JP3104952B2 - Analog-to-digital converter and microcomputer equipped with the same - Google Patents
Analog-to-digital converter and microcomputer equipped with the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、逐次比較型アナログ・
ディジタル変換器に係り、特に小型で高精度が要求さ
れ、マイクロコンピュータに搭載して使用するのに好適
なアナログ・ディジタル変換器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a successive approximation type analog
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital converter, and particularly to an analog-digital converter which is required to be small and have high precision, and which is suitable for being mounted on a microcomputer.
【0002】[0002]
【従来の技術】周知のように、A/D変換器(アナログ
・ディジタル変換器)は、アナログ信号をディジタル信
号に変換するデバイスで、幾つかの方式のものがある
が、その一種に逐次比較方式のA/D変換器がある。そ
して、この逐次比較方式A/D変換器の従来例として
は、容量アレー方式、抵抗ラダー方式、或いはR−2R
抵抗方式など、比較電圧生成回路(D/A変換回路)の構
成により、種々の方式のものが使われている。2. Description of the Related Art As is well known, an A / D converter (analog-to-digital converter) is a device for converting an analog signal to a digital signal. There is an A / D converter of the system. Conventional examples of the successive approximation type A / D converter include a capacitance array method, a resistance ladder method, and an R-2R converter.
Various types are used depending on the configuration of a comparison voltage generation circuit (D / A conversion circuit) such as a resistance type.
【0003】そこで、以下の説明では、便宜上、抵抗ラ
ダー方式について説明するが、他の方式も、比較電圧を
生成する点では同じである。まず、この抵抗ラダー方式
のA/D変換器では、フルスケール電圧となるA/D変
換器基準電圧を抵抗により等分圧し、各抵抗の接続点を
スイッチ群により選択することにより、比較電圧を生成
するようになっている。図9は、分解能が8ビットの逐
次比較方式A/D変換器の従来例を示したもので、この
従来例は、比較電圧生成用のD/A変換回路100、コ
ンパレータ102、制御回路103、8ビット逐次比較
レジスタ104、それにA/D変換結果が出力されるデ
ータバス105で構成されている。In the following description, the resistance ladder method will be described for convenience. However, the other methods are the same in that a comparison voltage is generated. First, in this resistance ladder type A / D converter, the reference voltage, which is a full-scale voltage, is divided equally by a resistor, and the connection point of each resistor is selected by a switch group, so that the comparison voltage is obtained. Is to be generated. FIG. 9 shows a conventional example of a successive approximation type A / D converter having a resolution of 8 bits. In this conventional example, a D / A conversion circuit 100 for generating a comparison voltage, a comparator 102, a control circuit 103, It comprises an 8-bit successive approximation register 104 and a data bus 105 to which an A / D conversion result is output.
【0004】まず、D/A変換回路100は、抵抗素子
を28(=256)個直列に接続して抵抗ラダー回路10
6を構成し、これにより等分圧された電圧をデコーダス
イッチ回路(ツリー状スイッチ回路)107で選択するこ
とにより、比較電圧を生成する。このとき、ハーフオフ
セットD/A伝達特性を持たせるため、抵抗ラダー回路
106において、抵抗ラダー両端の抵抗素子の抵抗値
は、その他の部分の単位抵抗値Rに対して、それぞれ1
/2倍と3/2倍の値にしてある。First, the D / A conversion circuit 100 connects 2 8 (= 256) resistive elements in series to form a resistance ladder circuit 10.
6, and a voltage thus equally divided is selected by a decoder switch circuit (tree-like switch circuit) 107 to generate a comparison voltage. At this time, in order to provide a half-offset D / A transfer characteristic, in the resistance ladder circuit 106, the resistance values of the resistance elements at both ends of the resistance ladder are respectively 1 with respect to the unit resistance values R of the other portions.
/ 2 times and 3/2 times.
【0005】ところで、この従来例では、分解能がnビ
ットのA/D変換に対しては、2のn乗個の抵抗と、少
なくとも2のn乗個以上のスイッチ群が必要となるた
め、占有面積が大きくなってしまうという問題が生じ
る。一方、特願平4ー63190号の出願に係る発明で
は、分解能の低い基準電圧発生領域と、分解能の高い基
準電圧発生領域とを設けたことを特徴とする、逐次比較
方式のA/D変換器が提案されているが、抵抗素子が多
い点、精度マッチングの点から本質的解決は困難であ
る。In this conventional example, since 2 / n resistors and at least 2n or more switch groups are required for A / D conversion with a resolution of n bits, the A / D conversion is occupied. There is a problem that the area becomes large. On the other hand, in the invention according to the application of Japanese Patent Application No. 4-63190, a successive approximation type A / D converter characterized by providing a low-resolution reference voltage generation region and a high-resolution reference voltage generation region. However, it is difficult to solve the problem essentially because of the large number of resistance elements and the precision matching.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、A/
D変換器の分解能の向上に伴う回路素子数の増加につい
て配慮がされておらず、高精度のA/D変換器では、チ
ップサイズの増大とコストアップの点で問題があった。
例えば、抵抗ラダー方式10ビットA/D変換器の分解
能は、8ビットA/D変換器に比べ4倍となり、高精度
のA/D変換ができる反面、比較電圧生成回路の規模も
4倍に大きくなる。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned prior art is based on A /
No consideration has been given to an increase in the number of circuit elements due to an increase in the resolution of the D converter, and there has been a problem with the high-precision A / D converter in terms of an increase in chip size and an increase in cost.
For example, the resolution of a resistance ladder type 10-bit A / D converter is four times that of an 8-bit A / D converter, and high-precision A / D conversion is possible, but the size of the comparison voltage generation circuit is also four times. growing.
【0007】つまり、従来技術では、A/D変換器の分
解能を上げるためには、基準電圧の細分割化(抵抗素子
数の増大)が必要になるので、それだけスイッチ回路及
び抵抗ラダーの規模が大きくなり、この結果、チップサ
イズが大きくなり、高価になってしまうのである。本発
明の目的は、分解能の増加に伴う比較電圧生成回路、つ
まりD/A変換回路の規模増加が抑えられ、小型で高精
度、高分解能の逐次比較方式のA/D変換器をローコス
トで提供することにある。That is, in the prior art, in order to increase the resolution of the A / D converter, it is necessary to subdivide the reference voltage (increase the number of resistive elements). As a result, the chip size increases and the cost increases. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a small-sized, high-accuracy, high-resolution successive approximation A / D converter at a low cost, which suppresses an increase in the scale of a comparison voltage generation circuit, that is, a D / A conversion circuit accompanying an increase in resolution. Is to do.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的は、比較電圧生
成回路と、該比較電圧生成回路の出力とアナログ入力電
圧をそれぞれ一方と他方の入力とするコンパレータとを
備え、該コンパレータの出力に応じて上記比較電圧生成
回路の出力電圧を逐次切換える方式の逐次比較型アナロ
グ・ディジタル変換器において、上記比較電圧生成回路
を、基準電圧を分割して複数の分圧電圧を生成する等抵
抗分圧回路と、該等抵抗分圧回路の分圧電圧を上記コン
パレータの出力に応じて選択し出力する第1のスイッチ
デコーダ回路と、該第1のスイッチデコーダ回路の出力
と上記コンパレータの一方の入力の間に接続されたサン
プリング容量素子と、上記等抵抗分圧回路の分圧電圧の
一部を更に分圧する抵抗ラダー回路と、該抵抗ラダー回
路の分圧電圧を上記コンパレータの出力に応じて選択し
出力する第2のスイッチデコーダ回路と、該第2のスイ
ッチデコーダ回路の出力を上記サンプリング容量素子の
電圧に加減算する重み付け容量素子群とで構成し、上記
第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧を比較電圧とす
る上位ビットグループの逐次比較動作と、第2のスイッ
チデコーダ回路の出力電圧を上記重み付け容量素子群を
介して上記第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧に加
減算した電圧を比較電圧とする下位ビットグループの逐
次比較動作とを順次行なうようにして達成される。同じ
く上記目的は、比較電圧生成回路と、該比較電圧生成回
路の出力とアナログ入力電圧をそれぞれ一方と他方の入
力とするコンパレータとを備え、該コンパレータの出力
に応じて上記比較電圧生成回路の出力を逐次切換える方
式の逐次比較型アナログ・ディジタル変換器において、
上記比較電圧生成回路を、基準電圧を分割して複数の分
圧電圧を生成する第1の抵抗分圧回路と、該第1の抵抗
分圧回路の第1の分圧電圧を上記コンパレータの出力に
応じて選択し出力する第1のスイッチデコーダ回路と、
上記第1の抵抗分圧回路の分圧電圧の一部を第2の基準
電圧とし、この第2の基準電圧を分割して複数の第2の
分圧電圧を生成する第2の抵抗分圧回路と、該第2の抵
抗分圧回路の分圧電圧を上記コンパレータの出力に応じ
て選択し出力する第2のスイッチデコーダ回路とで構成
し、上記第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧を比較
電圧とする上位ビットグループの逐次比 較動作と、上記
第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧に上記第2の電
圧分圧回路の出力電圧を加減算した電圧を比較電圧とす
る下位ビットグループの逐次比較動作とを順次行なうよ
うにしても達成される。 このとき、上記第2の基準電圧
は、バッファ増幅器を介して、上記第1の抵抗分圧回路
の分圧電圧の一部から上記第2の抵抗分圧回路に供給さ
れるようにしてもよく、又は、上記第1の抵抗分圧回路
の中央部近傍の両側にある2個の分圧端子に上記第2の
抵抗分圧回路の両端子を並列に接続することにより、該
第2の抵抗分圧回路に供給されるようにしてもよく、更
には差動増幅器の一方の入力を介して、上記第1の抵抗
分圧回路の分圧電圧の一部から上記第2の抵抗分圧回路
に供給され、上記差動増幅器の他方の入力にはトリミン
グ電圧が供給されるようにしても良い。 The object of the present invention is to provide a comparative voltage generator.
And the output of the comparison voltage generation circuit and the analog input voltage.
And a comparator that uses the voltage as one input and the other as input.
Generating the comparison voltage according to the output of the comparator.
Successive approximation type analog circuit with successive switching of circuit output voltage
In the digital-to-digital converter, the comparison voltage generation circuit
Equalizer that divides the reference voltage to generate multiple divided voltages.
The resistive voltage dividing circuit and the divided voltage of the equal resistance voltage dividing circuit
First switch for selecting and outputting according to the output of the parator
A decoder circuit and an output of the first switch decoder circuit
And one of the inputs of the comparator
The coupling capacitance element and the divided voltage of the
A resistor ladder circuit for further dividing a part,
Select the divided voltage of the circuit according to the output of the comparator.
A second switch decoder circuit for outputting the second switch decoder circuit and the second switch decoder circuit.
The output of the latch decoder circuit is
And a weighted capacitive element group for adding and subtracting from the voltage.
The output voltage of the first switch decoder circuit is used as a comparison voltage.
Successive comparison operation of the upper bit group
The output voltage of the multi-decoder circuit is
To the output voltage of the first switch decoder circuit.
The order of the lower bit group using the subtracted voltage as the comparison voltage
It is achieved by the following comparison operation to sequentially row of Migihitsuji. the same
The above-mentioned object is to provide a comparison voltage generation circuit and a comparison voltage generation circuit.
Circuit output and analog input voltage
And a comparator as the output of the comparator.
Method of sequentially switching the output of the comparison voltage generation circuit according to
In the successive approximation type analog-to-digital converter of the formula:
The comparison voltage generation circuit divides the reference voltage into a plurality of
A first resistor voltage-dividing circuit for generating a divided voltage;
The first divided voltage of the voltage dividing circuit is output to the output of the comparator.
A first switch decoder circuit for selecting and outputting according to the
A part of the divided voltage of the first resistor voltage dividing circuit is used as a second reference voltage.
And dividing the second reference voltage into a plurality of second reference voltages.
A second resistive voltage dividing circuit for generating a divided voltage;
The divided voltage of the anti-division circuit is set according to the output of the comparator.
And a second switch decoder circuit for selecting and outputting
And compares the output voltage of the first switch decoder circuit.
And sequential ratio 較動operation of the high-order bit group that voltage, the above-mentioned
The second voltage is applied to the output voltage of the first switch decoder circuit.
The voltage obtained by adding or subtracting the output voltage of the voltage divider circuit is used as the comparison voltage.
And successive approximation operations of the lower bit groups
It is achieved even if you do. At this time, the second reference voltage
Is connected to the first resistor voltage dividing circuit via a buffer amplifier.
Is supplied to the second resistor voltage dividing circuit from a part of the divided voltage of
Or the first resistor voltage dividing circuit
To the two voltage dividing terminals on both sides near the center of
By connecting both terminals of the resistance voltage dividing circuit in parallel,
The voltage may be supplied to the second resistor voltage dividing circuit.
Through one input of the differential amplifier to the first resistor
A second resistive voltage dividing circuit from a part of the divided voltage of the voltage dividing circuit;
To the other input of the differential amplifier.
A voltage may be supplied.
【0009】[0009]
【作用】例えば8ビット分解能を持つ逐次比較方式A/
D変換器では、例えば上位5ビット逐次比較用の抵抗ラ
ダー構成からなるD/A変換回路と、下位3ビット逐次
比較用の抵抗ラダー構成と重み付け容量構成からなるD
/A変換回路で構成し、上位ビットグループは抵抗ラダ
ー回路の分圧電圧を比較電圧とすることにより、下位ビ
ットグループは抵抗ラダー回路の分圧電圧を重み付け容
量により分圧することにより比較電圧を生成して逐次比
較動作が行なわれるように働く。For example, successive approximation method A /
In the D converter, for example, a D / A conversion circuit having a resistor ladder configuration for successive approximation of the upper 5 bits, and a D / A converter having a resistor ladder configuration for successive approximation of the lower 3 bits and a weighting capacitance configuration are used.
/ A conversion circuit, the upper bit group generates the comparison voltage by dividing the divided voltage of the resistance ladder circuit by the weighting capacity by using the divided voltage of the resistance ladder circuit as the comparison voltage. Thus, the successive approximation operation is performed.
【0010】従って、8ビット分の比較電圧を一括して
生成する場合に比して大幅に抵抗素子数を減少させるこ
とができ、この結果、D/A変換回路の規模を縮小で
き、高精度A/D変換器の小型化が可能になる。Therefore, the number of resistance elements can be greatly reduced as compared with the case where the comparison voltages for 8 bits are collectively generated. As a result, the scale of the D / A conversion circuit can be reduced, and high precision can be achieved. The size of the A / D converter can be reduced.
【0011】なお、A/D変換器の分解能は、8ビット
構成乃至10ビット構成の例で説明してきたが、本発明
は、これらのビット数、及び上位、下位ビットグループ
配分分けは特に限定したものではなく、何ビット構成で
も良い。Although the resolution of the A / D converter has been described using an example of an 8-bit configuration to a 10-bit configuration, the present invention particularly limits the number of these bits and the division of the upper and lower bit groups. It is not limited to this, and any number of bits may be used.
【0012】[0012]
【実施例】以下、本発明によるA/D変換器について、
図示の実施例により詳細に説明する。まず、本発明の基
本となる構成について、図1の基本例により説明する。
この図1の基本例は、本発明を8ビットのA/D変換器
として具体化したものである。なお、A/D変換器の全
体構成は、図9の従来例と同じなので、図面も含めて、
以後の説明では、特に断わらないかぎり、本発明が関与
するアナログ処理部のみを示すことにする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an A / D converter according to the present invention will be described.
This will be described in detail with reference to the illustrated embodiment. First, the basics of the present invention
The configuration of the book will be described with reference to the basic example of FIG.
The basic example shown in FIG. 1 embodies the present invention as an 8-bit A / D converter. The overall configuration of the A / D converter is the same as that of the conventional example shown in FIG.
In the following description, only the analog processing unit related to the present invention will be described unless otherwise specified.
【0013】この図1に示した基本例は、図示のよう
に、抵抗ラダー回路32と、第1のスイッチデコーダ回
路33、第2のスイッチデコーダ回路50、重み付け用
の容量(コンデンサ)C2、C3、C4、チョッパ型コン
パレータを構成するサンプリング用の容量(コンデンサ)
C1、CMOS論理インバータ34、それにCMOSス
イッチCM1、CM2、CM3で構成されている。The basic example shown in FIG. 1 includes a resistance ladder circuit 32, a first switch decoder circuit 33, a second switch decoder circuit 50, and weighting capacitors (capacitors) C2 and C3, as shown in FIG. , C4, sampling capacity (capacitor) that constitutes the chopper type comparator
C1, a CMOS logic inverter 34, and CMOS switches CM1, CM2, CM3.
【0014】まず、抵抗ラダー回路32は、25(=3
2)個の抵抗素子R0〜R31を直列に接続したもので
あるが、このとき、図9の従来例と同様に、ハーフオフ
セットD/A伝達特性を持たせるため、抵抗ラダーの両
端の抵抗R0とR31の抵抗値は、その他の抵抗R1〜
R30の単位抵抗値Rに対して、それぞれ1/2倍と3
/2倍の値にしてある。First, the resistance ladder circuit 32 is composed of 2 5 (= 3
2) The resistance elements R0 to R31 are connected in series. At this time, similarly to the conventional example of FIG. 9, the resistance R0 at both ends of the resistance ladder is provided in order to have a half offset D / A transmission characteristic. And R31 have resistance values of other resistors R1 to R1.
The unit resistance R of R30 is 1/2 times and 3 respectively.
/ 2 times the value.
【0015】次に、第1のスイッチデコーダ回路33
は、例えば図2(a)に示すトリー状スイッチ回路で構成
されているもので、逐次比較レジスタ(図示せず。図9
の従来例参照)から供給される上位アドレスA3〜A7
の組合せにより、抵抗ラダー回路32によって分圧され
た、GNDを含む32個の分圧端子1〜31のうち1個
を選択し、その電圧をD/A変換回路出力電圧VDA と
して出力する。なお、この第1のスイッチデコーダ回路
33は、上記トリー状スイッチ回路に限定されることは
なく、例えばマトリックス状スイッチ回路で構成しても
良い。Next, the first switch decoder circuit 33
Is composed of, for example, a tree-like switch circuit shown in FIG. 2A, and is a successive approximation register (not shown; FIG. 9).
Addresses A3 to A7 supplied from
, One of the 32 voltage dividing terminals 1 to 31 including GND, which is divided by the resistance ladder circuit 32, is selected, and the voltage is output as the D / A conversion circuit output voltage V DA . Note that the first switch decoder circuit 33 is not limited to the above-mentioned tree-like switch circuit, and may be configured by, for example, a matrix-like switch circuit.
【0016】次に、第2のスイッチデコーダ回路50
は、例えば図2(b)に示すように、入力端子(分圧端子)
20、16、12のうちの1個を出力端子101に接続
するCMOSスイッチCM21、CM22、CM23
と、分圧端子18、16、14のうち1個を出力端子1
02に接続するCMOSスイッチCM31、CM32、
CM33、それに入力端子17、16、15のうち1個
を出力端子103に接続するCMOSスイッチCM4
1、CM42、CM43とで構成されている。Next, the second switch decoder circuit 50
Is an input terminal (voltage dividing terminal), for example, as shown in FIG.
CMOS switches CM21, CM22, CM23 for connecting one of 20, 20, and 12 to output terminal 101
And one of the voltage dividing terminals 18, 16, 14 is connected to the output terminal 1
02 connected to the CMOS switches CM31, CM32,
CM33 and a CMOS switch CM4 connecting one of the input terminals 17, 16, and 15 to the output terminal 103
1, CM42 and CM43.
【0017】そして、これら第1と第2のスイッチデコ
ーダ回路33、50の選択制御動作は、逐次比較レジス
タ(図示せず)から、下位アドレスA0〜A2の組合せに
応じて、表1に示すようにして出力される制御信号DC
K21、DCK22、DCK23、DCK31、DCK
32、DCK33、DCK41、DCK42、DCK4
3により行われる。The selection control operation of the first and second switch decoder circuits 33 and 50 is performed according to a combination of lower addresses A0 to A2 from a successive approximation register (not shown) as shown in Table 1. Control signal DC output as
K21, DCK22, DCK23, DCK31, DCK
32, DCK33, DCK41, DCK42, DCK4
3 is performed.
【0018】[0018]
【表1】 [Table 1]
【0019】ここで、符号CMnで表される素子はCM
OSスイッチで、このCMOSスイッチは、図1の右下
に示してあるように、NMOSトランジスタNM1とP
MOSトランジスタPM1の並列回路及びインバータゲ
ート40により構成され、ゲート電極38の信号が
“H”レベルの時、オン状態となって入力端子37の信
号を出力端子39へ伝達し、“L”の時はオフ状態とな
るものである。Here, the element represented by the symbol CMn is CM
As an OS switch, this CMOS switch is composed of NMOS transistors NM1 and P, as shown in the lower right of FIG.
It is constituted by a parallel circuit of the MOS transistor PM1 and the inverter gate 40. When the signal of the gate electrode 38 is at "H" level, it is turned on to transmit the signal of the input terminal 37 to the output terminal 39 and when it is at "L" Is turned off.
【0020】次に、この図1の基本例の動作について説
明する。なお、以下の説明では、始めに上位5ビットの
逐次比較動作について説明し、次に下位3ビットの逐次
比較動作について説明する。Next, the operation of the basic example of FIG. 1 will be described. In the following description, the successive approximation operation of the upper 5 bits will be described first, and then the successive comparison operation of the lower 3 bits will be described.
【0021】始めの上位5ビットの逐次比較動作の間、
出力制御信号DCK22、DCK32、DCK42は
“H”のままに保たれる。従って、CMOSスイッチC
M22、CM32、CM42がオン状態となるため、端
子101、102、103に抵抗ラダー回路32の分圧
端子16の電圧が出力される。なお、ここで、特に言及
してないCMOSスイッチはオフ状態にあるものとす
る。また、サンプリング用の容量C1の他方(図の右端)
の端子35のサンプリング期間での電圧をVSA とし、
後述する比較期間での電圧をVCO とする。During the first successive approximation operation of the upper 5 bits,
The output control signals DCK22, DCK32, DCK42 are kept at "H". Therefore, the CMOS switch C
Since M22, CM32, and CM42 are turned on, the voltage of the voltage dividing terminal 16 of the resistance ladder circuit 32 is output to the terminals 101, 102, and 103. Here, it is assumed that CMOS switches not specifically mentioned are in an off state. The other side of the sampling capacitor C1 (right end in the figure)
The voltage at the sampling period of the terminal 35 and V SA of,
A voltage in a comparison period described later is defined as VCO .
【0022】まず、サンプリングクロックSCKを
“H”にしてCMOSスッチCM1、CM3をオン状態
にし、サンプリング用の容量C1の一方(図の左端)の端
子をアナログ未知入力VINに接続し、この未知入力VIN
の電圧で充電する(サンプリング期間)。このとき、イ
ンバータゲート34の入出力端子は、CMOSスイッチ
CM3により短絡されるので、端子35の電圧VSA 1
は一定のバイアス電圧VBに固定される。次に、比較ク
ロックRCKを“H”(サンプリングクロックSCK=
“L”)にしてCM2をオンにし、サンプリング容量C
1の一方の端子にD/A変換回路出力VDA を伝達する
ことにより、比較動作が行われる(比較期間)。このとき
の端子35の電圧VCO は、サンプリング期間から比較
期間までの間では、サンプリング容量C1の電荷量が変
化しないので、次式で表されるように変化する。 VCO−VSA=C1(VDA−VIN)/(C1+C2+C3+C4)…… ……(1) この電圧VCO の変化は、多段インバータゲート(初段イ
ンバータゲート34のみ図示)で増幅され、最終段イン
バータゲート出力端子(図示せず)に論理振幅が確定され
る。このとき、容量C2、C3、C4の抵抗ラダー回路
側端子101、102、103は、上位5ビット逐次比
較モードの間、一定の電圧に保たれているので、比較結
果には影響しない。First, the sampling clock SCK is set to "H" to turn on the CMOS switches CM1 and CM3, and one terminal (left end in the figure) of the sampling capacitor C1 is connected to the analog unknown input V IN. Input V IN
Charge (sampling period). At this time, since the input / output terminal of the inverter gate 34 is short-circuited by the CMOS switch CM3, the voltage V SA 1 of the terminal 35
Is fixed to a constant bias voltage VB. Next, the comparison clock RCK is set to “H” (sampling clock SCK =
"L") to turn on CM2, and set the sampling capacity C
The comparison operation is performed by transmitting the D / A conversion circuit output VDA to one of the terminals (comparison period). Voltage V CO terminal 35 at this time is in the period from the sampling period to the comparison period, the charge amount of the sampling capacitor C1 does not change, changes as represented by the following formula. Change in V CO -V SA = C1 (V DA -V IN) / (C1 + C2 + C3 + C4) ...... ...... (1) The voltage V CO is amplified by multistage inverter gate (only the first-stage inverter gates 34), the last stage The logic amplitude is determined at the inverter gate output terminal (not shown). At this time, the resistance ladder circuit terminals 101, 102, and 103 of the capacitors C2, C3, and C4 are kept at a constant voltage during the upper 5 bits successive approximation mode, so that the comparison results are not affected.
【0023】同様のサンプリング/比較動作を、逐次比
較シーケンスに従い、アドレスA3〜A7を変化させて
計5回、繰返えすことにより、上位5ビットのA/D結
果が得られる。そして、この結果は5回目のサンプリン
グ/比較動作終了後のアドレスA3〜A7に反映され
る。The same sampling / comparison operation is repeated five times in total according to the successive approximation sequence while changing the addresses A3 to A7, whereby the A / D result of the upper 5 bits can be obtained. This result is reflected on the addresses A3 to A7 after the end of the fifth sampling / comparison operation.
【0024】次に、下位3ビットの(第2の)逐次比較動
作が行われる。この3ビット逐次比較動作の間、上位ア
ドレスA3〜A7は上記最終結果に固定され、サンプリ
ング/比較動作が行われる。そして、上位5ビット逐次
比較動作と同じように、サンプリング期間においては、
該第2のスイッチデコーダ回路50内のCMOSスイッ
チCM22、CM32、CM42がオン状態となり、容
量C2、C3、C4には共通して分圧端子16の電圧V
d1が伝達される。Next, the (second) successive approximation operation of the lower three bits is performed. During the 3-bit successive approximation operation, the upper addresses A3 to A7 are fixed to the final result, and the sampling / comparison operation is performed. Then, as in the case of the successive approximation operation of the upper 5 bits, during the sampling period,
The CMOS switches CM22, CM32, and CM42 in the second switch decoder circuit 50 are turned on, and the voltage V of the voltage dividing terminal 16 is commonly applied to the capacitors C2, C3, and C4.
d1 is transmitted.
【0025】例えば、最下位から3ビット目の比較期間
の場合は、上記と同じサンプリング動作を行った後、C
MOSスイッチCM2、CM21(又はCM23、これ
は前回の最上位から5ビット目の逐次比較結果により決
まる)をオン状態にして、容量C1、C2には、それぞ
れD/A変換回路出力VDA と、端子20(又は端子1
2)の分圧電圧を印加する。但し、容量C3、C4は同
じ端子16の電圧のままとする。For example, in the case of the comparison period of the third bit from the least significant bit, after performing the same sampling operation as described above, C
The MOS switches CM2 and CM21 (or CM23, which are determined by the previous successive comparison result of the fifth bit from the most significant bit) are turned on, and the capacitors C1 and C2 have the D / A conversion circuit output V DA and Terminal 20 (or terminal 1
Apply the divided voltage of 2). However, the capacitors C3 and C4 are kept at the same voltage of the terminal 16.
【0026】ここで、サンプリング期間における端子3
5の電圧をVSA(=VB)とし、比較期間における端子3
5、101、102、103の電圧を各々VCO、Vd
2、Vd3、Vd4とすれば、端子35の電圧変化VCO
−VSA は、次式で表される。Here, the terminal 3 during the sampling period
5 is V SA (= VB), and the voltage of terminal 3 during the comparison period is
The voltages of 5, 101, 102 and 103 are respectively set to V CO , Vd
2, Vd3 and Vd4, the voltage change V CO of the terminal 35
−V SA is represented by the following equation.
【0027】 VCO−VSA=C1(VDA−VIN)/ΣCi +C2(Vd2−Vd1)/ΣCi +C3(Vd3−Vd1)/ΣCi +C4(Vd4−Vd1)/ΣCi…… ……(2) ここで、C1=C、C2=C3=C4=C/8とすれ
ば、電圧変化VCO−VSAは、次式で表される。[0027] V CO -V SA = C1 (V DA -V IN) / ΣCi + C2 (Vd2-Vd1) / ΣCi + C3 (Vd3-Vd1) / ΣCi + C4 (Vd4-Vd1) / ΣCi ...... ...... (2) Here, assuming that C1 = C and C2 = C3 = C4 = C / 8, the voltage change V CO −V SA is expressed by the following equation.
【0028】 VCO−VSA=(8/11){(VDA−VIN) +(Vd2−Vd1)/8+(Vd3−Vd1)/8 +(Vd4−Vd1)/8}…… ……(3) 端子16と20の間、及び端子16と12間には、それ
ぞれ+4VLSBと−4VLSB(VLSBは5ビットの分解能電
圧)の電位差があり、端子16と18間、及び端子16
と14間には、それぞれ+2VLSB、−2VLSBの電位差
があり、そして端子16と17間と、端子16と15間
にはそれぞれ+VLSB、−VLSBの電位差があるので、式
(3)の第2項は±VLSB/2の重みで、第3項は±VLSB
/4の重みで、第4項は±VLSB/8の重みで、それぞ
れ変化し、逐次比較動作が行われる。なお、この比較期
間においては、式(3)における第3、4項は“0”とな
り、第1、2項の演算だけが行われることに相当する。V CO −V SA = (8/11) {(V DA −V IN ) + (Vd 2 −Vd 1) / 8 + (Vd 3 −Vd 1) / 8 + (Vd 4 −Vd 1) / 8} (3) between the terminals 16 and 20, and is between the terminals 16 and 12, there is a potential difference of each + 4V LSB and -4 V LSB (resolution voltage V LSB is 5 bits), between the terminals 16 and 18, and terminals 16
If Between 14, respectively + 2V LSB, there is a potential difference of -2 V LSB, and a between terminals 16 and 17, respectively between the terminals 16 and 15 + V LSB, because there is a potential difference of -V LSB, equation
The second term in (3) is a weight of ± VLSB / 2, and the third term is ± VLSB
The fourth term changes with a weight of / 4 and the fourth term changes with a weight of ± V LSB / 8, and the successive approximation operation is performed. In this comparison period, the third and fourth terms in equation (3) are "0", which means that only the first and second terms are calculated.
【0029】この逐次比較動作は、通常の逐次比較動作
と同様、コンパレータの比較結果により、適宜、アドレ
スA0〜A2の変化に応じて、出力制御信号DCK2
1、DCK22、DCK23、DCK31、DCK3
2、DCK33、DCK41、DCK42、DCK43
を変化させることにより遂行される。そして、このよう
なサンプリング/比較動作を3回繰り返えすことによ
り、下位3ビットの論理値を確定して8ビットA/D変
換動作を完了するのである。In the successive approximation operation, similarly to the ordinary successive approximation operation, the output control signal DCK2 is appropriately adjusted according to the change of the addresses A0 to A2 based on the comparison result of the comparator.
1, DCK22, DCK23, DCK31, DCK3
2, DCK33, DCK41, DCK42, DCK43
This is accomplished by changing Then, by repeating such sampling / comparison operation three times, the logical value of the lower three bits is determined, and the 8-bit A / D conversion operation is completed.
【0030】従って、この図1の基本例によれば、分解
能が8ビットの場合で、32本の抵抗素子と4個のコン
デンサ、それに小規模の選択スイッチで済み、この結
果、精度を落すことなく、充分に小型化が図れる。ま
た、この基本例によれば、重み付け用コンデンサの静電
容量が、1:8の2種類でよいから、構成が簡単である
という特徴がある。Therefore, according to the basic example of FIG. 1, when the resolution is 8 bits, only 32 resistor elements, 4 capacitors and a small selection switch are required, and as a result, the accuracy is reduced. And the size can be sufficiently reduced. Further, according to this basic example , since the capacitance of the weighting capacitor may be two types of 1: 8, the configuration is simple.
【0031】なお、以上の実施例では、分解能が8ビッ
トのA/D変換器の場合を例示して説明したが、分解能
を8ビットに限定する必要はなく、何ビットの場合で
も、本発明が実施可能なことは明らかである。また、抵
抗ラダー回路の分圧端子と重み付け用コンデンサの構成
についても、この実施例にとらわれることはなく、例え
ば、抵抗ラダー回路32の隣接分圧端子間電圧を取り出
し、C1:C2:C3:C4=1:2:4:8の容量比
で分圧する構成などにしても良いことは明らかである。In the above embodiment, the case where the A / D converter has a resolution of 8 bits has been described as an example. However, it is not necessary to limit the resolution to 8 bits. It is clear that is feasible. Further, the configuration of the voltage dividing terminal and the weighting capacitor of the resistance ladder circuit is not limited to this embodiment. For example, a voltage between adjacent voltage dividing terminals of the resistance ladder circuit 32 is extracted, and C1: C2: C3: C4. It is apparent that a configuration in which the voltage is divided at a capacity ratio of 1: 1: 2: 4: 8 may be adopted.
【0032】さらに、LSIチップとして構成した場
合、以下に述べる実施例も含めて、A/D変換器機能の
みを有する専用LSIに限定されるものではなく、A/
D変換器を搭載したワンチップマイクロコンピュータL
SIであってもよい。Further, when configured as an LSI chip, the present invention is not limited to a dedicated LSI having only an A / D converter function, including the embodiments described below.
One-chip microcomputer L with D converter
It may be SI.
【0033】次に、本発明の実施例について説明する。
図3は、本発明の第1の実施例で、この実施例も含め
て、以後は、前述した場合と同一物、又は同等物は、同
一符号で表わすものとする。この図3の実施例は、特許
請求の範囲の請求項3に対応したもので、基準電圧源
(図示せず)と、第1のD/A変換回路を構成する第1の
5ビット抵抗ラダー回路32と第1のスイッチデコーダ
回路33、第2のD/A変換回路を構成する第2の3ビ
ット抵抗ラダー回路53と第2のスイッチデコーダ回路
50、サンプリング容量C1、該容量C1の1/8の容
量値を持つように設計された重み付け容量C2、CMO
SスイッチCM1〜CM4、それに非反転型差動増幅器
54で構成されている。Next, an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 shows a first embodiment of the present invention. In the following, including this embodiment, the same or equivalent components as those described above will be denoted by the same reference numerals. Example of Figure 3, which was corresponding to claim 3 of the appended claims, reference voltage source
(Not shown), a first 5-bit resistor ladder circuit 32 and a first switch decoder circuit 33 forming a first D / A conversion circuit, and a second forming a second D / A conversion circuit. A 3-bit resistor ladder circuit 53, a second switch decoder circuit 50, a sampling capacitor C1, and weighting capacitors C2 and CMO designed to have a capacitance value of 1/8 of the capacitor C1.
It comprises S switches CM1 to CM4 and a non-inverting differential amplifier 54.
【0034】第1の5ビット抵抗ラダー回路32は、抵
抗値がそれぞれ単位抵抗Rの等抵抗素子R1〜R30
と、抵抗値がそれぞれR/2、3R/2の抵抗素子R
0、R31で構成されている。ただし、抵抗素子R8は
4個の単位抵抗からなる。第2の3ビット抵抗ラダー回
路53は、6個の等抵抗素子R201〜R206と、抵
抗値がそれぞれR/2、3R/2の抵抗素子R200、
R207から構成されている。The first 5-bit resistance ladder circuit 32 has equal resistance elements R1 to R30 each having a resistance value of a unit resistance R.
And a resistance element R having a resistance value of R / 2 and 3R / 2, respectively.
0 and R31. However, the resistance element R8 is composed of four unit resistors. The second 3-bit resistance ladder circuit 53 includes six equal resistance elements R201 to R206, and resistance elements R200 having resistance values of R / 2 and 3R / 2, respectively.
R207.
【0035】なお、これら第1のスイッチデコーダ回路
33及び第2のスイッチデコーダ回路50は、図2(a)
に示したようなツリー状スイッチ回路でもよく、マトリ
ックス状スイッチ回路、又は、アドレスデコーダと分圧
端子選択MOSスイッチ群からなる回路でもよい。The first switch decoder circuit 33 and the second switch decoder circuit 50 correspond to those shown in FIG.
Or a matrix switch circuit, or a circuit composed of an address decoder and a voltage division terminal selection MOS switch group.
【0036】そして、この実施例では、2個の単位抵抗
からなる直列回路を2個並列に接続して抵抗素子R8を
構成し、該直列回路の中間端子を差動増幅器54の非反
転端子36に入力するようになっており、このため、該
非反転端子(分圧端子)36の電圧は、8R分の抵抗端子
間電圧に相当する電圧VREF/4(VREFは第1の基準電
圧値)となる。In this embodiment, a resistance element R8 is formed by connecting two series circuits composed of two unit resistors in parallel, and the intermediate terminal of the series circuit is connected to the non-inverting terminal 36 of the differential amplifier 54. Therefore, the voltage of the non-inverting terminal (voltage dividing terminal) 36 is a voltage V REF / 4 (V REF is a first reference voltage value) corresponding to a voltage between the resistance terminals of 8R. ).
【0037】従って、差動増幅器54の出力電圧値、す
なわち第2の基準電圧値VREF2は、ほぼVREF/4とな
り、第2の抵抗ラダー回路53による3ビット分圧端子
電圧は第2のスイッチデコーダ回路50を経由して容量
C2へ伝達される。なお、上記したように、この容量C
2の容量値は、容量C1の1/8に設定されている。Therefore, the output voltage value of the differential amplifier 54, that is, the second reference voltage value V REF2 becomes substantially V REF / 4, and the 3-bit voltage dividing terminal voltage of the second resistor ladder circuit 53 becomes the second voltage. The signal is transmitted to the capacitor C2 via the switch decoder circuit 50. As described above, this capacitance C
The capacitance value of 2 is set to 1/8 of the capacitance C1.
【0038】次に、この図3の実施例の動作について説
明する。なお、この実施例でも、動作は、基本的には図
1の実施例と同じであるので、以下、この実施例に特徴
的な点について説明するに留める。Next, the operation of the embodiment of FIG. 3 will be described. Since the operation of this embodiment is basically the same as that of the embodiment shown in FIG. 1, only the characteristic features of this embodiment will be described below.
【0039】サンプリング期間において、サンプリング
クロックSCK、比較クロックRCKは共に“H”とな
り、CMOSスイッチCM1、CM3、CM4はオン状
態にある。また、このとき、アドレス信号A0〜A2は
全部“0”であり、従って、第2のスイッチデコーダ回
路50の出力端子51からは端子電圧GND(接地)が出
力される。In the sampling period, the sampling clock SCK and the comparison clock RCK both become "H", and the CMOS switches CM1, CM3, CM4 are in the ON state. At this time, the address signals A0 to A2 are all "0", and therefore, the terminal voltage GND (ground) is output from the output terminal 51 of the second switch decoder circuit 50.
【0040】そして、下位3ビットの逐次比較動作にお
ける最初の比較期間では、(A2、A1、A0)=(1、
0、0)であり、従って、第2のスイッチデコーダ回路
50は第2の抵抗ラダー回路53の中点の分圧電圧44
(図示されていない)を、CMOSスイッチCM4を経由
して容量C2の他端に伝達する。In the first comparison period in the successive approximation operation of the lower three bits, (A2, A1, A0) = (1,
0, 0), so that the second switch decoder circuit 50 has the divided voltage 44 at the middle point of the second resistance ladder circuit 53.
(Not shown) to the other end of the capacitor C2 via the CMOS switch CM4.
【0041】このとき、端子35の電圧変化VCO−VSA
は、(2)式と(3式)から明らかなように、次式で表わさ
れる。 VCO−VSA=(8/9)〔{(VDA+VREF*d/(23*22)}−VIN〕 ……(4) ここで、dは第2のラダー抵抗回路による分圧比(出力
係数)を表わすもので、1/23の単位で変動する。At this time, the voltage change V CO −V SA at the terminal 35
Is expressed by the following equation, as is apparent from equations (2) and (3). V CO −V SA = (8/9) [{(V DA + V REF * d / (2 3 * 2 2 )} − V IN ) (4) where d is determined by the second ladder resistance circuit. Represents the voltage division ratio (output coefficient) and varies in units of 1/2 3 .
【0042】そして、この式の第1及び第2項の総和
は、D/A変換回路の出力電圧値となり、それぞれ基準
電圧値VREFに対して、1/25、1/28の最小分解能
で変化し、入力電圧VINとの逐次比較が行なわれること
になる。The sum of the first and second terms in this equation is the output voltage value of the D / A conversion circuit, and is the minimum of 1/2 5 and 1/2 8 with respect to the reference voltage V REF , respectively. It changes with the resolution, and the successive comparison with the input voltage V IN is performed.
【0043】従って、この実施例によれば、回路規模が
小さくできることに加えて、差動増幅器により抵抗ラダ
ー回路がバッファリングされるため、抵抗値を独立し
て、しかも自由に設定できるという特徴がある。Therefore, according to this embodiment, in addition to the fact that the circuit scale can be reduced, the resistance ladder circuit is buffered by the differential amplifier, so that the resistance value can be set independently and freely. is there.
【0044】次に、本発明の第2の実施例を図4に示
す。この図4の実施例は、特許請求の範囲の請求項2に
対応するもので、第1のD/A変換回路を構成する第1
の抵抗ラダー回路32と第1のスイッチデコーダ回路3
3、第2のD/A変換回路を構成する第2の抵抗ラダー
回路53と第2のスイッチデコーダ回路50、CMOS
スイッチCM1〜CM4、サンプリング容量C1、この
容量C1の1/4の容量値を持つ重み付け容量C5、そ
れに論理インバータゲート34で構成されている。な
お、特に言及しない構成は、前出と同一、同等物である
ので、説明については割愛する。Next, a second embodiment of the present invention is shown in FIG. The embodiment of FIG. 4 corresponds to claim 2 of the present invention, and the first D / A conversion circuit comprises a first D / A conversion circuit.
Resistance ladder circuit 32 and first switch decoder circuit 3
3. The second resistor ladder circuit 53 and the second switch decoder circuit 50 constituting the second D / A conversion circuit,
It comprises switches CM1 to CM4, a sampling capacitor C1, a weighting capacitor C5 having a capacitance value of 1/4 of the capacitor C1, and a logical inverter gate 34. Configurations that are not particularly mentioned are the same as or equivalent to those described above, and a description thereof will be omitted.
【0045】第2の抵抗ラダー回路53は、9個の抵抗
素子RT0〜RT8の直列抵抗回路で構成されている。
第2のスイッチデコーダ回路50は、図5に示されてい
るもので、図示のようにNMOSトランジスタNM2〜
NM10と、アドレスデコーダ回路52とで構成されて
おり、アドレス信号A0、A1、A2の組合せに応じ
て、第2の抵抗ラダー回路53の分圧端子41〜49の
うちの1本を選択し、それを出力端子51から出力する
ようになっている。The second resistance ladder circuit 53 is composed of a series resistance circuit of nine resistance elements RT0 to RT8.
The second switch decoder circuit 50 is the one shown in FIG. 5, and as shown in FIG.
NM10 and an address decoder circuit 52, and selects one of the voltage dividing terminals 41 to 49 of the second resistance ladder circuit 53 according to a combination of the address signals A0, A1, and A2. It is output from the output terminal 51.
【0046】この図4の実施例では、下位ビットに、抵
抗値2Rを持つ抵抗素子R1〜R4と単位抵抗値Rを持
つ抵抗素子R0からなる分圧抵抗を備えた第1のラダー
抵抗回路32と、単位抵抗値Rを持つ抵抗素子RT0〜
RT8からなる第2のラダー抵抗回路53を用い、第1
のラダー抵抗回路32の下位ビットの分圧抵抗に第2の
ラダー抵抗回路53を並列に接続したものであり、これ
により、第1の抵抗ラダー回路32の分圧端子1〜5
は、第2の抵抗ラダー回路53が接続されたことによる
影響を受けずに、上位5ビットの分解能刻みの電圧を生
成できるようにしたものであり、他方、第2の抵抗ラダ
ー回路53の分圧端子41〜49は、上位5ビットの分
解能電圧をVLSBとすれば、VLSB/2単位の電位差を生
成することができるようにしたものである。In the embodiment shown in FIG. 4, the first ladder resistance circuit 32 includes, as lower bits, a voltage dividing resistor composed of resistance elements R1 to R4 having a resistance value 2R and a resistance element R0 having a unit resistance value R. And a resistance element RT0 having a unit resistance value R
Using a second ladder resistance circuit 53 composed of RT8,
The second ladder resistor circuit 53 is connected in parallel to the lower-order bit voltage dividing resistor of the ladder resistor circuit 32, thereby providing the voltage dividing terminals 1 to 5 of the first resistor ladder circuit 32.
Is designed to be able to generate a voltage in increments of 5 bits of resolution without being affected by the connection of the second resistance ladder circuit 53, The voltage terminals 41 to 49 are capable of generating a potential difference of V LSB / 2 unit, assuming that the resolution voltage of the upper 5 bits is V LSB .
【0047】ここで、上位5ビットの逐次比較動作の
間、出力端子51は分圧端子45の電位のままであり
(アドレス信号A2、A1、A0=1、0、0)、これ
は、前記説明と同じなので、以下、下位3ビットの逐次
比較動作について説明する。この下位3ビットの逐次比
較動作期間中、アドレスA3〜A7は、上位5ビットに
よるA/D変換結果を反映したアドレス値に固定され
る。例えば、最下位から3ビット目の逐次比較において
は、サンプリング期間(SCK=“H”、RCK=
“L”、RCK2=“H”)は、上記と同じように、中
央の分圧点45が選択される。The output terminal 51 remains at the potential of the voltage dividing terminal 45 during the successive approximation operation of the upper 5 bits.
(Address signals A2, A1, A0 = 1, 0, 0) Since this is the same as that described above, the successive approximation operation of the lower three bits will be described below. During the successive approximation operation of the lower three bits, the addresses A3 to A7 are fixed to the address values reflecting the A / D conversion result by the upper five bits. For example, in the successive comparison of the third bit from the least significant bit, the sampling period (SCK = “H”, RCK =
For “L”, RCK2 = “H”), the central voltage dividing point 45 is selected in the same manner as described above.
【0048】次に、比較期間(SCK=“L”、RCK
=“H”、RCK2=“H”)では、前回の比較結果に
基いて、分圧端子49(アドレス信号A2、A1、A0
=1、1、1)、又は分圧端子41(アドレス信号A2、
A1、A0=0、0、0)が選択される。このとき、上
記抵抗ラダー回路50と容量C5の分圧により、端子3
5には±VLSB/2の変動が現れ、比較動作が行なわれ
る。Next, the comparison period (SCK = "L", RCK
= "H", RCK2 = "H"), the voltage dividing terminal 49 (address signals A2, A1, A0) based on the previous comparison result.
= 1, 1, 1) or the voltage dividing terminal 41 (address signal A2,
A1, A0 = 0, 0, 0) is selected. At this time, due to the voltage division of the resistor ladder circuit 50 and the capacitor C5, the terminal 3
5 has a variation of ± VLSB / 2, and the comparison operation is performed.
【0049】下位から2ビット目の比較期間には、分圧
端子47(又は分圧端子43)が選択され、+VLSB/4
(又は−VLSB/4)の変動が現れ、最下位ビット比較時
には、分圧端子46(又は分圧端子44)が選択され、+
VLSB/8(又は−VLSB/8)の変動が現れる。そこで、
これらの変動がD/A変換回路出力VDA に加算され、
未知入力信号電圧VINと比較されてA/D変換動作が得
られることになる。In the comparison period of the second bit from the lower order, the voltage dividing terminal 47 (or the voltage dividing terminal 43) is selected, and + V LSB / 4
(Or −V LSB / 4) appears, and at the time of the least significant bit comparison, the voltage dividing terminal 46 (or the voltage dividing terminal 44) is selected.
Fluctuation of V LSB / 8 (or -V LSB / 8) appears. Therefore,
These fluctuations are added to the D / A conversion circuit output V DA ,
The A / D conversion operation is obtained by comparison with the unknown input signal voltage V IN .
【0050】従って、この図4の実施例によれば、8ビ
ットのA/D変換器の場合で、単位抵抗(抵抗値R)の本
数が第1のラダー抵抗で36本、第2のラダー抵抗で9
本の計45本で済み、容量素子は2個で済むことにな
る。また、同じ単位抵抗の組合せだけで構成できるの
で、分圧端子の誤差変動を小さくできるという特徴があ
る。なお、このことは、他の実施例でも言えることであ
るが、IC(半導体集積回路装置)でのレイアウト上、同
じ形状の抵抗を繰返し配置して構成できるので、抵抗間
のばらつきや、抵抗比の変動が少なく抑えられることに
よる。Therefore, according to the embodiment of FIG. 4, in the case of an 8-bit A / D converter, the number of unit resistances (resistance values R) is 36 for the first ladder resistor, and 9 in resistance
A total of 45 capacitors is required, and only two capacitors are required. Further, since the configuration can be made only by the combination of the same unit resistors, there is a characteristic that the error fluctuation of the voltage dividing terminal can be reduced. Although this can be said in other embodiments, the layout of ICs (semiconductor integrated circuit devices) can be configured by repeatedly arranging resistors of the same shape. This is because the fluctuations of are suppressed to be small.
【0051】次に、図6は、図4の実施例において、第
2のラダー抵抗回路50を、第1のラダー抵抗回路32
の中央部に並列接続した場合の一実施例で、特許請求の
範囲の請求項4に対応するものであり、従って、構成、
動作は、上記した図4の実施例と同じなので、この図6
では、第1及び第2の抵抗ラダー回路だけを示してあ
る。Next, FIG. 6 shows that the second ladder resistance circuit 50 is replaced with the first ladder resistance circuit 32 in the embodiment of FIG.
This embodiment corresponds to claim 4 of the claims when connected in parallel to the central portion of
The operation is the same as that of the embodiment of FIG.
In FIG. 7, only the first and second resistance ladder circuits are shown.
【0052】従って、この実施例の場合には、図4の実
施例による効果に加えて、接続端子を、レイアウト上、
抵抗バラツキの少ない中央部に設けることができるの
で、精度向上が充分に図れるという特徴がある。これ
は、通常、ICにおいては、抵抗ラダー回路は、拡散層
抵抗、ポリシリコン抵抗などにより生成され、チップ表
面上で特性不均一、歪などのため、抵抗バラツキを有す
るため、チップ上中央に配置されることが多いからであ
る。Therefore, in the case of this embodiment, in addition to the effect of the embodiment of FIG.
Since it can be provided in the central portion where resistance variation is small, there is a feature that accuracy can be sufficiently improved. This is because, in an IC, a resistance ladder circuit is generally generated by a diffusion layer resistance, a polysilicon resistance, and the like, and has a resistance variation due to uneven characteristics and distortion on a chip surface. This is because it is often done.
【0053】さらに、本発明による他の実施例を図7に
示す。この図7の実施例は、特許請求の範囲の請求項1
に対応するもので、図4の実施例において、第2の抵抗
ラダー回路53を、第1の抵抗ラダー回路32の分圧端
子2に直接接続したもので、更に第2のスイッチデコー
ダ回路50と、CMOSスイッチCM5〜CM7と、サ
ンプリング容量C1の容量値に対して、それぞれ1、1
/2、1/4の重みを持つ容量C6、C7、C8を設け
たものであり、従って、この実施例では、分圧端子2か
ら接地側を見込んだラダー抵抗回路が抵抗値3Rの並列
回路で形成されることになり、この結果、端子71と7
2間の電圧と、端子71と70間の電圧は、それぞれ+
VLSB/2、−VLSB/2となる。FIG. 7 shows another embodiment of the present invention. Embodiment of the FIG. 7, claim 1 of the appended claims
In the embodiment of FIG. 4, the second resistor ladder circuit 53 is directly connected to the voltage dividing terminal 2 of the first resistor ladder circuit 32. , CMOS switches CM5 to CM7 and the capacitance value of sampling capacitor C1,
The capacitors C6, C7, and C8 having weights of / and 1 / are provided. Therefore, in this embodiment, a ladder resistance circuit that sees the ground side from the voltage dividing terminal 2 is a parallel circuit having a resistance value of 3R. And as a result, the terminals 71 and 7
2 and the voltage between terminals 71 and 70 are +
VLSB / 2 and -VLSB / 2.
【0054】また、第2のスイッチデコーダ回路50
は、9個のNMOSトランジスタNM11〜NM19と
アドレスデコーダ69で構成され、下位アドレス信号A
0〜A2の組合せによって、該アドレスデコーダ69か
ら出力信号群73が上記NMOSトランジスタNM11
〜NM19のゲートに入力され、これにより任意の3組
のNMOSスイッチがオン状態となる。そして、サンプ
リング期間は、NMOSトランジスタNM12、NM1
5、MN18がオン状態となり、分圧端子71の電圧が
出力端子101、102、103から出力される。The second switch decoder circuit 50
Is composed of nine NMOS transistors NM11 to NM19 and an address decoder 69.
According to the combination of 0 to A2, the output signal group 73 from the address decoder 69 is output from the NMOS transistor NM11.
To NM19, thereby turning on any three sets of NMOS switches. In the sampling period, the NMOS transistors NM12 and NM1
5. The MN 18 is turned on, and the voltage of the voltage dividing terminal 71 is output from the output terminals 101, 102, and 103.
【0055】ところで、この実施例でも、上位5ビット
の逐次比較動作は、前述の各実施例と同じであるので、
以下、下位3ビットの逐次比較動作について説明する。
比較期間には、前回の比較結果によって分圧端子72、
又は分圧端子70が選択出力され、重み付け容量によっ
て分圧され、入力電圧VINとの逐次比較動作が行われ
る。すなわち、第2の抵抗ラダー回路53によって発生
された電圧VLSB/2を重み付け容量C6、C7、C8
によって分圧し、それぞれ±VLSB/2、±VLSB/4、
±VLSB/8の分解能で端子35に伝達するのである。By the way, also in this embodiment, the successive approximation operation of the upper 5 bits is the same as in each of the above-described embodiments.
Hereinafter, the successive approximation operation of the lower three bits will be described.
During the comparison period, the voltage dividing terminal 72,
Alternatively, the voltage dividing terminal 70 is selectively output, divided by the weighting capacitor, and successively compared with the input voltage V IN . That is, the voltage V LSB / 2 generated by the second resistance ladder circuit 53 is added to the weighting capacitors C6, C7, C8.
Divided by ± VLSB / 2, ± VLSB / 4,
The signal is transmitted to the terminal 35 with a resolution of ± V LSB / 8.
【0056】従って、この実施例によれば、単位抵抗
(抵抗値R)の本数が36本で、容量素子が4個で済むの
で(8ビットの場合)、小型化が充分に図れる。Therefore, according to this embodiment, the unit resistance
Since the number of (resistance value R) is 36 and only four capacitance elements are required (in the case of 8 bits), the size can be sufficiently reduced.
【0057】次に、図8は、本発明の更に別の一実施例
で、この実施例は特許請求の範囲の請求項5に対応した
ものであり、図3の実施例において、差動増幅器による
第2の基準電圧トリミング回路を付加したものである。FIG. 8 shows still another embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to claim 5 of the present invention. In the embodiment shown in FIG. In which a second reference voltage trimming circuit is added.
【0058】そして、この実施例で特に注目すべきとこ
ろは、非反転型差動増幅器76と第2の抵抗ラダー回路
53、第2のスイッチデコーダ回路50、第3のスイッ
チデコーダ回路74、選択CMOSスイッチCM8、C
M9、それにサンプリング容量C1、重み付け容量C9
の各部からなる構成である。What is particularly noteworthy in this embodiment is that the non-inverting differential amplifier 76, the second resistor ladder circuit 53, the second switch decoder circuit 50, the third switch decoder circuit 74, the selected CMOS Switch CM8, C
M9, the sampling capacity C1, and the weighting capacity C9
It is a configuration composed of each part of the above.
【0059】まず、第2の抵抗ラダー回路53は、中間
分圧端子付近に4個の単位抵抗からなる抵抗列(抵抗値
4R)を4列並列に接続して、トリミング用の分圧電圧
端子78〜82が得られるように構成してあり、これに
より、出力端子77の電圧として、第2の基準電圧V
REF2に対して1/8×1/4=1/32の精度でトリミ
ングした電圧を取り出すことができるようにしてある。First, the second resistor ladder circuit 53 connects a resistor string (resistance value 4R) composed of four unit resistors in parallel near the intermediate voltage dividing terminal to a divided voltage terminal for trimming. 78 to 82 are obtained, so that the second reference voltage V
A voltage trimmed with a precision of 1/8 × 1 / = 1/32 with respect to REF2 can be taken out.
【0060】次に、差動増幅器76には、第2の抵抗ラ
ダー回路53と、第3のスイッチデコーダ回路74を介
して負帰還が作用するようになっており、これにより端
子77の電圧が、第1の抵抗ラダー回路32の分圧端子
1の電圧値に等しくなるよう制御されるようになってい
る。Next, a negative feedback acts on the differential amplifier 76 via the second resistance ladder circuit 53 and the third switch decoder circuit 74, whereby the voltage at the terminal 77 is reduced. , And is controlled to be equal to the voltage value of the voltage dividing terminal 1 of the first resistance ladder circuit 32.
【0061】ここで、上記したように、第2の基準電圧
VREF2は、トリミング用アドレス信号75により調整で
きるようになっており、これにより、この電圧VREF2が
所望の第2の基準電圧値にセットされるようにされる。
なお、このアドレス信号75によるトリミング操作は、
端子77の電圧VREF2を外部でモニターしながら行われ
ることになる。[0061] Here, as described above, the second reference voltage V REF2 is adapted to be adjusted by trimming the address signal 75, thereby, the second reference voltage value this voltage V REF2 is desired Is set to.
The trimming operation using the address signal 75 is performed as follows.
This is performed while monitoring the voltage VREF2 of the terminal 77 externally.
【0062】下位3ビットの逐次比較動作において、サ
ンプリング期間はクロックDCK1=“H”で、CMO
SスイッチCM9がオン状態となり、容量C9のD/A
変換回路側の端子は接地電位に固定される。次に、比較
期間には、クロックDCK2=“H”、RCK=“H”
となり、CMOSスイッチCM2、CM8がオン状態に
切換わって比較動作が行なわれる。なお、他の動作は前
出の図3の実施例と同じなので、説明は割愛する。In the successive approximation operation of the lower 3 bits, the sampling period is the clock DCK1 = “H” and the CMO
The S switch CM9 is turned on, and the D / A of the capacitor C9 is
The terminal on the conversion circuit side is fixed to the ground potential. Next, during the comparison period, the clocks DCK2 = “H” and RCK = “H”
Then, the CMOS switches CM2 and CM8 are turned on to perform the comparison operation. The other operations are the same as those in the above-described embodiment of FIG.
【0063】この実施例によれば、素子数が少なくて済
む上、第2の基準電圧を外部からトリミングする機能を
有するので、高い精度を容易に得ることができるという
特徴がある。また、この実施例では、トリミング用の可
変抵抗が第2の抵抗ラダー回路を兼用するので、小型化
が得られる。According to this embodiment, the number of elements can be reduced, and the function of trimming the second reference voltage from the outside can be easily obtained. Further, in this embodiment, since the variable resistor for trimming also serves as the second resistor ladder circuit, the size can be reduced.
【0064】なお、以上の実施例において、単位抵抗列
の並列回路は、各並列回路の対応分圧端子同志を接続し
てもよいことは明らかである(等価分圧比は変わらな
い)。In the above embodiment, it is apparent that the parallel circuits of the unit resistance row may connect the corresponding voltage dividing terminals of the respective parallel circuits (the equivalent voltage dividing ratio does not change).
【0065】ところで、本発明によれば、以上の実施例
から明らかなように、高精度で、しかも小型のA/D変
換器が容易に得られる。一方、マイクロコンピュータで
は、その利用に際して、A/D変換器を必要とする場合
が多い。そこで、この本発明によるA/D変換器をマイ
クロコンピュータと同じLSIに搭載してやれば、小型
で高性能のマイクロコンピュータを容易に得ることがで
きる。According to the present invention, a high-precision and small-sized A / D converter can be easily obtained as is clear from the above embodiments. On the other hand, microcomputers often require an A / D converter when used. Therefore, if the A / D converter according to the present invention is mounted on the same LSI as the microcomputer, a small-sized and high-performance microcomputer can be easily obtained.
【0066】[0066]
【発明の効果】本発明によれば、精度を低下させること
なく、抵抗ラダーと重み付け容量の数を抑えることがで
きるので、回路規模を小さくすることができ、従って、
IC化に際して、A/D変換器モジュールか占有する面
積を低減でき、チップ取得数を増加させることができる
ので、ローコストで高精度のA/D変換器を提供するこ
とができる。According to the present invention, the number of resistor ladders and weighting capacitors can be reduced without lowering the accuracy, so that the circuit scale can be reduced.
When an IC is used, the area occupied by the A / D converter module can be reduced, and the number of obtained chips can be increased. Therefore, a low-cost, high-precision A / D converter can be provided.
【0067】また、本発明によれば、抵抗ラダーを単位
等抵抗の繰返しレイアウトで構成することができるか
ら、高精度を容易に得ることができる。Further, according to the present invention, since the resistance ladder can be constituted by a repetitive layout of unit resistances, high precision can be easily obtained.
【0068】さらに、本発明によれば、任意にトリミン
グすることができるから、高精度のA/D変換器を容易
に実現することができる。Further, according to the present invention, since trimming can be performed arbitrarily, a high-precision A / D converter can be easily realized.
【図1】本発明によるA/D変換器の第1の実施例を示
す回路構成図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an A / D converter according to the present invention.
【図2】本発明の実施例におけるスイッチデコーダ回路
の例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a switch decoder circuit according to the embodiment of the present invention.
【図3】本発明によるA/D変換器の第2二の実施例を
示すA/D変換器の回路構成図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an A / D converter according to a second embodiment of the A / D converter according to the present invention.
【図4】本発明によるA/D変換器の第3の実施例を示
す回路構成図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the A / D converter according to the present invention.
【図5】本発明の実施例におけるスイッチデコーダ回路
の他の例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of the switch decoder circuit in the embodiment of the present invention.
【図6】本発明によるA/D変換器の第4の実施例を示
す回路構成図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the A / D converter according to the present invention.
【図7】本発明によるA/D変換器の第5の実施例を示
す回路構成図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the A / D converter according to the present invention.
【図8】本発明によるA/D変換器の第6の実施例を示
す回路構成図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the A / D converter according to the present invention.
【図9】A/D変換器の従来例を示す回路構成図であ
る。FIG. 9 is a circuit configuration diagram showing a conventional example of an A / D converter.
32 第1の抵抗ラダー回路 33 第1のスイッチデコーダ回路 34 インバータゲート 50 第2のスイッチデコーダ回路 53 第2の抵抗ラダー回路 54、76 非反転型差動増幅器 74 第3のスイッチデコーダ回路 CM1〜CM9、CM21、CM22、CM23、CM
31、CM32、CM33、CM41、CM42、CM
43 CMOSスイッチ C1〜C9…容量素子(コンデンサ) R0〜R31 第1の抵抗ラダー回路を構成する抵抗素
子 R200〜R207、RT0〜RT11…第2の抵抗ラ
ダー回路を構成する抵抗素子 NM1〜NM19 NMOSスイッチ PM1 PMOSスイッチ32 first resistor ladder circuit 33 first switch decoder circuit 34 inverter gate 50 second switch decoder circuit 53 second resistor ladder circuit 54, 76 non-inverting differential amplifier 74 third switch decoder circuit CM1 to CM9 , CM21, CM22, CM23, CM
31, CM32, CM33, CM41, CM42, CM
43 CMOS switches C1 to C9 Capacitance elements (capacitors) R0 to R31 Resistance elements R200 to R207 forming a first resistance ladder circuit, RT0 to RT11 Resistance elements forming a second resistance ladder circuit NM1 to NM19 NMOS switches PM1 PMOS switch
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−133424(JP,A) 特開 昭60−132422(JP,A) 特開 昭62−94024(JP,A) 実開 昭60−103941(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03M 1/00 - 1/88 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-133424 (JP, A) JP-A-60-132422 (JP, A) JP-A-62-94024 (JP, A) 103941 (JP, U) (58) Fields studied (Int. Cl. 7 , DB name) H03M 1/00-1/88
Claims (6)
路の出力とアナログ入力電圧をそれぞれ一方と他方の入
力とするコンパレータとを備え、該コンパレータの出力
に応じて上記比較電圧生成回路の出力電圧を逐次切換え
る方式の逐次比較型アナログ・ディジタル変換器におい
て、 上記比較電圧生成回路を、 基準電圧を分割して複数の分圧電圧を生成する等抵抗分
圧回路と、 該等抵抗分圧回路の分圧電圧を上記コンパレータの出力
に応じて選択し出力する第1のスイッチデコーダ回路
と、 該第1のスイッチデコーダ回路の出力と上記コンパレー
タの一方の入力の間に接続されたサンプリング容量素子
と、 上記等抵抗分圧回路の分圧電圧の一部を更に分圧する抵
抗ラダー回路と、 該抵抗ラダー回路の分圧電圧を上記コンパレータの出力
に応じて選択し出力する第2のスイッチデコーダ回路
と、 該第2のスイッチデコーダ回路の出力を上記サンプリン
グ容量素子の電圧に加減算する重み付け容量素子群とで
構成し、 上記第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧を比較電圧
とする上位ビットグループの逐次比較動作と、第2のス
イッチデコーダ回路の出力電圧を上記重み付け容量素子
群を介して上記第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧
に加減算した電圧を比較電圧とする下位ビットグループ
の逐次比較動作とを順次行なうように構成したことを特
徴とするアナログ・ディジタル変換器。1. A comparison voltage generation circuit, comprising: a comparator which uses the output of the comparison voltage generation circuit and an analog input voltage as one input and the other input, respectively, and outputs the output of the comparison voltage generation circuit in accordance with the output of the comparator In a successive approximation type analog-to-digital converter of a method of successively switching voltages, the comparison voltage generation circuit is divided into a reference voltage to generate a plurality of divided voltages; A first switch decoder circuit for selecting and outputting the divided voltage according to the output of the comparator; a sampling capacitor connected between the output of the first switch decoder circuit and one input of the comparator; A resistor ladder circuit for further dividing a part of the divided voltage of the equal resistance voltage dividing circuit, and a divided voltage of the resistor ladder circuit corresponding to the output of the comparator. A second switch decoder circuit for selecting and outputting the same, and a weighting capacitance element group for adding / subtracting the output of the second switch decoder circuit to / from the voltage of the sampling capacitance element. A successive approximation operation of the upper bit group using the output voltage as a comparison voltage is compared with a voltage obtained by adding / subtracting the output voltage of the second switch decoder circuit to / from the output voltage of the first switch decoder circuit via the weighted capacitance element group. An analog-to-digital converter configured to sequentially perform a successive approximation operation of a lower bit group as a voltage.
路の出力とアナログ入力電圧をそれぞれ一方と他方の入
力とするコンパレータとを備え、該コンパレータの出力
に応じて上記比較電圧生成回路の出力を逐次切換える方
式の逐次比較型アナログ・ディジタル変換器において、 上記比較電圧生成回路を、 基準電圧を分割して複数の分圧電圧を生成する第1の抵
抗分圧回路と、 該第1の抵抗分圧回路の第1の分圧電圧を上記コンパレ
ータの出力に応じて選択し出力する第1のスイッチデコ
ーダ回路と、 上記第1の抵抗分圧回路の分圧電圧の一部を第2の基準
電圧とし、この第2の基準電圧を分割して複数の第2の
分圧電圧を生成する第2の抵抗分圧回路と、 該第2の抵抗分圧回路の分圧電圧を上記コンパレータの
出力に応じて選択し出力する第2のスイッチデコーダ回
路とで構成し、 上記第1のスイッチデコーダ回路の出力電圧を比較電圧
とする上位ビットグループの逐次比較動作と、上記第1
のスイッチデコーダ回路の出力電圧に上記第2の電圧分
圧回路の出力電圧を加減算した電圧を比較電圧とする下
位ビットグループの逐次比較動作とを順次行なうように
構成したことを特徴とするアナログ・ディジタル変換
器。2. A comparison voltage generation circuit comprising: a comparison voltage generation circuit; and a comparator having an output of the comparison voltage generation circuit and an analog input voltage as one input and the other input, respectively, and an output of the comparison voltage generation circuit according to an output of the comparator. A successive approximation type analog / digital converter of a system for successively switching between a reference voltage generating circuit and a first resistor voltage dividing circuit for dividing a reference voltage to generate a plurality of divided voltages; A first switch decoder circuit for selecting and outputting a first divided voltage of the voltage dividing circuit in accordance with an output of the comparator; and a second reference for dividing a part of the divided voltage of the first resistive voltage dividing circuit into a second reference A second resistor voltage dividing circuit that divides the second reference voltage to generate a plurality of second divided voltages; and outputs the divided voltage of the second resistor voltage dividing circuit to the output of the comparator. Select and output according to Composed of a second switch decoder circuit, the successive comparison operation of the upper bit group that comparison voltage the output voltage of the first switching decoder circuit, the first
And a successive approximation operation of a lower bit group using a voltage obtained by adding or subtracting the output voltage of the second voltage divider circuit to or from the output voltage of the switch decoder circuit as a comparison voltage. Digital converter.
準電圧は、バッファ増幅器を介して、上記第1の抵抗分
圧回路の分圧電圧の一部から上記第2の抵抗分圧回路に
供給されるように構成されていることを特徴とするアナ
ログ・ディジタル変換器。3. The voltage dividing circuit according to claim 2, wherein the second reference voltage is converted from a part of the divided voltage of the first resistor voltage dividing circuit via a buffer amplifier to the second resistor voltage dividing circuit. An analog-to-digital converter configured to be supplied to
準電圧は、上記第1の抵抗分圧回路の中央部近傍の両側
にある2個の分圧端子に上記第2の抵抗分圧回路の両端
子を並列に接続することにより、該第2の抵抗分圧回路
に供給されるように構成されていることを特徴とするア
ナログ・ディジタル変換器。4. The voltage dividing circuit according to claim 2, wherein the second reference voltage is supplied to two voltage dividing terminals on both sides near a center of the first resistor voltage dividing circuit. An analog-to-digital converter characterized in that the two terminals of the circuit are connected in parallel so that the two terminals are supplied to the second resistor voltage dividing circuit.
準電圧は、差動増幅器の一方の入力を介して、上記第1
の抵抗分圧回路の分圧電圧の一部から上記第2の抵抗分
圧回路に供給され、上記差動増幅器の他方の入力にはト
リミング電圧が供給されるように構成されていることを
特徴とするアナログ・ディジタル変換器。5. The invention according to claim 2, wherein the second reference voltage is supplied to the first reference voltage via one input of a differential amplifier.
And a trimming voltage is supplied to the other input of the differential amplifier from a part of the divided voltage of the resistor voltage dividing circuit. Analog-to-digital converter.
タル変換器を搭載したことを特徴とするマイクロコンピ
ュータ。6. A microcomputer comprising the analog / digital converter according to claim 1.
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