JP3125684B2 - 光結合装置 - Google Patents

光結合装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に実装された
光部品と光導波路とを光結合するための光結合装置に関
し、特に両者間の光結合効率を高めた光結合装置関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ通信システムの光加入者系へ
の応用、及び光交換技術の進展、及び波長多重光通信シ
ステムの実用に向けて、これらのシステムに不可欠な光
合分波器、波長フィルタ、リング共振器、光スイッチ等
を低光損失で集積でき、光ファイバと同等の材料で構成
するために光ファイバとの光結合効率が高い石英系光導
波路は重要であり、内外で研究開発が行われている。一
方、石英系光導波路には前述の光受動部品として極めて
有用な機能が備わっているが、光通信システムを構成す
るのに不可欠な発光、受光、光変調、光増幅等の能動的
な機能がない。そのため、これらの能動的な機能を持つ
光部品を石英系光導波路へチップ実装する光部品のハイ
ブリッド実装技術は、能動的機能を持った小型、多機能
なモジュールを実現することができるため重要である。
このような光部品としては、 III−V族、II−VI 族等
の半導体を用いたレーザダイオード、光変調器、光ゲー
ト、光アンプ等の光部品、あるいはリチウムナイオベー
ト型位相シフタ、光変調器、光スイッチ、フィルタ等の
導波路型、あるいはバルク型の光部品がある。
【0003】この種の光装置では、前記した石英系光導
波路と光部品とを最適に光結合することが必要となる。
そのため、1993年電子情報通信学会秋期大会予稿集
C−186では、光ファイバとLDをマーカを用いたパ
ッシブアライメント実装技術が報告されている。その
他、位置決め用パターンの他に無調整実装を行うために
半田を流し込むためのパターンを作製し、半田バンプ等
をリフローさせる際に生じる表面張力を利用したセルフ
アライメント実装技術も提案されている。しかしなが
ら、この技術をそのまま前記した石英系光導波路と光部
品との光結合装置に適用した場合には、光導波路及び実
際の光の入出力部の位置が位置決めに用いるパターンと
ずれたり、接合するための接着剤の量、あるいは半田の
精度が十分でない場合、あるいはプロセス上に生じるば
らつきにより、石英系光導波路のコアの位置と光部品の
光入力部あるいは出力部の位置がずれる可能性があり、
光結合が劣化し、光特性の劣化、あるいは歩留まりの低
下を引き起こすことになる。
【0004】これを改善するものとして、例えば、19
94年電子情報通信学会秋期大会予稿集C−186で
は、基板に実装する光部品と石英系光導波路の入出力部
の高さを予め同じ高さにしておき、光部品を接着する前
に予め光導波路から信号光を入射しておき、受光量が最
大となるように光部品を面内方向に調整し、接着すると
いう技術が報告されている。この実装法を用いると、両
者間での光結合の最適な位置を容易に設定することが可
能となる。しかしながら、この技術では数百ミクロン角
の光部品をサブミクロン程度の精度で調整する必要があ
り、作業工数が多くなり、かつ微細な精度で位置調整す
るためには熟練した技術が要求されるという問題があ
る。
【0005】一方、光ファイバと石英系光導波路との結
合に関しては、1992年電気情報通信学会春季大会予
稿集C−244の報告例のように、シリコン基板上に作
製した石英系光導波路の製造プロセスにより生じる応力
によりシリコン基板が湾曲し、シリコン基板上に形成し
た光ファイバ固定用V溝上に実装した光ファイバと石英
系光導波路との間に角度ずれが生じる問題を解決するた
めに、V溝上に金属コートファイバを実装した後に、予
めV溝の近傍に作られていた電極に電圧を印加すること
により静電気力を発生させ、光ファイバと光導波路との
角度を微調することにより、光結合効率を上げるという
技術がある。しかしながら、この技術は、基板に対して
光ファイバを固定する際の調整であるため、基板上に光
部品と石英系光導波路とを実装し、かつその上で両者間
の光結合効率を最適に調整するような光結合装置にはそ
のまま適用することはできない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の技
術は、基板上に光部品と光導波路とをそれぞれ実装した
上で、両者の光結合効率を最適にすべく位置調整を行っ
て組み立てを完了する方式の光結合装置に対して、光部
品と光導波路との位置調整を高精度に行うことが困難で
あり、したがって両者間での光結合効率にばらつきが生
じ、光特性の劣化、歩留まりを改善することが難しいと
いう問題が生じている。
【0007】本発明の目的は、基板に実装された光部品
と光導波路との光結合効率を高めるべく高精度の位置調
整を可能とし、これにより光特性の改善、歩留まりの向
上を実現することが可能な光結合装置提供するもので
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の光結合装置は、
基板上に実装されて光部品に光結合される光導波路は、
光部品に対向される端部が光伝搬方向と直交する方向の
断面が矩形をした一端支持構造に構成されて光伝搬方向
と直交する方向に移動可能とされ、かつこの光導波路の
下面には上部電極が一体に形成され、また基板の上面に
はこの上部電極の直下位置に上部電極に対向する下部電
極が形成され、上部電極と下部電極との間には任意の電
圧が印加可能であり、かつ光導波路は硬化性の接着剤に
より前記基板に固定された構成であることを特徴とす
る。ここで、下部電極は光導波路を挟んだ基板の上面の
位置にそれぞ形成されてもよい。また、上部電極は光
導波路の下面および左右両側面に形成され、これら左右
側面の上部電極に対向するように、光導波路の左右位置
にそれぞれ側部電極が形成された構成としてもよい。
【0009】
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の組
立前の状態の斜視図であり、図2はその組立後の断面図
である。これらの図において、基板1上に支持板2が固
定され、この支持板2からその先端部が張り出すように
石英系光導波路3が支持板2に固定支持されている。ま
た、この石英系光導波路3の先端部に対向する基板1上
には、光軸を一致させるべく光部品4が実装されてい
る。そして、前記石英系光導波路6の直下位置の基板1
上に下部電極5が形成され、またこの下部電極5の直上
位置の前記石英系光導波路3の下面に上部電極6が一体
に形成されている。なお、前記下部電極5と上部電極6
にはそれぞれ図外の電線が接続され、これらの電線を介
して前記各電極5,6間に所要の電圧を印加可能に構成
される。また、これらの電線はその後において各電極か
ら離脱することができるように構成される。
【0011】前記基板1の材料として、シリコン、ガラ
ス基板、セラミック基板等のような基板が用いられる
が、低コストで容易に異方性エッチングによるファイバ
ガイドが形成でき、電気回路のハイブリッド化に適して
いるシリコン基板を用いることが好ましい。また、前記
石英系光導波路3は、リン、ゲルマニウム、チタン、ボ
ロン、フッ素等を石英中に添加した材料を用い、光の透
過するコアをその周囲のクラッドよりも高い屈折率に制
御して形成される。その製造方法としては、常圧CVD
法、火炎堆積法、スパッタ法、スピンコート法、電子ビ
ーム蒸着法等の手法が利用される。前記下部電極5、上
部電極6の材料としては、スパッタや電子ビーム蒸着法
等を用いて成膜されるクロム、チタン、金等の金属、タ
ングステンシリサイド等の金属が用いられる。なお、前
記石英系光導波路3の製造方法により製造時の温度が異
なるため、前記下部電極5、上部電極6の材料が石英系
光導波路3の製造時の温度に耐えられる材料を選択す
る。例えば、常圧CVD法では成膜時の温度が800℃
になるため、タングステンシリサイド等の高融点の材料
により下部電極5、上部電極6を形成することになる。
【0012】また、光部品4としては、 III−V族、II
−VI 族等の半導体を用いたレーザダイオード、光変調
器、光ゲート、光アンプ等の光部品、あるいはリチウム
ナイオベート型位相シフタ、光変調器、光スイッチ、フ
ィルタ等の導波路型、あるいはバルク型の光部品が用い
られる。この光部品4を基板に固定する手法としては、
半田による接合、接着剤による接合等が用いられる。半
田バンプを用いたセルフアライン実装法を利用すること
も可能である。
【0013】このように、光部品4を種々の物理的な手
法により実装しているが、その実装精度はミクロンオー
ダとなり、石英系光導波路3との間の光結合効率にばら
つきが生じる。そこで、この実施形態では、光部品4の
出射端4aよりモニタ光を入力させ、その反対面4bか
ら出射される光を石英系光導波路3の出射端3aに入力
させ、かつこの石英系光導波路3の入射端3bから出射
される光を図外の光電変換装置等によってモニタする。
あるいは、この逆の光路となるようにする。その上で、
下部電極5と上部電極6との間に電圧を印加し、この印
加電圧によって発生される静電気力によって石英系光導
波路3の出射端3a側の部位を上下方向に駆動させる。
このとき、印加電圧を制御することで、上下方向の変位
量を変化させ、その際のモニタ出力を監視し、モニタ出
力が最大となるように調整を行うことで、石英系光導波
路3の出射端3aを光部品に対して最適な結合位置に調
整することが可能となる。
【0014】図3はその際の印加電圧と、光部品4と石
英系光導波路3との光結合効率の関係を示す図であり、
印加電圧を変化させることによって光結合効率が変化さ
れることが判る。したがって、この光結合効率が最大と
なる電圧を下部電極5と上部電極6との間に印加するこ
とで、両者の結合を最適に設定することが可能となる。
【0015】そして、この際には、図2に示すように、
前記石英系光導波路3と基板1の上面との間の空隙に予
め硬化性の接着剤7を充填しておき、前記した最適な光
結合位置の調整を行ない、かつその位置を保持した状態
で、その接着剤7を硬化させることで、石英系光導波路
3の出射端3aを最適な結合位置に固定することができ
る。この接着剤としては、例えば、紫外線硬化接着剤を
用い、電圧を印加した後に紫外線を照射して接着剤を硬
化させる方法が採用できる。
【0016】したがって、この光結合装置では、静電気
力を利用して光結合位置の調整を行う点では、前記した
報告の技術と共通しているものの、基板1に光部品4と
石英系光導波路3を実装した後で、最終的に組み立てを
完了する直前に光結合位置を調整することができる点
で、この実施形態のものは、光部品と石英系光導波路と
の光結合位置を高精度に制御できる上で極めて有利なも
のとなる。
【0017】図4は本発明の第2の実施形態の斜視図で
ある。この実施形態では、石英系光導波路3をその光伝
搬方向に対して直交する左右方向に挟む基板1上の2箇
所にそれぞれ下部電極5A,5Bを分離形成している。
したがって、上部電極6に対する下部電極5A,5Bの
電圧を適宜に変化させることで、第1の実施形態と同様
に石英系光導波路3の出射端3aを上下方向に変位させ
ると同時に、左右方向向にも変位させることが可能とな
り、光結合位置の調整をさらに効果的に行うことが可能
となる。
【0018】図5は本発明の第3の実施形態の斜視図で
ある。この実施形態では、上部電極6は石英系光導波路
3の左右側面部6A,6Bにまで延長して形成されてお
り、また下部電極5は第1の実施形態と同様に石英系光
導波路3の直下の基板1上に形成されている。そして、
前記石英系光導波路3の左右両側位置にはそれぞれ空隙
を介して一対の側部電極8A,8Bが形成されている。
したがって、この実施形態では、上部電極6と下部電極
5との間の印加電圧を制御することによって石英系光導
波路3の出射端3aを上下に変位させることができ、上
下方向の光結合効率を最適に設定することができる。ま
た、上部電極6(6A,6B)と各側部電極8A,8B
との間の印加電圧を制御することによって、石英系光導
波路3の出射端3aを左右に変位させることができ、左
右方向の光結合効率を最適に設定することができる。な
お、上下、左右の各方向の位置調整は前記第2の実施形
態でも可能であったが、この第3の実施形態では、下部
電極5と側部電極8A,8Bの各印加電圧を独立して制
御することで、上下方向と左右方向の各光結合を独立し
て制御することが可能となり、より自由度の高い結合位
置の調整が可能となる。
【0019】ここで、前記各実施形態では、光導波路が
石英系導波路の例を示しているが、自身にある程度の剛
性を有する一方で、静電気力によって光伝搬方向に対し
て変位可能な材料の光導波路であれば、本発明を同様に
適用することが可能である。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板上に
実装した光部品に対向される光導波路に上部電極が設け
られ、これと対向する基板側に下部電極や側部電極が設
けられ、かつ光導波路の端部と基板との間の空隙に硬化
性の接着剤を充填した上で、上部電極と下部電極や側部
電極との間に所要の電圧を印加して静電気力により光導
波路の端部を変位させ、この変位させた状態を保持した
上で接着剤を硬化させて光導波路の位置調整を行うこと
により、光部品と光導波路とを高精度に位置調整して両
者の光結合効率を高めることができ、これにより光特性
の改善、歩留まりの向上を実現でき、しかも低コストに
構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の組立前の状態の斜視
図である。
【図2】本発明の第1の実施形態の組立状態の断面図で
ある。
【図3】印加電圧と光結合効率の関係を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施形態の組立前の状態の斜視
図である。
【図5】本発明の第3の実施形態の組立前の状態の斜視
図である。
【符号の説明】
1 基板 3 石英系光導波路 4 光部品 5,5A,5B 下部電極 6,6A,6B 上部電極 7 接着剤 8A,8B 側部電極

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に実装された光部品と、前記基板
    上に実装されて前記光部品に光結合される光導波路とで
    構成される光結合装置において、前記光導波路は常圧C
    VD法による成長層であり、前記光部品に対向される端
    部が光伝搬方向と直交する方向の断面が矩形をした一端
    支持構造に構成されて光伝搬方向と直交する方向に移動
    可能とされ、かつ前記端部の下面には上部電極が一体に
    形成され、前記基板の平坦な上面の前記上部電極の直下
    位置には前記上部電極に対向する下部電極が形成され、
    前記上部電極と下部電極との間には任意の電圧が印加可
    能であり、かつ前記光導波路は硬化性の接着剤により前
    記基板に固定されてなることを特徴とする光結合装置。
  2. 【請求項2】 基板上に実装された光部品と、前記基板
    上に実装されて前記光部品に光結合される光導波路とで
    構成される光結合装置において、前記光導波路は常圧C
    VD法による成長層であり、前記光部品に対向される端
    部が光伝搬方向と直交する方向の断面が矩形をした一端
    支持構造に構成されて光伝搬方向と直交する方向に移動
    可能とされ、かつ前記端部の下面には上部電極が一体に
    形成され、前記基板の平坦な上面の前記光導波路を挟ん
    だ基位置にそれぞれ下部電極が形成され、前記上部電極
    と下部電極との間には任意の電圧が印加可能であり、か
    つ前記光導波路は硬化性の接着剤により前記基板に固定
    されてなることを特徴とする光結合装置。
  3. 【請求項3】 基板上に実装された光部品と、前記基板
    上に実装されて前記光部品に光結合される光導波路とで
    構成される光結合装置において、前記光導波路は常圧C
    VD法による成長層であり、前記光部品に対向される端
    部が光伝搬方向と直交する方向の断面が矩形をした一端
    支持構造に構成されて光伝搬方向と直交する方向に移動
    可能とされ、かつ前記端部の下面および左右両側面には
    上部電極が一体に形成され、前記基板の平坦な上面の前
    記上部電極の直下位置には前記上部電極に対向する下部
    電極が形成され、かつ前記左右側面の上部電極に対向す
    るように、前記光導波路の左右位置にそれぞれ側部電極
    が形成され、前記上部電極と下部電極及び側部電極との
    間には任意の電圧が印加可能であり、かつ前記光導波路
    は硬化性の接着剤により前記基板に固定されてなること
    を特徴とする光結合装置。
  4. 【請求項4】 前記光導波路が石英系光導波路である請
    求項1ないし3のいずれかに記載の光結合装置。
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