JP3140111U - A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device - Google Patents

A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device Download PDF

Info

Publication number
JP3140111U
JP3140111U JP2007009817U JP2007009817U JP3140111U JP 3140111 U JP3140111 U JP 3140111U JP 2007009817 U JP2007009817 U JP 2007009817U JP 2007009817 U JP2007009817 U JP 2007009817U JP 3140111 U JP3140111 U JP 3140111U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas supply
supply pipe
manifold
coupled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2007009817U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
亮 清水
朗 渡部
Original Assignee
日本エー・エス・エム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本エー・エス・エム株式会社 filed Critical 日本エー・エス・エム株式会社
Priority to JP2007009817U priority Critical patent/JP3140111U/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3140111U publication Critical patent/JP3140111U/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Lifetime legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】抵抗率の半導体基板面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供する。 A is possible to improve the semiconductor substrate surface uniformity of resistivity to provide a gas supply device for semiconductor manufacturing equipment as possible.
【解決手段】半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置1は、反応室内部にプロセスガスを導入するためのマニホールド2を有し、マニホールド2には、少なくとも4つのガス供給配管(3,4,5,6)が結合されており、プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィス7を有する複数の流路に分流されて、ガス供給配管の少なくとも2つを通じてマニホールド2に流入するように構成されたガスラインを備えることを特徴とする。 A gas supply apparatus 1 for introducing a process gas and purge gas into the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus has a manifold 2 for introducing a process gas into the reaction chamber portion, the manifold 2, at least four gas supply pipe (3, 4, 5, 6) are coupled, the additive gas is one of the process gas, it is diverted to a plurality of channels having an orifice 7, at least two gas supply pipe characterized in that it comprises a structure gas lines to flow into the manifold 2 through.
【選択図】図1 .FIELD 1

Description

本考案は、半導体製造装置にプロセスガスを供給するためのガス供給装置の構造に関する。 This invention relates to the structure of the gas supply apparatus for supplying a process gas to a semiconductor manufacturing device.

従来、原子層堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition)を用いた金属薄膜の製造が周知である。 Conventionally, atomic layer deposition (ALD: Atomic Layer Deposition) is known to manufacture a metal thin film was used. ALD法は、材料物質膜を一度に単層ずつ形成するものである。 ALD method is to form each single layer at a time of material material layer. そのため、2種類以上のプロセスガスが交互にかつ連続的に導入される。 Therefore, two or more process gases are introduced alternately and continuously. このALDによれば、層の膜厚均一性及び堆積層の整合性が改善されるため、超薄膜ゲートの形成、メタライゼーションのための超薄膜バリア層、シード層の形成などへの応用が期待されている。 According to this ALD, since the integrity of the film thickness uniformity and the deposition layer of the layer is improved, expectations of ultra-thin gate, ultra-thin barrier layer for metallization, application to the formation of the seed layer It is.

ALD法によるタンタル(Ta)系金属薄膜の形成には、プラズマALD法が用いられてきた。 The formation of the tantalum (Ta) based metal thin film by the ALD method, a plasma ALD method has been used. その際、前駆体として、TaF5、TaCl5、TBTDET(tris-diethylamino-buthylimino-Tantalum)、TiMata(tertiaryamlimidotris-diethylamino-Tantalum)等のハロゲン系Taまたは有機系Taを用い、反応ガスとしてH2、NH3を用いて、反応ガスの導入時に13.56MHzまたは27MHzの高周波(RF)電力を印加し、半導体基板上にTa系薄膜が堆積される。 At that time, as a precursor, TaF5, TaCl5, TBTDET (tris-diethylamino-buthylimino-Tantalum), using a halogen-based Ta or organic Ta such TiMata (tertiaryamlimidotris-diethylamino-Tantalum), the H2, NH3 used as the reaction gas Te, a 13.56MHz or 27MHz high frequency (RF) power upon introduction of the reaction gas is applied, Ta-based thin film is deposited on the semiconductor substrate. 特に、抵抗率を制御する必要がある場合、添加ガスとして、窒素ガス(N2)が用いられる。 In particular, when it is necessary to control the resistivity, as an additional gas, nitrogen gas (N2) is used.

しかしながら、Ta系膜は成膜時に膜中に取り込まれる窒素原子の量によって抵抗率が大きく変化するため、窒素ガスの流量が増加すると半導体基板面内での抵抗率の均一性が悪くなるという問題があった。 However, since Ta-based film is largely changed resistivity by the amount of nitrogen atoms incorporated in the film during the film formation, a problem that the uniformity of the resistivity of the semiconductor substrate surface when the flow rate of the nitrogen gas increases is deteriorated was there.

本願の目的は、半導体基板表面に堆積する膜の抵抗率の面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供することである。 The purpose of the present application is to provide a gas supply apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the surface uniformity of the resistivity of the film deposited on the semiconductor substrate surface.

本考案のひとつの態様において、半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガスを導入するためのマニホールドを有し、前記マニホールドには、少なくとも3つのガス供給配管が結合されており、前記プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィスを有する複数の流路に分流されて、前記ガス供給配管の少なくとも2つを通じて前記マニホールドに流入するように構成されたガスラインシステムを備えることを特徴とする。 In one embodiment of the present invention, the gas supply device for introducing a process gas and purge gas into the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus has a manifold for introducing the process gas into the reaction chamber portion, the manifold the, at least three gas supply pipes are coupled, one the addition gas is the process gas, is diverted to a plurality of channels having an orifice, said manifold through at least two of the gas supply pipe characterized in that it comprises a gas line system configured to flow.

本考案の他の態様において、半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、前記マニホールドに結合されたガスラインシステムとを備え、前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第1ガス供給配管、第2ガス供給配管、第3ガス供給配管及び第4ガス供給配管を有し、前記第1ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、前記第2ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第1反応ガス供給装置に結合し、他方はオリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に In another embodiment of the present invention, the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply device for introducing a process gas and the purge gas, a manifold for introducing the process gas and purge gas into the reaction chamber portion, said and a gas line system coupled to the manifold, the gas line system, coupled to the substantially equal intervals in the manifold, first gas supply pipe, the second gas supply pipe, the third gas supply pipe and the fourth has a gas supply pipe, the first gas supply pipe is coupled to a purge gas supply apparatus, the second gas supply pipe is branched into two hands, one coupled to the first reaction gas supply device and the other through the orifice further branches into two hands diversion point Te, one of which binds to a purge gas supply apparatus, the other is the additive gas supply device which is one of the process gas 合し、前記第3ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は第2反応ガス供給装置に結合し、他方は第2オリフィスを介して前記分流点に結合し、前記第4ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第3オリフィスを介して前記分流点に結合することを特徴とする。 Combined, the third gas supply pipe is branched into two hands, one bound to a second reactive gas supply device and the other coupled to the shunt point via the second orifice, the fourth gas supply pipe branches into two hands, one to bind to the precursor gas supply device, the other is characterized by binding to the diversion point through the third orifice.

本考案のさらに他の態様において、半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、前記マニホールドに結合されたガスラインシステムとを備え、前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第1ガス供給配管、第2ガス供給配管、第3ガス供給配管及び第4ガス供給配管を有し、前記第1ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、前記第2ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第1反応ガス供給装置に結合し、他方は第1オリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方はさらに二手に分岐し、その一方は前記プロ In yet another aspect of the present invention, the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply device for introducing a process gas and the purge gas, a manifold for introducing the process gas and purge gas into the reaction chamber portion, and a gas line system coupled to the manifold, the gas line system, coupled to the substantially equal intervals in the manifold, first gas supply pipe, the second gas supply pipe, the third gas supply pipe and the 4 has a gas supply pipe, the first gas supply pipe is coupled to a purge gas supply apparatus, the second gas supply pipe is branched into two hands, one coupled to the first reaction gas supply device and the other first branches into two more hand shunted point through an orifice, one of which binds to a purge gas supply apparatus, the other is further branched into two hands, one of the pro スガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、他方は第2反応ガス供給装置に結合し、前記第3ガス供給配管は、第2オリフィスを介して、前記分流点に結合し、前記第4ガス供給配管は二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第3オリフィスを介して前記分流点に結合することを特徴とする。 Bound to the additive gas supply device which is one of Sugasu, other binds to a second reaction gas supply device, the third gas supply pipe via the second orifice, coupled to the shunt point, the fourth gas supply pipe is branched into two hands, one to bind to the precursor gas supply device, the other is characterized by binding to the diversion point through the third orifice.

本願によれば、半導体基板表面に堆積する膜の抵抗率の面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供することができる。 According to the present application, it is possible to provide a gas supply apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the surface uniformity of the resistivity of the film deposited on the semiconductor substrate surface.

以下、図面を参照しながら、本考案の実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention.

[考案の第1の実施形態] First Embodiment of the invention]
図1は、本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置を概略的に示したものである。 Figure 1 is a gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention illustrates schematically. 第1の実施形態に係るガス供給装置1は、後述するプラズマALD装置50と結合するマニホールド2と、該マニホールド2に結合された第1ガス供給配管3、第2ガス供給配管4、第3ガス供給配管5、第4ガス供給配管6を含むガスラインシステムとを備えて構成されている。 Gas supply apparatus 1 according to the first embodiment, a manifold 2 which binds to plasma ALD apparatus 50 to be described later, the first gas supply pipe 3 coupled to the manifold 2, the second gas supply pipe 4, the third gas supply pipe 5 is constituted by a gas line system comprising a fourth gas supply pipe 6.

第1ガス供給配管3は、マニホールド2から上流側に向かって、質量流量制御器8を介して、パージガス供給装置(図示せず)に結合されている。 The first gas supply pipe 3, from the manifold 2 to the upstream side, through a mass flow controller 8 is coupled to a purge gas supply apparatus (not shown). パージガスは、例えばアルゴン(Ar)のような不活性ガスである。 Purge gas is an inert gas such as argon (Ar).

第2ガス供給配管4は、マニホールド2から上流側に向かって、分岐点9において二手に分岐し、ガスライン10及びガスライン11となる。 The second gas supply pipe 4, toward the manifold 2 upstream branches into two hands at the branch point 9, the gas line 10 and gas line 11. ガスライン10の終端は第1反応ガス供給装置(図示せず)に結合されている。 End of the gas line 10 is coupled to a first reaction gas supply device (not shown). ガスライン11には流体の流れを絞るオリフィス7が設けられ、分流点12において二手に分岐し、ガスライン13及びガスライン14となる。 Orifice 7 for throttling the flow of fluid is provided in the gas line 11 is branched into two hands in diversion point 12, the gas line 13 and gas line 14. ガスライン13は質量流量制御器8を介して、例えばアルゴンガスのようなパージガス供給装置(図示せず)に結合されている。 Gas line 13 through a mass flow controller 8 is coupled to a purge gas supply apparatus (not shown), such as argon gas. ガスライン14は質量流量制御器8を介して窒素ガス(N2)供給装置(図示せず)に結合されている。 Gas line 14 is nitrogen gas (N2) via a mass flow controller 8 is coupled to a supply device (not shown).

第3ガス供給配管5は、マニホールド2から上流側に向かって、分岐点15において二手に分岐し、ガスライン16及びガスライン17となる。 The third gas supply pipe 5, from the manifold 2 to the upstream side branches into two hands at the branch point 15, the gas line 16 and gas line 17. ガスライン16の終端は第2反応ガス供給装置(図示せず)に結合されている。 End of the gas line 16 is coupled to a second reaction gas supply device (not shown). ガスライン17には流体の流れを絞るオリフィス7が設けられ、分岐点18を経て、ガスライン19となる。 Orifice 7 for throttling the flow of fluid is provided in the gas line 17, through a branch point 18, the gas line 19. ガスライン19は分流点12において上記したガスライン13及びガスライン14に分岐する。 Gas line 19 branches the gas line 13 and gas line 14 described above in diversion point 12.

第4ガス供給配管6は、マニホールド2から上流側に向かって、分岐点20において二手に分岐し、ガスライン21及びガスライン22となる。 The fourth gas supply pipe 6, from the manifold 2 to the upstream side branches into two hands at the branch point 20, the gas line 21 and gas line 22. ガスライン21の終端は前駆体(プリカーサ)供給装置(図示せず)に結合されている。 End of the gas line 21 is coupled to a precursor (precursor) feeder (not shown). ガスライン22には流体の流れを絞るオリフィス7が設けられている。 Orifice 7 for throttling the flow of fluid is provided in the gas line 22. ガスライン22は、分岐点18を経て、ガスライン19となり、分流点12に至り、上記したガスライン13及びガスライン14となる。 Gas line 22 via a branch point 18, next to the gas line 19 leads into the separation point 12, the gas line 13 and gas line 14 as described above.

各ガスラインには、バルブ23が適宜設けられる。 Each gas line valve 23 is provided as appropriate. また、質量流量制御装置8はすべてのガスラインに設けることも可能であり、選択的に特定のガスラインに設けることも可能である。 Further, the mass flow controller 8 is also possible to provide all of the gas line, it is also possible to selectively provided to a particular gas lines. オリフィス7は円環状のものが一般的であるが、流体の流れを絞る機能を有するものであればどのようなものでもよい。 Although orifice 7 that annular is generally, it may be any as long as it has a function of throttling the flow of fluid.

本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置1のマニホールド2を図2に示す。 The manifold 2 of the gas supply apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 同図(a)は、マニホールド2の側面図であり、同図(b)はA−A'断面図である。 FIG (a) is a side view of the manifold 2, Fig. (B) is an A-A 'sectional view. マニホールド2は、略直方体形状を有し、内側中央部に円筒形の空洞24を備える。 Manifold 2 has a substantially rectangular parallelepiped shape, comprises a cavity 24 of the cylindrical inner central portion. マニホールド2の4つの側面には、上記した第1、第2、第3、第4ガス供給配管が互いに等間隔で結合されており、それぞれ空洞24と連通している。 The four sides of the manifold 2, the first and the second, third, and fourth gas supply pipe is coupled equally spaced from each other, and communicates with the cavity 24, respectively. マニホールド2の形状は、これに限定されず、任意の形状を取りうる。 The shape of the manifold 2 is not limited thereto, it can take any shape. また、ガス供給配管の数は4つに限定されず、反応ガスが1種類の場合には3つでもよい。 The number of the gas supply pipe is not limited to four, reactive gases may be three in the case of one type. すなわち、少なくとも3つのガス供給配管を備えればよい。 That is, it Sonaere at least three gas supply pipes.

次に、本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置1の機能について説明する。 Next, a description will be given of the function of the gas supply apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. N2ガス供給装置から供給されたN2ガスは、質量流量制御器8により所定の流量に制御された後、流量fのN2ガスとなる。 N2 N2 gas supplied from the gas supply device, after being controlled to a predetermined flow rate by a mass flow controller 8, and N2 gas at a flow rate f. 流量fのN2ガスが分流点12に流入される。 N2 gas at a flow rate f is introduced into the separation point 12. 流量fのN2ガスは、分流点12において分流され、ガスライン11、17、22を流れる。 N2 gas at a flow rate f is diverted in shunt point 12, it flows through the gas line 11,17,22. これらガスライン11、17、22に設けられたオリフィス7によって、N2ガスは各ガスライン11、17、22を流量f1、f2、f3で流れる。 By the orifice 7 provided in these gas lines 11,17,22, N2 gas flows through the gas line 11,17,22 at a rate f1, f2, f3. ここで、f=f1+f2+f3であって、f1=f2=f3となるようにオリフィス7を調節する。 Here, a f = f1 + f2 + f3, to adjust the orifice 7 so that f1 = f2 = f3.

流量f1のN2ガスは、分岐点9を介して、第2ガス供給配管4を通じてマニホールド2に流入される。 N2 gas flow f1 through the branching point 9, flows into the manifold 2 through the second gas supply pipe 4. 流量f2のN2ガスは、分岐点15を介して、第3ガス供給配管5を通じてマニホールド2に流入される。 N2 gas flow f2 through a branch point 15, flows into the manifold 2 through the third gas supply pipe 5. 流量f3のN2ガスは、分岐点20を介して、第4ガス供給配管6を通じてマニホールド2に流入される。 N2 gas flow f3 through the branching point 20, flows into the manifold 2 through the fourth gas supply pipe 6. マニホールド2の内部では、図2(b)に示すように、3方向から均一な流量のN2ガス(流量f1、f2、f3)が流入するため、マニホールド2内部におけるN2ガス濃度の均一性が向上する。 Inside the manifold 2, as shown in FIG. 2 (b), 3 for uniform flow rate of N2 gas from a direction (flow rate f1, f2, f3) flows, improving the uniformity of the N2 gas concentration inside manifold 2 to. ひいては、成膜時に半導体基板上に噴射されるN2ガスの均一性が向上する。 Hence, the uniformity of the N2 gas injected into the semiconductor substrate is increased during film formation.

また、パージガスであるアルゴンガスArは、質量流量制御8で所定の流量に制御されたのち、ガスライン13を通じて流れ、分流点12で分流される。 Further, the argon gas Ar is purge gas, after being controlled to a predetermined flow rate by the mass flow controller 8, diverted flow, in shunt point 12 through a gas line 13. パージガスは、N2ガスと同様の流路をたどってマニホールド2に至る。 The purge gas, leading to the manifold 2 by following the same flow path and N2 gas.

ここで、本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置と、従来のガス供給装置との違いについて説明する。 Here, a gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention, the difference between conventional gas supply apparatus will be described. 図3は、従来のガス供給装置30を概略的に示したものである。 Figure 3 is a conventional gas supply apparatus 30 illustrates schematically. 第1実施形態と同一の構成要素については、同一符号で示す。 The same components as the first embodiment, shown by the same reference numerals.

従来のガス供給装置30は、第1実施形態と同様に、マニホールド2と、該マニホールド2に互いに等間隔で結合された4つのガス供給配管とを備える点で第1実施形態と同様であるが、N2ガスは第1ガス供給配管3を通じてのみマニホールド2に流入される点で第1実施形態と異なっている。 Conventional gas supply apparatus 30, as in the first embodiment, a manifold 2, is similar to the first embodiment in including a four gas supply pipe which is coupled equally spaced from each other in the manifold 2 , N2 gas is different from the first embodiment in that it is flowing only into the manifold 2 through the first gas supply pipe 3.

従来のガス供給装置30では、4つのガス供給配管のうち、一つのガス供給配管3のみからN2ガスが供給されるため、N2ガス濃度の均一性が劣る。 In conventional gas supply apparatus 30, the four gas supply pipe, since one of the gas supply pipe 3 only the N2 gas is supplied, poor uniformity of the N2 gas concentration. したがって、従来のガス供給装置30では、成膜時に均一性が高いN2ガスを半導体基板上に噴射することが不可能であった。 Therefore, in the conventional gas supply apparatus 30, it is impossible to inject the uniformity is high N2 gas on the semiconductor substrate during deposition. 本考案は、この問題点を解決するべく考案されたものである。 This invention is, was devised to solve this problem.

本考案の第1実施形態によれば、N2ガスを分流し、分流したそれぞれのガスラインにオリフィスを設けることにより、マニホールド内でのN2ガス濃度を均一化することができる。 According to a first embodiment of the present invention, flowing N2 gas partial, by providing an orifice in each of the gas lines diverted, it is possible to equalize the N2 gas concentration within the manifold. 結果として、半導体基板に噴射するN2ガス濃度の均一性を向上させることが可能となる。 As a result, it is possible to improve the uniformity of the N2 gas concentration is injected into the semiconductor substrate.

また、パージガスを供給するガスラインとN2ガスを供給するガスラインとを共有化することにより、装置構造を簡略化することが可能となる。 Further, by sharing a gas line for supplying gas line and N2 gas supplying purge gas, it is possible to simplify the device structure.

[考案の第2の実施形態] [Second Embodiment of the invention]
次に、本考案の第2の実施形態に係るガス供給装置について図面を参照して説明する。 Next, will be described with reference to the drawings a gas supply apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図4は、第2の実施形態に係るガス供給装置を概略的に示したものである。 Figure 4 is a gas supply apparatus according to the second embodiment shown schematically. 第2実施形態に係るガス供給装置40は、第2反応ガスを供給するためのガスライン16'が新たに設けられ、該ガスライン16'はN2ガス供給用のガスライン14と分岐点26で結合する点で、第1実施形態と異なる。 Gas supply apparatus 40 according to the second embodiment, the gas line 16 for supplying a second reaction gas 'is newly provided, the gas line 16' at a branch point 26 and the gas line 14 for N2 gas supply in that bind, different from the first embodiment. 第1実施形態と同一の構成要素については、同一符号で示す。 The same components as the first embodiment, shown by the same reference numerals.

ガスライン16'を流れる第2反応ガスは、分岐点26を介して、ガスライン27を流れ、分流点12を介して、ガスライン11、17、22に分流される。 The second reaction gas flowing through the gas line 16 ', via a branch point 26, the gas line 27 flows through the shunt point 12, the gas line 11,17,22 divided into two parts. ガスライン11、17、22に設けられたオリフィス7により、流量制限された後、ガス供給配管4、5、6を通じて、マニホールド2に流入される。 By the orifice 7 provided in the gas line 11,17,22, after being flow restriction through the gas supply pipe 4, 5, 6, it flows into the manifold 2.

その他の機能については、第1実施形態と同様なので説明を省略する。 For other functions, so the explanation will be omitted as in the first embodiment. 尚、図中、ガスライン16が示されているが、ガスライン16'を使用する場合には省略することができる。 In the figure, the gas line 16 is shown, when using the gas line 16 'can be omitted.

本考案の第2実施形態によれば、反応ガス及びN2ガスを分流し、分流したそれぞれのガスラインにオリフィスを設けることにより、マニホールド内での反応ガス及びN2ガスの濃度を均一化することができる。 According to the second embodiment of the present invention, the reaction gas and the N2 gas flow amount, by providing an orifice in each of the gas lines diverted, is possible to uniformize the concentration of the reaction gas and N2 gas in the manifold it can. 結果として、半導体基板上に噴射する反応ガス及びN2ガス濃度の均一性を向上させることが可能となる。 As a result, it is possible to improve the uniformity of the reaction gas and the N2 gas concentration is injected into the semiconductor substrate.

また、反応ガス、パージガス及びN2ガスを供給するガスラインを共有化することにより、装置構造を簡略化することが可能となる。 Further, the reaction gas, by sharing the gas line for supplying a purge gas and N2 gas, it is possible to simplify the device structure.

[プラズマALD装置の構造] [Structure of a plasma ALD apparatus]
次に、本考案の第1の実施形態に係るプラズマALD装置について説明する。 Next, a description will be given plasma ALD apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図5は、本実施形態に係るプラズマALD装置50の断面を概略的に示したものである。 Figure 5 is a cross-sectional view of a plasma ALD apparatus 50 according to the present embodiment illustrates schematically. プラズマALD装置50は、リアクタ51と、該リアクタ51内にあって半導体基板52を載置するためのサセプタ53と、該サセプタ53に対向して設置され、半導体基板52に反応ガスを噴射するためのシャワーヘッド54とを備えて構成されている。 Plasma ALD apparatus 50 includes a reactor 51, a susceptor 53 for placing a semiconductor substrate 52 be within the reactor 51 is disposed in opposition to the susceptor 53, for injecting a reaction gas to the semiconductor substrate 52 It is constituted by a shower head 54.

リアクタ51の内部は、ロードロックチャンバ(図示せず)との間で半導体基板52の受け渡しを行うための搬送室55と、プラズマALD反応を生じさせ薄膜を堆積するための反応室56とに区分けされる。 Internal reactor 51 is divided into a transfer chamber 55 for transferring the semiconductor substrate 52 between the load lock chamber (not shown), a reaction chamber 56 for depositing a thin film causes a plasma ALD reaction It is. 搬送室55の底部には、搬送室55内部を真空排気するための排気口57が設けられ、該排気口57はリアクタ外部の真空ポンプ(図示せず)に結合されている。 The bottom of the transfer chamber 55, exhaust port 57 for evacuating provided inside the transfer chamber 55, exhaust port 57 is coupled to the reactor external vacuum pump (not shown). 搬送室55は排気口57を通じて真空排気される。 Transfer chamber 55 is evacuated through the exhaust port 57. 反応室56の周囲には環状の排気ダクト58が設けられ、排気ダクト58の側面に設けられた排気口59を通じて反応室56の内部が排気される。 Around the reaction chamber 56 an annular exhaust duct 58 is provided, inside the reaction chamber 56 is exhausted through the exhaust port 59 provided on a side surface of the exhaust duct 58.

サセプタ53は、例えばアルミニウム合金から成り、その内部には半導体基板52を加熱するためのヒータ(図示せず)が埋設されている。 The susceptor 53 is made of, for example, an aluminum alloy, (not shown) a heater for heating the semiconductor substrate 52 therein is embedded. 該ヒータは、例えば抵抗加熱型シースヒータである。 The heater is, for example, resistance heating type sheath heater. サセプタ53は、接地されており、プラズマ放電の一方の電極を構成する。 The susceptor 53 is grounded, it forms one of the electrodes of the plasma discharge. サセプタ53は、アルミニウム合金の代わりにセラミック製であってもよい。 The susceptor 53 may be made of ceramic instead of aluminum alloys. セラミック製のサセプタは、抵抗加熱型ヒータを一体焼結して製作されたセラミック基体から成る。 Ceramic susceptor, consisting of resistive heating-type heater ceramic substrate fabricated by integrally sintering. セラミック基体の素材として、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどが挙げられる。 As the material of the ceramic substrate, aluminum nitride, aluminum oxide, and magnesium oxide.

サセプタ53と対向する位置に、該サセプタ53と平行にシャワーヘッド54が設置されている。 A position opposed to the susceptor 53, parallel to the shower head 54 and the susceptor 53 is provided. 該シャワーヘッド54の下面には反応ガスを半導体基板52に均一に噴射するためのφ0.5mm〜1.0mmの細孔(図示せず)が約1000〜5000個設けられている。 The on the lower surface of the shower head 54 pores φ0.5mm~1.0mm for uniformly injecting the reactive gas to the semiconductor substrate 52 (not shown) is provided about 1000-5000 pieces. 該シャワーヘッド54は、高周波発振器60と電気的に接続され、プラズマ放電の一方の電極を構成する。 The showerhead 54 is a high frequency oscillator 60 electrically connected to constitute one electrode of the plasma discharge. ここで、サセプタ53に高周波発振器を接続し、シャワーヘッド54を接地電位とすることもできる。 Here, the high-frequency oscillator connected to the susceptor 53, a shower head 54 may be a ground potential. 高周波発振器60は13MHz以上(例えば、13.56MHzまたは27.12MHz)の高周波電力を生成する。 High-frequency oscillator 60 generates a high-frequency power of more than 13 MHz (e.g., 13.56 MHz or 27.12 MHz). シャワーヘッド54の上面略中央部にはガス導入口61が設けられている。 The upper surface substantially central portion of the shower head 54 gas inlet 61 is provided. シャワーヘッド54の上面には、円板状のインシュレータ62が載置されている。 On the upper surface of the shower head 54, a disk-shaped insulator 62 is placed. インシュレータ62の略中央部には開口部63が設けられ、該開口部63を介して、ガス導入口61とマニホールド2とが結合されている。 A substantially central portion of the insulator 62 aperture 63 is provided through the opening 63, they are bonded with each gas inlet 61 and the manifold 2. シャワーヘッド54の上面にはシャワーヘッド54の内部を排気するための排気口64が設けられている。 The upper surface of the shower head 54 exhaust port 64 for exhausting the interior of the shower head 54 is provided. シャワーヘッド54の内部は、排気口64から、インシュレータ62に設けられた開口部65を介して、真空排気される。 Internal showerhead 54 from the exhaust port 64, through the opening 65 provided in the insulator 62, is evacuated.

[薄膜製造方法の実施形態] Embodiment of a thin film manufacturing method]
次に、本考案の実施形態にかかる薄膜製造方法について説明する。 It will now be described a thin film manufacturing method according to the embodiment of the present invention. 図6は、本実施形態に係るタンタル系金属薄膜の製造方法のフローチャートを示したものであり、図7はプロセスガス及びパージガスの流量と時間の関係を示すタイミングチャートである。 Figure 6 is shows a flow chart of the manufacturing method of the tantalum-based metal thin film according to the present embodiment, FIG. 7 is a timing chart showing the flow versus time of the process gas and purge gas.

まず、工程1として、抵抗率を制御するためのN2ガスの供給を開始する。 First, as the step 1 to start the supply of the N2 gas to control the resistivity. N2ガスは、上記した本考案の実施形態に係るガス供給装置により分流されかつオリフィスによって均一化されて供給される(ステップ1)。 N2 gas is supplied are equalized by diverted and orifice by a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention described above (Step 1).

次に、工程2として、前駆体ガスをパルス状に短時間流す(ステップ2)。 Next, as a step 2, passing briefly precursor gas in pulses (Step 2). ここで、前駆体は、例えば、TaF5、TaCl5、TBTDET、TiMata等のハロゲン系Taまたは有機系Taである。 Here, the precursor is, for example, TaF5, TaCl5, TBTDET, halogen-based, such as TiMata Ta or organic Ta.

次いで、工程3として、パージガスを流し、前駆体ガスをパージする(ステップ3)。 Then, as step 3, flowing a purge gas to purge the precursor gas (Step 3). パージガスとして、例えば、アルゴンなどの不活性ガスが使用される。 As a purge gas, for example, an inert gas such as argon is used.

次に、工程4として、所定の流量の反応ガスを流すと同時に、高周波電力を印加し、プラズマ反応を生じさせる(ステップ4)。 Next, as the step 4, and at the same time passing a given flow rate of the reaction gas by applying a high frequency power produces a plasma reaction (step 4). ここで、反応ガスとして、例えば、H2、NH3などが使用される。 Here, as a reaction gas, for example, H2, NH3, etc. are used. 反応ガスは、1種類でもよく、また2種類以上であってもよい。 The reaction gas may be one kind, or may be two or more types. 印加する高周波電力として、例えば13.56MHzまたは27MHzのRF電力が使用される。 As the applied RF power, e.g., 13.56MHz or 27MHz RF power is used.

次いで、工程5として、パージガスを流し、反応ガスをパージする(ステップ5)。 Then, as the step 5, flowing a purge gas to purge the reaction gas (step 5).

上記したように、プラズマALD法は、前駆体ガスと、反応ガスを交互にかつ連続して導入することにより、薄膜を一度に単層ずつ形成する成膜プロセスである。 As described above, plasma ALD method, the precursor gas, a reactive gas are alternately and by continuously introducing a film forming process for forming every monolayer at a time a thin film. 上記した工程2から工程5までを1サイクルとし、これを所定の回数繰り返し実行することにより、所望の膜厚のタンタル系金属薄膜を得ることができる。 From step 2 described above to step 5 as one cycle, which by a predetermined number of times repeatedly executed, it is possible to obtain a tantalum-based metal thin film of the desired thickness.

工程6として、堆積した薄膜が所望の膜厚に達したか否かを判定し(ステップ6)、所望の膜厚に達していれば、工程7に進み、達していなければステップ2に戻り成膜サイクルを繰り返す。 As a step 6, the deposited thin film is determined whether or not reached a desired thickness (Step 6), it has reached the desired thickness, the process proceeds to step 7, formed returns to Step 2 if not reached repeating the film cycle.

ステップ6で、薄膜が所望の膜厚に達したと判定されると、工程7としてN2ガスの供給を停止し(ステップ7)、成膜プロセスを終了する。 In Step 6, when the thin film is determined to have reached the desired thickness, the supply of N2 gas is stopped as the step 7 (Step 7), the film formation process is completed.

以下、具体的に評価実験を行ったので説明する。 Hereinafter, the description will be subjected to specific evaluation experiments. 実験は、半導体基板上にタンタル系金属薄膜を堆積させ、添加ガスの流量の変化に対する金属薄膜の抵抗率の変化と半導体基板の面内均一性を評価したものである。 Experiments depositing a tantalum-based metal film on a semiconductor substrate is obtained by evaluating the in-plane uniformity of change and the semiconductor substrate of the resistivity of the metal thin film to the flow rate change of the additive gas.

図8は、添加ガスとしてN2を使用し、図3に示す従来のガス供給装置を使用してプラズマALD法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。 Figure 8 uses N2 as an additive gas, shows the experimental results obtained by depositing a tantalum-based metal thin film by a plasma ALD method using conventional gas supply apparatus shown in FIG. 図9は、添加ガスとしてN2を使用し、図1に示す本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使用してプラズマALD法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。 9, using the N2 as an additive gas, shows the experimental results obtained by depositing a tantalum-based metal thin film by a plasma ALD method using gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 . 図10は、添加ガスとしてNH3を使用し、図1に示す本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使用して熱ALD法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。 Figure 10 uses NH3 as an additive gas, shows the experimental results obtained by depositing a tantalum-based metal thin film by a thermal ALD process by using the gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 .

図8の実験結果より、従来のガス供給装置を使用した場合には、N2ガスの流量が増加するに従い抵抗率の面内均一性が低下していくことがわかる。 The experimental results of FIG. 8, in the case of using a conventional gas supply apparatus, it can be seen that the in-plane uniformity of resistivity decreases in accordance with the flow rate of N2 gas is increased. これは、従来のガス供給装置では、マニホールドへのN2ガスの流入位置が1箇所であるため、N2ガスの流量の増加とともに、半導体表面全体に均一にN2ガスが供給されにくくなっているためであると考えられる。 This is a conventional gas supply apparatus, the inflow position of the N2 gas to the manifold is one place, with the increase of the flow rate of N2 gas, in order to uniformly N2 gas across the semiconductor surface is less likely to be supplied It is believed that there is.

これに対して、図9の実験結果では、N2ガスの流量が増加しても抵抗率の面内均一性が低下することはなく、ほぼ一定に維持されているのがわかる。 In contrast, the experimental results of FIG. 9, not the flow rate of N2 gas is also in-plane uniformity of the resistivity decreases with increasing, it is clear what is maintained substantially constant. これは、本考案の第1実施形態に係るガス供給装置では、N2ガスが3つに分流されかつオリフィスによって流量調節されてマニホールドへ流入されるため、N2ガスの流量が増加しても、半導体表面全体に均一にN2ガスが供給されるためであると考えられる。 This is a gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention, since the N2 gas is introduced is the flow rate adjusted to the manifold by diverted and orifice into three, also increases the flow rate of N2 gas, semiconductor uniformly over the entire surface it is believed to be because the N2 gas is supplied.

尚、図10の実験結果から、本考案の実施形態に係るガス供給装置を使えば、添加ガスとしてNH3を使用する熱ALDにおいても同様の効果が得られることがわかる。 Incidentally, the experimental results in FIG. 10, Using gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention, it is understood that the same effect can be obtained even in the heat ALD of using NH3 as the additive gas.

[その他] [More]
以上、本考案の特定の実施形態について説明してきたが、ここに開示される装置の構造は例示に過ぎず、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案の思想から離れることなく、さまざまな修正及び変更が可能であることは当業者の知るところである。 Having thus described certain embodiments of the present invention, here merely be the structure of the device illustrated disclosure, without departing from the present invention the idea described in the scope of claims as a variety modifications and variations are possible is well known by those skilled in the art.

本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置の概略図である。 It is a schematic diagram of a gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention. (a)は同実施形態に使用されるマニホールドの側面図、(b)はA−A'断面図である。 (A) is a side view of the manifold used in the embodiment, (b) is an A-A 'sectional view. 従来のガス供給装置の概略図である。 It is a schematic view of a conventional gas supply apparatus. 本考案の第2の実施形態に係るガス供給装置の概略図である。 It is a schematic diagram of a gas supply apparatus according to a second embodiment of the present invention. プラズマALD装置の断面を概略的に示す。 The cross section of the plasma ALD apparatus shown schematically. プラズマALD法による薄膜製造方法のフローチャートを示す。 It shows a flow chart of a thin film manufacturing method by plasma ALD method. 同方法によるプロセスガスのタイミングチャートを示す。 It shows a timing chart of the process gas by the same method. 従来のガス供給装置を使った実験結果を示す。 It shows the experimental results using a conventional gas supply apparatus. 本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使った実験結果を示す。 It shows the experimental results using a gas supply apparatus according to a first embodiment of the present invention. 同実施形態に係るガス供給装置を使った実験結果を示す。 It shows the experimental results using a gas supply apparatus according to the embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1・・・ガス供給装置、2・・・マニホールド、3・・・第1ガス供給配管、4・・・第2ガス供給配管、5・・・第3ガス供給配管、6・・・第4ガス供給配管、7・・・オリフィス、8・・・質量流量制御器、9・・・分岐点、10、11・・・ガスライン、12・・・分流点、13、14・・・ガスライン、15・・・分岐点、16、17、18、19・・・ガスライン、20・・・分岐点、21、22・・・ガスライン、23・・・バルブ、50・・・プラズマALD装置。 1 ... gas supply device, 2 ... manifold, 3 ... first gas supply pipe, 4 ... second gas supply pipe, 5 ... third gas supply pipe, 6 ... 4 gas supply pipe, 7 ... orifice, 8 ... mass flow controller, 9 ... branch point, 10, 11 ... gas line 12 ... diversion point, 13, 14 ... gas line , 15 ... branch point, 16, 17, 18 ... gas line 20 ... branch point, 21, 22 ... gas line 23 ... valve, 50 ... plasma ALD apparatus .

Claims (8)

  1. 半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、 A gas supply device for introducing a process gas and purge gas into the reaction chamber of the semiconductor manufacturing device,
    前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドを有し、 Has a manifold for introducing the process gas and purge gas into the reaction chamber portion,
    前記マニホールドには、少なくとも3つのガス供給配管が結合されており、 It said manifold has at least three gas supply pipe is coupled,
    前記プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィスを有する複数の流路に分流されて、前記ガス供給配管の少なくとも2つを通じて前記マニホールドに流入するように構成されたガスラインシステムを備える、 One is additive gas is the process gas, is diverted to a plurality of channels having an orifice, and a gas line system configured to flow into the manifold through at least two of the gas supply pipe,
    ことを特徴とするガス供給装置。 Gas supply device, characterized in that.
  2. 前記添加ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項1記載のガス供給装置。 Gas supply apparatus according to claim 1, wherein said additive gas is nitrogen gas.
  3. 前記半導体製造装置が、プラズマALD装置であることを特徴とする請求項1記載のガス供給装置。 The semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply apparatus according to claim 1, characterized in that the plasma ALD apparatus.
  4. 前記パージガスは、前記ガスラインを通じて前記マニホールドに流入されることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載のガス供給装置。 The purge gas, the gas supply apparatus of claims 1 to 3 any one of claims, characterized in that flowing into the manifold through the gas line.
  5. 半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、 The reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply device for introducing a process gas and the purge gas,
    前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、 A manifold for introducing the process gas and purge gas into the reaction chamber portion,
    前記マニホールドに結合されたガスラインシステムと、 A gas line system coupled to said manifold,
    を備え、 Equipped with a,
    前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第1ガス供給配管、第2ガス供給配管、第3ガス供給配管及び第4ガス供給配管を有し、 The gas line system has coupled to said substantially equal intervals in the manifold, the first gas supply pipe, the second gas supply pipe, a third gas supply pipe and the fourth gas supply pipe,
    前記第1ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、 Wherein the first gas supply pipe is coupled to a purge gas supply apparatus,
    前記第2ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第1反応ガス供給装置に結合し、他方はオリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、 The second gas supply pipe is branched into two hands, one coupled to the first reaction gas supply device, the other branches to two more hand shunted point through an orifice, one of which binds to a purge gas supply apparatus, the other binds to the additive gas supply device which is one of the process gas,
    前記第3ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は第2反応ガス供給装置に結合し、他方は第2オリフィスを介して前記分流点に結合し、 The third gas supply pipe is branched into two hands, one bound to a second reactive gas supply device and the other coupled to the shunt point via the second orifice,
    前記第4ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第3オリフィスを介して前記分流点に結合する、 The fourth gas supply pipe is branched into two hands, one to bind to the precursor gas supply device and the other coupled to the shunt point through the third orifice,
    ことを特徴とするガス供給装置。 Gas supply device, characterized in that.
  6. 前記添加ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項5記載のガス供給装置。 The additive gas is a gas supply apparatus according to claim 5, wherein the nitrogen gas.
  7. 半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、 The reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply device for introducing a process gas and the purge gas,
    前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、 A manifold for introducing the process gas and purge gas into the reaction chamber portion,
    前記マニホールドに結合されたガスラインシステムと、 A gas line system coupled to said manifold,
    を備え、 Equipped with a,
    前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第1ガス供給配管、第2ガス供給配管、第3ガス供給配管及び第4ガス供給配管を有し、 The gas line system has coupled to said substantially equal intervals in the manifold, the first gas supply pipe, the second gas supply pipe, a third gas supply pipe and the fourth gas supply pipe,
    前記第1ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、 Wherein the first gas supply pipe is coupled to a purge gas supply apparatus,
    前記第2ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第1反応ガス供給装置に結合し、他方は第1オリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方はさらに二手に分岐し、その一方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、他方は第2反応ガス供給装置に結合し、 The second gas supply pipe is branched into two hands, one coupled to the first reaction gas supply device, the other branches to two more hand shunted point through the first orifice, one of which binds to a purge gas supply device and the other further branches into two hands, one of which binds to the additive gas supply device which is one of the process gas and the other binds to a second reaction gas supply device,
    前記第3ガス供給配管は、第2オリフィスを介して、前記分流点に結合し、 The third gas supply pipe via the second orifice, coupled to the shunt point,
    前記第4ガス供給配管は二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第3オリフィスを介して前記分流点に結合する、 The fourth gas supply pipe is branched into two hands, one to bind to the precursor gas supply device and the other coupled to the shunt point through the third orifice,
    ことを特徴とするガス供給装置。 Gas supply device, characterized in that.
  8. 前記添加ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項7記載のガス供給装置。 The additive gas is a gas supply apparatus according to claim 7, characterized in that the nitrogen gas.
JP2007009817U 2007-12-21 2007-12-21 A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device Expired - Lifetime JP3140111U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007009817U JP3140111U (en) 2007-12-21 2007-12-21 A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007009817U JP3140111U (en) 2007-12-21 2007-12-21 A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3140111U true JP3140111U (en) 2008-03-13

Family

ID=43290264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007009817U Expired - Lifetime JP3140111U (en) 2007-12-21 2007-12-21 A semiconductor manufacturing apparatus for a gas supply device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3140111U (en)

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017504725A (en) * 2014-01-21 2017-02-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Atomic layer deposition process chamber to allow the low pressure tool exchange
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9605342B2 (en) 2012-09-12 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9790595B2 (en) 2013-07-12 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9892908B2 (en) 2011-10-28 2018-02-13 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9891521B2 (en) 2014-11-19 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899405B2 (en) 2014-12-22 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10249577B2 (en) 2016-05-17 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10262859B2 (en) 2016-03-24 2019-04-16 Asm Ip Holding B.V. Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US9892908B2 (en) 2011-10-28 2018-02-13 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9605342B2 (en) 2012-09-12 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10023960B2 (en) 2012-09-12 2018-07-17 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9790595B2 (en) 2013-07-12 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
JP2017504725A (en) * 2014-01-21 2017-02-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Atomic layer deposition process chamber to allow the low pressure tool exchange
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9891521B2 (en) 2014-11-19 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing thin film
US9899405B2 (en) 2014-12-22 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10262859B2 (en) 2016-03-24 2019-04-16 Asm Ip Holding B.V. Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10249577B2 (en) 2016-05-17 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5101868B2 (en) Method and system for running different deposition processes within a single chamber
US7569500B2 (en) ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
KR101238429B1 (en) Nanolayer deposition process
US6620723B1 (en) Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7691757B2 (en) Deposition of complex nitride films
KR101534362B1 (en) Vapor based combinatorial processing
US7341959B2 (en) Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
KR100791334B1 (en) Method of forming a metal oxide by atomic layer deposition
US8486845B2 (en) Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US6951804B2 (en) Formation of a tantalum-nitride layer
US20020197864A1 (en) Radical-assisted sequential CVD
US7482283B2 (en) Thin film forming method and thin film forming device
KR101522725B1 (en) High Temperature ALD Inlet Manifold
JP4546060B2 (en) The passivation method of improving the uniformity and reproducibility of the atomic layer deposition and chemical vapor deposition
US6042652A (en) Atomic layer deposition apparatus for depositing atomic layer on multiple substrates
US6939801B2 (en) Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material
US20050031786A1 (en) Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage
US6905737B2 (en) Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US6820570B2 (en) Atomic layer deposition reactor
US8440571B2 (en) Methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films
US20040062081A1 (en) Multilayer dielectric tunnel barrier used in magnetic tunnel junction devices, and its method of fabrication
US20080176412A1 (en) Atomic layer deposition system including a plurality of exhaust tubes
KR101418143B1 (en) Vapor deposition reactor and method for forming thin film
US20070218702A1 (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20060249077A1 (en) Multiple inlet atomic layer deposition reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220

Year of fee payment: 3

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080331

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term