JP3130660B2 - Thin film transistor and method of manufacturing the same - Google Patents
Thin film transistor and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ（Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ以下ＴＦＴとい
う）とその製造方法に係り、特にＴＦＴのゲート酸化膜
として適した良好な膜質である上に、均一な膜厚のＳｉ
Ｏ2 膜を有するＴＦＴ及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor (Th
In Film Transistor, hereinafter referred to as TFT) and a method of manufacturing the same, the Si film has a good film quality particularly suitable as a gate oxide film of the TFT and has a uniform film thickness.
The present invention relates to a TFT having an O 2 film and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ファクシミリ用のイメージセンサ、液
晶、薄膜ＩＣ等に用いられるＴＦＴのゲート酸化膜は、
大面積基板上にＴＦＴを構成するとき、均一な膜質であ
るとともに、その膜厚の均一性も求められる。2. Description of the Related Art A gate oxide film of a TFT used for an image sensor for a facsimile, a liquid crystal, a thin film IC, etc.
When a TFT is formed on a large-area substrate, it is required to have a uniform film quality and a uniform film thickness.
【０００３】従来このようなＴＦＴに適したゲート酸化
膜用ＳｉＯ2 は、ＣＶＤ法で形成することがよく知られ
ている。またＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜を形成すること
も周知である（例えば、特開昭６１−６３０２０号公
報、特開昭６２−２１６２６１号公報、特開平１−２３
８０２４号公報、特開平２−９３０６９号公報、特開平
２−１７０９７４号公報等参照）。Conventionally, it is well known that SiO 2 for a gate oxide film suitable for such a TFT is formed by a CVD method. It is also well known that a SiO 2 film is formed by a CVD method (for example, JP-A-61-63020, JP-A-62-216261, and JP-A-1-23).
8024, JP-A-2-93069, JP-A-2-170974, etc.).
【０００４】従来の代表的なゲート酸化膜用ＳｉＯ2 膜
には次のようなものがある。 (1) テトラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕
（以下ＴＥＯＳという）とＯ2 ガスによる減圧ＣＶＤ法
（ＬＰ−ＣＶＤ法）により形成したＳｉＯ2 膜、(2) ス
パッタ法により形成したＳｉＯ2 膜、(3) ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法により形成したＳｉＯ2 膜、(4) ＴＥＯＳと
Ｏ2 ガスによるプラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ法）によ
り形成したＳｉＯ2 膜等である。The following are typical conventional SiO 2 films for gate oxide films. (1) Tetraethoxysilane [Si (OC 2 H 5 ) 4 ]
(Hereinafter TEOS hereinafter) and O 2 gas by low pressure CVD method (LP-CVD method) SiO 2 film formed by, (2) SiO 2 film was formed by sputtering, (3) SiO 2 formed by ECR plasma CVD method And (4) a SiO 2 film formed by a plasma CVD method (P-CVD method) using TEOS and O 2 gas.
【０００５】これらのゲート酸化膜用ＳｉＯ2 膜の特性
を表１に示す。Table 1 shows the characteristics of these SiO 2 films for a gate oxide film.
【０００６】[0006]
【表１】 [Table 1]
【０００７】一般にゲート酸化膜用ＳｉＯ2 としては耐
圧６ＭＶ／ｃｍ以上、界面準位密度は１×１０11／ｃｍ
2 ・ｅＶ以下、屈折率１．４６程度のものが求められて
いる。Generally, SiO 2 for a gate oxide film has a withstand voltage of 6 MV / cm or more and an interface state density of 1 × 10 11 / cm.
2 · eV or less, has been required that the refractive index of about 1.46.
【０００８】表１から明らかな如く(1) ＴＥＯＳ＋Ｏ2
ガスのＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉＯ 2 膜は耐圧が低く、
屈折率が変動するなどの問題点がある。 (2) スパッタ法によるＳｉＯ2 膜はステップカバレージ
が悪く、ゲートリークを発生し易いという問題点があ
る。As is clear from Table 1, (1) TEOS + OTwo
SiO by gas LP-CVD method TwoThe membrane has low pressure resistance,
There are problems such as a change in the refractive index. (2) Sputtered SiOTwoThe membrane is step coverage
Is poor and gate leaks are likely to occur.
You.
【０００９】(3) ＥＣＲプラズマ又はＣＶＤ法によるＳ
ｉＯ2 膜は界面準位密度が大きく、ＴＦＴを形成した場
合、素子のオフ電流が大きいという問題点がある。 (4) ＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスのＰ−ＣＶＤ法によるＳｉＯ2
膜は表１に示す特性では最もすぐれたものである。(3) S by ECR plasma or CVD method
The iO 2 film has a problem that the interface state density is large, and when a TFT is formed, the off-state current of the element is large. (4) SiO 2 by P-CVD method of TEOS + O 2 gas
The film has the best properties shown in Table 1.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところがＴＥＯＳ＋Ｏ
2 ガスによるＰ−ＣＶＤ法によって成膜するための従来
の装置はサス・ステンレス・チャンバーを使用しなけれ
ばならない。そして、このサス・ステンレス・チャンバ
ーの不純物が、生成する酸化膜中に混入し易いこと、酸
化膜の成膜温度が４５０℃以下と低く、高温での膜生成
が不可能であるという問題点がある。However, TEOS + O
A conventional apparatus for forming a film by a two- gas P-CVD method must use a suspension stainless steel chamber. Further, there is a problem that the impurities in the suspension stainless steel chamber are easily mixed into the oxide film to be formed, and the film formation temperature of the oxide film is as low as 450 ° C. or less, and it is impossible to form a film at a high temperature. is there.
【００１１】さらにこのＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスによるＰ−
ＣＶＤ法によって大面積基板上にＳｉＯ2 膜を成膜する
場合、膜厚と膜質の均一性を得るために、チャンバー内
に均一なプラズマを発生させる。そのためチャンバーの
外側に設ける平板電極を平行にし、このサス又はＡｌ電
極内で製造しなければならない。[0011] Furthermore, according to the TEOS + O 2 gas P-
When a SiO 2 film is formed on a large-area substrate by the CVD method, a uniform plasma is generated in a chamber in order to obtain uniformity in film thickness and film quality. Therefore, the flat plate electrode provided outside the chamber must be made parallel and manufactured in this suspension or Al electrode.
【００１２】このため、この平行平板電極のサイズより
大きな基板にＳｉＯ2 膜を成膜するのは困難であった。
従って、本発明の目的はＴＥＯＳガスを用いたＣＶＤ法
によって大面積基板上に均一な膜厚でかつ均質なゲート
酸化膜に適したＳｉＯ2 膜を成膜することである。For this reason, it has been difficult to form an SiO 2 film on a substrate larger than the size of the parallel plate electrode.
Accordingly, an object of the present invention is to form a SiO 2 film having a uniform thickness and suitable for a uniform gate oxide film on a large-area substrate by a CVD method using TEOS gas.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、ＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスに
Ｃｌ2 ガスを加えたプラズマＣＶＤ法を用いることによ
り、大面積基板に均一な膜厚と膜質を有するＳｉＯ2 を
生成することができることを見出した。成膜温度は４５
０〜６００℃の範囲である。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive studies and found that a uniform film can be formed on a large-area substrate by using a plasma CVD method in which Cl 2 gas is added to TEOS + O 2 gas. It has been found that SiO 2 having thickness and film quality can be produced. Film formation temperature is 45
The range is from 0 to 600 ° C.
【００１４】この時、Ｏ2 プラズマを発生させるための
電極は、チャンバー内に均一なプラズマを発生させる必
要はなく、棒状電極で十分均質なＳｉＯ2 膜を得ること
ができる。At this time, the electrode for generating O 2 plasma does not need to generate uniform plasma in the chamber, and a sufficiently uniform SiO 2 film can be obtained with a rod-shaped electrode.
【００１５】[0015]
【作用】ＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガス＋Ｃｌ2 ガスによるプラズ
マＣＶＤ法によれば膜の均質性、膜厚の均一性が得られ
ることはもちろん、ＳｉＯ2 膜の成膜速度（グロースレ
ート）が早くなる上、反応のために必要な成膜温度をさ
らに下げることもできる。According to the plasma CVD method using TEOS + O 2 gas + Cl 2 gas, not only the uniformity of the film and the uniformity of the film thickness can be obtained, but also the growth rate (growth rate) of the SiO 2 film is increased and the reaction is increased. The film forming temperature required for the above can be further reduced.
【００１６】[0016]
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図４により説明す
る。図１は本発明の一実施例に使用するＣＶＤ装置を示
す概略構成図であり、図１（ａ）は装置の断面図、図１
（ｂ）は装置の平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a CVD apparatus used in one embodiment of the present invention, and FIG.
(B) is a plan view of the device.
【００１７】図１において１は石英チャンバー、２は試
料基板、３、４、５はガス導入口、６は排気ポンプ、７
はヒータ、８、８′は棒状電極を示す。ガス導入口３、
４、５からそれぞれ、Ｏ2 ガス、ＴＥＯＳガス、Ｃｌ2
ガスが石英チャンバー１に導入される。また排気ポンプ
６により、石英チャンバー１内を減圧する。In FIG. 1, 1 is a quartz chamber, 2 is a sample substrate, 3, 4, and 5 are gas inlets, 6 is an exhaust pump, 7
Indicates a heater, and 8 and 8 'indicate rod-shaped electrodes. Gas inlet 3,
O 2 gas, TEOS gas, Cl 2
Gas is introduced into the quartz chamber 1. The pressure inside the quartz chamber 1 is reduced by the exhaust pump 6.
【００１８】石英チャンバー１の外部に設けられたヒー
タ７により石英チャンバー内の成膜温度を制御する。本
実施例においては、石英チャンバー１とヒータ７の間に
例えば直径２ｃｍの一対の棒状電極８、８′が設けられ
ており、両者に電圧を印加することにより、石英チャン
バー１内に酸素プラズマ、塩素プラズマを発生させる。A film forming temperature in the quartz chamber is controlled by a heater 7 provided outside the quartz chamber 1. In the present embodiment, a pair of rod-shaped electrodes 8 and 8 ′ having a diameter of, for example, 2 cm are provided between the quartz chamber 1 and the heater 7. Generate chlorine plasma.
【００１９】この装置を用いたＳｉＯ2 膜の成膜方法に
ついて説明する。石英チャンバー１内に例えば３０ｃｍ
×３０ｃｍ角の大面積の試料基板２・・・を図示しない
支持台上に対向する形で載置し、次に示す如き成膜条件
によって試料基板上２上にＳｉＯ2 膜を成膜する。A method for forming a SiO 2 film using this apparatus will be described. For example, 30 cm in the quartz chamber 1
A sample substrate 2 having a large area of 30 cm square is placed on a support table (not shown) so as to face the substrate, and an SiO 2 film is formed on the sample substrate 2 under the following film forming conditions.
【００２０】ＴＥＯＳガス ５０SCCM Ｏ2 ガス ５００SCCM Ｃｌ2 ガス ５SCCM 電力 １００Ｗ 成膜温度 ６００℃ 圧力 0.０５Ｔｏｒｒ〜2.０Ｔｏｒｒ この条件で成膜した後５５０℃以上の温度で長時間アニ
ールすることにより、より安定化したＳｉＯ2 膜を得る
ことができる。なお、ＴＥＯＳガスやＯ2 ガスのそれぞ
れの量を変えても同様な安定したＳｉＯ2 膜を得ること
ができる。TEOS gas 50 SCCM O 2 gas 500 SCCM Cl 2 gas 5 SCCM power 100 W Film forming temperature 600 ° C. Pressure 0.05 Torr to 2.0 Torr After forming a film under these conditions, annealing at a temperature of 550 ° C. or more for a long time. Thereby, a more stabilized SiO 2 film can be obtained. Note that a similar stable SiO 2 film can be obtained even when the amounts of the TEOS gas and the O 2 gas are changed.
【００２１】形成したＳｉＯ2 膜は屈折率１．４６、耐
圧、界面準位密度はともに従来のＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスの
Ｐ−ＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜と変わらない良好な特性
を示す。しかもＣＶＤ法で成膜したので、ステップカバ
レージも良好である。[0021] forming the SiO 2 film exhibits good properties unchanged with SiO 2 film by a refractive index of 1.46, the breakdown voltage, the interface state density are both P-CVD method of the conventional TEOS + O 2 gas. Moreover, since the film is formed by the CVD method, the step coverage is good.
【００２２】また、本発明においては添加するＣｌ2 ガ
スの量によって、成膜したＳｉＯ2膜の膜厚にバラツキ
が生じることがある。図２に、３０ｃｍ×２５ｃｍ基板
に成膜した本発明のＳｉＯ2 膜の膜厚のバラツキと成膜
温度との関係及びＣｌ2 ガスの量によって変化するＳｉ
Ｏ2 膜の膜厚のバラツキと成膜温度との関係を示す。In the present invention, the thickness of the formed SiO 2 film may vary depending on the amount of Cl 2 gas added. FIG. 2 shows the relationship between the variation in the film thickness of the SiO 2 film of the present invention formed on a 30 cm × 25 cm substrate and the film forming temperature, and the amount of Si 2 changed depending on the amount of Cl 2 gas.
The relationship between the variation in the thickness of the O 2 film and the deposition temperature is shown.
【００２３】なお、この時の成膜条件は次の通りであ
る。 ＴＥＯＳ ５０SCCM Ｏ2 ガス ３００SCCM Ｃｌ2 ガス ５SCCM（曲線Ａ）、２０SCCM（曲線
Ｂ）、５０SCCM（曲線Ｃ） 電力 １００（Ｗ） 図２の曲線Ａによれば、Ｃｌ2 ガスを５SCCM導入した場
合、成膜温度を５３０℃以上とすることにより膜厚の均
性が満足できるものとなる。さらにＣｌ2 ガスの濃度を
増加すれば４５０℃以上のより低い温度領域で膜厚のバ
ラツキを非常に少なくすることができる。The film forming conditions at this time are as follows. TEOS 50 SCCM O 2 gas 300 SCCM Cl 2 gas 5 SCCM (curve A), 20 SCCM (curve B), according to 50 SCCM (curve C) Power 100 (W) in FIG. 2 curve A, the Cl 2 gas 5 When SCCM is introduced, uniformity of the film thickness can be satisfied by setting the film forming temperature to 530 ° C. or higher. Further, if the concentration of the Cl 2 gas is increased, the variation in the film thickness can be greatly reduced in a lower temperature region of 450 ° C. or higher.
【００２４】また、Ｃｌ2 ガスを導入することによって
ＳｉＯ2 膜の成膜速度（グロスレート）を上昇させるこ
とができる。さらにＮａ等のゲッタリング効果を期待で
きる。Further, the introduction rate of the SiO 2 film (gross rate) can be increased by introducing the Cl 2 gas. Further, a gettering effect of Na or the like can be expected.
【００２５】熱ＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜の成膜は６２
０℃から始まるが、本発明ではプラズマをかけるためよ
り低い温度領域においても均一なＳｉＯ2 膜を生成でき
る。図２からも明らかな如く４５０℃〜６００℃が適当
である。The formation of the SiO 2 film by the thermal CVD method is 62 steps.
Although starting from 0 ° C., in the present invention, a uniform SiO 2 film can be generated even in a lower temperature range because plasma is applied. As is apparent from FIG. 2, 450 ° C. to 600 ° C. is appropriate.
【００２６】また電力についても同様の理由から必要に
応じて１０〜５００Ｗの間の値をとることができる。次
に本発明によるＳｉＯ2 膜をゲート酸化膜として用いた
ＴＦＴの一例として、ガラス基板上にＣ−ＭＯＳＦＥＴ
から成るＴＦＴを形成する場合の製造工程を図３、図４
によって説明する。For the same reason, the electric power can take a value between 10 and 500 W if necessary. Next, as an example of a TFT using a SiO 2 film as a gate oxide film according to the present invention, a C-MOSFET on a glass substrate was used.
3 and 4 show a manufacturing process for forming a TFT composed of
It will be explained by.
【００２７】まずガラス基板として、例えば日本電気ガ
ラス社製のネオセラム（商品名）ガラス基板３１を用意
し、このネオセラムガラス基板３１上にジシラン（Ｓｉ
2 Ｈ 6 ）ガスを用いた減圧ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ層３
２を約１０００Åの厚さで成膜する（図３（ａ）参
照）。First, as a glass substrate, for example, NEC
Preparing Neoceram (trade name) glass substrate 31 manufactured by Lass
Then, the disilane (Si
TwoH 6A) Si-layer 3 by low pressure CVD using gas
2 is formed to a thickness of about 1000 mm (see FIG. 3A).
See).
【００２８】成膜条件はＳｉ2 Ｈ6 ガス：１００SCCM、
圧力：０．３Ｔｏｒｒ、Ｈｅガス：２００SCCM、加熱温
度：４５０℃〜５７０℃であり、膜の成長速度は５０Å
〜５００Å／分である。The film forming conditions are Si 2 H 6 gas: 100 SCCM ,
Pressure: 0.3 Torr, He gas: 200 SCCM , heating temperature: 450 ° C. to 570 ° C., and the film growth rate is 50 °.
Å500 ° / min.
【００２９】次にａ−Ｓｉ層３２を５５０℃〜６００℃
で８時間〜５６時間加熱し、固相成長させ固相成長した
膜３２′とする。固相成長した膜３２′にフィールド酸
化膜用のＳｉＯ2 膜３３をＲＦスパッタリングにより形
成した後、レジストによりパターニングしてチャネル部
を開孔する（図３（ｂ）参照）。Next, the a-Si layer 32 is heated at 550 ° C. to 600 ° C.
And heating for 8 to 56 hours to form a solid-phase grown film 32 '. After a SiO 2 film 33 for a field oxide film is formed on the film 32 ′ formed by solid phase growth by RF sputtering, a channel portion is opened by patterning with a resist (see FIG. 3B).
【００３０】ＳｉＯ2 膜３３を含む基板上に本発明のゲ
ート酸化膜用のＳｉＯ2 膜３４′を形成する。成膜条件
は前記実施例と同様にし次の通りである。An SiO 2 film 34 ′ for a gate oxide film of the present invention is formed on the substrate including the SiO 2 film 33. The film forming conditions are the same as in the above embodiment and are as follows.
【００３１】 ＴＥＯＳガス ５０SCCM Ｏ2 ガス ３００SCCM Ｃｌ2 ガス ２０SCCM 電力 １００Ｗ 成膜温度 ６００℃ 圧力 0.０５Ｔｏｒｒ〜2.０Ｔｏｒｒ この条件で膜厚５００Å〜１５００Åで成膜した後５５
０℃以上の温度で長時間アニールする。TEOS gas 50 SCCM O 2 gas 300 SCCM Cl 2 gas 20 SCCM power 100 W Film formation temperature 600 ° C. Pressure 0.05 Torr to 2.0 Torr Under these conditions, a film is formed to a thickness of 500 to 1500 ° and then 55
Anneal for a long time at a temperature of 0 ° C. or more.
【００３２】次にこの上にゲート電極用のａ−Ｓｉ層３
５′を形成する（図３（ｃ）参照）。レジストを用いた
２段階のエッチングにより、ゲート電極のパターニング
を行い、ゲート酸化膜３４、ゲート電極３５を形成する
（図３（ｄ）参照）。Next, an a-Si layer 3 for a gate electrode is formed thereon.
5 'is formed (see FIG. 3C). The gate electrode is patterned by two-stage etching using a resist, and a gate oxide film 34 and a gate electrode 35 are formed (see FIG. 3D).
【００３３】イオン打込み用のマスクとして、一方のチ
ャネル部開孔部にレジスト３６を形成し、開孔部に第１
のドーパントイオン、例えばリン（Ｐ）イオンをドープ
する（図３（ｅ）参照）。As a mask for ion implantation, a resist 36 is formed in one channel opening and a first resist is formed in the opening.
, For example, phosphorus (P) ions (see FIG. 3E).
【００３４】このレジスト３６を剥離し、第２のイオン
打込み用マスクのためのレジスト３７を形成し、開孔部
に第２のドーパントイオン、例えばホウ素（Ｂ）イオン
をドープし、Ｃ−ＭＯＳＦＥＴを形成する（図３（ｆ）
参照）。The resist 36 is peeled off, a resist 37 for a second ion implantation mask is formed, and the opening is doped with a second dopant ion, for example, boron (B) ion. Forming (FIG. 3F)
reference).
【００３５】次にレジスト３７を剥離後、Ｎ2 雰囲気中
で５５０℃〜６００℃で２４時間加熱し、ドーパントの
活性化とゲート電極ａ−Ｓｉ層３５の結晶化を行う。さ
らに例えばＨ2 雰囲気中で４００℃、３０分間加熱して
水素化を行い、チャネル層を含む半導体層の欠陥準位を
減少させる（図４（ａ）参照）。Next, after the resist 37 is peeled off, the substrate is heated at 550 ° C. to 600 ° C. for 24 hours in an N 2 atmosphere to activate the dopant and crystallize the gate electrode a-Si layer 35. Furthermore, hydrogenation is performed by heating at 400 ° C. for 30 minutes in an H 2 atmosphere, for example, to reduce defect levels of the semiconductor layer including the channel layer (see FIG. 4A).
【００３６】この後、基板全体にスパッタリングによっ
て層間絶縁膜としてＳｉＯ2 膜３８を形成する（図４
（ｂ）参照）。次にこのＳｉＯ2 膜３８にコンタクトホ
ールを形成し、電極用Ａｌ膜を成膜後、パターニングし
て、ガラス基板上の非単結晶半導体層中に低温プロセス
によりＣ−ＭＯＳＦＥＴを完成する。Thereafter, an SiO 2 film 38 is formed as an interlayer insulating film on the entire substrate by sputtering.
(B)). Next, a contact hole is formed in the SiO 2 film 38, an Al film for an electrode is formed, and then patterning is performed to complete a C-MOSFET in a non-single-crystal semiconductor layer on a glass substrate by a low-temperature process.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明により形成するゲート酸化膜用Ｓ
ｉＯ2 膜は従来のＴＥＯＳ＋Ｏ2 ガスによるＰ−ＣＶＤ
法によるＳｉＯ2 膜と同様に良質なＳｉＯ2 膜を、例え
ば３０ｃｍ×３０ｃｍ角の如き大面積基板に均一な膜厚
を保持しつつ、より低い温度領域で成膜できる。その上
成膜速度が早くなる。According to the present invention, S for a gate oxide film formed according to the present invention is formed.
iO 2 film is conventional P-CVD with TEOS + O 2 gas
The SiO 2 film as well as high-quality SiO 2 film by law, while maintaining a uniform film thickness in such a large area substrate, for example, 30 cm × 30 cm square, can be deposited at a lower temperature region. In addition, the deposition rate is increased.
【００３８】また本発明により形成したＳｉＯ2 膜を用
いることにより、ステップカバレージがすぐれ、界面準
位密度が小さく、耐圧の大きいゲート酸化膜が得られ
る。従って、このゲート酸化膜を用いたＴＦＴは活性Ｓ
ｉ層の厚みを厚くでき、ＴＦＴの移動度を大きくするこ
とが出来る効果がある。By using the SiO 2 film formed according to the present invention, a gate oxide film having excellent step coverage, a low interface state density and a high withstand voltage can be obtained. Therefore, the TFT using this gate oxide film has an active S
There is an effect that the thickness of the i-layer can be increased and the mobility of the TFT can be increased.
【図１】本発明による薄膜トランジスタを製造するＣＶ
Ｄ装置の概略構成図である。FIG. 1 shows a CV for manufacturing a thin film transistor according to the present invention.
It is a schematic structure figure of D apparatus.
【図２】本発明により成膜したＳｉＯ2 膜の膜厚のバラ
ツキと成膜温度の関係を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the variation in the thickness of a SiO 2 film formed according to the present invention and the film formation temperature.
【図３】本発明により成膜したＳｉＯ2 膜を用いたＣ−
ＭＯＳＦＥＴの製造工程説明図の一部である。FIG. 3 is a graph showing C- using a SiO 2 film formed according to the present invention.
It is a part of manufacturing process explanatory drawing of MOSFET.
【図４】本発明により成膜したＳｉＯ2 膜を用いたＣ−
ＭＯＳＦＥＴの製造工程説明図のうち図３の次工程説明
図である。FIG. 4 is a graph showing C- using a SiO 2 film formed according to the present invention.
FIG. 4 is an explanatory view of the next step of FIG.
１ 石英チャンバー ２ 試料基板 ３ ガス導入口 ４ ガス導入口 ５ ガス導入口 ７ ヒータ ８ 棒状電極 ３４ ゲート酸化膜 ３５ ゲート電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Quartz chamber 2 Sample substrate 3 Gas inlet 4 Gas inlet 5 Gas inlet 7 Heater 8 Rod electrode 34 Gate oxide film 35 Gate electrode
Claims (2)
として、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ガスと酸素
ガスと塩素ガスによるプラズマＣＶＤ法によって形成す
るＳｉＯ2 膜であって、その成膜温度を４５０〜６００
℃にし、棒状電極によってプラズマを発生させつつ成膜
したＳｉＯ2 膜を用いることを特徴とする薄膜トランジ
スタ。An SiO 2 film formed by a plasma CVD method using a tetraethoxysilane (TEOS) gas, an oxygen gas and a chlorine gas as a gate oxide film used for a thin film transistor.
℃ to, while generating the plasma by rodlike electrode deposition
A thin film transistor characterized by using a formed SiO 2 film.
として、 ＴＥＯＳガスと酸素ガスと塩素ガスによるプラズマＣＶ
Ｄ法によって、その成膜温度を４５０〜６００℃とし、
反応室内に棒状電極によりプラズマを発生させつつＳｉ
Ｏ2 膜を成膜する工程を含む薄膜トランジスタの製造方
法。2. A plasma CV comprising TEOS gas, oxygen gas and chlorine gas as a gate oxide film used for a thin film transistor.
By Method D, and the deposition temperature and 450 to 600 ° C.,
While generating plasma with a rod-shaped electrode in the reaction chamber,
A method for manufacturing a thin film transistor, comprising a step of forming an O 2 film.
Priority Applications (1)
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