JP2022184678A - Prewetting module, degassing liquid circulation system, and prewetting method - Google Patents

Prewetting module, degassing liquid circulation system, and prewetting method Download PDF

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Abstract

To efficiently perform pre-processing on a substrate.SOLUTION: A prewetting module 200 comprises: a degassing tank 210 constructed so as to houses a degassing liquid; a processing device 258 that contains a nozzle 268 constructed so as to supply a cleaning liquid onto a processed surface of a substrate of which the processed surface is directed upward; a first holding member 222 that is arranged between the degassing tank 210 and the processing device 258, and is constructed so as to hold a first substrate; a substrate holder 220 that includes a second holding member 224 constructed so as to hold a second substrate; and a driving mechanism 230 constructed so as to rotate and lift the substrate holder 220. The driving mechanism 230 comprises: a rotational mechanism 240 constructed so as to rotate the substrate holder 220 between a first state where the processed surface of the first substrate is opposite to the degassing liquid in the degassing tank 210 and a second state where the processed surface of the second substrate is opposite to the degassing liquid in the degassing tank; and a lifting mechanism 248 constructed so as to lift the substrate holder 220.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本願は、プリウェットモジュール、脱気液循環システム、およびプリウェット方法に関する。 The present application relates to a pre-wet module, a degassed liquid circulation system, and a pre-wet method.

基板(例えば半導体ウェハ)にめっき処理を行うためのめっき装置は、脱気処理などの各種の前処理を基板に対して行うプリウェットモジュールと、前処理が行われた基板にめっき処理を行うめっきモジュールと、を備えている。 Plating equipment for plating substrates (for example, semiconductor wafers) consists of a pre-wet module that performs various pretreatments such as degassing on substrates, and a plating module that performs plating on pretreated substrates. module and;

例えば特許文献1には、基板を保持したホルダをプリウェット槽内に配置し、基板の被処理面が露出する空間を真空引きしながら当該空間にプリウェット液を供給することによって前処理を実行するプリウェットモジュールが開示されている。 For example, in Patent Document 1, a holder holding a substrate is placed in a pre-wetting tank, and pre-treatment is performed by supplying a pre-wetting liquid to the space while evacuating the space where the surface to be processed of the substrate is exposed. A pre-wet module is disclosed.

特開2018-104799号公報JP 2018-104799 A

しかしながら、従来技術には、基板に効率よく前処理を行うことについて改善の余地がある。 However, the prior art leaves room for improvement in efficiently pre-treating the substrate.

すなわち、従来技術は、基板ホルダに1枚の基板を保持してプリウェット槽内で前処理を行うように構成されているので、プリウェットモジュール内において基板の前処理は1枚ずつ順次行われる。したがって、例えばある基板に対して前処理を行っているときにはプリウェットモジュールはその基板に専有され、基板がプリウェットモジュールから搬出されてはじめて後続の基板をプリウェットモジュール内に搬入して前処理を行うことができるようになっている。その結果、従来技術は、プリウェットモジュールのスループットを向上させるという点に関して改善の余地がある。 That is, since the conventional technology is configured such that one substrate is held by a substrate holder and pre-treated in the pre-wet tank, the pre-treatment of the substrates is sequentially performed one by one in the pre-wet module. . Therefore, for example, when pre-treating a certain substrate, the pre-wet module is exclusively used for that substrate, and only after the substrate is unloaded from the pre-wet module is the subsequent substrate loaded into the pre-wet module and pre-processed. can be done. As a result, the prior art leaves room for improvement in terms of increasing the throughput of pre-wet modules.

そこで、本願は、基板に効率よく前処理を行うことを1つの目的としている。 Accordingly, one object of the present application is to efficiently perform pretreatment on a substrate.

一実施形態によれば、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第1の基板を保持するように構成された第1の保持部材、および第2の基板を保持するように構成された第2の保持部材を有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第1の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第1の状態と、前記第2の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第2の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、プリウェットモジュールが開示される。 According to one embodiment, a degassing tank configured to contain a degassing liquid, and a processing apparatus including a nozzle configured to supply a cleaning liquid to a surface to be processed of a substrate facing upward. , a first holding member arranged between the degassing tank and the processing apparatus and configured to hold a first substrate; and a second holding member configured to hold a second substrate. a substrate holder having a holding member; and a driving mechanism configured to rotate and move up and down the substrate holder, wherein the driving mechanism moves the surface of the first substrate to be processed into the degassing tank. The substrate holder is rotated between a first state in which the surface to be processed of the second substrate faces the degassed liquid in the degassing tank. A pre-wet module is disclosed that includes a configured rotation mechanism and a lift mechanism configured to raise and lower the substrate holder.

図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. 図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. 図3は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図4Aは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4A schematically illustrates a pre-wetting method using a pre-wet module of one embodiment. 図4Bは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4B schematically illustrates a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. 図4Cは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4C schematically illustrates a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. 図4Dは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4D schematically illustrates a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. 図4Eは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4E schematically illustrates a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. 図4Fは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。FIG. 4F schematically illustrates a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. 図5は、他の実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of a pre-wet module of another embodiment. 図6は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図7は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図8は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 8 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図9は、整流部材の一例を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing an example of a straightening member. 図10は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 10 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図11は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 11 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. 図12Aは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 12A is a plan view schematically showing the configuration of a stirring member; 図12Bは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 12B is a plan view schematically showing the configuration of the stirring member; 図13は、一実施形態の脱気液循環システムの構成を概略的に示す図である。FIG. 13 is a diagram schematically showing the configuration of the degassed liquid circulation system of one embodiment. 図14は、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart illustrating a prewetting method using the prewetting module of one embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

<めっき装置の全体構成>
図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図1、2に示すように、めっき装置1000は、ロードポート100、搬送ロボット110、アライナ120、プリウェットモジュール200、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、洗浄モジュール500、スピンリンスドライヤ600、搬送装置700、および、制御モジュール800を備える。
<Overall Configuration of Plating Equipment>
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. As shown in FIGS. 1 and 2, the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, and a transfer device. 700 and a control module 800 .

ロードポート100は、めっき装置1000に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置1000からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では4台のロードポート100が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート100の数および配置は任意である。搬送ロボット110は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート100、アライナ120、および搬送装置700の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット110および搬送装置700は、搬送ロボット110と搬送装置700との間で基板を受け渡す際には、図示し
ていない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。
The load port 100 is a module for loading substrates stored in cassettes such as FOUPs (not shown) into the plating apparatus 1000 and for unloading substrates from the plating apparatus 1000 to cassettes. Although four load ports 100 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary. The transport robot 110 is a robot for transporting substrates, and is configured to transfer substrates among the load port 100 , the aligner 120 and the transport device 700 . When transferring substrates between the transfer robot 110 and the transfer device 700, the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrates via a temporary placement table (not shown).

アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では2台のアライナ120が水平方向に並べて配置されているが、アライナ120の数および配置は任意である。プリウェットモジュール200は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール200は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリウェットモジュール200が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール200の数および配置は任意である。 The aligner 120 is a module for aligning the positions of orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. Although two aligners 120 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary. The pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the substrate surface with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water. The pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet process that facilitates the supply of the plating solution to the inside of the pattern by replacing the treatment solution inside the pattern with the plating solution during plating. Although two pre-wet modules 200 are arranged vertically in this embodiment, the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.

プリソークモジュール300は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリソークモジュール300が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール300の数および配置は任意である。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に3台かつ水平方向に4台並べて配置された12台のめっきモジュール400のセットが2つあり、合計24台のめっきモジュール400が設けられているが、めっきモジュール400の数および配置は任意である。 In the presoak module 300, for example, an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of a seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before plating is etched away with a processing liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, and the surface of the plating substrate is cleaned. Alternatively, it is configured to perform a pre-soak process for activation. In this embodiment, two presoak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the presoak modules 300 are arbitrary. The plating module 400 applies plating to the substrate. In this embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged vertically and four horizontally, and a total of 24 plating modules 400 are provided. The number and arrangement of are arbitrary.

洗浄モジュール500は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では2台の洗浄モジュール500が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール500の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ600は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では2台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置700は、めっき装置1000内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール800は、めっき装置1000の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。 The cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate to remove plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process. In this embodiment, two cleaning modules 500 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the cleaning modules 500 are arbitrary. The spin rinse dryer 600 is a module for drying the substrate after cleaning by rotating it at high speed. Although two spin rinse dryers are arranged vertically in this embodiment, the number and arrangement of the spin rinse dryers are arbitrary. The transport device 700 is a device for transporting substrates between a plurality of modules within the plating apparatus 1000 . Control module 800 is configured to control a plurality of modules of plating apparatus 1000 and may comprise, for example, a general purpose or dedicated computer with input/output interfaces to an operator.

めっき装置1000による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート100にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット110は、ロードポート100のカセットから基板を取り出し、アライナ120に基板を搬送する。アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット110は、アライナ120で方向を合わせた基板を搬送装置700へ受け渡す。 An example of a series of plating processes by the plating apparatus 1000 will be described. First, a substrate stored in a cassette is loaded into the load port 100 . Subsequently, the transport robot 110 takes out the substrate from the cassette of the load port 100 and transports the substrate to the aligner 120 . The aligner 120 aligns orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. The transport robot 110 transfers the substrate aligned by the aligner 120 to the transport device 700 .

搬送装置700は、搬送ロボット110から受け取った基板をプリウェットモジュール200へ搬送する。プリウェットモジュール200は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置700は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール300へ搬送する。プリソークモジュール300は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置700は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール400へ搬送する。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。 The transport device 700 transports the substrate received from the transport robot 110 to the pre-wet module 200 . The pre-wet module 200 pre-wets the substrate. The transport device 700 transports the pre-wet processed substrate to the pre-soak module 300 . The presoak module 300 applies a presoak treatment to the substrate. The transport device 700 transports the presoaked substrate to the plating module 400 . The plating module 400 applies plating to the substrate.

搬送装置700は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール500へ搬送する。洗浄モジュール500は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置700は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ600へ搬送する。スピンリンスドライヤ600は、基板に
乾燥処理を施す。搬送装置700は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット110へ受け渡す。搬送ロボット110は、搬送装置700から受け取った基板をロードポート100のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート100から基板を収納したカセットが搬出される。
The transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500 . The cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate. The transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600 . A spin rinse dryer 600 performs a drying process on the substrate. The transport device 700 delivers the dried substrate to the transport robot 110 . The transport robot 110 transports the substrate received from the transport device 700 to the cassette of the load port 100 . Finally, the cassette containing the substrates is unloaded from the load port 100 .

<プリウェットモジュールの構成>
次に、プリウェットモジュール200の構成を説明する。本実施形態における2台のプリウェットモジュール200は同一の構成であるので、1台のプリウェットモジュール200のみを説明する。
<Configuration of pre-wet module>
Next, the configuration of the pre-wet module 200 will be described. Since the two pre-wet modules 200 in this embodiment have the same configuration, only one pre-wet module 200 will be described.

図3は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図3に示すように、プリウェットモジュール200は、脱気液(例えば脱気水)を収容するように構成された脱気槽210を備える。脱気槽210は、上面が開口しており、脱気液を貯留可能な形状を有する。脱気槽210内の空間は、鉛直方向に伸びる仕切り板212によって2つの領域に仕切られている。これにより、脱気槽210内は、基板WFに対する脱気処理を行うための脱気領域214と、脱気領域214からオーバーフローした脱気液が貯められるように構成されたオーバーフロー領域216と、に仕切られる。 FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. As shown in FIG. 3, the pre-wet module 200 comprises a degassing vessel 210 configured to contain a degassed liquid (eg, degassed water). The degassing tank 210 has an open upper surface and has a shape capable of storing the degassed liquid. A space in the degassing tank 210 is partitioned into two areas by a vertically extending partition plate 212 . As a result, the degassing tank 210 is divided into a degassing area 214 for degassing the substrate WF and an overflow area 216 configured to store the degassed liquid overflowing from the degassing area 214. partitioned.

プリウェットモジュール200は、脱気槽210の上部に配置された基板ホルダ220を備える。基板ホルダ220は、前処理対象の基板WFを保持するように構成される。基板ホルダ220は、円板形状の第1の基板WF-1を保持するように構成された円柱形状の第1の保持部材222と、円板形状の第2の基板WF-2を保持するように構成された円柱形状の第2の保持部材224と、を備える。第1の保持部材222および第2の保持部材224は、真空吸着などによって基板の被処理面の裏面を保持可能に構成される。本実施形態では、第1の保持部材222および第2の保持部材224は、第1の基板WF-1の被処理面WF-1aおよび第2の基板WF-2の被処理面WF-2aが互いに反対(図3の状態では鉛直方向の反対)に向くように第1の基板WF-1および第2の基板WF-2を保持するように構成される。なお、本実施形態では、「第1の基板WF-1」、および「第2の基板WF-2」などの記載を用いているが、これは単に異なる基板を区別するためであり、処理の順序を示すものではない。 The pre-wet module 200 comprises a substrate holder 220 arranged on top of the degassing vessel 210 . The substrate holder 220 is configured to hold a substrate WF to be preprocessed. The substrate holder 220 includes a cylindrical first holding member 222 configured to hold a disk-shaped first substrate WF-1 and a cylindrical second holding member 222 configured to hold a disk-shaped second substrate WF-2. and a cylindrical second holding member 224 configured to: The first holding member 222 and the second holding member 224 are configured to be able to hold the back surface of the substrate to be processed by vacuum adsorption or the like. In this embodiment, the first holding member 222 and the second holding member 224 are arranged such that the surface to be processed WF-1a of the first substrate WF-1 and the surface to be processed WF-2a of the second substrate WF-2 are It is configured to hold the first substrate WF-1 and the second substrate WF-2 so as to face opposite to each other (vertically opposite in the state of FIG. 3). Note that, in the present embodiment, descriptions such as “first substrate WF-1” and “second substrate WF-2” are used, but this is merely for distinguishing different substrates, and the It does not imply order.

プリウェットモジュール200は、基板ホルダ220を駆動するように構成された駆動機構230を備える。駆動機構230は、第1の基板WF-1と第2の基板WF-2が順次、脱気槽210内の脱気液に浸漬されるように基板ホルダ220を駆動する。駆動機構230は、具体的には、基板ホルダ220を回転させるように構成された回転機構240と、基板ホルダ220を昇降させるように構成された昇降機構248と、を備える。 The pre-wet module 200 comprises a drive mechanism 230 configured to drive the substrate holder 220 . The drive mechanism 230 drives the substrate holder 220 so that the first substrate WF- 1 and the second substrate WF- 2 are sequentially immersed in the degassing liquid in the degassing tank 210 . The drive mechanism 230 specifically includes a rotation mechanism 240 configured to rotate the substrate holder 220 and an elevating mechanism 248 configured to elevate the substrate holder 220 .

回転機構240は、基板ホルダ220から水平方向に伸びるシャフト242の軸周りに基板ホルダ220を回転可能に構成される。これにより、回転機構240は、第1の基板WF-1の被処理面WF-1aが脱気槽210内の脱気液に対向する第1の状態と、第2の基板WF-2の被処理面WF-2aが脱気槽210内の脱気液に対向する第2の状態と、の間で基板ホルダ220を回転させるように構成される。回転機構240は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。 The rotation mechanism 240 is configured to rotate the substrate holder 220 around a shaft 242 extending horizontally from the substrate holder 220 . As a result, the rotation mechanism 240 can be set to the first state in which the surface to be processed WF-1a of the first substrate WF-1 faces the degassed liquid in the degassing tank 210, and the state in which the surface to be processed WF-1a of the first substrate WF-1 faces the degassed liquid in the degassing tank 210. The substrate holder 220 is configured to rotate between a second state in which the processing surface WF-2a faces the degassed liquid in the degassing tank 210 . The rotating mechanism 240 can be implemented by a known mechanism such as a motor.

昇降機構248は、第1の状態から基板ホルダ220を下降させることによって第1の基板WF-1を脱気液に浸漬させることができ、第2の状態から基板ホルダ220を下降させることによって第2の基板WF-2を脱気液に浸漬させることができる。昇降機構248は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。本実施形態では、駆動機構230が回転機構240と昇降機構248とを備える例を示したが、この構成に限定されない。 The elevating mechanism 248 can immerse the first substrate WF-1 in the degassing liquid by lowering the substrate holder 220 from the first state, and can lower the substrate holder 220 from the second state to the second substrate WF-1. 2 substrate WF-2 can be immersed in the degassing liquid. The lifting mechanism 248 can be implemented by a known mechanism such as a motor. In this embodiment, an example in which the drive mechanism 230 includes the rotation mechanism 240 and the lifting mechanism 248 is shown, but the configuration is not limited to this.

プリウェットモジュール200は、第1の基板WF-1および第2の基板WF-2のいずれか一方が脱気槽210内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板に所定の処理を行うように構成された処理装置258を備える。処理装置258は、本実施形態では、基板ホルダ220の上部に配置された基板ステーション250と、基板ステーション250の上部に配置された洗浄装置260と、を含む。 The pre-wet module 200 applies a predetermined process to one of the first substrate WF-1 and the second substrate WF-2 while the other substrate is immersed in the degassing liquid in the degassing tank 210. a processor 258 configured to perform The processing apparatus 258 includes a substrate station 250 positioned above the substrate holder 220 and a cleaning apparatus 260 positioned above the substrate station 250 in this embodiment.

基板ステーション250は、搬送装置700との間で基板の受け渡しを行うとき、および、基板に対して後述する洗浄処理を行うときに、基板を保持するための部材である。基板ステーション250は、基板の被処理面の裏面を保持するための第1のアーム部材250-1および第2のアーム部材250-2を備える。第1のアーム部材250-1および第2のアーム部材250-2はそれぞれ、基板の被処理面の裏面の外縁を保持するための突起部材250aを有する。第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2は水平方向に並べて離間して配置されている。第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2は、互いに近づく方向および離れる方向に移動可能になっている。第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2は、互いに近づいた基板保持位置にあるときに基板を保持するように構成される。 The substrate station 250 is a member for holding a substrate when transferring the substrate to and from the transfer device 700 and when performing a cleaning process, which will be described later, on the substrate. The substrate station 250 comprises a first arm member 250-1 and a second arm member 250-2 for holding the back surface of the substrate to be processed. Each of the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 has a projecting member 250a for holding the outer edge of the back surface of the substrate to be processed. The first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 are horizontally arranged side by side and spaced apart. The first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 are movable toward and away from each other. First arm member 250-1 and second arm member 250-2 are configured to hold a substrate when in a substrate holding position proximate each other.

洗浄装置260は、基板ステーション250に保持された基板と対向するように配置された円板形状の天井部材262と、天井部材262の下面の外縁に取り付けられた筒状の側壁部材264と、天井部材262の下面に取り付けられた複数のノズル268と、を備える。天井部材262の上面の中央には鉛直方向に伸びるシャフト266が取り付けられている。シャフト266および天井部材262には洗浄液(例えば純水)を通流させるための流路267が形成されており、流路267は複数のノズル268に連通している。複数のノズル268は、図示していない洗浄液源から流路267を介して送られた洗浄液を、基板ステーション250に保持された基板の被処理面に供給するように構成されている。プリウェットモジュール200は、洗浄装置260を水平方向に駆動するための水平駆動部材270を備える。水平駆動部材270は、シャフト266に固定され水平方向に伸びるシャフト272を介して洗浄装置260を水平方向に移動させる。これにより、洗浄装置260は、基板の被処理面の全体を洗浄することができる。水平駆動部材270は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。 The cleaning apparatus 260 includes a disk-shaped ceiling member 262 arranged to face the substrate held in the substrate station 250, a cylindrical side wall member 264 attached to the outer edge of the lower surface of the ceiling member 262, and a ceiling member 264. and a plurality of nozzles 268 attached to the lower surface of member 262 . A vertically extending shaft 266 is attached to the center of the upper surface of the ceiling member 262 . The shaft 266 and the ceiling member 262 are formed with a channel 267 for passing cleaning liquid (for example, pure water), and the channel 267 communicates with a plurality of nozzles 268 . The plurality of nozzles 268 are configured to supply cleaning liquid sent from a cleaning liquid source (not shown) through the channel 267 to the surface to be processed of the substrate held by the substrate station 250 . The pre-wet module 200 comprises a horizontal drive member 270 for driving the cleaning device 260 horizontally. Horizontal drive member 270 moves cleaning device 260 horizontally via a horizontally extending shaft 272 fixed to shaft 266 . Thereby, the cleaning device 260 can clean the entire surface to be processed of the substrate. The horizontal drive member 270 can be implemented by a known mechanism such as a motor.

図3の例では、複数のノズル268は、第1の基板WF-1が脱気槽210内の脱気液に浸漬されているときに、被処理面WF-2aが鉛直方向の上向きに保持されている第2の基板WF-2の被処理面WF-2aに洗浄液を供給するように構成される。なお、本実施形態では、基板ステーション250に保持された基板に対して洗浄処理を行う例を示したが、これに限定されず、第1の保持部材222または第2の保持部材224に保持された基板(被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板)に洗浄処理を行ってもよい。 In the example of FIG. 3, the plurality of nozzles 268 hold the surface to be processed WF-2a vertically upward while the first substrate WF-1 is immersed in the degassing liquid in the degassing tank 210. The cleaning liquid is supplied to the surface to be processed WF-2a of the second substrate WF-2. In this embodiment, an example in which the substrate held by the substrate station 250 is subjected to the cleaning process has been described, but the present invention is not limited to this. The cleaning process may be performed on a substrate (a substrate held with the surface to be processed facing upward in the vertical direction).

基板ホルダ220は、複数のノズル268と脱気槽210との間に配置された遮蔽部材225を有する。遮蔽部材225は、脱気槽210の上部に形成された開口210a(脱気領域214の上部開口)よりも大きな外縁を有し、複数のノズル268と開口210aとの間を遮蔽するように構成された円板形状の部材である。遮蔽部材225を設けることによって、複数のノズル268から供給された洗浄液が脱気槽210(脱気領域214)内に落下することを防止することができる。 The substrate holder 220 has a shielding member 225 arranged between the plurality of nozzles 268 and the deaeration tank 210 . The shield member 225 has an outer edge larger than the opening 210a formed in the upper part of the deaeration tank 210 (the upper opening of the deaeration region 214), and is configured to shield between the plurality of nozzles 268 and the opening 210a. It is a disc-shaped member with By providing the shield member 225, it is possible to prevent the cleaning liquid supplied from the plurality of nozzles 268 from dropping into the degassing tank 210 (degassing area 214).

本実施形態のプリウェットモジュール200では、基板ホルダ220は、第1の保持部材222および第2の保持部材224を備えており、駆動機構230は、第1の基板WF-1と第2の基板WF-2が順次、脱気槽210内の脱気液に浸漬されるように基板ホルダ220を駆動するように構成されている。したがって、プリウェットモジュール200
は、プリウェットモジュール200内で、第1の基板WF-1と第2の基板WF-2に異なる処理(例えば洗浄処理と脱気処理)を並行して行うことができる。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール200のスループットを向上させることができる。
In the pre-wet module 200 of this embodiment, the substrate holder 220 includes a first holding member 222 and a second holding member 224, and the driving mechanism 230 holds the first substrate WF-1 and the second substrate WF-1. WF-2 is configured to drive the substrate holder 220 so that it is immersed in the degassing liquid in the degassing tank 210 in sequence. Therefore, the pre-wet module 200
can perform different processes (eg, cleaning process and degassing process) on the first substrate WF-1 and the second substrate WF-2 in the pre-wet module 200 in parallel. Therefore, according to this embodiment, the substrate can be pretreated efficiently, and the throughput of the prewet module 200 can be improved.

なお、本実施形態では、脱気処理と並行して実行される処理装置258の一例として基板ステーション250および洗浄装置260を挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、プリウェットモジュール200の後続のめっき処理において、基板の被処理面の外縁部には給電接点が接触するので、被処理面の外縁部が濡れていると基板への給電分布が不均一になり、その結果、めっき処理によって形成されるめっき膜厚が不均一になるおそれがある。そこで、処理装置258は、脱気処理が終了した基板の被処理面の外縁部を乾燥させる乾燥装置であってもよい。また、処理装置258は、脱気処理を行う前の基板の被処理面を親水性に改質するために、被処理面に対してUV処理またはプラズマ処理を行うように構成された表面改質装置であってもよい。さらに、プリウェットモジュール200には、洗浄装置260、基板ステーション250、乾燥装置、または表面改質装置などの処理装置が設けられていなくてもよい。この場合、例えば第1の基板の脱気処理と並行して、第2の基板を第2の保持部材224に保持させる処理(基板の受け渡し処理)を行うことができる。その結果、第1の基板の脱気処理が終了した後、迅速に第2の基板に脱気処理を行うことができるので、1枚の基板がプリウェットモジュールを占有する従来技術に比べて、プリウェットモジュール200のスループットを向上させることができる。 In this embodiment, the substrate station 250 and the cleaning device 260 are described as an example of the processing device 258 that is executed in parallel with the degassing process, but the present invention is not limited to this. For example, in the subsequent plating process of the pre-wet module 200, the power supply contact contacts the outer edge of the surface to be processed of the substrate. As a result, the thickness of the plating formed by the plating process may become non-uniform. Therefore, the processing device 258 may be a drying device that dries the outer edge of the surface to be processed of the substrate that has undergone the degassing process. In addition, the processing apparatus 258 is a surface modification apparatus configured to perform UV processing or plasma processing on the surface to be processed in order to modify the surface to be processed of the substrate before performing the degassing treatment so that the surface to be processed is hydrophilic. It may be a device. Further, the pre-wet module 200 may not be provided with processing equipment such as cleaning equipment 260, substrate station 250, drying equipment, or surface modification equipment. In this case, for example, the process of holding the second substrate on the second holding member 224 (substrate transfer process) can be performed in parallel with the degassing process of the first substrate. As a result, after the degassing process of the first substrate is completed, the degassing process can be quickly performed on the second substrate. Throughput of the pre-wet module 200 can be improved.

以下、本実施形態のプリウェット方法について説明する。図4Aから図4Fは、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を概略的に示す図である。図4Aに示すように、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに近づけて基板保持位置に移動させる(ステップ101)。続いて、プリウェット方法は、搬送装置700によってプリウェットモジュール200に搬入された第1の基板WF-1を基板ステーション250に保持する(ステップ102)。 The pre-wetting method of this embodiment will be described below. Figures 4A-4F schematically illustrate a pre-wetting method using the pre-wet module of one embodiment. As shown in FIG. 4A, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 closer together to a substrate holding position (step 101). Subsequently, the prewetting method holds the first substrate WF-1 loaded into the prewetting module 200 by the transport device 700 at the substrate station 250 (step 102).

続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250に保持された第1の基板WF-1の被処理面を洗浄装置260によって洗浄する(ステップ103)。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を上昇させて、第1の保持部材222を第1の基板WF-1の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第1の基板WF-1を保持する(ステップ104)。 Subsequently, in the pre-wet method, the surface to be processed of the first substrate WF-1 held by the substrate station 250 is cleaned by the cleaning device 260 (step 103). Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lifted using the elevating mechanism 248 to bring the first holding member 222 into contact with the back surface of the surface to be processed of the first substrate WF-1. By vacuum-sucking the rear surface, the first substrate WF-1 is held (step 104).

続いて図4Bに示すように、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに遠ざけるように移動させる(ステップ105)。続いて、プリウェット方法は、回転機構240を用いて基板ホルダ220が上下反転するように基板ホルダ220を180度回転させる(ステップ106)。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を下降させることによって、脱気槽210に収容された脱気液に、第1の保持部材222に保持された第1の基板WF-1を浸漬させて脱気処理する(第1の脱気ステップ107)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに近づけて基板保持位置に移動させる(ステップ108)。 Subsequently, as shown in FIG. 4B, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 away from each other (step 105). Subsequently, the pre-wetting method uses the rotation mechanism 240 to rotate the substrate holder 220 180 degrees so that the substrate holder 220 is turned upside down (step 106). Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lowered using the elevating mechanism 248, so that the first substrate held by the first holding member 222 is exposed to the degassed liquid contained in the degassing tank 210. WF-1 is immersed and degassed (first degassing step 107). Subsequently, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 closer together to the substrate holding position (step 108).

続いて図4Cに示すように、プリウェット方法は、第1の脱気ステップ107の実行と並行して、搬送装置700によってプリウェットモジュール200に搬入された第2の基板WF-2を基板ステーション250に保持する(ステップ109)。続いて、プリウェット方法は、第1の脱気ステップ107の実行と並行して、後続の処理で第2の保持部材
224に保持される第2の基板WF-2に対して所定の処理を実行する(第1の処理ステップ110)。第1の処理ステップ110は、具体的には、基板ステーション250に保持された第2の基板WF-2(被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板)の被処理面に洗浄装置260を用いて洗浄液を供給する洗浄ステップを含む。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を上昇させて、第2の保持部材224を第2の基板WF-2の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第2の基板WF-2を保持する(ステップ111)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに遠ざけるように移動させる(ステップ112)。
Subsequently, as shown in FIG. 4C, the pre-wet method transfers the second substrate WF-2 loaded into the pre-wet module 200 by the transport device 700 to the substrate station in parallel with the execution of the first degassing step 107. 250 (step 109). Subsequently, in the pre-wetting method, in parallel with the execution of the first degassing step 107, predetermined processing is performed on the second substrate WF-2 held by the second holding member 224 in subsequent processing. Execute (first processing step 110). Specifically, in the first processing step 110, the surface to be processed of the second substrate WF-2 held by the substrate station 250 (the substrate held with the surface to be processed facing upward in the vertical direction) is cleaned by the cleaning device 260. a cleaning step of applying a cleaning solution using Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lifted using the elevating mechanism 248 to bring the second holding member 224 into contact with the back surface of the surface to be processed of the second substrate WF-2. The second substrate WF-2 is held by vacuum-sucking the rear surface (step 111). Subsequently, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 away from each other (step 112).

続いて図4Dに示すように、プリウェット方法は、第2の保持部材224に保持された第2の基板WF-2の被処理面が脱気槽210に収容された脱気液に対向するように、回転機構240を用いて基板ホルダ220を180度回転(上下反転)させる(回転ステップ113)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに近づけて基板保持位置に移動させて、第1の基板WF-1を基板ステーション250に保持する(ステップ114)。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を下降させることによって、脱気槽210に収容された脱気液に、第2の保持部材224に保持された第2の基板WF-2を浸漬させて脱気処理する(第2の脱気ステップ115)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250に保持された第1の基板WF-1を搬送装置700によって搬出する(ステップ116)。 Subsequently, as shown in FIG. 4D, in the pre-wetting method, the surface to be processed of the second substrate WF-2 held by the second holding member 224 faces the degassed liquid contained in the degassing tank 210. , the substrate holder 220 is rotated by 180 degrees (upside down) using the rotation mechanism 240 (rotation step 113). Subsequently, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 closer together to the substrate holding position to place the first substrate WF-1 on the substrate. Hold at station 250 (step 114). Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lowered using the elevating mechanism 248 so that the second substrate held by the second holding member 224 is exposed to the degassed liquid contained in the degassing tank 210 . WF-2 is immersed and degassed (second degassing step 115). Subsequently, the pre-wet method unloads the first substrate WF-1 held at the substrate station 250 by the transport device 700 (step 116).

続いて図4Eに示すように、プリウェット方法は、第2の脱気ステップ115の実行と並行して、搬送装置700によってプリウェットモジュール200に搬入された第3の基板WF-3を基板ステーション250に保持する(ステップ117)。続いて、プリウェット方法は、第2の脱気ステップ115の実行と並行して、後続の処理で第1の保持部材222に保持される第3の基板WF-3に対して所定の処理を実行する(第2の処理ステップ118)。第2の処理ステップ118は、具体的には、基板ステーション250に保持された第3の基板WF-3(被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板)の被処理面に洗浄装置260を用いて洗浄液を供給する洗浄ステップを含む。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を上昇させて、第1の保持部材222を第3の基板WF-3の被処理面の裏面に接触させ、被処理面の裏面を真空吸着することによって、第3の基板WF-3を保持する(ステップ119)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに遠ざけるように移動させる(ステップ120)。 Subsequently, as shown in FIG. 4E, the pre-wet method moves the third substrate WF-3 loaded into the pre-wet module 200 by the transport device 700 to the substrate station in parallel with the execution of the second degassing step 115 . 250 (step 117). Subsequently, in the pre-wetting method, in parallel with execution of the second degassing step 115, predetermined processing is performed on the third substrate WF-3 held by the first holding member 222 in subsequent processing. Execute (second processing step 118). Specifically, in the second processing step 118, the cleaning device 260 is applied to the surface to be processed of the third substrate WF-3 held in the substrate station 250 (the substrate held with the surface to be processed facing upward in the vertical direction). a cleaning step of applying a cleaning solution using Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lifted using the elevating mechanism 248 to bring the first holding member 222 into contact with the back surface of the surface to be processed of the third substrate WF-3. The third substrate WF-3 is held by vacuum-sucking the rear surface (step 119). Subsequently, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 away from each other (step 120).

続いて図4Fに示すように、プリウェット方法は、第1の保持部材222に保持された第3の基板WF-3の被処理面が脱気槽210に収容された脱気液に対向するように、回転機構240を用いて基板ホルダ220を180度回転(上下反転)させる(回転ステップ121)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250の第1のアーム部材250-1と第2のアーム部材250-2を互いに近づけて基板保持位置に移動させて、第2の基板WF-2を基板ステーション250に保持する(ステップ122)。続いて、プリウェット方法は、昇降機構248を用いて基板ホルダ220を下降させることによって、脱気槽210に収容された脱気液に、第1の保持部材222に保持された第3の基板WF-3を浸漬させて脱気処理する(第3の脱気ステップ123)。続いて、プリウェット方法は、基板ステーション250に保持された第2の基板WF-2を搬送装置700によって搬出する(ステップ124)。プリウェット方法は、ステップ124の後、図4Cに戻って後続の基板に対して前処理を繰り返す。 Subsequently, as shown in FIG. 4F, in the pre-wetting method, the surface to be processed of the third substrate WF-3 held by the first holding member 222 faces the degassed liquid contained in the degassing tank 210. , the substrate holder 220 is rotated by 180 degrees (upside down) using the rotation mechanism 240 (rotation step 121). Subsequently, the pre-wet method moves the first arm member 250-1 and the second arm member 250-2 of the substrate station 250 closer to each other to the substrate holding position to place the second substrate WF-2 on the substrate. Hold at station 250 (step 122). Subsequently, in the pre-wetting method, the substrate holder 220 is lowered using the elevating mechanism 248, so that the third substrate held by the first holding member 222 is exposed to the degassed liquid contained in the degassing tank 210. WF-3 is immersed and degassed (third degassing step 123). Subsequently, the pre-wet method unloads the second substrate WF-2 held at the substrate station 250 by the transport device 700 (step 124). After step 124, the pre-wet method returns to FIG. 4C to repeat the pre-treatment for subsequent substrates.

以上のように、本実施形態のプリウェット方法は、プリウェットモジュール200内で
、複数の基板に異なる処理(洗浄処理と脱気処理)を並行して同時に行うように構成されている。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール200のスループットを向上させることができる。
As described above, the pre-wet method of the present embodiment is configured such that different processes (cleaning process and degassing process) are simultaneously performed on a plurality of substrates in the pre-wet module 200 . Therefore, according to this embodiment, the substrate can be pretreated efficiently, and the throughput of the prewet module 200 can be improved.

なお、上記の実施形態では、基板ホルダ220が第1の保持部材222と第2の保持部材224を有する例を示したが、これに限定されない。図5は、他の実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図3に示す実施形態と同様の構成については説明を省略する。図5に示すように、基板ホルダ220は、第1の基板WF-1を保持するための第1の保持部材222、第2の基板WF-2を保持するための第2の保持部材224、第3の基板WF-3を保持するための第3の保持部材226、および第4の基板WF-4を保持するための第4の保持部材228を有する。 In addition, although the example in which the substrate holder 220 has the first holding member 222 and the second holding member 224 is shown in the above embodiment, the present invention is not limited to this. FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of a pre-wet module of another embodiment. Description of the same configuration as that of the embodiment shown in FIG. 3 will be omitted. As shown in FIG. 5, the substrate holder 220 includes a first holding member 222 for holding the first substrate WF-1, a second holding member 224 for holding the second substrate WF-2, It has a third holding member 226 for holding the third substrate WF-3 and a fourth holding member 228 for holding the fourth substrate WF-4.

図5には図示していない回転機構は、シャフト242の軸周りに基板ホルダ220を回転可能になっている。これにより、回転機構は、第1の基板WF-1の被処理面が脱気槽210内の脱気液に対向する第1の状態と、第2の基板WF-2の被処理面が脱気液に対向する第2の状態と、第3の基板WF-3の被処理面が脱気液に対向する第3の状態と、第4の基板WF-4の被処理面が脱気液に対向する第4の状態と、の間で基板ホルダ220を回転させるように構成される。図5には図示していない昇降機構によって基板ホルダ220を昇降させることにより、第1の基板WF-1から第1の基板WF-4を順次脱気液に浸漬させることができる。 A rotation mechanism (not shown in FIG. 5) can rotate the substrate holder 220 around the axis of the shaft 242 . As a result, the rotation mechanism is set to the first state in which the surface to be processed of the first substrate WF-1 faces the deaerated liquid in the deaeration tank 210, and the state in which the surface to be processed of the second substrate WF-2 is degassed. a second state in which the surface to be processed of the third substrate WF-3 faces the degassed liquid; a third state in which the surface to be processed of the fourth substrate WF-4 faces the degassed liquid; and a fourth state opposite to . By elevating the substrate holder 220 by an elevating mechanism (not shown in FIG. 5), the first substrate WF-1 to the first substrate WF-4 can be sequentially immersed in the deaerated liquid.

第1の保持部材222から第4の保持部材228は、シャフト242の軸周りに相互に90度ずつ位置をずらせて配置されている。図5に示した状態において、第1の保持部材222および第3の保持部材226は、第1の基板WF-1および第3の基板WF-3の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対に向くように第1の基板WF-1および第3の基板WF-3を保持するように構成される。第2の保持部材224および第4の保持部材228は、第2の基板WF-2および第4の基板WF-4の被処理面がそれぞれ水平方向の反対に向くように第2の基板WF-2および第4の基板WF-4を保持するように構成される。 The first holding member 222 to the fourth holding member 228 are displaced from each other by 90 degrees around the axis of the shaft 242 . In the state shown in FIG. 5, the surfaces to be processed of the first substrate WF-1 and the third substrate WF-3 of the first holding member 222 and the third holding member 226 face vertically opposite to each other. are configured to hold a first substrate WF-1 and a third substrate WF-3 in such a manner. The second holding member 224 and the fourth holding member 228 hold the second substrate WF-2 and the fourth substrate WF-4 so that the surfaces to be processed of the second substrate WF-2 and the fourth substrate WF-4 face opposite horizontal directions. 2 and a fourth substrate WF-4.

プリウェットモジュール200は、第1の基板WF-1から第4の基板WF-4のいずれか1つが脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置258を含む。図5に示した状態では、処理装置258の一形態である洗浄装置260は、被処理面が水平方向を向いた第2の基板WF-2に対して洗浄液を供給するように構成される。ここで、図5に示すように、第2の保持部材224は、第2の基板WF-2の被処理面WF-2aが水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が脱気槽210の上部に形成された開口210aの外側に位置するように第2の基板WF-2を保持するように構成される。これにより、第2の基板WF-2の被処理面に衝突した洗浄液は、脱気槽210の外部に落下するので、脱気液に洗浄液が混入するのを抑制することができる。これは、第1の保持部材222、第3の保持部材226、および第4の保持部材228についても同様である。すなわち、第1の保持部材222、第3の保持部材226、および第4の保持部材228が基板ホルダ220の回転によって第2の保持部材224と同じ位置に配置されたときには、第1の基板WF-1、第3の基板WF-3、および第4の基板WF-4の被処理面は開口210aの外側に位置する。 The pre-wet module 200 is configured to perform predetermined processing on the other substrates while any one of the first substrate WF-1 to the fourth substrate WF-4 is immersed in the degassing liquid. and a processed processor 258 . In the state shown in FIG. 5, the cleaning device 260, which is one form of the processing device 258, is configured to supply the cleaning liquid to the second substrate WF-2 whose surface to be processed is oriented in the horizontal direction. Here, as shown in FIG. 5, the second holding member 224 is arranged such that when the surface to be processed WF-2a of the second substrate WF-2 faces the horizontal direction, the surface to be processed of the second substrate WF-2 is positioned in the degassing tank. 210 is configured to hold the second substrate WF-2 so as to be positioned outside the opening 210a formed in the upper portion of the substrate 210; As a result, the cleaning liquid that has collided with the surface to be processed of the second substrate WF-2 falls outside the deaeration tank 210, so that the cleaning liquid can be prevented from being mixed with the deaeration liquid. The same is true for the first holding member 222 , the third holding member 226 and the fourth holding member 228 . That is, when the first holding member 222, the third holding member 226, and the fourth holding member 228 are arranged at the same position as the second holding member 224 by rotating the substrate holder 220, the first substrate WF -1, the third substrate WF-3, and the fourth substrate WF-4 are located outside the opening 210a.

図5に示すように、処理装置258は、被処理面が水平方向を向いた基板(図5では第4の基板WF-4)に対して乾燥処理を実行するように構成された乾燥装置280を備える。乾燥装置280は、脱気処理が行われた後の基板の被処理面の外縁部を乾燥させるように構成される。乾燥装置280を設けることにより、後続のめっき処理において給電接点が基板の被処理面の濡れた外縁部に接触するのを抑制することができる。 As shown in FIG. 5, the processing device 258 includes a drying device 280 configured to dry a substrate (fourth substrate WF-4 in FIG. 5) whose surface to be processed faces the horizontal direction. Prepare. The drying device 280 is configured to dry the outer edge of the processed surface of the substrate after the degassing process has been performed. By providing the drying device 280, the feed contacts can be prevented from contacting the wet outer edge of the surface of the substrate during the subsequent plating process.

また、図5に示すように、処理装置258は、被処理面が鉛直上方向を向いた基板(図5では第1の基板WF-1)に対してUV処理またはプラズマ処理を行うように構成された表面改質装置290を備える。表面改質装置290を設けることにより、洗浄処理および脱気処理を行う前の基板の被処理面を親水性に改質することができる。 Further, as shown in FIG. 5, the processing apparatus 258 is configured to perform UV processing or plasma processing on a substrate (the first substrate WF-1 in FIG. 5) whose surface to be processed faces the vertically upward direction. and a surface modification device 290 . By providing the surface modification device 290, the surface to be processed of the substrate before the cleaning treatment and the degassing treatment can be modified to be hydrophilic.

本実施形態によれば、プリウェットモジュール200内において、表面改質処理、洗浄処理、脱気処理、および乾燥処理を、複数の基板に対して並行して行うことができる。したがって、本実施形態によれば、基板に効率よく前処理を行うことができ、プリウェットモジュール200のスループットを向上させることができる。 According to this embodiment, in the pre-wet module 200, surface modification treatment, cleaning treatment, degassing treatment, and drying treatment can be performed on a plurality of substrates in parallel. Therefore, according to this embodiment, the substrate can be pretreated efficiently, and the throughput of the prewet module 200 can be improved.

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。上記の実施形態では、脱気槽210内の空間が仕切り板212によって脱気領域214とオーバーフロー領域216に仕切られる例を示したが、これに限定されない。図6は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。図7は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。脱気槽210以外の構成は、上記の実施形態と同様であるので、説明を省略する。 Next, another embodiment of the pre-wet module will be described. In the above-described embodiment, an example in which the space in the degassing tank 210 is partitioned into the degassing area 214 and the overflow area 216 by the partition plate 212 is shown, but the present invention is not limited to this. FIG. 6 is a perspective view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. FIG. 7 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. The configuration other than the degassing tank 210 is the same as that of the above-described embodiment, so the description is omitted.

図6および図7に示すように、脱気槽210は、脱気液が収容される概略円筒形状の脱気槽210から脱気液を溢れ出させるための複数(本実施形態では4個)のオーバーフロー口219を有する。具体的には、複数のオーバーフロー口219は、脱気槽210の側壁210bの同じ高さ位置に、周方向に沿って実質的に等間隔(約90°間隔)に形成されている。また、複数のオーバーフロー口219は、脱気槽210に浸漬された基板WFよりも高い位置で、脱気槽210の側壁210bに形成されている。プリウェットモジュール200は、複数のオーバーフロー口219にそれぞれ連通する複数(本実施形態では4個)のオーバーフロー槽205を有する。オーバーフロー槽205は脱気槽210の側壁210bの外側に配置された概略矩形の容器である。本実施形態では、脱気槽210の内部に脱気領域214が形成され、オーバーフロー槽205の内部にオーバーフロー領域216が形成される。 As shown in FIGS. 6 and 7, there are a plurality of deaeration tanks 210 (four in this embodiment) for overflowing the degassed liquid from the roughly cylindrical deaeration tanks 210 containing the deaerated liquid. of overflow ports 219 . Specifically, the plurality of overflow ports 219 are formed at substantially equal intervals (approximately 90° intervals) along the circumferential direction at the same height positions on the side wall 210b of the degassing tank 210 . A plurality of overflow ports 219 are formed in the side wall 210 b of the deaeration tank 210 at positions higher than the substrate WF immersed in the deaeration tank 210 . The pre-wet module 200 has a plurality (four in this embodiment) of overflow tanks 205 communicating with a plurality of overflow ports 219 respectively. The overflow tank 205 is a generally rectangular container located outside the sidewall 210b of the degassing tank 210 . In this embodiment, a deaeration area 214 is formed inside the deaeration tank 210 and an overflow area 216 is formed inside the overflow tank 205 .

また、図6および図7に示すように、脱気槽210は、脱気槽210の底壁210cの中央に形成された脱気液の注入口210dを有する。注入口210dは、脱気槽210に浸漬された基板WFの中心に対応する位置に設けられる。脱気液を生成するように構成された脱気装置1300から送出された脱気液は、注入口210dを介して脱気槽210内に注入されて脱気槽210を満たし、複数のオーバーフロー口219から溢れ出す。 6 and 7, the degassing tank 210 has a degassed liquid inlet 210d formed in the center of the bottom wall 210c of the degassing tank 210. As shown in FIGS. The injection port 210 d is provided at a position corresponding to the center of the substrate WF immersed in the degassing tank 210 . Degassed liquid delivered from a degassing device 1300 configured to produce a degassed liquid is injected into the degassing vessel 210 through inlet 210d to fill the degassing vessel 210 and form a plurality of overflow ports. It overflows from 219.

本実施形態のように複数のオーバーフロー口219を介して脱気液をオーバーフローさせることによって、基板WFの被処理面WF-aにおける脱気液の流速を均等化するとともに、脱気槽210内の脱気液の溶存酸素量を均等化することができる。 By causing the degassed liquid to overflow through the plurality of overflow ports 219 as in this embodiment, the flow velocity of the degassed liquid on the surface to be processed WF-a of the substrate WF is made uniform, The amount of dissolved oxygen in the degassed liquid can be equalized.

すなわち、例えばオーバーフロー口が1か所だけ形成されている場合には、注入口210dを介して脱気槽210内に注入された脱気液は基板WFの被処理面の中央に向けて流れた後、1か所のオーバーフロー口の方向に流れる。これにより、基板WFの被処理面における脱気液の流速が不均等になるとともに、オーバーフロー口が形成されていない側の領域では脱気液の流れが淀む。この流れが淀んだ領域では、脱気液の液面から空気が溶け込んで溶存酸素量が多くなるので、脱気槽210内の脱気液の溶存酸素量が不均等になり得る。その結果、流れが淀んだ領域の近傍では、流れが淀んでいない領域の近傍と比べて、基板WFの被処理面WF-aの脱気処理が促進され難くなるので、基板WFの被処理面全体で脱気処理のバラつきが生じ得る。 That is, for example, when only one overflow port is formed, the degassed liquid injected into the degassing tank 210 through the inlet 210d flows toward the center of the surface to be processed of the substrate WF. After that, it flows in the direction of one overflow port. As a result, the flow velocity of the degassed liquid on the surface to be processed of the substrate WF becomes uneven, and the flow of the degassed liquid stagnates in the region on the side where the overflow port is not formed. In the region where the flow is stagnant, air dissolves from the liquid surface of the degassed liquid and the dissolved oxygen amount increases, so the dissolved oxygen amount of the degassed liquid in the degassing tank 210 may become uneven. As a result, in the vicinity of the region where the flow is stagnant, the degassing of the surface to be processed WF-a of the substrate WF is more difficult to promote than in the vicinity of the region where the flow is not stagnant. Variation in the degassing process may occur throughout.

これに対して、本実施形態によれば、脱気槽210の側壁210bの周方向に実質的に均等配置された複数のオーバーフロー口219から脱気液が溢れ出す。これにより、注入口210dを介して脱気槽210内に注入された脱気液は基板WFの被処理面WF-aの中央に向けて流れた後、基板WFの被処理面の中央から被処理面に沿って放射方向に広がる流れが形成される。したがって、基板WFの被処理面における脱気液の流速をより均一化することができる。また、脱気槽210内に脱気液の流れが淀む領域が生じ難いので、脱気槽210内の脱気液の溶存酸素量をより均等化することができ、その結果、基板WFの被処理面WF-aの全体をより均等に脱気処理することができる。 In contrast, according to the present embodiment, the degassed liquid overflows from a plurality of overflow ports 219 that are substantially evenly arranged in the circumferential direction of the side wall 210 b of the degassing tank 210 . As a result, the deaerated liquid injected into the deaeration tank 210 through the inlet 210d flows toward the center of the surface to be processed WF-a of the substrate WF, and then flows from the center of the surface to be processed of the substrate WF to the surface to be processed. A radially expanding stream is formed along the treated surface. Therefore, the flow velocity of the deaerated liquid on the surface to be processed of the substrate WF can be made more uniform. In addition, since a region in which the flow of the degassed liquid stagnates is unlikely to occur in the degassing tank 210, the dissolved oxygen amount of the degassed liquid in the degassing tank 210 can be made more uniform. The entire treated surface WF-a can be more uniformly degassed.

また、図6および図7に示すように、オーバーフロー槽205は、オーバーフロー槽205の上部の開口を塞ぐように配置された板状の蓋部材205aを有する。オーバーフロー槽205が蓋部材205aを有することによって、複数のノズル268から供給された洗浄液がオーバーフロー槽205内(オーバーフロー領域216)に落下することを防止することができる。さらに、オーバーフロー槽205は、蓋部材205aの上面の、脱気槽210の側壁210bに対応する位置から鉛直上方向に伸びる板部材205bを有する。板部材205bを設けることによって、複数のノズル268から供給された洗浄液が蓋部材205aに落下した後に脱気槽210の方向に跳ね返ったとしても、板部材205bに衝突するので、洗浄液が脱気槽210に落下することを防止することができる。 Moreover, as shown in FIGS. 6 and 7, the overflow tank 205 has a plate-like lid member 205a arranged to close the upper opening of the overflow tank 205. As shown in FIG. Since the overflow tank 205 has the cover member 205a, it is possible to prevent the cleaning liquid supplied from the plurality of nozzles 268 from falling into the overflow tank 205 (overflow region 216). Furthermore, the overflow tank 205 has a plate member 205b extending vertically upward from a position corresponding to the side wall 210b of the degassing tank 210 on the upper surface of the lid member 205a. By providing the plate member 205b, even if the cleaning liquid supplied from the plurality of nozzles 268 drops onto the cover member 205a and bounces back toward the degassing tank 210, the cleaning liquid collides with the plate member 205b. 210 can be prevented from falling.

図8は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図8に示すように、プリウェットモジュール200は、脱気槽210内に浸漬された基板と注入口210dとの間に配置された整流部材207を備える。図9は、整流部材の一例を示す斜視図である。図9に示すように、整流部材207は、複数の貫通穴(丸穴)207aを有する板状の部材である。 FIG. 8 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. As shown in FIG. 8, the pre-wet module 200 includes a straightening member 207 arranged between the substrate immersed in the degassing tank 210 and the inlet 210d. FIG. 9 is a perspective view showing an example of a straightening member. As shown in FIG. 9, the straightening member 207 is a plate-like member having a plurality of through holes (round holes) 207a.

例えば図7に示した実施形態では、注入口210dから注入された脱気液が基板WFの被処理面の外周部分よりも中央部分に多く流れて、脱気処理が不均一になるおそれがある。これに対して本実施形態では、注入口210dから注入された脱気液は、整流部材207の複数の貫通穴207aを通って基板WFの被処理面に向かうので、注入口210dから注入された脱気液を基板WFの被処理面の全体により均一に供給することができ、その結果、基板WFの被処理面WF-aの脱気処理をより均一化することができる。なお、本実施形態では、複数の丸穴207が形成された整流部材207を一例として示したが、これに限らず、例えば角穴が形成されていてもよいし、簀子状に構成されることによって長穴が形成されていてもよい。整流部材207は、基板WFと注入口210dとの間に配置されており、基板WFの被処理面WF-aに対向する複数の貫通穴が形成されていればよい。 For example, in the embodiment shown in FIG. 7, the degassing liquid injected from the inlet 210d flows more to the central portion of the surface to be processed of the substrate WF than to the outer peripheral portion, which may make the degassing process uneven. . In contrast, in the present embodiment, the degassed liquid injected from the injection port 210d passes through the plurality of through holes 207a of the rectifying member 207 toward the surface to be processed of the substrate WF. The degassing liquid can be more uniformly supplied to the entire surface to be processed of the substrate WF, and as a result, the surface to be processed WF-a of the substrate WF can be more uniformly degassed. In this embodiment, the rectifying member 207 in which a plurality of round holes 207 are formed is shown as an example, but the present invention is not limited to this. A long hole may be formed by The rectifying member 207 is arranged between the substrate WF and the injection port 210d, and may be formed with a plurality of through holes facing the surface to be processed WF-a of the substrate WF.

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。図10は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。本実施形態のプリウェットモジュールは、図3を用いて説明したプリウェットモジュール200と同様の構成に加えて、追加の複数の部材を備えている。図3のプリウェットモジュール200と同様に構成については説明を省略する。 Next, another embodiment of the pre-wet module will be described. FIG. 10 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. The pre-wet module of this embodiment includes a plurality of additional members in addition to the same configuration as the pre-wet module 200 described using FIG. As with the pre-wet module 200 of FIG. 3, the description of the configuration is omitted.

図10に示すように、プリウェットモジュール200は、脱気槽210内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材(カメラ)211を備える。撮像部材211によって撮像された画像は、制御モジュール800の出力インターフェースなどに表示させることができる。これにより、脱気槽210に浸漬された基板WF-1の被処理面の状態をオペレータが観察することができる。オペレータは、例えば、基板WF-1を脱気槽210に浸漬させたときに基板WFの被処理面に気泡が付着していないか、脱気処理中にシード層に異常が生じていないかなど、被処理面WF-1aの状態をモニターすることができる。 As shown in FIG. 10, the pre-wet module 200 includes an imaging member (camera) 211 that faces the substrate immersed in the deaeration tank 210 . An image captured by the imaging member 211 can be displayed on an output interface of the control module 800 or the like. This allows the operator to observe the state of the surface to be processed of the substrate WF-1 immersed in the degassing tank 210. FIG. For example, when the substrate WF-1 is immersed in the degassing tank 210, the operator checks whether air bubbles adhere to the surface to be processed of the substrate WF, whether any abnormalities have occurred in the seed layer during the degassing process, and the like. , the state of the surface to be processed WF-1a can be monitored.

また、プリウェットモジュール200は、基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置201を備える。判定装置201は、撮像部材211によって撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成される。判定装置201は、脱気状態の判定アルゴリズムが組み込まれた一般的なコンピュータまたは専用コンピュータで構成することができる。めっき装置1000の制御モジュール800を判定装置201として用いてもよい。 The pre-wet module 200 also comprises a determining device 201 configured to determine the degassing condition of the surface to be processed of the substrate. The determination device 201 is configured to determine the degassing state of the surface to be processed of the substrate based on the brightness of the image captured by the imaging member 211 . The determination device 201 can be composed of a general computer or a dedicated computer in which a degassing state determination algorithm is incorporated. The control module 800 of the plating apparatus 1000 may be used as the determination device 201. FIG.

判定装置201は、具体的には、撮像部材211によって撮像された画像に含まれる複数ピクセルの一部の輝度、または複数ピクセルの平均輝度が、所定の閾値を超えていたら、被処理面に気泡が付着している、または、脱気処理が完了していないと判定することができる。一方、判定装置201は、複数ピクセルの一部の輝度、または複数ピクセルの平均輝度が、所定の閾値以下になったら、脱気処理が完了したと判定することができる。すなわち、基板WFの被処理面に気泡が付着している場合、あるいは、被処理面のパターン間またはビアに未置換の空気が残っている場合には、撮像した画像に気泡または空気による白い領域が含まれてピクセルの輝度が高くなる。したがって、判定装置201は、撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定することができる。 Specifically, if the luminance of a part of the plurality of pixels included in the image picked up by the imaging member 211 or the average luminance of the plurality of pixels exceeds a predetermined threshold value, the determination device 201 detects bubbles on the surface to be processed. is attached, or the degassing process is not completed. On the other hand, the determination device 201 can determine that the degassing process has been completed when the brightness of some of the pixels or the average brightness of the pixels becomes equal to or less than a predetermined threshold value. That is, when air bubbles adhere to the surface to be processed of the substrate WF, or when unreplaced air remains between patterns or vias on the surface to be processed, a white area due to bubbles or air appears in the captured image. , which increases the brightness of the pixels. Therefore, the determination device 201 can determine the degassing state of the surface to be processed of the substrate based on the brightness of the captured image.

なお、撮像部材211は、支持台213に取り付けられて脱気槽210内に保持されている。プリウェットモジュール200は、支持台213を介して撮像部材211を基板WFの被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材215を備える。駆動部材215は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。駆動部材215によって撮像部材を基板WFの被処理面に沿って移動させることにより、基板WFの半径方向に沿って被処理面を撮像することができる。撮像部材211は、例えば基板の被処理面から1~10mmの距離に配置するのが好ましい。 The imaging member 211 is attached to a support base 213 and held inside the degassing tank 210 . The pre-wet module 200 includes a driving member 215 for moving the imaging member 211 in the direction along the surface to be processed of the substrate WF via the support base 213 . The drive member 215 can be implemented by a known mechanism such as a motor. By moving the imaging member along the surface to be processed of the substrate WF by the driving member 215, the surface to be processed can be imaged along the radial direction of the substrate WF. The imaging member 211 is preferably arranged at a distance of, for example, 1 to 10 mm from the surface of the substrate to be processed.

また、プリウェットモジュール200は、基板ホルダ220によって保持された基板WFが基板の中心を通る軸WF-bの周りに回転するように第1の保持部材222を回転させるための回転駆動部材221をさらに備える。基板WFを軸WF-bの周りに回転させることによって、基板WFの周方向に沿って被処理面を撮像することができる。また、駆動部材215を用いて撮像部材211を移動させながら、回転駆動部材221を用いて基板WFを回転させることによって、被処理面の全体を撮像することができる。なお、本実施形態では、第1の保持部材222を回転させるための回転駆動部材221を備える例を示したが、第2の保持部材224を同様に回転させてもよい。また、本実施形態は、図3に示したプリウェットモジュール200に撮像部材211などの複数の部材を追加した例を示したが、これに限らず、図5に示したプリウェットモジュール200に同様の部材を追加してもよい。 The pre-wet module 200 also includes a rotation drive member 221 for rotating the first holding member 222 so that the substrate WF held by the substrate holder 220 rotates around the axis WF-b passing through the center of the substrate. Prepare more. By rotating the substrate WF around the axis WF-b, the surface to be processed can be imaged along the circumferential direction of the substrate WF. Further, by rotating the substrate WF using the rotation driving member 221 while moving the imaging member 211 using the driving member 215, the entire surface to be processed can be imaged. In this embodiment, an example in which the rotation driving member 221 is provided for rotating the first holding member 222 is shown, but the second holding member 224 may be similarly rotated. In addition, although the present embodiment shows an example in which a plurality of members such as the imaging member 211 are added to the pre-wet module 200 shown in FIG. 3, the pre-wet module 200 shown in FIG. member may be added.

次に、プリウェットモジュールの他の実施形態について説明する。図11は、一実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。本実施形態のプリウェットモジュールは、図3を用いて説明したプリウェットモジュール200と同様の構成に加えて、追加の複数の部材を備えている。図3のプリウェットモジュール200と同様に構成については説明を省略する。 Next, another embodiment of the pre-wet module will be described. FIG. 11 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the pre-wet module of one embodiment. The pre-wet module of this embodiment includes a plurality of additional members in addition to the same configuration as the pre-wet module 200 described using FIG. As with the pre-wet module 200 of FIG. 3, the description of the configuration is omitted.

図11に示すように、プリウェットモジュール200は、脱気槽210内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材(パドル)217を備える。また、プリウェットモジュール200は、攪拌部材217を基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材218を備える。駆動部材218は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。 As shown in FIG. 11, the pre-wet module 200 comprises a stirring member (paddle) 217 arranged opposite the substrate immersed in the deaeration tank 210 . The pre-wet module 200 also includes a driving member 218 for reciprocating the stirring member 217 along the surface to be processed of the substrate. The drive member 218 can be implemented by a known mechanism such as a motor.

図12Aおよび図12Bは、攪拌部材の構成を概略的に示す平面図である。図12Aに示すように、攪拌部材217は、複数の棒状部材217aを格子状に配置することによって多数の穴217bが形成された板部材によって構成することができる。また、図12Bに示すように、攪拌部材217は、ハニカム状の多数の穴217cが形成された板部材によって構成することもできる。駆動部材218によって攪拌部材217を往復移動させることによって、基板WFの被処理面の近傍の脱気液を攪拌することができる。これにより、例えば基板WFの被処理面に形成されたビア内部の空気を脱気液に置換させる場合に、空気が溶け込んだ脱気液をビアから離脱させて、空気が溶け込んでいない脱気を新たにビアに送り込むことができるので、脱気処理を促進することができる。 12A and 12B are plan views schematically showing the configuration of the stirring member. As shown in FIG. 12A, the stirring member 217 can be composed of a plate member in which a large number of holes 217b are formed by arranging a plurality of rod-shaped members 217a in a lattice. Further, as shown in FIG. 12B, the stirring member 217 can also be configured by a plate member in which a large number of honeycomb-shaped holes 217c are formed. By reciprocating the stirring member 217 by the driving member 218, the degassed liquid in the vicinity of the surface to be processed of the substrate WF can be stirred. As a result, for example, when the air inside the via formed on the surface to be processed of the substrate WF is replaced with the degassed liquid, the degassed liquid in which the air is dissolved is separated from the via, and the degassed liquid in which the air is not dissolved is removed. Since it can be fed into the via anew, the degassing process can be accelerated.

なお、本実施形態では、攪拌部材217を往復移動させることによって脱気液を攪拌する例を示したが、これに限らず、図10に示した実施形態における回転駆動部材221を用いて基板WFを回転させることによって脱気液を攪拌してもよい。また、攪拌部材217を往復移動させ、かつ、回転駆動部材221を用いて基板WFを回転させることによって、より強く脱気液を攪拌させることもできる。 In this embodiment, an example in which the degassed liquid is stirred by reciprocating the stirring member 217 is shown. The degassed liquid may be agitated by rotating the Further, by reciprocating the stirring member 217 and rotating the substrate WF using the rotation driving member 221, the degassed liquid can be stirred more strongly.

次に、複数のプリウェットモジュール200を備える脱気液循環システムについて説明する。図13は、一実施形態の脱気液循環システムの構成を概略的に示す図である。図13に示すように、脱気液循環システム1500は、上下方向に並べて配置された2台のプリウェットモジュール200を備える。また、脱気液循環システム1500は、2台のプリウェットモジュール200に対して共通に設けられた1台の循環槽1100を備える。循環槽1100は、2台のプリウェットモジュール200から溢れ出た脱気液を受け入れるように構成される。具体的には、2台のプリウェットモジュール200から溢れ出た脱気液は、オーバーフロー配管1150を介して循環槽1100へ流れる。 Next, a degassed liquid circulation system including a plurality of pre-wetting modules 200 will be described. FIG. 13 is a diagram schematically showing the configuration of the degassed liquid circulation system of one embodiment. As shown in FIG. 13, the degassed liquid circulation system 1500 includes two pre-wetting modules 200 arranged side by side in the vertical direction. Moreover, the degassed liquid circulation system 1500 includes one circulation tank 1100 provided in common for the two pre-wet modules 200 . The circulation tank 1100 is configured to receive degassed liquid overflowing from the two pre-wet modules 200 . Specifically, the degassed liquid overflowing from the two pre-wetting modules 200 flows into the circulation tank 1100 via the overflow pipe 1150 .

脱気液循環システム1500は、2台のプリウェットモジュール200に対して共通に設けられた1台の脱気装置1300を備える。脱気装置1300は、脱気液に対する脱気処理を行うための装置であり、図示していない真空ポンプなどを用いて真空引きすることによって溶存酸素量の少ない脱気液を生成することができる。脱気液循環システム1500は、2台のプリウェットモジュール200に対して共通に設けられた1台の圧送部材(ポンプ)1200を備える。圧送部材1200は、循環槽1100から脱気装置1300を介して2台のプリウェットモジュール200に脱気液を圧送するための部材である。 The deaerated liquid circulation system 1500 includes one deaerator 1300 provided in common for two pre-wet modules 200 . The degassing device 1300 is a device for degassing the degassed liquid, and can generate a degassed liquid with a small amount of dissolved oxygen by vacuuming using a vacuum pump (not shown) or the like. . The degassed liquid circulation system 1500 includes one pumping member (pump) 1200 that is commonly provided for the two pre-wetting modules 200 . The pumping member 1200 is a member for pumping the degassed liquid from the circulation tank 1100 to the two prewetting modules 200 via the deaerator 1300 .

具体的には、循環槽1100と脱気装置1300は排出配管1160を介して接続されている。また、脱気装置1300と2台のプリウェットモジュール200は供給配管1190を介して接続されている。2台のプリウェットモジュール200に接続された供給配管1190にはそれぞれ、バルブ1192および流量計1194が設けられている。圧送部材1200は、バルブ1192が開いているときに、排出配管1160を介して脱気液を循環槽1100から脱気装置1300へ圧送するとともに、供給配管1190を介して脱気液を脱気装置1300から2台のプリウェットモジュール200へ圧送する。本実施形態によれば、複数台のプリウェットモジュール200に対して、循環槽1100、脱気装置1300、および圧送部材1200を共用しているので、脱気液循環システム1500のコストを抑制することができる。 Specifically, the circulation tank 1100 and the deaerator 1300 are connected via a discharge pipe 1160 . Also, the degassing device 1300 and the two pre-wet modules 200 are connected via a supply pipe 1190 . The supply lines 1190 connected to the two pre-wet modules 200 are each provided with a valve 1192 and a flow meter 1194 . When the valve 1192 is open, the pressure-feeding member 1200 pressure-feeds the degassed liquid from the circulation tank 1100 to the degassing device 1300 via the discharge pipe 1160 and the degassed liquid via the supply pipe 1190 to the degassing device. 1300 pumps to two pre-wet modules 200; According to this embodiment, since the circulation tank 1100, the degassing device 1300, and the pumping member 1200 are shared by a plurality of prewetting modules 200, the cost of the degassed liquid circulation system 1500 can be suppressed. can be done.

脱気液循環システム1500は、供給配管1190に配置されたフィルタ1400を備える。フィルタ1400は、供給配管1190を流れる脱気液に含まれる異物を取り除くための部材である。フィルタ1400には、フィルタ1400の目詰まり防止用のベント配管1170が接続されている。ベント配管1170は循環槽1100に接続されており、ベント配管1170を通る脱気液は循環槽1100に戻されるようになっている。 The degassed liquid circulation system 1500 comprises a filter 1400 arranged in the supply pipe 1190 . Filter 1400 is a member for removing foreign matter contained in the degassed liquid flowing through supply pipe 1190 . A vent pipe 1170 for preventing clogging of the filter 1400 is connected to the filter 1400 . The vent pipe 1170 is connected to the circulation bath 1100 so that the degassed liquid passing through the vent pipe 1170 is returned to the circulation bath 1100 .

脱気液循環システム1500は、供給配管1190のフィルタ1400より下流から分岐して循環槽1100に接続されたパイパス配管1180を備える。パイパス配管1180には、バルブ1182および流量計1184が設けられている。これにより、脱気装置1300から送り出された脱気液を、プリウェットモジュール200を介さずに循環槽1100へ戻すことができる。 The degassed liquid circulation system 1500 includes a bypass pipe 1180 branched downstream from the filter 1400 of the supply pipe 1190 and connected to the circulation tank 1100 . Bypass pipe 1180 is provided with valve 1182 and flow meter 1184 . As a result, the deaerated liquid sent out from the deaerator 1300 can be returned to the circulation tank 1100 without passing through the pre-wet module 200 .

循環槽1100は、2台のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を循環槽1100内に受け入れる第1の受け入れ口1150aを備える。第1の受け入れ口1150aは、循環槽1100内に挿入されたオーバーフロー配管1150の端部に形成される。また、循環槽1100は、パイパス配管1180を介して圧送された脱気液を循環槽1100内に受け入れる第2の受け入れ口1180aを備える。第2の受け入れ口1180aは、循環槽1100内に挿入されたパイパス配管1180の端部に形成される。循環槽1100は、循環槽1100内の脱気液を脱気装置1300へ排出するための排出口1100dを備える。 The circulation tank 1100 has a first receiving port 1150a for receiving the degassed liquid overflowing from the two pre-wetting modules. A first receiving port 1150 a is formed at the end of the overflow pipe 1150 inserted into the circulation bath 1100 . Circulation tank 1100 also includes a second receiving port 1180a for receiving the degassed liquid pressure-fed through bypass pipe 1180 into circulation tank 1100 . A second receiving port 1180 a is formed at the end of the bypass pipe 1180 inserted into the circulation tank 1100 . The circulation tank 1100 has an outlet 1100 d for discharging the degassed liquid in the circulation tank 1100 to the deaerator 1300 .

図13に示すように、第1の受け入れ口1150aおよび第2の受け入れ口
1180aは、循環槽1100の第1の側壁1100aの近傍に配置される。より具体的には、第1の受け入れ口1150aおよび第2の受け入れ口1180aは、循環槽1100の第1の側壁1100aおよび底壁1100cの近傍に設けられる。排出口1100dは、循環槽1100の第1の側壁1100aと対向する第2の側壁1100bの近傍の底壁1100cに配置される。このように、第1の受け入れ口1150aおよび第2の受け入れ口1180aと、排出口1100dと、を循環槽1100内の対極する位置に配置することによって、プリウェットモジュール200から排出された脱気液と脱気装置1300から戻ってきた脱気液とを混合してから脱気装置1300へ送り出すことができる。
As shown in FIG. 13, the first receiving port 1150a and the second receiving port 1180a are arranged near the first side wall 1100a of the circulation tank 1100. As shown in FIG. More specifically, first receiving port 1150a and second receiving port 1180a are provided near first side wall 1100a and bottom wall 1100c of circulation tank 1100, respectively. The outlet 1100d is arranged in the bottom wall 1100c near the second side wall 1100b facing the first side wall 1100a of the circulation tank 1100. As shown in FIG. By arranging the first receiving port 1150a, the second receiving port 1180a, and the discharge port 1100d at opposite positions in the circulation tank 1100, the degassed liquid discharged from the pre-wet module 200 is and the degassed liquid returned from the deaerator 1300 can be mixed and sent to the deaerator 1300 .

さらに、図13に示すように、循環槽1100は、第1の側壁1100aと第2の側壁1100bとの間を部分的に仕切る仕切り板1120を備える。仕切り板1120は、底壁1100cから鉛直上方向に伸びる板部材である。仕切り板1120を設けることによって、第1の受け入れ口1150aおよび第2の受け入れ口1180aから流入した脱気液は混合されながら、仕切り板1120を乗り越えた後に排出口1100dに向かって流れる。したがって、プリウェットモジュール200から排出された脱気液と脱気装置1300から戻ってきた脱気液とを十分に混合することができる。 Furthermore, as shown in FIG. 13, the circulation tank 1100 includes a partition plate 1120 that partially partitions the first side wall 1100a and the second side wall 1100b. The partition plate 1120 is a plate member extending vertically upward from the bottom wall 1100c. By providing the partition plate 1120, the degassed liquid flowing in from the first receiving port 1150a and the second receiving port 1180a is mixed and flows over the partition plate 1120 and then toward the discharge port 1100d. Therefore, the deaerated liquid discharged from the pre-wet module 200 and the deaerated liquid returned from the deaerator 1300 can be sufficiently mixed.

循環槽1100は、仕切り板1120を乗り越えて排出口1100dへ向かう脱気液の流路に配置された溶存酸素計1130を備える。溶存酸素計1130は、脱気液中の溶存酸素量を計測することができるセンサである。脱気液循環システム1500は、例えば脱気液循環システム1500の立ち上げ時に、バルブ1192を閉じ、バルブ1182を開いて圧送部材1200を駆動することによって、脱気装置1300から送り出された脱気液を、プリウェットモジュール200を介さずに循環槽1100へ循環する。これにより、循環槽1100内の脱気液の溶存酸素量は低下する。脱気液循環システム1500は、溶存酸素計1130によって計測された溶存酸素量が所定の閾値より低くなったら、バルブ1192を開くことによって、十分に脱気された脱気液をプリウェットモジュール200に供給することができる。 The circulation tank 1100 includes a dissolved oxygen meter 1130 arranged in the flow path of the degassed liquid overcoming the partition plate 1120 and heading toward the outlet 1100d. The dissolved oxygen meter 1130 is a sensor capable of measuring the amount of dissolved oxygen in the degassed liquid. The degassed liquid circulation system 1500 closes the valve 1192 and opens the valve 1182 to drive the pressure-feeding member 1200 when the degassed liquid circulation system 1500 is started, for example. is circulated to the circulation bath 1100 without passing through the pre-wetting module 200 . As a result, the dissolved oxygen content of the degassed liquid in the circulation tank 1100 is reduced. When the dissolved oxygen amount measured by the dissolved oxygen meter 1130 becomes lower than a predetermined threshold value, the degassed liquid circulation system 1500 opens the valve 1192 to supply sufficiently degassed degassed liquid to the pre-wet module 200. can supply.

循環槽1100は、循環槽1100内の脱気液の液面レベルを計測するための複数(本実施形態では5個)の液面センサHH、H2、H1、L、LLを備える。液面センサHH、H2、H1、L、LLは上下方向に並べて配置されている。循環槽1100にはDIW供給源1140から脱気液を供給可能になっている。脱気液循環システム1500は、例えば、循環槽1100内部の脱気液の液面がLLより低くなったら圧送部材1200を停止するとともにDIW供給源1140から脱気液を補充する。また、脱気液循環システム
1500は、循環槽1100内部の脱気液の液面がHHより高くなったら、DIW供給源1140からの脱気液の補充を停止する。また、脱気液循環システム1500は、循環槽1100内部の脱気液の液面がH2からLの間の高さ(H1の高さ)になるように、圧送部材1200の回転数またはDIW供給源1140からの脱気液の補充量などを調整する。
The circulation tank 1100 includes a plurality of (five in this embodiment) liquid level sensors HH, H2, H1, L, and LL for measuring the liquid level of the degassed liquid in the circulation tank 1100 . The liquid level sensors HH, H2, H1, L, and LL are arranged side by side in the vertical direction. A DIW supply source 1140 can supply degassed liquid to the circulation tank 1100 . The degassed liquid circulation system 1500 , for example, stops the pumping member 1200 and replenishes the degassed liquid from the DIW supply source 1140 when the liquid level of the degassed liquid inside the circulation tank 1100 becomes lower than LL. Further, the degassed liquid circulation system 1500 stops replenishing the degassed liquid from the DIW supply source 1140 when the liquid level of the degassed liquid inside the circulation tank 1100 becomes higher than HH. In addition, the degassed liquid circulation system 1500 is configured such that the liquid level of the degassed liquid inside the circulation tank 1100 is between H2 and L (the height of H1). The replenishment amount of the degassing liquid from the source 1140 is adjusted.

次に、図4を用いて説明したプリウェット方法の変形例を説明する。図14は、一実施形態のプリウェットモジュールを用いたプリウェット方法を示すフローチャートである。図14は、図4のプリウェット方法における第1の脱気ステップ107と並行して実行される追加のステップを示すものである。したがって、図4のプリウェット方法と同様のステップについては説明を省略する。 Next, a modification of the pre-wetting method described with reference to FIG. 4 will be described. FIG. 14 is a flowchart illustrating a prewetting method using the prewetting module of one embodiment. FIG. 14 shows an additional step performed in parallel with the first degassing step 107 in the pre-wet method of FIG. Therefore, description of steps similar to those of the pre-wetting method of FIG. 4 will be omitted.

図14に示すように、プリウェット方法は、第1の脱気ステップ107の開始と同時または開始された後、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成する(ステップ210)。ステップ210は、例えば、複数(本実施形態では4個)のオーバーフロー口219から脱気液を溢れ出させることにより実行される。すなわち、脱気槽210の側壁210bの周方向に均等配置された複数のオーバーフロー口219から脱気液が溢れ出させることにより、注入口210dを介して脱気槽210内に注入された脱気液に対して、基板WFの被処理面の中央から被処理面に沿って放射方向に広がる流れが形成される。これにより、基板WFの被処理面における脱気液の流速をより均一化することができ、かつ、脱気槽210内の脱気液の溶存酸素量をより均等化することができるので、基板WFの被処理面WF-aの全体をより均等に脱気処理することができる。 As shown in FIG. 14 , the pre-wet method includes degassing radially extending from the center of the surface to be processed of the substrate immersed in the degassing liquid at the same time as or after the first degassing step 107 is initiated. A liquid flow is formed (step 210). Step 210 is performed, for example, by overflowing the degassed liquid from a plurality (four in this embodiment) of overflow ports 219 . That is, the degassed liquid overflows from a plurality of overflow ports 219 evenly arranged in the circumferential direction of the side wall 210b of the degassing tank 210, and is injected into the degassing tank 210 through the inlet 210d. A flow is formed in the liquid that spreads radially along the surface to be processed from the center of the surface to be processed of the substrate WF. As a result, the flow velocity of the degassed liquid on the surface to be processed of the substrate WF can be made more uniform, and the dissolved oxygen amount of the degassed liquid in the degassing tank 210 can be made more uniform. The entire surface to be processed WF-a of WF can be more uniformly degassed.

続いて、プリウェット方法は、第1の脱気ステップ107の開始と同時または開始された後、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する(撮像ステップ220)。撮像ステップ220は、例えば、撮像部材211を用いて基板の被処理面を撮像する。続いて、プリウェット方法は、撮像ステップ220によって撮像された画像に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定する(判定ステップ230)。判定ステップ230は、例えばオペレータが、基板の被処理面に気泡が付着していないか、脱気処理中にシード層に異常が生じていないかなど、被処理面の状態をモニターすることによって実行される。また、判定ステップ230は、判定装置201によって実行されてもよい。この場合、撮像部材211によって撮像された画像の輝度に基づいて基板の被処理面の脱気状態を判定することができる。 Subsequently, in the pre-wetting method, the surface to be processed of the substrate immersed in the degassing liquid is imaged at the same time as or after the first degassing step 107 is started (imaging step 220). The imaging step 220 uses, for example, the imaging member 211 to image the surface of the substrate to be processed. Subsequently, the pre-wet method determines the degassing state of the surface to be processed of the substrate based on the image captured by the imaging step 220 (decision step 230). Decision step 230 is performed by an operator monitoring the condition of the surface to be processed, for example, whether there are air bubbles attached to the surface of the substrate to be processed, or whether an abnormality has occurred in the seed layer during the degassing process. be done. The decision step 230 may also be performed by the decision device 201 . In this case, the degassing state of the surface to be processed of the substrate can be determined based on the brightness of the image captured by the imaging member 211 .

続いて、プリウェット方法は、脱気槽210に収容された脱気液を攪拌する(攪拌ステップ240)。攪拌ステップ240は、例えば、攪拌部材217を基板の被処理面に沿って往復移動させることによって実行される。また、攪拌ステップ240は、回転駆動部材221を用いて基板WFを回転させることによって実行することもできる。これにより、例えば基板の被処理面に形成されたビア内部の空気を脱気液に置換させる場合に、空気が溶け込んだ脱気液をビアから離脱させて、空気が溶け込んでいない脱気を新たにビアに送り込むことができるので、脱気処理を促進することができる。 Subsequently, the pre-wetting method agitates the degassed liquid contained in the degassing tank 210 (stirring step 240). The stirring step 240 is performed, for example, by reciprocating the stirring member 217 along the surface to be processed of the substrate. The stirring step 240 can also be performed by rotating the substrate WF using the rotary drive member 221 . As a result, for example, when the air inside the via formed on the surface to be processed of the substrate is replaced with the degassed liquid, the degassed liquid in which the air is dissolved is removed from the via, and the degassed liquid in which the air is not dissolved is renewed. can be pumped into the vias, thus facilitating the degassing process.

なお、本実施形態では、ステップ210と、撮像ステップ220および判定ステップ230と、攪拌ステップ240と、が順番に実行される例を示したが、これらのステップの実行順序は入れ替わってもよいし、これらのステップは同時に実行されてもよい。また、これらのステップは、全てが実行されなくてもよく、一部が実行されてもよい。また、本実施形態では、これらのステップが第1の脱気ステップ107と並行して実行される例を示したが、これに限らず、第2の脱気ステップ115または第3の脱気ステップ123と並行して実行されてもよい。 In this embodiment, an example is shown in which step 210, imaging step 220, determination step 230, and stirring step 240 are executed in order. These steps may be performed simultaneously. Also, not all of these steps may be performed, and some of them may be performed. In addition, in the present embodiment, an example in which these steps are executed in parallel with the first degassing step 107 is shown, but the present invention is not limited to this, and the second degassing step 115 or the third degassing step 123 may be executed in parallel.

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although some embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments of the present invention are intended to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the present invention. The present invention may be modified and improved without departing from its spirit, and the present invention includes equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and the specification is possible within the range that at least part of the above problems can be solved or at least part of the effect is achieved. is.

本願は、一実施形態として、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第1の基板を保持するように構成された第1の保持部材、および第2の基板を保持するように構成された第2の保持部材を有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第1の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第1の状態と、前記第2の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第2の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、プリウェットモジュールを開示する。 The present application provides, as one embodiment, a processing apparatus including a degassing tank configured to contain a degassing liquid and a nozzle configured to supply a cleaning liquid to the processing surface of a substrate facing upward. a first holding member arranged between the deaeration tank and the processing apparatus and configured to hold a first substrate; and a second holding member configured to hold a second substrate. and a driving mechanism configured to rotate and move up and down the substrate holder, wherein the driving mechanism moves the surface to be processed of the first substrate into the degassing tank. The substrate holder is rotated between a first state facing the deaerated liquid and a second state where the surface to be processed of the second substrate faces the deaerated liquid in the deaeration tank. and a lift mechanism configured to raise and lower the substrate holder.

さらに、本願は、一実施形態として、前記処理装置のノズルは、前記第1の基板および前記第2の基板のいずれか一方が前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されている、プリウェットモジュールを開示する。 Further, according to one embodiment of the present application, the nozzle of the processing apparatus is arranged such that when either one of the first substrate and the second substrate is immersed in the degassing liquid in the degassing tank, the other A pre-wet module is disclosed that is configured to apply a cleaning solution to the surface to be processed of a substrate in the US.

さらに、本願は、一実施形態として、前記第1の保持部材および前記第2の保持部材は、前記第1の基板の被処理面および前記第2の基板の被処理面が互いに鉛直方向の反対に向くように前記第1の基板および前記第2の基板を保持するように構成され、前記ノズルは、被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板に対して洗浄液を供給するように構成される、プリウェットモジュールを開示する。 Further, according to one embodiment of the present application, the first holding member and the second holding member are configured such that the surface to be processed of the first substrate and the surface to be processed of the second substrate are vertically opposite to each other. The first substrate and the second substrate are held so as to face toward each other, and the nozzle is configured to supply the cleaning liquid to the substrate held with the surface to be processed facing upward in the vertical direction. A pre-wet module is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダは、前記脱気槽の上部に形成された開口よりも大きな外縁を有し前記ノズルと前記開口との間を遮蔽するように構成された遮蔽部材を含む、プリウェットモジュールを開示する。 Further, according to one embodiment, the substrate holder has an outer edge larger than an opening formed in the upper part of the degassing tank and is configured to shield between the nozzle and the opening. A pre-wet module is disclosed that includes a member.

さらに、本願は、一実施形態として、脱気液を収容するように構成された脱気槽と、第1の基板を保持するように構成された第1の保持部材、第2の基板を保持するように構成された第2の保持部材、第3の基板を保持するように構成された第3の保持部材、および第4の基板を保持するように構成された第4の保持部材、を有し、前記第1の保持部材から前記第4の保持部材は、前記第1の基板から前記第4の基板の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対および水平方向の反対に向くように前記第1の基板から前記第4の基板を保持するように構成されている、基板ホルダと、前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、前記第1の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第1の状態と、前記第2の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第2の状態と、前記第3の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第3の状態と、前記第4の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第4の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、前記第1の基板から前記第4の基板のいずれか1つが前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Further, the present application provides, as an embodiment, a degassing tank configured to contain a degassed liquid, a first holding member configured to hold a first substrate, and a second substrate holding member. a second holding member configured to hold a third substrate, a third holding member configured to hold a fourth substrate, and a fourth holding member configured to hold a fourth substrate; and the first holding member to the fourth holding member are arranged so that the surfaces to be processed of the first substrate to the fourth substrate face vertically and horizontally opposite to each other. a substrate holder configured to hold one substrate to the fourth substrate; and a drive mechanism configured to rotate and raise and lower the substrate holder, the drive mechanism configured to hold the fourth substrate. A first state in which the surface to be processed of one substrate faces the degassing liquid in the degassing tank, and a second state in which the surface to be processed of the second substrate faces the degassing liquid in the degassing tank. a third state in which the surface to be processed of the third substrate faces the degassing liquid in the degassing tank; and a state in which the surface to be processed of the fourth substrate is in the degassing tank. a rotation mechanism configured to rotate the substrate holder between a fourth state facing the liquid; and an elevating mechanism configured to elevate the substrate holder; Further comprising a processing apparatus configured to perform a predetermined process on the other substrate while any one of the substrates to the fourth substrate is immersed in the degassed liquid in the degassing tank, A pre-wet module is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記第1の保持部材から前記第4の保持部材はそ
れぞれ、前記第1の基板から前記第4の基板の被処理面が水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が前記脱気槽の上部に形成された開口の外側に位置するように前記第1の基板から前記第4の基板を保持するように構成され、前記処理装置は、被処理面が水平方向に向いた状態の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む、プリウェットモジュールを開示する。
Further, according to one embodiment, the first holding member to the fourth holding member are provided when the surfaces to be processed of the first substrate to the fourth substrate are oriented in the horizontal direction. The first to fourth substrates are held such that the surfaces to be processed of the substrates are positioned outside an opening formed in the upper part of the degassing tank, and the processing apparatus is configured to hold the substrates to be processed. A pre-wet module is disclosed that includes a nozzle configured to apply a cleaning liquid to a horizontally oriented substrate surface to be processed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽は、前記脱気槽から脱気液を溢れ出させるための複数のオーバーフロー口を有し、前記複数のオーバーフロー口は、前記脱気槽の側壁に周方向に沿って等間隔に形成される、プリウェットモジュールを開示する。 Further, in one embodiment, the degassing tank has a plurality of overflow ports for overflowing the degassed liquid from the degassing tank, and the plurality of overflow ports are provided in the degassing tank. Disclosed are pre-wet modules circumferentially equally spaced on sidewalls.

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽は、前記脱気槽の底壁の中央に形成された脱気液の注入口を有する、プリウェットモジュールを開示する。 Further, the present application discloses, as one embodiment, a pre-wet module in which the degassing tank has a degassed liquid inlet formed in the center of the bottom wall of the degassing tank.

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板と前記注入口との間に配置された、複数の貫通穴を有する整流部材をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Furthermore, the present application discloses, as one embodiment, a pre-wet module further including a rectifying member having a plurality of through holes arranged between the substrate immersed in the degassing tank and the inlet. .

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材と、前記撮像部材によって撮像された画像の輝度に基づいて前記脱気槽内の基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置と、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Furthermore, the present application provides, as an embodiment, an imaging member disposed facing a substrate immersed in the degassing tank, and an image pickup device in the degassing tank based on the brightness of an image captured by the imaging member. a determination device configured to determine the outgassing status of the processed surface of the substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、前記撮像部材を前記基板の被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Furthermore, the present application discloses, as one embodiment, a pre-wet module further including a driving member for moving the imaging member in a direction along the surface to be processed of the substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材と、前記攪拌部材を前記基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材と、をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Further, in one embodiment, the present application provides a stirring member arranged to face the substrate immersed in the degassing tank, and a drive for reciprocating the stirring member along the surface to be processed of the substrate. A pre-wet module is disclosed, further comprising a member.

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダによって保持された基板が基板の中心を通る軸の周りに回転するように前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の少なくとも一方を回転させるための回転駆動部材をさらに含む、プリウェットモジュールを開示する。 Further, in one embodiment, the present application rotates at least one of the first holding member and the second holding member so that the substrate held by the substrate holder rotates around an axis passing through the center of the substrate. A pre-wet module is disclosed, further comprising a rotary drive member for causing the

さらに、本願は、一実施形態として、上記のいずれかに記載のプリウェットモジュールを複数備える脱気液循環システムであって、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を受け入れる循環槽と、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、脱気液に対する脱気処理を行うための脱気装置と、前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記循環槽から前記脱気装置を介して前記複数のプリウェットモジュールに脱気液を圧送するための圧送部材と、前記脱気装置と前記複数のプリウェットモジュールとを結ぶ配管から分岐して前記循環槽に接続されたパイパス配管と、を含む、脱気液循環システムを開示する。 Furthermore, the present application provides, as an embodiment, a degassed liquid circulation system comprising a plurality of pre-wet modules according to any one of the above, wherein the pre-wet modules are provided in common to the plurality of pre-wet modules a circulation tank for receiving the degassed liquid overflowing from the wet module; a degassing device provided commonly to the plurality of pre-wetting modules for degassing the degassed liquid; and the plurality of pre-wetting modules. a pumping member provided in common to the modules for pumping the degassed liquid from the circulation tank through the degassing device to the plurality of prewetting modules; the degassing device and the plurality of prewetting modules; and a bypass pipe branched from a pipe connecting to and connected to the circulation tank.

さらに、本願は、一実施形態として、前記循環槽は、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を前記循環槽内に受け入れる第1の受け入れ口と、前記パイパス配管を介して圧送された脱気液を前記循環槽内に受け入れる第2の受け入れ口と、前記循環槽内の脱気液を前記脱気装置へ排出するための排出口と、を有し、前記第1の受け入れ口および前記第2の受け入れ口は、前記循環槽の第1の側壁の近傍に配置され、前記排出口は、前記循環槽の前記第1の側壁と対向する第2の側壁の近傍に配置される、脱気液循環
システムを開示する。
Further, according to an embodiment of the present application, the circulation tank has a first receiving port for receiving the degassed liquid overflowing from the plurality of pre-wetting modules into the circulation tank, and pressure-fed via the bypass pipe. a second receiving port for receiving the degassed liquid in the circulation tank; and a discharge port for discharging the degassed liquid in the circulation tank to the degassing device, wherein the first receiving port and the second inlet is arranged near a first side wall of the circulation tank, and the outlet is arranged near a second side wall of the circulation tank that faces the first side wall. , discloses a degassed liquid circulation system.

さらに、本願は、一実施形態として、第1の基板を第1の位置に配置し、前記第1の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第1の脱気ステップと、前記第1の脱気ステップの実行と並行して、第2の基板を第2の位置に配置し、前記第2の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第2の基板の被処理面に洗浄液を供給する第1の洗浄ステップと、前記第1の脱気ステップおよび前記第1の洗浄ステップの後に、前記第2の基板を前記第1の位置に配置するように、前記第1の基板および前記第2の基板を回転させる回転ステップと、前記回転ステップの後に、前記第2の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第2の脱気ステップと、前記第2の脱気ステップの実行と並行して、前記第2の位置で第3の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第3の基板の被処理面に洗浄液を供給する第2の洗浄ステップと、を含む、プリウェット方法を開示する。 Furthermore, the present application provides, as an embodiment, a first degassing process in which a first substrate is placed at a first position, and the surface to be processed of the first substrate is immersed in a degassing liquid facing downward to undergo degassing treatment. In parallel with the execution of the aeration step and the first deaeration step, a second substrate is placed at a second position, and the surface to be processed of the second substrate faces upward. After a first cleaning step of supplying a cleaning liquid to the surface to be processed of the substrate, and after the first degassing step and the first cleaning step, the second substrate is arranged at the first position. a rotating step of rotating the first substrate and the second substrate; and after the rotating step, the surface to be processed of the second substrate is immersed in a degassing liquid facing downward for degassing. and the second degassing step, the surface to be processed of the third substrate is placed at the second position with the surface to be processed of the third substrate facing upward. and a second cleaning step of applying a cleaning liquid.

さらに、本願は、一実施形態として、前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成するステップ、を含む、プリウェット方法を開示する。 Furthermore, in one embodiment, the present application describes that, in parallel with the execution of the first degassing step or the second degassing step, forming a stream of degassed liquid that spreads.

さらに、本願は、一実施形態として、前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップによって撮像された画像に基づいて前記基板の被処理面の脱気状態を判定する判定ステップと、をさらに含む、プリウェット方法を開示する。 Further, according to an embodiment of the present application, in parallel with the execution of the first degassing step or the second degassing step, an imaging step of imaging the surface to be processed of the substrate immersed in the degassing liquid. and a determining step of determining the degassed state of the surface to be processed of the substrate based on the image captured by the imaging step.

さらに、本願は、一実施形態として、前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液を攪拌する攪拌ステップ、をさらに含む、プリウェット方法を開示する。 Furthermore, the present application discloses, as an embodiment, a pre-wetting method further including a stirring step of stirring the degassed liquid in parallel with the execution of the first degassing step or the second degassing step. do.

200 プリウェットモジュール
201 判定装置
205 オーバーフロー槽
207 整流部材
207a 貫通穴(丸穴)
210 脱気槽
210a 開口
210b 側壁
210c 底壁
210d 注入口
211 撮像部材(カメラ)
215 駆動部材
217 攪拌部材(パドル)
218 駆動部材
219 オーバーフロー口
220 基板ホルダ
221 回転駆動部材
222 第1の保持部材
224 第2の保持部材
225 遮蔽部材
226 第3の保持部材
228 第4の保持部材
230 駆動機構
240 回転機構
248 昇降機構
250 基板ステーション
250-1 第1のアーム部材
250-2 第2のアーム部材
260 洗浄装置
268 ノズル
280 乾燥装置
290 表面改質装置
1000 めっき装置
1100 循環槽
1100a 第1の側壁
1100b 第2の側壁
1100c 底壁
1100d 排出口
1150a 第1の受け入れ口
1180 パイパス配管
1180a 第2の受け入れ口
1200 圧送部材(ポンプ)
1300 脱気装置
1500 脱気液循環システム
WF 基板
WF-1 第1の基板
WF-2 第2の基板
WF-3 第3の基板
WF-4 第4の基板
200 pre-wet module 201 determination device 205 overflow tank 207 straightening member 207a through hole (round hole)
210 Deaeration tank 210a Opening 210b Side wall 210c Bottom wall 210d Inlet 211 Imaging member (camera)
215 drive member 217 stirring member (paddle)
218 drive member 219 overflow port 220 substrate holder 221 rotation drive member 222 first holding member 224 second holding member 225 shielding member 226 third holding member 228 fourth holding member 230 drive mechanism 240 rotation mechanism 248 lift mechanism 250 Substrate station 250-1 First arm member 250-2 Second arm member 260 Cleaning device 268 Nozzle 280 Drying device 290 Surface modification device 1000 Plating device 1100 Circulation tank 1100a First side wall 1100b Second side wall 1100c Bottom wall 1100d discharge port 1150a first receiving port 1180 bypass pipe 1180a second receiving port 1200 force feeding member (pump)
1300 Deaerator 1500 Degassed liquid circulation system WF Substrate WF-1 First substrate WF-2 Second substrate WF-3 Third substrate WF-4 Fourth substrate

Claims (19)

脱気液を収容するように構成された脱気槽と、
被処理面が上向きの基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む処理装置と、
前記脱気槽と前記処理装置との間に配置され、第1の基板を保持するように構成された第1の保持部材、および第2の基板を保持するように構成された第2の保持部材を有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、
前記駆動機構は、
前記第1の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第1の状態と、前記第2の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第2の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む、
プリウェットモジュール。
a degassing vessel configured to contain the degassed liquid;
a processing apparatus including a nozzle configured to supply a cleaning liquid to a surface to be processed of a substrate facing upward;
A first holding member arranged between the degassing tank and the processing apparatus and configured to hold a first substrate, and a second holding member configured to hold a second substrate a substrate holder having a member;
a drive mechanism configured to rotate and raise and lower the substrate holder;
The drive mechanism is
A first state in which the surface to be processed of the first substrate faces the degassing liquid in the degassing tank, and a first state in which the surface to be processed of the second substrate faces the degassing liquid in the degassing tank. a rotation mechanism configured to rotate the substrate holder between a second state;
an elevating mechanism configured to elevate the substrate holder;
pre-wet module.
前記処理装置のノズルは、前記第1の基板および前記第2の基板のいずれか一方が前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他方の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されている、
請求項1に記載のプリウェットモジュール。
The nozzle of the processing apparatus supplies the cleaning liquid to the surface to be processed of the other substrate while one of the first substrate and the second substrate is immersed in the deaeration liquid in the deaeration tank. is configured to
A pre-wet module according to claim 1 .
前記第1の保持部材および前記第2の保持部材は、前記第1の基板の被処理面および前記第2の基板の被処理面が互いに鉛直方向の反対に向くように前記第1の基板および前記第2の基板を保持するように構成され、
前記ノズルは、被処理面が鉛直方向の上向きに保持された基板に対して洗浄液を供給するように構成される、
請求項1または2に記載のプリウェットモジュール。
The first holding member and the second holding member are arranged such that the surface to be processed of the first substrate and the surface to be processed of the second substrate are vertically opposite to each other. configured to hold the second substrate;
The nozzle is configured to supply the cleaning liquid to the substrate held with the surface to be processed facing upward in the vertical direction.
A pre-wet module according to claim 1 or 2.
前記基板ホルダは、前記脱気槽の上部に形成された開口よりも大きな外縁を有し前記ノズルと前記開口との間を遮蔽するように構成された遮蔽部材を含む、
請求項1から3のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
The substrate holder includes a shielding member having an outer edge larger than the opening formed in the upper part of the degassing tank and configured to shield between the nozzle and the opening.
4. A pre-wet module according to any one of claims 1-3.
脱気液を収容するように構成された脱気槽と、
第1の基板を保持するように構成された第1の保持部材、第2の基板を保持するように構成された第2の保持部材、第3の基板を保持するように構成された第3の保持部材、および第4の基板を保持するように構成された第4の保持部材、を有し、前記第1の保持部材から前記第4の保持部材は、前記第1の基板から前記第4の基板の被処理面がそれぞれ鉛直方向の反対および水平方向の反対に向くように前記第1の基板から前記第4の基板を保持するように構成されている、基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転および昇降するように構成された駆動機構と、を含み、
前記駆動機構は、
前記第1の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第1の状態と、前記第2の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第2の状態と、前記第3の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第3の状態と、前記第4の基板の被処理面が前記脱気槽内の脱気液に対向する第4の状態と、の間で前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、
前記第1の基板から前記第4の基板のいずれか1つが前記脱気槽内の脱気液に浸漬されているときに他の基板に対して所定の処理を行うように構成された処理装置をさらに含む、
プリウェットモジュール。
a degassing vessel configured to contain the degassed liquid;
a first holding member configured to hold a first substrate; a second holding member configured to hold a second substrate; a third holding member configured to hold a third substrate and a fourth holding member configured to hold a fourth substrate, wherein the first holding member to the fourth holding member are configured to hold the first substrate to the fourth substrate. a substrate holder configured to hold the first to fourth substrates such that the surfaces to be processed of four substrates face vertically opposite and horizontally opposite, respectively;
a drive mechanism configured to rotate and raise and lower the substrate holder;
The drive mechanism is
A first state in which the surface to be processed of the first substrate faces the degassing liquid in the degassing tank, and a first state in which the surface to be processed of the second substrate faces the degassing liquid in the degassing tank. a second state, a third state in which the surface to be processed of the third substrate faces the degassing liquid in the degassing tank, and a third state in which the surface to be processed of the fourth substrate faces the degassing liquid in the degassing tank. a rotation mechanism configured to rotate the substrate holder between a fourth state facing the degassed liquid;
an elevating mechanism configured to elevate the substrate holder;
A processing apparatus configured to perform a predetermined process on the other substrate while any one of the first substrate to the fourth substrate is immersed in the degassing liquid in the degassing tank. further comprising
pre-wet module.
前記第1の保持部材から前記第4の保持部材はそれぞれ、前記第1の基板から前記第4の基板の被処理面が水平方向に向いたときに当該基板の被処理面が前記脱気槽の上部に形成された開口の外側に位置するように前記第1の基板から前記第4の基板を保持するように構成され、
前記処理装置は、被処理面が水平方向に向いた状態の基板の被処理面に洗浄液を供給するように構成されたノズルを含む、
請求項5に記載のプリウェットモジュール。
Each of the first holding member to the fourth holding member is arranged such that when the surfaces to be processed of the first to fourth substrates are oriented in the horizontal direction, the surfaces to be processed of the substrates are aligned with the degassing tank. configured to hold the first substrate to the fourth substrate so as to be positioned outside the opening formed in the upper part of the
The processing apparatus includes a nozzle configured to supply a cleaning liquid to the surface to be processed of the substrate with the surface to be processed facing in a horizontal direction.
A pre-wet module according to claim 5.
前記脱気槽は、前記脱気槽から脱気液を溢れ出させるための複数のオーバーフロー口を有し、
前記複数のオーバーフロー口は、前記脱気槽の側壁に周方向に沿って等間隔に形成される、
請求項1から6のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
The degassing tank has a plurality of overflow ports for overflowing the degassed liquid from the degassing tank,
The plurality of overflow ports are formed on the side wall of the degassing tank at equal intervals along the circumferential direction,
7. Pre-wet module according to any one of claims 1-6.
前記脱気槽は、前記脱気槽の底壁の中央に形成された脱気液の注入口を有する、
請求項1から7のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
The degassing tank has a degassed liquid inlet formed in the center of the bottom wall of the degassing tank,
Pre-wet module according to any one of claims 1 to 7.
前記脱気槽内に浸漬された基板と前記注入口との間に配置された、複数の貫通穴を有する整流部材をさらに含む、
請求項8に記載のプリウェットモジュール。
Further comprising a rectifying member having a plurality of through-holes disposed between the substrate immersed in the degassing tank and the injection port,
9. Pre-wet module according to claim 8.
前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された撮像部材と、
前記撮像部材によって撮像された画像の輝度に基づいて前記脱気槽内の基板の被処理面の脱気状態を判定するように構成された判定装置と、
をさらに含む、
請求項1から9のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
an imaging member arranged to face the substrate immersed in the degassing tank;
a determination device configured to determine the degassing state of the surface to be processed of the substrate in the degassing tank based on the brightness of the image captured by the imaging member;
further comprising
10. Pre-wet module according to any one of claims 1-9.
前記撮像部材を前記基板の被処理面に沿った方向に移動させるための駆動部材、
をさらに含む、
請求項10に記載のプリウェットモジュール。
a driving member for moving the imaging member in a direction along the surface to be processed of the substrate;
further comprising
11. Pre-wet module according to claim 10.
前記脱気槽内に浸漬された基板に対向して配置された攪拌部材と、
前記攪拌部材を前記基板の被処理面に沿って往復移動させるための駆動部材と、
をさらに含む、
請求項1から11のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
a stirring member disposed facing the substrate immersed in the degassing tank;
a driving member for reciprocating the stirring member along the surface to be processed of the substrate;
further comprising
Pre-wet module according to any one of claims 1 to 11.
前記基板ホルダによって保持された基板が基板の中心を通る軸の周りに回転するように前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の少なくとも一方を回転させるための回転駆動部材をさらに含む、
請求項1から12のいずれか一項に記載のプリウェットモジュール。
a rotation drive member for rotating at least one of the first holding member and the second holding member such that the substrate held by the substrate holder rotates about an axis passing through the center of the substrate;
13. A pre-wet module according to any one of claims 1-12.
請求項1から13のいずれか一項に記載のプリウェットモジュールを複数備える脱気液循環システムであって、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を受け入れる循環槽と、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、脱気液に対する脱気処理を行うための脱気装置と、
前記複数のプリウェットモジュールに対して共通に設けられ、前記循環槽から前記脱気
装置を介して前記複数のプリウェットモジュールに脱気液を圧送するための圧送部材と、
前記脱気装置と前記複数のプリウェットモジュールとを結ぶ配管から分岐して前記循環槽に接続されたパイパス配管と、
を含む、脱気液循環システム。
A degassed liquid circulation system comprising a plurality of pre-wet modules according to any one of claims 1 to 13,
a circulation tank provided in common for the plurality of pre-wet modules and receiving the degassed liquid overflowing from the plurality of pre-wet modules;
a degassing device provided in common to the plurality of pre-wet modules for degassing the degassed liquid;
a pressure-feeding member commonly provided for the plurality of pre-wet modules for pressure-feeding the degassed liquid from the circulation tank to the plurality of pre-wet modules via the degassing device;
a bypass pipe branching from a pipe connecting the degassing device and the plurality of pre-wet modules and connected to the circulation tank;
A degassed liquid circulation system.
前記循環槽は、前記複数のプリウェットモジュールから溢れ出た脱気液を前記循環槽内に受け入れる第1の受け入れ口と、前記パイパス配管を介して圧送された脱気液を前記循環槽内に受け入れる第2の受け入れ口と、前記循環槽内の脱気液を前記脱気装置へ排出するための排出口と、を有し、
前記第1の受け入れ口および前記第2の受け入れ口は、前記循環槽の第1の側壁の近傍に配置され、前記排出口は、前記循環槽の前記第1の側壁と対向する第2の側壁の近傍に配置される、
請求項14に記載の脱気液循環システム。
The circulation tank has a first receiving port for receiving the degassed liquid overflowing from the plurality of pre-wet modules into the circulation tank, and a first receiving port for receiving the degassed liquid pumped through the bypass pipe into the circulation tank. a second receiving port for receiving, and a discharge port for discharging the degassed liquid in the circulation tank to the degassing device,
The first receiving port and the second receiving port are arranged near a first side wall of the circulation tank, and the discharge port is disposed on a second side wall opposite the first side wall of the circulation tank. placed in the vicinity of
The degassed liquid circulation system according to claim 14.
第1の基板を第1の位置に配置し、前記第1の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第1の脱気ステップと、
前記第1の脱気ステップの実行と並行して、第2の基板を第2の位置に配置し、前記第2の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第2の基板の被処理面に洗浄液を供給する第1の洗浄ステップと、
前記第1の脱気ステップおよび前記第1の洗浄ステップの後に、前記第2の基板を前記第1の位置に配置するように、前記第1の基板および前記第2の基板を回転させる回転ステップと、
前記回転ステップの後に、前記第2の基板の被処理面を下向きで脱気液に浸漬させて脱気処理する第2の脱気ステップと、
前記第2の脱気ステップの実行と並行して、前記第2の位置で第3の基板の被処理面を上向きにした状態で前記第3の基板の被処理面に洗浄液を供給する第2の洗浄ステップと、
を含む、プリウェット方法。
a first degassing step of placing a first substrate at a first position and immersing the surface to be processed of the first substrate downward in a degassing liquid for degassing;
In parallel with the execution of the first degassing step, a second substrate is placed at a second position, and the second substrate is processed with the surface to be processed of the second substrate facing upward. a first cleaning step of applying a cleaning liquid to the surface;
a rotating step of rotating the first substrate and the second substrate so as to position the second substrate at the first position after the first degassing step and the first cleaning step; When,
After the rotating step, a second degassing step of immersing the surface of the second substrate to be processed in a degassing liquid facing downward for degassing;
A second step of supplying a cleaning liquid to the surface to be processed of the third substrate while the surface to be processed of the third substrate faces upward at the second position in parallel with the execution of the second degassing step. a washing step of
Pre-wet methods, including
前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面の中央から放射方向に広がる脱気液の流れを形成するステップ、
をさらに含む、
請求項16に記載のプリウェット方法。
forming a flow of the degassed liquid radially extending from the center of the surface to be processed of the substrate immersed in the degassed liquid concurrently with the execution of the first degassing step or the second degassing step; ,
further comprising
The prewetting method according to claim 16.
前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液に浸漬された基板の被処理面を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップによって撮像された画像に基づいて前記基板の被処理面の脱気状態を判定する判定ステップと、
をさらに含む、
請求項16または17に記載のプリウェット方法。
an imaging step of imaging the surface to be processed of the substrate immersed in the degassing liquid in parallel with the execution of the first degassing step or the second degassing step;
a determination step of determining a degassing state of the surface to be processed of the substrate based on the image captured by the imaging step;
further comprising
The prewetting method according to claim 16 or 17.
前記第1の脱気ステップまたは前記第2の脱気ステップの実行と並行して、脱気液を攪拌する攪拌ステップ、
をさらに含む、
請求項16から18のいずれか一項に記載のプリウェット方法。
A stirring step of stirring the degassed liquid in parallel with the execution of the first degassing step or the second degassing step;
further comprising
19. The prewetting method according to any one of claims 16-18.
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