JP3122536B2 - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール

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JP3122536B2 JP04206728A JP20672892A JP3122536B2 JP 3122536 B2 JP3122536 B2 JP 3122536B2 JP 04206728 A JP04206728 A JP 04206728A JP 20672892 A JP20672892 A JP 20672892A JP 3122536 B2 JP3122536 B2 JP 3122536B2
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哲啓 奥野
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池モジュールに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、工業的に採用されている太陽電池
モジュールは、上部透明保護材、インターコネクタで結
線された太陽電池素子群、熱可塑性樹脂および下部保護
材を積層したものが代表的である。そして太陽電池素子
としては、結晶性シリコン半導体が多く用いられてい
る。
【0003】従来の太陽電池モジュールの断面模式図を
図4に示す複数個の太陽電池素子4を必要に応じて、内
部接続用リード線6により予じめ直並列に接続したもの
を、ガラスなどの透明保護材2との間にエチレンビニル
アセテートなどの合成樹脂からなる電気絶縁層3を形成
し、更に前記引出用リード線6を外側から覆う前記電気
絶縁層と同様の第3の電気絶縁層3を設け、更にその外
側に防湿を目的としてフッ素系合成樹脂あるいは必要に
応じて金属層を内包フッ素系合成樹脂(白色テドラフィ
ルム)からなる防湿層5を形成し、これら全体に加熱圧
着による封止処理を行なう。
【0004】太陽電池を大きく普及させるためには、よ
り一層の低価格化を図ることが急務であるが、低価格化
を図るためには、モジュールに入射した光を有効に利用
して、モジュール効率を高くするか、モジュール効率を
低下させる事なく、太陽電池素子数を減らすことであ
る。なおモジュール効率とはモジュール全体に入射する
ぶんの光のパワー[W]に対するその光のもとでのモジ
ュールの出力[W]の割合である。
【0005】従来では、太陽電池素子の接続間隔は、と
なりあう素子が短絡しないように、また熱膨張を考慮し
て、幾分大きくなる必要があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図4に示す従来構造の
ように、上部、下部保護材ともに平坦な表面構造をもつ
モジュールでは、太陽電池素子の接続部に入射した光は
太陽電池素子に受光しないので、十分に入射光を利用で
きないのが現状であった。
【0007】また集光度を高める為に透明保護材のうえ
に更にレンズを設けることにより、入射光を集光させる
方法があるが、レンズの価格が高価な為に全体としてコ
ストが高くなり、重量も重くなるという欠点があった。
【0008】本発明は太陽電池素子の接続部に入射した
光を有効に利用することにより、モジュール効率を低下
させることなく素子数を減らし、モジュールの低価格化
を図ることを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】太陽電池素子を接続し、
これを上部透光性保護材と熱可塑性樹脂封止材及び下部
保護材を積層してなる太陽電池モジュールにおいて、各
太陽電池素子間に、上部透光性保護材の光入射側には凹
型、下部保護材の光入射側には凸型のV字型溝を一定の
間隔に形成したことを特徴とする。
【0010】
【作用】太陽電池素子の接続部に光が入射した場合、ま
ず接続部の上部の凹型V字型溝によって入射光は上部の
透明保護材に屈折して入射し、さらに入射光は下部保護
材の凸型V字型溝によって反射され、太陽電池素子に入
射される。
【0011】
【実施例】以下に図1〜図3を用いて本発明よりなる太
陽電池モジュールを示す。
【0012】図1(a)に本発明よりなる太陽電池モジ
ュールの断面模式図を示し、図1(b)にその動作図を
示す。
【0013】幅が5mmで頂角120゜のV字型溝1を
上部2及び下部保護材3に形成した場合において、入射
する光はモジュールに対して垂直に入射するとし、透明
保護材1及び樹脂4の屈折率は共に1.5とする。フレ
ネルの法則により垂直入射光は、約19.5゜に屈折
し、更に下部のV字型溝により約40.5°の角度で反
射される。今、太陽電池素子が表面から約4mmの所
で、5mmの間隔で接続されているとすると、図に示す
ようにV字型溝に入射した光は、すべて素子に入射され
ることになる。なお溝はV字型以外にも考えられる。
【0014】そのように製作された太陽電池モジュール
の斜視図を図2に示す。
【0015】以下に本発明よりなる太陽電池モジュール
の製作法について述べる。まず素子の試作手順を図3に
従って説明する。
【0016】 P型単結晶シリコン基板(サイズ20
×100mm)を脱脂洗浄する。(a) リンを800〜900℃で熱拡散し、n型領域を形
成する。(b) 裏面の一部に銀ペーストを印刷、焼成(600〜7
00℃)してn型用電極を形成する。(c) 裏面のn型領域を、一部弗硝酸によりエッチング
し、p型表面を露出させる。
【0017】 裏面の露出させたp型面上にアルミペ
ーストを印刷、焼成(700〜800℃)してp型用電
極を形成する。(d) ダイシング又はレーザー加工によりpn接合の分離
を行う。(e) p型及びn型電極部分でダイシングまたはレーザー
により基板を10×100mmのサイズに切断する。
【0018】次にモジュールの試作手順について説明す
る。
【0019】 各素子を、アルミ線の超音波ボンディ
ングにより接続する。
【0020】 ガラス/樹脂(エチレンビニルアセテ
ートフィルム)/太陽電池素子/樹脂(エチレンビニル
アセテートフィルム)/白色テドラフィルムの順に積層
し、約120℃で加熱脱泡を行う。このとき太陽電池を
狭みこんだエチレンビニルアセテート樹脂のフィルムは
溶解してアルミ線でボンディングされた太陽電池は樹脂
内に収まる。尚、上部保護材のガラスはダイシングによ
り、幅Smm、頂角120°の凹のV型の溝を形成して
おき、一方下部保護材のテドラフィルムへのV型溝の形
成は、加熱脱泡時にフィルム側から凸のV型の金型を圧
し当てることにより行った。
【0021】以上のようにして試作したモジュールは、
素子面積のモジュール全体に占める割合が従来85%前
後であったものが約60%と大幅に減少し、サイズが同
じで、従来構造のモジュールの特性をAM1.5 10
0mW/cm2 の条件で測定したところ、ほぼ同等の出
力特性が得られた。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、モジュー
ル効率の低下をもたらすことなく、太陽電池素子数を大
幅に減少でき著しくモジュールの低価格化を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面模式図(a)、及
び動作図(b)である。
【図2】本発明の試作モジュールの斜視図である。
【図3】太陽電池素子の製作過程図である。
【図4】従来の太陽電池モジュールの断面模式図であ
る。
【符号の説明】
1 V字型溝 2 透明保護材(強化ガラス) 3 樹脂(エチレンビニルアセテート) 4 太陽電池素子 5 下部保護材(白色テドラフィルム) 6 リード線 7 モジュールの出力端子 8 P型単結晶シリコン基板 9 n型領域 10 n型領域用銀電極 11 p型領域用アルミ電極 12 pn接合分離部 13 基板の切断部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/04 - 31/078

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 太陽電池素子を接続し、これを上部透光
    性保護材と熱可塑性樹脂封止材及び下部保護材を積層し
    てなる太陽電池モジュールにおいて、各太陽電池素子間
    に、上部透光性保護材の光入射側には凹型、下部保護材
    の光入射側には凸型のV字型溝を一定の間隔に形成した
    ことを特徴とした太陽電池モジュール。
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