JP3145424U - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP3145424U
JP3145424U JP2008005083U JP2008005083U JP3145424U JP 3145424 U JP3145424 U JP 3145424U JP 2008005083 U JP2008005083 U JP 2008005083U JP 2008005083 U JP2008005083 U JP 2008005083U JP 3145424 U JP3145424 U JP 3145424U
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Inventor
正徳 坂田
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日本エー・エス・エム株式会社
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Abstract

【課題】構造が単純で、装置コストが廉価な被処理体位置決め機構を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ2と、被処理体を支持するサセプタ4であって被処理体の支持面に対して垂直方向に、複数の貫通孔を有し、その内部には、貫通孔より長い少なくとも2種類の長さのピンが移動可能な状態で収納されているサセプタと、ピンを上下移動させるための昇降手段と、リアクタの外部からサセプタ上に被処理体3を搬送するための搬送機構5とを含み、被処理体が搬送機構によりサセプタ上に搬送される際、昇降手段7によりピンの先端部が貫通孔から突出し、そのうち少なくとも2本のピンの先端部付近の側面と被処理体3の周縁部側面とが当接して、被処理体の位置決めがなされるように基板処理装置を構成する。
【選択図】図1
A substrate processing apparatus having a workpiece positioning mechanism with a simple structure and low apparatus cost is provided.
A reactor 2 and a susceptor 4 for supporting an object to be processed, each of which has a plurality of through holes in a direction perpendicular to a support surface of the object to be processed, and the inside thereof is at least longer than the through holes. A susceptor that accommodates two types of pins in a movable state, an elevating means for moving the pins up and down, and a transport mechanism 5 for transporting the workpiece 3 from the outside of the reactor onto the susceptor. When the object to be processed is transported onto the susceptor by the transport mechanism, the tip end portion of the pin protrudes from the through hole by the elevating means 7, of which the side surface near the tip end portion of at least two pins The substrate processing apparatus is configured so that the peripheral surface of the substrate abuts and the object to be processed is positioned.
[Selection] Figure 1

Description

本考案は、基板処理装置の構造に関する。   The present invention relates to the structure of a substrate processing apparatus.

従来、半導体基板等の被処理体を処理するために、反応室内部に設置された支持台(以下、サセプタという)上に被処理体が配置される。この際、サセプタ上の所定位置に正確に半導体基板を配置する必要がある。例えば、プラズマCVD、エッチング処理等において、半導体基板の位置が所定位置からずれると、処理中にサセプタから半導体基板が外れたり、マスクの位置がずれて、所定の位置に膜が堆積されず、膜厚のばらつきが生じる原因となる。他に、汚染物質の付着、プラズマダメージの発生、エッジエスクルージョンの不均一等が発生する原因となる。このため、サセプタ上で半導体基板を正確に位置合わせするための技術が開発されてきた(特許文献1)。   Conventionally, in order to process an object to be processed such as a semiconductor substrate, the object to be processed is disposed on a support base (hereinafter referred to as a susceptor) installed in a reaction chamber. At this time, it is necessary to accurately arrange the semiconductor substrate at a predetermined position on the susceptor. For example, if the position of the semiconductor substrate is deviated from a predetermined position in plasma CVD, etching processing, etc., the semiconductor substrate is detached from the susceptor during the process, or the position of the mask is deviated. This causes variation in thickness. In addition, it may cause the adhesion of contaminants, the occurrence of plasma damage, the unevenness of edge escalation, and the like. For this reason, a technique for accurately aligning a semiconductor substrate on a susceptor has been developed (Patent Document 1).

しかし、従来の装置は、構造が複雑で、装置コストが高いという問題がある。また、従来、搬送ロボット上で半導体基板を予め正確に配置する必要があり、搬送ロボットの機構が複雑となり、やはり、装置コストが増大するという問題がある。
特開2003−197716公報
However, the conventional apparatus has a problem that the structure is complicated and the apparatus cost is high. Conventionally, it is necessary to accurately arrange a semiconductor substrate in advance on the transfer robot, and the mechanism of the transfer robot becomes complicated, which also increases the cost of the apparatus.
JP 2003-197716 A

本願の目的は、構造が単純で、装置コストが廉価な被処理体位置決め機構を有する基板処理装置を提供することである。   An object of the present application is to provide a substrate processing apparatus having a workpiece positioning mechanism that is simple in structure and low in apparatus cost.

本考案のひとつの態様において、半導体処理装置は、
リアクタと、
前記リアクタ内に配置され、被処理体を支持するサセプタであって、前記被処理体を支持する支持面に対して垂直方向に、複数の貫通孔を有し、前記複数の貫通孔の内部には、前記サセプタの貫通孔より長い少なくとも2種類の長さのピンが移動可能な状態で収納されている、ところのサセプタと、
前記ピンを上下移動させるための昇降手段と、
前記リアクタの外部から前記サセプタ上に前記被処理体を搬送するための搬送機構と、
を含む基板処理装置であって、
前記被処理体が前記搬送機構により前記サセプタ上に搬送される際、前記昇降手段により前記ピンの先端部が前記貫通孔から突出し、そのうち少なくとも2本のピンの先端部付近の側面と前記被処理体の周縁部側面とが当接して、前記被処理体の位置決めがなされる、
ことを特徴とする。
In one aspect of the present invention, a semiconductor processing apparatus comprises:
A reactor,
A susceptor that is disposed in the reactor and supports an object to be processed. The susceptor has a plurality of through holes in a direction perpendicular to a support surface that supports the object to be processed, and the inside of the plurality of through holes. A susceptor in which at least two types of pins longer than the through hole of the susceptor are housed in a movable state;
Elevating means for moving the pin up and down;
A transport mechanism for transporting the object to be processed onto the susceptor from the outside of the reactor;
A substrate processing apparatus comprising:
When the object to be processed is transported onto the susceptor by the transport mechanism, the tip of the pin protrudes from the through hole by the elevating means, of which the side surface near the tip of the at least two pins and the object to be processed The peripheral surface of the body comes into contact with the body, and the object to be processed is positioned.
It is characterized by that.

本願によれば、構造が単純で、装置コストが廉価な被処理体位置決め機構を有する基板処理装置を提供することができる。   According to the present application, it is possible to provide a substrate processing apparatus having a target object positioning mechanism that is simple in structure and low in apparatus cost.

以下、図面を参照しながら、本考案の実施形態について説明する。
[考案の第1の実施形態]
図1は、本考案の第1の実施形態に係る半導体処理装置を概略的に示したものである。第1の実施形態に係る半導体処理装置1は、リアクタ2と、該リアクタ2の内部に設置され半導体基板3を支持するためのサセプタ4と、該サセプタ4上に半導体基板3を移送するための搬送ロボット5と、リアクタ2内部にあって、該サセプタ4と対向しそれと平行に配置されたシャワープレート6とを備えて構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First embodiment of the invention]
FIG. 1 schematically shows a semiconductor processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The semiconductor processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a reactor 2, a susceptor 4 installed inside the reactor 2 for supporting the semiconductor substrate 3, and a semiconductor substrate 3 for transferring the semiconductor substrate 3 onto the susceptor 4. A transfer robot 5 and a shower plate 6 disposed inside and parallel to the susceptor 4 inside the reactor 2 are provided.

サセプタ4は、昇降機構7と結合されており、垂直方向に上下移動することが可能である。半導体処理装置1がプラズマCVD装置である場合には、サセプタ4は電気的に接地8されており、プラズマ放電のための一方の電極を画成する。本考案において、後述するように、サセプタ4は半導体基板3の位置決め機構を含む。   The susceptor 4 is coupled to the lifting mechanism 7 and can move up and down in the vertical direction. In the case where the semiconductor processing apparatus 1 is a plasma CVD apparatus, the susceptor 4 is electrically grounded 8 and defines one electrode for plasma discharge. In the present invention, as will be described later, the susceptor 4 includes a positioning mechanism for the semiconductor substrate 3.

リアクタ2には、ゲートバルブ9を介して、搬送室10が結合されている。搬送室10の内部には、ロードロックチャンバ(図示せず)からリアクタ2内部へ半導体基板3を搬送するための搬送ロボット5が設置されている。搬送ロボット5は、後述するように薄いアーム式のロボットであり、本考案の位置決め機構の一部を構成している。   A transfer chamber 10 is coupled to the reactor 2 via a gate valve 9. Inside the transfer chamber 10, a transfer robot 5 for transferring the semiconductor substrate 3 from a load lock chamber (not shown) into the reactor 2 is installed. The transfer robot 5 is a thin arm type robot as will be described later, and constitutes a part of the positioning mechanism of the present invention.

シャワープレート6は反応ガス導入管12を介して、ソースガス供給装置(図示せず)と結合されている。シャワープレート6には、反応ガスをリアクタ2内部の反応領域に均一に噴射するための多数の細孔(図示せず)が設けられている。半導体処理装置1がプラズマCVD装置である場合には、シャワープレート6が高周波発振器13(例えば、13.56MHz)と電気的に接続されており、プラズマ放電のもう一方の電極を画成する。   The shower plate 6 is connected to a source gas supply device (not shown) through a reaction gas introduction pipe 12. The shower plate 6 is provided with a large number of pores (not shown) for uniformly injecting the reaction gas into the reaction region inside the reactor 2. When the semiconductor processing apparatus 1 is a plasma CVD apparatus, the shower plate 6 is electrically connected to a high frequency oscillator 13 (for example, 13.56 MHz) and defines the other electrode of the plasma discharge.

リアクタ2の底部には、リアクタ2内部のガスを排気するための排気口14が設けられている。排気口14はガス制御バルブ15を通じて真空排気装置(図示せず)と結合されており、リアクタ2内部は所望の圧力に制御される。   An exhaust port 14 for exhausting the gas inside the reactor 2 is provided at the bottom of the reactor 2. The exhaust port 14 is connected to a vacuum exhaust device (not shown) through a gas control valve 15, and the inside of the reactor 2 is controlled to a desired pressure.

本考案の第1の実施形態に従う基板処理装置の基板位置決め機構を図2に示す。図1と同じ構成要素については同一符号で示している。図2は、図1のサセプタ4の断面の一部及びその周辺領域を拡大して示したものである。図3は、図1のサセプタ4の平面図を示す。   FIG. 2 shows a substrate positioning mechanism of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. FIG. 2 is an enlarged view of a part of the cross section of the susceptor 4 of FIG. 1 and its peripheral region. FIG. 3 shows a plan view of the susceptor 4 of FIG.

第1の実施形態において、サセプタ4は、少なくとも3つの第1貫通孔21及び少なくとも2つの第2貫通孔22を備える。第1貫通孔21は、図3に示すように、サセプタ4の基板支持面30内にあって、例えば、その中心に対して等距離の位置に設けられている。第2貫通孔22は、サセプタ4の基板支持面30の外周端部に設けられている。第2の貫通孔22の数及び間隔は、基板の位置決めに必要な精度に応じて適宜決定することが可能である。第1の実施形態においては、第2貫通孔22が2つの場合を例にとって説明する。   In the first embodiment, the susceptor 4 includes at least three first through holes 21 and at least two second through holes 22. As shown in FIG. 3, the first through hole 21 is provided in the substrate support surface 30 of the susceptor 4, for example, at a position equidistant from the center thereof. The second through hole 22 is provided at the outer peripheral end of the substrate support surface 30 of the susceptor 4. The number and interval of the second through holes 22 can be appropriately determined according to the accuracy necessary for positioning the substrate. In the first embodiment, a case where there are two second through holes 22 will be described as an example.

上記した第1貫通孔21には、サセプタ4上において、半導体基板3を昇降させるためのリフトピン23が上下方向に移動可能に挿入されており、第2貫通孔22には、半導体基板3を位置決めするためのセットピン24が上下方向に移動可能に挿入されている。   Lift pins 23 for moving the semiconductor substrate 3 up and down on the susceptor 4 are inserted into the first through hole 21 so as to be movable in the vertical direction. The semiconductor substrate 3 is positioned in the second through hole 22. A set pin 24 is inserted so as to be movable in the vertical direction.

リフトピン23の長さは、サセプタ4の貫通孔21の長さよりも長く、かつ、基板をサセプタ上において昇降させるのに十分なものであるよう適宜選択することが可能である。各リフトピンの長さは等しくなるように設定される。セットピン24の長さは、貫通孔22の長さよりも長く、かつ、リフトピン23より長く設定されている。各セットピン24の長さは等しくなるように設定される。   The length of the lift pin 23 can be appropriately selected so as to be longer than the length of the through hole 21 of the susceptor 4 and sufficient to raise and lower the substrate on the susceptor. The lengths of the lift pins are set to be equal. The length of the set pin 24 is set longer than the length of the through hole 22 and longer than the lift pin 23. The length of each set pin 24 is set to be equal.

リフトピン23及びセットピン24の太さは貫通孔の口径に応じて適宜選択可能であるが、汚染物質の付着及び発生を抑制するために、これらピンの太さと貫通孔21、22の口径とはほぼ等しくするのが好ましい。リフトピン23及びセットピン24は、アルミニウム合金等の金属から成るが、セラミック等から形成することも可能である。   The thickness of the lift pin 23 and the set pin 24 can be appropriately selected according to the diameter of the through-hole, but in order to suppress the adhesion and generation of contaminants, the thickness of these pins and the diameter of the through-holes 21 and 22 It is preferable to make them approximately equal. The lift pins 23 and the set pins 24 are made of a metal such as an aluminum alloy, but can be made of ceramic or the like.

サセプタ4の下方には、サセプタ4の底面に平行に配置された昇降板25が設けられている。この昇降板25の動作は図1に示した昇降機構7により制御されてもよい。昇降板25の上面Sは、リフトピン23及びセットピン24の下端部と当接している。   Below the susceptor 4, an elevating plate 25 disposed in parallel with the bottom surface of the susceptor 4 is provided. The operation of the lifting plate 25 may be controlled by the lifting mechanism 7 shown in FIG. The upper surface S of the lift plate 25 is in contact with the lower end portions of the lift pins 23 and the set pins 24.

搬送ロボット5は、基板を搬送するためのリンク式のアーム26を備える。アーム26は、基板を載置する載置部27及び、半導体基板3の側面を半導体基板3の搬入方向と同一方向に押しつけ、リフトピン23上で半導体基板3を移動させるための基板押付け機構28を有する。ここで、基板押付け機構28は、半導体基板3の側面端部と接触するパッド29aと該パッド29aを支持するための水平方向に伸長する支持体29bとから成る。該支持体29bの他端は、搬送ロボット5の制御装置(図示せず)に結合され、これによりパッド29aの水平方向の移動動作が制御される。   The transfer robot 5 includes a link-type arm 26 for transferring a substrate. The arm 26 includes a mounting portion 27 for mounting the substrate and a substrate pressing mechanism 28 for pressing the side surface of the semiconductor substrate 3 in the same direction as the loading direction of the semiconductor substrate 3 and moving the semiconductor substrate 3 on the lift pins 23. Have. Here, the substrate pressing mechanism 28 includes a pad 29 a that contacts the side surface end of the semiconductor substrate 3 and a support body 29 b that extends in the horizontal direction for supporting the pad 29 a. The other end of the support 29b is coupled to a control device (not shown) of the transport robot 5, thereby controlling the horizontal movement operation of the pad 29a.

次に、本考案の第1の実施形態に係る半導体処理装置の動作について詳細に説明する。   Next, the operation of the semiconductor processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail.

まず、真空排気されたロードロックチャンバ(図示せず)から、搬送ロボット5により、半導体基板3が、リアクタ2内に搬入される。この基板の搬入作業は、搬送室10が真空排気され、ゲートバルブ9が開かれた後に実行される。搬送ロボット5のアーム26は、その載置面27上に半導体基板3を載置した状態で、サセプタ4の基板支持面30のほぼ上方にて待機する(図2)。   First, the semiconductor substrate 3 is carried into the reactor 2 by the transfer robot 5 from the evacuated load lock chamber (not shown). This substrate loading operation is executed after the transfer chamber 10 is evacuated and the gate valve 9 is opened. The arm 26 of the transfer robot 5 stands by substantially above the substrate support surface 30 of the susceptor 4 with the semiconductor substrate 3 placed on the placement surface 27 (FIG. 2).

次に、昇降板25が上昇し、リフトピン23及びセットピン24の先端部がサセプタ4の載置面から突出して垂直上方に移動する。やがて、リフトピン23の先端部が載置面27上の半導体基板3の裏面と当接し、半導体基板3を持ち上げる。載置面27を離れた半導体基板3は、複数(例えば、3本)のリフトピン23により支持されてサセプタ4の上方で待機する。   Next, the lift plate 25 is raised, and the tip portions of the lift pins 23 and the set pins 24 protrude from the placement surface of the susceptor 4 and move vertically upward. Eventually, the tip of the lift pin 23 comes into contact with the back surface of the semiconductor substrate 3 on the mounting surface 27 and lifts the semiconductor substrate 3. The semiconductor substrate 3 that has left the mounting surface 27 is supported by a plurality of (for example, three) lift pins 23 and stands by above the susceptor 4.

この時、リフトピン23と同時に垂直上方に移動したセットピン24の先端部は、図2に示すように、リフトピン23により支持されている半導体基板3の高さレベルより、高い位置にある。すなわち、セットピン24の長さは、リフトピン23の長さより長く形成されており、その長さは、リフトピン23により半導体基板3が支持されているときの高さレベルより、セットピン24の先端部がわずかに高くなるように構成されている。   At this time, the tip end portion of the set pin 24 moved vertically upward simultaneously with the lift pin 23 is at a position higher than the height level of the semiconductor substrate 3 supported by the lift pin 23 as shown in FIG. That is, the length of the set pin 24 is formed longer than the length of the lift pin 23, and the length of the set pin 24 is higher than the height level when the semiconductor substrate 3 is supported by the lift pin 23. Is configured to be slightly higher.

続いて、搬送ロボット5の基板押付け機構28の支持体29bが半導体基板3の搬入方向に伸長し、パッド29aが半導体基板3の側面部と当接して半導体基板3を図2の矢印方向に移動させる。半導体基板3は、リフトピン23上を滑りながら移動し、反対側の側面部がセットピン24の先端部付近の側面部に当接して停止する(図2)。   Subsequently, the support 29b of the substrate pressing mechanism 28 of the transfer robot 5 extends in the carrying-in direction of the semiconductor substrate 3, and the pad 29a contacts the side surface of the semiconductor substrate 3 to move the semiconductor substrate 3 in the direction of the arrow in FIG. Let The semiconductor substrate 3 moves while sliding on the lift pins 23, and the opposite side surface portion comes into contact with the side surface portion near the tip portion of the set pin 24 and stops (FIG. 2).

次いで、搬送ロボット5が搬送室10に戻って、半導体基板3の下側からアーム26が取り除かれる。   Next, the transfer robot 5 returns to the transfer chamber 10 and the arm 26 is removed from the lower side of the semiconductor substrate 3.

最後に、図4に示すように、昇降板25が下降し、それに伴って、リフトピン23及びセットピン24が垂直下方に移動してこれらピンの先端部がサセプタ4の貫通孔内部に収容される。結果として、半導体基板3はサセプタ4上に位置決めされて配置される。   Finally, as shown in FIG. 4, the lift plate 25 is lowered, and accordingly, the lift pins 23 and the set pins 24 move vertically downward, and the tip portions of these pins are accommodated in the through holes of the susceptor 4. . As a result, the semiconductor substrate 3 is positioned and arranged on the susceptor 4.

本考案の第1実施形態によれば、リフトピン及びセットピンの昇降機構と搬送ロボットによる基板押付け機構とを組み合わせることにより、構造が単純でかつコストの廉価な半導体基板位置決め機構を有する基板処理装置を提供することができる。   According to the first embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a semiconductor substrate positioning mechanism that is simple in structure and low in cost by combining a lift pin and set pin lifting mechanism and a substrate pressing mechanism by a transfer robot. Can be provided.

[考案の第2の実施形態]
次に、本考案の第2の実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。図5は、第2の実施形態に従う基板処理装置のサセプタの一部及びその周辺の拡大断面図を概略的に示したものである。第2実施形態に係る基板処理装置50は、昇降板が、リフトピン23とセットピン24に対して独立に構成されている点で、第1実施形態と異なる。第1実施形態と同一の構成要素については、同一符号で示す。
[Second Embodiment of the Invention]
Next, a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 schematically shows an enlarged cross-sectional view of a part of the susceptor of the substrate processing apparatus according to the second embodiment and its periphery. The substrate processing apparatus 50 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that the elevating plate is configured independently of the lift pins 23 and the set pins 24. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

第2の実施形態において、昇降板は、リフトピン用の第1昇降板51と、セットピン用の第2昇降板52から構成される。第1の昇降板51及び第2の昇降板52の昇降動作は、独立に制御可能であり、リフトピン23とセットピン24のそれぞれの先端部の相対的な高さ位置は、自由に変更することが可能である。   In the second embodiment, the lifting plate includes a first lifting plate 51 for lift pins and a second lifting plate 52 for set pins. The raising / lowering operations of the first raising / lowering plate 51 and the second raising / lowering plate 52 can be controlled independently, and the relative height positions of the tip portions of the lift pin 23 and the set pin 24 can be freely changed. Is possible.

その他の動作については、第1実施形態と同様なので説明を省略する。   Since other operations are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

本考案の第2実施形態によれば、リフトピンとセットピンの独立昇降機構と搬送ロボットによる基板押付け機構とを組み合わせることにより、構造が単純でかつコストの廉価な半導体基板位置決め機構を有する基板処理装置を提供することができる。   According to the second embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus having a semiconductor substrate positioning mechanism that is simple in structure and low in cost by combining an independent lifting mechanism for lift pins and set pins and a substrate pressing mechanism using a transfer robot. Can be provided.

[その他]
以上、本考案の特定の実施形態について説明してきたが、ここに開示される装置の構造は例示に過ぎず、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案の思想から離れることなく、さまざまな修正及び変更が可能であることは当業者の知るところである。
[Others]
Although specific embodiments of the present invention have been described above, the structure of the apparatus disclosed herein is merely an example, and various configurations can be made without departing from the spirit of the present invention described in the claims of the utility model registration. Those skilled in the art know that modifications and changes are possible.

本考案に従う基板処理装置の概略図である。1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the present invention. 本考案の第1の実施形態に係る基板処理装置のサセプタ周辺の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the susceptor periphery of the substrate processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本考案の第1の実施形態に係る基板処理装置のサセプタの平面図である。1 is a plan view of a susceptor of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本考案の第1の実施形態に係る基板処理装置により位置決めされたサセプタ周辺の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the susceptor periphery positioned by the substrate processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本考案の第2の実施形態に係る基板処理装置のサセプタ周辺の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the susceptor periphery of the substrate processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・半導体製造装置、2・・・リアクタ、3・・・半導体基板、4・・・サセプタ、5・・・搬送ロボット、6・・・シャワープレート、7・・・昇降装置、8・・・接地、9・・・ゲートバルブ、10・・・搬送室、12・・・ガス導入管、13・・・高周波発振器、14・・・排気口、15・・・ガス排気バルブ、21・・・第1貫通孔、22・・・第2貫通孔、23・・・リフトピン、24・・・セットピン、25・・・昇降板、26・・・アーム、27・・・載置部、28・・・基板押付け機構、29a・・・パッド、29b・・・支持体。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor manufacturing apparatus, 2 ... Reactor, 3 ... Semiconductor substrate, 4 ... Susceptor, 5 ... Transfer robot, 6 ... Shower plate, 7 ... Lifting device, 8 -Grounding, 9 ... Gate valve, 10 ... Transfer chamber, 12 ... Gas introduction pipe, 13 ... High frequency oscillator, 14 ... Exhaust port, 15 ... Gas exhaust valve, 21 .. 1st through hole, 22 ... 2nd through hole, 23 ... Lift pin, 24 ... Set pin, 25 ... Elevating plate, 26 ... Arm, 27 ... Mounting part, 28 ... Substrate pressing mechanism, 29a ... pad, 29b ... support.

Claims (6)

リアクタと、
前記リアクタ内に配置され、被処理体を支持するサセプタであって、前記被処理体を支持する支持面に対して垂直方向に、複数の貫通孔を有し、前記複数の貫通孔の内部には、前記サセプタの貫通孔より長い少なくとも2種類の長さのピンが移動可能な状態で収納されている、ところのサセプタと、
前記ピンを上下移動させるための昇降手段と、
前記リアクタの外部から前記サセプタ上に前記被処理体を搬送するための搬送機構と、
を含む基板処理装置であって、
前記被処理体が前記搬送機構により前記サセプタ上に搬送される際、前記昇降手段により前記ピンの先端部が前記貫通孔から突出し、そのうち少なくとも2本のピンの先端部付近の側面と前記被処理体の周縁部側面とが当接して、前記被処理体の位置決めがなされる、
ことを特徴とする基板処理装置。
A reactor,
A susceptor that is disposed in the reactor and supports an object to be processed. The susceptor has a plurality of through holes in a direction perpendicular to a support surface that supports the object to be processed, and the inside of the plurality of through holes. A susceptor in which at least two types of pins longer than the through hole of the susceptor are housed in a movable state;
Elevating means for moving the pin up and down;
A transport mechanism for transporting the object to be processed onto the susceptor from the outside of the reactor;
A substrate processing apparatus comprising:
When the object to be processed is transported onto the susceptor by the transport mechanism, the tip of the pin protrudes from the through hole by the elevating means, of which the side surface near the tip of the at least two pins and the object to be processed The peripheral surface of the body comes into contact with the body, and the object to be processed is positioned.
A substrate processing apparatus.
前記搬送機構は、前記被処理体を前記少なくとも2本のピンの先端部付近の側面に押付けるための押付け機構を備える、
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The transport mechanism includes a pressing mechanism for pressing the object to be processed against a side surface near a tip portion of the at least two pins.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記貫通孔は、前記支持面の支持領域内に設けられた複数の第1貫通孔と、前記支持領域外にあって、前記被処理体の外縁部付近に設けられた少なくとも2つの第2貫通孔とを含む、
ことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
The through hole includes a plurality of first through holes provided in a support region of the support surface, and at least two second through holes provided outside the support region and in the vicinity of an outer edge portion of the object to be processed. Including holes,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
前記第1貫通孔には、被処理体を昇降するためのリフトピンが移動可能に設けられ、前記第2貫通孔には、前記被処理体を位置決めするためのセットピンが移動可能に設けられ、前記セットピンは前記リフトピンより長い、
ことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
In the first through hole, a lift pin for moving the object to be processed is movably provided, and in the second through hole, a set pin for positioning the object to be processed is movably provided, The set pin is longer than the lift pin,
The substrate processing apparatus according to claim 3.
前記昇降手段は一体的に構成され、前記リフトピン及び前記セットピンを同時に移動させる、
ことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
The elevating means is configured integrally and moves the lift pin and the set pin simultaneously.
The substrate processing apparatus according to claim 4.
前記昇降手段は別個に構成され、前記リフトピンと前記セットピンとを独立に移動させる、
ことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
The elevating means is configured separately and moves the lift pin and the set pin independently.
The substrate processing apparatus according to claim 4.
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