JP3121455B2 - セラミックコンデンサの応力評価方法 - Google Patents
セラミックコンデンサの応力評価方法Info
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- JP3121455B2 JP3121455B2 JP04282287A JP28228792A JP3121455B2 JP 3121455 B2 JP3121455 B2 JP 3121455B2 JP 04282287 A JP04282287 A JP 04282287A JP 28228792 A JP28228792 A JP 28228792A JP 3121455 B2 JP3121455 B2 JP 3121455B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックコンデンサ
の応力評価方法に関するものである。セラミックコンデ
ンサの応力評価方法は、回路基板上にセラミックコンデ
ンサが実装される際のランド電極の形状、大きさ、ある
いははんだ量を決定するのに利用される。すなわち、回
路基板上に実装されるセラミックコンデンサは、ランド
電極の形状、大きさ、あるいははんだ量によって応力の
かかり方が異なるため、セラミックコンデンサにかかる
応力を小さくするような取り付け方が良い条件となる。
なお、本明細書において、「セラミックコンデンサ」と
は、圧電性を示す誘電体から構成されているコンデンサ
を意味するものとする。
の応力評価方法に関するものである。セラミックコンデ
ンサの応力評価方法は、回路基板上にセラミックコンデ
ンサが実装される際のランド電極の形状、大きさ、ある
いははんだ量を決定するのに利用される。すなわち、回
路基板上に実装されるセラミックコンデンサは、ランド
電極の形状、大きさ、あるいははんだ量によって応力の
かかり方が異なるため、セラミックコンデンサにかかる
応力を小さくするような取り付け方が良い条件となる。
なお、本明細書において、「セラミックコンデンサ」と
は、圧電性を示す誘電体から構成されているコンデンサ
を意味するものとする。
【０００２】
【従来の技術】図４（イ）および（ロ）は従来例におけ
るセラミックコンデンサの応力評価方法を説明するため
の図である。回路基板４１上には、ランド電極４２、お
よび４２′が形成されている。そして、応力を評価する
セラミックコンデンサ１は、その電極２、２′が図示さ
れていないはんだによって前記ランド電極４２、４２′
上に取り付けられている。
るセラミックコンデンサの応力評価方法を説明するため
の図である。回路基板４１上には、ランド電極４２、お
よび４２′が形成されている。そして、応力を評価する
セラミックコンデンサ１は、その電極２、２′が図示さ
れていないはんだによって前記ランド電極４２、４２′
上に取り付けられている。
【０００３】今、回路基板４１の両端を固定した状態
で、図４（ロ）に示すように、回路基板４１の中央部に
「Ｆ」という応力を与える。このようにセラミックコン
デンサ１が実装されている回路基板４１に応力を与え、
回路基板４１を撓まし、回路基板４１上のセラミックコ
ンデンサ１が破壊されるまでの撓み量を測定していた。
そして、セラミックコンデンサ１が破壊されるまでの撓
み量が大きい時の取り付け条件は、セラミックコンデン
サ１の良い取り付け状態であると評価していた。
で、図４（ロ）に示すように、回路基板４１の中央部に
「Ｆ」という応力を与える。このようにセラミックコン
デンサ１が実装されている回路基板４１に応力を与え、
回路基板４１を撓まし、回路基板４１上のセラミックコ
ンデンサ１が破壊されるまでの撓み量を測定していた。
そして、セラミックコンデンサ１が破壊されるまでの撓
み量が大きい時の取り付け条件は、セラミックコンデン
サ１の良い取り付け状態であると評価していた。
【０００４】また、図４（イ）に示すセラミックコンデ
ンサ１が取り付けられた回路基板４１を常温に保った
後、いきなり高温雰囲気内に挿入する熱衝撃試験を行な
って、セラミックコンデンサ１の応力評価をしていた。
この熱衝撃試験の場合、セラミックコンデンサ１とセラ
ミックコンデンサ１が取り付けられている回路基板４１
との熱収縮率の差で発生する歪みによって回路基板４１
上に取り付けられているセラミックコンデンサ１が破壊
されるまでの温度差を測定していた。そして、セラミッ
クコンデンサ１は、破壊されるまでの温度差が大きい
程、セラミックコンデンサ１と回路基板４１との取り付
け条件が良好であると評価されていた。
ンサ１が取り付けられた回路基板４１を常温に保った
後、いきなり高温雰囲気内に挿入する熱衝撃試験を行な
って、セラミックコンデンサ１の応力評価をしていた。
この熱衝撃試験の場合、セラミックコンデンサ１とセラ
ミックコンデンサ１が取り付けられている回路基板４１
との熱収縮率の差で発生する歪みによって回路基板４１
上に取り付けられているセラミックコンデンサ１が破壊
されるまでの温度差を測定していた。そして、セラミッ
クコンデンサ１は、破壊されるまでの温度差が大きい
程、セラミックコンデンサ１と回路基板４１との取り付
け条件が良好であると評価されていた。
【０００５】図５（イ）ないし（ハ）は従来例における
セラミックコンデンサの応力評価方法で、ランド電極の
形状によるセラミックコンデンサの応力が異なることを
説明するための図である。図５（イ）はセラミックコン
デンサの上面図、（ロ）および（ハ）はランド電極の上
面図である。図５（ロ）に示す形状のランド電極４２、
４２′上にセラミックコンデンサ１をその電極２、２′
の部分ではんだ付けしたものに対して、図５（ハ）に示
す形状のランド電極５２、５２′上にセラミックコンデ
ンサ１を同様にはんだ付けしたものを比較する。この場
合、図４（ロ）と同じように応力「Ｆ」が加えられたと
する。上記ランド電極４２、４２′の形状の場合は、ラ
ンド電極５２、５２′の形状の場合より大きい撓み量の
時破壊された。すなわち、図５（ロ）に示す形状のラン
ド電極４２、４２′を採用した方が図５（ハ）に示すラ
ンド電極５２、５２′より良いことが判る。
セラミックコンデンサの応力評価方法で、ランド電極の
形状によるセラミックコンデンサの応力が異なることを
説明するための図である。図５（イ）はセラミックコン
デンサの上面図、（ロ）および（ハ）はランド電極の上
面図である。図５（ロ）に示す形状のランド電極４２、
４２′上にセラミックコンデンサ１をその電極２、２′
の部分ではんだ付けしたものに対して、図５（ハ）に示
す形状のランド電極５２、５２′上にセラミックコンデ
ンサ１を同様にはんだ付けしたものを比較する。この場
合、図４（ロ）と同じように応力「Ｆ」が加えられたと
する。上記ランド電極４２、４２′の形状の場合は、ラ
ンド電極５２、５２′の形状の場合より大きい撓み量の
時破壊された。すなわち、図５（ロ）に示す形状のラン
ド電極４２、４２′を採用した方が図５（ハ）に示すラ
ンド電極５２、５２′より良いことが判る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記撓み量や熱衝撃を
与えるセラミックコンデンサの応力評価方法は、セラミ
ックコンデンサが破壊されることによって、初めて評価
することができる。しかし、実際に起こり得る回路基板
の撓みや熱衝撃は、セラミックコンデンサが破壊された
時の撓み量や熱衝撃の温度差に比べて小さいことが予測
される。ところが、実際に使用される状態におけるセラ
ミックコンデンサの応力は、測定する方法が無いため不
明であった。
与えるセラミックコンデンサの応力評価方法は、セラミ
ックコンデンサが破壊されることによって、初めて評価
することができる。しかし、実際に起こり得る回路基板
の撓みや熱衝撃は、セラミックコンデンサが破壊された
時の撓み量や熱衝撃の温度差に比べて小さいことが予測
される。ところが、実際に使用される状態におけるセラ
ミックコンデンサの応力は、測定する方法が無いため不
明であった。
【０００７】本発明は、以上のような課題を解決するた
めのもので、セラミックコンデンサを破壊することな
く、実際の使用環境にあった条件で、応力を評価するセ
ラミックコンデンサの応力評価方法を提供することを目
的とする。
めのもので、セラミックコンデンサを破壊することな
く、実際の使用環境にあった条件で、応力を評価するセ
ラミックコンデンサの応力評価方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のセラミックコンデンサの応力評価方法は、
回路基板（図１の１１）上に形成されたランド電極（図
１の１２、１２′）間にセラミックコンデンサ（図１の
１）を取り付け、上記回路基板（１１）に応力を加えた
際に、セラミックコンデンサ（１）に直流電圧を印加
し、セラミックコンデンサ（１）に加えられている応力
に応じて変化する電流の積分値を基にして評価すること
を特徴とする。
に、本発明のセラミックコンデンサの応力評価方法は、
回路基板（図１の１１）上に形成されたランド電極（図
１の１２、１２′）間にセラミックコンデンサ（図１の
１）を取り付け、上記回路基板（１１）に応力を加えた
際に、セラミックコンデンサ（１）に直流電圧を印加
し、セラミックコンデンサ（１）に加えられている応力
に応じて変化する電流の積分値を基にして評価すること
を特徴とする。
【０００９】
【作 用】回路基板上に形成されたランド電極間に取
り付けられたセラミックコンデンサに直流電圧を印加す
ると、セラミックコンデンサ内において、電流は、電荷
がたまる一瞬間流れるがその後、漏れ電流を除いて流れ
ない。一方、セラミックコンデンサは、電極間に誘電体
が挟まれており、この部分に直流電圧が印加されると圧
電性を示す。したがって、セラミックコンデンサの誘電
体に加わる応力に応じて瞬間的に電荷が発生し、電流の
変化として観測される。本発明におけるセラミックコン
デンサの応力評価方法は、この誘電体に加わる応力の変
化に応じて変化する電流量を測定するものである。以上
のように、本発明におけるセラミックコンデンサの応力
評価方法は、セラミックコンデンサの誘電体が圧電性を
有することに着目し、セラミックコンデンサを破壊する
ことなく、実際の使用環境における応力を評価すること
ができる。
り付けられたセラミックコンデンサに直流電圧を印加す
ると、セラミックコンデンサ内において、電流は、電荷
がたまる一瞬間流れるがその後、漏れ電流を除いて流れ
ない。一方、セラミックコンデンサは、電極間に誘電体
が挟まれており、この部分に直流電圧が印加されると圧
電性を示す。したがって、セラミックコンデンサの誘電
体に加わる応力に応じて瞬間的に電荷が発生し、電流の
変化として観測される。本発明におけるセラミックコン
デンサの応力評価方法は、この誘電体に加わる応力の変
化に応じて変化する電流量を測定するものである。以上
のように、本発明におけるセラミックコンデンサの応力
評価方法は、セラミックコンデンサの誘電体が圧電性を
有することに着目し、セラミックコンデンサを破壊する
ことなく、実際の使用環境における応力を評価すること
ができる。
【００１０】
【実 施 例】図１は本発明の一実施例で、セラミック
コンデンサの誘電体に流れる電流を測定するための概念
図である。図１において、セラミックコンデンサ１は、
電極２および２′の間に誘電体３が挟持されている。そ
して、上記セラミックコンデンサ１は、回路基板１１に
形成されたランド電極１２、１２′上に、図示されてい
ないはんだによって取り付けられる。また、セラミック
コンデンサ１の電流を測定する装置は、ランド電極１
２、１２′に図示されていないプローブによって直流電
圧を印加する直流電源１３と、当該直流電源１３の電圧
を制御する電圧制御装置１４と、直流電源１３の電圧を
モニターする電圧計１５と、直流電源１３とランド電極
１２、１２′間に挿入されて誘電体３に瞬間的に流れる
電流を測定する電流計を含む測定装置１６と、当該測定
装置１６によって測定された電流の全量を積算する積分
回路１７と、誘電体３の材料、形状、あるいは大きさ、
セラミックコンデンサ１にかかる応力等によってそれぞ
れ変わる電流値が記述されているテーブルを記憶してい
るデータべース１８と、応力を評価する誘電体３の材
料、形状、あるいは大きさによって決まるデータべース
１８からの値と前記測定装置１６によって測定された測
定値とを比較する比較回路１９と、比較回路１９によっ
て比較された結果を判定する判定回路２０とから構成さ
れる。また、前記積分回路１７と、データべース１８
と、比較回路１９と、判定回路２０とは、たとえばパー
ソナルコンピュータ２１によって構成することができ
る。さらに、直流電源１３、電圧計１５、電流計とは、
たとえば絶縁計によって構成することができる。
コンデンサの誘電体に流れる電流を測定するための概念
図である。図１において、セラミックコンデンサ１は、
電極２および２′の間に誘電体３が挟持されている。そ
して、上記セラミックコンデンサ１は、回路基板１１に
形成されたランド電極１２、１２′上に、図示されてい
ないはんだによって取り付けられる。また、セラミック
コンデンサ１の電流を測定する装置は、ランド電極１
２、１２′に図示されていないプローブによって直流電
圧を印加する直流電源１３と、当該直流電源１３の電圧
を制御する電圧制御装置１４と、直流電源１３の電圧を
モニターする電圧計１５と、直流電源１３とランド電極
１２、１２′間に挿入されて誘電体３に瞬間的に流れる
電流を測定する電流計を含む測定装置１６と、当該測定
装置１６によって測定された電流の全量を積算する積分
回路１７と、誘電体３の材料、形状、あるいは大きさ、
セラミックコンデンサ１にかかる応力等によってそれぞ
れ変わる電流値が記述されているテーブルを記憶してい
るデータべース１８と、応力を評価する誘電体３の材
料、形状、あるいは大きさによって決まるデータべース
１８からの値と前記測定装置１６によって測定された測
定値とを比較する比較回路１９と、比較回路１９によっ
て比較された結果を判定する判定回路２０とから構成さ
れる。また、前記積分回路１７と、データべース１８
と、比較回路１９と、判定回路２０とは、たとえばパー
ソナルコンピュータ２１によって構成することができ
る。さらに、直流電源１３、電圧計１５、電流計とは、
たとえば絶縁計によって構成することができる。
【００１１】図１に示すように、セラミックコンデンサ
１の誘電体３に直流電源１３から直流電圧を印加する。
直流電源１３からセラミックコンデンサ１に印加される
電圧は、電圧計１５によってモニターされる。そして、
誘電体３に印加された電圧は、誘電体３の圧電性によっ
て、応力の変化に応じて、静電容量が変化する。すなわ
ち、誘電体３に応力が加わると誘電体３の静電容量は減
少する。そして、静電容量が減少する分の電荷は、電圧
の印加方向と反対方向に流れる。その後、静電容量が減
少する分の電荷が全部誘電体３から流れ出すと、電流
は、再び元に戻る。この時、測定装置１６によって測定
された電流は、積分回路１７によってその総量が得られ
る。この電流の総量は、測定される誘電体３の材質、形
状、大きさによって異なるため、予め応力評価が行なわ
れている被測定誘電体に関するデータべース１８内の値
と比較される。そして、比較結果は、判定回路２０で判
定される。すなわち、判定回路２０の結果によって、誘
電体３に加わっている応力の程度を判定することができ
る。
１の誘電体３に直流電源１３から直流電圧を印加する。
直流電源１３からセラミックコンデンサ１に印加される
電圧は、電圧計１５によってモニターされる。そして、
誘電体３に印加された電圧は、誘電体３の圧電性によっ
て、応力の変化に応じて、静電容量が変化する。すなわ
ち、誘電体３に応力が加わると誘電体３の静電容量は減
少する。そして、静電容量が減少する分の電荷は、電圧
の印加方向と反対方向に流れる。その後、静電容量が減
少する分の電荷が全部誘電体３から流れ出すと、電流
は、再び元に戻る。この時、測定装置１６によって測定
された電流は、積分回路１７によってその総量が得られ
る。この電流の総量は、測定される誘電体３の材質、形
状、大きさによって異なるため、予め応力評価が行なわ
れている被測定誘電体に関するデータべース１８内の値
と比較される。そして、比較結果は、判定回路２０で判
定される。すなわち、判定回路２０の結果によって、誘
電体３に加わっている応力の程度を判定することができ
る。
【００１２】図２は誘電体の厚さを一定にし、撓み量を
変えることによって、誘電体を流れる電流と撓み開始時
間との関係を説明するための図である。たとえば、大き
さ３．２×１．６ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ、容量０．１μ
Ｆのセラミックコンデンサ１を回路基板上に実装した。
そして、図２に示すように、回路基板の撓み量を０．５
ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍと変化させた。また、セ
ラミックコンデンサ１に印加する電圧は、直流２００Ｖ
とした。図２は、上記のような条件において、撓み量か
多い程、撓み開始時間（符号２１ないし２３）の早いこ
とが判る。また、図２は、撓み量が多い程、電圧印加と
逆方向の電荷が流れ、その電流の絶対値が大きく、その
総量も多いことが判る。
変えることによって、誘電体を流れる電流と撓み開始時
間との関係を説明するための図である。たとえば、大き
さ３．２×１．６ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ、容量０．１μ
Ｆのセラミックコンデンサ１を回路基板上に実装した。
そして、図２に示すように、回路基板の撓み量を０．５
ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍと変化させた。また、セ
ラミックコンデンサ１に印加する電圧は、直流２００Ｖ
とした。図２は、上記のような条件において、撓み量か
多い程、撓み開始時間（符号２１ないし２３）の早いこ
とが判る。また、図２は、撓み量が多い程、電圧印加と
逆方向の電荷が流れ、その電流の絶対値が大きく、その
総量も多いことが判る。
【００１３】図３は撓み量を一定にし、誘電体の厚さを
変えることによって、誘電体を流れる電流と撓み開始時
間との関係を説明するための図である。たとえば、大き
さ３．２×１．６ｍｍ、容量０．１μＦのセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した。そして、図３に示す
ように、回路基板の撓み量を０．５ｍｍと一定にし、誘
電体の厚さを１．６ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍと変
化させた。また、前記同様にセラミックコンデンサ１に
印加する電圧は、直流２００Ｖとした。図３は、上記の
ような条件において、誘電体の厚さが厚い程、撓み開始
時間（符号３１ないし３３）の早いことが判る。また、
図３は、誘電体の厚さが薄い程、電圧印加と逆方向の電
荷が流れ、その電流の絶対値が大きく、その総量も多い
ことが判る。
変えることによって、誘電体を流れる電流と撓み開始時
間との関係を説明するための図である。たとえば、大き
さ３．２×１．６ｍｍ、容量０．１μＦのセラミックコ
ンデンサを回路基板上に実装した。そして、図３に示す
ように、回路基板の撓み量を０．５ｍｍと一定にし、誘
電体の厚さを１．６ｍｍ、１．０ｍｍ、０．７ｍｍと変
化させた。また、前記同様にセラミックコンデンサ１に
印加する電圧は、直流２００Ｖとした。図３は、上記の
ような条件において、誘電体の厚さが厚い程、撓み開始
時間（符号３１ないし３３）の早いことが判る。また、
図３は、誘電体の厚さが薄い程、電圧印加と逆方向の電
荷が流れ、その電流の絶対値が大きく、その総量も多い
ことが判る。
【００１４】以上のように、図２および図３から、誘電
体３の撓み量および厚さによって、流れる電流と時間が
変わるため、これらの値を前記データべース１８に格納
して、実際に測定装置１６で測定された値と比較するこ
とによって、セラミックコンデンサを破壊することなく
その応力を評価することができる。
体３の撓み量および厚さによって、流れる電流と時間が
変わるため、これらの値を前記データべース１８に格納
して、実際に測定装置１６で測定された値と比較するこ
とによって、セラミックコンデンサを破壊することなく
その応力を評価することができる。
【００１５】以上、本実施例を詳述したが、本発明は、
前記実施例に限定されるものではない。そして、特許請
求の範囲に記載された本発明を逸脱することがなけれ
ば、種々の設計変更を行うことが可能である。たとえ
ば、本実施例は、セラミックコンデンサで説明したが、
圧電性を示す誘電体を使用した電子部品であれば、どの
ような電子部品でも破壊することなく、その応力を評価
することができる。
前記実施例に限定されるものではない。そして、特許請
求の範囲に記載された本発明を逸脱することがなけれ
ば、種々の設計変更を行うことが可能である。たとえ
ば、本実施例は、セラミックコンデンサで説明したが、
圧電性を示す誘電体を使用した電子部品であれば、どの
ような電子部品でも破壊することなく、その応力を評価
することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体からなるセラミ
ックコンデンサの予め測定されている電流特性と実際に
測定された電流とを比較することによって、セラミック
コンデンサを破壊することなく、セラミックコンデンサ
の応力を評価することができる。したがって、セラミッ
クコンデンサを回路基板に取り付ける際に、一番応力の
かからないランド電極の形状、大きさ、あるいははんだ
の量等を見つけることができる。
ックコンデンサの予め測定されている電流特性と実際に
測定された電流とを比較することによって、セラミック
コンデンサを破壊することなく、セラミックコンデンサ
の応力を評価することができる。したがって、セラミッ
クコンデンサを回路基板に取り付ける際に、一番応力の
かからないランド電極の形状、大きさ、あるいははんだ
の量等を見つけることができる。
【図１】本発明の一実施例で、セラミックコンデンサの
誘電体に流れる電流を測定するための概念図である。
誘電体に流れる電流を測定するための概念図である。
【図２】誘電体の厚さを一定にし、撓み量を変えること
によって、誘電体を流れる電流と撓み開始時間との関係
を説明するための図である。
によって、誘電体を流れる電流と撓み開始時間との関係
を説明するための図である。
【図３】撓み量を一定にし、誘電体の厚さを変えること
によって、誘電体を流れる電流と撓み開始時間との関係
を説明するための図である。
によって、誘電体を流れる電流と撓み開始時間との関係
を説明するための図である。
【図４】（イ）および（ロ）は従来例におけるセラミッ
クコンデンサの応力評価方法を説明するための図であ
る。
クコンデンサの応力評価方法を説明するための図であ
る。
【図５】（イ）ないし（ハ）は従来例におけるセラミッ
クコンデンサの応力評価方法で、ランド電極の形状によ
るセラミックコンデンサの応力が異なることを説明する
ための図である。
クコンデンサの応力評価方法で、ランド電極の形状によ
るセラミックコンデンサの応力が異なることを説明する
ための図である。
１・・・セラミックコンデンサ １８・・・データ
べース ２、２′・・・電極 １９・・・比較回
路 ３・・・誘電体 ２０・・・判定回
路 １１・・・回路基板 ２１・・・パーソ
ナルコンピュータ １２、１２′・・・ランド電極 １３・・・直流電源 １４・・・電圧制御装置 １５・・・電圧計 １６・・・測定装置 １７・・・積分回路
べース ２、２′・・・電極 １９・・・比較回
路 ３・・・誘電体 ２０・・・判定回
路 １１・・・回路基板 ２１・・・パーソ
ナルコンピュータ １２、１２′・・・ランド電極 １３・・・直流電源 １４・・・電圧制御装置 １５・・・電圧計 １６・・・測定装置 １７・・・積分回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 1/00
Claims (1)
- 【請求項１】 回路基板上に形成されたランド電極間に
セラミックコンデンサを取り付け、上記回路基板に応力
を加えた際に、セラミックコンデンサに加わる応力を測
定するセラミックコンデンサの応力評価方法において、 セラミックコンデンサに直流電圧を印加し、セラミック
コンデンサに加えられている応力に応じて変化する電流
の積分値を基にして評価することを特徴とするセラミッ
クコンデンサの応力評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04282287A JP3121455B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | セラミックコンデンサの応力評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04282287A JP3121455B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | セラミックコンデンサの応力評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109792A JPH06109792A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3121455B2 true JP3121455B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=17650468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04282287A Expired - Fee Related JP3121455B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | セラミックコンデンサの応力評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3121455B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677634A (en) * | 1995-11-16 | 1997-10-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Apparatus for stress testing capacitive components |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP04282287A patent/JP3121455B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06109792A (ja) | 1994-04-22 |
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