JP3114380B2 - Ｓｅ化合物中の窒素の定量分析方法 - Google Patents
Ｓｅ化合物中の窒素の定量分析方法Info
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- JP3114380B2 JP3114380B2 JP04218391A JP21839192A JP3114380B2 JP 3114380 B2 JP3114380 B2 JP 3114380B2 JP 04218391 A JP04218391 A JP 04218391A JP 21839192 A JP21839192 A JP 21839192A JP 3114380 B2 JP3114380 B2 JP 3114380B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明方法は、二次イオン質量分
析を用いＺｎＳｅ膜等のＳｅ化合物中の低濃度の窒素
（Ｎ）を深さ方向定量分析するための分析方法に関す
る。
析を用いＺｎＳｅ膜等のＳｅ化合物中の低濃度の窒素
（Ｎ）を深さ方向定量分析するための分析方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＳｅは青色半導体レーザー用材料
（３００Ｋにおける波長が４００〜５５０ｎｍ）として
使用されているザーズ族化合物で、近年研究開発が著し
い。このＺｎＳｅを用いたレーザーのＰ型ドーパントと
しては、Ｌｉ，Ｏ、Ｎ等が、Ｎ型ドーパントとしてはＣ
ｌ，Ｇａが用いられている。これらのドーパント濃度や
ＰＮ接合を評価する方法として、フォトルミネッセンス
法や二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏ
ｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＳＩＭＳ）
が用いられている。
（３００Ｋにおける波長が４００〜５５０ｎｍ）として
使用されているザーズ族化合物で、近年研究開発が著し
い。このＺｎＳｅを用いたレーザーのＰ型ドーパントと
しては、Ｌｉ，Ｏ、Ｎ等が、Ｎ型ドーパントとしてはＣ
ｌ，Ｇａが用いられている。これらのドーパント濃度や
ＰＮ接合を評価する方法として、フォトルミネッセンス
法や二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏ
ｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＳＩＭＳ）
が用いられている。
【０００３】ＳＩＭＳは固体材料中の微量不純物を最も
高感度に分析できる方法として従来から、半導体をはじ
めとする種々の電子材料や上記ザーズ族化合物の評価に
多用されている方法である。この方法は水素を含む全元
素の深さ方向分析ができる有効な方法であるが、元素間
や材料によって二次イオン化率が大きく異なり、感度差
の著しいことが欠点である。特にNは元素の中でもイオ
ン化率が極めて低いために高感度分析が難しい。一般的
にＮを高感度分析する方法として、一次イオンにＣｓ+
を用い、二次イオンとしてマトリックスイオンとＮが結
合した分子イオンが用いられている。Ｓｉ中のＮを分析
する場合は、ＳｉＮ-イオンを測定する方法が最も高感
度に分析できる。
高感度に分析できる方法として従来から、半導体をはじ
めとする種々の電子材料や上記ザーズ族化合物の評価に
多用されている方法である。この方法は水素を含む全元
素の深さ方向分析ができる有効な方法であるが、元素間
や材料によって二次イオン化率が大きく異なり、感度差
の著しいことが欠点である。特にNは元素の中でもイオ
ン化率が極めて低いために高感度分析が難しい。一般的
にＮを高感度分析する方法として、一次イオンにＣｓ+
を用い、二次イオンとしてマトリックスイオンとＮが結
合した分子イオンが用いられている。Ｓｉ中のＮを分析
する場合は、ＳｉＮ-イオンを測定する方法が最も高感
度に分析できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＺｎＳｅ膜中のＮを分
析する場合は、Ｓｉの場合と同様に一次イオンとしてＣ
ｓ+を用い、二次イオンとしてマトリックスイオンとＮ
結合した分子イオンＳｅＮ-を用いると最も高感度分析
が可能となる。しかし、本発明者らは、ＺｎＳｅ膜中の
Ｎの分析を検討しているうちに、以下のことを見いだし
た。
析する場合は、Ｓｉの場合と同様に一次イオンとしてＣ
ｓ+を用い、二次イオンとしてマトリックスイオンとＮ
結合した分子イオンＳｅＮ-を用いると最も高感度分析
が可能となる。しかし、本発明者らは、ＺｎＳｅ膜中の
Ｎの分析を検討しているうちに、以下のことを見いだし
た。
【０００５】Ｎの質量が１４，１５でさらにＳｅには、
質量が７４，７６，７７，７８，８０，８２と同位体が
多く存在するため、その分子イオンであるＳｅＮ-は質
量８８〜９７範囲に広く分布することになる。一方、Ｓ
ｅＣ-，ＳｅＯ-の質量が８６〜１０１の範囲で介在する
ため、すべてのＳｅＮ-の質量にＳｅＣ-，ＳｅＯ-の質
量が重なることになる。このため、ＺｎＳｅ膜中およ
び、界面に存在する炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）により質量
干渉を受けて、Ｎのプロファイルを正確に測定すること
が困難で、かつ測定精度の低下や検出下限が高くなるこ
とにより、低濃度レベルの評価を困難にしているのが現
状である。表１に代表的なＳｅＮ-についての質量分解
能（Ｍ／ΔＭ）を示す。
質量が７４，７６，７７，７８，８０，８２と同位体が
多く存在するため、その分子イオンであるＳｅＮ-は質
量８８〜９７範囲に広く分布することになる。一方、Ｓ
ｅＣ-，ＳｅＯ-の質量が８６〜１０１の範囲で介在する
ため、すべてのＳｅＮ-の質量にＳｅＣ-，ＳｅＯ-の質
量が重なることになる。このため、ＺｎＳｅ膜中およ
び、界面に存在する炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）により質量
干渉を受けて、Ｎのプロファイルを正確に測定すること
が困難で、かつ測定精度の低下や検出下限が高くなるこ
とにより、低濃度レベルの評価を困難にしているのが現
状である。表１に代表的なＳｅＮ-についての質量分解
能（Ｍ／ΔＭ）を示す。
【０００６】
【表１】 Ｍ／ΔＭ値が大きくなるほど質量分離が困難であること
を示す。一般的な二重収束型ＳＩＭＳ装置で得られる最
高質量分解能はＭ／ΔＭ〜１００００程度であること、
また、質量分析の原理上、分解能の上昇とともに得られ
る二次イオン強度が低下することを考慮すると、ＳｅＮ
-によるＮ分析には限界がある。図５にＳｅＮ-を用いて
測定したＺｎＳｅ膜中にＮをイオン注入した標準試料
（注入エネルギー：４０ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１
６ｉｏｎｓ／cm2）のデプスプロファイルを示す。この
結果、ＳｅＮ-によって得られている検出下限は〜８Ｅ
１７ａｔｏｍｓ／ccである。
を示す。一般的な二重収束型ＳＩＭＳ装置で得られる最
高質量分解能はＭ／ΔＭ〜１００００程度であること、
また、質量分析の原理上、分解能の上昇とともに得られ
る二次イオン強度が低下することを考慮すると、ＳｅＮ
-によるＮ分析には限界がある。図５にＳｅＮ-を用いて
測定したＺｎＳｅ膜中にＮをイオン注入した標準試料
（注入エネルギー：４０ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１
６ｉｏｎｓ／cm2）のデプスプロファイルを示す。この
結果、ＳｅＮ-によって得られている検出下限は〜８Ｅ
１７ａｔｏｍｓ／ccである。
【０００７】さらに、青色ダイオードや青色レーザーに
用いられるＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料を作製する場合、
膜中にドープするＮ量を過剰にすると不活性センターが
発生し、Ｐ型の伝導性が得られない。図２にドープした
Ｎ量と得られるフォトルミ強度との関係を示すが、不活
性センターを抑制するためにはＮドープ量としては＜３
Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ccと低濃度にする必要がある。（大
川和宏：“分子線エピタキシー法により成長した不純物
添加ＺｎＳｅ薄膜のフォトルミネッセンス特性と電気特
性に関する研究”，（１９９１））したがって、従来ま
でのＳｅＮ-を検出する方法では、青色ダイオード，青
色レーザーのＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料の評価には不十
分である。さらに、Ｏについては、Ｎと同様にＰ型ドー
パントになりうるので、ＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料の評
価をおこなう上でＮとＯの分離は必要不可欠になる。
用いられるＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料を作製する場合、
膜中にドープするＮ量を過剰にすると不活性センターが
発生し、Ｐ型の伝導性が得られない。図２にドープした
Ｎ量と得られるフォトルミ強度との関係を示すが、不活
性センターを抑制するためにはＮドープ量としては＜３
Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ccと低濃度にする必要がある。（大
川和宏：“分子線エピタキシー法により成長した不純物
添加ＺｎＳｅ薄膜のフォトルミネッセンス特性と電気特
性に関する研究”，（１９９１））したがって、従来ま
でのＳｅＮ-を検出する方法では、青色ダイオード，青
色レーザーのＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料の評価には不十
分である。さらに、Ｏについては、Ｎと同様にＰ型ドー
パントになりうるので、ＮドープＰ型ＺｎＳｅ試料の評
価をおこなう上でＮとＯの分離は必要不可欠になる。
【０００８】この発明はＯの干渉のないＮのみの二次イ
オンを解析でき、しかも、従来得られている検出下限を
さらに下げることを目的とする。
オンを解析でき、しかも、従来得られている検出下限を
さらに下げることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ＺｎＳｅ膜等のＳｅ化合
物中のＮの測定方法として、本発明はＣｓＮ+に着目し
たもので、一次イオンとしてＣｓ+を用い、二次イオン
としてＣｓＮ+として147（133Ｃｓ＋14Ｎ）+を用いる。
物中のＮの測定方法として、本発明はＣｓＮ+に着目し
たもので、一次イオンとしてＣｓ+を用い、二次イオン
としてＣｓＮ+として147（133Ｃｓ＋14Ｎ）+を用いる。
【００１０】
【作用】ＣｓＮ+の場合は、感度はＳｅＮ-に比較して悪
いが、Ｃ，Ｏ等による質量干渉はなく、Ｎを単独に解析
できる可能性をもつ。しかし、質量１４７のＣｓＮ+の
場合にもマトリックス成分であるＺｎ．Ｓｅに147（Ｚ
ｎ＋Ｓｅ）+が存在するため質量干渉が起こる。その質
量分解能（Ｍ／ΔＭ）を表２に示す。
いが、Ｃ，Ｏ等による質量干渉はなく、Ｎを単独に解析
できる可能性をもつ。しかし、質量１４７のＣｓＮ+の
場合にもマトリックス成分であるＺｎ．Ｓｅに147（Ｚ
ｎ＋Ｓｅ）+が存在するため質量干渉が起こる。その質
量分解能（Ｍ／ΔＭ）を表２に示す。
【００１１】
【表２】 通常、二重収束型ＳＩＭＳ装置でＣｓＮ+を測定する場
合の質量分析能はＭ／ΔＭ〜７００程度であるが、表２
より、ＺｎＳｅ+とＣｓＮ+を分離するために必要な質量
分解能はＭ／ΔＭ〜２３００あり、また、一般的な二重
収束型ＳＩＭＳ装置で得られる最高質量分解能は〜１０
０００程度であることから分離可能であることがわか
る。
合の質量分析能はＭ／ΔＭ〜７００程度であるが、表２
より、ＺｎＳｅ+とＣｓＮ+を分離するために必要な質量
分解能はＭ／ΔＭ〜２３００あり、また、一般的な二重
収束型ＳＩＭＳ装置で得られる最高質量分解能は〜１０
０００程度であることから分離可能であることがわか
る。
【００１２】超高真空分析室内における残留ガスは主
に、Ｈ2Ｏ、ハイドロカーボンであること、また、測定
時におけるバックグランドは主に真空分析室内からの吸
着が原因であることを考慮すると、Ｏの質量干渉のある
ＳｅＮ-より、ＣｓＮ+の方が有効であると考えられる。
さらに、ＣｓＮ+を用いることにより、上記したように
検出下限向上と、深さ方向分解能向上が得られる。
に、Ｈ2Ｏ、ハイドロカーボンであること、また、測定
時におけるバックグランドは主に真空分析室内からの吸
着が原因であることを考慮すると、Ｏの質量干渉のある
ＳｅＮ-より、ＣｓＮ+の方が有効であると考えられる。
さらに、ＣｓＮ+を用いることにより、上記したように
検出下限向上と、深さ方向分解能向上が得られる。
【００１３】
【実施例】図３に（Ｚｎ＋Ｓｅ）+とＣｓＮ+のマススペ
クトルを示す。質量分解能Ｍ／ΔＭ〜２５００で高分解
能測定をおこなったものである。完全に（Ｚｎ＋Ｓｅ）
+とＣｓＮ+のピークが分離できているのがわかる。検出
下限を調べるために、ＺｎＳｅ中にＮをイオン注入した
標準試料を測定した結果を図１に示す。一次イオンとし
てＣｓ+をＺｎＳｅ膜に入射させ、発生する二次イオ
ン、ＣｓＮ+を質量高分解能Ｍ／ΔＭ〜２５００で高分
解能測定をおこなったプロファイルである。イオン注入
条件は注入エネルギー１００ｋｅＶ，注入ドーズ量１Ｅ
１５ｉｏｎｓ／cm2である。検出下限として〜３Ｅ１６
ａｔｏｍｓ／ccが得られており、ＳｅＮ-で得られた検
出下限〜８Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ccよりも約１．５ケタ検
出下限が向上しているのがわかる。さらに、検出下限を
向上させる目的で一次イオン電流量を上げた条件におい
て、〜５Ｅ１５ａｔｏｍｓ／ccが得られた。この結果
は、ＳｅＮ-に比較して約２．５ケタ向上している。
クトルを示す。質量分解能Ｍ／ΔＭ〜２５００で高分解
能測定をおこなったものである。完全に（Ｚｎ＋Ｓｅ）
+とＣｓＮ+のピークが分離できているのがわかる。検出
下限を調べるために、ＺｎＳｅ中にＮをイオン注入した
標準試料を測定した結果を図１に示す。一次イオンとし
てＣｓ+をＺｎＳｅ膜に入射させ、発生する二次イオ
ン、ＣｓＮ+を質量高分解能Ｍ／ΔＭ〜２５００で高分
解能測定をおこなったプロファイルである。イオン注入
条件は注入エネルギー１００ｋｅＶ，注入ドーズ量１Ｅ
１５ｉｏｎｓ／cm2である。検出下限として〜３Ｅ１６
ａｔｏｍｓ／ccが得られており、ＳｅＮ-で得られた検
出下限〜８Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ccよりも約１．５ケタ検
出下限が向上しているのがわかる。さらに、検出下限を
向上させる目的で一次イオン電流量を上げた条件におい
て、〜５Ｅ１５ａｔｏｍｓ／ccが得られた。この結果
は、ＳｅＮ-に比較して約２．５ケタ向上している。
【００１４】次に、実際の試料を解析した実施例を示
す。図４に試料構成図を示す。試料は青色レーザーのＰ
型層として用いられているＮドープＰ型試料で、ＧａＡ
ｓ基板１上にＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いノンドープＺｎＳｅ膜２を
１．２μｍ作製した。そのＺｎＳｅ膜２上にラジカルド
ープ法を用いＮドープＺｎＳｅ層３（３．２μｍ）を作
製したである。図４に示すが、試料に一次イオン（Ｃｓ
+）を入射させると、ＣｓＮ+，Ｎ+，ＳｅＮ-等の二次イ
オンが発生する。ＳＩＭＳは発生した二次イオンを質量
分析することにより深さ方向の元素分析をおこなう方法
である。まず、図４試料中のＮを、一次イオンにＣｓ+
を用い、二次イオンＳｅＮ-で測定した結果を図６に示
す。ＳｅＮ-を用い測定する場合、一次イオンＣｓ+の衝
撃エネルギーは測定条件上１４．５ｋｅＶとなる。また
Ｎとして高感度に分析するために同位体比率の高い94Ｓ
ｅＮ-を用いる。しかし、この質量にはＳｅＯ-が重なっ
てしまう。Ｏの影響を見るために、98ＳｅＯ-を同時に
モニタしているが、ＳｅＮ-のプロファイルと、ＳｅＯ-
のプロファイルを比較することにより、一定程度Ｎの評
価は可能であることがわかる。しかし、ＺｎＳｅ／Ｇａ
Ａｓ界面のようにＯが高濃度存在するところでは、94Ｓ
ｅＮ-のプロファイルや定量値が明らかにＳｅＯ-影響を
受けており、得られた結果を不明瞭なものにしている。
一方、図７に同じ上記図４試料に本発明のごとく、一次
イオンにＣｓ+を用い二次イオンＣｓＮ+で測定した結果
を示す。質量高分解能モードであるため、質量分析計の
安定上、１元素のみの測定になってしまうが、２ケタの
ダイナミックレンジが得られている。ＣｓＮ+を用い測
定する場合の一次イオンＣｓ+の衝撃エネルギーは測定
条件上５．５ｋｅＶとなる。わずかではあるが、Ｎドー
プＺｎＳｅ−ノンドープＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面に見ら
れるＮも検出されているのがわかる。ＣｓＮ+によって
求められたＮの定量値とＳｅＮ-によって求められた定
量値を比較するとＳｅＮ-の方が、約２倍程度高い結果
となっている。これは、Ｓｅｎ-にＳｅＯ-，ＳｅＣ-の
シグナルが重なって定量されているためと考えられる。
したがって、ＣｓＮ+を用いることによりＯ，Ｃの影響
が少なくなるため、定量の正確さの上昇がはかれる。
す。図４に試料構成図を示す。試料は青色レーザーのＰ
型層として用いられているＮドープＰ型試料で、ＧａＡ
ｓ基板１上にＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いノンドープＺｎＳｅ膜２を
１．２μｍ作製した。そのＺｎＳｅ膜２上にラジカルド
ープ法を用いＮドープＺｎＳｅ層３（３．２μｍ）を作
製したである。図４に示すが、試料に一次イオン（Ｃｓ
+）を入射させると、ＣｓＮ+，Ｎ+，ＳｅＮ-等の二次イ
オンが発生する。ＳＩＭＳは発生した二次イオンを質量
分析することにより深さ方向の元素分析をおこなう方法
である。まず、図４試料中のＮを、一次イオンにＣｓ+
を用い、二次イオンＳｅＮ-で測定した結果を図６に示
す。ＳｅＮ-を用い測定する場合、一次イオンＣｓ+の衝
撃エネルギーは測定条件上１４．５ｋｅＶとなる。また
Ｎとして高感度に分析するために同位体比率の高い94Ｓ
ｅＮ-を用いる。しかし、この質量にはＳｅＯ-が重なっ
てしまう。Ｏの影響を見るために、98ＳｅＯ-を同時に
モニタしているが、ＳｅＮ-のプロファイルと、ＳｅＯ-
のプロファイルを比較することにより、一定程度Ｎの評
価は可能であることがわかる。しかし、ＺｎＳｅ／Ｇａ
Ａｓ界面のようにＯが高濃度存在するところでは、94Ｓ
ｅＮ-のプロファイルや定量値が明らかにＳｅＯ-影響を
受けており、得られた結果を不明瞭なものにしている。
一方、図７に同じ上記図４試料に本発明のごとく、一次
イオンにＣｓ+を用い二次イオンＣｓＮ+で測定した結果
を示す。質量高分解能モードであるため、質量分析計の
安定上、１元素のみの測定になってしまうが、２ケタの
ダイナミックレンジが得られている。ＣｓＮ+を用い測
定する場合の一次イオンＣｓ+の衝撃エネルギーは測定
条件上５．５ｋｅＶとなる。わずかではあるが、Ｎドー
プＺｎＳｅ−ノンドープＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面に見ら
れるＮも検出されているのがわかる。ＣｓＮ+によって
求められたＮの定量値とＳｅＮ-によって求められた定
量値を比較するとＳｅＮ-の方が、約２倍程度高い結果
となっている。これは、Ｓｅｎ-にＳｅＯ-，ＳｅＣ-の
シグナルが重なって定量されているためと考えられる。
したがって、ＣｓＮ+を用いることによりＯ，Ｃの影響
が少なくなるため、定量の正確さの上昇がはかれる。
【００１５】このように本発明による方法は、Ｎをドー
パントに用いた青色ダイオード，青色レーザー等の評価
に有効な方法である。
パントに用いた青色ダイオード，青色レーザー等の評価
に有効な方法である。
【００１６】また、ＳＩＭＳは不純物の深さ方向分析を
高感度におこなえることから、界面における不純物の拡
散についての情報も得られる方法である。しかし、ＳＩ
ＭＳは原理的にスパッタリングを用いた方法であるの
で、試料の表面凹凸や、一次イオンによるノックオンの
効果、スパッタにより誘起される凹凸により、深さ方向
分解能が悪くなる。これらの影響は、基本的に逃れるこ
とはできない。ＳｅＮ-を用いた測定の場合、一次イオ
ン衝撃エネルギーは通常１４．５ｋｅＶで、ＣｓＮ+を
用いた場合の一次イオン衝撃エネルギーは５．５ｋｅＶ
である。それぞれの条件における試料４のスパッタ後の
表面を走査型電子顕微鏡で観察した結果を示す。図８
が、ＣｓＮ+によるスパッタ後の表面で、深さは６．０
μｍ，図９が、ＳｅＮ-によるスパッタ後の表面で、深
さは５．３μｍである。明らかにＳｅＮ-測定の方がス
パッタによる表面凹凸が激しく、そのために深さ方向の
分解能が低下してしまう。この原因は明かではないが、
一次イオン衝撃エネルギーがスパッタに伴う結晶表面の
凹凸の成長に影響を与えていると推測される。
高感度におこなえることから、界面における不純物の拡
散についての情報も得られる方法である。しかし、ＳＩ
ＭＳは原理的にスパッタリングを用いた方法であるの
で、試料の表面凹凸や、一次イオンによるノックオンの
効果、スパッタにより誘起される凹凸により、深さ方向
分解能が悪くなる。これらの影響は、基本的に逃れるこ
とはできない。ＳｅＮ-を用いた測定の場合、一次イオ
ン衝撃エネルギーは通常１４．５ｋｅＶで、ＣｓＮ+を
用いた場合の一次イオン衝撃エネルギーは５．５ｋｅＶ
である。それぞれの条件における試料４のスパッタ後の
表面を走査型電子顕微鏡で観察した結果を示す。図８
が、ＣｓＮ+によるスパッタ後の表面で、深さは６．０
μｍ，図９が、ＳｅＮ-によるスパッタ後の表面で、深
さは５．３μｍである。明らかにＳｅＮ-測定の方がス
パッタによる表面凹凸が激しく、そのために深さ方向の
分解能が低下してしまう。この原因は明かではないが、
一次イオン衝撃エネルギーがスパッタに伴う結晶表面の
凹凸の成長に影響を与えていると推測される。
【００１７】
【発明の効果】この発明により、ＺｎＳｅ膜中の低濃度
Ｎの分析が可能となり、青色ダイオード，青色レーザー
のＰＮ接合の解析が可能となった。この方法はＺｎＳｅ
試料だけでなく、広くＳｅ化合物に応用できる方法であ
る。また、一般的にＮ分析法として利用できる方法であ
る。
Ｎの分析が可能となり、青色ダイオード，青色レーザー
のＰＮ接合の解析が可能となった。この方法はＺｎＳｅ
試料だけでなく、広くＳｅ化合物に応用できる方法であ
る。また、一般的にＮ分析法として利用できる方法であ
る。
【００１８】さらに、ＣｓＮ+を用いると一次イオンの
スパッタリングによる表面凹凸の成長が抑えられるた
め、深さ方向分解能が向上し、界面における不純物の拡
散状態の評価が高精度におこなうことができる。
スパッタリングによる表面凹凸の成長が抑えられるた
め、深さ方向分解能が向上し、界面における不純物の拡
散状態の評価が高精度におこなうことができる。
【図１】ＺｎＳｅ膜中にＮを注入した標準試料（注入エ
ネルギー：１００ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１５ｉｏ
ｎｓ／cm2）のＣｓＮ+を用い測定したデプスプロファイ
ル
ネルギー：１００ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１５ｉｏ
ｎｓ／cm2）のＣｓＮ+を用い測定したデプスプロファイ
ル
【図２】ドープしたＮ量と得られるキャリア濃度との関
係図
係図
【図３】ＺｎＳｅ+とＣｓＮ+のマススペクトル
【図４】ＮドープＰ型ＺｎＳｅ（３．２μｍ）／ノンド
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基本試料の構成
図
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基本試料の構成
図
【図５】ＺｎＳｅ膜中にＮを注入した標準試料（注入エ
ネルギー：４０ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１６ｉｏｎ
ｓ／cm2）のＳｅＮ-を用い測定したデプスプロファイル
ネルギー：４０ｋｅＶ，注入ドーズ量：１Ｅ１６ｉｏｎ
ｓ／cm2）のＳｅＮ-を用い測定したデプスプロファイル
【図６】ＮドープＰ型ＺｎＳｅ（３．２μｍ）／ノンド
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基板試料のＳｅ
Ｎ-を用いて測定したデプスプロファイル
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基板試料のＳｅ
Ｎ-を用いて測定したデプスプロファイル
【図７】ＮドープＰ型ＺｎＳｅ（３．２μｍ）／ノンド
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基板試料のＣｓ
Ｎ+を用いて測定したデプスプロファイル
ープＺｎＳｅ（１．２μｍ）／ＧａＡｓ基板試料のＣｓ
Ｎ+を用いて測定したデプスプロファイル
【図８】ＣｓＮ+によるスパッタ後ＺｎＳｅ試料結晶表
面の走査型電子顕微鏡写真（深さ：６．０μｍ）
面の走査型電子顕微鏡写真（深さ：６．０μｍ）
【図９】ＳｅＮ-によるスパッタ後ＺｎＳｅ試料結晶表
面の走査型電子顕微鏡写真（深さ：５．３μｍ）
面の走査型電子顕微鏡写真（深さ：５．３μｍ）
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＺｎＳｅ（１．２μｍ）（ノンドープ） ３ Ｐ型ＺｎＳｅ（３．２μｍ）（Ｎドープ）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−223549（ＪＰ，Ａ) 特公 平１−26021（ＪＰ，Ｂ２) 鈴木麻里、吉岡芳明、「ＳＩＭＳによ る微量元素の定量分析について」、地質 ニュース，（1992年２月１日発行），Ｎ ｏ．450，ｐ28−35 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 23/225 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 二次イオン質量分析法によってＳｅ化合
物中の窒素の定量分析をおこなうに際し、一次イオンと
してＣｓ+を前記化合物に入射させ、前記化合物から発
生する二次イオンのＣｓＮ+を質量高分解能法を用いて
検出することを特徴とするＳｅ化合物中の窒素の定量分
析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04218391A JP3114380B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｓｅ化合物中の窒素の定量分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04218391A JP3114380B2 (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｓｅ化合物中の窒素の定量分析方法 |
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| JP5225207B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-07-03 | 住友金属テクノロジー株式会社 | 金属試料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置 |
-
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- 1992-07-23 JP JP04218391A patent/JP3114380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| 鈴木麻里、吉岡芳明、「ＳＩＭＳによる微量元素の定量分析について」、地質ニュース，（１９９２年２月１日発行），Ｎｏ．４５０，ｐ２８−３５ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11953822B2 (en) | 2021-02-16 | 2024-04-09 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography, and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0643123A (ja) | 1994-02-18 |
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