JP3116151B2 - 加熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置 - Google Patents
加熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置Info
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- JP3116151B2 JP3116151B2 JP05045444A JP4544493A JP3116151B2 JP 3116151 B2 JP3116151 B2 JP 3116151B2 JP 05045444 A JP05045444 A JP 05045444A JP 4544493 A JP4544493 A JP 4544493A JP 3116151 B2 JP3116151 B2 JP 3116151B2
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- heating furnace
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- coupled plasma
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、試料溶液中の微量不
純物の分析を行う誘導結合プラズマ質量分析装置に関
し、特に微少試料量の分析を行う加熱気化誘導結合プラ
ズマ質量分析装置に関する。
純物の分析を行う誘導結合プラズマ質量分析装置に関
し、特に微少試料量の分析を行う加熱気化誘導結合プラ
ズマ質量分析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術の例を模式図を用いて説明す
る。図2において、1はボンベ、2はレギュレーター、
3は流量制御部、4は加熱炉、6および7は電極、8は
輸送管、9はプラズマトーチ、10はワークコイル、1
1は誘導結合プラズマ、12はサンプリングオリフィ
ス、13は質量分析部である。加熱炉4は上部に試料溶
液を注入するための孔5が開いた円筒状の構造で、電極
6及び7をとおして通電することにより加熱される。キ
ャリアガスはボンベ1中のガスをレギュレーター2によ
り一定の圧力に減圧された後、1から1.5l/min
程度に流量制御部3で制御され、加熱炉4及び輸送管8
を通してプラズマトーチ9に流される。ここでキャリア
ガスは例えばアルゴンガスが使用される。
る。図2において、1はボンベ、2はレギュレーター、
3は流量制御部、4は加熱炉、6および7は電極、8は
輸送管、9はプラズマトーチ、10はワークコイル、1
1は誘導結合プラズマ、12はサンプリングオリフィ
ス、13は質量分析部である。加熱炉4は上部に試料溶
液を注入するための孔5が開いた円筒状の構造で、電極
6及び7をとおして通電することにより加熱される。キ
ャリアガスはボンベ1中のガスをレギュレーター2によ
り一定の圧力に減圧された後、1から1.5l/min
程度に流量制御部3で制御され、加熱炉4及び輸送管8
を通してプラズマトーチ9に流される。ここでキャリア
ガスは例えばアルゴンガスが使用される。
【0003】試料溶液は5から50ml程度加熱炉4に
滴下されて100℃前後で脱溶媒されたのち300から
1000℃で灰化される。測定すべき試料溶液中の不純
物元素は、その後1500から3000℃に加熱されて
原子蒸気化され、キャリアガスとともに輸送管8を通し
てプラズマトーチ9にいたる。プラズマトーチ9の先端
ではワークコイル10により例えば27.12MHzの
高周波が印加されており、キャリアガス及び原子化蒸気
は誘導結合して誘導結合プラズマ11となる。質量分析
部13の誘導結合プラズマ11の軸上にはサンプリング
オリフィスと呼ばれる径1mm程度の孔12が開いてい
る。原子化蒸気は、誘導結合プラズマ11内でイオン化
されてサンプリングオリフィス12を通して質量分析部
13に入り、質量分析されて元素同定あるいは定量され
る。
滴下されて100℃前後で脱溶媒されたのち300から
1000℃で灰化される。測定すべき試料溶液中の不純
物元素は、その後1500から3000℃に加熱されて
原子蒸気化され、キャリアガスとともに輸送管8を通し
てプラズマトーチ9にいたる。プラズマトーチ9の先端
ではワークコイル10により例えば27.12MHzの
高周波が印加されており、キャリアガス及び原子化蒸気
は誘導結合して誘導結合プラズマ11となる。質量分析
部13の誘導結合プラズマ11の軸上にはサンプリング
オリフィスと呼ばれる径1mm程度の孔12が開いてい
る。原子化蒸気は、誘導結合プラズマ11内でイオン化
されてサンプリングオリフィス12を通して質量分析部
13に入り、質量分析されて元素同定あるいは定量され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術では
加熱によって生成された原子蒸気が加熱炉壁に吸着し、
プラズマトーチ9には原子蒸気の一部しか輸送されない
問題があった。このため測定する不純物元素の検出下限
が2桁ppt(pptは、10-12 )程度であり、例え
ば半導体産業で管理されるべき不純物レベルを測定する
には感度不足であった。さらに従来技術では加熱炉壁へ
の吸着量が変動するため定量分析値のバラツキが大きく
信頼性が乏しいという課題があった。
加熱によって生成された原子蒸気が加熱炉壁に吸着し、
プラズマトーチ9には原子蒸気の一部しか輸送されない
問題があった。このため測定する不純物元素の検出下限
が2桁ppt(pptは、10-12 )程度であり、例え
ば半導体産業で管理されるべき不純物レベルを測定する
には感度不足であった。さらに従来技術では加熱炉壁へ
の吸着量が変動するため定量分析値のバラツキが大きく
信頼性が乏しいという課題があった。
【0005】この発明は、加熱気化誘導結合プラズマ質
量分析装置の感度向上及び安定性向上をさせて、従来の
このような課題を解決することを目的としたものであ
る。
量分析装置の感度向上及び安定性向上をさせて、従来の
このような課題を解決することを目的としたものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は試料溶液をグラファイト製の加熱炉に滴
下し、前記加熱炉を高温で加熱することにより前記不純
物を原子蒸気化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャ
リアガスにより誘導結合プラスマを発生するプラスマト
ーチに輸送し、前記誘導結合プラズマにより前記原子蒸
気をイオン化して質量分析部で質量分離して検出する加
熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置において、前記加
熱炉と前記プラスマトーチをむすぶ輸送路内および、前
記加熱炉のキャリアガス供給路に、少なくとも前記加熱
炉の容積の約5倍以上の容積をもったガスだめを、加熱
炉に近接して設置したことにより、感度向上及び安定性
の向上を図れるようにしたものである。
に、この発明は試料溶液をグラファイト製の加熱炉に滴
下し、前記加熱炉を高温で加熱することにより前記不純
物を原子蒸気化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャ
リアガスにより誘導結合プラスマを発生するプラスマト
ーチに輸送し、前記誘導結合プラズマにより前記原子蒸
気をイオン化して質量分析部で質量分離して検出する加
熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置において、前記加
熱炉と前記プラスマトーチをむすぶ輸送路内および、前
記加熱炉のキャリアガス供給路に、少なくとも前記加熱
炉の容積の約5倍以上の容積をもったガスだめを、加熱
炉に近接して設置したことにより、感度向上及び安定性
の向上を図れるようにしたものである。
【0007】
【作用】上記のように構成された加熱気化誘導結合プラ
ズマ質量分析装置においては、加熱炉の加熱によって加
熱炉内のガスが自由に膨張できるので、原子蒸気を含ん
だ加熱炉内のガス圧力が増大しない。このため加熱炉壁
と原子蒸気の相互作用時間が著しく短縮されかつ、原子
蒸気の分圧も低くなり加熱炉壁への吸着量を低減でき
る。さらに、膨張の過程で原子蒸気は急速に冷却され酸
化物分子などに変換されるので、加熱炉壁や輸送管壁と
の相互作用が起こりにくくなり加熱炉壁や輸送管壁への
吸着ロスを低減できる。すなわち、加熱炉壁や輸送管壁
への吸着ロスを減少することにより、プラスマトーチへ
の試料の輸送効率向上させて感度を向上させた。さら
に、吸着ロスの減少は、吸着ロスの絶対量の変動が小さ
いことなので、バラツキがなくて信頼性の高い測定値を
得られるようになった。
ズマ質量分析装置においては、加熱炉の加熱によって加
熱炉内のガスが自由に膨張できるので、原子蒸気を含ん
だ加熱炉内のガス圧力が増大しない。このため加熱炉壁
と原子蒸気の相互作用時間が著しく短縮されかつ、原子
蒸気の分圧も低くなり加熱炉壁への吸着量を低減でき
る。さらに、膨張の過程で原子蒸気は急速に冷却され酸
化物分子などに変換されるので、加熱炉壁や輸送管壁と
の相互作用が起こりにくくなり加熱炉壁や輸送管壁への
吸着ロスを低減できる。すなわち、加熱炉壁や輸送管壁
への吸着ロスを減少することにより、プラスマトーチへ
の試料の輸送効率向上させて感度を向上させた。さら
に、吸着ロスの減少は、吸着ロスの絶対量の変動が小さ
いことなので、バラツキがなくて信頼性の高い測定値を
得られるようになった。
【0008】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図1は本発明の実施例を示す模式図で、ボンベ
1はキャリアガスを貯蔵しする。レギュレーター2は、
ボンベ1のキャリアガスを一定の圧力に減圧するもので
ある。流量制御部3は減圧されたキャリアガスを一定の
流量に制御するものである。流量制御部3により一定の
流量に制御されたキャリアガスは、ガスため14に導入
される。グラファイト製の加熱炉4は横向きに配置され
た円筒形状をしており、試料溶液を加熱し、試料の不純
物を原子化するものである。加熱炉4の上方には試料を
加熱炉4に注入するための孔5が設けられている。加熱
炉4の両端には電極6が配置されており、電極6、6か
ら電力を加熱炉4に供給し、そして加熱炉4は加熱され
る。
明する。図1は本発明の実施例を示す模式図で、ボンベ
1はキャリアガスを貯蔵しする。レギュレーター2は、
ボンベ1のキャリアガスを一定の圧力に減圧するもので
ある。流量制御部3は減圧されたキャリアガスを一定の
流量に制御するものである。流量制御部3により一定の
流量に制御されたキャリアガスは、ガスため14に導入
される。グラファイト製の加熱炉4は横向きに配置され
た円筒形状をしており、試料溶液を加熱し、試料の不純
物を原子化するものである。加熱炉4の上方には試料を
加熱炉4に注入するための孔5が設けられている。加熱
炉4の両端には電極6が配置されており、電極6、6か
ら電力を加熱炉4に供給し、そして加熱炉4は加熱され
る。
【0009】輸送管8は、加熱炉4にて原子化された試
料の不純物を加熱炉4からプラズマトーチ9に輸送する
ものであり、輸送管8と加熱炉4との間にガス溜14が
設けられている。プラズマトーチ9の廻りには、ワーク
コイル10が配置されており、ワークコイル10に高周
波電力を供給することにより、プラズマトーチ9の先端
から排出される試料は、誘導結合プラズマ11になる。
誘導結合プラズマ11においてイオン化した試料の不純
物の一部は、サンプリングオリフィス12を通って、質
量分析部13に到達し、質量分析される。
料の不純物を加熱炉4からプラズマトーチ9に輸送する
ものであり、輸送管8と加熱炉4との間にガス溜14が
設けられている。プラズマトーチ9の廻りには、ワーク
コイル10が配置されており、ワークコイル10に高周
波電力を供給することにより、プラズマトーチ9の先端
から排出される試料は、誘導結合プラズマ11になる。
誘導結合プラズマ11においてイオン化した試料の不純
物の一部は、サンプリングオリフィス12を通って、質
量分析部13に到達し、質量分析される。
【0010】ガスだめ14は、加熱炉4と輸送管8の
間、および流量制御部3と加熱炉4のあいだに設置され
る。ガスだめ14はいずれも加熱炉4に近接させて設置
される必要がある。ガスだめ14の容積はそれぞれ加熱
炉の容積の約5倍以上が適当である。ガスだめ4の容積
を小さくすると吸着ロスを減少させる効果が減少する。
間、および流量制御部3と加熱炉4のあいだに設置され
る。ガスだめ14はいずれも加熱炉4に近接させて設置
される必要がある。ガスだめ14の容積はそれぞれ加熱
炉の容積の約5倍以上が適当である。ガスだめ4の容積
を小さくすると吸着ロスを減少させる効果が減少する。
【0011】次ぎに動作について説明する。試料溶液を
孔5からグラファイト製の加熱炉4に滴下し、前記加熱
炉4を高温で加熱することにより前記不純物を原子蒸気
化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャリアガスによ
り誘導結合プラスマを発生するプラスマトーチ1に輸送
し、前記誘導結合プラズマ11により前記原子蒸気をイ
オン化して質量分析部13で質量分離して検出する。
孔5からグラファイト製の加熱炉4に滴下し、前記加熱
炉4を高温で加熱することにより前記不純物を原子蒸気
化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャリアガスによ
り誘導結合プラスマを発生するプラスマトーチ1に輸送
し、前記誘導結合プラズマ11により前記原子蒸気をイ
オン化して質量分析部13で質量分離して検出する。
【0012】加熱炉4を高温で加熱する過程で加熱炉内
のガスも加熱され、このガスの中に原子蒸気もふくまれ
る。等圧下では約10倍の体積膨張が見込まれ、このと
きガスだめ14が加熱炉の前後に設置されているので加
熱炉内の圧力上昇を起こさず、ガスはガスだめに向かっ
て自由に膨張する。一方、従来構成においては、ガスだ
め14が無いので加熱炉内の圧力が上昇し、ガスの移動
も小さい。このため加熱炉と原子蒸気の接触時間は従来
構成にくらべ10分の1になる。接触時間が短く、か
つ、原子蒸気の分圧も従来構成に比べ小さいので加熱炉
4の壁への吸着量を著しく減少できる。また、膨張によ
ってガスの温度が下がるので原子蒸気は酸化物分子など
の不活性な形態に変化し、加熱炉壁への吸着量の減少に
効果がある。なお、ゆうまでもなくガスだめ14は、電
極6、6の内径でつくる容積を大きくすることによって
機能を兼用することもできる。
のガスも加熱され、このガスの中に原子蒸気もふくまれ
る。等圧下では約10倍の体積膨張が見込まれ、このと
きガスだめ14が加熱炉の前後に設置されているので加
熱炉内の圧力上昇を起こさず、ガスはガスだめに向かっ
て自由に膨張する。一方、従来構成においては、ガスだ
め14が無いので加熱炉内の圧力が上昇し、ガスの移動
も小さい。このため加熱炉と原子蒸気の接触時間は従来
構成にくらべ10分の1になる。接触時間が短く、か
つ、原子蒸気の分圧も従来構成に比べ小さいので加熱炉
4の壁への吸着量を著しく減少できる。また、膨張によ
ってガスの温度が下がるので原子蒸気は酸化物分子など
の不活性な形態に変化し、加熱炉壁への吸着量の減少に
効果がある。なお、ゆうまでもなくガスだめ14は、電
極6、6の内径でつくる容積を大きくすることによって
機能を兼用することもできる。
【0013】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように試料溶
液をグラファイト製の加熱炉に滴下し、前記加熱炉を高
温で加熱することにより試料溶液中の不純物元素を不純
物を原子蒸気化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャ
リアガスにより誘導結合プラズマを発生するプラスマト
ーチに輸送し、前記誘導結合プラズマにより前記原子蒸
気をイオン化して質量分析部で質量分離して検出する加
熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置において、前記加
熱炉と前記プラスマトーチをむすぶ輸送路内および、前
記加熱炉のキャリアガス供給路に、少なくとも前記加熱
炉の容積の約5倍以上の容積をもったガスだめを、加熱
炉に近接して設置したことを特徴とした構成なので、加
熱炉壁への吸着量を著しく減少でき、感度を1桁向上さ
せ、しかも吸着ロス量の絶対量がへるので、吸着ロス量
の変動の割合は小さくなり、その結果安定した測定値を
得ることができる効果がある。
液をグラファイト製の加熱炉に滴下し、前記加熱炉を高
温で加熱することにより試料溶液中の不純物元素を不純
物を原子蒸気化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャ
リアガスにより誘導結合プラズマを発生するプラスマト
ーチに輸送し、前記誘導結合プラズマにより前記原子蒸
気をイオン化して質量分析部で質量分離して検出する加
熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置において、前記加
熱炉と前記プラスマトーチをむすぶ輸送路内および、前
記加熱炉のキャリアガス供給路に、少なくとも前記加熱
炉の容積の約5倍以上の容積をもったガスだめを、加熱
炉に近接して設置したことを特徴とした構成なので、加
熱炉壁への吸着量を著しく減少でき、感度を1桁向上さ
せ、しかも吸着ロス量の絶対量がへるので、吸着ロス量
の変動の割合は小さくなり、その結果安定した測定値を
得ることができる効果がある。
【図1】本発明の実施例を示した概略模式図である。
【図2】従来技術を示す概略模式図である。
1 ボンベ 2 レギュレーター 3 流量制御部 4 加熱炉 5 孔 6 電極 8 輸送管 9 プラズマトーチ 10 ワークコイル 11 誘導結合プラズマ 12 サンプリングオリフィス 13 質量分析部 14 ガスだめ
Claims (2)
- 【請求項1】 試料溶液をグラファイト製の加熱炉に滴
下し、前記加熱炉を高温で加熱することにより不純物を
原子蒸気化し、前記原子蒸気を流量制御されたキャリア
ガスにより誘導結合プラズマを発生するプラズマトーチ
に輸送し、前記誘導結合プラズマにより前記原子蒸気を
イオン化して質量分析部で質量分離して検出する加熱気
化誘導結合プラズマ質量分析装置において、 前記加熱炉と前記プラズマトーチを結ぶ輸送路内、及び
前記加熱炉のキャリアガス供給路に加熱炉に近接してガ
スだめを設けており、当該 ガスだめの各容積は、少なくとも前記加熱炉の容積
の約5倍以上であることを特徴とする、加熱気化誘導結
合プラズマ質量分析装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の加熱気化誘導結合プラズ
マ質量分析装置であって、 前記加熱炉の両端に、該加熱炉へ電力を供給する電極が
設けられており、 前記ガスだめは、その一部、又は全部を、該電極の内径
で形成されていることを特徴とする加熱気化誘導結合プ
ラズマ質量分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05045444A JP3116151B2 (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 加熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05045444A JP3116151B2 (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 加熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06260134A JPH06260134A (ja) | 1994-09-16 |
JP3116151B2 true JP3116151B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=12719507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05045444A Expired - Fee Related JP3116151B2 (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | 加熱気化誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3116151B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1891407A4 (en) * | 2005-06-17 | 2009-09-23 | Perkinelmer Inc | ACCELERATION DEVICES AND METHODS OF USE THEREOF |
US7742167B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-06-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Optical emission device with boost device |
CA2796819C (en) | 2010-05-05 | 2018-08-21 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
AU2011248179B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-10-02 | Perkinelmer U.S. Llc | Inductive devices and low flow plasmas using them |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP05045444A patent/JP3116151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06260134A (ja) | 1994-09-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |