JP3128207B2 - Semiconductor laser unit - Google Patents
Semiconductor laser unitInfo
- Publication number
- JP3128207B2 JP3128207B2 JP09059240A JP5924097A JP3128207B2 JP 3128207 B2 JP3128207 B2 JP 3128207B2 JP 09059240 A JP09059240 A JP 09059240A JP 5924097 A JP5924097 A JP 5924097A JP 3128207 B2 JP3128207 B2 JP 3128207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- receiving element
- light receiving
- lead
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクやその
他各種の光応用機器に組み込まれてピックアップを構成
する半導体レーザユニットに関し、詳しくは、ホログラ
ム方式のピックアップにおいて、光源用のレーザダイオ
ードチップ(以下、LDチップと称す)と信号読取用の
受光素子を一つのパッケージ内に配置した半導体レーザ
ユニットの改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser unit which is incorporated in an optical disk or other various optical devices to constitute a pickup. More specifically, the present invention relates to a laser diode chip for a light source in a hologram type pickup. The present invention relates to an improvement of a semiconductor laser unit in which a light receiving element for reading a signal and a light receiving element for reading a signal are arranged in one package.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、音楽用CDやその他のCD−RO
M、MD等の各種光ディスクシステムにおいて、ビーム
生成、光分岐、誤差信号生成等の機能を有するホログラ
ム素子(HOE)を光学系に採用したホログラム方式の
ピックアップが提案されている。このピックアップは光
源用のLDチップ100 と信号読取用の受光素子200 を一
つのパッケージ内に配置した半導体レーザユニットA’
と、その半導体レーザユニットA’の上面に接着固定し
たホログラム素子Bとを備えている(図8)。このよう
なホログラム方式のピックアップは部品点数の削減、耐
環境性能の向上によって小型軽量化、低価格化、高速ア
クセスを可能にする等、様々な利点を達成することがで
きるが、その技術内容について詳細に検討すると、以下
の点に改良の余地を残していた。2. Description of the Related Art Recently, music CDs and other CD-ROs have been developed.
In various optical disk systems such as M and MD, a hologram type pickup employing a hologram element (HOE) having functions such as beam generation, light branching, and error signal generation in an optical system has been proposed. This pickup has a semiconductor laser unit A 'in which an LD chip 100 for a light source and a light receiving element 200 for signal reading are arranged in one package.
And a hologram element B bonded and fixed to the upper surface of the semiconductor laser unit A ′ (FIG. 8). Such a hologram type pickup can achieve various advantages such as reduction in the number of parts, improvement in environmental resistance, reduction in size and weight, reduction in price, and high-speed access. When examined in detail, the following points left room for improvement.
【0003】すなわち従来の半導体レーザユニットは図
8のように、コバール等の金属からなるステムをベース
(アイランド)1’とし、そのベース1’上方にLDチ
ップ100 と受光素子200 を搭載すると共に、端子用のピ
ン2はベース1’に開穿した複数の孔80に挿入してセッ
トし、LDチップ100 と受光素子200 は各々ワイヤボン
ディング3により所定のピン2に電気的に接続してあ
る。4はベース1’上面を密閉するための金属製カバー
である。光学的な理由から、受光素子200 はベース1’
に突設した台座81上面に固定する一方、LDチップ100
はその受光素子200 よりも上位で且つレーザ発光点が上
方を向くようにベース1’に立設した取付面82の側面に
固定し、且つベース1’上面に対してLDチップ100 は
ほぼ垂直を、また受光素子200 はほぼ水平を各々維持す
るようにしてある。この従来技術では、ピン2をベース
1’の孔80に挿入した後、その孔80にガラス封止剤83等
を充填してピン2の固定と絶縁を行うため、ピン2のピ
ッチを狭めるには自ずと限界があり、ベース1’のこれ
以上の小型化が困難であり、ノート型パソコン用のCD
−ROMドライブ、音楽用CD、MD等の持ち運び用や
車搭載用プレーヤー等の光応用機器における更なる小型
軽量化のニーズに即応できない問題があった。That is, as shown in FIG. 8, a conventional semiconductor laser unit has a base (island) 1 'having a stem made of metal such as Kovar, and an LD chip 100 and a light receiving element 200 mounted on the base 1'. The terminal pins 2 are inserted and set in a plurality of holes 80 formed in the base 1 ′, and the LD chip 100 and the light receiving element 200 are electrically connected to predetermined pins 2 by wire bonding 3. 4 is a metal cover for sealing the upper surface of the base 1 '. For optical reasons, the light receiving element 200 is the base 1 '
While the LD chip 100
Is fixed to the side of the mounting surface 82 erected on the base 1 ′ so that the laser emission point is higher than the light receiving element 200 and the laser emission point is directed upward, and the LD chip 100 is almost perpendicular to the upper surface of the base 1 ′. The light receiving elements 200 are each kept substantially horizontal. In this prior art, after the pin 2 is inserted into the hole 80 of the base 1 ′, the hole 80 is filled with a glass sealant 83 or the like to fix and insulate the pin 2. Is naturally limited, and it is difficult to further reduce the size of the base 1 '.
-There was a problem that it was not possible to immediately respond to the need for further miniaturization and lightening of optical applied devices such as ROM drives, music CDs, MDs, and other portable and in-car players.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このようなニーズに対
応するために、本出願人は図9に示す半導体レーザユニ
ットを既に提案している(特願平9−8486号)。こ
の先行技術は、LDチップ100 と受光素子200 を搭載し
たベースであるアイランド1と、多指配列状のリードピ
ン2…を有するリードフレーム2’と、アイランド1に
対するリードピン2…の固定と絶縁を行う樹脂モールド
部90とを備えて、アイランド1の周囲を形成するリード
ピン2…を電気的な接続端子として用いるようにしてな
り、ベース1’に形成した複数の孔80に夫々ピン2を挿
入し更に樹脂等を充填してピン2の固定と絶縁とを行う
前述の従来技術に比べ、ベースとなるアイランド1を可
能な限り小さくすることができ、更なる小型化を可能に
すると共に、リードフレーム2’は基板となる1枚の帯
状金属板に複数製品分の成形が可能であることから、樹
脂モールド部90の成形に際しても複数製品分を一度に若
しくは連続して成形でき、部品点数の削減を図ると共
に、ばらつきのない高精度の製品を量産することができ
る。ところで、アイランド1の周囲に略水平配設した各
リードピン2…のインナーリード部2”を、樹脂モール
ド部90内に引き込んで各リードピン2…の固定と絶縁を
行う先行技術では、そのインナーリード部2”が結果と
してアイランド1におけるLDチップ100 及び受光素子
200 搭載用スペースを占有するレイアウトになってしま
う。そのため、その分アイランド1を僅かながら大型化
してLDチップ100 及び受光素子200 を搭載するに必要
なスペースを確保する設計とならざるを得ず、最小限ま
で小型化する上で未だ改良の余地があった。In order to meet such a need, the present applicant has already proposed a semiconductor laser unit shown in FIG. 9 (Japanese Patent Application No. 9-8486). In this prior art, an island 1, which is a base on which an LD chip 100 and a light receiving element 200 are mounted, a lead frame 2 'having lead pins 2 in a multi-finger arrangement, and fixing and insulation of the lead pins 2 to the island 1 are performed. .. Having a resin mold portion 90, the lead pins 2 forming the periphery of the island 1 are used as electrical connection terminals, and the pins 2 are inserted into a plurality of holes 80 formed in the base 1 ', respectively. Compared with the above-described conventional technology in which the pin 2 is fixed and insulated by filling with resin or the like, the island 1 serving as the base can be made as small as possible, and the lead frame 2 can be further downsized. 'Means that multiple products can be molded on one strip-shaped metal plate as a substrate. There is ensured a reduction in the number of components can be mass-produced with high precision products no variation. By the way, in the prior art in which the inner lead portions 2 ″ of the respective lead pins 2 arranged substantially horizontally around the island 1 are drawn into the resin mold portion 90 to fix and insulate the respective lead pins 2. 2 ”results in the LD chip 100 and the light receiving element in the island 1
The layout will take up 200 mounting space. For this reason, the island 1 must be slightly enlarged to secure the necessary space for mounting the LD chip 100 and the light receiving element 200, and there is still room for improvement in miniaturization to a minimum. there were.
【0005】本発明は上記した従来事情に鑑みてなされ
たもので、その技術的課題は、光源用のLDチップと信
号読取用の受光素子を一つのパッケージ内に配置する半
導体レーザユニットにおいて、更なる小型化を実現する
ことである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and a technical problem of the present invention is to provide a semiconductor laser unit in which an LD chip for a light source and a light receiving element for signal reading are arranged in one package. It is to realize further miniaturization.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に講じた技術的手段は、請求項1では、任意の立体形状
に形成されたアイランドの、側面部の所定箇所に光源用
のレーザダイオードチップを、上面部の所定箇所に信号
読取用の受光素子をそれぞれ固定すると共に、前記レー
ザダイオードチップまたは受光素子に電気的に接続する
複数のリードピンが、前記アイランドの樹脂成形部に、
鉛直方向をもって並列状に保持されている半導体レーザ
ユニットであって、前記それぞれのリードピンは、その
インナーリード部が、上記アイランドの上面部に固定し
た受光素子の下側に位置して上記樹脂成形部内に埋め込
まれており、且つそのインナーリード部が、その側面の
一部を上記樹脂成形部の側面に露出する露出面を有して
該樹脂成形部内に埋め込まれ、前記露出面と前記レーザ
ダイオードチップまたは受光素子とをワイヤボンディン
グにより電気的に接続してなることを要旨とする。請求
項2では、任意の立体形状に形成されたアイランドの、
側面部の所定箇所に光源用のレーザダイオードチップ
を、上面部の所定箇所に信号読取用の受光素子をそれぞ
れ固定すると共に、前記レーザダイオードチップまたは
受光素子に電気的に接続する複数のリードピンが、前記
アイランドの樹脂成形部に、鉛直方向をもって並列状に
保持されている半導体レーザユニットであって、前記そ
れぞれのリードピンは、そのインナーリード部が、上記
アイランドの上面部に固定した受光素子の下側に位置し
て上記樹脂成形部内に埋め込まれており、上記受光素子
が、上記リードピンと電気的に接続するそれぞれの電極
部を下面側に備え、且つ上記インナーリード部は、その
鉛直方向上端面が前記電極部と向かい合うように上記樹
脂成形部内に埋め込まれ、前記電極部とインナーリード
部上端面とを直接圧接、またはバンプを介して接合させ
て、前記リードピンと各電極部を電気的に接続し、さら
に上記インナーリード部は、その側面の一部を上記樹脂
成形部の側面に露出する露出面を有して該樹脂成形部内
に埋め込まれ、該露出面と前記レーザダイオードチップ
とをワイヤボンディングにより電気的に接続したことを
要旨とする。請求項3では、上記請求項1または2にお
いて、上記樹脂成形部が、リードフ レームにおける並列
状のリードピンに樹脂モールドで成形したものであるこ
とを要旨とする。請求項4では、上記請求項3におい
て、上記アイランドが、前後一対の樹脂成形部と、それ
ら両樹脂成形部によって挟持状に固定される金属製のア
イランド基体からなり、上記レーザダイオードチップが
前記アイランド基体の側面部に取り付けられていること
を要旨とする。According to a first aspect of the present invention, a laser diode for a light source is provided at a predetermined position on a side surface of an island formed in an arbitrary three-dimensional shape. The chip, a light-receiving element for signal reading is fixed to a predetermined portion of the upper surface portion, respectively, and a plurality of lead pins electrically connected to the laser diode chip or the light-receiving element, the resin molded portion of the island,
A semiconductor laser unit held in parallel in a vertical direction, wherein each of the lead pins has an inner lead portion positioned below a light receiving element fixed to an upper surface portion of the island so as to be inside the resin molded portion. And the inner lead part is
Has an exposed surface that is partially exposed on the side surface of the resin molded part
The exposed surface and the laser are embedded in the resin molding portion.
Wire bond with diode chip or light receiving element
The main point is that they are electrically connected by a ring. According to claim 2, of the island formed in an arbitrary three-dimensional shape,
A laser diode chip for the light source at a specified location on the side
And a light-receiving element for signal reading at a predetermined location on the top surface.
And fixed, the laser diode chip or
A plurality of lead pins electrically connected to the light receiving element,
Vertically parallel to the resin molded part of the island
The semiconductor laser unit being held, wherein
Each lead pin has an inner lead
Located below the light receiving element fixed to the top of the island
Embedded in the resin molding part,
Are the respective electrodes that are electrically connected to the lead pins.
Part is provided on the lower surface side, and the inner lead part is
Make the tree so that the upper end face in the vertical direction faces the electrode part.
The electrode part and the inner lead are embedded in the resin molding part.
Direct pressure contact with the upper end surface or bonding via bumps
And electrically connect the lead pins to the respective electrode portions.
The inner lead part is partially covered with the resin
An exposed surface that is exposed on the side surface of the molded portion is provided inside the resin molded portion.
Embedded in the exposed surface and the laser diode chip
Is electrically connected by wire bonding . According to claim 3, according to claim 1 or 2,
There are, the resin molded portion, parallel in the lead frame
The gist of the present invention is that the lead pin is formed by molding with a resin mold . According to claim 4, in claim 3,
The island has a pair of front and rear resin molding parts,
Metal parts fixed in a sandwiched manner by both resin moldings
Consisting of an Irland substrate, the laser diode chip
The gist is that it is attached to the side surface of the island base .
【0007】上記技術的手段によれば下記の作用を奏す
る。 (請求項1)本半導体レーザユニットは、各リードピン
のインナーリード部が、アイランド上面部に固定した受
光素子の下側に、鉛直方向をもって並列状に埋め込まれ
るようになる。そのため、アイランドの幅方向に対し
て、前記インナーリード部の固定代や折曲代を確保する
必要を無くし、よってアイランドは、その幅寸法におい
てLDチップ、受光素子を搭載可能な最小限にまで小型
化することができる。さらに、各リードピンをアイラン
ドに対し鉛直方向で且つ並列状をもって保持させるため
の固定及び各リードピン同士の絶縁を、前記樹脂成形部
の成形と同時に行うことができる。加えて、インナーリ
ード部を受光素子の下側に埋め込んだ構造としながら、
そのインナーリード部とLDチップ、受光素子との電気
的接続を、ワイヤボンディングによって確実に図ること
ができる。 (請求項2)本半導体レーザユニットは、各リードピン
のインナーリード部が、アイランド上面部に固定した受
光素子の下側に、鉛直方向をもって並列状に埋め込まれ
るようになる。そのため、アイランドの幅方向に対し
て、前記インナーリード部の固定代や折曲代を確保する
必要を無くし、よってアイランドは、その幅寸法におい
てLDチップ、受光素子を搭載可能な最小限にまで小型
化することができる。さらに、各リードピンをアイラン
ドに対し鉛直方向で且つ並列状をもって保持させるため
の固定及び各リードピン同士の絶縁を、前記樹脂成形部
の成形と同時に行うことができる。加えて、インナーリ
ード部を受光素子の下側に埋め込んだ構造としながら、
そのインナーリード部とLDチップとの電気的接続を、
ワイヤボンディングによって確実に図ることができる。
そして、受光素子におけるリードピンとの接続部である
電極部を受光素子下面側に形成し、その電極部とインナ
ーリード部上端面(突端面)とを、ワイヤボンディング
を介さずに直接または直接的に接続する構造としたの
で、ワイヤボンディングを必要としない分、さらなる小
型化を図れる。また、前記電極部を受光素子の下面側に
形成するので、受光素子自体の小型化も図れ、その結
果、アイランドの幅寸法(受光素子を搭載するための幅
寸法)をさらに縮小し得、大幅な小型化が実現される。 (請求項3)本半導体レーザユニットは請求項1または
2の作用に加え、各リー ドピンを樹脂成形部に対し鉛直
方向で且つ並列状をもって保持させるための固定及び各
リードピン同士の絶縁を、リードフレームを芯体として
行うことができ、よって、リードピンを1本づつ型内に
挿入して位置合わせする成形時の煩雑さを解消すること
ができる。 (請求項4)本半導体レーザユニットは請求項3の作用
に加え、必要最低限度の金属製材料からなるアイランド
基体の高精度な平面度、直角度もってレーザダイオード
チップと受光素子の取付面(水平面や垂直面)を形成す
る。 According to the above technical means, the following effects are obtained. (Claim 1) In the present semiconductor laser unit, the inner lead portions of the respective lead pins are embedded in parallel in the vertical direction below the light receiving element fixed to the upper surface of the island. Therefore, it is not necessary to secure a margin for fixing or bending the inner lead portion in the width direction of the island, so that the island is small in its width dimension to a minimum that can mount the LD chip and the light receiving element. Can be Further, the fixing for holding the respective lead pins in the vertical direction and in parallel with the island and the insulation between the respective lead pins can be performed simultaneously with the molding of the resin molded portion. In addition, the inner
While the structure is embedded in the lower part of the light receiving element,
Electricity between the inner lead, LD chip and light receiving element
Ensure reliable connection by wire bonding
Can be. (Claim 2) The semiconductor laser unit is provided with each lead pin.
The inner lead part of the
It is embedded in parallel in the vertical direction below the optical element.
Become so. Therefore, in the width direction of the island
To secure the fixing allowance and bending allowance for the inner lead part.
Eliminates the need for the island so its width
Small enough to mount LD chip and light receiving element
Can be In addition, connect each lead pin to an iron
To be held vertically and side by side
Fixing and insulation between the lead pins
Can be performed simultaneously with molding. In addition, the inner
While the structure is embedded in the lower part of the light receiving element,
The electrical connection between the inner lead and LD chip
This can be reliably achieved by wire bonding.
And it is the connection part with the lead pin in the light receiving element.
An electrode is formed on the lower surface of the light receiving element, and the electrode and inner
-Wire bonding with the upper end surface (tip surface) of the lead
Direct or direct connection without any intervening
Because it does not require wire bonding,
Can be modeled. Also, the electrode part is located on the lower surface side of the light receiving element.
As a result, the size of the light receiving element itself can be reduced.
As a result, the width of the island (the width for mounting the light receiving element)
Dimensions) can be further reduced, and significant miniaturization is realized. (Claim 3) The semiconductor laser unit according to claim 1 or
In addition to the second working, vertical each Lee Dopin the resin molding part
Fixing for holding in parallel with
Insulation between lead pins, with lead frame as core
And therefore lead pins can be inserted one by one into the mold.
Eliminating the complexity of molding by inserting and positioning
Can be. (Claim 4) The semiconductor laser unit according to the third aspect of the present invention has an island made of a minimum necessary metal material.
Laser diode with high precision flatness and squareness of substrate
Form the mounting surface (horizontal surface or vertical surface) for the chip and light receiving element
You.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1乃至図3は請求項1に係る半
導体レーザユニットの、図4乃至図7は請求項2に係る
半導体レーザユニットの、それぞれの実施の形態の一例
を示している。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 3 show a half according to claim 1 .
4 to 7 of the semiconductor laser unit according to claim 2
Example of each embodiment of semiconductor laser unit
The shows.
【0009】まず、図1乃至図3に示す例を説明する
と、符号Aは本発明半導体レーザユニットであり、この
半導体レーザユニットAは光源用のLDチップ100 と信
号読取用の受光素子200 とを一つのパッケージ内に配置
し、そのパッケージ上面部分に固定されるホログラム素
子(図示せず)と共に、ホログラム方式のピップアップ
を構成するようになっており、前記LDチップ100 と受
光素子200 はアイランド1に搭載され、そのLDチップ
100 と受光素子200 とは、アイランド1に鉛直方向をも
って並列状に多数保持されたリードピン2に、ワイヤボ
ンディング3で電気的に接続されている。また本例で
は、前記各リードピン2をアイランド1の樹脂成形部1
1,12 に鉛直方向をもって並列状に保持させると共に、
その樹脂成形部11,12 と金属製のアイランド基体13と
を、取合部14同士を固定して一体的に集合させること
で、アイランド1を形成している。First, an example shown in FIGS. 1 to 3 will be described. Reference numeral A denotes a semiconductor laser unit of the present invention. This semiconductor laser unit A includes an LD chip 100 for a light source and a light receiving element 200 for signal reading. The LD chip 100 and the light receiving element 200 are arranged in an island 1 together with a hologram element (not shown) arranged in one package and fixed to the upper surface of the package. Mounted on the LD chip
The light receiving element 100 and the light receiving element 200 are electrically connected by wire bonding 3 to a plurality of lead pins 2 held in parallel on the island 1 in the vertical direction. In this embodiment, each of the lead pins 2 is connected to the resin molded portion 1 of the island 1.
1 and 12 are held in parallel in the vertical direction,
The resin molded portions 11 and 12 and the metal island base 13 are fixed to each other by fixing the connecting portions 14 to form the island 1.
【0010】樹脂成形部11,12 は前後一対の二片が用い
られている。The resin molding portions 11 and 12 use a pair of front and rear two pieces.
【0011】両樹脂成形部11,12 は共に樹脂モールド品
であり、前側の樹脂成形部11、後側の樹脂成形部12は細
かな点の相違を除いて概ね図3に示すように、平面視細
長矩形状で、且つ下方から上方へ向けて漸次面積が小さ
くなる下段11a,12a 、中段11b,12b 、上段11c,12c の三
段形状を呈するように形成され、その中段部分11b,12b
と上段部分11c,12c の長手方向中央部位には、LDチッ
プ100 搭載スペースを確保するための開口部15を形成し
てあり、両者11,12 を組み合わせた時(合致された時)
には、中央にアイランド基体13が収容される隙間を存し
た状態で突き合う関係を作り出すようになっている。Both of the resin molded portions 11 and 12 are resin molded products, and the front resin molded portion 11 and the rear resin molded portion 12 are substantially flat as shown in FIG. It is formed to have a three-stage shape of a lower stage 11a, 12a, a middle stage 11b, 12b, and an upper stage 11c, 12c, each of which has a slender rectangular shape and a gradually decreasing area from below to above, and middle portions 11b, 12b thereof.
An opening 15 for securing a space for mounting the LD chip 100 is formed in the central portion in the longitudinal direction of the upper and lower portions 11c and 12c, and when the two are combined (when matched)
In the first embodiment, a relationship is created in which there is a gap in the center where the island base 13 is accommodated.
【0012】アイランド基体13は、所望の金属材料を用
いて冷間鋳造等で成型されている。このアイランド基体
13は図3に示すように、上述した樹脂成形部11,12 を組
み合わせた時に形成される隙間部分に嵌り込むよう形成
された左右の耳部13a,13aと、後側の樹脂成形部12の中
央開口部15に嵌り込むよう形成された窪み部13b とを連
設した形状を呈する。The island base 13 is formed by cold casting or the like using a desired metal material. This island substrate
As shown in FIG. 3, the left and right ear portions 13a, 13a formed to fit into gaps formed when the above-mentioned resin molded portions 11, 12 are combined, and the rear resin molded portion 12 as shown in FIG. It has a shape in which a recess 13b formed to fit into the central opening 15 is provided continuously.
【0013】そうして、上記前後一対の樹脂成形部11,1
2 によって上記アイランド基体13を挟持するように、そ
れら三者11,12,13の互いの取合部(接合面)14同士を接
合させて、LDチップ100 、受光素子200 の搭載部を備
えたアイランド1を組み立てる。Thus, the pair of front and rear resin molded portions 11, 1
The two mounting portions (joining surfaces) 14 of the three members 11, 12, and 13 are joined together so that the island substrate 13 is sandwiched by the two, and a mounting portion for the LD chip 100 and the light receiving element 200 is provided. Assemble Island 1.
【0014】LDチップ100 の搭載部は図で明らかなよ
うに、上記窪み部13b の窪み方向底面となる垂直立面16
で構成され、その垂直立面16にモニタ用フォトダイオー
ド300 を介してLDチップ100 を接着等で固定してい
る。またその垂直立面16の右側寄りの水平上面17a が、
受光素子200 の搭載部となる。As is apparent from the figure, the mounting portion of the LD chip 100 has a vertical upright surface 16 serving as a bottom surface in the recess direction of the recess portion 13b.
The LD chip 100 is fixed to the vertical upright surface 16 via a monitoring photodiode 300 by bonding or the like. Also, the horizontal upper surface 17a on the right side of the vertical standing surface 16 is
It becomes the mounting part of the light receiving element 200.
【0015】リードピン2…は、前側の樹脂成形部11、
後側の樹脂成形部12各々を樹脂モールドで成形する時
に、その両樹脂成形部11,12 に分散して一体化させてい
る。The lead pins 2 are connected to the front resin molding portion 11,
When each of the resin molding portions 12 on the rear side is molded by a resin mold, the resin molding portions 12 are dispersed and integrated with the resin molding portions 11 and 12.
【0016】このリードピン2…は、図示しないリード
フレームに形成されたもので、そのリードフレームは、
基材となる帯状の極薄金属板、例えば42アロイ板や銅
板等にプレス成型或いはエッチング等の周知手段を施し
て複数のリードピン2を所望ピッチをもって多数並列状
に有するように成形されたものであり、所定の成形型
(前側および後側の樹脂成形部11,12 成形用の型)にこ
のリードフレームをセットした状態で樹脂成形部11,12
をモールド成形することによって、必要数のリードピン
2が、成形される樹脂成形部11,12 に対して鉛直方向を
もって並列状に保持されるようになる。The lead pins 2 are formed on a lead frame (not shown).
A strip-shaped ultra-thin metal plate serving as a base material, for example, a 42 alloy plate or a copper plate, which is formed by applying known means such as press molding or etching to have a plurality of lead pins 2 in a desired pitch at a large number in parallel. With the lead frame set in a predetermined molding die (a mold for molding the front and rear resin portions 11, 12), the resin molding portions 11, 12 are set.
By molding, the required number of lead pins 2 are held in parallel in the vertical direction with respect to the resin molded portions 11 and 12 to be molded.
【0017】また、受光素子200 の搭載部となる上記水
平上面17a 側に配されるリードピン2…は、そのインナ
ーリード部2”の上端面(突端面)18寄りの側面の一部
が、樹脂成形部11,12 における上段部11c,12c の側面に
露出する露出面19となるようにして樹脂成形部11,12 に
保持される。一方、上記垂直立面16の左側寄りの水平上
面17b 側に配されるリードピン2…は、そのインナーリ
ード部2”の上端面(突端面)が前記水平上面17b に露
出する露出面18’となり、且つインナーリード部2”の
上端面寄りの側面の一部が、樹脂成形部11,12 における
上段部11c,12cの側面に露出する露出面19となるように
して樹脂成形部11,12 に保持される。上記各リードピン
2は前側、後側の樹脂成形部11,12 の脱型後、リードフ
レームから切断される。The lead pins 2 provided on the side of the horizontal upper surface 17a serving as the mounting portion of the light receiving element 200 have a part of the side surface near the upper end surface (projection end surface) 18 of the inner lead portion 2 ". It is held by the resin molding portions 11 and 12 so as to become an exposed surface 19 exposed on the side surfaces of the upper portions 11c and 12c of the molding portions 11 and 12. On the other hand, on the horizontal upper surface 17b side on the left side of the vertical standing surface 16 Of the inner lead portions 2 "are exposed surfaces 18 'which are exposed on the horizontal upper surface 17b, and one of the side surfaces near the upper end surface of the inner lead portion 2". The lead pins 2 are held by the resin molding portions 11 and 12 such that the portions become exposed surfaces 19 exposed on the side surfaces of the upper steps 11c and 12c in the resin molding portions 11 and 12. The lead pins 2 are connected to the front and rear resin portions, respectively. After the molded parts 11 and 12 are released from the mold, they are cut from the lead frame.
【0018】前記リードピン2…を鉛直方向をもって並
列状に有する前側の樹脂成形部11及び後側の樹脂成形部
12、アイランド基体13の接合は、前述の通り、アイラン
ド基体13を中間に配置した状態で、前側の樹脂成形部11
の開口部15にアイランド基体13の窪み部13b が嵌合し、
後側の樹脂成形部12の開口部15が前記開口部13b に連通
するよう、それら三者11,12,13の互いの取合部14となる
接合面同士を、超音波接合等で固定して行われる。A front resin molding portion 11 and a rear resin molding portion having the lead pins 2 in parallel in the vertical direction.
12, bonding of the island base 13 is performed, as described above, with the island base 13 disposed in the middle,
The recess 13b of the island base 13 fits into the opening 15 of
The joining surfaces of the three members 11, 12, and 13 to be the joining portions 14 are fixed to each other by ultrasonic bonding or the like so that the opening 15 of the rear resin molding portion 12 communicates with the opening 13b. Done.
【0019】斯様にアイランド基体13、前側の樹脂成形
部11、後側の樹脂成形部12の三者からアイランド1を組
み立てた後、LDチップ100 を垂直立面16に、受光素子
200を水平上面17a にそれぞれ接着し、しかる後、イン
ナーリード部2”における上述の露出面18’,19とLD
チップ100 ,受光素子200 とをワイヤボンディング3で
電気的に接続し、さらにこの組立体の上面全体を覆うよ
うに上方からカバー4を被せて、半導体レーザユニット
Aが完成する。尚、上記露出面18’は切断面であるた
め、ボンディングワイヤ3との導通性や接続信頼性を向
上させるためにラッピング処理したほうが好ましい。After the island 1 is assembled from the island base 13, the front resin molding portion 11, and the rear resin molding portion 12, the LD chip 100 is placed on the vertical upright surface 16 and the light receiving element is mounted.
200 are adhered to the horizontal upper surface 17a, and thereafter, the above-mentioned exposed surfaces 18 ', 19 of the inner lead portion 2 "and LD
The chip 100 and the light receiving element 200 are electrically connected by the wire bonding 3, and the cover 4 is covered from above so as to cover the entire upper surface of the assembly, thereby completing the semiconductor laser unit A. Since the exposed surface 18 'is a cut surface, it is preferable that the exposed surface 18' be wrapped in order to improve the conductivity and connection reliability with the bonding wire 3.
【0020】カバー4には透明板20で覆われる窓孔21が
形成されており、その窓孔21上にホログラム素子(図示
せず)を取り付けることで、ホログラム方式のピックア
ップが完成する。A window hole 21 covered with a transparent plate 20 is formed in the cover 4, and a hologram element (not shown) is mounted on the window hole 21 to complete a hologram type pickup.
【0021】カバー4の固定には、高周波接合、接着、
溶着、嵌合い、係合等の適宜な固着手段を採用すること
ができる。また上記樹脂成形部11,12 とアイランド基体
13の接合にも、これら適宜な固着手段を採用可能であ
る。For fixing the cover 4, high-frequency bonding, bonding,
Appropriate fixing means such as welding, fitting, and engagement can be employed. In addition, the resin molded portions 11 and 12 and the island substrate
These appropriate fixing means can also be used for the bonding of the thirteenth embodiment.
【0022】尚、LDチップ100 、受光素子200 はこの
種技術分野において周知なものであって、LDチップ10
0 はレーザ発光点が上方を向くようにフォトダイオード
300に固定されており、受光素子200 はその上面側の中
央部に光検出部201 を有すると共に、その左右両側箇所
に各リードピン2…と電気的に接続される電極部202…
を備えている。Incidentally, the LD chip 100 and the light receiving element 200 are well known in this kind of technical field,
0 is a photodiode so that the laser emission point faces upward
The light receiving element 200 has a light detecting portion 201 at the center on the upper surface side, and has electrode portions 202 electrically connected to the respective lead pins 2 on both left and right sides thereof.
It has.
【0023】そうして、上述のように構成された本例の
半導体レーザユニットAは、各リードピン2…のインナ
ーリード部2”が、アイランド1の水平上面17a に固定
した受光素子200 の下側に、鉛直方向をもって並列状に
埋め込まれるようになる。そのため、アイランド1の幅
方向に対して、インナーリード部2”の固定代や折曲代
を確保する必要を無くし、よってアイランド1は、その
幅寸法においてLDチップ100 、受光素子200 を搭載可
能な最小限にまで小型化することができる。さらに、各
リードピン2…をアイランド1に対し鉛直方向で且つ並
列状をもって保持させるための固定及び各リードピン1
同士の絶縁を、前記樹脂成形部11,12 の成形と同時に行
うことができる。また、インナーリード部2”を樹脂成
形部11,12 内に埋め込んだ構造としながら、そのインナ
ーリード部2”とLDチップ100 、受光素子200 との電
気的接続を、ワイヤボンディング3によって確実に図る
ことができる。さらに、各リードピン2…を樹脂成形部
11,12 に対し鉛直方向で且つ並列状をもって保持させる
ための固定及び各リードピン2同士の絶縁を、リードフ
レームを芯体として行うことができ、よって、リードピ
ン2を1本づつ型内に挿入して位置合わせする成形時の
煩雑さを解消することができる。また、リードピン2は
リードフレームの製作精度でより高密度化でき、またそ
のリードフレームは帯状金属板に複数製品分のリードピ
ン2を一度若しくは連続して成形できることから、リー
ドピン2を格別な接着や固定手段等を使用することにな
く高集積、高精度をもってアイランド1に保持させるこ
とが可能となり、上述した先行技術のようにインナーリ
ード部2”をリードピン2の先端側に折り曲げ形成する
場合と比べて成形作業、工程が簡略化する上、折り曲げ
精度等の影響を全く受けず、信頼性の高い半導体レーザ
ユニットAを供することができる。また、必要最低限度
の金属製材料からなるアイランド基体13の高精度な平面
度、直角度もってLDチップ100 と受光素子200 の取り
付けを行うことができ、高い取付精度が要求されるこれ
ら部品を安定且つ精度良く取付けることができる等、優
れた利点を達成できる。Thus, in the semiconductor laser unit A of the present embodiment configured as described above, the inner lead portion 2 ″ of each of the lead pins 2... Is located below the light receiving element 200 fixed to the horizontal upper surface 17a of the island 1. Therefore, it is not necessary to secure a margin for fixing or bending the inner lead portion 2 ″ in the width direction of the island 1. In the width dimension, the size can be reduced to the minimum size where the LD chip 100 and the light receiving element 200 can be mounted. Further, a fixing for holding the respective lead pins 2... In a vertical direction and in parallel with the island 1 and the respective lead pins 1.
The insulation between them can be performed simultaneously with the molding of the resin molded portions 11 and 12. Also, while the inner lead portion 2 "is embedded in the resin molded portions 11 and 12, the electrical connection between the inner lead portion 2" and the LD chip 100 and the light receiving element 200 is ensured by the wire bonding 3. be able to. Furthermore, each of the lead pins 2.
The lead frame can be fixed as a core body to fix the lead pins 11 and 12 in the vertical direction and in parallel and to insulate the lead pins 2 from each other. Therefore, the lead pins 2 are inserted one by one into the mold. This eliminates the complexity of molding during positioning. In addition, since the lead pins 2 can be formed at a higher density due to the manufacturing accuracy of the lead frame, and since the lead frames can be formed once or continuously for a plurality of products on a strip-shaped metal plate, the lead pins 2 can be specially bonded or fixed. This makes it possible to hold the island 1 with high integration and high precision without using any means or the like. This makes it possible to form the inner lead portion 2 ″ on the tip end side of the lead pin 2 by bending as in the above-described prior art. In addition to simplifying the molding operation and process, it is possible to provide a highly reliable semiconductor laser unit A without being affected by bending accuracy or the like at all. The LD chip 100 and the light receiving element 200 can be mounted at an accurate flatness and squareness, and high mounting accuracy is required. Thus, excellent advantages such as stable and accurate mounting of parts can be achieved.
【0024】尚、本実施の形態の他例としては、図示し
ないが、アイランド1全体を樹脂による一体成形品とし
ても良い。As another example of the present embodiment, although not shown, the entire island 1 may be formed as an integrally molded product made of resin.
【0025】次に、図4乃至図7に示す実施の形態の一
例を説明すると、この例の半導体レーザユニットAで
は、アイランド5に搭載された受光素子210 と、アイラ
ンド5に鉛直方向をもって並列状に多数保持されたリー
ドピン2…とを、ワイヤボンディング3を介さずに直接
接続している。以下、上述の例と同様の構成部分は図中
に符号を付して説明を省略し、この例の特徴点のみ説明
する。Next, an example of the embodiment shown in FIGS. 4 to 7 will be described. In the semiconductor laser unit A of this embodiment, the light receiving element 210 mounted on the island 5 and the island 5 are arranged in parallel in the vertical direction. Are connected directly without the wire bonding 3. Hereinafter, components similar to those in the above-described example are denoted by reference numerals in the drawings, and description thereof will be omitted. Only the features of this example will be described.
【0026】この例の受光素子210 は図7に示すよう
に、その上面側の中央部に光検出部201 を有するが、各
リードピン2…と電気的に接続される電極部202 …を下
面側の左右両側に備えた新規なものであって、各電極部
202 を下面側に配置した分だけ、上述した周知な受光素
子200 に比べ、小型化が図られている。As shown in FIG. 7, the light receiving element 210 of this embodiment has a light detecting portion 201 at the center on the upper surface side, and has an electrode portion 202 electrically connected to each lead pin 2. New on both sides of the
The size of the light receiving element 200 is reduced as compared with the well-known light receiving element 200 described above by the arrangement of the element 202 on the lower surface side.
【0027】またこの例のアイランド5は、受光素子21
0 の搭載部である水平上面31を備えた樹脂成形部30と、
LDチップ100 の搭載部である垂直立面41を備えた金属
製のアイランド基体40とを接合して形成されている。The island 5 of this example is provided with a light receiving element 21
A resin molded portion 30 having a horizontal upper surface 31 which is a mounting portion of
It is formed by bonding a metal island base 40 having a vertical upright surface 41 as a mounting portion of the LD chip 100.
【0028】樹脂成形部30は樹脂モールド品であり、図
6に示すように、平面視横長矩形状を呈する適宜大きさ
の載せ面部32と、その載せ面部32の長手方向一側に膨出
する略直方体形の台座部33とを一体成形してなり、載せ
面部32にはアイランド基体40に設けた凸部42が挿入され
る位置決め用の開孔34が形成されている。The resin molded portion 30 is a resin molded product, and as shown in FIG. 6, an appropriately sized mounting surface portion 32 having a horizontally long rectangular shape in plan view, and bulging to one side in the longitudinal direction of the mounting surface portion 32. A substantially rectangular parallelepiped pedestal portion 33 is integrally formed, and the mounting surface portion 32 is formed with a positioning opening 34 into which the convex portion 42 provided on the island base 40 is inserted.
【0029】アイランド基体40は、所望の金属材料を用
いて冷間鋳造等で成型されている。このアイランド基体
40は図6に示すように、上述した載せ面部32上に合致す
る適宜大きさの基板部43と、この基板部43上に膨出する
膨出部44とを一体に備えており、その膨出部44は略直方
体形状を呈するが、その側面の一部に窪み部45が形成さ
れている。The island substrate 40 is formed by cold casting or the like using a desired metal material. This island substrate
As shown in FIG. 6, the board 40 integrally includes a board portion 43 of an appropriate size that matches the above-described mounting surface portion 32 and a bulge portion 44 that bulges out on the board portion 43. The protrusion 44 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a recess 45 is formed in a part of a side surface thereof.
【0030】そうして、上記凸部42が開孔34に挿入され
るよう基板部43を載せ面部32上に載せて両者を接合する
ことで、LDチップ100 、受光素子210 の搭載部を備え
たアイランド5が組み立てられる。Then, the substrate portion 43 is placed on the surface portion 32 so that the convex portion 42 is inserted into the opening 34, and the two are joined to provide a mounting portion for the LD chip 100 and the light receiving element 210. Island 5 is assembled.
【0031】LDチップ100 の搭載部は図で明らかなよ
うに、上記窪み部45の窪み方向底面となる垂直立面41で
構成され、その垂直立面41にモニタ用フォトダイオード
300を介してLDチップ100 を接着等で固定している。
またその垂直立面41の右側に位置する水平上面31が受光
素子210 の搭載部となる。水平上面31は、前述の如く小
型化された受光素子210 を搭載可能な最小限の面積をも
って形成されている。As is clear from the figure, the mounting portion of the LD chip 100 is composed of a vertical upright surface 41 serving as a bottom surface of the recess 45 in the direction of the depression.
The LD chip 100 is fixed by adhesive or the like via 300.
The horizontal upper surface 31 located on the right side of the vertical standing surface 41 is a mounting portion for the light receiving element 210. The horizontal upper surface 31 is formed with a minimum area in which the miniaturized light receiving element 210 can be mounted as described above.
【0032】リードピン2…は、上記樹脂成形部30を樹
脂モールドで成形する時に、その樹脂成形部30の左右両
側に分散して一体化させている。The lead pins 2 are dispersed and integrated on both left and right sides of the resin molded portion 30 when the resin molded portion 30 is molded by a resin mold.
【0033】このリードピン2…は、上述の実施形態と
同様にリードフレームに形成されたもので、詳しくは、
所定数を並列状とし、且つ突端面が向かい合う様に左右
に分散して形成され、各インナーリード部2”を立ち上
げたそのリードフレームを所定の成形型(樹脂成形部30
成形用の型)にセットした状態で樹脂成形部30をモール
ド成形することによって、必要数のリードピン2が、成
形される樹脂成形部30に対して鉛直方向をもって並列状
に保持されるようになる。また、各リードピン2…のイ
ンナーリード部2”は、上記台座部33の内部で左右両側
に立ち上がるようにし、且つそのインナーリード部2”
の上端面(突端面)18が上記水平上面31に露出すると共
に、上記垂直立面41寄りのインナーリード部2”はその
側面の一部が台座部33の側面に露出する露出面19となる
ようにして、台座部33内に埋め込まれる。尚、それぞれ
のインナーリード部2”は、その上端面18が、受光素子
210 の下面側に形成した各電極部202 と各々向かい合う
ピッチをもって立ち上がるようにする。上記各リードピ
ン2は樹脂成形部30の脱型後、リードフレームから切断
される。The lead pins 2 are formed on a lead frame in the same manner as in the above-described embodiment.
A predetermined number is arranged side by side, and are formed so as to be distributed to the left and right such that the protruding end faces face each other.
The required number of lead pins 2 are held in parallel in the vertical direction with respect to the molded resin portion 30 by molding the resin molded portion 30 in a state of being set in the molding die). . The inner lead portions 2 "of the lead pins 2 ... stand on the left and right sides inside the pedestal portion 33, and the inner lead portions 2" are formed.
Is exposed on the horizontal upper surface 31 and the inner lead portion 2 ″ near the vertical upright surface 41 becomes an exposed surface 19 with a part of the side surface exposed on the side surface of the pedestal portion 33. In this manner, each of the inner leads 2 "is embedded in the pedestal 33.
The electrode portions 202 are formed so as to stand up at a pitch facing each of the electrode portions 202 formed on the lower surface side of 210. Each of the lead pins 2 is cut from the lead frame after the resin molded portion 30 is released from the mold.
【0034】前記リードピン2…のインナーリード部
2”を鉛直方向をもって並列状に有する樹脂成形部30と
アイランド基体40の接合は、前述の通り、基板部43と載
せ面部32との接合面同士を、超音波接合等で固定して行
われる。その接合に先立って、LDチップ100 を垂直立
面41に接着しておく。The resin molded portion 30 having the inner lead portions 2 ″ of the lead pins 2... Arranged in parallel in the vertical direction and the island base 40 are joined together as described above by joining the joining surfaces of the substrate portion 43 and the mounting surface portion 32 together. The bonding is performed by ultrasonic bonding, etc. Prior to the bonding, the LD chip 100 is bonded to the vertical upright surface 41 in advance.
【0035】また樹脂成形部30とアイランド基体40を接
合した後、受光素子210 を水平上面31に接着する。この
時、水平上面31には、それぞれのインナーリード部2”
の上端面18が、受光素子210 下面側の各電極部202 と各
々向かい合うピッチをもって露出しており、各々向かい
合う電極部202 とインナーリード部上端面18とを、バン
プ50を介して電気的に接続し、しかる後、インナーリー
ド部2”における上述の露出面19とLDチップ100 とを
ワイヤボンディング3で電気的に接続し、さらにこの組
立体の上面全体を覆うように上方からカバー4を被せ
て、半導体レーザユニットAが完成する。尚、インナー
リード部2”の上端面18は切断面であるため、バンプ50
との導通性や接続信頼性を向上させるためにラッピング
処理したほうが好ましい。After joining the resin molded portion 30 and the island base 40, the light receiving element 210 is bonded to the horizontal upper surface 31. At this time, each of the inner lead portions 2 ″ is placed on the horizontal upper surface 31.
The upper end surface 18 is exposed at a pitch facing each of the electrode portions 202 on the lower surface side of the light receiving element 210, and the facing electrode portion 202 and the upper end surface 18 of the inner lead portion are electrically connected via the bump 50. Thereafter, the above-described exposed surface 19 of the inner lead portion 2 ″ and the LD chip 100 are electrically connected by wire bonding 3, and the cover 4 is placed from above to cover the entire upper surface of the assembly. This completes the semiconductor laser unit A. Since the upper end surface 18 of the inner lead portion 2 "is a cut surface, the bump 50
It is preferable to perform a lapping process in order to improve conductivity and connection reliability.
【0036】上記樹脂成形部30とアイランド基体40の接
合には、高周波接合、接着、溶着、嵌合い、係合等の適
宜な固着手段を採用することができる。また、上記台座
部33が受光素子210 を抱え込むような形状に成形し、各
電極部202 がインナーリード部上端面18に対し常時圧接
するようにすれば、上記バンプ50を介することなく電極
部202 とインナーリード部上端面18とを直接接続させる
こともできる。For the bonding between the resin molded portion 30 and the island substrate 40, appropriate fixing means such as high-frequency bonding, adhesion, welding, fitting, and engagement can be employed. If the pedestal portion 33 is formed so as to hold the light receiving element 210 and each electrode portion 202 is always pressed against the upper end surface 18 of the inner lead portion, the electrode portion 202 can be formed without the bump 50 interposed therebetween. And the inner lead portion upper end surface 18 can be directly connected.
【0037】そうして、上述のように構成されたこの例
の半導体レーザユニットAは、図1乃至図3で示した例
の利点に加えて、リードピン2との接続部である電極部
202を受光素子210 下面側に形成し、その電極部202 と
インナーリード部上端面18とを、ワイヤボンディング3
を介さずに直接または直接的に接続する構造としたの
で、ワイヤボンディング3を必要としない分、さらなる
小型化を図れる。また、前記電極部202 を受光素子210
下面側に形成するので、受光素子210 自体の小型化も図
れ、その結果、アイランド5の幅寸法(受光素子210 を
搭載するための幅寸法)をさらに縮小し得、大幅な小型
化が実現される等、さらに優れた利点を達成できる。The semiconductor laser unit A of this embodiment configured as described above has, in addition to the advantages of the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, an electrode portion which is a connection portion with the lead pin 2.
202 is formed on the lower surface side of the light receiving element 210, and the electrode portion 202 and the upper end surface 18 of the inner lead portion are connected by wire bonding 3
The structure is such that the connection is made directly or directly without any intervening wires, so that the size can be further reduced because the wire bonding 3 is not required. Further, the electrode section 202 is connected to the light receiving element 210.
Since the light receiving element 210 is formed on the lower surface side, the size of the light receiving element 210 itself can be reduced. As a result, the width dimension of the island 5 (the width dimension for mounting the light receiving element 210) can be further reduced, and a significant downsizing is realized. Even better advantages can be achieved.
【0038】尚、この実施の形態の他例としては、図示
しないが、アイランド5全体を樹脂による一体成形品と
しても良い。As another example of this embodiment, although not shown, the entire island 5 may be formed as an integral molded product of resin.
【0039】[0039]
【発明の効果】本発明は以上のように構成したから、下
記の利点がある。請求項1及び2では以上のように、L
Dチップ及び受光素子に電気的に接続する並列状のリー
ドピンを、アイランドの樹脂成形部に鉛直方向をもって
多数保持させるようにし、且つそのリードピンのインナ
ーリード部は、アイランドの上面部に固定する受光素子
の下側に位置して上記樹脂成形部内に埋め込むようにし
たので、アイランドの大幅な小型化が可能になり、超小
型化が要求されるであろう将来のニーズに対応可能な半
導体レーザユニットを提供することができる。その上、
アイランドに孔を開け、リードピンを挿入した後、その
孔を充填樹脂で閉塞したり、リードピンにインナーリー
ド部を折曲形成する必要がなく、またアイランド成形時
に型内でワイヤボンディングを行ったりリードピンの加
工を行う作業も無くなることから、成形工程、成形作業
も簡略化でき、歩留まりを向上させた上に低廉下で提供
することができる。また請求項1では上記の効果に加
え、インナーリード部を受光素子の下側に埋め込んだ構
造としながら、リードピンとLDチップ、受光素子との
電気的接続を確実に図ることができ、上述の効果をより
実効あるものとし得る。請求項2では上記の効果に加
え、インナーリード部を受光素子の下側に埋め込んだ構
造としながら、リードピンとLDチップとの電気的接続
を確実に図ることができる。さらに、受光素子下面に形
成した電極部とインナーリード部上端面とを直接または
直接的に接続するようにしたので、ワイヤボンディング
を必要としない分、さらなる小型化を図れ、且つ受光素
子自体の小型化も図れるので、その相乗効果によって、
さらに大幅な小型化が実現される。請求項3では、各リ
ードピンを樹脂成形部に保持させるための固定及び各リ
ードピン同士の絶縁を、リードフレームを芯体として行
うことができ、よって、リードピンを1本づつ型内に挿
入して位置合わせする成形時の煩雑さを解消することが
でき、請求項1または2で得られる成形工程、成形作業
の簡略化、歩留まり向上、低廉下での提供といった利点
を、より向上することができる。請求項4では、金属材
料からなるアイランドは樹脂製のアイランドに比べて高
精度な平面度、直角度を出すことができる。それ故、L
Dチップのような高い取付精度が要求される部品を安定
且つ精度良く取付けることができる上、レーザ光の出射
で発熱するLDチップの放熱性にも優れ、熱変形による
寸法変化への対応も向上するので、寸法安定性が向上し
て作動時の誤差発生率が低減し、信頼性の高い半導体レ
ーザユニットを提供できる。無論、高出力なLDチップ
にも対応可能になるから、幅広い要望に応答できる。As described above, the present invention has the following advantages. In claims 1 and 2, as described above, L
A plurality of parallel lead pins electrically connected to the D chip and the light receiving element are vertically held in the resin molded portion of the island, and the inner lead portion of the lead pin is fixed to the upper surface of the island. And embedded in the resin molded part, it is possible to significantly reduce the size of the island, and to provide a semiconductor laser unit that can respond to future needs where ultra-miniaturization is required. Can be provided. Moreover,
There is no need to open a hole in the island and insert the lead pin, then close the hole with the filling resin or bend the inner lead portion of the lead pin. Since there is no need to perform processing, the molding process and the molding operation can be simplified, and the yield can be improved and the product can be provided at low cost. According to the first aspect, in addition to the above effects, the electrical connection between the lead pins, the LD chip, and the light receiving element can be reliably achieved while the inner lead portion is embedded under the light receiving element. Can be made more effective. According to claim 2 in addition to the above effects, while the embedded structure of the inner lead portion on the lower side of the light receiving element, Ru can be achieved with certainty electrical connection between the lead pin and the LD chip. Further, since the electrode formed on the lower surface of the light receiving element is directly or directly connected to the upper end surface of the inner lead, the size of the light receiving element itself can be further reduced because wire bonding is not required. Can be achieved, and by the synergistic effect,
Further, a significant size reduction is realized. According to the third aspect, the fixing for holding the respective lead pins on the resin molded portion and the insulation between the respective lead pins can be performed by using the lead frame as a core body. It is possible to eliminate the complication of molding at the same time, and to further improve the advantages such as the molding process, the simplification of the molding operation, the improvement of the yield, and the provision at low cost, which are obtained in claim 1 or 2. According to the fourth aspect, the island made of a metal material can provide a higher degree of flatness and squareness than a resin island. Therefore, L
Parts that require high mounting accuracy, such as D chips, can be mounted stably and accurately, and the LD chips that generate heat by emitting laser light also excel in heat dissipation and respond to dimensional changes due to thermal deformation. Therefore, the dimensional stability is improved, the error occurrence rate during operation is reduced, and a highly reliable semiconductor laser unit can be provided. Needless to say, it can respond to a wide range of demands because it can support high-output LD chips.
【図1】半導体レーザユニットの斜視図でカバーを外し
た状態を示す。FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser unit with a cover removed.
【図2】図1の(X)−(X)線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line (X)-(X) of FIG.
【図3】半導体レーザユニットの組み立てを説明するた
めの斜視図。FIG. 3 is a perspective view for explaining assembly of the semiconductor laser unit.
【図4】他の実施の形態の半導体レーザユニットの斜視
図でカバーを外した状態を示す。FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor laser unit according to another embodiment, with a cover removed.
【図5】図4の(Y)−(Y)線断面図。FIG. 5 is a sectional view taken along line (Y)-(Y) of FIG. 4;
【図6】半導体レーザユニットの組み立てを説明するた
めの斜視図。FIG. 6 is a perspective view for explaining the assembly of the semiconductor laser unit.
【図7】半導体レーザユニットの組み立てを説明するた
めの斜視図。FIG. 7 is a perspective view for explaining the assembly of the semiconductor laser unit.
【図8】従来の半導体レーザユニットの断面図。FIG. 8 is a sectional view of a conventional semiconductor laser unit.
【図9】更に従来の半導体レーザユニットの斜視図で、
アイランドに対するリードピンの固定と絶縁とを樹脂モ
ールドで行っている状態を示す。FIG. 9 is a perspective view of a conventional semiconductor laser unit,
The state in which the fixing of the lead pins to the island and the insulation are performed by a resin mold is shown.
A:半導体レーザユニット 100 :レーザダ
イオードチップ(LDチップ) 200,210 :受光素子 202 :電極部 1,5:アイランド 2:リードピ
ン 2”:インナーリード部 3:ワイヤボ
ンディング 11,12,30:樹脂成形部 13,40 :アイラン
ド基体 14:取合部 50:バンプ 18:インナーリード部の上端部(突端部) 19:インナーリード部の露出面A: Semiconductor laser unit 100: Laser diode chip (LD chip) 200, 210: Light receiving element 202: Electrode part 1, 5: Island 2: Lead pin 2 ": Inner lead part 3: Wire bonding 11, 12, 30: Resin molding part 13 , 40: Island substrate 14: Joint 50: Bump 18: Upper end of inner lead (tip) 19: Exposed surface of inner lead
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−137580(JP,A) 特開 平4−290477(JP,A) 特開 平4−96390(JP,A) 特開 平3−8385(JP,A) 特開 平3−76185(JP,A) 実開 平4−4772(JP,U) 実開 平6−17255(JP,U) 実開 昭63−167766(JP,U) 実開 平1−169054(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00 H01L 31/02 - 31/0224 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-4-137580 (JP, A) JP-A-4-29077 (JP, A) JP-A-4-96390 (JP, A) JP-A-3-3 8385 (JP, A) JP-A-3-76185 (JP, A) JP-A-4-4772 (JP, U) JP-A-6-17255 (JP, U) JP-A-63-167766 (JP, U) (1) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50 H01L 33/00 H01L 31/02-31/0224
Claims (4)
の、側面部の所定箇所に光源用のレーザダイオードチッ
プを、上面部の所定箇所に信号読取用の受光素子をそれ
ぞれ固定すると共に、前記レーザダイオードチップまた
は受光素子に電気的に接続する複数のリードピンが、前
記アイランドの樹脂成形部に、鉛直方向をもって並列状
に保持されている半導体レーザユニットであって、 前記それぞれのリードピンは、そのインナーリード部
が、上記アイランドの上面部に固定した受光素子の下側
に位置して上記樹脂成形部内に埋め込まれており、且つ
そのインナーリード部が、その側面の一部を上記樹脂成
形部の側面に露出する露出面を有して該樹脂成形部内に
埋め込まれ、前記露出面と前記レーザダイオードチップ
または受光素子とをワイヤボンディングにより電気的に
接続してなる半導体レーザユニット。1. A laser diode chip for a light source is fixed to a predetermined position on a side surface of an island formed in an arbitrary three-dimensional shape, and a light-receiving element for signal reading is fixed to a predetermined position on an upper surface of the island. A semiconductor laser unit in which a plurality of lead pins electrically connected to a diode chip or a light receiving element are held in parallel in a vertical direction on a resin molded portion of the island, wherein each of the lead pins has an inner lead. Part is embedded in the resin molding part located below the light receiving element fixed to the upper surface part of the island , and
The inner lead part forms part of the side surface with the resin
With an exposed surface exposed on the side surface of the shape part
Embedded, the exposed surface and the laser diode chip
Or electrically connect to the light receiving element by wire bonding
A semiconductor laser unit connected .
の、側面部の所定箇所に光源用のレーザダイオードチッ
プを、上面部の所定箇所に信号読取用の受光素子をそれ
ぞれ固定すると共に、前記レーザダイオードチップまた
は受光素子に電気的に接続する複数のリードピンが、前
記アイランドの樹脂成形部に、鉛直方向をもって並列状
に保持されている半導体レーザユニットであって、 前記それぞれのリードピンは、そのインナーリード部
が、上記アイランドの上面部に固定した受光素子の下側
に位置して上記樹脂成形部内に埋め込まれており、 上記受光素子が、上記リードピンと電気的に接続するそ
れぞれの電極部を下面側に備え、且つ上記インナーリー
ド部は、その鉛直方向上端面が前記電極部と向かい合う
ように上記樹脂成形部内に埋め込まれ、前記電極部とイ
ンナーリード部上端面とを直接圧接、またはバンプを介
して接合させて、前記リードピンと各電極部を電気的に
接続し、 さらに上記インナーリード部は、その側面の一部を上記
樹脂成形部の側面に露出する露出面を有して該樹脂成形
部内に埋め込まれ、該露出面と前記レーザダイオードチ
ップとをワイヤボンディングにより電気的に接続した 半
導体レーザユニット。2. An island formed in an arbitrary three-dimensional shape.
A laser diode chip for the light source
A light-receiving element for signal reading at a predetermined location on the top
While fixing each, the laser diode chip or
Indicates a plurality of lead pins electrically connected to the light receiving element,
Vertically parallel to the resin molded part of the island
A semiconductor laser device that is held in, the respective lead pins, the inner lead portions
Is the lower side of the light receiving element fixed to the upper surface of the island.
And the light receiving element is embedded in the resin molded part, and the light receiving element is electrically connected to the lead pin.
Each electrode part is provided on the lower surface side, and the inner
The vertical end face of the gate section faces the electrode section.
Embedded in the resin molded part as described above,
Direct pressure contact with the upper end of the inner lead or via a bump
And electrically connect the lead pin and each electrode part.
Connect the inner lead part,
The resin molding has an exposed surface exposed on a side surface of the resin molding portion.
The exposed surface and the laser diode chip.
A semiconductor laser unit that is electrically connected to a chip by wire bonding .
ける並列状のリードピンに樹脂モールドで成形したもの
である請求項1または2に記載の半導体レーザユニッ
ト。3. The resin molded part is mounted on a lead frame.
Molded with resin mold on parallel lead pins
The semiconductor laser unit according to claim 1, wherein:
部と、それら両樹脂成形部によって挟持状に固定される
金属製のアイランド基体からなり、上記レーザダイオー
ドチップが前記アイランド基体の側面部に取り付けられ
ている請求項3記載の半導体レーザユニット。4. The resin molding method according to claim 1, wherein the island is a pair of front and rear resin moldings.
Part and are fixed in a pinched state by both resin molding parts
The laser diode is made of a metal island substrate.
Chip is attached to the side of the island substrate.
4. The semiconductor laser unit according to claim 3, wherein:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09059240A JP3128207B2 (en) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Semiconductor laser unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09059240A JP3128207B2 (en) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Semiconductor laser unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10256650A JPH10256650A (en) | 1998-09-25 |
JP3128207B2 true JP3128207B2 (en) | 2001-01-29 |
Family
ID=13107676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09059240A Expired - Fee Related JP3128207B2 (en) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Semiconductor laser unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3128207B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3919367B2 (en) * | 1998-12-08 | 2007-05-23 | ローム株式会社 | Laser unit and insulation block |
JP3712623B2 (en) * | 2001-02-01 | 2005-11-02 | シャープ株式会社 | Semiconductor laser package, manufacturing method thereof, and optical pickup device |
JP2003133627A (en) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Sharp Corp | Semiconductor laser apparatus |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP09059240A patent/JP3128207B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10256650A (en) | 1998-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7622750B2 (en) | Optical device package and optical semiconductor device using the same | |
US5409866A (en) | Process for manufacturing a semiconductor device affixed to an upper and a lower leadframe | |
US6353265B1 (en) | Semiconductor device | |
JPH09260538A (en) | Resin sealed semiconductor device manufacturing method and its mounting structure | |
JPH05109975A (en) | Resin-sealed type semiconductor device | |
US7420754B2 (en) | Optical module and method for manufacturing the same | |
JP3186684B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP3128207B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
JP3128206B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
JPH0758281A (en) | Formation of semiconductor device | |
JP3082170B2 (en) | Peltier element for wire bonding | |
JP3209721B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
JP3381447B2 (en) | Semiconductor device | |
JP3243193B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
JP2000232182A (en) | Semiconductor device of bga structure and its manufacture | |
JP3327522B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
JP2000012972A (en) | Semiconductor laser unit | |
JP3749819B2 (en) | Semiconductor laser unit | |
KR20000035215A (en) | Semiconductor device and method of producing same | |
JP2010098227A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2000091490A (en) | Semiconductor device | |
JP3410752B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR20000047956A (en) | Laser unit and insulation block used for same | |
JPH05136312A (en) | Semiconductor device | |
JP2004311707A (en) | Package for laser diode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110 Year of fee payment: 13 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |