latched by the latch circuit 24 and one of the defective levels are determined. The defect level of the defective pixel (A) stored in the storage unit 20a is compared with the defect level comparison circuit 21 to determine the level (Step S).
4, S5).

【0025】この場合、新たな欠陥画素(C)の欠陥レ
ベルの方が一方の記憶部20aに記憶されている欠陥画
素(A)の欠陥レベルよりも大きいときは、この新たな
欠陥画素(C)の欠陥レベルデータ、奇数フィールドの
垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータ、偶数フィ
ールドの垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータを
この一方の記憶部20aに書き換えて記憶する如くする
(ステップS6)。この書き換え記憶後は、ステップS
3にもどり更に新たな、欠陥画素の検出を行う。
In this case, when the defect level of the new defective pixel (C) is higher than the defect level of the defective pixel (A) stored in one storage unit 20a, the new defective pixel (C) The defect level data, the vertical address data and the horizontal address data of the odd field, and the vertical address data and the horizontal address data of the even field are rewritten and stored in the one storage section 20a (step S6). After this rewrite storage, step S
3 and a new defective pixel is detected.

【0026】また、この場合、欠陥画素(A)の欠陥レ
ベルの方が欠陥画素(C)の欠陥レベルより大きいとき
は、次にこの新たな欠陥画素(C)の欠陥レベルと他方
の記憶部20bに記憶されている欠陥画素(B)の欠陥
レベルとを欠陥レベル比較回路21で比較し、このレベ
ル判定を行う(ステップS7,S8)。
In this case, if the defect level of the defective pixel (A) is higher than the defect level of the defective pixel (C), then the defect level of the new defective pixel (C) and the other storage unit The defect level of the defective pixel (B) stored in 20b is compared with the defect level of the defective pixel (B) by the defect level comparison circuit 21, and the level is determined (steps S7 and S8).

【0027】この場合、新たな欠陥画素(C)の欠陥レ
ベルの方が他方の記憶部20bに記憶されている欠陥画
素(B)の欠陥レベルよりも大きいときは、この新たな
欠陥画素(C)の欠陥レベルデータ、奇数フィールドの
垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータ、偶数フィ
ールドの垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータを
この他方の記憶部20bに書き換えて記憶する如くする
(ステップS6)。この書き換え記憶後は、ステップS
3にもどり、更に新たな欠陥画素の検出を待つ。
In this case, when the defect level of the new defective pixel (C) is higher than the defect level of the defective pixel (B) stored in the other storage unit 20b, this new defective pixel (C) The defect level data, the vertical address data and the horizontal address data of the odd field, and the vertical address data and the horizontal address data of the even field are rewritten and stored in the other storage section 20b (step S6). After this rewrite storage, step S
The process returns to step S3 and waits for the detection of a new defective pixel.

【0028】また、この場合、欠陥画素(B)の欠陥レ
ベルの方が欠陥画素(C)の欠陥レベルより大きいとき
は、ステップS3にもどり、更に新たな欠陥画素の検出
を待つ。
In this case, if the defect level of the defective pixel (B) is higher than the defect level of the defective pixel (C), the process returns to step S3 to wait for the detection of a new defective pixel.

【0029】更に新たな欠陥画素が検出されたときは上
述の繰り返し、CCD撮像素子3の撮像画面全域に亘っ
て上述を繰り返し、その後検出を終了する。
When a new defective pixel is detected, the above operation is repeated over the entire image pickup screen of the CCD image sensor 3, and the detection is terminated.

【0030】従って本例CCD撮像素子の欠陥画素の自
動検出装置に依れば、CCD撮像素子3の撮像画面の全
域における欠陥画素のうちの欠陥レベルが第1番目及び
第2番目のものの夫々の欠陥レベルデータ、奇数フィー
ルドの垂直アドレスデータ及び水平アドレスデータ、偶
数フィールドの垂直アドレスデータ及び水平アドレスデ
ータを自動的に検出記憶できる。
Therefore, according to the apparatus for automatically detecting defective pixels of the CCD image pickup device of this embodiment, the defect levels of the first and second defective pixels among the defective pixels in the entire area of the image pickup screen of the CCD image pickup device 3 are respectively determined. Defect level data, vertical and horizontal address data in odd fields, and vertical and horizontal address data in even fields can be automatically detected and stored.

【0031】このCCD撮像素子の欠陥画素の自動検出
装置を使用して欠陥補正するのに次に述べる如くして行
う。RAM20の一方及び他方の記憶部20a及び20
bの夫々の垂直アドレスデータを夫々垂直アドレスコン
パレータ28a及び28bに夫々供給し、また一方及び
他方の記憶部20a及び20bの夫々の水平アドレスデ
ータを夫々水平アドレスコンパレータ29a及び29b
に夫々供給し、また垂直アドレスカウンタ25より現在
の垂直アドレスを垂直アドレスコンパレータ28a及び
28bに夫々供給すると共に水平アドレスカウンタ26
よりの現在の水平アドレスを夫々水平アドレスコンパレ
ータ29a及び29bに供給する。
The defect correction using the automatic detecting device for defective pixels of the CCD image pickup device is performed as follows. One and the other storage units 20a and 20 of the RAM 20
b are supplied to vertical address comparators 28a and 28b, respectively, and the horizontal address data of one and the other storage units 20a and 20b are respectively supplied to horizontal address comparators 29a and 29b.
, And the current vertical address from the vertical address counter 25 is supplied to the vertical address comparators 28a and 28b, respectively.
Is supplied to the horizontal address comparators 29a and 29b, respectively.

【0032】この垂直アドレスコンパレータ28a及び
28bにおいては一方及び他方の記憶部20a及び20
bに記憶されている垂直アドレスデータ(奇数フィール
ド及び偶数フィールド)と垂直アドレスカウンタ25よ
りの現在の垂直アドレス(奇数フィールド及び偶数フィ
ールド)とが一致したときに一致出力信号を夫々水平ア
ドレスコンパレータ29a及び29bに夫々供給する。
In the vertical address comparators 28a and 28b, one and the other storage units 20a and 20b
When the vertical address data (odd field and even field) stored in b coincides with the current vertical address (odd field and even field) from the vertical address counter 25, the coincidence output signal is output to the horizontal address comparator 29a and the horizontal address comparator 29a, respectively. 29b.

【0033】この水平アドレスコンパレータ29a及び
29bにおいては、垂直アドレスコンパレータ28a及
び28bから一致出力信号が供給されているときで、一
方及び他方の記憶部20a及び20bに記憶されている
水平アドレスデータと水平アドレスカウンタ26よりの
現在の水平アドレスとが一致したときに、この一致信号
をオア回路30を介して補正パルス発生回路12に供給
し、この補正パルス発生回路12は、このタイミングで
欠陥補正パルスを発生し、この欠陥補正パルスを欠陥補
正回路8に供給する。
In the horizontal address comparators 29a and 29b, when the coincidence output signal is supplied from the vertical address comparators 28a and 28b, the horizontal address comparator 29a and the horizontal address comparator 29b and the horizontal address data stored in the other storage units 20a and 20b are used. When the current horizontal address from the address counter 26 matches, the match signal is supplied to the correction pulse generation circuit 12 via the OR circuit 30, and the correction pulse generation circuit 12 generates a defect correction pulse at this timing. The generated defect correction pulse is supplied to the defect correction circuit 8.

【0034】この欠陥補正回路8においては、この欠陥
補正パルスにより、CCD撮像素子3よりの撮像出力信
号中の欠陥画素についての撮像出力信号を特定し、例え
ば、その欠陥画素の撮像出力信号を1画素前の撮像出力
信号で置換(前値置換)、又はこの前後の撮像出力信号
の平均値信号で置換(平均値置換)することによって欠
陥補正を行う。
In the defect correction circuit 8, the imaging output signal of the defective pixel in the imaging output signal from the CCD imaging device 3 is specified by the defect correction pulse. Defect correction is performed by replacement with the imaging output signal before the pixel (previous value replacement) or replacement with the average value signal of the imaging output signals before and after this (average value replacement).

【0035】上述を撮像モードが終了するまで、繰り返
して実行する。
The above is repeated until the imaging mode ends.

【0036】本例によれば欠陥画素として欠陥レベルの
大きいものから許容数だけ検出して記憶し、かつこれを
補正するようにしているので、どのような環境において
も限られた記憶容量のRAM20を有効に用いて画面全
体に亘って効率的に欠陥画素を検出、記憶し及びそれに
伴う欠陥補正を行うことができる。また欠陥レベルの大
きい画素から許容数だけ検出し、これを補正するため、
補正することによる画質劣化を最大限抑えることができ
る。
According to the present embodiment, the permissible number of defective pixels is detected and stored as a defective pixel from a large defect level, and this is corrected, so that the RAM 20 having a limited storage capacity in any environment is used. Can be used effectively to efficiently detect and store defective pixels over the entire screen and perform defect correction associated therewith. Also, in order to detect the permissible number from the pixels with the highest defect level and correct this,
Image quality deterioration due to correction can be suppressed to the utmost.

【0037】尚上述実施例においては欠陥画素の欠陥レ
ベルデータ及びアドレスデータを記憶するメモリ(RA
M)の記憶容量の許容数nを2個20a,20bとした
が、この許容数nを10個等必要に応じた数にしても上
述と同様に構成できることは容易に理解できよう。
In the above embodiment, the memory (RA) for storing the defect level data and the address data of the defective pixel is used.
Although the allowable number n of the storage capacities of M) is set to two 20a, 20b, it can be easily understood that the same configuration as described above can be adopted even if the allowable number n is a required number such as ten.

【0038】また上述実施例においてはRAM20に記
憶している全ての欠陥画素の欠陥レベルと新たな欠陥画
素の欠陥レベルとを比較するように述べたが、このRA
M20に記憶している欠陥画素のうちの欠陥レベルの最
も小さいものを判別しておき、この最も小さい欠陥レベ
ルと新たな欠陥画素の欠陥レベルとを欠陥レベル比較回
路21で比較するようにすれば比較処理等が簡略化され
る利益がある。
In the above embodiment, the defect levels of all defective pixels stored in the RAM 20 are compared with the defect levels of new defective pixels.
If the defect level having the smallest defect level among the defective pixels stored in M20 is determined, and the defect level of the newest defective pixel is compared with the defect level of the newest defective pixel, There is an advantage that the comparison process and the like are simplified.

【0039】また上述実施例では欠陥補正するのに前値
置換又は平均値置換するように述べたが、上述例では欠
陥レベルを記憶しているので、この欠陥レベルを使用し
て欠陥補正するようにしても良い(例えば特開昭60−51
378 号公報参照)。
Further, in the above-described embodiment, the previous value replacement or the average value replacement is performed for the defect correction. However, in the above-described example, since the defect level is stored, the defect correction is performed using this defect level. (For example, JP-A-60-51)
No. 378).

【0040】また、本発明は上述実施例に限ることなく
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成が採
り得ることは勿論である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but may adopt various other configurations without departing from the gist of the present invention.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明によれば固体撮像素子の欠陥画素
の欠陥レベルの上位レベルのものから許容される個数ま
でのものを欠陥画素として自動的に検出するので、どの
ような環境においても、限られた記憶容量のメモリ(R
AM)を有効に利用し得、画面全体に亘って、効率的な
欠陥画素の検出及び欠陥補正ができる利益ががある。
According to the present invention, the defective pixels of the solid-state image sensor are automatically detected as defective pixels from the highest level to the allowable number of defective pixels. Memory with limited storage capacity (R
AM) can be effectively used, and there is an advantage that defective pixel detection and defect correction can be efficiently performed over the entire screen.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明固体撮像素子の欠陥画素の自動検出装置
の一実施例を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an automatic detection device for defective pixels of a solid-state imaging device according to the present invention.

【図2】本発明を適用したビデオカメラの例を示す構成
図である。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating an example of a video camera to which the present invention has been applied.

【図3】本発明の説明に供する線図である。FIG. 3 is a diagram for explanation of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 CCD撮像素子 8 欠陥補正回路 9 欠陥画素の自動検出装置 12 補正パルス発生回路 20 RAM 21 欠陥レベル比較回路 22 アドレス書き込み制御回路 23 欠陥検出コンパレータ 24 ラッチ回路 25 垂直アドレスカウンタ 26 水平アドレスカウンタ Reference Signs List 3 CCD imaging device 8 Defect correction circuit 9 Automatic detection device for defective pixel 12 Correction pulse generation circuit 20 RAM 21 Defect level comparison circuit 22 Address writing control circuit 23 Defect detection comparator 24 Latch circuit 25 Vertical address counter 26 Horizontal address counter

Claims (19)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 固体撮像素子の欠陥画素のアドレスデー
タ及び欠陥レベルデータをn(nは自然数)個記憶でき
る記憶手段と、 該記憶手段にn個の欠陥画素が記憶されたときに上記固
体撮像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルと上記記憶手段
に記憶したn個の欠陥画素の欠陥レベルとを比較する欠
陥レベル比較手段と、 該欠陥レベル比較手段が上記固体撮像素子よりの欠陥画
素の欠陥レベルの方が大きいと判断したときに、この欠
陥画素のアドレスデータ及び欠陥レベルデータを欠陥レ
ベルが小さいと判断された欠陥画素に代えて記憶させる
書き込み制御手段とを有することを特徴とする固体撮像
素子の欠陥画素の自動検出装置。
1. A storage means capable of storing n (n is a natural number) address data and defect level data of a defective pixel of a solid-state imaging device, and said solid-state imaging means when said n defective pixels are stored in said storage means. Defect level comparing means for comparing the defect level of the defective pixel from the element with the defect level of the n defective pixels stored in the storage means; and the defect level comparing means detects the defect level of the defective pixel from the solid-state imaging device. And a write control means for storing the address data and the defect level data of the defective pixel in place of the defective pixel determined to have a low defect level when it is determined that the defect level is larger. Automatic detection device for defective pixels.
【請求項2】 請求項1記載の固体撮像素子の欠陥画素
の自動検出装置において、上記記憶手段に記憶されてい
るn個の欠陥画素の欠陥レベルの一番小さい最小欠陥画
素を予め判定しておき、該最小欠陥画素の欠陥レベルと
上記固体撮像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルとだけを
上記欠陥レベル比較手段にて比較するようにしたことを
特徴とする固体撮像素子の欠陥画素の自動検出装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the smallest defective pixel having the smallest defect level among the n defective pixels stored in the storage means is determined in advance. Wherein the defect level of the minimum defective pixel and the defect level of the defective pixel from the solid-state image sensor are compared by the defect level comparing means. apparatus.
【請求項3】 請求項1又は2記載の固体撮像素子の欠
陥画素の自動検出装置を用いた自動欠陥補正装置であっ
て、 上記記憶手段に記憶したn個の欠陥画素のアドレスデー
タと上記固体撮像素子の現在のアドレスとを比較し、一
致したときに欠陥補正パルスを発生する補正パルス発生
回路と、 上記欠陥補正パルスに応答して上記固体撮像素子の撮像
出力信号に対して欠陥補正を行う欠陥補正回路とを有す
ることを特徴とする自動欠陥補正装置。
3. An automatic defect correction device using the automatic defect pixel detection device of the solid-state imaging device according to claim 1, wherein the address data of the n defective pixels stored in the storage means and the solid-state image data. A correction pulse generation circuit that compares the current address of the image sensor with a current address and generates a defect correction pulse when they match, and performs defect correction on an imaging output signal of the solid-state image sensor in response to the defect correction pulse An automatic defect correction device, comprising: a defect correction circuit.
【請求項4】 請求項3記載の自動欠陥補正装置におい
て、 上記欠陥補正回路の欠陥補正を上記記憶手段に記憶した
欠陥画素の欠陥レベルデータを使用して行うようにした
ことを特徴とする自動欠陥補正装置。
4. The automatic defect correction device according to claim 3, wherein the defect correction of the defect correction circuit is performed using defect level data of a defective pixel stored in the storage means. Defect correction device.
【請求項5】 固体撮像素子と、 該固体撮像素子の欠陥画素のアドレスデータ及び欠陥レ
ベルデータをn(nは自然数)個記憶できる記憶手段と
該記憶手段にn個の欠陥画素が記憶されたときに上記固
体撮像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルと上記記憶手段
に記憶したn個の欠陥画素の欠陥レベルとを比較する欠
陥レベル比較手段と該欠陥レベル比較手段が上記固体撮
像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルの方が大きいと判断
したときに、この欠陥画素のアドレスデータ及び欠陥レ
ベルデータを欠陥レベルが小さいと判断された欠陥画素
に代えて記憶させる書き込み制御手段とを備えた欠陥画
素の自動検出装置と、 を有することを特徴とするカメラ。
5. A solid-state image sensor, storage means capable of storing n (n is a natural number) address data and defect level data of defective pixels of the solid-state image sensor, and n defective pixels are stored in the storage means. A defect level comparing means for comparing the defect level of the defective pixel from the solid-state image sensor with the defect levels of the n defective pixels stored in the storage means; Writing control means for storing, when it is determined that the defect level of the pixel is higher, the address data and the defect level data of the defective pixel in place of the defective pixel determined to have the lower defect level. An automatic detection device, comprising: a camera;
【請求項6】 請求項5記載のカメラにおいて、 上記記憶手段に記憶されているn個の欠陥画素の欠陥レ
ベルの一番小さい最小欠陥画素を予め判定しておき、該
最小欠陥画素の欠陥レベルと上記固体撮像素子よりの欠
陥画素の欠陥レベルとだけを上記欠陥レベル比較手段に
て比較するようにしたことを特徴とするカメラ。
6. The camera according to claim 5, wherein a minimum defective pixel having the smallest defect level of the n defective pixels stored in the storage means is determined in advance, and the defect level of the minimum defective pixel is determined. And a defect level comparison unit for comparing only the defect level of the defective pixel from the solid-state imaging device with the defect level.
【請求項7】 請求項5又は6記載のカメラにおいて、 上記記憶手段に記憶したn個の欠陥画素のアドレスデー
タと上記固体撮像素子の現在のアドレスとを比較し、一
致したときに欠陥補正パルスを発生する補正パルス発生
回路と、上記欠陥補正パルスに応答して上記固体撮像素
子の撮像出力信号に対して欠陥補正を行なう欠陥補正回
路とを有することを特徴とするカメラ。
7. The camera according to claim 5, wherein the address data of the n defective pixels stored in the storage means is compared with a current address of the solid-state imaging device, and a defect correction pulse is output when the addresses match. And a defect correction circuit for performing defect correction on an imaging output signal of the solid-state imaging device in response to the defect correction pulse.
【請求項8】 請求項7記載のカメラにおいて、 上記欠陥補正回路の欠陥補正を上記記憶手段に記憶した
欠陥画素の欠陥レベルデータを使用して行なうようにし
たことを特徴とするカメラ。
8. The camera according to claim 7, wherein the defect correction of the defect correction circuit is performed using the defect level data of the defective pixel stored in the storage means.
【請求項9】 請求項5記載のカメラにおいて、 上記固体撮像素子に光を結像する光学系を有することを
特徴とするカメラ。
9. The camera according to claim 5, further comprising an optical system that forms an image of light on the solid-state imaging device.
【請求項10】 請求項1記載の固体撮像素子の欠陥画
素の自動検出装置において、 上記固体撮像素子からの出力信号のレベルと予め設定さ
れた検出レベルとを比較して欠陥画素を判定する欠陥検
出手段を有することを特徴とする固体撮像素子の欠陥画
素の自動検出装置。
10. The apparatus for automatically detecting a defective pixel of a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the level of an output signal from said solid-state imaging device is compared with a predetermined detection level to determine a defective pixel. An automatic detection device for a defective pixel of a solid-state imaging device, comprising a detection unit.
【請求項11】 請求項1記載の固体撮像素子の欠陥画
素の自動検出装置において、 上記書き込み制御手段は上記欠陥画素のアドレスデータ
として偶数フィールドのアドレスデータと奇数フィール
ドのアドレスデータとを上記記憶手段に記憶させること
を特徴とする固体撮像素子の欠陥画素の自動検出装置。
11. The automatic detection device for a defective pixel of a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the writing control means stores address data of an even field and address data of an odd field as address data of the defective pixel. An automatic detection device for a defective pixel of a solid-state imaging device, characterized in that it is stored in a memory.
【請求項12】 請求項1記載の固体撮像素子の欠陥画
素の自動検出装置において、 上記記憶手段に記憶された欠陥画素のデータは欠陥画素
の検出開始前にリセットされることを特徴とする固体撮
像素子の欠陥画素の自動検出装置。
12. The solid-state image pickup device according to claim 1, wherein the data of the defective pixel stored in the storage means is reset before the start of the detection of the defective pixel. Automatic detection device for defective pixels of the image sensor.
【請求項13】 請求項5記載のカメラにおいて、 上記固体撮像素子からの出力信号のレベルと予め設定さ
れた検出レベルとを比較して欠陥画素を判定する欠陥検
出手段を有することを特徴とするカメラ。
13. The camera according to claim 5, further comprising: a defect detection unit that determines a defective pixel by comparing a level of an output signal from the solid-state imaging device with a preset detection level. camera.
【請求項14】 請求項5記載のカメラにおいて、 上記書き込み手段は上記欠陥画素のアドレスデータとし
て偶数フィールドのアドレスデータと奇数フィールドの
アドレスデータとを上記記憶手段に記憶させることを特
徴とするカメラ。
14. The camera according to claim 5, wherein said writing means stores address data of an even field and address data of an odd field as address data of said defective pixel in said storage means.
【請求項15】 請求項5記載のカメラにおいて、 上記記憶手段に記憶された欠陥画素のデータはカメラの
電源を投入したときにリセットされることを特徴とする
カメラ。
15. The camera according to claim 5, wherein the data of the defective pixel stored in the storage means is reset when the power of the camera is turned on.
【請求項16】 固体撮像素子の欠陥画素のアドレスデ
ータ及び欠陥レベルデータをn個記憶できる記憶手段
と、 該記憶手段にn個の欠陥画素が記憶されたときに上記固
体撮像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルと上記記憶手段
に記憶したn個の欠陥画素のうちの欠陥レベルの最も小
さい欠陥画素の欠陥レベルとを比較する欠陥レベル比較
手段と、 該欠陥レベル比較手段が上記固体撮像素子よりの欠陥レ
ベルの他が大きいと判断したときに、この欠陥画素のア
ドレスデータ及び欠陥レベルデータを上記欠陥レベルの
最も小さい欠陥画素に代えて記憶させる書き込み制御手
段とを有することを特徴とする固体撮像素子の欠陥画素
の自動検出装置。
16. A storage means capable of storing n pieces of address data and defect level data of defective pixels of a solid-state image sensor, and a defective pixel from the solid-state image sensor when n pieces of defective pixels are stored in the storage means. And a defect level comparing means for comparing the defect level of the defective pixel having the smallest defect level among the n defective pixels stored in the storage means with the defect level comparing means. Writing control means for storing the address data and the defect level data of the defective pixel in place of the defective pixel having the lowest defect level when it is determined that the other defect level is higher. Automatic detection device for defective pixels.
【請求項17】 固体撮像素子と、 該固体撮像素子の欠陥がそのアドレスデータ及び欠陥レ
ベルデータをn個記憶できる記憶手段と、 該記憶手段にn個の欠陥画素が記憶されたときに上記固
体撮像素子よりの欠陥画素の欠陥レベルと上記記憶手段
に記憶したn個の欠陥画素のうちの欠陥レベルの最も小
さい欠陥画素の欠陥レベルとを比較する欠陥レベル比較
手段と、 該欠陥レベル比較手段が上記固体撮像素子よりの欠陥レ
ベルの方が大きいと判断したときに、この欠陥画素のア
ドレスデータ及び欠陥レベルデータを上記欠陥レベルの
最も小さい欠陥画素に代えて記憶させる書き込み制御手
段とを有することを特徴とするカメラ。
17. A solid-state imaging device, storage means capable of storing n pieces of address data and defect level data of a defect of the solid-state imaging element, and said solid-state image sensor when said storage means stores n defective pixels. Defect level comparing means for comparing the defect level of the defective pixel from the image sensor with the defect level of the defective pixel having the smallest defect level among the n defective pixels stored in the storage means; Writing control means for storing the address data and the defect level data of the defective pixel in place of the defective pixel having the lowest defect level when it is determined that the defect level is higher than that of the solid-state imaging device. Features camera.
【請求項18】 固体撮像素子の欠陥画素のアドレスデ
ータ及び欠陥レベルデータをn(nは自然数)個記憶す
る第1のステップと、 欠陥画素のアドレスデータ及び欠陥レベルデータがn個
記憶されたときに新たに検出された欠陥画素の欠陥レベ
ルデータを既に記憶された欠陥画素の欠陥レベルデータ
と比較する第2のステップと、 上記新たに検出された欠陥画素の欠陥レベルの方が上記
既に記憶された欠陥画素の欠陥レベルよりも大きいと判
断したときに、この新たに検出された欠陥画素のアドレ
スデータ及び欠陥レベルデータを既に記憶された欠陥画
素に代えて記憶させる第3のステップとを有することを
特徴とする固体撮像素子の欠陥画素の自動検出方法。
18. A first step of storing n (n is a natural number) address data and defect level data of a defective pixel of a solid-state imaging device, and when n address data and defect level data of a defective pixel are stored. A second step of comparing the defect level data of the newly detected defective pixel with the defect level data of the previously stored defective pixel; and the step of comparing the defect level of the newly detected defective pixel with the already stored defect level. And a third step of storing the address data and the defect level data of the newly detected defective pixel in place of the already stored defective pixel when it is determined that the defective pixel is higher than the defective level of the defective pixel. A method for automatically detecting defective pixels of a solid-state imaging device.
【請求項19】 請求項18記載の固体撮像素子の欠陥
画素の自動検出方法において、 上記第1のステップにおいて記憶されたn個の欠陥画素
の欠陥レベルの一番小さい最小欠陥画素を予め判定して
おき、上記第2のステップにおいて、該最小欠陥画素の
欠陥レベルと上記新たに検出された欠陥画素の欠陥レベ
ルとだけを比較するようにしたことを特徴とする固体撮
像素子の欠陥画素の自動検出方法。
19. The method for automatically detecting defective pixels of a solid-state imaging device according to claim 18, wherein the minimum defective pixel having the smallest defect level of the n defective pixels stored in the first step is determined in advance. In the second step, only the defect level of the minimum defective pixel is compared with the defect level of the newly detected defective pixel. Detection method.
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