JP3139801B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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JP3139801B2
JP3139801B2 JP03346939A JP34693991A JP3139801B2 JP 3139801 B2 JP3139801 B2 JP 3139801B2 JP 03346939 A JP03346939 A JP 03346939A JP 34693991 A JP34693991 A JP 34693991A JP 3139801 B2 JP3139801 B2 JP 3139801B2
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、遮光層部を有するアク
ティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display having a light shielding layer.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】近年、高精細、高機能
な液晶表示装置の実現を狙い薄膜トランジスタを用いた
アクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が進められ
ている。特に100型程度の大画面を達成する投射型
液晶表示装置が注目されている。
In recent years, an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors has been developed with the aim of realizing a high definition and high performance liquid crystal display device. In particular , a projection type that achieves a large screen of about 100 inches
The liquid crystal display device has been attracting attention.

【0003】この投射型液晶表示装置では、光源の光を
3色に分離して1色毎に液晶表示装置に入射し、それぞ
れの色に対応した3枚の液晶表示装置を透過した光を、
再び合成して投影する。この際、高輝度の光源光から画
素部の薄膜トランジスタを保護することおよび画素分離
を行なうことなどのために、カラーの直視型液晶表示装
置と同様なブラックマトリクスが各液晶表示装置の対向
基板上に形成されている。
In this projection type liquid crystal display device, light from a light source is separated into three colors, and the light is incident on the liquid crystal display device for each color, and the light transmitted through three liquid crystal display devices corresponding to each color is converted into light.
Recombining and projecting. At this time, a black matrix similar to a color direct-view type liquid crystal display device is provided on a counter substrate of each liquid crystal display device in order to protect a thin film transistor in a pixel portion from high-luminance light source light and to perform pixel separation. Is formed.

【0004】そして、投射型液晶表示装置の場合、直視
型液晶装置と異なり基板サイズを小さくし、かつ、高精
細化を図らなければならない。このため、画素サイズを
小さくしなければならず画素サイズとしては70μmよ
り小さいものが要求されている。
In the case of a projection type liquid crystal display device, unlike a direct view type liquid crystal device, it is necessary to reduce the substrate size and to achieve high definition. For this reason, the pixel size must be reduced, and a pixel size smaller than 70 μm is required.

【0005】さらに、映像の明るさを確保するために、
画素部の開口率を向上する必要があるため、対向基板の
遮光層となるブラックマトリクスの合わせ精度の向上
と、信号線および画素電極間近傍で発生する液晶のチル
トリバース領域の低減等が課題となっている。
Further, in order to secure the brightness of the image,
Since it is necessary to improve the aperture ratio of the pixel portion, it is necessary to improve the alignment accuracy of the black matrix serving as the light-shielding layer of the opposing substrate and to reduce the tilt reverse region of the liquid crystal generated between the signal lines and the pixel electrodes. Has become.

【0006】なお、このチルトリバース領域とは、たと
えば信号線もしくは走査線と、画素電極との間に発生す
る電位差による横方向電界と、信号線もしくは走査線と
対向電極間との縦方向電界の相互作用に加えて、パター
ン段差の配向膜材料の配向不良またはプレチルト不良等
により、信号線もしくは走査線と画素電極間近傍とに、
正常な液晶配向方向とは異なり光漏れ、コントラスト低
下等が生じる領域をいう。
The tilt reverse region is defined as a horizontal electric field caused by a potential difference between a signal line or a scanning line and a pixel electrode, and a vertical electric field between a signal line or a scanning line and a counter electrode. In addition to the interaction, due to poor alignment or poor pretilt of the alignment film material at the pattern step, the signal line or scanning line and the vicinity between the pixel electrodes are
A region different from the normal liquid crystal alignment direction, in which light leakage, contrast reduction, and the like occur.

【0007】また、画素部の開口率を確保するのに問題
となるのが、信号線と画素電極との間の距離が小さくで
きないことである。すなわち、開口率を向上させるには
信号線と画素電極との距離短い方がよいが、反対に短
すぎると信号線と画素電極との間に容量結合が生じ、画
素電位が大きく変動してしまうため一定の距離を離す必
要がある。
Another problem in securing the aperture ratio of the pixel portion is that the distance between the signal line and the pixel electrode cannot be reduced. That is, in order to improve the aperture ratio, it is better that the distance between the signal line and the pixel electrode is short. On the contrary, if the distance is too short, capacitive coupling occurs between the signal line and the pixel electrode, and the pixel potential greatly varies. It is necessary to keep a certain distance.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述のように高精細の
投射型液晶装置は、チルトリバース領域が発生したり、
開口率の向上が難しいという問題を有している。
As described above, the high-definition projection type liquid crystal device has a problem that a tilt reverse region is generated,
There is a problem that it is difficult to improve the aperture ratio.

【0009】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、チルトリバース領域の発生を防止し、かつ、高開
口率の液晶表示装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and has as its object to provide a liquid crystal display device which prevents generation of a tilt reverse region and has a high aperture ratio.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の信号線
および走査線がマトリクス状に配置され、前記信号線お
よび前記走査線の交点部分に薄膜トランジスタを介して
画素電極が接続された第1の電極基板と、前記画素電極
に対向する対向電極を有する第2の電極基板と、前記第
1の電極基板および前記第2の電極基板間に液晶組成物
が挟持された液晶部とを備えた液晶表示装置において、
前記信号線もしくは前記走査線と、前記信号線もしくは
前記走査線が対向する領域の前記第2の電極基板との間
の前記液晶部の厚さは、前記画素電極が表示する領域が
前記第2の電極基板と対向する間の前記液晶部の厚さの
1/5以上2/3以下で、前記信号線もしくは前記走査
線での水平方向電界を減少させ、チルトリバース領域の
発生を防止するものである。
According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of signal lines and scanning lines arranged in a matrix; and a pixel electrode connected to an intersection of the signal lines and the scanning lines via a thin film transistor. An electrode substrate, a second electrode substrate having a counter electrode facing the pixel electrode, and a liquid crystal portion having a liquid crystal composition sandwiched between the first electrode substrate and the second electrode substrate. In a liquid crystal display device,
And said signal lines or said scanning lines, the thickness of the liquid crystal portion between the second electrode substrate in the region where the signal lines or said scanning lines are opposite, a region where the pixel electrode is displayed
Below 1/5 or 2/3 of the thickness of the liquid crystal portion between facing the second electrode substrate, said signal lines or said scanning
To reduce the horizontal electric field at the
This is to prevent occurrence .

【0011】また、信号線もしくは走査線と、この信号
線もしくは前記走査線が対向する領域の第2の電極基板
との間の液晶部の厚さが、画素電極が表示する領域が
第2の電極基板と対向する間の前記液晶部の厚さの1
/5以上2/3以下である領域は、第1の電極基板もし
くは前記第2の電極基板の遮光領域で遮光されているも
のである。
Further, the signal lines or the scanning lines, the thickness of the liquid crystal portion between the second electrode substrate in the region where the signal line or the scanning line is opposite, a region where the pixel electrode is displayed before
Of the liquid crystal unit thickness between opposite to the serial second electrode substrate 1
/ 5 or 2/3 or less is regions are those that are shielded from light by the light shielding region of the first electrode substrate or said second electrode substrate.

【0012】[0012]

【作用】本発明は、信号線もしくは走査線と、この信号
線もしくは走査線が対向する領域の第2の電極基板との
間の第1の電極基板もしくは第2の電極基板の遮光領域
で遮光されている液晶部の厚さを、画素電極が表示する
領域が第2の電極基板と対向する間の液晶部の厚さの1
/5以上2/3以下にし信号線もしくは走査線と第2
の基板との間の距離を短くすることにより、これら信号
線もしくは走査線での水平方向電界を減少させてチルト
リバース領域の発生を防止するので、走査線と画素電極
間との間に生じる水平方向電界低減し、チルトリバー
スの発生抑制される。このため、液晶部のチルトリバ
ース領域減少するので、遮光層部の幅低減し、かつ
開口率拡大する。
According to the present invention, light is shielded by a light-shielding region of a first electrode substrate or a second electrode substrate between a signal line or a scanning line and a second electrode substrate in a region opposed to the signal line or the scanning line. the is to have the liquid crystal unit thickness is, first region of the thickness of the liquid crystal portion between which faces the second electrode substrate for displaying the pixel electrode
/ 5 or 2/3 in the following signal lines or the scanning line and the second
By shortening the distance between the substrate of, these signals
Tilt by reducing the horizontal electric field on lines or scan lines
Since the occurrence of the reverse region is prevented, the horizontal electric field generated between the scanning line and the pixel electrode is reduced, and the occurrence of the tilt reverse is suppressed . For this reason, the tilt reverse region of the liquid crystal portion is reduced , so that the width of the light shielding layer portion is reduced and the aperture ratio is increased.

【0013】なお、信号線もしくは走査線と、この信号
線もしくは走査線が対向する領域の第2の電極基板との
間の液晶部の厚さを、画素電極が表示する領域が第2の
電極基板と対向する間の液晶部の厚さの2/3以上大き
くすると遮光効果が小さくなるとともに対向電極が着き
にくくなり、1/5以下にすると液晶が注入しにくくな
る。
[0013] Incidentally, the signal lines or the scanning lines, the liquid crystal unit thickness between the second electrode substrate in the region where the signal line or the scanning line is opposite, area for displaying the pixel electrode of the second shielding effect as increasing more than 2/3 of the liquid in the thickness of the crystal portion between which faces the electrode substrate is a counter electrode hardly arrive with small, liquid crystal is less likely to be injected and a 1/5 or less.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の一実施例を図
1ないし図3を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0015】図1ないし図3に示す液晶表示装置1は、
図1に示すように、第1の電極基板2とこの第1の電極
基板2に対向して形成された第2の電極基板3との間に
液晶部としての液晶層部4が挟持されている。
The liquid crystal display device 1 shown in FIGS.
As shown in FIG. 1, between a first electrode substrate 2 and a second electrode substrate 3 formed opposite to the first electrode substrate 2.
A liquid crystal layer section 4 as a liquid crystal section is sandwiched.

【0016】この液晶表示装置1の第1の電極基板2
は、図2に示すように、複数本の信号線5と複数本の走
査線6とがマトリクス状に配置されてなっており、信号
線5と走査線6との各交点部分にスイッチ素子として接
続される薄膜トランジスタ7を介して、画素電極8が配
置されている。この信号線5および走査線6と、画素電
極8との距離は、液晶表示装置1の開口率を十分に向上
させるために5μmの間隔で配置されている。
The first electrode substrate 2 of the liquid crystal display device 1
As shown in FIG. 2, a plurality of signal lines 5 and a plurality of scanning lines 6 are arranged in a matrix, and a switching element is provided at each intersection of the signal lines 5 and the scanning lines 6. The pixel electrode 8 is arranged via the connected thin film transistor 7. The distances between the signal lines 5 and the scanning lines 6 and the pixel electrodes 8 are arranged at intervals of 5 μm in order to sufficiently improve the aperture ratio of the liquid crystal display device 1.

【0017】図1は、図2におけるII−II線に沿って切
断した断面図を示すものである。
FIG. 1 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.

【0018】第1の基板10上には、島状の第1の多結晶
シリコン(Si)層11が配設されており、部分的にリン
(P)イオンがドープされて薄膜トランジスタ7のドレイ
ン領域11a、ソース領域11bが形成されており、ドレイン
領域11aとソース領域11bとの間の第1の多結晶シリコン
層11は活性層11cとして作用する。
On a first substrate 10, an island-shaped first polycrystalline silicon (Si) layer 11 is provided, and a part of
The drain region 11a and the source region 11b of the thin film transistor 7 are formed by doping (P) ions, and the first polysilicon layer 11 between the drain region 11a and the source region 11b functions as an active layer 11c. .

【0019】この第1の多結晶シリコン層11上には、ド
レイン領域11aおよびソース領域11cの一部を除いて、第
1の多結晶シリコン層11が酸化されてなるゲート絶縁膜
12が配設されている。このゲート絶縁膜12を介した活性
層11c上には、多結晶シリコンにリンイオンがドープさ
れた走査線6と一体に形成されたゲート電極13が配設さ
れている。
On the first polycrystalline silicon layer 11, a gate insulating film formed by oxidizing the first polycrystalline silicon layer 11 except for a part of the drain region 11a and the source region 11c.
12 are arranged. On the active layer 11c via the gate insulating film 12, a gate electrode 13 formed integrally with the scanning line 6 in which polycrystalline silicon is doped with phosphorus ions is provided.

【0020】また、このゲート電極13と同一工程によ
り、走査線6と平行に延びる補助容量線14が形成されて
いる。この補助容量線14は、第1の多結晶シリコン層11
の薄膜トランジスタ7の部分から延長された部分に、ゲ
ート絶縁膜12を挟んで走査線6と平行に延びるように形
成されており、補助容量線14との間で補助容量が形成さ
れている。
In the same step as the gate electrode 13, an auxiliary capacitance line 14 extending in parallel with the scanning line 6 is formed. The auxiliary capacitance line 14 is connected to the first polycrystalline silicon layer 11.
Is formed so as to extend in parallel with the scanning line 6 with the gate insulating film 12 interposed therebetween in a portion extended from the portion of the thin film transistor 7, and an auxiliary capacitance is formed between the thin film transistor 7 and the auxiliary capacitance line 14.

【0021】さらに、第1の多結晶シリコン層11のドレ
イン領域11aおよびソース領域11bの一部を除いて層間絶
縁膜15が配置され、ドレイン領域11aはアルミニウム(A
l)によって信号線5に接続され、ソース領域11bは層間
絶縁膜15を介した補助容量線14上に画素電極8も配置さ
れ、この画素電極8はITO(Indium Tin Oxide)からな
り、アルミニウム(Al)によって接続されている。
Further, an interlayer insulating film 15 is disposed except for a part of the drain region 11a and the source region 11b of the first polycrystalline silicon layer 11, and the drain region 11a is made of aluminum (A).
l), the source region 11b is also provided with a pixel electrode 8 on the auxiliary capacitance line 14 via the interlayer insulating film 15, and this pixel electrode 8 is made of ITO (Indium Tin Oxide), Al).

【0022】また、この画素電極8上に、保護膜17、有
機高分子膜からなる500オングストロームの膜厚の配
向膜18が順次設置されて第1の電極基板2が構成されて
いる。なお、配向膜18の膜厚としては、500〜100
オングストロームの膜厚とすると良い。
A first electrode substrate 2 is formed by sequentially disposing a protective film 17 and an alignment film 18 of 500 Å in thickness made of an organic polymer film on the pixel electrode 8. The thickness of the alignment film 18 is 500 to 100.
Angstrom film thickness is good.

【0023】そして、第1の電極基板2に対向して設け
られた第2の電極基板3は、ガラスからなる第2の基板
21上にマトリクス状のクロム(Cr)からなる2.5μm
厚の遮光層部22、この上に設置されるITOからなる1
000オングストローム厚の対向電極23、この対向電極
23に設置される有機高分子膜からなる配向膜24が配設さ
れて第2の電極基板3が構成されている。
The second electrode substrate 3 provided facing the first electrode substrate 2 is a second substrate made of glass.
2.5 μm consisting of chromium (Cr) in matrix on 21
Thick light-shielding layer portion 22, composed of ITO placed on top
3,000 Å thick counter electrode 23, this counter electrode
The second electrode substrate 3 is formed by disposing an alignment film 24 made of an organic polymer film provided on 23.

【0024】また、この遮光層部22は、マトリクス状に
形成されるものであり、第1の電極基板2の画素電極8
を図1に示す開口領域25だけ露出するような形状に構成
されている。なお、遮光層部22を構成する材料として
は、光不透過性の材料であればよく、クロムの他に、ア
ルミニウム(Al)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)など
の金属材料、炭素添加もしくは炭素非添加の有機材料な
どが利用可能であるが、遮光層部22を構成する材料とし
て有機材料を使用する場合は、2μm以上の膜厚とする
と露光、現像が容易でなくなることがある。このような
場合には、たとえば第1の電極基板2の遮光層部22に対
向する領域の膜厚を厚くすることにより調整するとよ
い。
The light-shielding layer portion 22 is formed in a matrix, and the pixel electrode 8 of the first electrode substrate 2 is formed.
Are formed so that only the opening region 25 shown in FIG. 1 is exposed. The light-shielding layer 22 may be made of a light-impermeable material. In addition to chromium, a metal material such as aluminum (Al), titanium (Ti), molybdenum (Mo), or a carbon-added material may be used. Alternatively, a carbon-free organic material or the like can be used. However, when an organic material is used as a material for forming the light-shielding layer 22, exposure and development may not be easy if the film thickness is 2 μm or more. In such a case, for example, the adjustment may be made by increasing the thickness of the region of the first electrode substrate 2 that faces the light-shielding layer portion 22.

【0025】そして、このように第1の電極基板2の画
素電極8と第2の電極基板3の対向電極23とが対向する
ように配置され、これら画素電極8および対向電極23間
に液晶組成物からなる液晶層部4が挟持されて液晶表示
装置1が構成されている。
The pixel electrode 8 of the first electrode substrate 2 and the opposing electrode 23 of the second electrode substrate 3 are arranged so as to oppose each other, and the liquid crystal composition is interposed between the pixel electrode 8 and the opposing electrode 23. The liquid crystal layer unit 4 made of a material is sandwiched therebetween to constitute the liquid crystal display device 1.

【0026】さらに、上記一実施例の液晶表示装置1に
よれば、信号線5もしくは走査線6と、この信号線5も
しくは走査線6が対向する領域の第2の電極基板3との
間である遮光層部22によって遮光される遮光領域26の液
晶層部4の厚さd1は2.5μmであり、画素電極8が
表示する領域が第2の電極基板3と対向する間である開
口領域25の液晶層部4の厚さd2は5μmである。
Further, according to the liquid crystal display device 1 of the above embodiment, the signal line 5 or the scanning line 6 and the second electrode substrate 3 in a region where the signal line 5 or the scanning line 6 is opposed. The thickness d1 of the liquid crystal layer portion 4 in the light-shielding region 26 which is shielded by a certain light-shielding layer portion 22 is 2.5 μm, and an opening region in which the region displayed by the pixel electrode 8 is opposed to the second electrode substrate 3 The thickness d2 of the 25 liquid crystal layer portions 4 is 5 μm.

【0027】すなわち、遮光層部22によって遮光される
液晶層部4の厚さd1は、遮光層部22によって遮光され
ない開口領域25の液晶層部4の厚さd2の1/2に抑制
されて構成されている。
That is, the thickness d1 of the liquid crystal layer 4 which is shielded by the light shielding layer 22 is suppressed to の of the thickness d2 of the liquid crystal layer 4 in the opening region 25 which is not shielded by the light shielding layer 22. It is configured.

【0028】なお、厚さd1は画素電極8と対向電極23
との間の平均距離を基準にしたものであり、厚さd2は
信号線5と対向電極23との間の平均距離を基準にしたも
のである。
The thickness d1 is determined by the pixel electrode 8 and the counter electrode 23.
The thickness d2 is based on the average distance between the signal line 5 and the counter electrode 23.

【0029】次に、本実施例の液晶表示装置1の動作に
ついて、図3および図4を参照して説明する。
Next, the operation of the liquid crystal display device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0030】図3は図2におけるIII−III線に沿って切
断した本実施例の液晶表示装置1の概略断面図を、図4
は従来の液晶表示装置1の概略断面図を示すものであ
り、同一箇所には同一の符号を付して説明する。
FIG. 3 is a schematic sectional view of the liquid crystal display device 1 of the present embodiment, taken along the line III-III in FIG.
1 shows a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device 1, and the same portions will be described with the same reference numerals.

【0031】従来では信号線5および図示しない走査線
と画素電極8との間の距離が、信号線5および走査線と
対向電極23との間の距離とが略同一等であったため、信
号線5および走査線近傍の液晶層部4には垂直方向電界
と水平方向電界とが作用して、図4に示すような電界E
1が印加されるため、チルトリバース領域が発生してい
た。
Conventionally, the distance between the signal line 5 and the scanning line (not shown) and the pixel electrode 8 is substantially the same as the distance between the signal line 5 and the scanning line and the counter electrode 23. A vertical electric field and a horizontal electric field act on the liquid crystal layer section 5 and the liquid crystal layer portion 4 near the scanning line, and the electric field E as shown in FIG.
Since 1 was applied, a tilt reverse region occurred.

【0032】しかし、上記一実施例では、遮光層部22に
よって遮光される液晶層部4の厚さd1は、遮光層部22
によって遮光されない開口領域26の液晶層部4の厚さd
2の1/2となっている。したがって、信号線5および
走査線6と画素電極8との間の距離が、信号線5および
走査線と対向電極23との間の距離に比べて十分に大き
い。このため、信号線5および走査線6近傍の液晶層部
4にも垂直方向電界が主に作用し、図3に示すような電
界E2が印加されることになる。
However, in the above-described embodiment, the thickness d1 of the liquid crystal layer 4 which is shielded by the light shielding layer 22 is different from the thickness d1 of the light shielding layer 22.
Thickness d of the liquid crystal layer portion 4 in the opening region 26 which is not shielded by light
2 1/2. Therefore, the distance between the signal line 5 and the scanning line 6 and the pixel electrode 8 is sufficiently larger than the distance between the signal line 5 and the scanning line and the counter electrode 23. Therefore, a vertical electric field mainly acts on the liquid crystal layer portion 4 near the signal line 5 and the scanning line 6, and an electric field E2 as shown in FIG. 3 is applied.

【0033】以上のように、上記一実施例の液晶表示装
置1によれば、信号線5もしくは走査線6と第2の基板
21との間の距離を短くすることにより、これら信号線5
もしくは走査線6での水平方向電界を減少させてチルト
リバース領域の発生を防止する。このため、これら信号
線5および走査線6の近傍で主に水平方向電界を減少さ
せることができ、チルトリバース領域の発生が抑えられ
る。この結果、液晶層部4のチルトリバース領域が減少
するので、遮光層部22の幅が低減し、良好な表示画像を
得ることができる。
As described above, according to the liquid crystal display device 1 of the above embodiment, the signal line 5 or the scanning line 6 is connected to the second substrate.
By reducing the distance between the signal lines 5 and 21,
Alternatively, reduce the horizontal electric field in the scanning line 6 to tilt
Prevent the occurrence of a reverse area. Therefore, Ki out to reduce the mainly horizontal electric field in the vicinity of the signal lines 5 and the scanning lines 6, the occurrence of tilt reverse region is suppressed
You. As a result, the tilt reverse region of the liquid crystal layer 4 decreases.
Accordingly, the width of the light shielding layer portion 22 is reduced, and a good display image can be obtained.

【0034】また、このような水平方向電界を減少させ
ることにより、信号線5および走査線6と画素電極8と
の間隔を、画素電極8との間で生じるカップリング容量
に起因するクロストークの影響がない程度、たとえば5
〜7μm程度にまで十分に狭くできるため、画素電極8
の占有面積を大面積化することが可能となる。これによ
り、上記一実施例の液晶表示装置1では、開口率をも高
めることもできる。
Further, by reducing such a horizontal electric field, the distance between the signal line 5 and the scanning line 6 and the pixel electrode 8 is reduced so that the crosstalk caused by the coupling capacitance generated between the pixel electrode 8 and the pixel electrode 8 is reduced. No effect, eg 5
To about 7 μm, the pixel electrode 8
Occupied area can be increased. Thereby, in the liquid crystal display device 1 of the embodiment, the aperture ratio can be increased.

【0035】また、上記一実施例によれば、遮光層部22
が十分な厚さで構成されているため、外部からの不所望
な斜入射光を遮断し、表示画像のコントラストを向上で
きる。
Further, according to the above embodiment, the light shielding layer portion 22 is formed.
Is formed with a sufficient thickness, so that undesired obliquely incident light from the outside can be blocked, and the contrast of the displayed image can be improved.

【0036】さらに、上記一実施例によれば、遮光層部
22によって遮光される液晶層部4の厚さは、遮光層部22
によって遮光されない開口領域25の液晶層部4の厚さの
1/2としたが、この厚さの比としては、1/5以上2
/3以下とすると良い。すなわち、この厚さの比が1/
5よりも小さいと、遮光効果が薄れると共に、チルトリ
バース領域の発生を十分に抑えることができなくなって
しまう。また、この厚さの比が2/3を越えると、液晶
組成物の注入が困難となってしまう。
Further, according to the above embodiment, the light shielding layer portion
The thickness of the liquid crystal layer portion 4 that is shielded by the light
The thickness of the liquid crystal layer portion 4 in the opening region 25 which is not shielded from light by the light source.
/ 3 or less. That is, the ratio of this thickness is 1 /
If it is smaller than 5, the light-shielding effect is weakened and the occurrence of the tilt reverse region cannot be sufficiently suppressed. If the thickness ratio exceeds 2/3, it becomes difficult to inject the liquid crystal composition.

【0037】そして、この厚さの比としては、2/5以
上3/5以下とすると特に良い。そして、この範囲とす
ることにより、遮光層部22の段差部による対向電極23の
断線が防止でき、製造上より好ましい。対向電極23の段
差部による断線を防止する方法としては、たとえば第2
の基板21上に対向電極23を設け、この対向電極23に導電
性の良い金属で構成される遮光層部22を設け、対向電極
23と遮光層部22とに同一の電圧を供給するようにしても
良い。このようにすれば、対向電極23の段差部による断
線などを防止できる。
It is particularly preferable that the ratio of the thickness be 2/5 or more and 3/5 or less. By setting this range, disconnection of the opposing electrode 23 due to the step portion of the light shielding layer portion 22 can be prevented, which is more preferable in manufacturing. As a method for preventing disconnection due to a step portion of the counter electrode 23, for example, the second method
A counter electrode 23 is provided on a substrate 21 of this type, and a light-shielding layer portion 22 made of a metal having good conductivity is provided on the counter electrode 23.
The same voltage may be supplied to the light-shielding layer 22 and the light-shielding layer 22. In this way, disconnection or the like due to the step portion of the counter electrode 23 can be prevented.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、信号線
もしくは走査線と、この信号線もしくは走査線が対向す
る領域の第2の電極基板との間の液晶部の厚さを、画素
電極が表示する領域が第2の電極基板と対向する間の液
晶部の厚さの1/5以上2/3以下にし、信号線もしく
はゲート線と第2の基板との間の距離を短くすることに
より、これら信号線もしくは走査線での水平方向電界を
減少させてチルトリバース領域の発生を防止するので、
走査線と画素電極間とに生じる水平方向電界低減し、
液晶部のチルトリバース領域の発生を抑制するため、遮
光層部の幅を低減でき、開口率を拡大できる。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a signal line or the scanning line, the thickness of the liquid crystal portion between the second electrode substrate in the region where the signal line or the scanning line is opposite, Liquid while the area displayed by the pixel electrode faces the second electrode substrate
By making the thickness of the crystal part 1/5 or more and 2/3 or less and shortening the distance between the signal line or the gate line and the second substrate , the horizontal electric field in the signal line or the scanning line can be reduced.
To prevent the tilt reverse area from occurring,
The horizontal electric field generated between the scanning line and the pixel electrode is reduced,
To suppress the occurrence of the tilt reverse domain of the liquid crystal unit, it is possible to reduce the width of the light shielding layer portion can enlarge the aperture ratio.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の一実施例を示す断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】同上液晶表示装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the same liquid crystal display device.

【図3】同上液晶表示装置の動作を説明するための図2
に示すIII−III断面図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an operation of the liquid crystal display device according to the first embodiment;
FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III shown in FIG.

【図4】従来の液晶表示装置の動作を説明するための断
面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an operation of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶表示装置 2 第1の電極基板 3 第2の電極基板 4 液晶部としての液晶層部 5 信号線 6 走査線 7 薄膜トランジスタ 8 画素電極 22 遮光層部 23 対向電 26 遮光領域1 liquid crystal display device 2 first electrode substrate 3 and the second electrode substrate 4 a liquid crystal layer 5 signal lines 6 scan lines 7 TFT 8 pixel electrode 22 light shielding layer 23 facing electrodes 26 light shielding region of a liquid crystal portion

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の信号線および走査線がマトリクス
状に配置され、前記信号線および前記走査線の交点部分
に薄膜トランジスタを介して画素電極が接続された第1
の電極基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有す
る第2の電極基板と、前記第1の電極基板および前記第
2の電極基板間に液晶組成物が挟持された液晶部とを備
えた液晶表示装置において、 前記信号線もしくは前記走査線と、前記信号線もしくは
前記走査線が対向する領域の前記第2の電極基板との間
の前記液晶部の厚さは、前記画素電極が表示する領域が
前記第2の電極基板と対向する間の前記液晶部の厚さの
1/5以上2/3以下で 前記信号線もしくは前記走査線での水平方向電界を減少
させ、チルトリバース領域の発生を防止する ことを特徴
とした液晶表示装置。
A first signal line including a plurality of signal lines and scanning lines arranged in a matrix, and a pixel electrode connected to an intersection of the signal lines and the scanning lines via a thin film transistor;
An electrode substrate, a second electrode substrate having a counter electrode facing the pixel electrode, and a liquid crystal portion having a liquid crystal composition sandwiched between the first electrode substrate and the second electrode substrate. in the liquid crystal display device, said signal lines or said scanning lines, the thickness of the liquid crystal portion between the second electrode substrate in the region where the signal lines or said scanning lines are opposite, the pixel electrode appears Area
Reducing the horizontal electric field in said liquid at 1/5 or more than 2/3 of the thickness of the crystal unit, the signal lines or said scanning lines while facing the second electrode substrate
A liquid crystal display device wherein a tilt reverse region is prevented from being generated .
【請求項2】 信号線もしくは走査線と、この信号線も
しくは前記走査線が対向する領域の第2の電極基板との
間の液晶部の厚さが、画素電極が表示する領域が前記
2の電極基板と対向する間の前記液晶部の厚さの1/5
以上2/3以下である領域は、第1の電極基板もしくは
前記第2の電極基板の遮光領域で遮光されていることを
特徴とした請求項1記載の液晶表示装置。
2. A signal line or the scanning line, the thickness of the liquid crystal portion between the second electrode substrate in the region where the signal line or the scanning line is opposite, the region where the pixel electrode displays a of the liquid crystal unit thickness while facing the second electrode substrate 1/5
The region which is not less than 2/3 is the first electrode substrate or
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein light is shielded by a light shielding region of the second electrode substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102036861B1 (en) * 2017-12-20 2019-10-25 건양대학교 산학협력단 Portable High Purity Oxygen Generation System

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