JP3139264U - 座標読み取り装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】低価格で、座標読み取り誤差が小さい座標読み取り装置を提供する。
【解決手段】第1区分電極5aとこれに隣接する第1電極3a,3bとの間に第1抵抗体層2aの区間抵抗値より小さい抵抗値の第1固定抵抗素子15,16を接続し、第2区分電極5bとこれに隣接する第2電極3c,3dとの間に第2抵抗体層2bの区間抵抗値より小さい抵抗値の第2固定抵抗素子17,18を接続し、第1及び第2基板が押下されることで互いに接触する第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bとの接触点Qにおいて、電源電圧を第1固定抵抗素子により分圧した電圧を第1抵抗体層2aの接触点とグランド間に加えた時の第1抵抗体層2aの接触点に生じる電位または電源電圧を分圧した電圧を第2抵抗体層2bの接触点とグランド間に加えた時の第2抵抗体層2bの接触点に生じる電位を検出し、これら検出電位を基に接触点の座標値を演算する。
【選択図】図3
【解決手段】第1区分電極5aとこれに隣接する第1電極3a,3bとの間に第1抵抗体層2aの区間抵抗値より小さい抵抗値の第1固定抵抗素子15,16を接続し、第2区分電極5bとこれに隣接する第2電極3c,3dとの間に第2抵抗体層2bの区間抵抗値より小さい抵抗値の第2固定抵抗素子17,18を接続し、第1及び第2基板が押下されることで互いに接触する第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bとの接触点Qにおいて、電源電圧を第1固定抵抗素子により分圧した電圧を第1抵抗体層2aの接触点とグランド間に加えた時の第1抵抗体層2aの接触点に生じる電位または電源電圧を分圧した電圧を第2抵抗体層2bの接触点とグランド間に加えた時の第2抵抗体層2bの接触点に生じる電位を検出し、これら検出電位を基に接触点の座標値を演算する。
【選択図】図3
Description
本考案は、抵抗膜式の座標読み取り装置に関し、さらに詳しくは、抵抗膜層を有する基板を2枚積層してなるパネルをペンや指などで押下することにより、この押下した位置の座標を読み取ることにより、パネル上に割り当てられた位置情報を電子機器に入力する座標読み取り装置に関する。
従来における抵抗膜座標読み取り装置は、図4および図5に示すように、互いに重ね合わされる2枚の絶縁基板21aと21bの互いに対向される面には、カーボン等の抵抗体からなる所定表面積の抵抗膜22aおよび22bがそれぞれ四角状に形成されており、この抵抗膜22aの相対向する両端辺には該辺の全長に延在して抵抗膜22aと電気的に接続された一対の基本電極23a、23bが形成されている。また、基本電極23a、23bの長手方向と直角な方向の抵抗膜22bの相対向する両端辺には該辺の全長に延在して抵抗膜22bと電気的に接続された一対の基本電極23c、23dが形成されている。そして、抵抗膜22aおよび22bは、抵抗膜22bの表面にマトリクス状に配列したスペーサ24により、一定の隙間が介在された状態で相対向するように重ね合わされる。
このような座標読み取りパネルにおいて、絶縁基板21aをその上面からペンや指などにより押圧すると、その押圧位置で2つの抵抗膜22aと22bが互いに接触し、その接触位置により抵抗値が変わることで、接触位置の座標の読み取りを可能としている。
また、抵抗膜22aと22bを内側にして絶縁基板21aと21bを重ね合わせた時、基本電極23a、23b、23c、23dが短絡しないように、絶縁層26a及び26bが設けられる。
このような座標読み取りパネルにおいて、絶縁基板21aをその上面からペンや指などにより押圧すると、その押圧位置で2つの抵抗膜22aと22bが互いに接触し、その接触位置により抵抗値が変わることで、接触位置の座標の読み取りを可能としている。
また、抵抗膜22aと22bを内側にして絶縁基板21aと21bを重ね合わせた時、基本電極23a、23b、23c、23dが短絡しないように、絶縁層26a及び26bが設けられる。
このような座標読み取りパネルを用いた座標読み取り装置の等価回路は、図6に示すようになる。この図6において、Qはタッチペン27などで座標読み取りパネルを押下したとき、上と下の抵抗膜22aと22bが接触する点である。また、4個のスイッチ28、29、30、31はCPU34により制御されるもので、X方向(水平方向)の座標値を検出する場合は、図6に示すように、基本電極23bがスイッチ29により開放端に切り換え接続され、基本電極23aがスイッチ28によりX座標用のA/D変換器32に切り換え接続される。そして、基本電極23dがスイッチ31によりグランドに切り換え接続され、基本電極23cがスイッチ30により電源、例えば+5Vに切り換え接続される。
また、Y方向(垂直方向)の座標値を検出する場合は、基本電極23bがスイッチ29によりグランドに切り換え接続され、基本電極23aがスイッチ28により電源、例えば+5Vに切り換え接続され、基本電極23dがスイッチ31により開放端に切り換え接続され、基本電極23cがスイッチ30によりY座標用のA/D変換器33に切り換え接続される。また、A/D変換器32、33は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU34に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を読み取ることができる。
また、Y方向(垂直方向)の座標値を検出する場合は、基本電極23bがスイッチ29によりグランドに切り換え接続され、基本電極23aがスイッチ28により電源、例えば+5Vに切り換え接続され、基本電極23dがスイッチ31により開放端に切り換え接続され、基本電極23cがスイッチ30によりY座標用のA/D変換器33に切り換え接続される。また、A/D変換器32、33は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU34に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を読み取ることができる。
このような座標読み取り装置は、座標値読み取り誤差の原因として、抵抗膜を印刷などで形成するため、抵抗膜の厚みが不均一になり、抵抗値にばらつきが生じることがある。抵抗膜の抵抗値の初期ばらつき、および抵抗膜の抵抗値の経年変化を解決する方法としては、キャリブレーションによる方法が提供されている(特許文献1参照)。
特開平5−80922号公報
しかしながら、上記従来の座標読み取り装置に示されるように、抵抗膜の抵抗値の初期ばらつきをキャリブレーションする方式では、そのキャリブレーションを製品1個ごとに行う必要があり、その結果、製品の製造に要する時間が増大し、コスト高になってしまう問題がある。また、キャリブレーションで得られたデータを保存するための不揮発性メモリ部品が必要であり、製品のコストをさらに上昇させてしまう。また、経年変化については、製品を購入した利用者が、定期的にキャリブレーションを行う必要があり、利用者にとっては不便で実用性に劣るという問題がある。
本考案は、上記のような従来技術の問題を解決し、低価格で、座標読み取り誤差が小さい座標読み取り装置を提供することを目的とする。
本考案は、上記のような従来技術の問題を解決し、低価格で、座標読み取り誤差が小さい座標読み取り装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本考案の座標読み取り装置は、一定の間隔を離して相対向するように設けられた電気絶縁製の第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板の相対向する面にそれぞれ形成され、所定の表面積を有する四角形状の第1及び第2抵抗体層と、前記第1基板に互いに平行して設けられ、前記第1抵抗体層の相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された一対の第1電極と、前記一対の第1電極間に位置する前記第1抵抗体層に、前記第1電極の長手方向の全長に亘り第1抵抗体層と電気的に接続されて前記第1電極と平行に設けられ、かつ前記一対の第1電極間に位置する前記第1抵抗体層を前記第1電極の長手方向と直角な方向に等間隔に複数に区分する少なくとも1つの第1区分電極と、前記第2基板に互いに平行して設けられ、前記第1電極と直角な方向の前記第2抵抗体層の相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された一対の第2電極と、前記一対の第2電極間に位置する前記第2抵抗体層に、前記第2電極の長手方向の全長に亘り第2抵抗体層と電気的に接続されて前記第2電極と平行に設けられ、かつ前記一対の第2電極間に位置する前記第2抵抗体層を前記第2電極の長手方向と直角な方向に等間隔に複数に区分する少なくとも1つの第2区分電極と、前記第1区分電極と該第1区分電極に隣接する前記第1電極との間及び互いに隣接する前記第1区分電極間にそれぞれ接続された、前記第1区分電極で区分された前記第1抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の複数の第1固定抵抗素子と、前記第2区分電極と該第2区分電極に隣接する前記第2電極との間及び互いに隣接する前記第2区分電極間にそれぞれ接続された、前記第2区分電極で区分された前記第2抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の複数の第2固定抵抗素子とを備え、前記第1及び第2基板が互いに接触する前記第1抵抗体層と第2抵抗体層との接触点において、電源電圧を前記複数の第1固定抵抗素子により分圧した電圧を前記第1抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の前記第1抵抗体層の接触点に生じる電位または電源電圧を前記複数の第2固定抵抗素子により分圧した電圧を前記第2抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の前記第2抵抗体層の接触点に生じる電位をそれぞれ検出し、これら検出電位を基に前記接触点の座標を演算し座標値として処理する演算処理手段を有することを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1記載の座標読み取り装置において、前記第1または第2基板への押圧時以外は前記第1抵抗体層と第2抵抗体層とが接触しないように一定の隙間を形成する多数のスペーサを前記第1及び第2抵抗体層の何れか一方の抵抗体層の全面に一定の間隔で二次元方向に配列して設け、前記第1及び第2基板の少なくとも一方が可撓性の電気絶縁材から構成されていることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1記載の座標読み取り装置において、前記第1区分電極により区分された前記第1抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第1固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第1直列回路の一端と前記第1固定抵抗素子の一端は前記第1電極を介して第1スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第1直列回路の他端と前記第1固定抵抗素子の他端は前記第1電極を介して第2スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続され、前記第2区分電極により区分された前記第2抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第2固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第2直列回路の一端と前記第2固定抵抗素子の一端は前記第2電極を介して第3スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第2直列回路の他端と前記第2固定抵抗素子の他端は前記第2電極を介して第4スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続されるように構成したことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1記載の座標読み取り装置において、前記第1区分電極により区分された前記第1抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第1固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第1直列回路の一端と前記第1固定抵抗素子の一端は前記第1電極を介して第1スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第1直列回路の他端と前記第1固定抵抗素子の他端は前記第1電極を介して第2スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続され、前記第2区分電極により区分された前記第2抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第2固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第2直列回路の一端と前記第2固定抵抗素子の一端は前記第2電極を介して第3スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第2直列回路の他端と前記第2固定抵抗素子の他端は前記第2電極を介して第4スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続されるように構成したことを特徴とする。
本考案の座標読み取り装置によれば、第1区分電極とこれに隣接する第1電極との間及び互いに隣接する第1区分電極間に第1抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の第1固定抵抗素子をそれぞれ接続し、さらに、第2区分電極とこれに隣接する第2電極との間及び互いに隣接する第2区分電極間に第2抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の第2固定抵抗素子をそれぞれ接続し、第1及び第2基板が押下されることで互いに接触する第1抵抗体層と第2抵抗体層との接触点において、電源電圧を複数の第1固定抵抗素子により分圧した電圧を第1抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の第1抵抗体層の接触点に生じる電位または電源電圧を複数の第2固定抵抗素子により分圧した電圧を第2抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の第2抵抗体層の接触点に生じる電位をそれぞれ検出し、これら検出電位を基に接触点の座標を演算処理手段により演算し座標値として処理するようにしたので、第1及び第2固定抵抗素子の抵抗値を第1及び第2抵抗体層の抵抗値よりも十分に小さい値にできる。また、第1及び第2固定抵抗素子の抵抗値の許容差を十分に小さくすることにより、例えば許容差1%以内の固定抵抗素子を用いることで、区分電極とこれに隣接する電極との間及び互いに隣接する区分電極間に位置するそれぞれの抵抗体層の区間には、他の区間の抵抗体層の抵抗値の影響をほとんど受けずに、電源電圧を固定抵抗素子で分圧した電圧が加わることになり、その結果、この区間内の座標読み取り誤差を一定の範囲内に抑えることができるとともに、固定抵抗素子の抵抗値の経年変化は非常に小さいので、上記の効果を持続できる。そして、区分電極とこれに隣接する電極との間及び互いに隣接する区分電極間に位置する区間の抵抗体層の座標値は、その区間の抵抗体層の抵抗値で決定されることになり、抵抗体層の抵抗値が全体としては大きなばらつきを有していても、区分電極とこれに隣接する電極との間及び互いに隣接する区分電極間に位置する区間内固定抵抗素子の抵抗値が小さく、この抵抗値のばらつきが小さければ座標値の読み取り誤差も小さくできる。さらに、印刷などで抵抗体層を形成する場合、抵抗体層を区分電極により分割して座標の電位検出に機能する区間が短ければ、印刷厚みの不均一などに起因する抵抗値のばらつきは小さくなり、全体としての座標読み取り誤差が低減されることになる。
よって、抵抗体層の抵抗値にばらつきが生じていたとしても、座標読み取り誤差を小さくすることができ、キャリブレーションを行わなくても、高精度の座標読み取りが可能になる。
よって、抵抗体層の抵抗値にばらつきが生じていたとしても、座標読み取り誤差を小さくすることができ、キャリブレーションを行わなくても、高精度の座標読み取りが可能になる。
以下、本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置の実施の形態について、図1〜図3を参照して説明する。本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置は、以下の実施例に限定されるものではない。
図1は本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置を構成する座標読み取りシートの説明用斜視図、図2は図1示す座標読み取りシートの説明用断面図、図3は本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置の全体の構成を示す等価回路図である。
図1及び図2において、座標読み取り装置は一対の抵抗膜座標読み取りシートAa,Abを備える。この抵抗膜座標読み取りシートAa,Abは、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の電気絶縁性の材料からなる基板1a及び1b(特許請求の範囲に記載の第1及び第2基板に相当する)を備える。
図1は本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置を構成する座標読み取りシートの説明用斜視図、図2は図1示す座標読み取りシートの説明用断面図、図3は本考案にかかる抵抗膜式座標読み取り装置の全体の構成を示す等価回路図である。
図1及び図2において、座標読み取り装置は一対の抵抗膜座標読み取りシートAa,Abを備える。この抵抗膜座標読み取りシートAa,Abは、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の電気絶縁性の材料からなる基板1a及び1b(特許請求の範囲に記載の第1及び第2基板に相当する)を備える。
基板1aは、図1及び図2に示すように、基板1bと相対向する面に形成された、カーボンなどからなる所定の表面積を有する四角形状の第1抵抗体層2aを有する。また、この基板1aには、第1抵抗体層2aの相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された、銀等の低抵抗金属材からなる一対の第1電極3a,3bが互いに平行して設けられている。さらに、上記一対の第1電極3aと3bの中間に位置する第1抵抗体層2a上には、第1電極3a,3bの長手方向の全長に亘り第1抵抗体層2aと電気的に接続された、銀等の低抵抗金属材からなる1つの第1区分電極5aが第1電極3a,3bと平行に設けられており、この第1区分電極5aは、第1電極3a,3b間に位置する第1抵抗体層2aを第1電極3a,3bの長手方向と直角な方向に等間隔に2つの区間に区分している。また、19aは第1電極3a,3b及び第1区分電極5aを後述する固定抵抗素子や演算処理回路などに接続するために基板1aに設けたリード配線である。
基板1bは、図1及び図2に示すように、基板1aと相対向する面に形成された、カーボンなどからなる所定の表面積を有する四角形状の第2抵抗体層2bを有する。また、この基板1bには、第2抵抗体層2bの相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された、銀等の低抵抗金属材からなる一対の第2電極3c,3dが互いに平行して設けられている。さらに、上記一対の第2電極3cと3dの中間に位置する第2抵抗体層2b上には、第2電極3c,3dの長手方向の全長に亘り第2抵抗体層2bと電気的に接続された、銀等の低抵抗金属材からなる1つの第2区分電極5bが第2電極3c,3dと平行に設けられており、この第2区分電極5bは、第2電極3c,3d間に位置する第2抵抗体層2bを第2電極3c,3dの長手方向と直角な方向に等間隔に2つの区間に区分している。
また、第2抵抗体層2bの表面には、基板1aまたは基板1bへの押圧時以外は第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bとが接触しないように一定の隙間を形成する多数のスペーサ4が一定の間隔で二次元方向に配列して設けられている。この時のスペーサ4の高さは0.3mm、その直径は0.3mmであり、また、スペーサ4の配列間隔は3mm程度である。
また、第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bを内側にして基板1aと1bを重ね合わせた時、第1電極3a,3bと第2電極3c,3d及び第1区分電極5aと第2区分電極5bが互いに短絡されないように、絶縁層6a、6bが設けられる。また、19bは第2電極3c,3d及び第2区分電極5bを後述する固定抵抗素子や演算処理回路などに接続するために基板1bに設けたリード配線である。
また、第2抵抗体層2bの表面には、基板1aまたは基板1bへの押圧時以外は第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bとが接触しないように一定の隙間を形成する多数のスペーサ4が一定の間隔で二次元方向に配列して設けられている。この時のスペーサ4の高さは0.3mm、その直径は0.3mmであり、また、スペーサ4の配列間隔は3mm程度である。
また、第1抵抗体層2aと第2抵抗体層2bを内側にして基板1aと1bを重ね合わせた時、第1電極3a,3bと第2電極3c,3d及び第1区分電極5aと第2区分電極5bが互いに短絡されないように、絶縁層6a、6bが設けられる。また、19bは第2電極3c,3d及び第2区分電極5bを後述する固定抵抗素子や演算処理回路などに接続するために基板1bに設けたリード配線である。
次に、図3に示す等化回路の構成について説明する。
図3において、第1区分電極5aとこれに隣接する第1電極3a,3bとの間には、第1区分電極5aで区分された第1抵抗体層2aの区間抵抗値より十分に小さい抵抗値の第1固定抵抗素子15,16がそれぞれ第1区分電極5aで区分された第1抵抗体層2aの区間ごとに、これら区間と並列になるように接続されている。ここで、第1固定抵抗素子15,16の抵抗値は、例えば、第1抵抗体層2aの第1電極3a,3b間における抵抗値が100kΩの場合、500Ωに設定されている。
そして、第1区分電極5aにより区分された第1抵抗体層2aに対しその各区間ごとに並列接続された第1固定抵抗素子15,16は+VDD電源とグランドGNDに対して直列に接続され、この第1直列回路の一端と第1抵抗体層2aの一端は第1スイッチ8により+VDD電源とX座標用のA/D変換器12に切り換え接続されている。また、上記第1直列回路の他端と第1抵抗体層2aの他端は第2スイッチ9によりグランドGNDと開放端に切り換え接続される構成になっている。
上記X座標用のA/D変換器12は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU14に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を算出するようになっている。そして、第1及び第2スイッチ8,9はCPU14からの制御信号により切り換え制御される。
図3において、第1区分電極5aとこれに隣接する第1電極3a,3bとの間には、第1区分電極5aで区分された第1抵抗体層2aの区間抵抗値より十分に小さい抵抗値の第1固定抵抗素子15,16がそれぞれ第1区分電極5aで区分された第1抵抗体層2aの区間ごとに、これら区間と並列になるように接続されている。ここで、第1固定抵抗素子15,16の抵抗値は、例えば、第1抵抗体層2aの第1電極3a,3b間における抵抗値が100kΩの場合、500Ωに設定されている。
そして、第1区分電極5aにより区分された第1抵抗体層2aに対しその各区間ごとに並列接続された第1固定抵抗素子15,16は+VDD電源とグランドGNDに対して直列に接続され、この第1直列回路の一端と第1抵抗体層2aの一端は第1スイッチ8により+VDD電源とX座標用のA/D変換器12に切り換え接続されている。また、上記第1直列回路の他端と第1抵抗体層2aの他端は第2スイッチ9によりグランドGNDと開放端に切り換え接続される構成になっている。
上記X座標用のA/D変換器12は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU14に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を算出するようになっている。そして、第1及び第2スイッチ8,9はCPU14からの制御信号により切り換え制御される。
同様にして、第2区分電極5bとこれに隣接する第2電極3c,3dとの間には、第2区分電極5bで区分された第2抵抗体層2bの区間抵抗値より十分に小さい抵抗値の第2固定抵抗素子17,18がそれぞれ第2区分電極5bで区分された第2抵抗体層2bの区間ごとに、これら区間と並列になるように接続されている。ここで、第2固定抵抗素子17,18の抵抗値は、例えば、第2抵抗体層2bの第2電極3c,3d間における抵抗値が100kΩの場合、500Ωに設定されている。
そして、第2区分電極5bにより区分された第2抵抗体層2bに対しその各区間ごとに並列接続された第2固定抵抗素子17,18は+VDD電源とグランドGNDに対して直列に接続され、この第2直列回路の一端と第2固定抵抗素子2aの一端は第2電極3cを介して第3スイッチ10により+VDD電源とY座標用のA/D変換器13に切り換え接続されている。また、上記第2直列回路の他端と第2固定抵抗素子5bの他端は第2電極3dを介して第4スイッチ11によりグランドGNDと開放端に切り換え接続される構成になっている。
上記Y座標用のA/D変換器13は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU14に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を算出するようになっている。そして、第3及び第4スイッチ10,11はCPU14からの制御信号により切り換え制御される。
そして、第2区分電極5bにより区分された第2抵抗体層2bに対しその各区間ごとに並列接続された第2固定抵抗素子17,18は+VDD電源とグランドGNDに対して直列に接続され、この第2直列回路の一端と第2固定抵抗素子2aの一端は第2電極3cを介して第3スイッチ10により+VDD電源とY座標用のA/D変換器13に切り換え接続されている。また、上記第2直列回路の他端と第2固定抵抗素子5bの他端は第2電極3dを介して第4スイッチ11によりグランドGNDと開放端に切り換え接続される構成になっている。
上記Y座標用のA/D変換器13は、電位で検出されたアナログ量をデジタル量に変換するもので、このデジタル信号はCPU14に取り込まれ、ここで演算処理することにより、座標値を算出するようになっている。そして、第3及び第4スイッチ10,11はCPU14からの制御信号により切り換え制御される。
次に、本実施の形態における座標読み取り装置の動作について説明する。
図3において、Qはタッチペン7などで座標読み取りパネルAaを押下したとき、上と下の抵抗体層2aと2bが接触する点である。また、4個のスイッチ8、9、10、11はCPU14により制御されるもので、X方向(水平方向)の座標値を検出する場合は、図3に示すように、一方の第1電極3bが第2スイッチ9により開放端に切り換え接続され、他方の第1電極3aが第1スイッチ8によりX座標用のA/D変換器12に切り換え接続される。そして、一方の第2電極3dが第4スイッチ11によりグランドGNDに切り換え接続され、他方の第2電極3cが第3スイッチ10により+VDD電源、例えば+5Vに切り換え接続される。
また、Y方向(垂直方向)の座標値を検出する場合は、一方の第1電極3bが第2スイッチ9によりグランドGNDに切り換え接続され、他方の第1電極3aが第1スイッチ8により+VDD電源、例えば+5Vに切り換え接続され、一方の第2電極3dが第4スイッチ11により開放端に切り換え接続され、他方の第2電極3cが第3スイッチ10によりY座標用のA/D変換器13に切り換え接続される。また、接触点Qにおける第1抵抗体層2a及び2bで検出される電位はA/D変換器12、13によりデジタル信号に変換され、このデジタル信号をCPU14に取り込むことによりX及びY座標に演算処理され、座標値として読み取られる。
図3において、Qはタッチペン7などで座標読み取りパネルAaを押下したとき、上と下の抵抗体層2aと2bが接触する点である。また、4個のスイッチ8、9、10、11はCPU14により制御されるもので、X方向(水平方向)の座標値を検出する場合は、図3に示すように、一方の第1電極3bが第2スイッチ9により開放端に切り換え接続され、他方の第1電極3aが第1スイッチ8によりX座標用のA/D変換器12に切り換え接続される。そして、一方の第2電極3dが第4スイッチ11によりグランドGNDに切り換え接続され、他方の第2電極3cが第3スイッチ10により+VDD電源、例えば+5Vに切り換え接続される。
また、Y方向(垂直方向)の座標値を検出する場合は、一方の第1電極3bが第2スイッチ9によりグランドGNDに切り換え接続され、他方の第1電極3aが第1スイッチ8により+VDD電源、例えば+5Vに切り換え接続され、一方の第2電極3dが第4スイッチ11により開放端に切り換え接続され、他方の第2電極3cが第3スイッチ10によりY座標用のA/D変換器13に切り換え接続される。また、接触点Qにおける第1抵抗体層2a及び2bで検出される電位はA/D変換器12、13によりデジタル信号に変換され、このデジタル信号をCPU14に取り込むことによりX及びY座標に演算処理され、座標値として読み取られる。
ここで、第1電極3a、3bと第1区分電極5aとの間に接続された第1固定抵抗素子15,16及び第2電極3c、3dと第2区分電極5bとの間に接続された第2固定抵抗素子17,18の抵抗値は、第1及び第2抵抗体層2a,2bの抵抗値に対して十分に小さく、かつ許容差も非常に小さいため、第1電極3a、3bと第1区分電極5aで挟まれた第1抵抗体層2aの区間、及び第2電極3c、3dと第2区分電極5bで挟まれた第2抵抗体層2bの区間では、第1及び第2抵抗体層2a,2bの他の区間の抵抗値の影響をほとんど受けずに、第1固定抵抗素子15,16または第2固定抵抗素子17,18により電源電圧VDDを分圧した電圧が加わるため、抵抗膜2aおよび2bのそれぞれの区間内での座標値の読み取り誤差は、第1及び第2抵抗体層2a、2bの抵抗値にばらつきが生じていたとしても、一定の範囲内に抑えることができる。
そして、第1電極3a、3bと第1区分電極5aで挟まれた第1抵抗体層2aの区間、及び第2電極3c、3dと第2区分電極5bで挟まれた区間の読み取り座標は、第1及び第2抵抗体層2a、2bの上記区間の抵抗値で決定されることになるため、第1及び第2抵抗体層2a、2bが全体として大きな抵抗値のばらつきを有していても、第1電極3a、3bと第1区分電極5aで挟まれた第1抵抗体層2aの区間、及び第2電極3c、3dと第2区分電極5bで挟まれた区間内での抵抗値のばらつきが小さければ、座標値の読み取り誤差も小さくできる。さらに、印刷などで第1及び第2抵抗体層2a、2bを形成する場合、第1及び第2抵抗体層2a、2bを第1及び第2区分電極5a、5bにより分割して座標の電位検出に機能する区間を短くすることにより、印刷厚みの不均一などに起因する抵抗値のばらつきは小さくなり、全体としての座標読み取り誤差が低減されることになる。
このため、第1及び第2抵抗体層2a、2bの抵抗値にばらつきが生じていたとしても、座標読み取り誤差を小さくすることができ、キャリブレーションを行わなくても、高精度の座標読み取りが可能になる。
このため、第1及び第2抵抗体層2a、2bの抵抗値にばらつきが生じていたとしても、座標読み取り誤差を小さくすることができ、キャリブレーションを行わなくても、高精度の座標読み取りが可能になる。
Aa,Ab 座標読み取りシート
1a 基板(Y方向側)
1b 基板(X方向側)
2a 第1抵抗体層(Y方向側)
2b 第2抵抗体層(X方向側)
3a,3b 第1電極
3c,3d 第2電極
4 スペーサ
5a 第1区分電極(Y方向側)
5b 第2区分電極(X方向側)
6a,6b,6c 絶縁層
7 ペン
8 第1スイッチ
9 第2スイッチ
10 第3スイッチ
11 第4スイッチ
12 A/D変換器(X方向側)
13 A/D変換器(Y方向側)
14 CPU
15,16 第1固定抵抗素子
17,18 第2固定抵抗素子
1a 基板(Y方向側)
1b 基板(X方向側)
2a 第1抵抗体層(Y方向側)
2b 第2抵抗体層(X方向側)
3a,3b 第1電極
3c,3d 第2電極
4 スペーサ
5a 第1区分電極(Y方向側)
5b 第2区分電極(X方向側)
6a,6b,6c 絶縁層
7 ペン
8 第1スイッチ
9 第2スイッチ
10 第3スイッチ
11 第4スイッチ
12 A/D変換器(X方向側)
13 A/D変換器(Y方向側)
14 CPU
15,16 第1固定抵抗素子
17,18 第2固定抵抗素子
Claims (3)
- 一定の間隔を離して相対向するように設けられた電気絶縁製の第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板の相対向する面にそれぞれ形成され、所定の表面積を有する四角形状の第1及び第2抵抗体層と、
前記第1基板に互いに平行して設けられ、前記第1抵抗体層の相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された一対の第1電極と、
前記一対の第1電極間に位置する前記第1抵抗体層に、前記第1電極の長手方向の全長に亘り第1抵抗体層と電気的に接続されて前記第1電極と平行に設けられ、かつ前記一対の第1電極間に位置する前記第1抵抗体層を前記第1電極の長手方向と直角な方向に等間隔に複数に区分する少なくとも1つの第1区分電極と、
前記第2基板に互いに平行して設けられ、前記第1電極と直角な方向の前記第2抵抗体層の相対向する両端辺に該辺の全長に延在して電気的に接続された一対の第2電極と、
前記一対の第2電極間に位置する前記第2抵抗体層に、前記第2電極の長手方向の全長に亘り第2抵抗体層と電気的に接続されて前記第2電極と平行に設けられ、かつ前記一対の第2電極間に位置する前記第2抵抗体層を前記第2電極の長手方向と直角な方向に等間隔に複数に区分する少なくとも1つの第2区分電極と、
前記第1区分電極と該第1区分電極に隣接する前記第1電極との間及び互いに隣接する前記第1区分電極間にそれぞれ接続された、前記第1区分電極で区分された前記第1抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の複数の第1固定抵抗素子と、
前記第2区分電極と該第2区分電極に隣接する前記第2電極との間及び互いに隣接する前記第2区分電極間にそれぞれ接続された、前記第2区分電極で区分された前記第2抵抗体層の区間抵抗値より小さい抵抗値の複数の第2固定抵抗素子とを備え、
前記第1及び第2基板が互いに接触する前記第1抵抗体層と第2抵抗体層との接触点において、電源電圧を前記複数の第1固定抵抗素子により分圧した電圧を前記第1抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の前記第1抵抗体層の接触点に生じる電位または電源電圧を前記複数の第2固定抵抗素子により分圧した電圧を前記第2抵抗体層の接触点とグランド間に加えた時の前記第2抵抗体層の接触点に生じる電位をそれぞれ検出し、これら検出電位を基に前記接触点の座標を演算し座標値として処理する演算処理手段を有することを特徴とする座標読み取り装置。 - 前記第1または第2基板への押圧時以外は前記第1抵抗体層と第2抵抗体層とが接触しないように一定の隙間を形成する多数のスペーサを前記第1及び第2抵抗体層の何れか一方の抵抗体層の全面に一定の間隔で二次元方向に配列して設け、前記第1及び第2基板の少なくとも一方が可撓性の電気絶縁材から構成されていることを特徴とする請求項1記載の座標読み取り装置。
- 前記第1区分電極により区分された前記第1抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第1固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第1直列回路の一端と前記第1固定抵抗素子の一端は前記第1電極を介して第1スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第1直列回路の他端と前記第1固定抵抗素子の他端は前記第1電極を介して第2スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続され、前記第2区分電極により区分された前記第2抵抗体層に対しその各区間ごとに並列接続された前記複数の第2固定抵抗素子は電源とグランドに対して直列に接続され、この第2直列回路の一端と前記第2固定抵抗素子の一端は前記第2電極を介して第3スイッチにより電源と前記演算処理手段に切り換え接続され、前記第2直列回路の他端と前記第2固定抵抗素子の他端は前記第2電極を介して第4スイッチによりグランドと開放端に切り換え接続されるように構成したことを特徴とする請求項1記載の座標読み取り装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007009075U JP3139264U (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 座標読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007009075U JP3139264U (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 座標読み取り装置 |
Publications (1)
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JP3139264U true JP3139264U (ja) | 2008-02-07 |
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ID=43289494
Family Applications (1)
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JP2007009075U Expired - Fee Related JP3139264U (ja) | 2007-11-26 | 2007-11-26 | 座標読み取り装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3139264U (ja) |
-
2007
- 2007-11-26 JP JP2007009075U patent/JP3139264U/ja not_active Expired - Fee Related
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