JP3109091B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、配線と基板表面との間にバリアメタルが設
けられた半導体装置の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a barrier metal is provided between a wiring and a substrate surface.
［従来の技術］ 第２図（ａ）乃至（ｄ）は従来の半導体装置の製造方
法を工程順に示す断面図である。[Prior Art] FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device in the order of steps.
先ず、第２図（ａ）に示すように、シリコン基板20の
表面にN+拡散領域21等を形成し、この基板20上に層間絶
縁膜22を形成する。そして、この層間絶縁膜22に、その
表面から拡散領域21に到達するコンタクト孔23を選択的
に形成する。First, as shown in FIG. 2A, an N + diffusion region 21 and the like are formed on the surface of a silicon substrate 20, and an interlayer insulating film 22 is formed on the substrate 20. Then, a contact hole 23 reaching the diffusion region 21 from the surface thereof is selectively formed in the interlayer insulating film 22.
次に、第２図（ｂ）に示すように、スパッタ法によ
り、全面にチタン（Ti）膜24を形成する。その後、Ar及
びN2の混合ガスを使用した反応性スパッタ法により、全
面に窒化チタン（TiN）膜25を形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a titanium (Ti) film 24 is formed on the entire surface by sputtering. Thereafter, a titanium nitride (TiN) film 25 is formed on the entire surface by a reactive sputtering method using a mixed gas of Ar and N 2 .
次に、窒素又はアンモニア雰囲気中において、600乃
至700℃の温度で熱処理を行う。これにより、第２図
（ｃ）に示すように、拡散領域21と接触している部分の
チタン膜24がこの拡散領域21のシリコンと反応して、チ
タンシリサイド膜26が形成される。Next, heat treatment is performed at a temperature of 600 to 700 ° C. in a nitrogen or ammonia atmosphere. As a result, as shown in FIG. 2C, the titanium film 24 in the portion in contact with the diffusion region 21 reacts with the silicon in the diffusion region 21 to form a titanium silicide film 26.
次いで、第２図（ｄ）に示すように、Cuを含有するア
ルミニウム膜27を全面に形成する。その後、周知の微細
加工技術により、アルミニウム膜27、窒化チタン膜25及
びチタン膜24をパターニングして所定の配線を得る。こ
のようにして、アルミニウム膜27と拡散領域21との間に
バリアメタルが設けられた半導体装置が完成する。Next, as shown in FIG. 2D, an aluminum film 27 containing Cu is formed on the entire surface. Thereafter, the aluminum film 27, the titanium nitride film 25, and the titanium film 24 are patterned by a known fine processing technique to obtain predetermined wiring. Thus, a semiconductor device in which the barrier metal is provided between the aluminum film 27 and the diffusion region 21 is completed.
上述した従来の半導体装置の製造方法において、例え
ば、第２図（ｂ）に示す工程において、Ar及びN2の混合
ガスを使用した反応性スパッタ法に替えて、純N2ガスを
使用した反応性スパッタ法により窒化チタン膜25を形成
すると、得られる窒化チタン膜25は固くなり、後工程に
おける熱処理の際に、この窒化チタン膜25にクラックが
発生しやすくなる。これを回避するために、前述の如
く、窒化チタン膜25は、N2及びArガスの混合ガスを使用
した反応性スパッタ法により形成している。In the above-described conventional method for manufacturing a semiconductor device, for example, in the step shown in FIG. 2B, a reaction using pure N 2 gas is performed instead of the reactive sputtering method using a mixed gas of Ar and N 2. When the titanium nitride film 25 is formed by the reactive sputtering method, the obtained titanium nitride film 25 becomes hard, and cracks are easily generated in the titanium nitride film 25 at the time of heat treatment in a later step. To avoid this, as described above, the titanium nitride film 25 is formed by a reactive sputtering method using a mixed gas of N 2 and Ar gas.
また、上述の如く、窒化チタン膜25形成後に窒素又は
アンモニア雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２図
（ｃ）に示すように、窒化チタン膜25と拡散領域21との
間にチタンシリサイド膜26を形成でき、このチタンシリ
サイド膜26により、アルミニウム膜27と拡散領域21との
間に安定したコンタクト抵抗を得ることができる。この
熱処理には、以下に示す作用もある、即ち、Ar及びN2の
混合ガスを使用した反応性スパッタ法により形成した窒
化チタン膜25には未反応のチタンが含有されている。窒
素又はアンモニア雰囲気中で熱処理を行なうことにより
この未反応のチタンが窒化されるため、窒化チタン膜25
の耐熱性が向上する。Further, as described above, by performing a heat treatment in a nitrogen or ammonia atmosphere after the formation of the titanium nitride film 25, a titanium silicide film 26 is formed between the titanium nitride film 25 and the diffusion region 21 as shown in FIG. , And a stable contact resistance between the aluminum film 27 and the diffusion region 21 can be obtained by the titanium silicide film 26. This heat treatment also has the following function: the titanium nitride film 25 formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of Ar and N 2 contains unreacted titanium. This unreacted titanium is nitrided by heat treatment in a nitrogen or ammonia atmosphere.
Has improved heat resistance.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した従来の半導体装置の製造方法
において、例えば第３図（ａ）にその断面を示すよう
に、コンタクト孔23が垂直の壁面を有する形状である
か、又は第３図（ｂ）にその断面を示すように、コンタ
クト孔上部の開口幅に比して底部の幅が広い形状である
場合は、チタンシリサイド膜26形成時の熱処理により、
窒化チタン膜25にクラックが発生しやすく、バリアメタ
ルの耐熱性が低いという問題点がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described conventional method for manufacturing a semiconductor device, for example, as shown in FIG. 3 (a), the contact hole 23 has a shape having a vertical wall surface. Or, as shown in FIG. 3 (b), when the width of the bottom portion is wider than the opening width of the upper portion of the contact hole, the heat treatment at the time of forming the titanium silicide film 26
There is a problem that cracks easily occur in the titanium nitride film 25 and the heat resistance of the barrier metal is low.
この原因としては、チタンシリサイド膜26形成時の熱
処理により窒化チタン膜25が収縮し、これによりコンタ
クト孔23の底部のエッジ部分にストレスが集中するため
と考えられる。It is considered that this is because the titanium nitride film 25 shrinks due to the heat treatment during the formation of the titanium silicide film 26, whereby stress concentrates on the bottom edge portion of the contact hole 23.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、コンタクト孔の形状に拘らず窒化チタン膜にクラッ
クが発生することを回避でき、耐熱性が高いバリアメタ
ルを備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of such a problem, and a method of manufacturing a semiconductor device having a barrier metal having high heat resistance can be prevented from generating a crack in a titanium nitride film regardless of the shape of a contact hole. The purpose is to provide.
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上
に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の表面から前記
基板の表面に到達するコンタクト孔を形成する工程と、
窒化されていないチタンを含有する窒化チタン膜を全面
に形成する工程と、窒素ガス、アンモニアガス並びに窒
素ガス及びアンモニアガスの混合ガスからなる群から選
択されたいずれか１種のガスの雰囲気中において熱処理
を施し前記窒化されていないチタンを含有する窒化チタ
ン膜を窒化すると共に前記基板の表面にチタンシリサイ
ド膜を形成する工程と、しかる後、窒素ガスのみを使用
した反応性スパッタ法により全面に窒化チタン膜を形成
する工程とを有することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a step of forming an insulating film on a semiconductor substrate, and forming a contact hole reaching the surface of the substrate from the surface of the insulating film. Process and
Forming a titanium nitride film containing non-nitrided titanium over the entire surface, in a gas atmosphere selected from the group consisting of nitrogen gas, ammonia gas, and a mixed gas of nitrogen gas and ammonia gas; Performing a heat treatment to nitride the titanium nitride film containing non-nitrided titanium and forming a titanium silicide film on the surface of the substrate; and thereafter, nitriding the entire surface by a reactive sputtering method using only nitrogen gas. Forming a titanium film.
［作用］ 本発明においては、先ず、半導体基板上の絶縁膜にコ
ンタクト孔を形成した後、全面に窒化されていないチタ
ンを含有する窒化チタン膜を形成する。次に、窒素ガ
ス、アンモニアガス又はこの両者の混合ガスの雰囲気中
において、熱処理を施す。これにより、窒化チタン膜中
のチタンと半導体基板とが反応して、基板表面にチタン
シリサイド膜が形成される。このチタンシリサイド膜に
より、安定したコンタクト抵抗を得ることができる。ま
た、この熱処理により、窒化チタン膜中のチタンは窒化
され、窒化チタン膜が形成される。[Operation] In the present invention, first, after a contact hole is formed in an insulating film on a semiconductor substrate, a titanium nitride film containing non-nitrided titanium is formed on the entire surface. Next, heat treatment is performed in an atmosphere of a nitrogen gas, an ammonia gas, or a mixed gas of both. Thereby, the titanium in the titanium nitride film reacts with the semiconductor substrate, and a titanium silicide film is formed on the substrate surface. With this titanium silicide film, a stable contact resistance can be obtained. Further, by this heat treatment, titanium in the titanium nitride film is nitrided, and a titanium nitride film is formed.
次いで、窒素ガスを使用した反応性スパッタ法によ
り、全面に窒化チタン膜を形成する。この場合に、純度
が高い窒素ガスを使用すると、未反応のチタンが極めて
少ない窒化チタン膜を得ることができる。従って、この
窒化チタン膜形成時に使用する窒素ガスは、高純度のも
のが好ましい。Next, a titanium nitride film is formed on the entire surface by a reactive sputtering method using nitrogen gas. In this case, when a nitrogen gas with high purity is used, a titanium nitride film with very little unreacted titanium can be obtained. Therefore, the nitrogen gas used for forming the titanium nitride film is preferably of high purity.
本発明においては、このようにしてバリアメタルを形
成する。従って、窒化チタン膜を形成した後には熱処理
を施す工程がなく、窒化チタン膜にクラックが発生する
ことを回避することができる。これにより、耐熱性が優
れたバリアメタルを備えた半導体装置を製造することが
できる。In the present invention, the barrier metal is thus formed. Therefore, there is no heat treatment step after the formation of the titanium nitride film, and it is possible to avoid the occurrence of cracks in the titanium nitride film. As a result, a semiconductor device including a barrier metal having excellent heat resistance can be manufactured.
［実施例］ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。Example Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第１図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の第１の実施例に係
る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。1A to 1F are cross-sectional views showing a method of manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention in the order of steps.
先ず、第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板
10の表面にＮ型不純物を選択的にイオン注入した後、熱
処理を施して、N+拡散領域11を形成する。次に、CVD
（気相成長）法を使用して、全面に層間絶縁膜12を形成
する。その後、通常のリソグラフィ技術及び微細加工技
術を使用して、この絶縁膜12にコンタクト孔13を選択的
に形成する。First, as shown in FIG. 1 (a), a P-type silicon substrate
After selectively ion-implanting an N-type impurity into the surface of the substrate 10, a heat treatment is performed to form an N + diffusion region 11. Next, CVD
An interlayer insulating film 12 is formed on the entire surface by using a (vapor phase growth) method. Thereafter, a contact hole 13 is selectively formed in the insulating film 12 by using a normal lithography technique and a fine processing technique.
次に、第１図（ｂ）に示すように、DCマグネトロンス
パッタ装置を使用し、チタンターゲットをArプラズマで
スパッタすることにより、全面にチタン膜14を例えば50
0Åの厚さで形成する。Next, as shown in FIG. 1 (b), a titanium target is sputtered with Ar plasma using a DC magnetron sputtering apparatus, so that a titanium film 14
It is formed with a thickness of 0 °.
次に、ランプアニール装置を使用し、アンモニアガス
雰囲気中において、700℃の温度で熱処理を施す。これ
により、第１図（ｃ）に示すように、コンタクト孔13の
底部の拡散領域11上には、窒化チタン膜及びチタンシリ
サイド膜の２層の膜からなる窒化チタン／チタンシリサ
イド膜16が得られる。この場合に、下層（拡散領域11
側）がチタンシリサイド膜であり、上層が窒化チタン膜
である。なお、ランプアニール装置は、基板導入時に装
置内に侵入した外気を短時間で排出することができると
いう長所がある。Next, heat treatment is performed at a temperature of 700 ° C. in an ammonia gas atmosphere using a lamp annealing apparatus. Thereby, as shown in FIG. 1C, a titanium nitride / titanium silicide film 16 composed of a titanium nitride film and a titanium silicide film is obtained on the diffusion region 11 at the bottom of the contact hole 13. Can be In this case, the lower layer (diffusion region 11)
Side) is a titanium silicide film, and the upper layer is a titanium nitride film. Note that the lamp annealing apparatus has an advantage that the outside air that has entered the apparatus when the substrate is introduced can be discharged in a short time.
次に、第１図（ｄ）に示すように、DCマグネトロンス
パッタ装置を使用し、チタンターゲットをN2プラズマで
スパッタすることにより、全面に窒化チタン膜17を例え
ば1000Åの厚さで形成する。Next, as shown in FIG. 1 (d), using a DC magnetron sputtering apparatus, a titanium target is sputtered with N 2 plasma to form a titanium nitride film 17 with a thickness of, for example, 1000 ° on the entire surface.
次に、第１図（ｅ）に示すように、DCマグネトロンス
パッタ装置を使用し、Siを１重量％及びCuを0.5重量％
含有するAl合金ターゲットをArプラズマでスパッタする
ことにより、全面にアルミニウム膜18を例えば9000Åの
厚さで形成する。Next, as shown in FIG. 1 (e), using a DC magnetron sputtering apparatus, 1% by weight of Si and 0.5% by weight of Cu were used.
By sputtering the Al alloy target to be contained with Ar plasma, an aluminum film 18 having a thickness of, for example, 9000 ° is formed on the entire surface.
次いで、第１図（ｆ）に示すように、通常のリソグラ
フィ技術及び微細加工技術を使用して、アルミニウム膜
18、窒化チタン膜17及び窒化チタン膜15を所定の形状に
パターニングする。このようにして、半導体装置が完成
する。Next, as shown in FIG. 1 (f), the aluminum film is formed by using a normal lithography technique and a fine processing technique.
18, the titanium nitride film 17 and the titanium nitride film 15 are patterned into a predetermined shape. Thus, a semiconductor device is completed.
本実施例においては、チタン膜14を形成した後、アン
モニア雰囲気中において熱処理を施す。これにより、コ
ンタクト孔13の底部の拡散領域11上に窒化チタン膜及び
チタンシリサイド膜からなる窒化チタン／チタンシリサ
イド膜16が形成される。従って、この窒化チタン／チタ
ンシリサイド膜16によりコンタクト抵抗の安定化が図れ
ると共に、耐熱性が優れた窒化チタン膜が得られる。ま
た、本実施例方法においては、窒化チタン膜15,17を形
成した後、熱処理を施す工程がない。従って、窒化チタ
ン膜15,17にクラックが発生することを回避でき、耐熱
性が高いバリアメタルを得ることができる。In this embodiment, after forming the titanium film 14, a heat treatment is performed in an ammonia atmosphere. Thus, a titanium nitride / titanium silicide film 16 composed of a titanium nitride film and a titanium silicide film is formed on the diffusion region 11 at the bottom of the contact hole 13. Therefore, the titanium nitride / titanium silicide film 16 can stabilize the contact resistance and obtain a titanium nitride film having excellent heat resistance. Further, in the method of this embodiment, there is no step of performing a heat treatment after the titanium nitride films 15 and 17 are formed. Therefore, the occurrence of cracks in the titanium nitride films 15 and 17 can be avoided, and a barrier metal having high heat resistance can be obtained.
上述した実施例方法及び従来方法により、６インチウ
ェーハにN+/P接合を有する耐熱評価用TEG（Test Elemen
t Group）を夫々100チップづつ製造し、拡散領域の破壊
を拡散領域リーク電流の増大の有無により調べて、チッ
プの耐熱性を評価した。なお、コンタクト孔の形状は第
３図（ａ）に示すように、基板表面に対して垂直な壁面
を有する形状とした。その結果、従来法方法により製造
したチップの良品率は80％であったのに対し、本実施例
方法により製造したチップの良品率は100％であった。
この結果から明らかなように、本実施例方法により、極
めて耐熱性が優れたバリアメタルを得ることができる。According to the embodiment method and the conventional method described above, a TEG (Test Elemen) for heat resistance evaluation having an N + / P junction on a 6-inch wafer
t Group) were manufactured for each 100 chips, and the heat resistance of the chips was evaluated by examining the destruction of the diffusion region based on whether or not the leakage current of the diffusion region increased. The shape of the contact hole was a shape having a wall surface perpendicular to the substrate surface as shown in FIG. 3 (a). As a result, the non-defective rate of the chip manufactured by the conventional method was 80%, while the non-defective rate of the chip manufactured by the method of the present example was 100%.
As is evident from the results, a barrier metal having extremely excellent heat resistance can be obtained by the method of this embodiment.
次に、本発明の第２の実施例について説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
本実施例が第１の実施例と異なる点はチタン膜14に替
えて窒化されていないチタンの含有率が高い窒化チタン
膜を形成することにあり、その他の工程は第１の実施例
と同様であるため、相違点についてのみ説明する。This embodiment is different from the first embodiment in that a titanium nitride film having a high content of unnitrided titanium is formed in place of the titanium film 14, and other steps are the same as those of the first embodiment. Therefore, only the differences will be described.
本実施例においては、第１の実施例方法における第１
図（ｂ）に示す工程において、チタン膜14に替えて、未
窒化チタンの含有率が高い窒化チタン膜を形成する。こ
の窒化チタン膜は、DCマグネトロンスパッタ装置を使用
し、未窒化チタン含有率が高い窒化チタンをターゲット
として、Arプラズマによりスパッタして形成することが
できる。このように未窒化チタン含有率が高い窒化チタ
ン膜を使用してバリアメタルを形成すると、チタン膜を
使用した第１の実施例に比して、以下に示す利点があ
る。In the present embodiment, the first method in the first embodiment method is used.
In the step shown in FIG. 2B, a titanium nitride film having a high content of titanium nitride is formed instead of the titanium film 14. This titanium nitride film can be formed by using a DC magnetron sputtering apparatus and sputtering with Ar plasma using titanium nitride having a high content of titanium nitride as a target. When the barrier metal is formed using the titanium nitride film having a high content of titanium nitride as described above, there are the following advantages as compared with the first embodiment using the titanium film.
このチタン窒化膜を形成した後の熱処理において、拡
散領域11と窒化チタン膜中に含有されたチタンとの反応
により形成されるチタンシリサイド膜の膜厚が第１の実
施例の場合に比して薄くなる。このため、拡散領域11が
浅接合の場合も、チタンシリサイド膜に起因する接合破
壊を回避できる。また、この熱処理において、この窒化
チタン膜中の未窒化チタンが窒化され、その結果、窒化
チタン膜の総厚が第１の実施例に比して厚くなる。これ
により、バリアメタルの耐熱性がより一層向上する。In the heat treatment after the formation of the titanium nitride film, the thickness of the titanium silicide film formed by the reaction between the diffusion region 11 and titanium contained in the titanium nitride film is smaller than that in the first embodiment. Become thin. Therefore, even when the diffusion region 11 has a shallow junction, junction destruction caused by the titanium silicide film can be avoided. Further, in this heat treatment, the non-nitride titanium in the titanium nitride film is nitrided, and as a result, the total thickness of the titanium nitride film becomes larger than in the first embodiment. Thereby, the heat resistance of the barrier metal is further improved.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、窒化チタン膜を
形成した後に熱処理を施す工程がないから、コンタクト
孔の形状に拘らず、窒化チタン膜にクラックが発生する
ことを回避でき、耐熱性が優れたバリアメタルを備えた
半導体装置を製造することができる。また、コンタクト
孔の底部における基板表面にはチタンシリサイド膜が形
成されるから、安定したコンタクト抵抗を得ることがで
きる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since there is no step of performing a heat treatment after the formation of the titanium nitride film, the generation of cracks in the titanium nitride film is avoided regardless of the shape of the contact hole. Thus, a semiconductor device provided with a barrier metal having excellent heat resistance can be manufactured. Further, since a titanium silicide film is formed on the substrate surface at the bottom of the contact hole, a stable contact resistance can be obtained.
第１図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の第１の実施例に係る
半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２図
（ａ）乃至（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法を工程
順に示す断面図、第３図（ａ）及び（ｂ）はいずれも従
来の問題点を示す模式的断面図である。 10,20;シリコン基板、11,21;N+拡散領域、12,22;層間絶
縁膜、13,23;コンタクト孔、14,24;チタン膜、15,17,2
5;窒化チタン膜、16;窒化チタン／チタンシリサイド
膜、18,27;アルミニウム膜、26;チタンシリサイド膜1A to 1F are cross-sectional views showing a method of manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention in the order of steps, and FIGS. 2A to 2D are views showing a method of manufacturing a conventional semiconductor device. FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing the method in the order of steps, and FIGS. 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing a conventional problem. 10, 20; silicon substrate, 11, 21; N + diffusion region, 12, 22; interlayer insulating film, 13, 23; contact hole, 14, 24; titanium film, 15, 17, 2
5; titanium nitride film, 16; titanium nitride / titanium silicide film, 18, 27; aluminum film, 26; titanium silicide film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−154332（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16178（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−133964（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−119129（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−79433（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5521（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−235334（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−218017（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144625（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−260128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−12132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−259469（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/285 301 H01L 21/3205 H01L 21/768 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-154332 (JP, A) JP-A-3-16178 (JP, A) JP-A-2-133964 (JP, A) JP-A-2- 119129 (JP, A) JP-A-2-79433 (JP, A) JP-A-2-5521 (JP, A) JP-A-1-235334 (JP, A) JP-A-1-218017 (JP, A) JP-A-1-144625 (JP, A) JP-A-63-260128 (JP, A) JP-A-63-12132 (JP, A) JP-A-62-259469 (JP, A) (58) (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/285 301 H01L 21/3205 H01L 21/768
Claims (1)
この絶縁膜の表面から前記基板の表面に到達するコンタ
クト孔を形成する工程と、窒化されていないチタンを含
有する窒化チタン膜を全面に形成する工程と、窒素ガ
ス、アンモニアガス並びに窒素ガス及びアンモニアガス
の混合ガスからなる群から選択されたいずれか１種のガ
スの雰囲気中において熱処理を施し前記窒化されていな
いチタンを含有する窒化チタン膜を窒化すると共に前記
基板の表面にチタンシリサイド膜を形成する工程と、し
かる後、窒素ガスのみを使用した反応性スパッタ法によ
り全面に窒化チタン膜を形成する工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。A step of forming an insulating film on a semiconductor substrate;
Forming a contact hole reaching the surface of the substrate from the surface of the insulating film, forming a titanium nitride film containing non-nitrided titanium over the entire surface, nitrogen gas, ammonia gas, nitrogen gas and ammonia Heat-treating in an atmosphere of any one gas selected from the group consisting of gas mixtures to nitride the titanium nitride film containing non-nitrided titanium and form a titanium silicide film on the surface of the substrate And a step of forming a titanium nitride film over the entire surface by a reactive sputtering method using only nitrogen gas.
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|---|---|---|---|
| JP02231660A JP3109091B2 (en) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Method for manufacturing semiconductor device |
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