JPH06273802A - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents
Active matrix liquid crystal display deviceInfo
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- JPH06273802A JPH06273802A JP8785793A JP8785793A JPH06273802A JP H06273802 A JPH06273802 A JP H06273802A JP 8785793 A JP8785793 A JP 8785793A JP 8785793 A JP8785793 A JP 8785793A JP H06273802 A JPH06273802 A JP H06273802A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、駆動素子として薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor;TFT）、ダイオー
ド、ＭＩＭ（metal/insulator/metal ）、バリスタ等を
用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に係り、特
に、開口率を低下させること無く、表示画質のコントラ
ストを向上させることができるアクティブマトリクス液
晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT), a diode, an MIM (metal / insulator / metal), a varistor or the like as a driving element, and more particularly to an aperture. The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device capable of improving the contrast of display image quality without reducing the rate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のＴＦＴ型アクティブマトリクス液
晶表示装置としては、図８及び図９に示すような表示装
置があった。図８は、従来のアクティブマトリクス液晶
表示装置の一画素の平面説明図であり、図９は、図８の
Ｄ−Ｄ′部分の模式断面説明図である。アクティブマト
リクス液晶表示装置は、図９に示すように、ＴＦＴ基板
１、対向基板２及び液晶３から構成され、ＴＦＴ基板１
と対向基板２とが一定間隔で対峙し、ＴＦＴ基板１と対
向基板２との間隙が液晶３で満たされている。2. Description of the Related Art As a conventional TFT type active matrix liquid crystal display device, there is a display device as shown in FIGS. FIG. 8 is a plan explanatory view of one pixel of a conventional active matrix liquid crystal display device, and FIG. 9 is a schematic sectional explanatory view of a DD ′ portion of FIG. As shown in FIG. 9, the active matrix liquid crystal display device includes a TFT substrate 1, a counter substrate 2 and a liquid crystal 3, and the TFT substrate 1
And the counter substrate 2 face each other at a constant interval, and the gap between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 is filled with the liquid crystal 3.
【０００３】ＴＦＴ基板１には、列（縦）方向の信号線
４と行（横）方向の走査線５とがマトリクス状に形成さ
れ、信号線４と走査線５との各交点には駆動素子である
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６と、透明導電体から成る
画素電極７が形成されている。そして、各ＴＦＴ６のゲ
ート電極８は行毎に共通の走査線５に接続され、ソース
電極９は列毎に共通の信号線４に接続され、ドレイン電
極１０は画素電極７に接続され、更に基板全体を覆うよ
うに配向膜１３が形成されている。Signal lines 4 in the column (vertical) direction and scanning lines 5 in the row (horizontal) direction are formed in a matrix on the TFT substrate 1, and driving is performed at each intersection of the signal lines 4 and the scanning lines 5. A thin film transistor (TFT) 6 as an element and a pixel electrode 7 made of a transparent conductor are formed. The gate electrode 8 of each TFT 6 is connected to the common scanning line 5 for each row, the source electrode 9 is connected to the common signal line 4 for each column, the drain electrode 10 is connected to the pixel electrode 7, and the substrate is further connected. An alignment film 13 is formed so as to cover the whole.
【０００４】一方、透光性基板から成る対向基板２に
は、下面にＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６、各配線
部分及び画素電極７と各配線との隙間部分を覆うための
ブラックマトリクス１１が形成され、その下に共通電極
である対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うよ
うに配向膜１３′が設けられている。On the other hand, the counter substrate 2 made of a transparent substrate is provided with a black matrix 11 for covering the TFT 6 formed on the TFT substrate 1, each wiring portion and a gap portion between the pixel electrode 7 and each wiring on the lower surface. The counter electrode 12 which is a common electrode is formed under the formed film, and the alignment film 13 'is provided so as to cover the entire lower surface.
【０００５】上記のように形成されたＴＦＴ基板１及び
対向基板２は、液晶分子を基板に対して一定のプレチル
ト角をもって一定方向に配向させて、表示画質を均一に
するために、配向膜１３，１３′をポリエステル等の布
で一方向に擦る処理（ラビング処理）が施されている。
ここでは、ＴＦＴ基板１のラビング方向を図８の右下か
ら左上に向かう方向とし、対向基板２のラビング方向を
右上から左下に向かう方向としている。そして、ＴＦＴ
基板１と対向基板２とは配向膜１３，１３′が互いに向
かい合うように保持され、その間に液晶３が満たされて
いる。In the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 formed as described above, liquid crystal molecules are aligned in a certain direction with a certain pretilt angle with respect to the substrate, and an alignment film 13 is formed in order to make the display image quality uniform. , 13 'are unidirectionally rubbed with a cloth such as polyester (rubbing treatment).
Here, the rubbing direction of the TFT substrate 1 is from the lower right to the upper left in FIG. 8, and the rubbing direction of the counter substrate 2 is from the upper right to the lower left. And TFT
The substrate 1 and the counter substrate 2 are held so that the alignment films 13 and 13 ′ face each other, and the liquid crystal 3 is filled between them.
【０００６】次に、上記従来のアクティブマトリクス液
晶表示装置の駆動方法について説明する。走査線５の１
本に選択電圧（Ｖg,on）が印加されると、その走査線５
に接続されているＴＦＴ６がオン状態となり、画素電極
７の電位が信号線４の電位と等しくなって、信号線４に
出力されているデータ電圧が画素電極７に書き込まれ
る。一方、対向電極１２は一定電圧に保持されているた
め、画素電極７に書き込まれたデータ電圧と対向電極７
との電位差により、間に挾まれている液晶３に垂直方向
の電界が掛かり、この電界の強度に応じて液晶３の配向
状態が変化し、それに伴って光透過率が変化して画像表
示が行われるものである。Next, a method of driving the above conventional active matrix liquid crystal display device will be described. Scan line 1 of 5
When a selection voltage (Vg, on) is applied to a book, its scanning line 5
The TFT 6 connected to is turned on, the potential of the pixel electrode 7 becomes equal to the potential of the signal line 4, and the data voltage output to the signal line 4 is written in the pixel electrode 7. On the other hand, since the counter electrode 12 is held at a constant voltage, the data voltage written in the pixel electrode 7 and the counter electrode 7 are
An electric field in the vertical direction is applied to the liquid crystal 3 sandwiched between them by the potential difference between and, and the alignment state of the liquid crystal 3 changes according to the intensity of this electric field, and the light transmittance changes accordingly, resulting in an image display. It is done.
【０００７】画素電極７に書き込まれたデータ電圧は、
走査線５に次の選択電圧（Ｖg,on）が印加されるまでの
間、つまり、非選択電圧（Ｖg,off ）が印加されている
間は保持されるので、アクティブマトリクス液晶表示装
置は、単純マトリクス液晶表示装置に比べて、高いコン
トラストを得ることができるものである。The data voltage written in the pixel electrode 7 is
Since the voltage is held until the next selection voltage (Vg, on) is applied to the scanning line 5, that is, while the non-selection voltage (Vg, off) is applied, the active matrix liquid crystal display device Higher contrast can be obtained as compared with a simple matrix liquid crystal display device.
【０００８】しかしながら、上記従来のアクティブマト
リクス液晶表示装置においては、非選択期間中に、画素
電極７と信号線４との間又は画素電極７と走査線５との
間に電位差を生じ、画素電極７の周辺部に横方向電界が
発生することがある。この横方向電界は、画素電極７の
箇所によっては液晶分子のチルト方向を逆にする作用が
あり、図８に示すように、液晶分子のチルト方向が逆転
したリバースチルト領域２０が発生し、コントラストの
低下や視覚特性の低下の一因となっていた。However, in the above-described conventional active matrix liquid crystal display device, a potential difference is generated between the pixel electrode 7 and the signal line 4 or between the pixel electrode 7 and the scanning line 5 during the non-selection period, so that the pixel electrode A lateral electric field may be generated in the peripheral portion of 7. This lateral electric field has the effect of reversing the tilt direction of the liquid crystal molecules depending on the location of the pixel electrode 7, and as shown in FIG. 8, a reverse tilt region 20 in which the tilt direction of the liquid crystal molecules is reversed is generated, and the contrast is increased. It was one of the causes of the deterioration of visual characteristics and visual characteristics.
【０００９】ここで、リバースチルト領域（リバースチ
ルトドメイン）２０が発生するメカニズムについて図９
の断面説明図を用いて具体的に説明する。ＴＦＴ基板１
はラビング処理されているので、画素電極７と信号線４
との間に電位差がない場合は、基板近傍の液晶分子は、
基板の配向膜１３の配向面に対してプレチルト角θで一
様に配向している。Here, the mechanism by which the reverse tilt region (reverse tilt domain) 20 is generated is shown in FIG.
This will be specifically described with reference to the cross sectional explanatory view of FIG. TFT substrate 1
Is subjected to rubbing treatment, the pixel electrode 7 and the signal line 4 are
If there is no potential difference between the
The substrate is uniformly oriented with a pretilt angle θ with respect to the orientation surface of the orientation film 13 of the substrate.
【００１０】しかし、画素電極７と信号線４との間に電
位差が生じると、図９に示すように、画素電極７と信号
線４とを結ぶように横方向電界が発生する。特に、ＴＦ
Ｔ基板１のラビング開始方向に相当する画素電極７の端
部（図８では画素電極７の右下隅部分）においては、液
晶分子のチルト方向を正常な画素電極７の領域とは逆方
向、すなわち−θ方向に配向させるような横方向電界が
生じるために、この部分にリバースチルト領域２０が発
生する。リバースチルト領域２０は、他の領域と光透過
率が異なるために、表示画素のコントラストを低下させ
るという問題があった。However, when a potential difference is generated between the pixel electrode 7 and the signal line 4, a lateral electric field is generated so as to connect the pixel electrode 7 and the signal line 4, as shown in FIG. Especially TF
At the end portion of the pixel electrode 7 corresponding to the rubbing start direction of the T substrate 1 (the lower right corner portion of the pixel electrode 7 in FIG. 8), the tilt direction of the liquid crystal molecules is opposite to the normal pixel electrode 7 region, that is, A reverse tilt region 20 is generated in this portion because a lateral electric field that causes the orientation in the −θ direction is generated. The reverse tilt region 20 has a problem that the contrast of the display pixel is lowered because the light transmittance is different from that of the other regions.
【００１１】この問題は、アクティブマトリクス液晶表
示装置特有の問題であり、駆動素子としてＴＦＴ以外の
ダイオード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いた場合でも同様
である。This problem is peculiar to the active matrix liquid crystal display device, and is the same even when a diode other than a TFT, a MIM, a varistor or the like is used as a driving element.
【００１２】リバースチルト領域によるコントラストの
低下を防止するための従来の方法は、リバースチルト領
域の発生を防止する方法と、リバースチルト領域が発生
してもそれを目立たなくする方法とに大別される。リバ
ースチルト領域の発生を防止する方法としては、プレチ
ルト角θを大きくする方法と、横方向電界の強度を小さ
くする方法があった。Conventional methods for preventing the reduction of contrast due to the reverse tilt area are roughly classified into a method of preventing the occurrence of the reverse tilt area and a method of making the reverse tilt area inconspicuous even if they occur. It As a method of preventing the occurrence of the reverse tilt region, there are a method of increasing the pretilt angle θ and a method of decreasing the strength of the lateral electric field.
【００１３】まず、プレチルト角を大きくする方法とし
ては、プレチルト角θが大きい液晶材料を用いる方法
（澤田他，電子情報通信学会技術研究報告［電子ディス
プレイ］：EID91-72,p1(1991) 参照）、プレチルト角θ
が大きい配向膜を用いる方法（佐谷他，National Techn
ical Report Vol.38 No.3,p54(1992) 参照）、対向基板
の対向電極をストライプ状に形成する方法（西木他,EID
91-121,p35(1991)参照）、画素電極端部に傾斜を設ける
ことにより見かけ上のチルト角を大きくする方法（特開
平４−５５８１９号公報参照）等が知られている。First, as a method of increasing the pretilt angle, a method of using a liquid crystal material having a large pretilt angle θ (see Sawada et al., IEICE Technical Report [Electronic Display]: EID91-72, p1 (1991)). , Pretilt angle θ
Method of using alignment film with large size (Saya et al., National Techn
ical Report Vol.38 No.3, p54 (1992)), a method of forming the counter electrode of the counter substrate in a stripe shape (Nishiki et al., EID
91-121, p35 (1991)) and a method of increasing the apparent tilt angle by providing an inclination at the end of the pixel electrode (see Japanese Patent Laid-Open No. 4-55819).
【００１４】また、横方向電界の強度を小さくする方法
としては、画素電極７の端部を切り欠き、画素電極７と
信号線４との間の距離を大きくする方法（特開平１−２
６６５１２号、特公平４−４９６９２号公報参照）、リ
バースチルト領域をＴＦＴが接続している部分に重なっ
て発生させるようにラビング方向を選択する方法（特開
平３−１７７８１７号公報参照）等が知られている。後
者のラビング方向を選択する方法は、逆スタガ型のＴＦ
Ｔではドレイン電極がゲート電極にオーバーラップする
ために、ゲート電極上において横方向電界が小さくなる
ことを利用したものである。As a method of reducing the strength of the lateral electric field, a method of notching the end of the pixel electrode 7 and increasing the distance between the pixel electrode 7 and the signal line 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 1-22)
No. 66512, Japanese Patent Publication No. 4-49692), and a method of selecting a rubbing direction so that a reverse tilt region is generated so as to overlap a portion where a TFT is connected (see Japanese Patent Laid-Open No. 3-177817). Has been. The latter method of selecting the rubbing direction is the inverse stagger type TF.
In T, since the drain electrode overlaps the gate electrode, the lateral electric field on the gate electrode is reduced.
【００１５】発生したリバースチルト領域を目立たなく
する方法としては、リバースチルト領域を覆うようにブ
ラックマトリクスを形成する方法（特開平１−２６６５
１２号公報参照）、画素電極７の端部をブラックマトリ
クスの下部まで拡張し、更に画素電極７の面積拡張に対
応して信号線の線幅を変形して、拡張部分にリバースチ
ルト領域を発生させ、リバースチルト領域を覆うように
ブラックマトリクスを形成する方法（特開平２−１３９
２７号公報参照）等が知られている。As a method of making the generated reverse tilt region inconspicuous, a method of forming a black matrix so as to cover the reverse tilt region (Japanese Patent Laid-Open No. 1-2665).
No. 12), the end portion of the pixel electrode 7 is extended to the lower portion of the black matrix, and the line width of the signal line is deformed in accordance with the area extension of the pixel electrode 7 to generate a reverse tilt region in the extended portion. And forming a black matrix so as to cover the reverse tilt region (JP-A-2-139).
No. 27), etc. are known.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
のアクティブマトリクス液晶表示装置においては、非選
択時に、信号線と画素電極との間、または走査線と画素
電極との間の横方向電界によって、リバースチルト領域
が発生してコントラストが低下するという問題点があ
り、その解決策としての上記従来のプレチルト角を大き
くする方法があるが、コントラスト改善にある程度の効
果はあるものの、十分な効果は得られず、また、リバー
スチルト領域がＴＦＴ部分に重なる部分で発生するよう
にラビング方向を選択する方法では、ＴＦＴのドレイン
電極のある部分でしかリバースチルト領域の発生を防止
することができないという問題点があった。As described above, in the above-mentioned conventional active matrix liquid crystal display device, the lateral electric field between the signal line and the pixel electrode or between the scanning line and the pixel electrode is selected when it is not selected. There is a problem that the reverse tilt region is generated and the contrast is lowered, and there is a method of increasing the above-mentioned conventional pretilt angle as a solution to it, but there is some effect in improving the contrast, but a sufficient effect. In addition, the method of selecting the rubbing direction so that the reverse tilt region is generated in the portion overlapping the TFT portion can prevent the generation of the reverse tilt region only in the portion having the drain electrode of the TFT. There was a problem.
【００１７】更に、従来の別の解決策であるリバースチ
ルト領域を目立たなくする方法としての画素電極端部を
切り欠く方法や、画素電極の端を信号線の変形に対応さ
せて拡張し、この拡張部分にリバースチルト領域を発生
させ、ブラックマトリクスで覆う方法では、コントラス
トは改善されるものの、開口率が減少するため素子の明
るさが低下するという問題点があった。Further, as another conventional solution, a method of notching the pixel electrode end portion as a method of making the reverse tilt region inconspicuous, or the end of the pixel electrode is expanded corresponding to the deformation of the signal line. In the method in which the reverse tilt region is generated in the expanded portion and covered with the black matrix, the contrast is improved, but there is a problem in that the brightness of the element is lowered because the aperture ratio is reduced.
【００１８】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、素子の開口率を減少させること無く、リバースチル
ト領域によるコントラストの低下を防止することのでき
るアクティブマトリクス液晶表示装置を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an active matrix liquid crystal display device capable of preventing a decrease in contrast due to a reverse tilt region without reducing an aperture ratio of an element. To aim.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、行方向に形成され
た複数の走査線と、列方向に形成された複数の信号線
と、前記走査線と前記信号線の各交差位置に形成された
駆動素子と、前記各駆動素子に接続する画素電極と、前
記複数の画素電極上面に表面をラビングにより配向処理
された配向膜とを有する第１の基板と、前記第１の基板
の画素電極以外の部分を遮蔽する遮光層と、前記画素電
極に対向する対向電極と、前記対向電極上面に表面をラ
ビングにより配向処理された配向膜とを有する第２の基
板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に満たさ
れた液晶とを具備するアクティブマトリクス液晶表示装
置において、前記画素電極が前記第１の基板の配向膜の
ラビングによる配向処理の開始方向の二辺に当たる走査
線と信号線の少なくとも一方の配線の線幅を横切って覆
うように絶縁層を介して形成されたことを特徴としてい
る。According to a first aspect of the present invention for solving the problems of the conventional example, a plurality of scanning lines formed in the row direction and a plurality of signal lines formed in the column direction are provided. A driving element formed at each intersecting position of the scanning line and the signal line, a pixel electrode connected to each driving element, and an alignment film whose surface is aligned by rubbing the upper surface of the plurality of pixel electrodes. A first substrate having a light-shielding layer, a light-shielding layer that shields a portion other than the pixel electrode of the first substrate, a counter electrode facing the pixel electrode, and an alignment whose surface is aligned by rubbing the upper surface of the counter electrode. An active matrix liquid crystal display device comprising: a second substrate having a film; and a liquid crystal filled between the first substrate and the second substrate, wherein the pixel electrode is the first substrate. Alignment by rubbing the alignment film It is characterized in that it is formed through an insulating layer such hits sense of starting direction of the two sides to cover across at least a line width of one wiring of scan lines and signal lines.
【００２０】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、行方向に形成された複数の走査線
と、列方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と
前記信号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記
各駆動素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極
上面に表面をラビングにより配向処理された配向膜とを
有する第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の
部分を遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向
電極と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向
処理された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備
するアクティブマトリクス液晶表示装置において、前記
画素電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配
向処理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少な
くとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層を介して形
成されたことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems of the conventional example, a plurality of scanning lines formed in the row direction, a plurality of signal lines formed in the column direction, and the scanning line. A first substrate having a driving element formed at each intersection of the signal lines, a pixel electrode connected to each driving element, and an alignment film whose surface is aligned by rubbing the upper surface of the plurality of pixel electrodes. A second light shielding layer that shields a portion of the first substrate other than the pixel electrode, a counter electrode that faces the pixel electrode, and an alignment film whose upper surface is aligned by rubbing. And a liquid crystal filled between the first substrate and the second substrate, wherein the pixel electrodes are aligned by rubbing an alignment film of the first substrate. In the starting direction of processing It is characterized by being formed through the insulating layer so as to cover a part of at least one wiring of the scanning line and the signal line hitting the sides.
【００２１】[0021]
【作用】請求項１記載の発明によれば、第１の基板の配
向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信号線
の少なくとも一方の配線の線幅を横切って配線を覆うよ
うに絶縁層を介して画素電極が形成されたアクティブマ
トリクス液晶表示装置としているので、画素電極と信号
線又は走査線との間で発生する電気力線は、信号線又は
走査線の上面より発して画素電極のした面に垂直に終端
するので、液晶内に横方向の電界を発生させることはな
く、リバースチルト領域の発生を防ぐことができ、開口
率を低下させることなく、表示画素のコントラストを向
上させることができる。According to the first aspect of the present invention, insulation is provided so as to cover the wiring across the line width of at least one of the scanning line and the signal line on the two sides corresponding to the rubbing start direction of the alignment film of the first substrate. Since the active matrix liquid crystal display device in which the pixel electrode is formed through the layer is used, the electric force line generated between the pixel electrode and the signal line or the scanning line is emitted from the upper surface of the signal line or the scanning line. Since it terminates in a direction perpendicular to the exposed surface, a horizontal electric field is not generated in the liquid crystal, a reverse tilt region can be prevented from being generated, and the contrast of the display pixel is improved without lowering the aperture ratio. be able to.
【００２２】請求項２記載の発明によれば、第１の基板
の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信
号線の少なくとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層
を介して画素電極が形成されたアクティブマトリクス液
晶表示装置としているので、画素電極と走査線又は信号
線との間における横方向電界によりリバースチルト領域
が発生するが、発生するリバースチルト領域の大部分は
走査線又は信号線の上部となり、第２の基板に形成され
た遮光層によって遮蔽されるために、表示画面への影響
は極めて小いものとなり、開口率を低下させることな
く、表示画素のコントラストを向上させることができ
る。According to the second aspect of the invention, an insulating layer is provided so as to cover a part of the wiring of at least one of the scanning line and the signal line on the two sides corresponding to the rubbing start direction of the alignment film of the first substrate. Since the active matrix liquid crystal display device in which the pixel electrodes are formed is used, a reverse tilt region is generated by the horizontal electric field between the pixel electrode and the scanning line or the signal line, but most of the generated reverse tilt region is the scanning line. Alternatively, since it becomes the upper part of the signal line and is shielded by the light shielding layer formed on the second substrate, the influence on the display screen is extremely small, and the contrast of the display pixel is improved without lowering the aperture ratio. Can be made.
【００２３】[0023]
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るアクティ
ブマトリクス液晶表示装置のＴＦＴ基板側の平面説明図
であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図であ
り、図３は、図１のＢ−Ｂ′部分の模式断面説明図であ
る。尚、図８及び図９と同様の構成をとる部分について
は、同一の符号を用いて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a TFT substrate side of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of AA ′ portion of FIG. 1, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional explanatory view of a BB ′ portion of FIG. 1. FIG. It should be noted that portions having the same configurations as those in FIGS. 8 and 9 will be described using the same reference numerals.
【００２４】本実施例のアクティブマトリクス液晶表示
装置は、図３に示すように、各画素の透過／不透過のオ
ン／オフを行う薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び信号
線、走査線を具備する下側のＴＦＴ基板１と、ブラック
マトリクス及び共通電極である対向電極を具備する上側
の対向基板２と、両基板の間に挾まれて充填された液晶
３とから構成されている。As shown in FIG. 3, the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment includes a thin film transistor (TFT) for turning on / off the transmission / non-transmission of each pixel, a signal line, and a scanning line. It is composed of a TFT substrate 1, an upper counter substrate 2 having a black matrix and a counter electrode which is a common electrode, and a liquid crystal 3 sandwiched between the two substrates.
【００２５】更に、具体的に本実施例のアクティブマト
リクス液晶表示装置の各部について説明する。ＴＦＴ基
板１のガラス基板１′の上面には、信号線４と走査線５
とが絶縁層１５′を介してマトリクス状に形成され、信
号線４と走査線５との各交点には駆動素子である薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）６と、酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）等から成る透明導電体の画素電極７が形成されて
おり、各ＴＦＴ６のゲート電極８は行毎に共通の走査線
５に接続され、ソース電極９は列毎に共通の信号線４に
接続され、ドレイン電極１０は各画素の画素電極７に接
続されている。更に、上面全体を覆うように配向膜１３
が形成され、図１において、右下から左上に向かってラ
ビング処理が施されている。Further, each part of the active matrix liquid crystal display device of this embodiment will be concretely described. The signal line 4 and the scanning line 5 are formed on the upper surface of the glass substrate 1 ′ of the TFT substrate 1.
Are formed in a matrix form via an insulating layer 15 ', and at each intersection of the signal line 4 and the scanning line 5, a thin film transistor (TFT) 6 which is a driving element and indium tin oxide (I).
A pixel electrode 7 made of a transparent conductive material such as TO) is formed, the gate electrode 8 of each TFT 6 is connected to a common scanning line 5 for each row, and the source electrode 9 is connected to a common signal line 4 for each column. The drain electrode 10 is connected to the pixel electrode 7 of each pixel. Further, the alignment film 13 is formed so as to cover the entire upper surface.
Are formed, and the rubbing process is performed from the lower right side to the upper left side in FIG.
【００２６】対向基板２のガラス基板２′の下面には、
ＴＦＴ基板１に形成されたＴＦＴ６及び信号線４、走査
線５の配線部分を覆うためのブラックマトリクス１１又
はカラーフィルタ（図示せず）が形成され、その下側に
対向電極１２が形成され、更に下面全体を覆うように配
向膜１３′が設けられ、図１の右上から左下に向かって
ラビング処理が為されている。On the lower surface of the glass substrate 2'of the counter substrate 2,
A black matrix 11 or a color filter (not shown) for covering the wiring portions of the TFT 6 and the signal lines 4 and the scanning lines 5 formed on the TFT substrate 1 is formed, and a counter electrode 12 is formed below the black matrix 11. An alignment film 13 'is provided so as to cover the entire lower surface, and a rubbing process is performed from the upper right to the lower left in FIG.
【００２７】また、ＴＦＴ基板１における各画素のＴＦ
Ｔ６は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１のガ
ラス基板１′上に、クロム（Ｃｒ）等の金属から成る走
査線５及び走査線５と一体成型されたゲート電極８と、
二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）から成るゲート絶縁層１５
と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等から成る半導
体活性層１４と、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）から成る上部
絶縁層１６と、不純物が添加された半導体膜から成るソ
ース電極９及びドレイン電極１０とが順次積層された逆
スタガ型の構造となっている。The TF of each pixel on the TFT substrate 1
As shown in FIGS. 1 and 2, T6 includes a scanning line 5 made of a metal such as chromium (Cr) and a gate electrode 8 integrally formed with the scanning line 5 on a glass substrate 1 ′ of the TFT substrate 1.
Gate insulating layer 15 made of silicon dioxide (SiO 2 ).
A semiconductor active layer 14 made of amorphous silicon (a-Si), an upper insulating layer 16 made of silicon nitride (SiNx), a source electrode 9 and a drain electrode 10 made of a semiconductor film to which impurities are added. It has a stacked inverted staggered structure.
【００２８】そして、ポリイミド等の層間絶縁層１７を
介してソース電極９に接続するアルミニウム（Ａｌ）か
ら成る信号線４が形成され、更にポリイミド等の層間絶
縁層１８が積層され、この層間絶縁層１８に設けられた
開口部を介してドレイン電極１０に接続する酸化インジ
ウム・スズ（ＩＴＯ）等から成る画素電極７が形成さ
れ、この上に配向膜１３が積層された構成となってい
る。Then, the signal line 4 made of aluminum (Al) connected to the source electrode 9 through the interlayer insulating layer 17 such as polyimide is formed, and further the interlayer insulating layer 18 such as polyimide is laminated. A pixel electrode 7 made of indium tin oxide (ITO) or the like, which is connected to the drain electrode 10 through an opening provided in 18, is formed, and an alignment film 13 is laminated thereon.
【００２９】また、本実施例では駆動素子をＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）としているが、ＴＦＴに限らず、ダイ
オード、ＭＩＭ、バリスタ等を用いても良い。Further, although the driving element is a TFT (thin film transistor) in this embodiment, it is not limited to the TFT, and a diode, MIM, varistor or the like may be used.
【００３０】そして、本実施例の特徴部分である画素電
極７の形状は、画素電極７を囲む２本の信号線４と２本
の走査線５とで形成される四辺形の４辺の内、隣り合う
２辺の信号線４及び走査線５の上部を覆うように形成さ
れている。ここで、本実施例においては、画素電極７で
覆われる隣り合う２辺は、ラビング開始方向の画素隅を
交点とする２辺としている。すなわち、図１に示すよう
に、画素電極７は、画素の右側に隣接する信号線４ａ
と、画素の下側に隣接する走査線５ａの上部に重なるよ
うに形成され、特に、ＴＦＴ部分を除いて信号線４ａと
走査線５ａの線幅を横切って線幅を覆い、ラビング開始
方向である画素の右下部分に画素電極７を拡張して形成
している。The shape of the pixel electrode 7, which is a characteristic part of this embodiment, is four sides of a quadrangle formed by two signal lines 4 surrounding the pixel electrode 7 and two scanning lines 5. , Are formed so as to cover the signal lines 4 and the scanning lines 5 on two adjacent sides. Here, in the present embodiment, the two adjacent sides covered with the pixel electrode 7 are the two sides with the pixel corner in the rubbing start direction as the intersection. That is, as shown in FIG. 1, the pixel electrode 7 includes the signal line 4a adjacent to the right side of the pixel.
And is formed so as to overlap with the upper part of the scanning line 5a adjacent to the lower side of the pixel, and in particular, it covers the line width across the line widths of the signal line 4a and the scanning line 5a except the TFT portion, and in the rubbing start direction. The pixel electrode 7 is formed to extend in the lower right part of a certain pixel.
【００３１】特に、本実施例では、ＴＦＴ６部分を除く
信号線４ａ及び走査線５ａの線幅が画素電極７によって
完全に覆われるように、画素電極７の右端は、図１にお
いて信号線４ａよりも右になるように、また、画素電極
７の下端は、図１において走査線５ａよりも下になるよ
うに形成されている。In particular, in this embodiment, the right end of the pixel electrode 7 is more than the signal line 4a in FIG. 1 so that the line widths of the signal line 4a and the scanning line 5a except the TFT 6 portion are completely covered by the pixel electrode 7. Is also formed on the right side, and the lower end of the pixel electrode 7 is formed below the scanning line 5a in FIG.
【００３２】また、ＴＦＴ６の近傍においては、画素電
極７の右端を信号線４ａの上部中央まで拡張して形成
し、下端を走査線５ａの上部中央まで拡張して形成して
いる。これは、ＴＦＴ６部分が段差を有するために、隣
接する画素電極７同士が短絡するのを防ぐためである。
同様に、信号線４ａと走査線５ａとの交差部分も段差が
大きくなるので、隣接する画素電極７同士が短絡するの
を防ぐため、図１に示すような微小な切り欠きを設けて
いる。この切り欠き部分は小さいので、開口率への影響
は小さい。In the vicinity of the TFT 6, the right end of the pixel electrode 7 is formed to extend to the center of the upper portion of the signal line 4a, and the lower end is formed to extend to the center of the upper portion of the scanning line 5a. This is to prevent the adjacent pixel electrodes 7 from being short-circuited due to the step difference in the TFT 6 portion.
Similarly, since the step also becomes large at the intersection of the signal line 4a and the scanning line 5a, in order to prevent the adjacent pixel electrodes 7 from being short-circuited, a minute cutout as shown in FIG. 1 is provided. Since this cutout portion is small, the influence on the aperture ratio is small.
【００３３】ここで、本実施例のアクティブマトリクス
液晶表示装置の電界と液晶の配向について図３の模式断
面説明図を用いて説明する。コントラストを低下させる
リバースチルト領域は、信号線４又は走査線５と画素電
極７との間の横方向電界によって生じ、特に、画素のラ
ビング開始方向に相当する隅に発生することが知られて
いる。Here, the electric field and the alignment of the liquid crystal of the active matrix liquid crystal display device of this embodiment will be described with reference to the schematic cross-sectional explanatory view of FIG. It is known that the reverse tilt region that lowers the contrast is generated by the lateral electric field between the signal line 4 or the scanning line 5 and the pixel electrode 7, and particularly in the corner corresponding to the rubbing start direction of the pixel. .
【００３４】本実施例では、画素電極７をラビング開始
方向の隅を共有する信号線４ａと走査線５ａの上部にま
で拡張し、更に、信号線４ａ及び走査線５ａの線幅を覆
うように形成しているため、信号線４ａ又は走査線５ａ
と画素電極７との電位差で生ずる電気力線は、信号線４
ａ又は走査線５ａの上面より発し、画素電極７の下面に
垂直終端にするので、液晶３内に横方向の電界を発生さ
せることなく、これにより、リバースチルト領域の発生
を防ぐことができ、開口率を低下させること無く、コン
トラストを向上させることができる。In this embodiment, the pixel electrode 7 is extended to the upper part of the signal line 4a and the scanning line 5a sharing the corner in the rubbing start direction, and further covers the line widths of the signal line 4a and the scanning line 5a. Since it is formed, the signal line 4a or the scanning line 5a
The lines of electric force generated by the potential difference between the pixel electrode 7 and the pixel electrode 7 are the signal lines 4
a or the upper surface of the scanning line 5a and terminates vertically on the lower surface of the pixel electrode 7. Therefore, it is possible to prevent generation of a reverse tilt region without generating a horizontal electric field in the liquid crystal 3. The contrast can be improved without reducing the aperture ratio.
【００３５】次に、本実施例のアクティブマトリクス液
晶表示装置の製造方法について、図４（ａ）〜（ｄ）、
図５（ｅ）（ｆ）のプロセス断面説明図を用いて説明す
る。まず、ガラス、石英、セラミック等から成るＴＦＴ
基板１の基板１′上に、クロム（Ｃｒ）をスパッタリン
グ法により着膜し、フォトリソグラフィー及びエッチン
グによりパターニングしてＴＦＴ６のゲート電極８及び
走査線５を形成する（図４（ａ）参照）。Next, the manufacturing method of the active matrix liquid crystal display device of this embodiment will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to the process cross-sectional explanatory diagrams of FIGS. First, a TFT made of glass, quartz, ceramic, etc.
Chromium (Cr) is deposited on the substrate 1 ′ of the substrate 1 by the sputtering method and patterned by photolithography and etching to form the gate electrode 8 of the TFT 6 and the scanning line 5 (see FIG. 4A).
【００３６】次に、ＳｉＯ2 を堆積し、ゲート絶縁層１
５を形成する。ゲート絶縁層１５は、走査線５と信号線
４との交差部の絶縁層１５′としても機能するものであ
る。そして、半導体活性層１４としてのアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）を堆積し、その上に、上部絶縁層１
６としてのＳｉＮx を堆積し、フォトリソグラフィー及
びエッチングによりパターニングしてゲート電極８に対
向するよう上部絶縁層１６を形成する（図４（ｂ）参
照）。Next, SiO 2 is deposited to form the gate insulating layer 1
5 is formed. The gate insulating layer 15 also functions as an insulating layer 15 ′ at the intersection of the scanning line 5 and the signal line 4. Then, amorphous silicon (a-Si) is deposited as the semiconductor active layer 14, and the upper insulating layer 1 is formed thereon.
SiNx as 6 is deposited and patterned by photolithography and etching to form the upper insulating layer 16 so as to face the gate electrode 8 (see FIG. 4B).
【００３７】その上に、不純物を添加したｎ+ ａ−Ｓｉ
を着膜し、ｎ+ ａ−Ｓｉ層と、ａ−Ｓｉ層を連続してパ
ターニングし、ソース電極９，ドレイン電極１０及び半
導体活性層１４を形成する（図４（ｃ）参照）。尚、信
号線４又は画素電極７とのコンタクト抵抗を低減するた
めに、ソース電極９及びドレイン電極１０の上部にタン
グステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等のバリアメタルを設
けても良い。On top of that, n + a-Si doped with impurities is added.
And the n + a-Si layer and the a-Si layer are successively patterned to form the source electrode 9, the drain electrode 10 and the semiconductor active layer 14 (see FIG. 4C). A barrier metal such as tungsten (W) or titanium (Ti) may be provided on the source electrode 9 and the drain electrode 10 in order to reduce the contact resistance with the signal line 4 or the pixel electrode 7.
【００３８】そして、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポ
リイミドから成る層間絶縁層１７を積層し、層間絶縁層
１７にソース電極９に接続するためのコンタクトホール
を形成し、次に、アルミニウム（Ａｌ）を着膜し、パタ
ーニングして、信号線４を形成する。信号線４を形成す
るエッチングでは、その上に形成される画素電極７が信
号線４のパターンエッジ部の段差により断線するのを防
止するために、４５度以上のテーパーエッチングを行
い、信号線４による段差を緩くすることが望ましい（図
４（ｄ）参照）。Then, an interlayer insulating layer 17 made of silicon dioxide, silicon nitride or polyimide is laminated, a contact hole for connecting to the source electrode 9 is formed in the interlayer insulating layer 17, and then aluminum (Al) is deposited. The film is formed and patterned to form the signal line 4. In the etching for forming the signal line 4, in order to prevent the pixel electrode 7 formed on the signal line 4 from being broken due to the step difference of the pattern edge portion of the signal line 4, taper etching of 45 degrees or more is performed. It is desirable to loosen the step due to (see FIG. 4 (d)).
【００３９】そして、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポ
リイミドを着膜し、画素電極７とドレイン電極１０とを
接続するためのコンタクトホールを形成して、層間絶縁
層１７，１８を形成する。コンタクトホール形成のエッ
チングでは、層間絶縁層１８上部に形成する画素電極７
としてのＩＴＯがホール底部に十分着膜して断線を起こ
さないように４５度以上のテーパーエッチングを行うこ
とが好ましい。Then, silicon dioxide, silicon nitride or polyimide is deposited to form a contact hole for connecting the pixel electrode 7 and the drain electrode 10 to form interlayer insulating layers 17 and 18. In the etching for forming the contact hole, the pixel electrode 7 formed on the interlayer insulating layer 18 is etched.
It is preferable to perform taper etching at 45 ° or more so that ITO as a film will not be sufficiently deposited on the bottom of the hole to cause disconnection.
【００４０】更にその上に、画素電極７としてのＩＴＯ
を着膜し、ラビング開始方向である画素右下部分に、信
号線４ａと走査線５ａとの交差部分を除いて、画素電極
７の面積を拡張するように、図１中で画素電極７の右側
に隣接する信号線４ａと下側に隣接する走査線５ａとの
上部を覆うようにパターニングして、画素電極７を形成
する（図５（ｅ）参照）。Further thereon, ITO as the pixel electrode 7 is formed.
Of the pixel electrode 7 in FIG. 1 so as to expand the area of the pixel electrode 7 in the lower right part of the pixel, which is the rubbing start direction, except for the intersection of the signal line 4a and the scanning line 5a. The pixel electrode 7 is formed by patterning so as to cover the upper portions of the signal line 4a adjacent to the right side and the scanning line 5a adjacent to the lower side (see FIG. 5E).
【００４１】そして、その上にポリイミドを塗布して配
向膜を形成して、ラビング処理を施し、ＴＦＴ基板１が
形成される（図５（ｆ）参照）。そして、別に形成した
対向基板２との間に液晶を充填保持して固定し、アクテ
ィブマトリクス液晶表示装置が形成される。Then, polyimide is applied thereon to form an alignment film, and a rubbing process is performed to form the TFT substrate 1 (see FIG. 5 (f)). Then, the liquid crystal is filled and held between the counter substrate 2 and the counter substrate 2, which are separately formed, and fixed to form an active matrix liquid crystal display device.
【００４２】また、本実施例で使用した材料以外にも、
ＴＦＴのゲート電極８の材料としては、クロム（Ｃｒ）
の他にアルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）等の金属を、ゲート絶縁層１５の材料と
しては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）の他に窒化ケイ素
（ＳｉＮx ）、ゲート電極の金属酸化物を、また、半導
体活性層１４の材料としては、ａ−Ｓｉの他にＣｄＳ
ｅ，ＣｄＳ，Ｔｅ，ＰｂＴｅ，多結晶シリコン（poly-S
i ）を、上部絶縁層１６の材料としてはＳｉＮx の他に
ＳｉＯ2 を、画素電極７の材料としては、酸化スズ、酸
化亜鉛を、層間絶縁層１７，１８の材料としては、ポリ
イミドの他にＳｉＯ2 、ＳｉＮx 等を用いても良い。In addition to the materials used in this embodiment,
The material of the TFT gate electrode 8 is chromium (Cr).
In addition to aluminum (Al), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), and the like, as the material of the gate insulating layer 15, in addition to silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), metal of the gate electrode Oxide, and as the material of the semiconductor active layer 14, in addition to a-Si, CdS
e, CdS, Te, PbTe, polycrystalline silicon (poly-S
i), SiNx and SiO 2 as the material of the upper insulating layer 16, tin oxide and zinc oxide as the material of the pixel electrode 7, and polyimide other than polyimide as the material of the interlayer insulating layers 17 and 18. it may be used SiO 2, SiNx or the like.
【００４３】本実施例のアクティブマトリクス液晶表示
装置によれば、ラビング開始方向に画素電極７を拡張
し、ラビング開始方向の画素隅を交点とする信号線４ａ
と走査線５ａの上部に画素電極７を形成し、リバースチ
ルト領域の発生しやすい部分の信号線４ａと走査線５ａ
の線幅を画素電極７によって覆うようにしているので、
リバースチルト領域の原因となるラビング開始方向の画
素隅における横方向電界の発生を抑制し、更に画素電極
７の面積を縮小していないため、開口率を低下させるこ
と無く、リバースチルト領域の発生とそれによるコント
ラストの低下を防ぐことができる効果がある。According to the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment, the pixel electrode 7 is expanded in the rubbing start direction, and the signal line 4a whose intersection is the pixel corner in the rubbing start direction.
The pixel electrode 7 is formed on the scanning line 5a and the signal line 4a and the scanning line 5a in the portion where the reverse tilt region is likely to occur.
Since the line width of is covered with the pixel electrode 7,
Since the generation of the lateral electric field at the pixel corner in the rubbing start direction, which causes the reverse tilt region, is suppressed, and the area of the pixel electrode 7 is not reduced, the reverse tilt region is generated without reducing the aperture ratio. This has the effect of preventing a reduction in contrast.
【００４４】次に、本実施例に係る別の実施例について
図６、図７を参照しながら説明する。図６は、別の実施
例のアクティブマトリクス液晶表示装置の平面説明図で
あり、図７は図６のＣ−Ｃ′部分の模式断面説明図であ
る。尚、図１及び図３と同様の構成をとる部分について
は同一の符号を付して説明する。Next, another embodiment according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a plan explanatory view of an active matrix liquid crystal display device of another embodiment, and FIG. 7 is a schematic sectional explanatory view of a CC ′ portion of FIG. It should be noted that portions having the same configurations as those in FIG. 1 and FIG.
【００４５】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置は、第１の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置とほぼ同様の構成で、画素電極７が、ラビング開
始方向の画素隅を交点とする信号線４ａと走査線５ａの
配線の上部中央にまで拡張して形成されている。具体的
には、画素電極７の右端のパターンエッジが信号線４ａ
の上部中央まで形成され、画素電極７の下端のパターン
エッジが走査線５ａの上部中央まで形成されたアクティ
ブマトリクス液晶表示装置である。An active matrix liquid crystal display device of another embodiment has substantially the same structure as the active matrix liquid crystal display device of the first embodiment, and the pixel electrode 7 has a signal line whose intersection is at a pixel corner in the rubbing start direction. 4a and the scanning line 5a are formed to extend up to the center of the upper part of the wiring. Specifically, the pattern edge at the right end of the pixel electrode 7 is the signal line 4a.
Is an active matrix liquid crystal display device in which the pattern edge of the lower end of the pixel electrode 7 is formed up to the center of the upper part of the scanning line 5a.
【００４６】画素電極７を囲む４辺を成す信号線４と走
査線５のうち、少なくともリバースチルト領域が発生す
るラビング開始方向の隅（ここでは右下）を交点とする
２辺、すなわち、信号線４ａ及び走査線５ａの配線の上
部に画素電極７のエッジを重ねて形成するようにしてい
る。更に図６に示すように、３辺又は４辺全部の上にエ
ッジを重ねることも可能である。信号線４又は走査線５
と画素電極７との重なり幅は５μｍ以上としており、１
０μｍ以上であればより望ましい。Of the signal line 4 and the scanning line 5 forming the four sides surrounding the pixel electrode 7, at least two corners in the rubbing start direction (here, the lower right) where the reverse tilt region is generated are intersections, that is, signals. The edges of the pixel electrodes 7 are formed so as to overlap with the wirings of the lines 4a and the scanning lines 5a. Further, as shown in FIG. 6, it is possible to overlap edges on all three sides or all four sides. Signal line 4 or scanning line 5
The overlapping width between the pixel electrode 7 and the pixel electrode 7 is set to 5 μm or more.
It is more desirable if it is 0 μm or more.
【００４７】別の実施例における電界と液晶の配向につ
いて図７を用いて説明する。別の実施例では、少なくと
も、図６中で画素電極７の右端のエッジを信号線４ａの
上部に、画素電極７の下端のエッジを走査線５ａの上部
に形成しているので、図７に示すように、画素電極７と
信号線４ａ又は走査線５ａとの間に横方向電界が発生
し、それによって液晶の配向が逆転するリバースチルト
領域も発生する。しかし、発生したリバースチルト領域
の大部分は、信号線４ａ又は走査線５ａの上部に相当す
るので、対向基板２に設けられたブラックマトリクス１
１により遮蔽され、表示画面のコントラストの低下を極
めて小さく抑えることができるものである。The electric field and the alignment of the liquid crystal in another embodiment will be described with reference to FIG. In another embodiment, at least the right edge of the pixel electrode 7 in FIG. 6 is formed above the signal line 4a and the lower edge of the pixel electrode 7 is formed above the scanning line 5a in FIG. As shown, a horizontal electric field is generated between the pixel electrode 7 and the signal line 4a or the scanning line 5a, and thereby a reverse tilt region in which the alignment of the liquid crystal is reversed is also generated. However, most of the generated reverse tilt region corresponds to the upper part of the signal line 4a or the scanning line 5a, and thus the black matrix 1 provided on the counter substrate 2 is provided.
It is possible to suppress the reduction of the contrast of the display screen to an extremely small amount because it is shielded by 1.
【００４８】また、画素電極７を囲む４辺の配線部全て
に画素電極７のパターンエッジを重ねて形成した場合
は、液晶パネル背面に配置されたバックライトの光が漏
れ出る隙間がほとんど無くなるため、対向基板のブラッ
クマトリクスの形成箇所を、リバースチルト領域が発生
するラビング開始方向の画素隅のみに限定することがで
きる。Further, when the pattern edges of the pixel electrodes 7 are formed so as to overlap all the four side wiring portions surrounding the pixel electrodes 7, there is almost no gap through which the light of the backlight arranged on the back surface of the liquid crystal panel leaks. The location where the black matrix is formed on the counter substrate can be limited to only the pixel corner in the rubbing start direction where the reverse tilt region is generated.
【００４９】別の実施例のアクティブマトリクス液晶表
示装置よれば、画素電極７を囲む信号線４と走査線５の
内、少なくとも、ラビング開始方向の画素隅を交点とす
る信号線４ａと走査線５ａの上部中央にまで画素電極７
のパターンエッジを重ねて形成しているので、信号線４
又は走査線５と画素電極７との間の横方向電界により生
じるリバースチルト領域は、その大部分が信号線４ａ又
は走査線５ａの上部となり、対向基板２に設けられたブ
ラックマトリクス１１によって遮蔽されることになり、
開口率を損なうこと無くコントラストへの悪影響を小さ
くすることができる効果がある。According to the active matrix liquid crystal display device of another embodiment, of the signal lines 4 surrounding the pixel electrodes 7 and the scanning lines 5, at least the signal lines 4a and the scanning lines 5a whose intersections are at the pixel corners in the rubbing start direction. Pixel electrode 7 up to the center of the upper part of
Since the pattern edges of are overlapped, the signal line 4
Alternatively, most of the reverse tilt region generated by the horizontal electric field between the scanning line 5 and the pixel electrode 7 is located above the signal line 4a or the scanning line 5a and is shielded by the black matrix 11 provided on the counter substrate 2. Will be
There is an effect that the adverse effect on the contrast can be reduced without impairing the aperture ratio.
【００５０】[0050]
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、第１の基
板の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と
信号線の少なくとも一方の配線の線幅を横切って配線を
覆うように絶縁層を介して画素電極が形成されたアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置としているので、画素電極
と信号線又は走査線との間で発生する電気力線は、信号
線又は走査線の上面より発して画素電極のした面に垂直
に終端するので、液晶内に横方向の電界を発生させるこ
とはなく、リバースチルト領域の発生を防ぐことがで
き、開口率を低下させることなく、表示画素のコントラ
ストを向上させることができる効果がある。According to the first aspect of the invention, the wiring is covered across the line width of at least one of the scanning lines and the signal lines on the two sides which correspond to the rubbing start direction of the alignment film of the first substrate. Since the active matrix liquid crystal display device in which the pixel electrode is formed via the insulating layer is formed, the lines of electric force generated between the pixel electrode and the signal line or the scanning line are generated from the upper surface of the signal line or the scanning line. Since it terminates perpendicularly to the surface on which the pixel electrode is formed, a horizontal electric field is not generated in the liquid crystal, a reverse tilt region can be prevented from being generated, and the contrast of the display pixel is reduced without lowering the aperture ratio. There is an effect that can be improved.
【００５１】請求項２記載の発明によれば、第１の基板
の配向膜のラビング開始方向に当たる二辺の走査線と信
号線の少なくとも一方の配線の一部を覆うように絶縁層
を介して画素電極が形成されたアクティブマトリクス液
晶表示装置としているので、画素電極と走査線又は信号
線との間における横方向電界によりリバースチルト領域
が発生するが、発生するリバースチルト領域の大部分は
走査線又は信号線の上部となり、第２の基板に形成され
た遮光層によって遮蔽されるために、表示画面への影響
は極めて小いものとなり、開口率を低下させることな
く、表示画素のコントラストを向上させることができる
効果がある。According to the second aspect of the present invention, an insulating layer is provided so as to cover a part of the wiring of at least one of the scanning line and the signal line on the two sides which correspond to the rubbing start direction of the alignment film of the first substrate. Since the active matrix liquid crystal display device in which the pixel electrodes are formed is used, a reverse tilt region is generated by the horizontal electric field between the pixel electrode and the scanning line or the signal line, but most of the generated reverse tilt region is the scanning line. Alternatively, since it becomes the upper part of the signal line and is shielded by the light shielding layer formed on the second substrate, the influence on the display screen is extremely small, and the contrast of the display pixel is improved without lowering the aperture ratio. There is an effect that can be made.
【図１】 本発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス液晶表示装置の平面説明図である。FIG. 1 is a plan view of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of a portion AA ′ in FIG.
【図３】 図１のＢ−Ｂ′部分の模式断面説明図であ
る。FIG. 3 is a schematic cross-sectional explanatory view of a BB ′ portion of FIG. 1.
【図４】 （ａ）〜（ｄ）は、本実施例のアクティブマ
トリクス液晶表示装置の製造方法を示すプロセス断面説
明図である。4A to 4D are process cross-sectional explanatory views showing a method for manufacturing the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment.
【図５】 （ｅ）（ｆ）は、本実施例のアクティブマト
リクス液晶表示装置の製造方法を示すプロセス断面説明
図である。5 (e) and 5 (f) are process cross-sectional explanatory views showing the manufacturing method of the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment.
【図６】 本発明の別の実施例に係るアクティブマトリ
クス液晶表示装置の平面説明図である。FIG. 6 is a plan view illustrating an active matrix liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
【図７】 図６のＣ−Ｃ′部分の模式断面説明図であ
る。FIG. 7 is a schematic cross-sectional explanatory view of a CC ′ portion of FIG. 6.
【図８】 従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の
平面説明図である。FIG. 8 is a plan view of a conventional active matrix liquid crystal display device.
【図９】 図８のＤ−Ｄ′部分の模式断面説明図であ
る。9 is a schematic cross-sectional explanatory diagram of a DD ′ portion of FIG.
１…ＴＦＴ基板、 ２…対向基板、 ３…液晶、 ４…
信号線、 ５…走査線、 ６…ＴＦＴ、 ７…画素電
極、８…ゲート電極、 ９…ソース電極、 １０…ドレ
イン電極、 １１…ブラックマトリクス、 １２…対向
電極、 １３…配向膜、 １４…半導体活性層、 １５
…ゲート絶縁層、 １６…上部絶縁層、１７，１８…層
間絶縁層、 ２０…リバースチルト領域1 ... TFT substrate, 2 ... counter substrate, 3 ... liquid crystal, 4 ...
Signal line, 5 ... Scan line, 6 ... TFT, 7 ... Pixel electrode, 8 ... Gate electrode, 9 ... Source electrode, 10 ... Drain electrode, 11 ... Black matrix, 12 ... Counter electrode, 13 ... Alignment film, 14 ... Semiconductor Active layer, 15
... Gate insulating layer, 16 ... Upper insulating layer, 17, 18 ... Interlayer insulating layer, 20 ... Reverse tilt region
Claims (2)
方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と前記信
号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記各駆動
素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極上面に
表面をラビングにより配向処理された配向膜とを有する
第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の部分を
遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向電極
と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向処理
された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備する
アクティブマトリクス液晶表示装置において、前記画素
電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配向処
理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少なくと
も一方の配線の線幅を横切って覆うように絶縁層を介し
て形成されたことを特徴とするアクティブマトリクス液
晶表示装置。1. A plurality of scanning lines formed in a row direction, a plurality of signal lines formed in a column direction, drive elements formed at respective intersecting positions of the scanning lines and the signal lines, and A first substrate having a pixel electrode connected to a driving element and an alignment film whose surface is subjected to an alignment treatment by rubbing the surface of the plurality of pixel electrodes, and a light shield for shielding a portion other than the pixel electrode of the first substrate A second substrate having a layer, a counter electrode facing the pixel electrode, and an alignment film on the upper surface of the counter electrode, the surface of which is aligned by rubbing; a first substrate; and a second substrate. In an active matrix liquid crystal display device including a liquid crystal filled between the pixel electrodes, at least one of a scanning line and a signal line, in which the pixel electrode corresponds to two sides in the starting direction of the alignment process by rubbing the alignment film of the first substrate, The line width of the wiring An active matrix liquid crystal display device, characterized in that it is formed across an insulating layer so as to cover it.
方向に形成された複数の信号線と、前記走査線と前記信
号線の各交差位置に形成された駆動素子と、前記各駆動
素子に接続する画素電極と、前記複数の画素電極上面に
表面をラビングにより配向処理された配向膜とを有する
第１の基板と、前記第１の基板の画素電極以外の部分を
遮蔽する遮光層と、前記画素電極に対向する対向電極
と、前記対向電極上面に表面をラビングにより配向処理
された配向膜とを有する第２の基板と、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に満たされた液晶とを具備する
アクティブマトリクス液晶表示装置において、前記画素
電極が前記第１の基板の配向膜のラビングによる配向処
理の開始方向の二辺に当たる走査線と信号線の少なくと
も一方の配線の一部を覆うように絶縁層を介して形成さ
れたことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
置。2. A plurality of scanning lines formed in a row direction, a plurality of signal lines formed in a column direction, drive elements formed at intersections of the scanning lines and the signal lines, and A first substrate having a pixel electrode connected to a driving element and an alignment film whose surface is subjected to an alignment treatment by rubbing the surface of the plurality of pixel electrodes, and a light shield for shielding a portion other than the pixel electrode of the first substrate A second substrate having a layer, a counter electrode facing the pixel electrode, and an alignment film on the upper surface of the counter electrode, the surface of which is aligned by rubbing; a first substrate; and a second substrate. In an active matrix liquid crystal display device including a liquid crystal filled between the pixel electrodes, at least one of a scanning line and a signal line, in which the pixel electrode corresponds to two sides in the starting direction of the alignment process by rubbing the alignment film of the first substrate, Part of the wiring An active matrix liquid crystal display device, which is formed so as to cover an insulating layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785793A JP3077445B2 (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Active matrix liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785793A JP3077445B2 (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Active matrix liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273802A true JPH06273802A (en) | 1994-09-30 |
| JP3077445B2 JP3077445B2 (en) | 2000-08-14 |
Family
ID=13926562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8785793A Expired - Fee Related JP3077445B2 (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Active matrix liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077445B2 (en) |
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|---|---|
| JP3077445B2 (en) | 2000-08-14 |
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