JP3126139B2 - Cleaning equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、洗浄装置に関し、特に純水を用いて洗浄処
理を行なう洗浄装置に関する。Description: Object of the Invention (Industrial application field) The present invention relates to a cleaning apparatus, and more particularly to a cleaning apparatus that performs a cleaning process using pure water.
（従来の技術） 従来、純水を用いて洗浄処理を行う洗浄装置として、
例えば半導体ウエハ製造装置における洗浄装置がある。(Prior art) Conventionally, as a cleaning device for performing a cleaning process using pure water,
For example, there is a cleaning apparatus in a semiconductor wafer manufacturing apparatus.
通常、半導体ウエハ製造工場では、半導体ウエハの製
造に必要な純水を工場内に蓄え、この蓄えた純水を純水
供給システムにて各処理部に供給するようにしている。Normally, in a semiconductor wafer manufacturing factory, pure water required for manufacturing a semiconductor wafer is stored in the factory, and the stored pure water is supplied to each processing unit by a pure water supply system.
そして、従来の純水を用いる半導体ウエハの洗浄装置
は、上記純水供給システムと洗浄処理槽とを直結し、純
水供給システムから直接純水を洗浄処理槽に供給して洗
浄処理を行うようにしていた。Then, the conventional semiconductor wafer cleaning apparatus using pure water directly connects the pure water supply system and the cleaning treatment tank, and supplies pure water to the cleaning treatment tank directly from the pure water supply system to perform the cleaning treatment. I was
（発明が解決しようとする課題） 上記従来の洗浄装置にあっては、工場内に予め設置さ
れている純水供給システムを利用して、この純水供給シ
ステムから直接純水を洗浄処理槽に供給するようにして
いるが、半導体ウエハの洗浄においては所望する洗浄が
できず、流量が増加するばかりでなく処理時間が長かっ
た。(Problems to be Solved by the Invention) In the above-described conventional cleaning apparatus, pure water is directly supplied from the pure water supply system to the cleaning tank by using a pure water supply system previously installed in a factory. However, in the cleaning of the semiconductor wafer, the desired cleaning could not be performed, so that the flow rate was increased and the processing time was long.
従って、スループットが低下するという問題があっ
た。Therefore, there is a problem that the throughput is reduced.
そこで本発明は、洗浄効果を変速で実行し、スループ
ットを向上させることのできる洗浄装置を提供すること
を、その解決課題としている。Accordingly, an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of performing a cleaning effect at a variable speed and improving the throughput.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係る洗浄装置は、 洗浄処理槽内に処理液を供給して、洗浄処理槽内で被
処理体を洗浄処理する洗浄装置において、 前記洗浄処理槽に供給する処理液を処理液供給部より
受け取って貯える貯液槽と、 前記貯液槽内の処理液を0.5〜2kg/cm2に加圧し、この
加圧された処理液を前記洗浄処理槽に供給可能とする加
圧装置と を備え、 前記処理液供給部及び洗浄処理槽のいずれか一方に交
互に接続される前記貯液槽を複数設けたことを特徴とす
る。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention supplies a processing liquid into a cleaning tank and performs a cleaning process on an object to be processed in the cleaning tank. In the cleaning apparatus, a processing tank to receive and store the processing liquid supplied to the cleaning processing tank from the processing liquid supply unit, and pressurize the processing liquid in the storage tank to 0.5 to 2 kg / cm 2 , And a pressurizing device capable of supplying the processed processing liquid to the cleaning processing tank, wherein a plurality of the liquid storage tanks alternately connected to one of the processing liquid supply unit and the cleaning processing tank are provided. Features.
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１に
記載の洗浄装置において、前記貯液槽は、処理液量の上
限及び下限を検出する上限センサー及び下限センサーを
備えていることを特徴とする。A cleaning device according to a second aspect of the present invention is the cleaning device according to the first aspect, wherein the liquid storage tank includes an upper limit sensor and a lower limit sensor that detect an upper limit and a lower limit of the processing liquid amount. Features.
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１ま
たは２に記載の洗浄装置において、前記加圧装置は、圧
力調整用レギュレータ及びフィルターを備えていること
を特徴とする。A cleaning device according to a third aspect of the present invention is the cleaning device according to the first or second aspect, wherein the pressurizing device includes a regulator for adjusting pressure and a filter.
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、請求項１な
いし３のいずれかに記載の洗浄装置において、前記加圧
装置は、N2ガスを供給して加圧する加圧装置であること
を特徴とする。A cleaning apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the cleaning apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the pressurizing apparatus is a pressurizing apparatus that supplies and pressurizes N 2 gas. Features.
（作 用） 請求項１に記載の発明に係る洗浄装置は、処理液供給
部から処理液を貯液槽に供給して、この貯液槽に一旦処
理液を貯めるようになっている。そして、この貯められ
た処理液は必要に応じて洗浄処理槽に供給される。した
がって処理液供給部からの供給圧力がそれほど高くなく
ても、洗浄処理槽への処理液の供給は適正な圧力で行う
ことが可能となる。また、洗浄処理槽は、一時に大量の
処理液の供給を受けることが可能となる。そして、被処
理体表面に付着した薬液が、短時間に供給された処理液
で置換されることにより、均一な洗浄が可能である。(Operation) In the cleaning device according to the first aspect of the present invention, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit to the storage tank, and the processing liquid is temporarily stored in the storage tank. Then, the stored processing liquid is supplied to a cleaning processing tank as needed. Therefore, even if the supply pressure from the processing liquid supply unit is not so high, it is possible to supply the processing liquid to the cleaning processing tank at an appropriate pressure. Further, the cleaning tank can receive a large amount of processing liquid at a time. Then, the chemical liquid attached to the surface of the object to be processed is replaced with the processing liquid supplied in a short time, whereby uniform cleaning can be performed.
さらに、処理液を0.5〜2kg/cm2に加圧することによ
り、適正な流量を確保して、洗浄効果を高めることが可
能となると共に、洗浄処理槽を短時間で満たすことがで
き、スループットの向上が可能となる。また、このよう
に処理液の加圧範囲を規定することによって、洗浄処理
槽内でボートに載置された被処理体が、意図しない移動
をしたり、ボートから外れてしまったりすることがな
い。Furthermore, by pressurizing the processing liquid to 0.5 to 2 kg / cm2, it is possible to secure an appropriate flow rate and enhance the cleaning effect, and to fill the cleaning processing tank in a short time, thereby improving throughput. Improvement is possible. Further, by defining the pressure range of the processing liquid in this way, the object to be processed placed on the boat in the cleaning tank does not move unintentionally or come off the boat. .
そして、本発明に係る洗浄装置は、処理液供給部及び
洗浄処理槽のいずれか一方に交互に接続される貯液槽を
複数備えている。したがって、一の貯液槽から処理液を
洗浄処理槽に供給している間に、他の貯液槽に処理液を
供給するようにすることで、貯液槽に処理液を供給する
ための待ち時間をなくすことができ、洗浄処理間隔を短
くすることが可能となる。The cleaning apparatus according to the present invention includes a plurality of liquid storage tanks alternately connected to one of the processing liquid supply unit and the cleaning processing tank. Therefore, while supplying the processing liquid from one storage tank to the cleaning processing tank, the processing liquid is supplied to the other storage tank to supply the processing liquid to the storage tank. The waiting time can be eliminated, and the cleaning processing interval can be shortened.
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、処理液量の
上限及び下限を検出する上限センサー及び下限センサー
を、貯液槽が備えている。したがって、処理液供給部か
ら貯液槽への処理液の供給時に、処理液量が所定量に達
したことを上限センサーによって把握することができ、
確実に貯液槽への処理液の充填を行うことができる。ま
た、貯液槽から洗浄処理槽への処理液の供給時には、所
定量の処理液を洗浄処理槽に供給したことを下限センサ
ーによって把握することができ、所定量の処理液を確実
に洗浄処理槽に供給することが可能となる。In the cleaning device according to the second aspect of the invention, the liquid storage tank includes an upper limit sensor and a lower limit sensor that detect an upper limit and a lower limit of the processing liquid amount. Therefore, when the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit to the storage tank, it can be grasped by the upper limit sensor that the processing liquid amount has reached the predetermined amount,
The processing tank can be reliably filled with the processing liquid. In addition, when the processing liquid is supplied from the liquid storage tank to the cleaning processing tank, the fact that a predetermined amount of the processing liquid has been supplied to the cleaning processing tank can be detected by the lower limit sensor, so that the predetermined amount of the processing liquid can be reliably cleaned. It can be supplied to the tank.
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、圧力調整用
レギュレータ及びフィルターを、前記加圧装置が備えて
いる。したがって、処理液の正確な圧力への加圧が可能
となると共に、加圧装置による処理液の汚染を防ぐこと
ができる。According to a third aspect of the present invention, in the cleaning device, the pressure device includes a pressure adjusting regulator and a filter. Therefore, it is possible to pressurize the processing liquid to an accurate pressure, and to prevent the processing liquid from being contaminated by the pressurizing device.
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、N2ガスすな
わち窒素ガスを供給して加圧する加圧装置を用いてい
る。したがって、処理液として純水を供給する場合は、
比抵抗が高い状態で供給できるため、純水による被処理
体表面への酸化膜の生成を抑えることができる。The cleaning device according to the fourth aspect of the present invention uses a pressurizing device for supplying and pressurizing N 2 gas, that is, nitrogen gas. Therefore, when supplying pure water as a processing liquid,
Since it can be supplied in a state where the specific resistance is high, generation of an oxide film on the surface of the object to be processed due to pure water can be suppressed.
（実施例） 以下、本発明を半導体ウエハ製造装置における洗浄装
置に適用した実施例について、図面を参照して説明す
る。Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a cleaning apparatus in a semiconductor wafer manufacturing apparatus will be described with reference to the drawings.
第１図において、本実施例の半導体ウエハの洗浄装置
は、３つの洗浄処理ユニット10,12,14を組合せて構成さ
れている。また、搬入側の処理ユニット10にはローダ16
が接続され、搬出側の処理ユニット14にはアンローダ18
が接続されており、さらに洗浄処理ユニット10,12間及
び洗浄処理ユニット12,14間に、３ユニットのいずれか
に含まれる水中ローダ20が配設されている。In FIG. 1, the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present embodiment is configured by combining three cleaning processing units 10, 12, and 14. The loader 16 is installed in the processing unit 10 on the loading side.
Is connected, and the unloader 18 is
Are connected, and an underwater loader 20 included in any of the three units is disposed between the cleaning processing units 10 and 12 and between the cleaning processing units 12 and 14.
搬入側の洗浄処理ユニット10は、中心位置に半導体ウ
エハ22搬送用の回転搬送アーム24を配設すると共に、そ
の周囲でローダ16の正面及び回転搬送アーム24の左隣に
２つの洗浄処理槽26,28を配設するようにしている。本
実施例においては、洗浄処理槽26はアンモニア処理を行
う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽28は水洗処理
を行うクイック・ダンプ・リンス（QDR）処理槽として
用いられている。The carry-in side cleaning processing unit 10 has a rotary transfer arm 24 for transferring the semiconductor wafer 22 at the center position, and two cleaning processing tanks 26 around the front of the loader 16 and to the left of the rotary transfer arm 24 around the arm. , 28 are arranged. In the present embodiment, the cleaning tank 26 is used as a chemical processing tank for performing ammonia treatment, and the cleaning tank 28 is used as a quick dump rinse (QDR) processing tank for performing water washing.
中央の洗浄処理ユニット12は、中心位置に配設した回
転搬送アーム24の周囲で左右両側に水中ローダ20を位置
させ、その間の前後位置に２つの洗浄処理槽30,32を配
設するようにしている。本実施例では、洗浄処理槽30は
フッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理
槽32は水洗オーバーフロー処理槽として用いられてい
る。The central cleaning unit 12 is configured such that the underwater loaders 20 are positioned on both left and right sides around the rotary transfer arm 24 disposed at the center position, and two cleaning tanks 30 and 32 are disposed at front and rear positions therebetween. ing. In the present embodiment, the cleaning tank 30 is used as a chemical processing tank for performing a hydrofluoric acid treatment, and the cleaning tank 32 is used as a water overflow processing tank.
搬出側の洗浄処理ユニット14は、中心位置に配設した
回転搬送アーム24の周囲で、アンローダ18の正面側に洗
浄処理槽34を配設すると共に、回転搬送アーム24の右隣
に乾燥処理槽36を配設するようにしている。本実施例で
は、洗浄処理槽34は水洗ファイナルリンス槽として用い
られている。The cleaning processing unit 14 on the unloading side includes a cleaning processing tank 34 on the front side of the unloader 18 around the rotary transfer arm 24 disposed at the center position, and a drying processing tank 34 on the right side of the rotary transfer arm 24. 36 are arranged. In the present embodiment, the cleaning treatment tank 34 is used as a water-washing final rinse tank.
そして、２つのキャリア48上に載置された各々25枚ず
つの半導体ウエハ22がローダ16に搬送されてくると、ロ
ーダ16上で所謂オリフラ合せ機構によって半導体ウエハ
22のオリフラ合せがなされた後、突き上げ機構により半
導体ウエハ22が持上げられかつ寄せ合わせられるように
なっている。When 25 semiconductor wafers 22 each mounted on two carriers 48 are conveyed to the loader 16, the semiconductor wafers are loaded on the loader 16 by a so-called orientation flat aligning mechanism.
After the orientation flat 22 is aligned, the semiconductor wafer 22 is lifted and brought together by the push-up mechanism.
次いで、回転搬送アーム24が作動して、ローダ16上か
ら半導体ウエハ22のみを取り出し、洗浄処理槽26へ半導
体ウエハ22のみを受渡して洗浄処理を行った後洗浄処理
槽26より半導体ウエハ22を受け取って洗浄処理槽28、水
中ローダ20へと送り順次洗浄処理を施す。Next, the rotary transfer arm 24 is operated to take out only the semiconductor wafer 22 from the loader 16, deliver only the semiconductor wafer 22 to the cleaning tank 26, perform a cleaning process, and then receive the semiconductor wafer 22 from the cleaning tank 26. Then, the cleaning processing tank 28 and the underwater loader 20 are sent to the cleaning processing tank 28 to sequentially perform cleaning processing.
その後、中間の処理ユニット12及び搬出側の処理ユニ
ット14の回転搬送アーム20にて、洗浄処理槽30,32、水
中ローダ20洗浄処理槽34,乾燥処理槽36へと搬送してそ
れぞれ洗浄処理あるいは乾燥処理を施した後、アンロー
ダ18に送られ、半導体ウエハ22が２つのキャリア48に分
けて搭載され、搬出されるようになっている。After that, by the rotary transfer arm 20 of the intermediate processing unit 12 and the processing unit 14 on the unloading side, the cleaning processing tanks 30, 32, the underwater loader 20, the cleaning processing tank 34, and the drying processing tank 36 are transferred to the cleaning processing tanks 30, 32, respectively. After being subjected to the drying process, the wafer is sent to the unloader 18, and the semiconductor wafer 22 is mounted on the two carriers 48 separately and carried out.
また、上記クイック・ダンプ・リンス（QDR）処理を
行う洗浄処理槽28は、第３図に示すようにボート60上に
半導体ウエハ22を載置した状態で半導体ウエハ22を収容
するようになっており、その底部には、第２図にも示す
ように、内径が例えば25mmφで洗浄処理液としての純水
供給口62が設けられている。また、洗浄処理槽28の上部
外周には、純水供給口62より供給された処理液である純
水がオーバーフローした場合のドレイン64が形成されて
いる。The cleaning tank 28 for performing the quick dump rinsing (QDR) processing accommodates the semiconductor wafer 22 with the semiconductor wafer 22 placed on a boat 60 as shown in FIG. 2, a pure water supply port 62 having an inner diameter of, for example, 25 mmφ and serving as a cleaning liquid is provided at the bottom thereof. In addition, a drain 64 is formed on the outer periphery of the upper portion of the cleaning tank 28 when the pure water, which is the processing liquid supplied from the pure water supply port 62, overflows.
そして、この洗浄処理槽28は、第３図に示すように処
理液供給部である純水供給部66に接続され、かつこの純
水供給部66と洗浄処理槽28との間には、２つの貯液槽で
ある貯水槽68が配設されるようになっている。この各貯
水槽68には、純水量の上，下限を検出するための図示し
ない上限センサー，下限センサーが設けられている。The cleaning tank 28 is connected to a pure water supply section 66 as a processing liquid supply section, as shown in FIG. 3, and between the pure water supply section 66 and the cleaning tank 28, A water storage tank 68, which is one liquid storage tank, is provided. Each water storage tank 68 is provided with an upper limit sensor and a lower limit sensor (not shown) for detecting the upper and lower limits of the pure water amount.
純水供給部66は、工場内の純水供給システムとして予
め工場内に配設されたものを用いるようになっている。
そして、この純水供給部66から２つの貯水槽68に純水を
加圧供給するようになっている。As the pure water supply unit 66, a pure water supply system in the factory is used as a pure water supply system in the factory.
Then, pure water is supplied under pressure from the pure water supply unit 66 to the two water storage tanks 68.
貯水槽68は、上記純水供給部66から上記上限センサー
が純水の上限を検知するまで加圧供給された純水を一旦
貯めておき、この貯水槽68から例えば長さが3m程度、内
径が25mmφの配管68Aにより上記洗浄処理槽28に上記下
限センサーが動作するまで純水を供給するようになって
いる。また、これら各貯水槽68には、それぞれ加圧装置
70が接続されるようになっている。この加圧装置70は、
例えば窒素N2ガス供給源，圧力調整用レギュレータ，フ
ィルターを接続したものからなり、これから圧送される
N2ガスをそれぞれの貯水槽68に供給して加圧するように
なっている。また、この加圧装置70は、貯水槽68内に貯
めた純水を0.5〜2kg/cm2に加圧するようにしている。従
って、純水供給部66の供給圧力が低くても、十分に加圧
された状態で洗浄処理槽28に純水を供給することが可能
で、短時間で洗浄処理槽28を満たし、スループットを向
上させることが可能となっている。さらに、２つの貯水
槽68は、それぞれ切替え可能となっており、例えば、一
方の貯水槽68から純水を洗浄処理槽28に供給している間
に、他方の貯水槽に純水を供給するようにすることで、
洗浄処理間隔を短くすることが可能となる。The water storage tank 68 temporarily stores the pure water pressurized and supplied from the pure water supply unit 66 until the upper limit sensor detects the upper limit of the pure water. The pure water is supplied to the cleaning tank 28 through the 25 mmφ pipe 68A until the lower limit sensor operates. Each of these water storage tanks 68 has a pressurizing device.
70 is to be connected. This pressurizing device 70
For example, it consists of a nitrogen N 2 gas supply source, a regulator for pressure regulation, and a filter connected to it, which is then pumped.
The N 2 gas is supplied to each water storage tank 68 and pressurized. The pressurizing device 70 presses the pure water stored in the water storage tank 68 to 0.5 to 2 kg / cm 2 . Therefore, even when the supply pressure of the pure water supply unit 66 is low, pure water can be supplied to the cleaning tank 28 in a sufficiently pressurized state, and the cleaning tank 28 can be filled in a short time and the throughput can be improved. It is possible to improve. Furthermore, the two water storage tanks 68 can be switched, for example, while supplying pure water from one water storage tank 68 to the cleaning tank 28, supply pure water to the other water storage tank. By doing so,
It is possible to shorten the cleaning processing interval.
次に、このクイック・ダンプ・リンス処理の状態につ
いて説明すると、まず工場内の純水供給部66から貯水槽
68内に純水を加圧供給して、貯水槽68内に純水を貯めて
おく。Next, the state of the quick dump rinsing process will be described.
Pure water is pressurized and supplied into the storage tank 68 to store the pure water therein.
次いで、加圧装置70により、気密貯水槽68内に気体例
えばN2ガスを供給して純水を0.5〜2kg/cm2に加圧する。Next, a gas, for example, N 2 gas is supplied into the airtight storage tank 68 by the pressurizing device 70 to pressurize the pure water to 0.5 to 2 kg / cm 2 .
そして、洗浄処理槽28内にボート60上に載置された半
導体ウエハ22が搬入設置された状態で、一方の貯水槽68
の弁68Bを開放して洗浄処理槽28に例えば、オーバーフ
ローする程度の所定量の純水を加圧供給する。なお、上
記加圧が0.5kg/cm2より低い場合には所望の流量が得ら
れない。逆に、2kg/cm2より高い場合はに、十分な流量
は得られるが、純水供給口62から洗浄処理槽28内に流入
する純水の勢いが強すぎて、ボート60に載置された半導
体ウエハ22を押上げたりするおそれがある。そこで、上
記加圧は0.5〜2kg/cm2の範囲内の圧力に設定するのが望
ましい。Then, in a state where the semiconductor wafer 22 placed on the boat 60 is loaded and installed in the cleaning processing tank 28, one of the water storage tanks 68 is
The valve 68B is opened, and a predetermined amount of pure water, for example, which overflows, is supplied under pressure to the cleaning tank 28. When the pressure is lower than 0.5 kg / cm 2 , a desired flow rate cannot be obtained. Conversely, if higher than 2 kg / cm 2, although a sufficient flow rate is obtained, the force of the pure water flowing into the cleaning tank 28 from the pure water supply port 62 is too strong, is placed on the boat 60 The semiconductor wafer 22 may be pushed up. Therefore, it is desirable to set the above-mentioned pressurization to a pressure in the range of 0.5 to 2 kg / cm 2 .
そして、半導体ウエハ22を洗浄処理槽28内の純水に浸
漬し、純水供給口62とは別に設けた図示しない純水供給
口より少流量にて純水を供給し、オーバーフローさせつ
つ例えば３分間程度洗浄処理する。処理が終るとボート
60を上昇させて半導体ウエハ22を例えば次工程へ搬送す
る。また、図示しない排出口より洗浄処理槽28内の純水
を排出する。Then, the semiconductor wafer 22 is immersed in pure water in the cleaning tank 28, pure water is supplied at a small flow rate from a pure water supply port (not shown) provided separately from the pure water supply port 62, and, for example, 3 Wash for about a minute. After processing, boat
The semiconductor wafer 22 is transported to, for example, the next step by raising 60. Further, the pure water in the cleaning tank 28 is discharged from a discharge port (not shown).
次に、新たな半導体ウエハ22をボート60によって処理
槽28内に搬入設置し、他方の貯水槽68から洗浄処理槽28
に純水を加圧供給し、上記説明のように洗浄処理する。
このように、純水は上述のように十分に加圧された状態
となっているため、洗浄処理槽28の底部に設けた純水供
給口62より短時間に供給されることとなり、処理時間が
短縮されることとなる。Next, a new semiconductor wafer 22 is carried into the processing tank 28 by the boat 60 and is installed therein.
, And pressurized water is supplied thereto to perform the cleaning treatment as described above.
As described above, since the pure water is in a sufficiently pressurized state as described above, the pure water is supplied in a short time from the pure water supply port 62 provided at the bottom of the cleaning tank 28, and the processing time Is shortened.
また、この洗浄処理中に他方の貯水槽68内に純水供給
部66から純水を供給しておくことにより、次の洗浄処理
に移る際に待ち時間なしででき、効率のよい処理が可能
となる。In addition, by supplying pure water from the pure water supply unit 66 into the other water storage tank 68 during this cleaning process, the process can be performed without waiting time when moving to the next cleaning process, and efficient processing can be performed. Becomes
なお、純水洗浄の他のアンモニア処理，フッ酸処理等
に使用する薬液を圧送することも考えられるが、このよ
うな毒性液体は安全性の面から極力圧送は行わず、装置
のレイアウト上、止むを得ず圧送する場合以外は避けた
ほうが好ましい。It is also conceivable to pump a chemical solution used for ammonia treatment, hydrofluoric acid treatment, etc. other than cleaning with pure water, but such a toxic liquid is not pumped as much as possible from the viewpoint of safety. It is preferable to avoid this except when it is unavoidable to feed by pressure.
さらに、窒素N2により純水を加圧するので、純水の比
抵抗が高い状態で供給できるため、純水による半導体ウ
エハ表面の酸化膜の生成を抑える効果も期待できる。Further, since the pure water is pressurized with nitrogen N 2 , the pure water can be supplied in a high specific resistance state, so that an effect of suppressing the formation of an oxide film on the semiconductor wafer surface due to the pure water can be expected.
［発明の効果］ 以上説明したように、請求項１に記載の発明に係る洗
浄装置は、処理液供給部から処理液を貯液槽に供給し
て、この貯液槽に一旦処理液を貯めるようになってい
る。そして、この貯められた処理液は必要に応じて洗浄
処理槽に供給される。したがって処理液供給部からの供
給圧力がそれほど高くなくても、洗浄処理槽への処理液
の供給は適正な圧力で行うことが可能となる。また、洗
浄処理槽は、一時に大量の処理液の供給を受けることが
可能となる。そして、被処理体表面に付着した薬液が、
短時間に供給された処理液で置換されることにより、均
一な洗浄が可能である。[Effects of the Invention] As described above, the cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention supplies the processing liquid from the processing liquid supply unit to the storage tank, and temporarily stores the processing liquid in the storage tank. It has become. Then, the stored processing liquid is supplied to a cleaning processing tank as needed. Therefore, even if the supply pressure from the processing liquid supply unit is not so high, it is possible to supply the processing liquid to the cleaning processing tank at an appropriate pressure. Further, the cleaning tank can receive a large amount of processing liquid at a time. Then, the chemical liquid attached to the surface of the object to be processed is
By performing the replacement with the processing liquid supplied in a short time, uniform cleaning can be performed.
さらに、処理液を0.5〜2kg/cm2に加圧することによ
り、適正な流量を確保して、洗浄効果を高めることが可
能となると共に、洗浄処理槽を短時間で満たすことがで
き、スループットの向上が可能となる。また、このよう
に処理液の加圧範囲を規定することによって、洗浄処理
槽内でボートに載置された被処理体が、意図しない移動
をしたり、ボートから外れてしまったりすることがな
い。Furthermore, by pressurizing the processing liquid to 0.5 to 2 kg / cm2, it is possible to secure an appropriate flow rate and enhance the cleaning effect, and to fill the cleaning processing tank in a short time, thereby improving throughput. Improvement is possible. Further, by defining the pressure range of the processing liquid in this way, the object to be processed placed on the boat in the cleaning tank does not move unintentionally or come off the boat. .
そして、本発明に係る洗浄装置は、処理液供給部及び
洗浄処理槽のいずれか一方に交互に接続される貯液槽を
複数備えている。したがって、一の貯液槽から処理液を
洗浄処理槽に供給している間に、他の貯液槽に処理液を
供給するようにすることで、貯液槽に処理液を供給する
ための待ち時間をなくすことができ、洗浄処理間隔を短
くすることが可能となる。The cleaning apparatus according to the present invention includes a plurality of liquid storage tanks alternately connected to one of the processing liquid supply unit and the cleaning processing tank. Therefore, while supplying the processing liquid from one storage tank to the cleaning processing tank, the processing liquid is supplied to the other storage tank to supply the processing liquid to the storage tank. The waiting time can be eliminated, and the cleaning processing interval can be shortened.
請求項２に記載の発明に係る洗浄装置は、処理液量の
上限及び下限を検出する上限センサー及び下限センサー
を、貯液槽が備えている。したがって、処理液供給部か
ら貯液槽への処理液の供給時に、処理液量が所定量に達
したことを上限センサーによって把握することができ、
確実に貯液槽への処理液の充填を行うことができる。ま
た、貯液槽から洗浄処理槽への処理液の供給時には、所
定量の処理液を洗浄処理槽に供給したことを下限センサ
ーによって把握することができ、所定量の処理液を確実
に洗浄処理槽に供給することが可能となる。In the cleaning device according to the second aspect of the invention, the liquid storage tank includes an upper limit sensor and a lower limit sensor that detect an upper limit and a lower limit of the processing liquid amount. Therefore, when the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit to the storage tank, it can be grasped by the upper limit sensor that the processing liquid amount has reached the predetermined amount,
The processing tank can be reliably filled with the processing liquid. In addition, when the processing liquid is supplied from the liquid storage tank to the cleaning processing tank, the fact that a predetermined amount of the processing liquid has been supplied to the cleaning processing tank can be detected by the lower limit sensor, so that the predetermined amount of the processing liquid can be reliably cleaned. It can be supplied to the tank.
請求項３に記載の発明に係る洗浄装置は、圧力調整用
レギュレータ及びフィルターを、前記加圧装置が備えて
いる。したがって、処理液の正確な圧力への加圧が可能
となると共に、加圧装置による処理液の汚染を防ぐこと
ができる。According to a third aspect of the present invention, in the cleaning device, the pressure device includes a pressure adjusting regulator and a filter. Therefore, it is possible to pressurize the processing liquid to an accurate pressure, and to prevent the processing liquid from being contaminated by the pressurizing device.
請求項４に記載の発明に係る洗浄装置は、N2ガスすな
わち窒素ガスを供給して加圧する加圧装置を用いてい
る。したがって、処理液として純水を供給する場合は、
比抵抗が高い状態で供給できるため、純水による被処理
体表面への酸化膜の生成を抑えることができる。The cleaning device according to the fourth aspect of the present invention uses a pressurizing device for supplying and pressurizing N 2 gas, that is, nitrogen gas. Therefore, when supplying pure water as a processing liquid,
Since it can be supplied in a state where the specific resistance is high, generation of an oxide film on the surface of the object to be processed due to pure water can be suppressed.
第１図は本発明の一実施例に係る洗浄装置の全体的構成
を示す平面図、 第２図は第１図の洗浄処理槽の状態を示す側面図、 第３図は洗浄処理槽及び貯水槽の状態を示す構成図であ
る。 28……洗浄処理槽、62……純水供給口、 64……ドレイン、66……純水供給部、 68……貯水槽、70……加圧装置。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing the state of the cleaning tank in FIG. 1, and FIG. It is a block diagram which shows the state of a tank. 28: Cleaning treatment tank, 62: Pure water supply port, 64: Drain, 66: Pure water supply unit, 68: Water storage tank, 70: Pressurizing device.
Claims (4)
理槽内で被処理体を洗浄処理する洗浄装置において、 前記洗浄処理槽に供給する処理液を処理液供給部より受
け取って貯える貯液槽と、 前記貯液槽内の処理液を0.5〜2kg/cm2に加圧し、この加
圧された処理液を前記洗浄処理槽に供給可能とする加圧
装置と を備え、 前記処理液供給部及び洗浄処理槽のいずれか一方に交互
に接続される前記貯液槽を複数設けたことを特徴とする
洗浄装置。1. A cleaning apparatus for supplying a processing liquid into a cleaning tank and cleaning the object to be processed in the cleaning tank, wherein the processing liquid supplied to the cleaning tank is received from a processing liquid supply unit. A storage tank for storing, and a pressurizing device that pressurizes the processing liquid in the storage tank to 0.5 to 2 kg / cm 2 and that can supply the pressurized processing liquid to the cleaning processing tank. A cleaning apparatus comprising: a plurality of storage tanks alternately connected to one of a processing liquid supply unit and a cleaning processing tank.
センサー及び下限センサーを備えていることを特徴とす
る洗浄装置。2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the liquid storage tank includes an upper limit sensor and a lower limit sensor for detecting an upper limit and a lower limit of the processing liquid amount.
て、 前記加圧装置は、圧力調整用レギュレータ及びフィルタ
ーを備えていることを特徴とする洗浄装置。3. The cleaning device according to claim 1, wherein the pressurizing device includes a pressure adjusting regulator and a filter.
装置において、 前記加圧装置は、N2ガスを供給して加圧する加圧装置で
あることを特徴とする洗浄装置。4. The cleaning device according to claim 1, wherein the pressurizing device is a pressurizing device that supplies and pressurizes N 2 gas.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP02331314A JP3126139B2 (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Cleaning equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02331314A JP3126139B2 (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Cleaning equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196534A JPH04196534A (en) | 1992-07-16 |
| JP3126139B2 true JP3126139B2 (en) | 2001-01-22 |
Family
ID=18242300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02331314A Expired - Lifetime JP3126139B2 (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Cleaning equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3126139B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011057674A (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Omnica Gmbh | Composition containing coenzyme q-10 and antioxidant |
| CN113600569A (en) * | 2021-08-13 | 2021-11-05 | 上海氢枫能源技术有限公司 | Multifunctional flushing test system and method for pipeline special for hydrogenation station |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP02331314A patent/JP3126139B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH04196534A (en) | 1992-07-16 |
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