JP3120168B2 - Processing methods and apparatus - Google Patents

Processing methods and apparatus

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JP3120168B2
JP3120168B2 JP13936494A JP13936494A JP3120168B2 JP 3120168 B2 JP3120168 B2 JP 3120168B2 JP 13936494 A JP13936494 A JP 13936494A JP 13936494 A JP13936494 A JP 13936494A JP 3120168 B2 JP3120168 B2 JP 3120168B2
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栄一 ▲せき▼本
教雄 千場
忠之 山口
慎二 岡田
一幸 後藤
義雄 木村
寛 村上
公治 松村
慎二 永嶋
圭蔵 長谷部
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給して処理する処理方法及び処理装置に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to processing methods and apparatus for processing by supplying a processing solution of the developing solution or the like on the surface of the object to be processed such as a semiconductor wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理体としての半導体ウエハ(以下にウエハという)にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施される。 In general, in a manufacturing process of a semiconductor device, a photoresist is applied, the photoresist by reducing the circuit pattern by photolithography semiconductor wafer (referred wafer below) as an object to be processed transferring a series of processes for developing process is performed it.

【0003】上記現像処理において、ウエハ表面のフォトレジスト上に現像液を表面張力によって液盛りして所定時間おくことで、レジストの露光部分あるいは未露光部分を現像させるパドル型の現像方式が知られている。 [0003] In the developing process, the developer on the photoresist on the wafer surface by puddle by surface tension by placing a predetermined time, paddle developing method for developing an exposed portion or unexposed portion of the resist is known ing.
このパドル型の現像装置は、 図21に示すように、多数のノズル孔(図示せず)を直線状に配列した現像液供給ノズルaによって現像液Lを滲み出させつつスピンチャックbによってウエハWを低速回転例えば30rpmで約1/2回転させ、ウエハW上に供給した現像液Lを押し広げることによってウエハW表面に均一に薄く現像液Lを液盛りすることができ、省現像液による現像処理を可能にすることができる。 The paddle of the developing device, as shown in FIG. 21, the wafer W by the spin chuck b while exude developer L by a number of nozzle holes (not shown) to linearly array the developer supply nozzle a the rotating at low speed for example 30rpm about 1/2 turn, uniformly thin developer L on the wafer W surface can be puddled by pushing the developing liquid L supplied onto the wafer W, developing by saving developer It may enable processing.

【0004】また、この種の現像装置を用いた別の現像方法として、図22に示すように、現像液Lを供給させながら現像液供給ノズルaを上昇させて現像液保持間隔hを広げることにより、現像液供給ノズルaとレジストc間の表面張力により、現像液Lを現像液保持間隔h内に保持させて、現像液の液盛りを短時間に行えるようにする現像方法(特開昭62−199018号公報参照) [0004] As another developing method using such a developing device, as shown in FIG. 22, widening the developer holding interval h raises the developer supply nozzle a while supplying a developing solution L Accordingly, the surface tension between the developing solution supply nozzle a and the resist c, a developing method in which a developing solution L is held in the developer holding the interval h, to allow the puddle of the developing solution in a short time (JP see Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-199018)
や、図23に示すように、現像液供給ノズルaのノズル孔に現像液Lのメニスカスを形成して、ウエハW上のレジスト膜面に移行させるようにした現像方法(特開平4 And, as shown in FIG. 23, to form a meniscus of the developing solution L to the nozzle hole of the developer supply nozzle a, the developing method so as to shift to the resist film surface on the wafer W (JP-4
−367214号公報参照)などが知られている。 And the like are known No. -367214 see Japanese).

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来のこの種のパドル型の現像装置においては、圧送用気体の加圧によって現像液供給ノズルaのノズル孔から現像液LをウエハWに被着されたレジスト膜Rの表面に吐出する際に、ウエハW表面に物理的衝撃を与えてレジストパターンに損傷を与える虞れがあり、特に、この現象は、 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the conventional developing device paddle of this kind is applied a developing solution L to the wafer W from the nozzle hole of the developer supply nozzle a by pressurization of pumping gas and when discharging the surface of the resist film R, there is a possibility that damage to the resist pattern on the wafer W surface giving physical impact, in particular, this phenomenon,
図24に示すように、現像液供給ノズルa内の現像液L As shown in FIG. 24, the developer of the developer supply nozzle a L
の液圧変動により顕著に現れ、吐出開始時に吐出流量が大になる。 Liquid noticeable in the pressure fluctuations in the discharge flow rate becomes large at the start of discharge. また、各ノズル孔からレジスト膜Rの表面に吐出された現像液Lの液膜は、ノズル孔から吐出された隣接する現像液Lの液膜同士が表面張力によって結合して、全体的に液盛りされるが、図25に示すように、液膜同士が合流する際に空洞部eが生じ、この空洞部e内の空気が気泡fとして残留する。 Further, the liquid film of the developing solution L from the nozzle holes discharged to the surface of the resist film R is the liquid film between the developer L adjacent discharged from the nozzle holes is attached by surface tension, generally liquid Although the prime, as shown in FIG. 25, occurs cavity e when a liquid film between the confluence of the air in the cavity e remains as bubbles f. このように気泡がレジスト膜の表面あるいはその表面の近傍に残留すると、 With such bubbles f remains in the vicinity of the surface or the surface of the resist film,
気泡が現像液とレジスト膜の接触を妨げる結果、反応が阻害されて未反応のレジストが残り、この未反応のレジストが所期のレジストパターンが得られないというレジストパターンの欠陥となり、ひいては回路パターンの欠陥(デフェクト)が生じて、歩留まりの低下を招くという問題があった。 Results bubbles f prevents contact of the developing solution and the resist film, the reaction is inhibited by the remaining resist unreacted resist the unreacted is defects of the resist pattern as desired resist pattern can not be obtained, and thus the circuit pattern defect (defect) occurs, and there is a problem that leads to reduction in yield.

【0006】また、特開昭62−199018号公報に記載の現像方法においては、現像液供給ノズルaに常時現像液Lが接触するため、この接触部において化学的汚染(コンタミネーション)が発生し、ウエハWが汚染されるという問題がある。 [0006] In the developing method described in JP-A-62-199018, since the normally developing solution L in the developing solution supply nozzle a is in contact, chemical contamination (contamination) occurs in the contact portion , there is a problem that the wafer W is contaminated. これに対して、特開平4−36 On the other hand, JP-A-4-36
7214号公報に記載の現像方法においては、現像液供給ノズルaのノズル孔に現像液Lのメニスカスを形成して、ウエハW上のレジスト膜面に移行させるため、コンタミネーションの発生を少なくすることができるが、現像液LのメニスカスをウエハW上のレジスト膜面に移行する際、移行する速度を速くし、その押圧力を強くすると、ウエハWに物理的衝撃を与え、ウエハWに損傷を与えるという問題があり、また逆に、移行速度を遅くし、 In the developing method described in 7214 JP, forms a meniscus of the developer L to the nozzle hole of the developing solution supply nozzle a, in order to shift to the resist film surface on the wafer W, to reduce the occurrence of contamination but it is, when migrating meniscus developer L on the resist film surface on the wafer W, to increase the speed of migration, when strong pressing force, apply physical shock to the wafer W, damage to the wafer W There is a problem of giving, also in reverse, slow down the migration rate,
押圧力を弱めると、レジスト膜と現像液との親和性(ぬれ性)が悪くなり、液盛りされる現像液Lの液膜中に気泡が生じ、上述したように、この気泡によってデフェクトが生じ、歩留まりの低下を招くという問題がある。 When weaken the pressing force, the affinity between the resist film with a developer (wettability) is deteriorated, bubbles are generated in the liquid film of the developer liquid L puddle, as described above, defect is caused by the bubbles , there is a problem that leads to a decrease in yield.

【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもので、被処理体表面に供給される処理液の液盛り(液膜) [0007] The invention has been made in view of the above circumstances, puddling of the treatment liquid to be supplied to the surface of the object (liquid film)
中に残留する気泡、特にレジスト膜の表面あるいはその近傍に残留する気泡を除去してデフェクトを少なくし、 Residual bubbles, to remove air bubbles that particular remaining on the surface or in the vicinity of the resist film to reduce the defect during the
歩留まりの向上を図ることを第1の目的とし、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションを少なくして、歩留まりの向上を図ることを第2の目的とする処理方法及び処理装置を提供するものである。 It is to improve the yield and the first object, with less contamination due to contact with the treatment liquid supply means and the processing liquid, the processing method and processing device and a second object to improve the yield it is intended to provide.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するためにこの発明の第1の処理方法は、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法を前提とし、静止状態において、上記処理液供給手段から所定量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に液膜を形成する工程と、上記処理液供給手段から所定の液膜厚に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とするものである(請求項1)。 The first processing method of the present invention in order to achieve the above object, according to an aspect of the, and a processing solution supplying means and the opposing workpiece by relatively moving the processing solution to the surface of the object a method of processing liquid film supplied from the supply means to the forming process assumes, at rest, immediately below the small amount of the processing liquid processing solution supplying means supplies the predetermined amount from the treatment liquid supply means forming a liquid film to the surface of the object, to supply the processing solution in an amount required for a given liquid film thickness from the treatment liquid supply means, a processing liquid feeding means and the object to be processed by relatively moving the is characterized in that a step of forming a predetermined thickness of the liquid film on the treatment surface (claim 1).

【0009】また、この発明の第2の処理方法は、上記第1の処理方法と同様に、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法を前提とし、上記処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成する工程と、上記処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給する工程とを有することを特徴とするものである(請求項2)。 Further, a second processing method of the present invention, like the first processing method, and a treatment liquid supply means and the opposing workpiece by relatively moving the processing liquid supplied to the surface of the object the processing method for processing to form a treatment liquid film supplied from the means assumes, the treatment liquid supply means is brought close to the surface of the object, forming a liquid film by supplying the process liquid from the process liquid supply means a step of, is characterized in that a step for supplying a processing liquid in a state not in contact with the treatment liquid supply means to the liquid film on the target object while away from the surface of the object (claim 2 ).

【0010】また、この発明の第1の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に、上記処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設してなることを特徴とするものである(請求項3)。 [0010] The first processing device of the present invention, assume processing apparatus having a processing solution supplying means having a plurality of processing liquid supply hole for supplying the treatment liquid to the surface of the object to be processed, the processing solution the supply means, to form a treated liquid storage chamber having the treatment liquid supply hole, in the vicinity of the processing liquid supply hole in the treating solution storage chamber, arranged to suppress the pressure buffering member the hydraulic pressure fluctuation of the processing solution those characterized by comprising Te (claim 3). この第1の処理装置において、上記圧力緩衝部材は、処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に配設されて、処理液の液圧変動を抑制するものであれば任意のものでよく、例えば多孔質材料、多孔板あるいはバッフル板等にて形成することができる。 In this first processing device, the pressure snubbing member is disposed in the vicinity of the treatment liquid supply holes in the processing liquid storage chamber may be of any as long as suppressing the hydraulic pressure fluctuation of the processing solution can be formed, for example, porous material, in perforated plate or baffle plate.

【0011】また、この発明の第2の処理装置は、上記第1の処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、 上記複数の処理液供給孔を Further, the second processing apparatus of the present invention, like the first processing unit, including a processing liquid supplying means having a plurality of processing liquid supply hole for supplying the treatment liquid to the surface of the object to be processed the processing apparatus assumes, the plurality of process liquid supply hole
直列状に複数列配列すると共に、各列の処理液供給孔を With a plurality of columns arranged in series form, the process liquid supply holes in each row
それぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設 Respectively is inclined towards the front end side close to each other set
け、上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、 上記複 Only, to the outside vicinity of the plurality of process liquid supply hole, the double
数の処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設してなることを特徴とするとするものである(請求項4)。 And receiving the process liquid discharged from the number of the processing liquid supply hole is intended to be characterized by being provided a guide member for guiding to the surface of the object (claim 4). この場合、上記 In this case, the above-mentioned
複数の処理液供給孔の列間外部近傍位置に、垂直状の板状案内部材を配設する方が好ましい(請求項5) The inter-column outside the vicinity of the plurality of process liquid supply hole, it is provided a vertical plate-like guide member is preferably (claim 5).

【0012】 また、この発明の第3の処理装置は、第1 Further, the third processing apparatus of the invention, the first
及び第2の処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液 Similar to and the second processing unit, the processing solution to the surface of the object
を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段 Processing solution supplying means having a plurality of processing liquid supply holes for supplying
を具備する処理装置を前提とし、上記複数の処理液供給 It assumes processing apparatus including a plurality of processing liquid supply
孔を直列状に列配列し、上記複数の処理液供給孔の外部 And column array of holes in a serial manner, external of said plurality of process liquid supply hole
近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処 In the vicinity, processing ejected from the plurality of process liquid supply hole
理液を受け止めて被処理体表面に案内する傾斜状の板状 Inclined plate for guiding to the surface of the object by receiving a physical solution
案内部材を配設してなることを特徴とするものである And it is characterized in that formed by disposing the guide member
(請求項6) (Claim 6).

【0013】 また、この発明の第4の処理装置は、第1 Furthermore, the fourth processing unit of the present invention, first
ないし第3処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液 Or like the third processing unit, the processing solution to the surface of the object
を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段 Processing solution supplying means having a plurality of processing liquid supply holes for supplying
を具備する処理装置を前提とし、上記複数の処理液供給 It assumes processing apparatus including a plurality of processing liquid supply
孔を円周方向に配設し、上記複数の処理液供給孔の外方 Arranged holes in the circumferential direction, the outer side of the plurality of process liquid supply hole
近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される In the vicinity, processing ejected from the plurality of process liquid supply hole
理液を受け止めて被処理体表面に案内するスカート状の And receiving a physical solution skirt shaped to guide to the surface of the object
案内部材を配設してなることを特徴とするものである And it is characterized in that formed by disposing the guide member
(請求項7) (Claim 7).

【0014】また、この発明の第5の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなることを特徴とするものである(請求項8)。 Further, the fifth processing apparatus of the present invention, assume processing apparatus having a processing solution supplying means for supplying a treatment liquid to the surface of the object to be processed, to the treatment liquid supply means, distribute processing liquid together to provide a plurality of processing liquid supply holes for supplying to and is characterized by comprising a slit-shaped discharge holes communicating with these treatment liquid supply hole (claim 8).
この場合、スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成する方が好ましい(請求項9)。 In this case, the open end of the slit-shaped discharge holes, is better to form the expanding portion for reservoir treatment liquid preferably (claim 9).

【0015】また、この発明の第6の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に吐出口を設けると共に、この吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与したことを特徴とするものである(請求項10)。 [0015] Further, the sixth processing device of the present invention, assume processing apparatus having a processing solution supplying means for supplying a processing liquid to the surface of the object, providing the discharge opening to the treatment liquid supply means and it is characterized in that impart hydrophilicity to a portion of the liquid contact during ejection of the processing liquid in the ejection opening and its periphery (claim 10).

【0016】更に、親水性を付与する手段として、水を化学的あるいは物理的に吸着して保持することのできる材料を使用していることを特徴とする(請求項11)。 Furthermore, as a means for imparting hydrophilicity, characterized in that it uses a material capable of holding water by chemically or physically adsorbed (claim 11).

【0017】 [0017]

【作用】上記技術的手段によるこの発明の第1の処理方法によれば、静止状態において、処理液供給手段から少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に衝撃を与えないように液膜を形成した後、 According to the first processing method of the present invention by the technical means, shock at rest, to the surface of the object immediately below the small amount of the processing liquid processing liquid supply means is supplied from the treatment liquid supply means after forming the liquid film so as not to give,
処理液供給手段から所定の液膜厚に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成することにより、処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができると共に、処理液と被処理体との親和性(ぬれ性)を高めて、処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができる(請求項1)。 Supplies a treatment liquid amount of processing liquid required from the supply means to a predetermined liquid film thickness, the process liquid supply means and the workpiece relative movement by forming a predetermined thickness of the liquid film to the surface of the object , it is possible to alleviate the physical impact to the surface of the object by the supply of the processing solution, to enhance the affinity with the treatment liquid and the object to be processed (the wettability), the bubbles in the liquid film of the process liquid to prevent the occurrence, it can be uniformly formed liquid film (claim 1).

【0018】また、処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成した後、処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給することにより、処理液供給手段と処理液との接触を可及的に少くすることができ、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションの発生を少くすることができる(請求項2)。 Further, the treatment liquid supply means is brought close to the surface of the object, after forming a liquid film by supplying the process liquid from the process liquid supply means, to be treated a treatment liquid supply means while away from the surface of the object by supplying a process liquid in a state not in contact with the liquid film on the body, it is possible to reduce the contact with the treatment liquid supply means and the processing liquid as much as possible, by contact with the processing liquid feeding means and the processing liquid the occurrence of contamination may be less (claim 2).

【0019】また、処理液供給手段に、処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設することにより、処理液供給手段の処理液の液圧の変動を抑制することができると共に、処理液供給手段から被処理体に供給される処理液の物理的衝撃を少くすることができ、被処理体の損傷を防止することができる(請求項3)。 Further, the treatment liquid supplying means, to form a treated liquid accommodation chamber having a processing liquid supply hole, in the vicinity of the processing liquid supply hole in the treating solution storage chamber, suppress the liquid pressure variation of the process liquid pressure by disposing the buffer member, it is possible to suppress the fluctuation of the hydraulic pressure of the processing liquid of the processing liquid supplying means, for less physical shock of the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply means to the target object it can, it is possible to prevent damage of the object (claim 3).

【0020】また、処理液供給手段の処理液供給孔の外部近傍位置に、この処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設することにより、処理液供給手段の処理液供給孔から吐出される処理液を一旦案内部材で受け止めた後、自由落下により被処理体表面に当てることで、物理的衝撃を緩和することができると共に、連続した線状で処理液を供給することができる(請求項4〜7 )。 Further, the external vicinity of the processing liquid supply hole of the processing solution supply means, by providing a guide member for guiding the process liquid discharged from the treatment liquid supply hole to the surface of the object by receiving after received by temporarily guiding member processing liquid discharged from the treatment liquid supply hole of the processing solution supply means, by applying to the surface of the object with a free-falling, it is possible to alleviate the physical shock, continuous it is possible to supply the process liquid in a linear (claims 4-7). したがって、被処理体の損傷を防止することができると共に、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができる。 Therefore, it is possible to prevent damage of the object, the bubbles can be uniformly formed liquid film does not remain.

【0021】また、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されることで、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができる(請求項8)。 Further, the processing solution supply means, processing solution with dispersed providing a plurality of processing liquid supply hole for supplying to the, by providing the slit-shaped discharge holes communicating with these process liquid supply hole, the treatment liquid is treated after being dispersed in the liquid supply hole and a continuous linear from the slit-shaped discharge holes that are supplied to an object to be processed can be uniformly forming a liquid film that bubbles do not remain (claim 8) .

【0022】また、処理液供給手段に設けた吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与することにより、吐出口及びその周辺に処理液が付着し易くなるので、吐出口部が大きい場合でも、とぎれのない連続した状態で処理液を吐出することが可能となる(請求項10,11)。 Further, by imparting hydrophilicity to a portion of the liquid contact during ejection of the processing liquid in the ejection opening and its periphery provided in the processing solution supply means, since the treatment liquid outlet port and the vicinity thereof are likely to adhere even if the discharge port portion is large, it is possible to discharge the treated liquid in a continuous state uninterrupted (claims 10, 11).

【0023】 [0023]

【実施例】次に、この発明の実施例を添付図面に基いて詳細に説明する。 EXAMPLE will be described in detail with reference to embodiments of the present invention in the accompanying drawings. この実施例ではこの発明に係る処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。 In this embodiment described the case of applying the processing apparatus according to the present invention in coating and developing processing system for semiconductor wafers.

【0024】半導体ウエハ(以下にウエハという)の塗布・現像処理システムは、図1に示すように、被処理体としてのウエハWを搬入・搬出するローダ部1、ウエハWをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置2、ウエハWを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置3、ウエハW The coating and developing treatment system for semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafer), as shown in FIG. 1, the loader unit 1 for loading and unloading the wafer W as an object to be processed, brush cleaning the wafer W to brush cleaning device 2, a jet water cleaning unit 3 for cleaning the wafers W in a high pressure jet water, the wafer W
の表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置4、このアドヒージョン処理装置4の下に配置されウエハWを所定温度に冷却する冷却処理装置5、ウエハWの表面にレジストを塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部の余分なレジストを除去するレジスト塗布装置6、 Adhesion process unit 4 for the hydrophobic treatment surface of the wafer by the adhesion processing unit 4 of the cooling apparatus 5 for cooling the placed wafer W to a predetermined temperature below, applying a resist on the surface of the wafer W and the side rinsing resist coating unit 6 to remove excess resist of the peripheral portion,
レジスト塗布の後でウエハWを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う複数の多段に積層された加熱処理装置7、露光されたウエハW表面上のレジストの回路パターンを現像処理しかつ現像後のウエハW表面をリンス処理する機能を備えたこの発明に係る現像処理装置8などを集合化して作業効率の向上を図っている。 Resist coating after more staging the laminated a heat treatment device 7 to heat the wafer W is prebaked and post-baked at, the circuit pattern of the resist on the exposed surface of the wafer W is developed and the wafer after development the W surface and developing apparatus 8 according to the present invention having the function of rinsing by aggregated thereby improving the work efficiency.

【0025】上記のように構成される塗布・現像処理システムの中央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路9 [0025] the central portion of the formed coating and developing system as described above, the wafer transport path 9 along the longitudinal direction
が設けられ、このウエハ搬送路9に各装置2〜8が正面を向けて配置され、各装置2〜8との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送アーム10を備えた2つのウエハ搬送機構11がウエハ搬送路9に沿って移動自在に設けられている。 Are provided, each apparatus 2-8 to the wafer transport path 9 is disposed toward the front, two wafer transport mechanism having a wafer transfer arm 10 for transferring the wafer W between the respective devices 2-8 11 is provided movably along the wafer transfer path 9. そして、例えば、ローダ部1の図示省略のウエハカセット内に収納されている処理前のウエハW Then, for example, unprocessed wafers W housed in the wafer cassette not shown in the loader section 1
を1枚取り出して搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン処理、冷却し、レジスト塗布装置6によってレジストを塗布した後、プリベーク、図示省略の露光装置による露光後に、この発明に係る現像処理装置8によって現像処理を行い、次いでポストベークを行い、処理後のウエハWをローダ部1の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納する。 The conveyed removed one, successively, washing, adhesion process, then cooled, a resist was applied by the resist coating unit 6, prebaked, after exposure by not shown in the exposure apparatus, developed by the developing apparatus 8 according to the present invention It performs processing, and then performs the post-baking, accommodating the wafer W is transferred after processing within the wafer cassette not shown in the loader section 1.

【0026】上記現像処理装置8は、図2に示すように、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエハという)を真空吸着によって保持し、水平方向に回転するスピンチャック12と、このスピンチャック12とウエハWを包囲する処理カップ13と、ウエハWの表面のレジスト膜面に処理液である現像液を供給する現像液供給ノズル20(処理液供給手段)と、現像液供給ノズル20 [0026] The developing apparatus 8, as shown in FIG. 2, the spin chuck 12 to the semiconductor wafer W (hereinafter referred to as wafer) as an object to be processed held by vacuum suction, to rotate in the horizontal direction, the spin chuck 12 and a processing cup 13 surrounding the wafer W, the developer supplying developer to the resist film surface of the surface of the wafer W is processing liquid supply nozzle 20 (treatment liquid supply means), a developing solution supply nozzle 20
を待機位置21とウエハWの上方の処理位置に移動する移動機構22と、現像後のウエハW表面の回路パターンをリンス処理するリンス機構23とを具備してなる。 A moving mechanism 22 for moving the upper processing position of the standby position 21 and the wafer W, and formed by the circuit pattern surface of the wafer W after development; and a rinsing mechanism 23 for rinsing.

【0027】この場合、上記現像液供給ノズル20は、 [0027] In this case, the developer supply nozzle 20,
その吐出液膜の幅がウエハWの直径に相当する長さに形成されており、図3及び図4に示すように、現像液Lを収容する現像液収容室24の底部に、複数の処理液供給孔としてのノズル孔25を適宜間隔をおいて直線的に配列してなり、現像液収容室24におけるノズル孔25の近傍位置に、現像液の液圧変動を抑制するための圧力緩衝部材26を底部全域に亘り配設してなる。 The width of the discharge liquid film is formed to a length corresponding to the diameter of the wafer W, as shown in FIGS. 3 and 4, the bottom portion of the developer accommodating chamber 24 for accommodating the developer L, a plurality of processing linearly be arrayed at appropriate intervals nozzle holes 25 as a liquid supply hole, in the vicinity of the nozzle holes 25 in the developer accommodating chamber 24, the pressure buffering member for suppressing the hydraulic pressure variations of the developer composed by disposing over the 26 to the bottom throughout. この圧力緩衝部材26は、例えばセラミックや樹脂、ステンレス鋼等の耐蝕、耐薬品性の多孔質材料、多孔板あるいはバッフル板等にて形成されている。 The pressure buffer member 26, for example a ceramic or resin, corrosion such as stainless steel, the chemical resistance of porous material are formed by a perforated plate or baffle plate.

【0028】また、現像液収容室24の上部開口にはシールパッキング27を介して蓋体28が閉塞されており、この蓋体28の両側に接続する現像液供給管29が現像液収容タンク30に接続されると共に、現像液収容タンク30にガス供給管31を介して接続する例えば窒素(N 2 )等の不活性ガスのガス供給源32から現像液収容タンク30内の現像液Lに加圧されるN 2ガスによって現像液収容タンク30内の現像液Lが現像液供給管29を介して現像液供給ノズル20の現像液収容室24 Further, the upper opening of the developer accommodating chamber 24 and the lid 28 is closed via the sealing packing 27, a developer supply pipe 29 to be connected to both sides of the cover body 28 developer containing tank 30 to which is connected, pressure from the developer storage tank 30 connected through a gas supply pipe 31, for example, nitrogen (N 2) gas source 32 of inert gas such as a developing solution L of the developer accommodating tank 30 developer accommodating chamber 24 of the developing liquid L developer supply nozzle 20 via a developer supply pipe 29 of the developer accommodating tank 30 by N 2 gas pressure
内に供給され、ノズル孔25からウエハW表面に吐出(供給)されるように構成されている。 It is supplied to the inside, and is configured to be discharged from the nozzle holes 25 on the surface of wafer W (supplied).

【0029】上記のように、現像液収容室24におけるノズル孔25の近傍位置に、圧力緩衝部材26を配設することにより、N 2ガスの加圧によって現像液収容室2 [0029] As described above, in the vicinity of the nozzle holes 25 in the developer accommodating chamber 24, pressure buffer by providing the member 26, the developer accommodating chamber 2 by the pressure of the N 2 gas
4内に供給された現像液Lは圧力緩衝部材26の細孔を通ってノズル孔25に流れるため、ノズル孔25の軸方向に加わる液圧変動を圧力緩衝部材26によって抑制することができるため、現像液Lが勢いよく吐出されることはなく、ウエハW表面に吐出される現像液Lによる物理的衝撃を緩和することができる。 Since the developing solution supplied into 4 L is flowing through the nozzle hole 25 through the pores of the pressure buffer member 26, it is possible to suppress the pressure snubbing member 26 to fluid pressure variations applied to the axial direction of the nozzle hole 25 , never developing solution L is forcefully discharged, it is possible to mitigate the physical impact by the developing liquid L discharged to the wafer W surface. また、各ノズル孔2 Each nozzle holes 2
5から均一に吐出させることもできる。 It may be uniformly ejected from 5.

【0030】上記第1実施例では現像液供給ノズル20 [0030] In the first embodiment the developer supply nozzle 20
の現像液収容室24におけるノズル孔25の近傍位置に圧力緩衝部材26を配設した場合について説明したが、 Case has been described where the were provided with pressure buffer member 26 in the vicinity of the nozzle holes 25 in the developer accommodating chamber 24,
現像液供給ノズル20は必しもこのような構造である必要はなく、別の構造の現像液供給ノズルを用いることができる。 Developer supply nozzle 20 need not be such a structure servant 必 it can be used a developing solution supply nozzle of another structure. 以下に、現像液供給ノズルの別の構造について説明する。 Hereinafter, a description will be given of another structure of the developer supply nozzle.

【0031】図5及び図6には現像液供給ノズルの第2 FIG. 5 and a second developing solution supply nozzle in FIG. 6
実施例の断面図及び断面斜視図が示されている。 Sectional view and a sectional perspective view of an embodiment is shown. 第2実施例の現像液供給ノズル20Aは、現像液収容室24の底部に複数のノズル孔25を適宜間隔をおいて直線状に2列配列すると共に、各列のノズル孔25をそれぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設け、そして、 Developer supply nozzle 20A of the second embodiment, as well as two rows in a straight line at appropriate intervals a plurality of nozzle holes 25 in the bottom portion of the developer accommodating chamber 24, the nozzle holes 25 in each row, each tip side It provided to be tilted to a direction close to each other, and,
現像液収容室の底部外面における列間のノズル孔25, Nozzle hole 25 between the rows in the outer bottom surface of the developer accommodating chamber,
25間に垂直状の板状案内部材33を長手方向に設けた場合である。 A case in which a vertical plate-like guide member 33 in the longitudinal direction between 25. このように2列のノズル孔25,25間に垂直状の板状案内部材33を設けることにより、現像液収容室24内の現像液Lがそれぞれノズル孔25から吐出されて板状案内部材33に一旦受止められた後、板状案内部材33の両側面を伝わって自由落下によってウエハW上に落下するので、ウエハWに与える衝撃を緩和することができ、かつ、直線状に連続して現像液Lを供給することができる。 By thus providing the vertical plate-like guide member 33 between the two rows of the nozzle holes 25 and 25, the developing solution L of the developer accommodating chamber 24 is discharged from the nozzle hole 25, respectively the plate-like guide member 33 after being temporarily received by the, so to fall onto the wafer W by the free fall transmitted to both sides of the plate-like guide member 33, it is possible to alleviate the impact on the wafer W, and continuously in a straight line it is possible to supply the developer L.

【0032】なお、ノズル孔25を2列配列することにより、ノズル孔25の径を小さく形成し、現像液Lのぼた落ちを防止し易くできると共に、板状案内部材33の両面をクリーンな状態に維持することもできる。 [0032] By arranging the nozzle hole 25 two rows, the diameter of the nozzle hole 25 smaller form, together with a fall that Novo developer L can easily prevented, clean both sides of the plate-like guide member 33 It can also be maintained in the state.

【0033】また、上記第2実施例の現像液供給ノズル20Aの構造のものに代えて、図7及び図8に示すような構造の現像液供給ノズル20Bを用いてもよい。 Further, instead of a structure of the developer supply nozzle 20A of the second embodiment may be used a developing solution supply nozzle 20B of the structure shown in FIGS. すなわち、第3実施例の現像液供給ノズル20Bは、上記第1実施例の現像液供給ノズル20と同様に、現像液収容室24の底部に直線状に設けられたノズル孔25の外部近傍位置に傾斜状の板状案内部材33aを設けることによって、各ノズル孔25から吐出される現像液Lを板状案内部材33aにて一旦受け止めた後、自由落下によってウエハW上に直線状に連続して供給することができる。 That is, the developer supply nozzle 20B of the third embodiment, similarly to the developer supply nozzle 20 of the first embodiment, the external vicinity of the nozzle holes 25 provided in a straight line on the bottom of the developer accommodating chamber 24 in by providing a sloped plate-like guide members 33a, after receiving once in the developing solution L tabular guide member 33a ejected from the nozzle holes 25, in succession in a straight line on the wafer W by free fall it is possible to supply Te.

【0034】なお、第2及び第3実施例において、その他の部分は上記第1実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。 [0034] In the second and third embodiments, since other portions are the same as those in the first embodiment, the same portions are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. また、上記第1及び第2実施例の現像液供給ノズル20A,20 Further, the first and the developer supply nozzle 20A of the second embodiment, 20
Bにおいて、第1実施例と同様に、現像液収容室24のノズル孔25の近傍位置に圧力緩衝部材26を配設することも可能であり、これにより現像液Lの液圧の変動を抑制して更に安定した状態で連続液膜を形成することができる。 In B, similarly to the first embodiment, it is also possible to dispose the pressure buffering member 26 in the vicinity of the nozzle holes 25 of the developer accommodating chamber 24, suppressing the hydraulic pressure fluctuations of the developing solution L by which it is possible to form a continuous liquid film further stable state by.

【0035】また、上記第2及び第3実施例では、ノズル孔25を直線状に配列して、現像液Lを直線状に連続して供給する場合について説明したが、以下に説明するように、現像液Lを円周状に連続して供給することも可能である。 [0035] In the above second and third embodiments, by arranging the nozzle hole 25 in a straight line, there has been described a case where continuously supplying developer L linearly, as described below it is also possible to continuously supplying developer L circumferentially. すなわち、第4実施例の現像液供給ノズル2 That is, the developer supply nozzle 2 of the fourth embodiment
0Cは、図9及び図10に示すように、先端に現像液L 0C, as shown in FIGS. 9 and 10, the developing solution L at the tip
の反転部34を設けた有底筒状のノズル体35の先端部の円周方向に適宜間隔をおいて複数のノズル孔25を設け、そして、これらノズル孔25の外方近傍位置に、スカート状の案内部材33bを設けることにより、現像液供給ノズル20Cのノズル孔25から吐出される現像液Lを一旦案内部材33bの内面で受け止めた後、案内部材33bの内面を伝わって自由落下することができ、ウエハW上に円周状に連続して供給することができる。 Reversed portions 34 at appropriate intervals in the circumferential direction of the distal end portion of the bottomed cylindrical nozzle body 35 provided a plurality of nozzle holes 25, and, outside the vicinity of the these nozzle holes 25, skirt by providing Jo of the guide member 33b, after it received by the inner surface of the temporarily guide member 33b of the developing liquid L discharged from the nozzle hole 25 of the developer supply nozzle 20C, that falls freely transmitted to the inner surface of the guide member 33b can be, it can be fed continuously circumferentially on the wafer W.

【0036】なお、上記ノズル孔25の形状は、図9に示すような丸穴でもよく、また、円周方向にスリット(図示せず)を1個以上設けてもよい。 [0036] The shape of the nozzle hole 25 may be a circular hole, as shown in FIG. 9, also a slit (not shown) may be provided one or more in the circumferential direction. そして、案内部材33b内面を伝わってウエハW上に供給される現像液LをウエハW表面に均一に液盛りするには、図11 Then, the uniformly puddle of developer L to the wafer W surface to be supplied onto the wafer W transferred to the guide member 33b inner surface 11
(a)に示すように、現像液供給ノズル20Cをスピンチャック12によって回転可能に保持されるウエハWの回転中心Oから偏心させた位置に配置し、ウエハWを回転しつつ現像液供給ノズル20Cから現像液Lを円周状に連続して供給するか、あるいは、図11(b)に示すように,現像液供給ノズル20CをウエハWの上方に図示しないスキャン機構によって往復移動可能に配設して、回転するウエハWの上方で現像液供給ノズル20C (A), the developing solution supply nozzle 20C is arranged at a position decentered from the rotation center O of the wafer W which is rotatably held by the spin chuck 12, the developing solution supply nozzle 20C while rotating the wafer W provided a developer L or fed continuously circumferentially, or, as shown in FIG. 11 (b), movable back and forth by a scanning mechanism (not shown) developing solution supply nozzle 20C above the wafer W from to the developing solution supply nozzle 20C above the wafer W rotating
を往復移動させつつ現像液供給ノズル20Cから現像液Lを円周状に連続して供給すればよい。 The may be supplied continuously developing solution L circumferentially from the developing solution supply nozzle 20C while reciprocating.

【0037】図12はこの発明における現像液供給ノズルの第5実施例の断面図、図13は図12のXIII−XIII [0037] Figure 12 is a sectional view of a fifth embodiment of the developer supply nozzle according to the present invention, FIG. 13 XIII-XIII in FIG. 12
断面図が示されている。 Sectional view is shown. 第5実施例の現像液供給ノズル20Dは、直線状に配列された複数のノズル孔25から分散されて吐出される現像液Lを直線状に連続してウエハW表面に供給できるようにした別の形態の場合である。 Developer supply nozzle 20D of the fifth embodiment, another was to be supplied to the wafer W surface developer liquid L discharged is distributed from a plurality of nozzle holes 25 which are arranged linearly in succession in a straight line which is a case of form. すなわち、第5実施例の現像液供給ノズル20D That is, the developer supply nozzle 20D of the fifth embodiment
は、上記第1実施例の現像液供給ノズル20と同様に直線状に適宜間隔をおいて配列される複数のノズル孔25 A plurality of nozzle holes 25 are arranged at appropriate intervals in a straight line like the developer supply nozzle 20 of the first embodiment
を設けると共に、これらノズル孔25に連通するスリット状吐出孔36を設けた場合である。 The provided with a case in which the slit-shaped discharge holes 36 communicating with the nozzles holes 25. この場合、具体的には、ノズル孔25の直径は約1〜2mm、スリット状吐出孔36のスリット幅は0.05〜0.5mmに形成されている(図14参照)。 In this case, specifically, the diameter of the nozzle holes 25 to about 1 to 2 mm, the slit width of the slit-shaped discharge holes 36 are formed in the 0.05 to 0.5 mm (see FIG. 14).

【0038】このようにノズル孔25に連通させてスリット状吐出孔36を設けることにより、現像液収容室2 [0038] By thus made to communicate with the nozzle hole 25 is provided a slit-shaped discharge holes 36, the developer accommodating chamber 2
4内の現像液Lは各ノズル孔25によって分散されて吐出された後、スリット状吐出孔36で合流して、直線状に連続してウエハW上に供給される。 After the developing liquid L 4 discharged being dispersed by the nozzle holes 25 and meet at a slit-shaped discharge holes 36, it is supplied onto the wafer W successively in a straight line. したがって、ウエハW表面に液盛りされる現像液L中に気泡が残存することがなく、均一な現像液Lの液盛りを可能とすることができる。 Therefore, no air bubbles in the developing liquid L puddled on the wafer W surface is left, it is possible to enable puddle uniform developer L.

【0039】なおこの場合、図15に示すように、スリット状吐出孔36の開口端に、開口幅約0.3〜0.5 It should be noted in this case, as shown in FIG. 15, the open end of the slit-shaped discharge holes 36, about the opening width 0.3-0.5
mmの拡開部37を設けることによって、スリット状吐出孔36を流れる現像液Lを拡開部37の表面張力によって保持して液溜まりを作ることができるので、現像液Lの連続液膜を更に確実に形成することができる。 By providing mm expanding portion 37 of the so holds the developing liquid L flowing through the slit-shaped discharge holes 36 by the surface tension of the expanding portion 37 can make a sump, a continuous liquid film of the developing solution L it can be more reliably formed.

【0040】なお、第5実施例において、その他の部分は上記第1実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。 [0040] Note that in the fifth embodiment, since other portions are the same as those in the first embodiment, the same portions are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. また、第5実施例において、上記第1実施例と同様に現像液収容室24のノズル孔25の近傍位置に圧力緩衝部材26を配設することも可能であり、これにより現像液Lの液圧の変動を抑制して更に安定した状態で連続液膜を形成することができる。 Further, in the fifth embodiment, the first it is also possible to dispose the pressure buffering member 26 in the vicinity of the nozzle holes 25 of the embodiment similarly to the developer accommodating chamber 24, thereby the liquid developer L it is possible to form a continuous liquid film further stable state by suppressing fluctuation of pressure.

【0041】また、図16に示すように、現像液供給ノズル20の例えばノズル孔25の先端の吐出口25A及びこの周辺において、現像液Lの吐出時に接液する部分25Bに親水性を付与しておいてもよい。 Further, as shown in FIG. 16, the discharge port 25A and the periphery of the tip of the example the nozzle hole 25 of the developer supply nozzle 20, the hydrophilicity is imparted to the portion 25B of the liquid contact during ejection of the developing solution L it may have been. 親水性を付与する具体的な手段としては、例えば、表面に微細な凹凸を多数加工形成したり、マイクロメッシュを表面に被着したり、また、塩化ビニル,ナイロン,セラミックス等の表面が親水性の材料を使用する。 As a specific means for imparting hydrophilicity, for example, to many processed form fine irregularities on the surface, or deposited the micro mesh surface, also vinyl chloride, nylon, the surface of the ceramics hydrophilic to use of the material.

【0042】これにより、現像液例えば水を物理的あるいは化学的に吸着して保持することができるので、図3 [0042] Thus, it is possible to hold the developer such as water physically or chemically adsorbed, 3
のように、現像液供給ノズル20のノズル孔25が多数直線的に長く配列されている場合でも、吐出口25A全部に亘り液溜りLAが形成される。 As the nozzle hole 25 of the developer supply nozzle 20 even if a large number are linearly long sequences, liquid reservoir LA over all discharge port 25A is formed. したがって、現像液LをウエハW表面に供給する際、部分的な液切れ状態は発生せず、空気が気泡としてウエハW表面に残留するのを防止できる。 Therefore, the developer L when applied to the wafer W surface, the partial liquid out state does not occur, the air can be prevented from remaining on the wafer W surface as bubbles.

【0043】次に、上記のように構成される現像処理装置8を用いて、ウエハWの表面の回路パターンの上に現像液を供給する処理方法について、第1実施例の現像液供給ノズル20を代表として説明する。 Next, using the developing apparatus 8 configured as described above, the processing method for supplying a developing solution onto the circuit pattern on the surface of the wafer W, the developer supply in the first embodiment the nozzle 20 It will be described as a representative.

【0044】◎処理方法−I まず、露光装置で露光されたウエハWがウエハ搬送機構11のウエハ搬送アーム10によって現像処理装置8の処理室内に搬入されると、スピンチャック12が上昇してウエハWを受け取って吸着保持した後、下降することによりウエハWが処理カップ13内に配設される。 [0044] ◎ processing method -I First, the wafer W that has been exposed by the exposure apparatus is carried into the treatment chamber of the developing apparatus 8 by the wafer transfer arm 10 of the wafer transfer mechanism 11, the spin chuck 12 is raised wafer after holding suction receives the W, the wafer W is disposed in the processing cup 13 by descending. 次に、移動機構22によって現像液供給ノズル20をウエハWの上方に移動した後、スピンチャック12を上昇(又は現像液供給ノズル20を下降)させてウエハWと現像液供給ノズル20との間を所定の間隔例えば約1m Then, between the developer supply after the nozzle 20 has been moved above the wafer W, elevated spin chuck 12 (or developing solution supply nozzle 20 descends) is not a wafer W developing solution supply nozzle 20 by a moving mechanism 22 a predetermined interval such as about 1m
mとし、そして、ウエハWを静止させた状態で、N 2ガス供給源32からN 2ガスを現像液収容タンク30に所定量加圧して、現像液収容タンク30から現像液供給管29を介して現像液収容室24内に収容されている現像液Lを、少量例えば0.01〜1.0l(リットル)/ and m, and, in a state where the wafer W is held stationary, by applying a predetermined amount is applied from the N 2 gas supply source 32 and N 2 gas in a developer containing tank 30, via the developer supply pipe 29 from the developer storage tank 30 the developer L accommodated in the developer accommodating chamber 24 Te, small amounts e.g. 0.01~1.0L (l) /
minの現像液Lを、例えば0.1〜1.0sec間吐出(供給)すると(図17(a),(b)及び図18参照)、現像液供給ノズル20の直下におけるウエハW表面に現像液Lが直線状に濡られる(第1工程)。 Developing min of the developer L, such 0.1~1.0sec between the discharge (supply) Then (see FIG. 17 (a), (b) and FIG. 18), the wafer W surface immediately below the developer supply nozzle 20 liquid L is get wet linearly (first step).

【0045】次いで、N 2ガスの加圧を高めて現像液供給ノズル20から所定の液膜厚に必要な量例えば1.0 [0045] Then, N amount eg 1.0 required 2 from the developer supply nozzle 20 to increase the pressure of the gas to a predetermined liquid film thickness
〜2.0l(リットル)/minを例えば1.0〜2. ~2.0l (liter) / min, for example, 1.0 to 2.
0secの現像液Lを吐出すると共に、スピンチャック12の駆動によりウエハWと現像液供給ノズル20とを相対移動例えばウエハWを水平状態で回転させると(図17(c),(d)及び図18参照)、ウエハW表面に所定厚(例えば0.5〜3mm)の液膜を形成することができる(第2工程)。 While discharging the developing solution L of 0 sec, rotating the wafer W with the developing solution supply nozzle 20 a relative movement e.g. wafer W in a horizontal state by the drive of the spin chuck 12 (FIG. 17 (c), (d) and FIG. 18 see), it is possible to form a liquid film of a predetermined thickness (e.g. 0.5 to 3 mm) on the wafer W surface (second step).

【0046】上記のように、第1段階で現像液供給ノズル20から少量の現像液Lを吐出して、現像液供給ノズル20の直下部分のウエハW表面を現像液Lで濡らすことにより、ウエハW表面と現像液Lとの親和性(ぬれ性)がよくなり、次の第2段階で所定量の現像液Lを現像液供給ノズル20から吐出してウエハW表面に現像液Lの液膜を形成する際に液膜中に気泡が残存することがなく、液膜を均一に形成することができ、現像むらの発生を防止することができる。 [0046] As described above, by ejecting a small amount of developing solution L from the developer supply nozzle 20 in the first stage, by wetting the surface of the wafer W immediately below the developer supply nozzle 20 with a developing solution L, the wafer affinity between W surface and the developer L (wettability) becomes better, the liquid film of the developing solution L by ejecting a developing solution L in a predetermined amount in the next second step from the developer supply nozzle 20 to the wafer W surface without air bubbles in the liquid film remains in forming the liquid film can be uniformly formed, it is possible to prevent the occurrence of uneven development. したがって、液膜中に残存する気泡によって生じる回路パターンの欠陥(デフェクト)を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to prevent defects (defect) of a circuit pattern caused by air bubbles remaining in the liquid film, it is possible to improve the yield.

【0047】上記のようにして、ウエハWのレジスト膜面(回路パターン)上に所定厚の現像液Lの液膜を形成し所定時間経過した後、現像液供給ノズル20を待機位置21に移動させ(なお、液膜形成後、待機位置21に移動させておいてもよい。)、代わりにリンス機構23 [0047] As described above movement, after forming the liquid film of the developing solution L having a predetermined thickness and predetermined time has elapsed on the wafer W in the resist film surface (circuit pattern), the developer supply nozzle 20 to the standby position 21 , dried (Note that after the liquid film is formed, may have been moved to the standby position 21.), rinsed in place mechanism 23
を駆動させてリンス液供給ノズル23aをウエハW上に移動させ、そして、スピンチャック12の駆動によりウエハWを回転させつつリンス液供給ノズル23aから例えば純水等のリンス液を噴射して、ウエハW表面に残滓する現像液を除去して現像処理が完了する。 The by driving to move the rinse liquid supply nozzle 23a onto the wafer W, and, by spraying a rinse liquid while rotating the wafer W from the rinse liquid supply nozzle 23a for example, pure water or the like by driving the spin chuck 12, the wafer removing the developing solution residue on the W surface development processing is completed.

【0048】◎処理方法−II まず、上記処理方法−Iと同様に、ウエハ搬送機構11 [0048] ◎ processing method -II First, similarly to the processing method -I, wafer transport mechanism 11
のウエハ搬送アーム10によって搬送される露光処理済みのウエハWを、処理カップ13内のスピンチャック1 Of the exposure processing of wafers W carried by the wafer transfer arm 10, the spin chuck 1 in the process cup 13
2上に吸着保持させる。 2 suction to hold onto. 次に、ウエハWの上方に現像液供給ノズル20を移動させると共に、スピンチャック1 Then, moves the developer supply nozzle 20 above the wafer W, the spin chuck 1
2を上昇させてウエハWと現像液供給ノズル20との間隔を約1mmに近接させ、スピンチャック12を駆動してウエハWを回転させると共に、現像液供給ノズル20 2 increases the brought close to about 1mm spacing between the wafer W with the developing solution supply nozzle 20, to rotate the wafer W by driving the spin chuck 12, the developing solution supply nozzle 20
から現像液Lを吐出(供給)して液膜を形成する(第1 The developing solution L discharged (supplied) from forming a liquid film (first
工程)。 Process).

【0049】次に、スピンチャック12を下降させて現像液供給ノズル20をウエハW表面から離しつつウエハW上の液膜に接触しない状態(例えばウエハWと現像液供給ノズル20の間隔を3〜5mmにする)で現像液供給ノズル20から現像液lを吐出して、所定の厚さ(例えば1mm)の液膜を形成する(第2工程)。 Next, the state (e.g., a wafer W is not in contact with the liquid film on the wafer W while releasing the developing solution supply nozzle 20 lowers the spin chuck 12 from the wafer W surface spacing of the developer supply nozzle 20 3 in to 5mm) discharging a developer l from the developer supply nozzle 20 to form a liquid film of a predetermined thickness (e.g., 1 mm) (second step). この場合、第1工程のウエハWと現像液供給ノズル20の近接状態から第2工程の引き離し状態への変換は、 図20に破線ので示すように瞬時に行ってもよく、あるいは、 In this case, the conversion from the proximity state of the wafer W with the developing solution supply nozzle 20 of the first step to pull off state of the second step may be carried out instantaneously as indicated by the broken line of Figure 20, or,
図20に実線ので示すように所定時間後にウエハWと現像液供給ノズル20とを引き離してもよい。 It may pull the wafer W with the developing solution supply nozzle 20 after a predetermined time as shown by the solid line of Figure 20.

【0050】上記のようにして、ウエハWと現像液供給ノズル20とを近接させて現像液Lを供給することにより、ウエハWと現像液Lとの親和性(ぬれ性)を良好にすることができる。 [0050] As described above, by a wafer W is close to the developer supply nozzle 20 to supply the developing liquid L, affinity of the wafer W and the developing solution L (wettability) to improving the can. また、現像液供給ノズル20をウエハW表面から離しつつウエハW上の液膜に接触しない状態で現像液供給ノズル20から現像液Lを供給することにより、現像液供給ノズル20と形成された現像液Lの液膜との接触時間を可及的に少くすることができ、現像液供給ノズル20と現像液Lとの接触により発生するコンタミネーションを防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。 Further, by supplying a developing solution L from the developing solution supply nozzle 20 without contacting the liquid film on the wafer W while releasing the developing solution supply nozzle 20 from the wafer W surface, formed with the developing solution supply nozzle 20 developing it is possible to reduce the contact time of the liquid film of the liquid L as much as possible, with the contamination caused by contact with the developing solution supply nozzle 20 and the developing liquid L can be prevented, to improve the yield be able to.

【0051】上記のようにして、ウエハWのレジスト膜面(回路パターン)上に所定厚の現像液Lの液膜を形成し所定時間経過した後、現像液供給ノズル20を待機位置に移動させ、代わりにリンス機構23を駆動させてリンス液供給ノズル23aをウエハW上に移動させ、そして、スピンチャック12の駆動によりウエハWを回転させつつリンス液供給ノズル23aから例えば純水等のリンス液を噴射して、ウエハW表面に残滓する現像液を除去して現像処理が完了する。 [0051] As described above, after forming the liquid film of the developing solution L having a predetermined thickness and predetermined time has elapsed on the wafer W in the resist film surface (circuit pattern), by moving the developer supply nozzle 20 to the standby position alternatively a rinse mechanism 23 is driven to move the rinse liquid supply nozzle 23a onto the wafer W, and the rinsing liquid while rotating the wafer W from the rinse liquid supply nozzle 23a for example, pure water or the like by driving the spin chuck 12 by injecting, to remove the developing solution residue on the wafer W surface development treatment is completed.

【0052】なお、上記実施例では、被処理体を回転させる場合について説明したが、必しも被処理体を回転するものに限定されるものではなく、処理液供給手段を移動させてもよく、あるいは被処理体と処理液供給手段の双方を移動させて処理液を供給して液膜を形成するようにしてもよい。 [0052] In the above embodiment described the case of rotating the object to be processed, but the invention is not limited to rotating target object servant 必, may move the processing liquid supply means or the processing liquid by moving both may be formed a liquid film by supplying the object to be processed and the processing solution supplying means. また、上記実施例では、この発明の処理装置が半導体ウエハの現像処理装置である場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばLCD基板、セラミック基板などに対して現像処理あるいは現像以外の処理、例えばエッチング処理、洗浄処理などを施すものについても適用できるものである。 Further, in the above embodiment, the processing apparatus of the invention have been described for the case where a developing apparatus of the semiconductor wafer, the object to be processed is not necessarily limited to a semiconductor wafer, for example an LCD substrate, a ceramic substrate to development processing or treatment other than the developing Te, for example, an etching process, and can be applied for those subjected to such cleaning process.

【0053】 [0053]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれば、以下のような効果が得られる。 As described above, according to the present invention, according to the present invention, the following effects can be obtained. 1)請求項1記載の処理方法によれば、処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができるので、被処理体の損傷を少くすることができる。 1) According to the processing method according to claim 1, it is possible to alleviate the physical impact to the surface of the object by the supply of the treatment liquid can be less damage to the workpiece. また、処理液と被処理体との親和性(ぬれ性)を高めて、 Furthermore, to enhance the affinity with the treatment liquid and the object to be processed (the wettability),
処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができるので、気泡の残存による被処理体表面の回路パターン等の欠陥を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。 To prevent the occurrence of bubbles in the liquid film of the process liquid, it is possible to form a uniform liquid film, it is possible to prevent defects of the circuit pattern or the like of the surface of the object due to residual air bubbles, yield it is possible to improve the.

【0054】2)請求項2記載の処理方法によれば、処理液供給手段と処理液との接触を可及的に少くすることができるので、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションの発生を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。 [0054] 2) According to the processing method according to claim 2, wherein, it is possible to reduce the contact with the treatment liquid supply means and the processing liquid as much as possible, contamination due to contact with the treatment liquid supply means and the processing liquid it is possible to prevent the occurrence of Nation, it is possible to improve the yield.

【0055】3)請求項3記載の処理装置によれば、処理液供給手段の処理液収容室に配設された圧力緩衝部材により、処理液供給手段の処理液の液圧の変動を抑制することができると共に、処理液供給手段から被処理体に供給される処理液の物理的衝撃を少くすることができるので、被処理体の損傷を防止することができると共に、 [0055] 3) According to the processing apparatus according to claim 3, the pressure buffering member which the treatment liquid is disposed in the accommodation chamber of the processing solution supply means, suppressing the hydraulic pressure fluctuation of the processing solution of the processing solution supplying means it is possible, since the physical impact of the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply means to an object to be processed can be reduced, it is possible to prevent damage of the object,
歩留まりの向上を図ることができる。 It is possible to improve the yield.

【0056】4)請求項4〜7記載の処理装置によれば、処理液供給手段の処理液供給孔の外部近傍位置に配設された案内部材により、処理液供給手段の処理液供給孔から吐出される処理液を一旦受け止めた後、自由落下により被処理体表面に当てることができるので、物理的衝撃を緩和することができると共に、連続した線状で処理液を供給することができる。 [0056] 4) According to the apparatus of claim 4 to 7, wherein the guiding member disposed outside the vicinity of the process liquid supply hole of the processing solution supplying means, from the processing liquid supply holes of the treatment liquid supply means after receiving the processing liquid ejected once, it is possible to apply to the surface of the object with a free-falling, it is possible to alleviate the physical impact, it is possible to supply the process liquid with continuous linear. したがって、被処理体の損傷を防止することができると共に、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to prevent damage of the object can be uniformly forming a liquid film that bubbles do not remain, it is possible to improve the yield.

【0057】5)請求項8記載の処理装置によれば、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されるので、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。 [0057] 5) According to the processing apparatus according to claim 8, the process liquid supply means, processing solution provided with a plurality of processing liquid supply holes for supplying and dispersing a slit-like communicating with these treatment liquid supply hole by providing the discharge hole, after the treatment liquid is dispersed in the processing liquid supply holes, since it is supplied to the object to be processed becomes continuous linear from the slit-shaped discharge holes, uniformly liquid film bubbles do not remain can be formed, it is possible to improve the yield.

【0058】6)請求項10記載の処理装置によれば、 [0058] 6) According to the processing apparatus according to claim 10, wherein,
処理液供給手段の吐出口及びその周辺の接液する部分に親水性を付与したので、スリット状吐出孔から液切れ状態のない連続した線状となって処理液が被処理体に供給されるので、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。 Having imparted hydrophilicity to the discharge port and portions wetted around the processing liquid supply means, the process liquid is supplied to the workpiece made from the slit-shaped discharge holes running out of the liquid state with no continuous linear since bubbles can be uniformly formed liquid films do not remain, it is possible to improve the yield.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の処理装置を組込んだ半導体ウエハの塗布・現像処理システムの斜視図である。 1 is a perspective view of the coating and developing system of the semiconductor wafer incorporating a processor of the present invention.

【図2】この発明の処理装置の概略平面図である。 2 is a schematic plan view of the treatment apparatus of the present invention.

【図3】この発明における現像液供給ノズルの第1実施例を示す断面図である。 3 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a developing solution supply nozzle in the present invention.

【図4】図3に示す現像液供給ノズルの処理状態を示す断面図である。 4 is a sectional view showing a processing state of the developing solution supply nozzle shown in FIG.

【図5】この発明における第2実施例の現像液供給ノズルの断面図である。 5 is a cross-sectional view of the developer supply nozzle of the second embodiment in the present invention.

【図6】第2実施例の現像液供給ノズルの断面斜視図である。 6 is a cross-sectional perspective view of a developer supply nozzle of the second embodiment.

【図7】この発明における第3実施例の現像液供給ノズルの断面図である。 7 is a cross-sectional view of the developer supply nozzle according to the third embodiment of the present invention.

【図8】第3実施例の現像液供給ノズルの要部斜視図である。 8 is a partial perspective view of the developer supply nozzle according to the third embodiment.

【図9】この発明における第4実施例の現像液供給ノズルの断面図である。 9 is a cross-sectional view of the developer supply nozzle according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】第4実施例の現像液供給ノズルの要部斜視図である。 10 is a partial perspective view of the developing solution supply nozzle in the fourth embodiment.

【図11】第4実施例の現像液供給ノズルの処理状態を説明する概略平面図である。 11 is a schematic plan view for explaining a processing state of the developing solution supply nozzle in the fourth embodiment.

【図12】この発明における現像液供給ノズルの第5実施例の断面図である。 12 is a cross-sectional view of a fifth embodiment of the developing solution supply nozzle in the present invention.

【図13】図12のXIII−XIII断面図である。 13 is a XIII-XIII section view of FIG. 12.

【図14】第5実施例の現像液供給ノズルの要部の拡大断面図である。 14 is an enlarged sectional view of a main portion of the developer supply nozzle of the fifth embodiment.

【図15】第5実施例の現像液供給ノズルの別の形態の要部拡大断面図である。 15 is an enlarged cross-sectional view of another embodiment of the developer supply nozzle of the fifth embodiment.

【図16】この発明における現像液供給ノズルの先端部分の構成を説明する拡大断面図である。 16 is an enlarged cross-sectional view illustrating a configuration of a distal end portion of the developer supply nozzle according to the present invention.

【図17】この発明の処理方法の一例の工程を説明する説明図である。 17 is an explanatory diagram for explaining an example of a step of the processing method of the present invention.

【図18】図17に示す処理方法における処理液の吐出量と時間の関係を示すグラフである。 18 is a graph indicating a discharge amount versus time of the processing solution in the processing method shown in FIG. 17.

【図19】この発明の処理方法の別の例の工程を説明する説明図である。 19 is an explanatory diagram illustrating a process of another example of a processing method of the present invention.

【図20】図19に示す処理方法における現像液供給ノズルとウエハとの間隔と時間との関係を示すグラフである。 20 is a graph showing the relation between the distance and time of the developing solution supply nozzle and the wafer in the processing method shown in FIG. 19.

【図21】処理装置の処理状態を説明する説明図である。 FIG. 21 is an explanatory diagram for explaining a processing state of the processing apparatus.

【図22】従来の処理方法の一例の工程を示す説明図である。 22 is an explanatory diagram showing an example of steps of a conventional processing method.

【図23】従来の処理方法の別の一例の工程を示す説明図である。 23 is an explanatory view showing another example of a process of a conventional processing method.

【図24】従来の現像液供給ノズルの吐出量と時間の関係を示すグラフである。 FIG. 24 is a graph showing a conventional developing solution discharge rate versus time of the supply nozzle.

【図25】従来の現像液供給ノズルによって吐出された現像液の液膜の形成状態を説明する説明図である。 FIG. 25 is an explanatory diagram for explaining a formation state of a conventional discharged by the developing solution supply nozzle developer liquid film.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

20,20A〜20D 現像液供給ノズル(処理液供給手段) 24 現像液収容室(処理液収容室) 25 ノズル孔(処理液供給孔) 25B 接液する部分 26 圧力緩衝部材 33 垂直状の板状案内部材 33a 傾斜状の板状案内部材 33b スカート状の案内部材 36 スリット状吐出孔 37 拡開部 W 半導体ウエハ(被処理体) L 現像液(処理液) 20,20A~20D developer supply nozzle (treatment liquid supplying means) 24 developer accommodating chamber (processing liquid accommodating chamber) 25 nozzle holes (treatment liquid supply hole) 25B wetted parts 26 pressure buffering member 33 vertical plate-like guide members 33a inclined plate-like guide member 33b flared guide member 36 a slit-shaped discharge hole 37 expanding portion W semiconductor wafer (workpiece) L developer (processing solution)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲せき▼本 栄一 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 後藤 一幸 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 松村 公治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 千場 教雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 村上 寛 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor ▲ cough ▼ Eiichi Moto Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Yoshio Kimura Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-cho, Tsu Kure 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Kazuyuki Goto Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Matsumura Oyakechi Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo town make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor WASH Norio Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Hiroshi Murakami Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu 式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 永嶋 慎二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 山口 忠之 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−166716(JP,A) 特開 平5−13320(JP,A) 特開 平5−55133(JP,A) 特開 昭63−211627(JP,A) 特開 平2−265237(JP,A) 特開 昭63−84027(JP,A) 特開 昭62−199018(JP,A) 特開 昭60−243655(JP,A) 特開 平5−234879(JP,A) 特開 昭57−27168(JP,A) 特開 平3−136232(JP,A) 特開 平4−124812(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/027 Formula company Kumamoto workplace (72) inventor Shinji Nagashima Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun, Kikuyo-machi make 2655 address Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto workplace (72) inventor Tadayuki Yamaguchi, Shinjuku-ku, Tokyo Nishi 2-chome third No. 1 Tokyo Electron within Co., Ltd. (56) reference Patent flat 5-166716 (JP, a) JP flat 5-13320 (JP, a) JP flat 5-55133 (JP, a) JP Akira 63-211627 (JP, A) Patent Rights 2-265237 (JP, A) JP Akira 63-84027 (JP, A) JP Akira 62-199018 (JP, A) JP Akira 60-243655 (JP, A) JP open flat 5-234879 (JP, a) JP Akira 57-27168 (JP, a) JP flat 3-136232 (JP, a) JP flat 4-124812 (JP, a) (58) investigated the field ( Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/027

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法において、 静止状態において、上記処理液供給手段から所定量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に液膜を形成する工程と、 上記処理液供給手段から所定の液膜厚に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とする処理方法。 We claim: 1. The opposite the object to be processed and the processing solution supply means are relatively moved, the processing method for processing to form a liquid film of the process liquid supplied from the treatment liquid supply means to the surface of the object, stationary in the state, a step of forming a liquid film to the surface of the object immediately below the small amount of the processing liquid processing solution supplying means supplies the predetermined amount from the treatment liquid supply means, a predetermined liquid film from the treatment liquid supply means supplies the amount of treatment liquid required for the thickness, the processing method characterized by having a processing solution supplying means and the workpiece move relatively to the surface of the object and forming a predetermined thickness of the liquid film .
  2. 【請求項2】 対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法において、 上記処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成する工程と、 上記処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給する工程とを有することを特徴とする処理方法。 2. A and facing the object to be processed and the processing solution supply means are relatively moved, the processing method for processing to form a liquid film of the process liquid supplied from the treatment liquid supply means to the surface of the object, the the treatment liquid supply means is brought close to the surface of the object, the treatment liquid forming a liquid film by supplying the process liquid from the supply means, on the object to be processed while releasing the processing solution supply means from the surface of the object processing method characterized by comprising the step of supplying the processing liquid without contacting the liquid film.
  3. 【請求項3】 被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、 上記処理液供給手段に、上記処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設してなることを特徴とする処理装置。 3. A processing apparatus having a processing solution supplying means having a plurality of processing liquid supply hole for supplying the treatment liquid to the surface of the object to be processed, in the processing solution supply means, processing with the processing solution supply hole forming a liquid containing chamber, in the vicinity of the processing liquid supply hole in the treating solution storage chamber, the process characterized by comprising arranged to suppress the pressure buffering member the hydraulic pressure fluctuation of the processing solution apparatus.
  4. 【請求項4】 被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、 上記複数の処理液供給孔を直列状に複数列配列すると共 4. A processing apparatus having a processing solution supplying means having a plurality of processing liquid supply hole for supplying the processing liquid to the surface of the object, when a plurality of rows arranging the plurality of process liquid supply hole in series form Both
    に、各列の処理液供給孔をそれぞれ先端側が互いに近接 In each adjacent tip side to each other a process liquid supply holes in each row
    する方向へ傾斜させて設け、 上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、 上記複数の It provided to be tilted to the direction of the external vicinity of the plurality of process liquid supply hole, a plurality
    処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。 Processing apparatus characterized by by receiving the processing liquid discharged from the treatment liquid supply hole formed by disposing a guide member for guiding to the surface of the object.
  5. 【請求項5】 複数の処理液供給孔の列間外部近傍位置に、垂直状の板状案内部材を配設してなることを特徴とする請求項4記載の処理装置。 The column between the external vicinity of 5. plurality of process liquid supply hole, the processing apparatus according to claim 4, characterized by being arranged perpendicular plate-like guide member.
  6. 【請求項6】 被処理体の表面に処理液を供給する複数 6. plurality supplying a processing liquid to the surface of the object
    の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理 Process having a process liquid supply means having a processing liquid supply hole
    装置において、 上記複数の処理液供給孔を直列状に列配列し、 上記複数 In the apparatus, and column array of the plurality of process liquid supply hole in a serial manner, said plurality
    処理液供給孔の外部近傍位置に、 上記複数の処理液供 The outside vicinity of the treatment liquid supply holes, the plurality of process liquid supply
    給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に And receiving the process liquid discharged from the sheet holes to the surface of the object
    案内する傾斜状の板状案内部材を配設してなることを JP by comprising arranged inclined plate-like guide member for guiding
    徴とする処理装置。 Processing apparatus according to symptoms.
  7. 【請求項7】 被処理体の表面に処理液を供給する複数 7. plurality supplying a processing liquid to the surface of the object
    の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理 Process having a process liquid supply means having a processing liquid supply hole
    装置において、 上記複数の処理液供給孔を円周方向に配設し、 上記複数 In the device, is disposed a plurality of processing liquid supply hole in a circumferential direction, said plurality
    処理液供給孔の外方近傍位置に、 上記複数の処理液供 Outside the vicinity of the processing liquid supply holes, the plurality of process liquid supply
    給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に And receiving the process liquid discharged from the sheet holes to the surface of the object
    案内するスカート状の案内部材を配設してなることを Japanese that formed by disposing a skirt-shaped guide member for guiding
    徴とする処理装置。 Processing apparatus according to symptoms.
  8. 【請求項8】 被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置において、 上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなることを特徴とする処理装置。 8. The processing apparatus having a processing solution supplying means for supplying a treatment liquid to the surface of the object to be processed, to the treatment liquid supply means is provided with a plurality of processing liquid supply holes for supplying and distributing the processing liquid together, the processing apparatus characterized by comprising a slit-shaped discharge holes communicating with these treatment liquid supply hole.
  9. 【請求項9】 スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成してなることを特徴とする請求項8 9. claims the open end of the slit-like discharge hole, characterized by comprising forming the expanding portion for reservoir treatment solution 8
    記載の処理装置。 Processing device as claimed.
  10. 【請求項10】 被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置において、 上記処理液供給手段に吐出口を設けると共に、この吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与したことを特徴とする処理装置。 10. A processing apparatus having a processing solution supplying means for supplying a treatment liquid to the surface of the object to be processed, provided with a discharge opening to the treatment liquid supply means, the ejection of the processing liquid in the ejection opening and its periphery processing apparatus being characterized in that impart hydrophilicity to a portion of at wetted.
  11. 【請求項11】 親水性を付与する手段として、水を化学的あるいは物理的に吸着して保持することのできる材料を使用していることを特徴とする請求項10記載の処理装置。 11. As a means of imparting hydrophilicity, water chemically or physically adsorbed by the processing apparatus according to claim 10, wherein the using materials capable of holding.
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