KR20000047956A - Laser unit and insulation block used for same - Google Patents
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
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Abstract
Description
본 발명은, 레이저 유니트 및 절연블록에 관한 것이며, 특히 예를들면 CD나 DVD 등과 같은 광 디스크로부터 정보를 판독하는데 사용되는 레이저 유니트 및 그와 같은 레이저 유니트에 사용되는 절연블록에 관한 것이다.The present invention relates to laser units and insulating blocks, and more particularly to laser units used for reading information from optical discs such as CDs or DVDs, and insulating blocks used in such laser units.
종래의 레이저 유니트의 일예가 일본국 특개평6-76340호 공보[G11B 7/135〕에 개시되어 있다.An example of a conventional laser unit is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 6-76340 [G11B 7/135].
이 종래의 기술은, 패키지의 기준면에 설치된 반도체 레이저 소자로부터 기준면에 대하여 평행방향으로 레이저광을 출사하고, 이 레이저광을 광학소자(45° 프리즘)에 의해 직각으로 반사하도록 한 것이다.This conventional technique emits laser light in a direction parallel to the reference plane from a semiconductor laser element provided on the reference plane of the package, and reflects the laser light at right angles by an optical element (45 ° prism).
종래의 기술에서는, 고가의 광학소자를 사용하고 있었기 때문에, 전체적으로 고비용이 되는 문제점이 있었다.In the prior art, since expensive optical elements are used, there is a problem that the overall cost is high.
또, 조립공정에 있어서는, 광학소자의 위치를 조정하는 작업이 필요하게 되며, 또한 이 조정작업은 레이저광의 입사각과 반사각을 고려하지 않으면 안되기 때문에 기술적으로 곤란하고, 조립작업성 및 품질면에서 문제가 있었다.In the assembling process, an operation of adjusting the position of the optical element is required, and this adjustment operation is technically difficult because the incidence angle and the reflection angle of the laser light must be considered. there was.
따라서, 본 발명의 주된 목적은, 새로운 구조의 레이저 유니트를 제공하는데 있다.Therefore, the main object of the present invention is to provide a laser unit of a new structure.
본 발명의 다른 목적은, 새로운 레이저 유니트에 이용될 수 있는 절연블록을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an insulating block that can be used in a new laser unit.
본 발명의 또 다른 목적은, 저렴하고 간단하며 또한 정확하게 조립할 수가 있는 레이저 유니트 및 그와 같은 레이저 유니트에 사용되는 절연블록을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a laser unit which can be assembled inexpensively, simply and accurately, and an insulating block for use in such a laser unit.
도 1은, 본 발명의 한 실시예를 나타내는 도해도.1 is a diagram showing one embodiment of the present invention.
도 2는, 도 1의 실시예가 적용되는 광 픽업 장치를 나타내는 도해도.2 is a diagram showing an optical pickup device to which the embodiment of FIG. 1 is applied.
도 3은, 광 검출기 및 절연블록을 나타내는 사시도.3 is a perspective view showing a photo detector and an insulating block;
도 4는, 절연블록을 나타내는 사시도.4 is a perspective view showing an insulating block;
도 5는, 서브마운트 및 레이저 소자를 나타내는 사시도.5 is a perspective view illustrating a submount and a laser device.
도 6은, 절연블록의 형성방법을 나타내는 도해도.6 is a diagram showing a method of forming an insulating block.
도 7은, 절연블록 및 서브마운트를 나타내는 사시도.7 is a perspective view showing an insulating block and a submount;
도 8은, 상기 도 1의 실시예의 조립방법을 나타내는 도해도.8 is a diagram showing an assembly method of the embodiment of FIG.
도 9는, 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도해도.9 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
도 10은, 본 발명의 그 밖의 실시예를 나타내는 도해도.10 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
10. 레이저 유니트 12. 광 픽업장치10. Laser unit 12. Optical pickup device
14. 광 디스크 16. 패키지14. Optical disc 16. Package
18. 기준면 20. 본체(本體)18. Reference plane 20. Main body
22. 벽부(壁部) 24. 리드 단자22. Wall 24. Lead terminal
26. 단자 28. 광 검출기26. Terminal 28. Photo detector
30. 절연블록 32. 본체30. Insulation block 32. Body
34. 수광부 36. 신호 단자34. Receiver 36. Signal terminal
38. 전압 단자 40. 직방체 본체38. Voltage terminal 40. Rectangular body
42a∼42d. 홈 44. 금속배선42a to 42d. Home 44. Metal Wiring
46. 서브마운트 48. 레이저 소자46. Submount 48. Laser Devices
50. 볼록형 본체 52, 54, 56. 단자50. Convex body 52, 54, 56. Terminal
58. 홀루그랩 소자 60. 대물(對物) 렌즈58. Hologlap element 60. Objective lens
본 발명에 다른 레이저 유니트는, 다음의 것을 구비한다 : 기준면을 갖는 패키지와 ; 상호 직교하는 제1면과 제2면을 가지며, 제1면이 기준면에 접합되는 절연블록과 ; 제2면에 접합되는 서브마운트과 ; 서브마운트에 접합되는 레이저 소자를 구비하는 레이저 유니트이다.A laser unit according to the present invention includes the following: a package having a reference surface; An insulating block having a first surface and a second surface orthogonal to each other and having a first surface joined to a reference surface; A submount joined to the second surface; It is a laser unit provided with the laser element joined to a submount.
본 발명에 의한 절연블록은, 그와 같은 레이저 유니트에 사용될 수 있으며, 다음의 것을 구비한다.The insulating block according to the present invention can be used in such a laser unit and includes the following.
상호 직교하는 제1면과 제2면을 가짐과 동시에 절연재료로 이루어진 본체와 ; 제1면과 제2면에 걸쳐 본체에 형성되는 홈과 ; 홈에 매입되는 금속배선이다.A main body having a first surface and a second surface perpendicular to each other and made of an insulating material; A groove formed in the main body over the first and second surfaces; Metal wiring embedded in the groove.
레이저 유니트를 조립할 때에는, 레이저 소자가 접합된 서브마운트가 절연블록의 제2면에 접합되고, 이 절연블록의 제1면이 패키지의 기준면에 접합된다.When assembling the laser unit, the submount to which the laser elements are bonded is joined to the second surface of the insulating block, and the first surface of the insulating block is joined to the reference surface of the package.
절연블록의 제1면과 제2면은 상호 직교하도록 형성되어 있기 때문에, 제1면을 기준면에 접합시키면 제2면은 필연적으로 기준면에 대하여 수직으로 배치되게 된다.Since the first surface and the second surface of the insulating block are formed to be orthogonal to each other, when the first surface is bonded to the reference surface, the second surface is necessarily arranged perpendicular to the reference surface.
따라서, 기준면에 대하여 레이저광의 광축을 수직으로 하기 위해서는, 서브마운트를 절연블록의 제2면에 접합시킬 때에, 레이저 소자의 광축이 제1면에 대하여 수직이 되도록 조정하는 것 만으로도 되어, 종래와 같은 광학소자의 위치조정 작업은 필요 없다.Therefore, in order to make the optical axis of the laser beam perpendicular to the reference plane, it is only necessary to adjust the optical axis of the laser element perpendicular to the first plane when bonding the submount to the second surface of the insulating block. Positioning of the optical element is not necessary.
본 발명에 의하면, 광학 소자를 사용할 필요가 없기 때문에, 전체적으로 염가로 제조할 수 있다.According to this invention, since it is not necessary to use an optical element, it can manufacture at low cost as a whole.
또, 레이저 유니트를 간단한 공정으로 정확히 조립할 수가 있기 때문에, 제조공정을 간소화 할 수 있음과 동시에 품질을 안정시킬 수 있다.In addition, since the laser unit can be accurately assembled in a simple process, the manufacturing process can be simplified and the quality can be stabilized.
본 발명의 상술한 목적과 그 밖의 목적, 특징 및 이점은 도면을 참조하여 행하는 이하의 실시예의 상세한 설명으로부터 일층 명확하게 될 것이다.The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments made with reference to the drawings.
(실시예)(Example)
도 1에 나타내는 본 실시예의 레이저 유니트(10)은, 도 2에 나타내는 바와 같은 광 픽업장치(12)내에 편입되어, CD나 DVD 등과 같은 광 디스크(14)로부터 정보를 판독하는 것이다.The laser unit 10 of this embodiment shown in FIG. 1 is incorporated in the optical pickup device 12 as shown in FIG. 2 and reads information from an optical disk 14 such as a CD or a DVD.
레이저 유니트(10)은, 수지나 세라믹 등으로 이루어진 패키지(16)을 포함한다.The laser unit 10 includes a package 16 made of resin, ceramics, or the like.
패키지(16)은, 기준면(18)을 갖는 판형상의 본체(20)을 포함하고, 본체(20)의 상면 둘레 가장자리부로부터 기립되는 벽부(22)가 형성된다.The package 16 includes a plate-shaped body 20 having a reference surface 18, and a wall portion 22 standing up from an upper peripheral edge of the body 20 is formed.
또, 본체(20)의 길이방향 양 끝부에는 복수의 리드단자(24)가 설치되며, 벽부(22)의 내측에 있어서의 본체(20)의 상면에는 리드단자(24)와 전기적으로 도통된 복수의 단자(26)이 설치된다.In addition, a plurality of lead terminals 24 are provided at both ends of the main body 20 in the longitudinal direction, and a plurality of conductors electrically connected to the lead terminals 24 on the upper surface of the main body 20 inside the wall portion 22. Terminal 26 is provided.
그리고, 벽부(22)의 내측에 있어서의 기준면(18)에는, 광 검출기(28) 및 절연블록(30)이 다이본딩(die-bonding)된다.The photodetector 28 and the insulating block 30 are die-bonded to the reference surface 18 inside the wall portion 22.
광 검출기(28)은, 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 실리콘 등과 같은 반도체 재료로 이루어진 직방체의 본체(32)를 포함한다.As can be seen in FIG. 3, the photodetector 28 includes a rectangular parallelepiped body 32 made of a semiconductor material such as silicon.
본체(32)의 상면과 하면은 상호 평행하게 형성되며, 상면에는 레이저광을 수광하는 복수의 수광소자(34a)∼(34f)를 포함하는 수광부(34)와, 수광부(34)로부터의 신호를 끌어내기 위한 신호단자(36) 및 수광부(34)에 전압을 부여하기 위한 전압단자(38)이 형성된다.The upper and lower surfaces of the main body 32 are formed parallel to each other, and the upper surface and the lower surface of the main body 32 include a light receiving portion 34 including a plurality of light receiving elements 34a to 34f for receiving laser light, and a signal from the light receiving portion 34. A voltage terminal 38 for applying a voltage to the signal terminal 36 and the light receiving unit 34 for drawing is formed.
그리고, 본체(32)의 하면이 기준면(18)에 다이본딩되며, 신호단자(36) 및 전압단자(38)의 각각이 패키지(16)에 설치된 대응하는 단자(26)에 와이어 본딩된다.Then, the lower surface of the main body 32 is die bonded to the reference plane 18, and each of the signal terminal 36 and the voltage terminal 38 is wire bonded to the corresponding terminal 26 provided in the package 16.
절연블록(30)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 세라믹 등과 같은 절연재료로 이루어진 직방체의 본체(40)을 포함하고, 본체(40)의 상면과 하면은 상호 평행하게 형성되며, 본체(40)의 하면과 좌측면과는 상호 직교하도록 형성된다.As shown in FIG. 4, the insulating block 30 includes a main body 40 of a rectangular parallelepiped made of an insulating material such as ceramic, and the upper and lower surfaces of the main body 40 are formed in parallel with each other. The lower surface and the left surface of the are formed to be perpendicular to each other.
또, 본체(40)에는, 상면과 좌우 양 측면에 걸쳐 대략 "U"형의 홈(42a) 및 (42b)가 형성되며, 하면과 좌우 양 측면에 걸쳐 대략 "U"형의 홈(42c) 및 (42d)가 형성되고, 각각의 홈(42a)∼(42d)에는, Al, Cu 또는 42합금 등과 같은 금속배선(44a)∼(44d)가 매입된다.In addition, the main body 40 is formed with grooves 42a and 42b having substantially "U" shapes on the upper surface and both left and right sides, and the grooves 42c having substantially "U" shapes on both the lower surface and the left and right sides. And 42d are formed, and metal wirings 44a to 44d such as Al, Cu, 42 alloy or the like are embedded in the grooves 42a to 42d, respectively.
또한, 금속배선(44a)∼(44d)의 표면에는 Ag 또는 Au 등과 같은 도금층이 형성된다.Further, a plating layer such as Ag or Au is formed on the surfaces of the metal wirings 44a to 44d.
그리고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 본체(40)의 하면이 기준면(18)에 다이본딩되며, 금속배선(44a) 및 (44b)와 대응하는 리드단자(26)이 와이어 본딩된다.3, the lower surface of the main body 40 is die-bonded to the reference surface 18, and the lead terminals 26 corresponding to the metal wirings 44a and 44b are wire-bonded.
금속배선(44c)는 절연블록(30) 자신의 GND단자로 된다.The metal wire 44c becomes the GND terminal of the insulating block 30 itself.
또, 절연블록(30)의 좌측면에 있어서의 금속배선(44a)에 대응하는 위치에는, 도 5에 도시하는 바와 같은 서브마운트(46)이 다이본딩되며, 서브마운트(46)에는 반도체 레이저 소자(이하, 간단히「레이저 소자」라 함)(48)이 다이본딩된다.In addition, a submount 46 as shown in FIG. 5 is die-bonded at a position corresponding to the metal wiring 44a on the left side of the insulating block 30, and the semiconductor laser device is attached to the submount 46. In FIG. 48 (hereinafter simply referred to as "laser element") is die bonded.
서브마운트(46)은, 실리콘 등과 같은 절연재료로 이루어진 블록 형상의 본체(50)을 포함하고, 본체(50)의 좌측면과 우측면은 상호 평행하게 형성되며, 본체(50)의 내부에는 레이저 소자(48)의 출력을 모니터하기 위한 포토다이오드가 내장된다.The submount 46 includes a block-shaped main body 50 made of an insulating material such as silicon, and the left side and the right side of the main body 50 are formed in parallel with each other, and a laser element is formed inside the main body 50. A photodiode for monitoring the output of 48 is built in.
또, 본체(50)의 좌측면에는, 우측면에 형성된 단자와 전기적으로 도통하는 단자(52)와, 레이저 소자(48)의 하부전극과 도통하는 단자(54) 및 본체(50)의 내부에 설치된 포토다이오드와 도통하는 단자(56)이 형성된다.Further, the left side of the main body 50 is provided inside the terminal 52 electrically conducting with the terminal formed on the right side, the terminal 54 conducting with the lower electrode of the laser element 48 and the main body 50. A terminal 56 is formed to conduct with the photodiode.
한편, 레이저 소자(48)은, 레이저광의 출사단면(48a)를 포함하며, 레이저 소자(48)의 상부 전극면과 하부 전극면은 레이저광의 광축에 대하여 평행하게 형성된다.On the other hand, the laser element 48 includes an emission cross section 48a of the laser light, and the upper electrode surface and the lower electrode surface of the laser element 48 are formed parallel to the optical axis of the laser light.
그리고, 레이저 소자(48)의 하부 전극면이 서브마운트(46)의 좌측면에 다이본딩되며, 그에 의해 레이저 소자(48)의 하부 전극과 서브마운트(46)의 단자(54)가 접속된다.The lower electrode surface of the laser element 48 is die-bonded to the left side of the submount 46, whereby the lower electrode of the laser element 48 and the terminal 54 of the submount 46 are connected.
그리고, 레이저 소자(48)의 상부 전극과 서브마운트(46)의 단자(52)가 와이어 본딩(도5)되며, 서브마운트(46)의 단자(54) 및 (56)과 대응하는 금속배선(44)가 각각 와이어 본딩(도1, 도3)된다.The upper electrode of the laser element 48 and the terminal 52 of the submount 46 are wire bonded (FIG. 5), and the metal wires corresponding to the terminals 54 and 56 of the submount 46 are connected. 44 are wire bonded (FIGS. 1 and 3), respectively.
그리고, 패키지(16)의 상부에는, 레이저광을 투과시키기 위한 창을 갖는 도시하지 않은 커버가 장착된다.And the cover which is not shown in figure which has the window for transmitting a laser beam is attached to the upper part of the package 16. As shown in FIG.
레이저 유니트(10)을 조립할 때에는, 패키지(16), 광 검출기(28), 절연블록(30), 서브마운트(46) 및 레이저소자(48) 등의 각 부품을 개별로 형성하여 준비한다.When assembling the laser unit 10, each component such as the package 16, the photodetector 28, the insulating block 30, the submount 46, and the laser element 48 is separately formed and prepared.
절연블록(30)을 형성할 때에는, 먼저, 도 6에 나타내는 바와 같이, 세라믹 등으로 이루어진 판체(40a)를 준비하고, 이 판체(40a)에 복수의 긴구멍(42a)를 형성한다.When forming the insulating block 30, first, as shown in FIG. 6, the board body 40a which consists of ceramics etc. is prepared, and several long hole 42a is formed in this board body 40a.
그리고, 긴구멍(42a)의 각각에 Al, Cu 또는 42합금 등과 같은 금속(금속배선)(44)를 충전한 후, 도 6 가운데 2점 쇄선으로 나타낸 절단선에 따라 판체(40a)를 절단한다.Each of the long holes 42a is filled with a metal (metal wiring) 44 such as Al, Cu, 42 alloy or the like, and then the plate body 40a is cut along the cut line indicated by the dashed-dotted line in FIG. 6. .
이와같이 하여 본체(40)을 얻은 후에, 금속배선(44)의 표면에 Ag 또는 Au 등과 같은 도금층을 전해도금법 등에 의해 형성한다.After the main body 40 is obtained in this manner, a plating layer such as Ag or Au is formed on the surface of the metal wiring 44 by the electroplating method or the like.
또한, 판체(40a)의 두께는 0.8∼1.5mm 정도, 긴구멍(42a)의 긴 지름은 0.5∼0.8mm 정도로 설정된다.In addition, the thickness of the plate body 40a is set to about 0.8-1.5 mm, and the long diameter of the long hole 42a is set to about 0.5-0.8 mm.
조립공정에 있어서는, 먼저 도 7에 나타내는 바와 같이, 레이저 소자(48)을 서브마운트(46)에 다이본딩하고, 또한 서브마운트(46)을 절연블록(30)의 금속배선(44a)에 대응하는 위치에 다이본딩하여 이들을 일체화한다.In the assembling step, first, as shown in FIG. 7, the laser element 48 is die-bonded to the submount 46, and the submount 46 corresponds to the metal wiring 44a of the insulating block 30. Die-bond to locations to integrate them.
이때, 레이저 소자(48)의 광축이 절연블록(30)의 하면에 대하여 수직이 되도록 절연블록(30)에 대한 서브마운트(46)의 위치를 조정한다.At this time, the position of the submount 46 with respect to the insulating block 30 is adjusted so that the optical axis of the laser element 48 is perpendicular to the lower surface of the insulating block 30.
이어서, 도 8에 나타내는 바와 같이, 패키지(16)의 기준면(18)에 광 검출기(28) 및 절연블록(30)을 Ag페이스트 등의 금속 페이스트 또는 도전성 접착제를 사용하여 다이본딩한다.8, the photodetector 28 and the insulating block 30 are die-bonded to the reference surface 18 of the package 16 using metal pastes, such as Ag paste, or a conductive adhesive.
절연블록(30)의 하면과 좌측면은 서로 수직으로 형성되어 있기 때문에, 절연블록(30)의 하면을 기준면(18)에 다이본딩하면, 좌측면은 기준면(18)에 대하여 반드시 수직으로 되며, 레이저 소자(48)의 광축도 기준면(18)에 대하여 반드시 수직으로 된다.Since the lower surface and the left surface of the insulating block 30 are formed perpendicular to each other, when the lower surface of the insulating block 30 is die-bonded to the reference surface 18, the left surface is necessarily perpendicular to the reference surface 18, The optical axis of the laser element 48 is also essentially perpendicular to the reference plane 18.
따라서, 기준면(18)에 절연블록(30)을 다이본딩 할 때에는, 광축방향을 조정할 필요가 없다.Therefore, when die-bonding the insulating block 30 to the reference plane 18, it is not necessary to adjust the optical axis direction.
그리고, 필요한 개소를 와이어본딩에 의해 상호 접속시키고, 최후에 커버를 장착한다.The necessary locations are interconnected by wire bonding, and the cover is finally attached.
이와같은 레이저 유니트(10)이, 도 2에 나타내는 바와 같이, 홀로그램 소자(58) 및 대물 렌즈(60) 등과 함께 픽업장치(12)내에 조립된다.As shown in FIG. 2, such a laser unit 10 is assembled in the pickup device 12 together with the hologram element 58, the objective lens 60, and the like.
그리고, 레이저 소자(48)로부터의 레이저광이 디스크(14)에서 정확히 반사되고, 또한 레이저 유니트(10)의 수광부(34)에 정확히 집광되도록, 수광부(34)로부터의 출력신호에 기초하여 홀로그램 소자(58) 및 대물 렌즈(60)의 위치가 조정된다.The hologram element is based on the output signal from the light receiving portion 34 so that the laser light from the laser element 48 is accurately reflected on the disk 14 and is correctly concentrated on the light receiving portion 34 of the laser unit 10. And the position of the objective lens 60 is adjusted.
이 실시예에 의하면, 절연블록(30)의 죄측면이 기준면(18)에 대하여 수직으로 배치되므로, 좌측면에 접합된 레이저 소자(48)의 광축도 기준면(18)에 대하여 수직으로 된다.According to this embodiment, since the clamping surface of the insulating block 30 is disposed perpendicular to the reference plane 18, the optical axis of the laser element 48 bonded to the left surface is also perpendicular to the reference plane 18.
따라서, 종래와 같은 번잡한 광축의 조정작업이 불필요하며, 간단한 공정으로 정확히 조립할 수가 있다.Therefore, it is unnecessary to adjust a complicated optical axis as in the prior art, and it is possible to assemble precisely in a simple process.
또, 고가의 광학 소자를 필요로 하지 않기 때문에, 제조비를 저감할 수가 있다.Moreover, since an expensive optical element is not needed, manufacturing cost can be reduced.
또한, 상기한 실시예에서는, 절연블록(30)에 대략 "U"형의 홈(42a)∼(42d)를 형성하고 있으나, 홈(42a)∼(42d)의 형상은 적절히 변경 가능하며, 예를들어 도 9에 나타내는 바와 같이, 대략 "コ"형으로 형성하여도 좋다.Incidentally, in the above-described embodiment, the grooves 42a to 42d having substantially "U" shapes are formed in the insulating block 30, but the shape of the grooves 42a to 42d can be appropriately changed. For example, as shown in FIG. 9, you may form substantially in "co" shape.
또, 도 10에 나타내는 바와 같이, 패키지(16)의 기준면(18)에 오목부(64)를 형성하고, 이 오목부(64)에 절연블록(30)을 끼워넣도록 하여도 좋다.10, the recessed part 64 may be formed in the reference surface 18 of the package 16, and the insulating block 30 may be inserted in this recessed part 64. As shown in FIG.
오목부(64)를 미리 형성해 두면, 기준면(18)에 절연블록(30)을 위치결정할 때의 작업성을 향상시킬 수 있다.If the recessed part 64 is formed previously, the workability at the time of positioning the insulating block 30 in the reference surface 18 can be improved.
또한, 홀로그램 소자(58)과 패키지(16)의 커버를 일체로 형성하고, 수광부(34)로부터의 출력신호에 기초하여 홀로그램 소자(56)의 위치를 조정한 후, 이 일체물을 패키지(16)에 접착시키도록 하여도 좋다.In addition, the hologram element 58 and the cover of the package 16 are integrally formed, the position of the hologram element 56 is adjusted based on the output signal from the light receiving unit 34, and then the integral body is packaged. ) May be adhered to.
상기한 바와 같이 본 발명이 상세히 설명되고 도시되었으나, 이것은 도면에 의한 설명과 한 예로서 사용한 것으로서, 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며, 본 발명의 사상과 범위는 첨부된 특허청구의 범위의 기재에 의해서만 한정된다.Although the present invention has been described and illustrated in detail as described above, it is used as an example and description of the drawings, and should not be construed as limited, the spirit and scope of the present invention only by the description of the appended claims It is limited.
본 발명에 의하면, 광학 소자를 사용할 필요가 없기 때문에, 전체적으로 염가로 제조할 수 있다.According to this invention, since it is not necessary to use an optical element, it can manufacture at low cost as a whole.
또, 레이저 유니트를 간단한 공정으로 정확히 조립할 수가 있기 때문에, 제조공정을 간소화할 수 있으며, 동시에 품질을 안정시킬 수 있다.In addition, since the laser unit can be accurately assembled in a simple process, the manufacturing process can be simplified and the quality can be stabilized at the same time.
Claims (7)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-349071 | 1998-12-08 | ||
| JP34907198A JP3919367B2 (en) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Laser unit and insulation block |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000047956A true KR20000047956A (en) | 2000-07-25 |
| KR100590991B1 KR100590991B1 (en) | 2006-06-19 |
Family
ID=18401302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990055397A KR100590991B1 (en) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Laser unit and insulation block used for same |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3919367B2 (en) |
| KR (1) | KR100590991B1 (en) |
| TW (1) | TW457480B (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100521920B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-10-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | Semiconductor laser device |
| JP2012256853A (en) * | 2011-05-18 | 2012-12-27 | Japan Oclaro Inc | Array type light receiving device, optical receiving module, and optical transceiver |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4001744B2 (en) * | 2001-12-27 | 2007-10-31 | 三菱電機株式会社 | Light receiving element carrier and optical receiver |
| JP2005244192A (en) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Sharp Corp | Semiconductor laser device and optical pickup device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577989A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mount for semiconductor laser |
| JPS60106425A (en) * | 1983-10-28 | 1985-06-11 | 有限会社三輪エンジニアリング | Window wiping device |
| KR900000838B1 (en) * | 1987-09-30 | 1990-02-17 | 삼성전자 주식회사 | Semiconductor laser manufacturing method using angular submount |
| JPH01138781A (en) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JP3230301B2 (en) * | 1992-11-17 | 2001-11-19 | ソニー株式会社 | Laser light generator |
| JP4023698B2 (en) * | 1996-11-15 | 2007-12-19 | シチズン電子株式会社 | Manufacturing method of side-use electronic component with bottom electrode |
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-
1998
- 1998-12-08 JP JP34907198A patent/JP3919367B2/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-06 TW TW088121278A patent/TW457480B/en not_active IP Right Cessation
- 1999-12-07 KR KR1019990055397A patent/KR100590991B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100590991B1 (en) | 2006-06-19 |
| TW457480B (en) | 2001-10-01 |
| JP2000174374A (en) | 2000-06-23 |
| JP3919367B2 (en) | 2007-05-23 |
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