JP3146762B2 - 固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラ - Google Patents
固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子の画素
（点）欠陥を検出する欠陥検出装置及びこれを用いたカ
メラに関し、特に固体撮像素子の撮像出力レベルを所定
の検出レベルと比較するコンパレータを用いて欠陥画素
の検出を行う欠陥検出装置及びこれを用いたカメラに関
する。
（点）欠陥を検出する欠陥検出装置及びこれを用いたカ
メラに関し、特に固体撮像素子の撮像出力レベルを所定
の検出レベルと比較するコンパレータを用いて欠陥画素
の検出を行う欠陥検出装置及びこれを用いたカメラに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ等の半導体で形成した固体撮像素
子では、半導体の局部的な結晶欠陥等によって感度が低
下する欠陥画素が生じることがあり、このような場合、
その欠陥画素の撮像出力に起因する画質劣化が生じるこ
とが知られている。このような欠陥画素を検出する場
合、従来は、固体撮像素子の製造上の検査工程で膨大な
メモリやアベレージング装置など高価な装置を用いて検
出し、固体撮像素子毎にその欠陥画素についての欠陥デ
ータを付加して出荷するようにしており、セット内で自
動的に検出することは行っていなかった。したがって、
出荷以降に何らかのストレス要因で発生してしまう傷な
どに伴う画素欠陥には全く対処できなかった。
子では、半導体の局部的な結晶欠陥等によって感度が低
下する欠陥画素が生じることがあり、このような場合、
その欠陥画素の撮像出力に起因する画質劣化が生じるこ
とが知られている。このような欠陥画素を検出する場
合、従来は、固体撮像素子の製造上の検査工程で膨大な
メモリやアベレージング装置など高価な装置を用いて検
出し、固体撮像素子毎にその欠陥画素についての欠陥デ
ータを付加して出荷するようにしており、セット内で自
動的に検出することは行っていなかった。したがって、
出荷以降に何らかのストレス要因で発生してしまう傷な
どに伴う画素欠陥には全く対処できなかった。
【０００３】そこで、近年、ビデオカメラなどの機器に
組み込んだ状態でも、欠陥画素を検出してこれを補正で
きる欠陥検出補正システムが提案されている。この種の
欠陥検出補正システムでは、１画面内を検出走査する際
に、画面の端から順に欠陥画素を検出してその画素につ
いての欠陥データをメモリに順次記憶するようにしてい
る。この欠陥検出時に記憶する欠陥データは、欠陥画素
の絶対位置を特定するアドレスデータもしくはこれに欠
陥レベルの大きさを示すレベルデータを加えたものであ
る。したがって、この欠陥検出補正システムを実際にビ
デオカメラなどの機器に搭載する場合には、欠陥データ
を記憶できるデータ量はメモリの記憶容量によって制限
され、一般的には欠陥画素１０個分以内が妥当なデータ
量とされている。
組み込んだ状態でも、欠陥画素を検出してこれを補正で
きる欠陥検出補正システムが提案されている。この種の
欠陥検出補正システムでは、１画面内を検出走査する際
に、画面の端から順に欠陥画素を検出してその画素につ
いての欠陥データをメモリに順次記憶するようにしてい
る。この欠陥検出時に記憶する欠陥データは、欠陥画素
の絶対位置を特定するアドレスデータもしくはこれに欠
陥レベルの大きさを示すレベルデータを加えたものであ
る。したがって、この欠陥検出補正システムを実際にビ
デオカメラなどの機器に搭載する場合には、欠陥データ
を記憶できるデータ量はメモリの記憶容量によって制限
され、一般的には欠陥画素１０個分以内が妥当なデータ
量とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
欠陥検出補正システムでは、欠陥検出を画面内の初めの
ラインから順次検査し、欠陥画素を検出した場合にその
欠陥データをリアルタイムでメモリに記憶し、１フレー
ムの走査を終了するようにしていたので、仮に、存在す
る欠陥画素数がメモリの記憶許容数（例えば、１０個）
を越えている場合には、それ以降検出した欠陥画素につ
いての欠陥データを記憶できないという問題があった。
欠陥検出補正システムでは、欠陥検出を画面内の初めの
ラインから順次検査し、欠陥画素を検出した場合にその
欠陥データをリアルタイムでメモリに記憶し、１フレー
ムの走査を終了するようにしていたので、仮に、存在す
る欠陥画素数がメモリの記憶許容数（例えば、１０個）
を越えている場合には、それ以降検出した欠陥画素につ
いての欠陥データを記憶できないという問題があった。
【０００５】特に、欠陥レベル（大きさ）の大小による
選択を行わず、欠陥検出レベルをある任意の値に固定し
た場合には、メモリの記憶容量に相当する許容数を越え
た後に検出された欠陥画素については、欠陥レベルが非
常に大きかったとしても、その欠陥データを記憶できな
いため、欠陥レベルの大きさに無関係に画面の前半部分
しか欠陥補正を行えないことになる。本発明は、上記課
題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、限られた記憶容量のメモリを有効に用いて画面全体
に亘って効率的に欠陥検出を行うことが可能な固体撮像
素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラを提供する
ことにある。
選択を行わず、欠陥検出レベルをある任意の値に固定し
た場合には、メモリの記憶容量に相当する許容数を越え
た後に検出された欠陥画素については、欠陥レベルが非
常に大きかったとしても、その欠陥データを記憶できな
いため、欠陥レベルの大きさに無関係に画面の前半部分
しか欠陥補正を行えないことになる。本発明は、上記課
題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、限られた記憶容量のメモリを有効に用いて画面全体
に亘って効率的に欠陥検出を行うことが可能な固体撮像
素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラを提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による欠陥検出装置は、固体撮像素子の撮像
出力レベルを所定の検出レベルと比較することによって
欠陥画素を検出するコンパレータと、このコンパレータ
の検出出力に基づいて欠陥画素の数を検出する欠陥数検
出手段と、この欠陥数検出手段による検出数が所定数を
越えたとき欠陥検出感度をそれまでよりも下げるように
制御する制御手段とを備えた構成となっている。そし
て、この欠陥検出装置は、固体撮像素子を撮像デバイス
とするカメラに用いられる。
に、本発明による欠陥検出装置は、固体撮像素子の撮像
出力レベルを所定の検出レベルと比較することによって
欠陥画素を検出するコンパレータと、このコンパレータ
の検出出力に基づいて欠陥画素の数を検出する欠陥数検
出手段と、この欠陥数検出手段による検出数が所定数を
越えたとき欠陥検出感度をそれまでよりも下げるように
制御する制御手段とを備えた構成となっている。そし
て、この欠陥検出装置は、固体撮像素子を撮像デバイス
とするカメラに用いられる。
【０００７】
【作用】欠陥検査を行う際に、欠陥画素の数を検出し、
その検出数がメモリの記憶許容数を越えたとき、欠陥検
出感度をそれまでよりも下げる。そして、下げた欠陥検
出感度にて再び欠陥検出の処理を行い、欠陥画素数が許
容内に収まるまでこの処理を繰り返す。これにより、欠
陥画素として欠陥レベルの大きいものから許容数だけ検
出することができる。したがって、限られた記憶容量の
メモリを有効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検
出及びそれに伴う欠陥補正を行える。
その検出数がメモリの記憶許容数を越えたとき、欠陥検
出感度をそれまでよりも下げる。そして、下げた欠陥検
出感度にて再び欠陥検出の処理を行い、欠陥画素数が許
容内に収まるまでこの処理を繰り返す。これにより、欠
陥画素として欠陥レベルの大きいものから許容数だけ検
出することができる。したがって、限られた記憶容量の
メモリを有効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検
出及びそれに伴う欠陥補正を行える。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、ＣＣＤカメラに適用された例えば
ディジタル信号処理構成の本発明の第１実施例を示すブ
ロック図である。図１において、被写体はレンズ１及び
絞り(IRIS)２からなる光学系によってＣＣＤ固体撮像素
子３の撮像面上に結像される。この光学系の絞り２は、
後述する欠陥検出／補正時にマイコン４によって開閉制
御される。タイミングジェネレータ５は、適当なタイミ
ングで各種の信号を発生し、ＣＣＤ固体撮像素子３にお
ける各画素（フォトセンサ）からの垂直転送レジスタへ
の信号電荷の読出し、垂直転送レジスタによる垂直転
送、水平転送レジスタによる水平転送等の駆動を行う。
に説明する。図１は、ＣＣＤカメラに適用された例えば
ディジタル信号処理構成の本発明の第１実施例を示すブ
ロック図である。図１において、被写体はレンズ１及び
絞り(IRIS)２からなる光学系によってＣＣＤ固体撮像素
子３の撮像面上に結像される。この光学系の絞り２は、
後述する欠陥検出／補正時にマイコン４によって開閉制
御される。タイミングジェネレータ５は、適当なタイミ
ングで各種の信号を発生し、ＣＣＤ固体撮像素子３にお
ける各画素（フォトセンサ）からの垂直転送レジスタへ
の信号電荷の読出し、垂直転送レジスタによる垂直転
送、水平転送レジスタによる水平転送等の駆動を行う。
【０００９】ＣＣＤ固体撮像素子３の撮像出力は、Ｓ／
Ｈ（サンプル／ホールド）＆ＡＧＣ（自動利得制御）回
路６を経た後、Ａ／Ｄ変換器７でＡ／Ｄ変換されて例え
ば１０bit のデータとして欠陥補正回路８及び本発明に
係る欠陥検出装置９に供給される。欠陥補正回路８で欠
陥補正された撮像出力は、信号処理回路１０で各種の信
号処理が行われて輝度（Ｙ）信号及びクロマ（Ｃ）信号
として出力され、しかる後エンコーダ１１を経てビデオ
出力となる。
Ｈ（サンプル／ホールド）＆ＡＧＣ（自動利得制御）回
路６を経た後、Ａ／Ｄ変換器７でＡ／Ｄ変換されて例え
ば１０bit のデータとして欠陥補正回路８及び本発明に
係る欠陥検出装置９に供給される。欠陥補正回路８で欠
陥補正された撮像出力は、信号処理回路１０で各種の信
号処理が行われて輝度（Ｙ）信号及びクロマ（Ｃ）信号
として出力され、しかる後エンコーダ１１を経てビデオ
出力となる。
【００１０】ここで、本発明に係る欠陥検出装置９の具
体的な構成について説明する。本実施例における欠陥検
出装置９は、ＣＣＤ固体撮像素子３の撮像出力レベルを
所定の検出レベルと比較することによって欠陥画素を検
出するコンパレータ２１と、このコンパレータ２１の検
出出力に基づいて欠陥画素のアドレスを特定するアドレ
ス検出回路２２と、このアドレス検出回路２２によって
与えられるアドレスデータを奇数・偶数の各フィールド
毎に記憶するＲＡＭ２３とを有する構成となっている。
ＲＡＭ２３は、例えば欠陥画素１０個分程度の欠陥デー
タを記憶できる記憶容量を持っている。ＲＡＭ２３から
の読出しアドレスは補正パルス発生回路１２に供給され
る。この補正パルス発生回路１２は、ＲＡＭ２３からの
読出しアドレスに応じたタイミングで欠陥補正パルスを
発生して欠陥補正回路８に供給する。
体的な構成について説明する。本実施例における欠陥検
出装置９は、ＣＣＤ固体撮像素子３の撮像出力レベルを
所定の検出レベルと比較することによって欠陥画素を検
出するコンパレータ２１と、このコンパレータ２１の検
出出力に基づいて欠陥画素のアドレスを特定するアドレ
ス検出回路２２と、このアドレス検出回路２２によって
与えられるアドレスデータを奇数・偶数の各フィールド
毎に記憶するＲＡＭ２３とを有する構成となっている。
ＲＡＭ２３は、例えば欠陥画素１０個分程度の欠陥デー
タを記憶できる記憶容量を持っている。ＲＡＭ２３から
の読出しアドレスは補正パルス発生回路１２に供給され
る。この補正パルス発生回路１２は、ＲＡＭ２３からの
読出しアドレスに応じたタイミングで欠陥補正パルスを
発生して欠陥補正回路８に供給する。
【００１１】欠陥検出装置９にはさらに、コンパレータ
２１の検出出力に基づいて欠陥画素の数をカウントする
カウンタ（欠陥数検出手段）２５と、コンパレータ２１
の検出レベル（基準レベル）を設定するとともに、カウ
ンタ２５による検出数に基づいて検出レベルを制御する
検出レベル設定回路（制御手段）２６とが設けられてい
る。具体的には、検出レベル設定回路２６は、通常はコ
ンパレータ２１に対してある検出レベルを与えており、
カウンタ２５による検出数がＲＡＭ２３の記憶容量に対
応した数（本例では、１０個）を越えたときコンパレー
タ２１の検出レベルをそれまでよりも上げる制御を行
う。このように、コンパレータ２１の検出レベルを上げ
ることは、欠陥検出感度を下げることを意味する。
２１の検出出力に基づいて欠陥画素の数をカウントする
カウンタ（欠陥数検出手段）２５と、コンパレータ２１
の検出レベル（基準レベル）を設定するとともに、カウ
ンタ２５による検出数に基づいて検出レベルを制御する
検出レベル設定回路（制御手段）２６とが設けられてい
る。具体的には、検出レベル設定回路２６は、通常はコ
ンパレータ２１に対してある検出レベルを与えており、
カウンタ２５による検出数がＲＡＭ２３の記憶容量に対
応した数（本例では、１０個）を越えたときコンパレー
タ２１の検出レベルをそれまでよりも上げる制御を行
う。このように、コンパレータ２１の検出レベルを上げ
ることは、欠陥検出感度を下げることを意味する。
【００１２】次に、上記第１実施例の欠陥検出装置を用
いた場合の欠陥検出及び欠陥補正のアルゴリズムにつ
き、図２のフローチャートにしたがって説明する。ＣＣ
Ｄカメラの電源が投入されると、マイコン４は先ず、レ
ンズ絞り２を閉じてＣＣＤ固体撮像素子３への光入射が
無い全黒の状態とし（ステップＳ１）、続いてＣＣＤ固
体撮像素子３に対してタイミングジェネレータ５から発
生される読出しパルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２を停止する
（ステップＳ２）。このように、読出しパルスＸＳＧ
１，ＸＳＧ２を停止することで、図３（Ｂ）のタイミン
グチャートから明かなように、フォトセンサに信号電荷
を長時間蓄積できることから、画素欠陥信号を実質的に
増幅できるため、欠陥検出感度を向上できることにな
る。
いた場合の欠陥検出及び欠陥補正のアルゴリズムにつ
き、図２のフローチャートにしたがって説明する。ＣＣ
Ｄカメラの電源が投入されると、マイコン４は先ず、レ
ンズ絞り２を閉じてＣＣＤ固体撮像素子３への光入射が
無い全黒の状態とし（ステップＳ１）、続いてＣＣＤ固
体撮像素子３に対してタイミングジェネレータ５から発
生される読出しパルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２を停止する
（ステップＳ２）。このように、読出しパルスＸＳＧ
１，ＸＳＧ２を停止することで、図３（Ｂ）のタイミン
グチャートから明かなように、フォトセンサに信号電荷
を長時間蓄積できることから、画素欠陥信号を実質的に
増幅できるため、欠陥検出感度を向上できることにな
る。
【００１３】なお、図３は、フレーム読出し駆動（フレ
ーム蓄積モード）でのタイミングチャートであり、
（Ａ）は通常動作の場合を、（Ｂ）は長時間蓄積の場合
をそれぞれ示している。図３において、ＶＤはＮＴＳＣ
方式ＴＶ信号における垂直同期信号、ＦＬＤは(EVEN/OD
D)判別信号、ＸＳＧ１，ＸＳＧ２は各画素から信号電荷
を読み出すための読出しパルス、ＳＴ／ＳＰは欠陥検出
開始／停止信号（立上がりが開始、立下がりが停止）、
ＶＣＬＫは垂直転送クロック、Ｓ／Ｈ OUTはＣＣＤ固体
撮像素子３の撮像出力のサンプルホールド出力、Ｗパル
スは欠陥検出パルスをそれぞれ示している。また、サン
プルホールド出力Ｓ／Ｈ OUTにおいて、パルスａはレベ
ルの小なる欠陥出力、パルスｂはレベルの大なる欠陥出
力を表している。
ーム蓄積モード）でのタイミングチャートであり、
（Ａ）は通常動作の場合を、（Ｂ）は長時間蓄積の場合
をそれぞれ示している。図３において、ＶＤはＮＴＳＣ
方式ＴＶ信号における垂直同期信号、ＦＬＤは(EVEN/OD
D)判別信号、ＸＳＧ１，ＸＳＧ２は各画素から信号電荷
を読み出すための読出しパルス、ＳＴ／ＳＰは欠陥検出
開始／停止信号（立上がりが開始、立下がりが停止）、
ＶＣＬＫは垂直転送クロック、Ｓ／Ｈ OUTはＣＣＤ固体
撮像素子３の撮像出力のサンプルホールド出力、Ｗパル
スは欠陥検出パルスをそれぞれ示している。また、サン
プルホールド出力Ｓ／Ｈ OUTにおいて、パルスａはレベ
ルの小なる欠陥出力、パルスｂはレベルの大なる欠陥出
力を表している。
【００１４】次に、ＣＣＤ固体撮像素子３の撮像出力を
検査信号としてコンパレータ２１に入力し、このコンパ
レータ２１において撮像出力レベルを検出レベル設定回
路２６によって与えられる所定の検出レベルと比較する
（ステップＳ３）。そして、ＣＣＤ固体撮像素子３の撮
像出力レベルが所定の検出レベル以上となったときのコ
ンパレータ２１の比較出力をもって欠陥画素を検出する
（ステップＳ４）。続いて、コンパレータ２１の検出出
力に基づいてアドレス検出回路２２で欠陥画素のアドレ
スを検出し（ステップＳ５）、同時にカウンタ２５によ
って欠陥画素の検出数をカウントする（ステップＳ
６）。
検査信号としてコンパレータ２１に入力し、このコンパ
レータ２１において撮像出力レベルを検出レベル設定回
路２６によって与えられる所定の検出レベルと比較する
（ステップＳ３）。そして、ＣＣＤ固体撮像素子３の撮
像出力レベルが所定の検出レベル以上となったときのコ
ンパレータ２１の比較出力をもって欠陥画素を検出する
（ステップＳ４）。続いて、コンパレータ２１の検出出
力に基づいてアドレス検出回路２２で欠陥画素のアドレ
スを検出し（ステップＳ５）、同時にカウンタ２５によ
って欠陥画素の検出数をカウントする（ステップＳ
６）。
【００１５】そして、カウンタ２５によるカウント数、
すなわち欠陥画素の検出数Ｎが所定数Ｎ0(本例では、１
０）を越えたか否かを判断し（ステップＳ７）、Ｎ≦Ｎ
0 の場合には、ステップＳ５で検出したアドレスデータ
をＲＡＭ２３に記憶する（ステップＳ８）。一方、Ｎ＞
Ｎ0 の場合には、検出した欠陥画素数がＲＡＭ２３の記
憶許容数を越えたことになり、今回検出した欠陥画素に
ついての欠陥データをＲＡＭ２３に記憶できないことに
なるので、それまでＲＡＭ２３に記憶した欠陥データを
全てクリアし（ステップＳ９）、検出レベル設定回路２
６によってコンパレータ２１の検出レベルをそれまでよ
りも高く設定し（ステップＳ１０）、しかる後ステップ
Ｓ２に戻って再度欠陥検出の処理を、欠陥画素数がＲＡ
Ｍ２３の記憶許容数内に収まるまで繰り返す。
すなわち欠陥画素の検出数Ｎが所定数Ｎ0(本例では、１
０）を越えたか否かを判断し（ステップＳ７）、Ｎ≦Ｎ
0 の場合には、ステップＳ５で検出したアドレスデータ
をＲＡＭ２３に記憶する（ステップＳ８）。一方、Ｎ＞
Ｎ0 の場合には、検出した欠陥画素数がＲＡＭ２３の記
憶許容数を越えたことになり、今回検出した欠陥画素に
ついての欠陥データをＲＡＭ２３に記憶できないことに
なるので、それまでＲＡＭ２３に記憶した欠陥データを
全てクリアし（ステップＳ９）、検出レベル設定回路２
６によってコンパレータ２１の検出レベルをそれまでよ
りも高く設定し（ステップＳ１０）、しかる後ステップ
Ｓ２に戻って再度欠陥検出の処理を、欠陥画素数がＲＡ
Ｍ２３の記憶許容数内に収まるまで繰り返す。
【００１６】欠陥検出の一連の処理の終了後、欠陥補正
を行う必要のある通常の撮像モードへ移行する場合には
（ステップＳ１１）、先ず、ＲＡＭ２３から欠陥画素に
ついてのアドレスデータを読み出して補正パルス発生回
路１２に与える（ステップＳ１２）。補正パルス発生回
路１２は、ＲＡＭ２３から読み出したアドレスデータに
よって与えられるタイミングで欠陥補正パルスを発生し
（ステップＳ１３）、この欠陥補正パルスを欠陥補正回
路８に供給する。
を行う必要のある通常の撮像モードへ移行する場合には
（ステップＳ１１）、先ず、ＲＡＭ２３から欠陥画素に
ついてのアドレスデータを読み出して補正パルス発生回
路１２に与える（ステップＳ１２）。補正パルス発生回
路１２は、ＲＡＭ２３から読み出したアドレスデータに
よって与えられるタイミングで欠陥補正パルスを発生し
（ステップＳ１３）、この欠陥補正パルスを欠陥補正回
路８に供給する。
【００１７】欠陥補正回路８は、この欠陥補正パルスに
より、ＣＣＤ出力中の欠陥画素についての撮像出力を特
定し、例えば、その欠陥画素の撮像出力を１画素前の撮
像出力で置換することによって欠陥補正を行う（ステッ
プＳ１４）。そして、レンズ絞り２が開いているか否か
を判断し（ステップＳ１５）、開いていなければ、レン
ズ絞り２を開いてＣＣＤ固体撮像素子３へ光を入射させ
（ステップＳ１６）、通常の撮像モードへ入る。以降、
撮像モードが終了するまで、上述した一連の欠陥補正の
処理を繰り返して実行する。
より、ＣＣＤ出力中の欠陥画素についての撮像出力を特
定し、例えば、その欠陥画素の撮像出力を１画素前の撮
像出力で置換することによって欠陥補正を行う（ステッ
プＳ１４）。そして、レンズ絞り２が開いているか否か
を判断し（ステップＳ１５）、開いていなければ、レン
ズ絞り２を開いてＣＣＤ固体撮像素子３へ光を入射させ
（ステップＳ１６）、通常の撮像モードへ入る。以降、
撮像モードが終了するまで、上述した一連の欠陥補正の
処理を繰り返して実行する。
【００１８】上述したように、欠陥検査を行う際に、検
出した欠陥画素数をカウントし、その検出数がＲＡＭ２
３の記憶許容数を越えたとき、コンパレータ２１の検出
レベルをそれまでよりも高く設定することによって欠陥
検出感度を下げ、再検査を欠陥画素数が許容内に収まる
まで繰り返すことにより、欠陥画素として欠陥レベルの
大きいものから許容数だけ検出し、かつこれを補正する
ことができるため、限られた記憶容量のＲＡＭ２３を有
効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検出及びそれ
に伴う欠陥補正を行うことができる。また、欠陥レベル
の大きい画素から許容数だけ検出し、これを補正するた
め、補正することによる画質劣化を最大限抑えることが
できる。
出した欠陥画素数をカウントし、その検出数がＲＡＭ２
３の記憶許容数を越えたとき、コンパレータ２１の検出
レベルをそれまでよりも高く設定することによって欠陥
検出感度を下げ、再検査を欠陥画素数が許容内に収まる
まで繰り返すことにより、欠陥画素として欠陥レベルの
大きいものから許容数だけ検出し、かつこれを補正する
ことができるため、限られた記憶容量のＲＡＭ２３を有
効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検出及びそれ
に伴う欠陥補正を行うことができる。また、欠陥レベル
の大きい画素から許容数だけ検出し、これを補正するた
め、補正することによる画質劣化を最大限抑えることが
できる。
【００１９】図４は、本発明の第２実施例を示すブロッ
ク図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付し
て示し、その説明については重複するので省略する。本
実施例における欠陥検出装置９'には、欠陥検出感度を
制御する制御手段として、第１実施例における検出レベ
ル設定回路２６に代えてタイミング制御回路２７が設け
られており、それ以外の構成は図１の構成と同じであ
る。タイミング制御回路２７は、タイミングジェネレー
タ５から発生される読出しパルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２の
タイミングを制御するためのものであり、欠陥検出モー
ドでの長時間蓄積（図３（Ｂ）を参照）において、カウ
ンタ２５による検出数がＲＡＭ２３の記憶容量に対応し
た数（本例では、１０個）を越えたときに、信号電荷の
蓄積時間をそれまでよりも短く設定するように読出しパ
ルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２を停止する期間を短くする。
ク図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付し
て示し、その説明については重複するので省略する。本
実施例における欠陥検出装置９'には、欠陥検出感度を
制御する制御手段として、第１実施例における検出レベ
ル設定回路２６に代えてタイミング制御回路２７が設け
られており、それ以外の構成は図１の構成と同じであ
る。タイミング制御回路２７は、タイミングジェネレー
タ５から発生される読出しパルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２の
タイミングを制御するためのものであり、欠陥検出モー
ドでの長時間蓄積（図３（Ｂ）を参照）において、カウ
ンタ２５による検出数がＲＡＭ２３の記憶容量に対応し
た数（本例では、１０個）を越えたときに、信号電荷の
蓄積時間をそれまでよりも短く設定するように読出しパ
ルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２を停止する期間を短くする。
【００２０】図５は、上記第２実施例の欠陥検出装置を
用いた場合の欠陥検出及び欠陥補正のアルゴリズムを示
すフローチャートであり、図２のフローチャートの場合
と異なるところは、ステップＳ１０′の処理のみであ
る。ステップＳ１０′では、ステップＳ７でＮ＞Ｎ0 と
判定した場合に、信号電荷の蓄積時間をそれまでよりも
短く設定する処理が行われる。このように、信号電荷の
蓄積時間を短くすることは、欠陥検出感度を下げること
を意味する。したがって、ステップＳ１０′の処理後、
ステップＳ２に戻って再度欠陥検出の動作を欠陥画素数
が許容内に収まるまで繰り返すことにより、第１実施例
の場合と同様に、欠陥画素として欠陥レベルの大きいも
のから許容数だけ検出することができるため、限られた
記憶容量のＲＡＭ２３を有効に用いて画面全体に亘って
効率的に欠陥検出を行うことができる。
用いた場合の欠陥検出及び欠陥補正のアルゴリズムを示
すフローチャートであり、図２のフローチャートの場合
と異なるところは、ステップＳ１０′の処理のみであ
る。ステップＳ１０′では、ステップＳ７でＮ＞Ｎ0 と
判定した場合に、信号電荷の蓄積時間をそれまでよりも
短く設定する処理が行われる。このように、信号電荷の
蓄積時間を短くすることは、欠陥検出感度を下げること
を意味する。したがって、ステップＳ１０′の処理後、
ステップＳ２に戻って再度欠陥検出の動作を欠陥画素数
が許容内に収まるまで繰り返すことにより、第１実施例
の場合と同様に、欠陥画素として欠陥レベルの大きいも
のから許容数だけ検出することができるため、限られた
記憶容量のＲＡＭ２３を有効に用いて画面全体に亘って
効率的に欠陥検出を行うことができる。
【００２１】なお、上記各実施例では、ＣＣＤカメラに
おける信号処理系をディジタル的に構成した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、図６に
示すように、アナログ的に構成した場合にも同様に適用
し得るものである。図６には、上記第１実施例に対応し
た回路構成を示す。アナログ構成の場合には、Ｓ／Ｈ＆
ＡＧＣ回路６におけるＳ／Ｈ回路のサンプリングパルス
ＳＰ１，ＳＰ２のタイミングを制御することにより、例
えば、欠陥画素の撮像出力を１画素前の撮像出力で置換
する欠陥補正を行うことができる。したがって、タイミ
ングジェネレータ５のタイミング制御を行うタイミング
制御回路１３を設け、ＲＡＭ２３から読み出したアドレ
スデータに基づいてサンプリングパルスＳＰ１，ＳＰ２
のタイミング制御を行うようにすれば良い。
おける信号処理系をディジタル的に構成した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、図６に
示すように、アナログ的に構成した場合にも同様に適用
し得るものである。図６には、上記第１実施例に対応し
た回路構成を示す。アナログ構成の場合には、Ｓ／Ｈ＆
ＡＧＣ回路６におけるＳ／Ｈ回路のサンプリングパルス
ＳＰ１，ＳＰ２のタイミングを制御することにより、例
えば、欠陥画素の撮像出力を１画素前の撮像出力で置換
する欠陥補正を行うことができる。したがって、タイミ
ングジェネレータ５のタイミング制御を行うタイミング
制御回路１３を設け、ＲＡＭ２３から読み出したアドレ
スデータに基づいてサンプリングパルスＳＰ１，ＳＰ２
のタイミング制御を行うようにすれば良い。
【００２２】また、上記各実施例においては、欠陥検出
を電源投入時に行い、欠陥画素についての欠陥データを
ＲＡＭ２３に記憶するとしたが、電源遮断前に欠陥検出
モードを設定し、この欠陥検出モードにおいて検出した
欠陥データをＥ2 ＰＲＯＭ等の不揮発性メモリに記憶す
るように構成することも可能である。
を電源投入時に行い、欠陥画素についての欠陥データを
ＲＡＭ２３に記憶するとしたが、電源遮断前に欠陥検出
モードを設定し、この欠陥検出モードにおいて検出した
欠陥データをＥ2 ＰＲＯＭ等の不揮発性メモリに記憶す
るように構成することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
欠陥検査を行う際に、欠陥画素の数を検出し、その検出
数がメモリの記憶許容数を越えたとき、欠陥検出感度を
それまでよりも下げ、再び欠陥検出の処理を欠陥画素数
が許容内に収まるまで繰り返すように構成したことによ
り、欠陥画素として欠陥レベルの大きいものから許容数
だけ検出することができるため、限られた記憶容量のメ
モリを有効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検出
及びそれに伴う欠陥補正を行えることになる。
欠陥検査を行う際に、欠陥画素の数を検出し、その検出
数がメモリの記憶許容数を越えたとき、欠陥検出感度を
それまでよりも下げ、再び欠陥検出の処理を欠陥画素数
が許容内に収まるまで繰り返すように構成したことによ
り、欠陥画素として欠陥レベルの大きいものから許容数
だけ検出することができるため、限られた記憶容量のメ
モリを有効に用いて画面全体に亘って効率的に欠陥検出
及びそれに伴う欠陥補正を行えることになる。
【図１】ＣＣＤカメラに適用された例えばディジタル信
号処理構成の本発明の第１実施例を示すブロック図であ
る。
号処理構成の本発明の第１実施例を示すブロック図であ
る。
【図２】第１実施例に係る欠陥検出及び欠陥補正のアル
ゴリズムを示すフローチャートである。
ゴリズムを示すフローチャートである。
【図３】フレーム読出し駆動でのタイミングチャートで
あり、（Ａ）は通常動作の場合を、（Ｂ）は長時間蓄積
の場合をそれぞれ示す。
あり、（Ａ）は通常動作の場合を、（Ｂ）は長時間蓄積
の場合をそれぞれ示す。
【図４】本発明の第２実施例を示すブロック図である。
【図５】第２実施例に係る欠陥検出及び欠陥補正のアル
ゴリズムを示すフローチャートである。
ゴリズムを示すフローチャートである。
【図６】アナログ信号処理構成とした場合を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
３ ＣＣＤ固体撮像素子 ４ マイコン ５ タイミングジェネレータ ８ 欠陥補正回路 ９，９′，９″ 欠陥検出装置 １２ 補正パルス発生回路 １３，２７ タイミング制御回路 ２１ コンパレータ ２２ アドレス検出回路 ２３ ＲＡＭ ２５ カウンタ ２６ 検出レベル設定回路
Claims (5)
- 【請求項１】 固体撮像素子の撮像出力レベルを所定の
検出レベルと比較することによって欠陥画素を検出する
コンパレータと、 前記コンパレータの検出出力に基づいて欠陥画素の数を
検出する欠陥数検出手段と、 前記欠陥数検出手段による検出数が所定数を越えたとき
欠陥検出感度をそれまでよりも下げるように制御する制
御手段とを備えたことを特徴とする固体撮像素子の欠陥
検出装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記欠陥数検出手段に
よる検出数が所定数を越えたとき前記コンパレータの検
出レベルをそれまでよりも高く設定することを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像素子の欠陥検出装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、前記欠陥数検出手段に
よる検出数が所定数を越えたとき前記固体撮像素子の信
号電荷の蓄積時間をそれまでよりも短く設定することを
特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の欠陥検出装
置。 - 【請求項４】 固体撮像素子と、前記固体撮像素子に光を導く光学系と、 電源投入時、又は電源遮断の直前に前記光学系の絞りを
閉じた状態で前記固体撮像素子の各画素に蓄積された信
号電荷を読み出すべく前記固体撮像素子を駆動する駆動
手段と、 前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素
を検出する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段による検出数が所定数を超えたとき欠
陥検出感度をそれまでよりも下げるように制御する制御
手段と、 前記欠陥画素についての欠陥データを記憶するメモリと
を備えたことを特徴とするカメラ。 - 【請求項５】 請求項４記載のカメラにおいてさらに、 前記メモリから読み出した欠陥データによって与えられ
るタイミングで欠陥補正パルスを発生する補正パルス発
生回路と、 前記欠陥補正パルスに応答して前記固体撮像素子の撮像
出力に対して欠陥補正を行う欠陥補正回路とを備えたこ
とを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12493293A JP3146762B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12493293A JP3146762B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000337167A Division JP3531601B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | メモリの制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06315112A JPH06315112A (ja) | 1994-11-08 |
| JP3146762B2 true JP3146762B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=14897742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12493293A Expired - Fee Related JP3146762B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いたカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3146762B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002330355A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
| JP3912672B2 (ja) | 2002-07-05 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその画素欠陥検査方法 |
| JP5266957B2 (ja) | 2008-08-21 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | 欠陥画素検出装置、撮像装置、および欠陥画素検出方法 |
| US20110013053A1 (en) * | 2008-09-29 | 2011-01-20 | Rui Chen | Defective pixel detection and correction |
| JP5479202B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-04-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び制御方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12493293A patent/JP3146762B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06315112A (ja) | 1994-11-08 |
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