JP3103349B2 - Rectifier and power supply - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、整流器及び電源
装置に関し、特に、負荷以外が消費する電力による損失
が少ない整流器及び電源装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rectifier and a power supply, and more particularly, to a rectifier and a power supply that cause less loss due to power consumed by components other than a load.
【0002】[0002]
【従来の技術】交流を整流して直流を得る場合におい
て、整流素子による不要な電力消費を抑えたり、高電圧
の整流を実現したりするために、トランジスタの電流路
を断続して整流する技術が用いられている。トランジス
タを用いて整流を行う場合は、トランジスタが、整流す
る対象の電圧の印加を検知したり、負荷への電流の流入
を検知したりすることにより、トランジスタの電流路の
オン及びオフのタイミングが決定されている。2. Description of the Related Art In the case of obtaining a direct current by rectifying an alternating current, in order to suppress unnecessary power consumption by a rectifying element and to realize high-voltage rectification, a technique of intermittently rectifying a current path of a transistor. Is used. When rectification is performed using a transistor, the transistor detects the application of a voltage to be rectified or detects the inflow of current into a load, thereby turning on and off the timing of the current path of the transistor. Has been determined.
【0003】整流する対象の電圧が印加されたことを検
知するには、コンパレータや演算増幅器を用いる手法が
ある。また、負荷への電流の流入を検知する手法として
は、電流トランスを用いる手法や、抵抗器を用いる手法
がある。電流トランスを用いる手法では、負荷への電流
供給路に電流トランスの1次巻線を挿入して、該電流ト
ランスの二次巻線から、負荷に流れる電流に比例した大
きさの信号を取り出す。また、抵抗器を用いる手法で
は、負荷への電流供給路に抵抗器を挿入し、該抵抗器の
両端間の電圧を計測することによって負荷に流れる電流
を検出する。There is a method using a comparator or an operational amplifier to detect that a voltage to be rectified is applied. As a method for detecting the inflow of current into the load, there are a method using a current transformer and a method using a resistor. In the method using a current transformer, a primary winding of a current transformer is inserted into a current supply path to a load, and a signal having a magnitude proportional to a current flowing to the load is extracted from a secondary winding of the current transformer. In the method using a resistor, a resistor is inserted into a current supply path to a load, and a current flowing through the load is detected by measuring a voltage between both ends of the resistor.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述のいずれの手法に
おいても、コンパレータ、演算増幅器、電流トランスあ
るいは抵抗器は、これら自体が電力を消費するため、損
失が発生する。このため、この損失が無視し得る範囲内
に止まるようにするため、電流トランスの消費電力を十
分に小さくしたり、抵抗器の抵抗値を十分小さくする必
要がある。In any of the above-described methods, the comparator, the operational amplifier, the current transformer, or the resistor consumes power by itself, so that a loss occurs. Therefore, in order to keep this loss within a negligible range, it is necessary to sufficiently reduce the power consumption of the current transformer and the resistance value of the resistor.
【0005】しかし、電流トランスの感度を高めるため
には、電流トランスの二次巻線の巻数を増やす必要があ
り、電流トランスの二次巻線の巻数が増大すると、二次
トランス自体による電力の損失が増加する。また、負荷
への電流供給路に挿入された抵抗器の両端間の電圧は、
この抵抗器の抵抗値の大きさに比例して増大する。しか
し、この抵抗器による損失も、抵抗値が大きくなるほど
増大する。However, in order to increase the sensitivity of the current transformer, it is necessary to increase the number of turns of the secondary winding of the current transformer. When the number of turns of the secondary winding of the current transformer increases, the power of the secondary transformer itself is reduced. Loss increases. Also, the voltage across the resistor inserted in the current supply path to the load is
It increases in proportion to the resistance value of this resistor. However, the loss due to this resistor also increases as the resistance value increases.
【0006】また、電流トランスは、電源からみて誘導
性負荷として作用するため、電流トランスの二次巻線に
現れる電圧の位相は、電源から供給される電圧の位相と
異なる値となる。そして、この位相のずれは、負荷のイ
ンピーダンスや電源から供給される電圧の周波数に依存
して変化する。このため、電流トランスの二次巻線に現
れる電圧を用いて、整流を行うトランジスタのオン及び
オフのタイミングを決定することはきわめて困難であ
る。Further, since the current transformer acts as an inductive load from the viewpoint of the power supply, the phase of the voltage appearing on the secondary winding of the current transformer has a value different from the phase of the voltage supplied from the power supply. This phase shift changes depending on the impedance of the load and the frequency of the voltage supplied from the power supply. For this reason, it is extremely difficult to determine the ON and OFF timings of the rectifying transistor using the voltage appearing on the secondary winding of the current transformer.
【0007】また、コンパレータや演算増幅器の入力端
は、トランジスタの制御端(すなわち、バイポーラトラ
ンジスタのベースや、電界効果トランジスタのゲート)
に接続されている。トランジスタの制御端は耐圧が小さ
く、整流する対象の電圧が瞬間的にこのトランジスタの
耐圧の定格を超える等の原因で、容易に破壊に至る。The input terminal of the comparator or the operational amplifier is connected to the control terminal of the transistor (ie, the base of the bipolar transistor or the gate of the field effect transistor).
It is connected to the. The control end of the transistor has a low withstand voltage, and the voltage to be rectified instantaneously exceeds the withstand voltage rating of the transistor, and is easily destroyed.
【0008】また、バイポーラトランジスタを整流に用
いる場合、バイポーラトランジスタの電流路(すなわ
ち、エミッタ−コレクタ間)のオン抵抗の値を十分に低
くするためには、バイポーラトランジスタのベースに十
分なベース電流を流す必要がある。しかし、ベース電流
を増大させるほど、バイポーラトランジスタ自身による
損失もまた増大する。When a bipolar transistor is used for rectification, a sufficient base current must be supplied to the base of the bipolar transistor in order to sufficiently reduce the value of the on-resistance of the current path (that is, between the emitter and the collector) of the bipolar transistor. Need to shed. However, as the base current increases, the loss due to the bipolar transistor itself also increases.
【0009】この発明は、上述した事情に鑑みてなされ
たもので、損失が少なく、耐圧が大きい整流器及び電源
装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a rectifier and a power supply device having a small loss and a high withstand voltage.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第1の観点に係る整流器は、基準電位を
発生する基準電位源と、第1の電流路を備え、前記第1
の電流路の一端の電位及び前記基準電位の電位差を検知
し、検知した結果に従って、前記第1の電流路を断続制
御する第1の電流路制御素子と、前記第1の電流路に直
列に接続された第1の負荷と、第2の電流路を備え、前
記第1の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを検
知し、検知した結果に従って、前記第2の電流路を断続
制御する第2の電流路制御素子と、前記第2の電流路に
直列に接続された第2の負荷と、第3の電流路を備え、
前記第2の負荷の両端間に発生した電圧降下の大きさを
検知し、検知した結果に従って、前記第3の電流路を断
続制御する第3の電流路制御素子と、を備え、前記第1
の電流路の前記一端は前記第3の電流路の一端に接続さ
れており、前記基準電位源は、前記第3の電流路の他端
の電位を検出する検出手段と、前記検出手段が検出した
電位に基づいて、前記第1の電流路制御素子が、前記第
3の電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電
圧が印加されたとき前記第1の電流路を実質的に導通さ
せるように前記基準電位を決定し、決定した前記基準電
位を発生する手段と、を備え、前記第2及び第3の電流
路制御素子は、前記第1の電流路に電流が流れたとき、
前記第3の電流路を実質的に導通させるように、前記第
2及び第3の電流路を断続制御する、ことを特徴とす
る。In order to achieve the above object, a rectifier according to a first aspect of the present invention includes a reference potential source for generating a reference potential, a first current path, and a first current path.
A first current path control element that detects the potential difference between one end of the current path and the reference potential, and controls the intermittent control of the first current path in accordance with the detected result; and a serial connection to the first current path. A first load connected thereto, and a second current path, wherein the magnitude of a voltage drop generated between both ends of the first load is detected, and the second current path is intermittently connected according to the detected result. A second current path control element to be controlled, a second load connected in series to the second current path, and a third current path,
A third current path control element configured to detect a magnitude of a voltage drop generated between both ends of the second load, and to perform intermittent control of the third current path in accordance with a result of the detection;
The one end of the current path is connected to one end of the third current path, and the reference potential source detects a potential at the other end of the third current path; The first current path control element causes the first current path control element to substantially switch the first current path when a voltage is applied across both ends of the third current path in a direction in which a current flows in a predetermined direction. Means for determining the reference potential so as to conduct the current, and means for generating the determined reference potential, wherein the second and third current path control elements allow a current to flow through the first current path. When
The second and third current paths are intermittently controlled so that the third current path is substantially conducted.
【0011】このような整流器によれば、整流する対象
の電圧の検知は、その電圧が両端に印加された第3の電
流路の一端の電位と基準電位との電位差を検知すること
により行われる。そして、第3の電流路がオフしている
場合は、第1及び第2の負荷には実質的に電流が流れな
い。このため、このような整流器の損失は少ない。ま
た、このような整流器によれば、整流する対象の電圧の
検知は、コンパレータや演算増幅器によらず、耐圧が高
いトランジスタ、抵抗器や定電流ダイオード等から構成
される第1の電流路制御素子や基準電位源を用いて行わ
れるので、耐圧も大きくなる。According to such a rectifier, the detection of the voltage to be rectified is performed by detecting the potential difference between one end of the third current path applied to both ends of the voltage and the reference potential. . When the third current path is off, substantially no current flows through the first and second loads. Therefore, the loss of such a rectifier is small. According to such a rectifier, the voltage to be rectified is detected by a first current path control element including a transistor, a resistor, a constant current diode, and the like having a high withstand voltage without using a comparator or an operational amplifier. Or with a reference potential source, the breakdown voltage is also increased.
【0012】前記第1、第2及び第3の電流路制御素子
は、各自が検知した電圧降下の大きさに従って前記電流
路のインピーダンスを連続的に変化させる連続制御手段
を備え、各前記連続制御手段は、前記第3の電流路制御
素子の電流路の両端間に流れる電流が増大したとき、前
記第3の電流路制御素子の電流路のインピーダンスが減
少するように、前記第1、第2及び第3の電流路制御素
子の各前記電流路のインピーダンスを変化させる もの
であってもよい。これにより、第3の電流路に流れる電
流が増大したときも、第3の電流路がより飽和状態に近
くなることにより、第3の電流路による損失の増大が防
止される。[0012] The first, second and third current path control device is provided with a continuous control means for continuously changing the impedance of the current path according to the magnitude of the voltage drop their senses, each of said successive control The means includes means for reducing the impedance of the current path of the third current path control element such that when the current flowing between both ends of the current path of the third current path control element increases, the impedance of the current path of the third current path control element decreases . And third current path control element
The impedance of each current path of the child may be changed. Thus, even when the current flowing through the third current path increases, the third current path becomes closer to the saturation state, thereby preventing an increase in loss due to the third current path.
【0013】前記第1、第2及び第3の電流路制御素子
の各前記連続制御手段は、例えば、制御端を備え、各自
の電流路のいずれかの端と前記制御端との間の電圧を検
知し、検知した結果に従って、各自の前記電流路のイン
ピーダンスを変化させるものであってもよい。この場
合、例えば、前記基準電位源は前記基準電位を前記第1
の電流路制御素子の制御端に供給し、前記第1の負荷は
前記第2の電流路制御素子の電流路の一端と制御端との
間に接続されており、前記第2の負荷は前記第3の電流
路制御素子の電流路の一端と制御端との間に接続されて
いるものとすればよい。The first, second and third current path control elements
Each of the continuous control means has, for example, a control terminal, detects a voltage between any one end of the current path of the respective one and the control terminal, and, according to the detected result, sets the impedance of the current path of the respective one. It may be changed. In this case, for example, the reference potential source supplies the reference potential to the first
And the first load is connected between one end of a current path of the second current path control element and the control end, and the second load is connected to the control end of the current path control element. What is necessary is just to be connected between one end of the current path of the third current path control element and the control end.
【0014】前記整流器は、前記第1の電流路に直列に
接続された第4の電流路と、制御端とを備え、前記第4
の電流路の一端と自己の前記制御端との間の電圧を検知
し、検知した結果に従って、前記第4の電流路のインピ
ーダンスを変化させる第4の電流路制御素子と、前記第
4の電流路の前記一端、及び前記第4の電流路制御素子
の制御端との間に接続された第3の負荷と、を備えても
よい。この場合、前記基準電位源は、電流路を備え、自
己の前記電流路に所定量の電流を流す定電流源と、前記
定電流源の電流路に直列に接続され、一端が前記第3の
電流路の他端に接続された第5の電流路と、前記第5の
電流路の前記他端、前記第1の電流路制御素子の制御端
及び前記第4の電流路制御素子の制御端に接続された制
御端とを備え、前記第5の電流路の前記一端と自己の前
記制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従っ
て、自己の前記電流路のインピーダンスを変化させ、自
己の前記制御端に前記基準電位を発生させる第5の電流
路制御素子と、を備え、前記第4の電流路制御素子は、
前記第4の電流路の両端をなすエミッタ及びコレクタ
と、前記第4の電流路制御素子の制御端をなすベース
と、を備えるバイポーラトランジスタより構成されてお
り、 前記第5の電流路制御素子は、前記第5の電流路の
両端をなすエミッタ及びコレクタと、前記第5の電流路
制御素子の制御端をなすベースと、を備えるバイポーラ
トランジスタより構成されているものであってもよい。
これにより、第4の電流路の両端には、第4の電流路に
流れる電流の増大につれて大きくなるような電圧降下が
発生する。このため、第1及び第2の電流路に電流を流
すための電圧源の電圧を大きくすることが可能となる。
従って、当該電圧源として、このような整流器を用いて
整流する対象の電圧の供給源を流用するなどすれば、別
途電圧源を用意することなく、高電圧の整流が行われ
る。The rectifier includes a fourth current path connected in series with the first current path, and a control terminal.
A fourth current path control element that detects a voltage between one end of the current path of the current path and the control end thereof, and changes the impedance of the fourth current path according to the detected result; A third load connected between the one end of the path and the control end of the fourth current path control element. In this case, the reference potential source includes a current path, and a constant current source that allows a predetermined amount of current to flow through the current path of the reference current source, and a constant current source that is connected in series to a current path of the constant current source .
A fifth current path connected to the other end of the current path, the other end of the fifth current path, a control end of the first current path control element, and the fourth current path control A control end connected to a control end of the element, detecting a voltage between the one end of the fifth current path and the control end of the fifth current path, and detecting an impedance of the current path of the self according to the detected result. is varied, self
Comprising a fifth current path control elements Ru to generate the reference potential to himself the control end, wherein the fourth current path control element,
Emitter and collector at both ends of the fourth current path
And a base forming a control end of the fourth current path control element.
And a bipolar transistor having
Ri, the fifth current path control element of the fifth current path
An emitter and a collector at both ends, and the fifth current path
A base forming a control end of the control element.
It may be composed of a transistor .
As a result, a voltage drop occurs at both ends of the fourth current path such that the voltage drop increases as the current flowing through the fourth current path increases. For this reason, it is possible to increase the voltage of the voltage source for flowing the current through the first and second current paths.
Therefore, if a supply source of a voltage to be rectified using such a rectifier is used as the voltage source, rectification of a high voltage is performed without preparing a separate voltage source.
【0015】前記整流器が、前記第1の電流路に直列に
接続された第4の電流路と、制御端とを備え、前記第4
の電流路の一端と自己の前記制御端との間の電圧を検知
し、検知した結果に従って、前記第4の電流路のインピ
ーダンスを変化させる第4の電流路制御素子を備えてい
る場合、前記基準電位源は、電流路を備え、自己の前記
電流路に所定量の電流を流す定電流源と、前記定電流源
の電流路に直列に接続され、一端が前記第3の電流路の
他端に接続された第5の電流路と、前記第5の電流路の
前記他端、前記第1の電流路制御素子の制御端及び前記
第4の電流路制御素子の制御端に接続された制御端とを
備え、前記第5の電流路の前記一端と自己の前記制御端
との間の電圧を検知し、検知した結果に従って、自己の
前記電流路のインピーダンスを変化させ、自己の前記制
御端に前記基準電位を発生させる第5の電流路制御素子
と、を備え、前記第4の電流路制御素子は、前記第4の
電流路の両端をなすソース及びドレインと、前記第4の
電流路制御素子の制御端をなすゲートと、を備えるディ
プレッション型電界効果トランジスタより構成されてお
り、 前記第5の電流路制御素子は、前記第5の電流路の
両端をなすエミッタ及びコレクタと、前記第5の電流路
制御素子の制御端をなすベースと、を備えるバイポーラ
トランジスタより構成されているものであってもよい。
このような整流器の場合も、第4の電流路の両端には、
第4の電流路に流れる電流の増大につれて大きくなるよ
うな電圧降下が発生する。このため、第1及び第2の電
流路に電流を流すための電圧源の電圧を大きくすること
が可能となる。従って、当該電圧源として、このような
整流器を用いて整流する対象の電圧の供給源を流用する
などすれば、別途電圧源を用意することなく、高電圧の
整流が行われる。The rectifier includes a fourth current path connected in series with the first current path, and a control terminal.
Detecting a voltage between one end of the current path of the current and the control terminal of the self, according to the detection result, a fourth current path control element that changes the impedance of the fourth current path, The reference potential source includes a current path, and a constant current source that allows a predetermined amount of current to flow through the current path of the reference current source. The reference potential source is connected in series to a current path of the constant current source , and has one end connected to the third current path.
A fifth current path connected to the other end, and a fifth current path
The other end, a control end of the first current path control element and a control end connected to the control end of the fourth current path control element, and the one end of the fifth current path and the self detecting the voltage between the control terminal, according to the result detected by changing the impedance of the self-the current path, the self of the system
Comprising a fifth current path control elements Ru to generate the reference potential to the control end, wherein the fourth current path control device, said fourth
A source and a drain forming both ends of the current path;
A gate serving as a control end of the current path control element.
It consists of a compression type field effect transistor.
Ri, the fifth current path control element of the fifth current path
An emitter and a collector at both ends, and the fifth current path
A base forming a control end of the control element.
It may be composed of a transistor .
In the case of such a rectifier as well, at both ends of the fourth current path,
A voltage drop that increases as the current flowing through the fourth current path increases. For this reason, it is possible to increase the voltage of the voltage source for flowing the current through the first and second current paths. Therefore, if a supply source of a voltage to be rectified using such a rectifier is used as the voltage source, rectification of a high voltage is performed without preparing a separate voltage source.
【0016】[0016]
【0017】前記第1乃至第3の電流路制御素子のうち
少なくとも1つは、例えば、ベースから構成される前記
制御端と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流
路とを備えるバイポーラトランジスタから構成される。At least one of the first to third current path control elements comprises, for example, a bipolar transistor having the control terminal composed of a base and the current path having both ends of an emitter and a collector. Is done.
【0018】前記第1乃至第3の電流路制御素子のうち
少なくとも1つは、例えば、ゲートから構成される前記
制御端と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路
とを備える電界効果トランジスタから構成される。[0018] At least one of the first to third current path control elements is, for example, a field effect transistor including the control terminal composed of a gate and the current path having both ends of a source and a drain. Be composed.
【0019】また、この発明の第2の観点に係る電源装
置は、単相交流電圧を整流して整流電圧を出力する電源
装置であって、基準電位を発生する基準電位源と、第1
の電流路を備え、前記第1の電流路の一端の電位及び前
記基準電位の電位差を検知し、検知した結果に従って、
前記第1の電流路を断続制御する第1の電流路制御素子
と、一端が前記第1の電流路の他端に接続された第1の
負荷と、第2の電流路を備え、前記第1の負荷の両端間
に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に
従って、前記第2の電流路を断続制御する第2の電流路
制御素子と、前記第2の電流路に直列に接続された第2
の負荷と、第3の電流路を備え、前記第2の負荷の両端
間に発生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果
に従って、前記第3の電流路を断続制御する第3の電流
路制御素子と、を備え、前記第1の電流路の前記一端は
前記第3の電流路の一端に接続されており、前記第2の
電流路及び前記第2の負荷が形成する直列回路の一端
は、前記第3の電流路の他端に接続されており、前記第
1の負荷の他端は、前記第2の電流路及び前記第2の負
荷が形成する直列回路の他端に接続されており、前記基
準電位源は、前記第3の電流路の他端の電位を検出する
検出手段と、前記検出手段が検出した電位に基づいて、
前記第1の電流路制御素子が、前記第3の電流路の両端
間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が印加されたと
き前記第1の電流路を実質的に導通させるように前記基
準電位を決定し、決定した前記基準電位を発生する手段
と、を備え、前記第2及び第3の電流路制御素子は、前
記第1の電流路に電流が流れたとき、前記第3の電流路
を実質的に導通させるように、前記第2及び第3の電流
路を断続制御するものであり、前記第2の電流路及び前
記第2の負荷が形成する前記直列回路の他端と、前記第
3の電流路の前記一端との間に整流する対象の単相交流
電圧が印加されたとき、前記第2の電流路及び前記第2
の負荷が形成する前記直列回路の前記一端と、前記第3
の電流路の前記他端との間に整流電圧を出力する、こと
を特徴とする。A power supply according to a second aspect of the present invention is a power supply that rectifies a single-phase AC voltage and outputs a rectified voltage, comprising: a reference potential source for generating a reference potential;
Of the first current path, and the potential difference between the one end of the first current path and the reference potential is detected, and according to the detected result,
A first current path control element for intermittently controlling the first current path, a first load having one end connected to the other end of the first current path, and a second current path; A second current path control element for detecting the magnitude of a voltage drop generated between both ends of the first load and intermittently controlling the second current path in accordance with the detected result; The second connected to
And a third current path, wherein the magnitude of a voltage drop generated between both ends of the second load is detected, and the third current path is intermittently controlled according to the detected result. A current path control element, wherein the one end of the first current path is connected to one end of the third current path, and a series circuit formed by the second current path and the second load Is connected to the other end of the third current path, and the other end of the first load is connected to the other end of a series circuit formed by the second current path and the second load. Connected, the reference potential source is configured to detect a potential at the other end of the third current path, and a potential detected by the detection means,
The first current path control element is configured to substantially conduct the first current path when a voltage for flowing a current in a predetermined direction is applied between both ends of the third current path. Means for determining a reference potential and generating the determined reference potential, wherein the second and third current path control elements are configured to output the third current path when the current flows through the first current path. The second and third current paths are intermittently controlled so as to substantially conduct the current path, and the other end of the series circuit formed by the second current path and the second load is provided. When a single-phase AC voltage to be rectified is applied between the one end of the third current path and the one end of the third current path, the second current path and the second
The one end of the series circuit formed by the load of
And outputting a rectified voltage between the current path and the other end of the current path.
【0020】このような電源装置によれば、整流する対
象の単相交流電圧の検知は、その単相交流電圧が印加さ
れた第3の電流路の一端の電位と基準電位との電位差を
検知することにより行われる。そして、第3の電流路が
オフしている場合は、第1及び第2の負荷には実質的に
電流が流れない。このため、このような電源装置の損失
は少ない。また、このような電源装置によれば、整流す
る対象の単相交流電圧の検知は、コンパレータや演算増
幅器によらず、耐圧が高いトランジスタ、抵抗器や定電
流ダイオード等から構成される第1の電流路制御素子や
基準電位源を用いて行われるので、耐圧も大きくなる。According to such a power supply device, the detection of the single-phase AC voltage to be rectified detects the potential difference between one end of the third current path to which the single-phase AC voltage is applied and the reference potential. It is done by doing. When the third current path is off, substantially no current flows through the first and second loads. Therefore, the loss of such a power supply device is small. Further, according to such a power supply device, the detection of the single-phase AC voltage to be rectified is not performed by the comparator or the operational amplifier, but is performed by the first transistor including the high withstand voltage transistor, the resistor, the constant current diode, and the like. Since this is performed using the current path control element and the reference potential source, the withstand voltage increases.
【0021】また、この発明の第3の観点に係る電源装
置は、基準電位を発生する基準電位源と、第1の電流路
を備え、前記第1の電流路の一端の電位及び前記基準電
位の電位差を検知し、検知した結果に従って、前記第1
の電流路を断続制御する第1の電流路制御素子と、一端
が前記第1の電流路の他端に接続された第1の負荷と、
第2の電流路を備え、前記第1の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第2の電流路を断続制御する第2の電流路制御素子
と、前記第2の電流路に直列に接続された第2の負荷
と、第3の電流路を備え、前記第2の負荷の両端間に発
生した電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従っ
て、前記第3の電流路を断続制御する第3の電流路制御
素子と、一端が前記第3の電流路の一端に接続され、他
端が、前記第2の電流路及び前記第2の負荷が形成する
直列回路の一端及び前記第1の負荷の他端に接続された
インダクタと、を備え、前記第1の電流路の前記一端は
前記第3の電流路の前記一端に接続されており、前記直
列回路の他端は、前記第3の電流路の他端に接続されて
おり、前記基準電位源は、前記第3の電流路の他端の電
位を検出する検出手段と、前記検出手段が検出した電位
に基づいて、前記第1の電流路制御素子が、前記第3の
電流路の両端間に所定の方向に電流を流す向きの電圧が
印加されたとき前記第1の電流路を実質的に導通させる
ように前記基準電位を決定し、決定した前記基準電位を
発生する手段と、を備え、前記第2及び第3の電流路制
御素子は、前記第1の電流路に電流が流れたとき、前記
第3の電流路を実質的に導通させるように、前記第2及
び第3の電流路を断続制御するものであり、前記インダ
クタの前記他端と前記第3の電流路の前記他端との間に
外部の負荷が接続され、外部の電圧源から前記第3の電
流路の両端間に入力電圧が印加されたとき、前記外部の
電圧源から前記インダクタに供給される電流を前記外部
の負荷に流し、前記入力電圧の印加が停止されたとき、
前記インダクタが自己誘導する起電力により前記第3の
電流路に流れる電流を前記外部の負荷に流す、ことを特
徴とする。A power supply unit according to a third aspect of the present invention includes a reference potential source for generating a reference potential, a first current path, and a potential at one end of the first current path and the reference potential. And the first voltage is detected according to the detection result.
A first current path control element for intermittently controlling the current path of the first current path; a first load having one end connected to the other end of the first current path;
A second current path for detecting a magnitude of a voltage drop generated between both ends of the first load, and according to a result of the detection,
A second current path control element for intermittently controlling the second current path, a second load connected in series to the second current path, and a third current path; And a third current path control element for intermittently controlling the third current path according to the detection result, and one end of the third current path control element is connected to one end of the third current path. Connected to one end of a series circuit formed by the second current path and the second load, and an inductor connected to the other end of the first load. The one end of the path is connected to the one end of the third current path, the other end of the series circuit is connected to the other end of the third current path, and the reference potential source is Detecting means for detecting the potential at the other end of the third current path; and detecting the potential based on the potential detected by the detecting means. The current path control element sets the reference potential so that the first current path substantially conducts when a voltage for flowing a current in a predetermined direction is applied between both ends of the third current path. Means for determining and determining the determined reference potential, wherein the second and third current path control elements switch the third current path when a current flows through the first current path. The second and third current paths are intermittently controlled so as to substantially conduct, and an external load is applied between the other end of the inductor and the other end of the third current path. Connected, when an input voltage is applied across the third current path from an external voltage source, a current supplied from the external voltage source to the inductor flows to the external load, and the input voltage When the application of
A current flowing through the third current path is caused to flow to the external load by an electromotive force self-induced by the inductor.
【0022】このような電源装置によれば、インダクタ
が発生した起電力の検知は、その起電力により生じた電
圧を両端に印加された第3の電流路の一端の電位と、基
準電位との電位差を検知することにより行われる。そし
て、第3の電流路がオフしている場合は、第1及び第2
の負荷には実質的に電流が流れない。このため、このよ
うな電源装置の損失は少ない。また、このような電源装
置によれば、インダクタが発生した起電力の検知は、コ
ンパレータや演算増幅器によらず、耐圧が高いトランジ
スタ、抵抗器や定電流ダイオード等から構成される第1
の電流路制御素子や基準電位源を用いて行われるので、
耐圧も大きくなる。According to such a power supply device, the detection of the electromotive force generated by the inductor detects the voltage generated by the electromotive force between the potential of one end of the third current path applied to both ends and the reference potential. This is performed by detecting a potential difference. When the third current path is off, the first and second current paths are turned off.
No current substantially flows through the load. Therefore, the loss of such a power supply device is small. Further, according to such a power supply device, the detection of the electromotive force generated by the inductor is not performed by the comparator or the operational amplifier, and is performed by the first transistor including the high withstand voltage transistor, the resistor, the constant current diode, and the like.
Since it is performed using the current path control element and the reference potential source,
The breakdown voltage also increases.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
図面を参照して説明する。 (第1の実施の形態)図1は、この発明の第1の実施の
形態に係る整流器の構成を示す回路図である。図示する
ように、この整流器は、トランジスタQB及びQ1〜Q
3と、抵抗器RB、R1及びR2とより構成されてい
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier according to a first embodiment of the present invention. As shown, the rectifier comprises transistors QB and Q1-Q
3 and resistors RB, R1 and R2.
【0024】トランジスタQB、Q1及びQ3は、NP
N型バイポーラトランジスタから構成され、トランジス
タQ2は、PNP型バイポーラトランジスタから構成さ
れ、トランジスタQB及びQ1〜Q3は、それぞれ、ベ
ース、エミッタ及びコレクタを備える。The transistors QB, Q1 and Q3 are NP
The transistor Q2 is composed of an N-type bipolar transistor, and the transistor Q2 is composed of a PNP-type bipolar transistor. Each of the transistors QB and Q1 to Q3 has a base, an emitter and a collector, respectively.
【0025】トランジスタQBのベースはトランジスタ
Q1のベースに接続されており、トランジスタQBのエ
ミッタは抵抗器RBの一端及びトランジスタQ1ベース
に接続されており、トランジスタQBのコレクタは、ト
ランジスタQ3のエミッタに接続されている。The base of transistor QB is connected to the base of transistor Q1, the emitter of transistor QB is connected to one end of resistor RB and the base of transistor Q1, and the collector of transistor QB is connected to the emitter of transistor Q3. Have been.
【0026】トランジスタQ1のベースはトランジスタ
QBのベース及びエミッタに接続されており、トランジ
スタQ1のエミッタはトランジスタQ2のベースに接続
されており、トランジスタQ1のコレクタは、トランジ
スタQ3のコレクタに接続されている。The base of transistor Q1 is connected to the base and emitter of transistor QB, the emitter of transistor Q1 is connected to the base of transistor Q2, and the collector of transistor Q1 is connected to the collector of transistor Q3. .
【0027】トランジスタQ2のベースは、前述の通り
トランジスタQ1のエミッタに接続されており、トラン
ジスタQ2のエミッタは、この整流器を駆動するための
直流の電源電圧を供給する駆動電圧源の正極に接続され
ており、トランジスタQ2のコレクタは、トランジスタ
Q3のベースに接続されている。なお、駆動電圧源の負
極は、トランジスタQ3のエミッタに接続されている。As described above, the base of the transistor Q2 is connected to the emitter of the transistor Q1, and the emitter of the transistor Q2 is connected to the positive electrode of a driving voltage source for supplying a DC power supply voltage for driving the rectifier. The collector of the transistor Q2 is connected to the base of the transistor Q3. Note that the negative electrode of the drive voltage source is connected to the emitter of the transistor Q3.
【0028】トランジスタQ3のベースは、前述の通り
トランジスタQ2のコレクタに接続されており、トラン
ジスタQ3のエミッタはこの整流器のアノードを形成し
ており、トランジスタQ3のコレクタはこの整流器のカ
ソードを形成している。The base of transistor Q3 is connected to the collector of transistor Q2 as described above, the emitter of transistor Q3 forms the anode of this rectifier, and the collector of transistor Q3 forms the cathode of this rectifier. I have.
【0029】抵抗器RBは、トランジスタQBのエミッ
タと駆動電圧源の正極との間に接続されている。抵抗器
R1は、トランジスタQ2のベース及びエミッタの間に
接続されている。抵抗器R2は、トランジスタQ3のベ
ース及びエミッタの間に接続されている。The resistor RB is connected between the emitter of the transistor QB and the positive terminal of the driving voltage source. The resistor R1 is connected between the base and the emitter of the transistor Q2. The resistor R2 is connected between the base and the emitter of the transistor Q3.
【0030】駆動電圧源から電源電圧を供給した状態
で、この整流器のカソードの電位を、この整流器のアノ
ードの電位より高く保ったとする。この状態において
は、トランジスタQ1のコレクタの電位は、トランジス
タQBのコレクタの電位より高い。一方で、トランジス
タQB及びQ1の各ベースは、互いに同電位である。Suppose that the potential of the cathode of the rectifier is kept higher than the potential of the anode of the rectifier while the power supply voltage is supplied from the drive voltage source. In this state, the potential of the collector of transistor Q1 is higher than the potential of the collector of transistor QB. On the other hand, the bases of the transistors QB and Q1 are at the same potential.
【0031】そして、トランジスタQBのベースの電位
の高さは、駆動用電源の正極の電位から、トランジスタ
QBのコレクタ−エミッタ間に流れるコレクタ電流が抵
抗器RBに流れることにより抵抗器RBの両端に発生す
る電圧降下を差し引いたものに実質的に等しい。このた
め、トランジスタQBのベースの電位は、トランジスタ
QBのコレクタ電流が減少すれば上昇し、該コレクタ電
流が増加すれば降下する。The height of the potential of the base of the transistor QB is determined by the fact that the collector current flowing between the collector and the emitter of the transistor QB flows through the resistor RB from the potential of the positive electrode of the driving power source. Substantially equal to the resulting voltage drop. Therefore, the potential at the base of the transistor QB increases when the collector current of the transistor QB decreases, and decreases when the collector current increases.
【0032】このため、トランジスタQBのベース−コ
レクタ間の電圧は、トランジスタQBのエミッタをコレ
クタとして機能させ、トランジスタQBのコレクタをエ
ミッタとして機能させた場合において、トランジスタQ
Bをオンさせるために必要な最低の電圧にほぼ等しくな
る。従って、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の
電圧は、トランジスタQ1のエミッタをコレクタとして
機能させ、トランジスタQ1のコレクタをエミッタとし
て機能させた場合において、トランジスタQ1をオンさ
せるに必要な電圧にわずかに足らない。このためトラン
ジスタQ1はオフ状態を保つ。Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor QB is equal to the voltage of the transistor QB when the emitter of the transistor QB functions as the collector and the collector of the transistor QB functions as the emitter.
It is almost equal to the minimum voltage required to turn on B. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1 when the emitter of the transistor Q1 functions as the collector and the collector of the transistor Q1 functions as the emitter. . Therefore, the transistor Q1 remains off.
【0033】このため、駆動電圧源の正極とトランジス
タQ1との間の電流路を形成する抵抗器R1には実質的
に電流が流れず、抵抗器R2の両端間には、実質的に電
圧降下が発生しない。この結果トランジスタQ2のベー
ス−エミッタ間の電圧はほぼ0ボルトとなり、従ってト
ランジスタQ2もオフし続ける。Therefore, substantially no current flows through the resistor R1 which forms a current path between the positive electrode of the drive voltage source and the transistor Q1, and a substantial voltage drop occurs across the resistor R2. Does not occur. As a result, the voltage between the base and the emitter of the transistor Q2 becomes almost 0 volt, and the transistor Q2 also keeps turning off.
【0034】トランジスタQ2がオフしていると、駆動
電圧源の負極とトランジスタQ2との間の電流路を形成
する抵抗器R2には実質的に電流が流れず、抵抗器R2
の両端間には、実質的に電圧降下が発生しない。この結
果、トランジスタQ3のベース−エミッタ間の電圧もほ
ぼ0ボルトとなり、従ってトランジスタQ3もオフし続
ける。When the transistor Q2 is off, substantially no current flows through the resistor R2 forming a current path between the negative electrode of the drive voltage source and the transistor Q2, and the resistor R2
No substantial voltage drop occurs between both ends of the. As a result, the voltage between the base and the emitter of the transistor Q3 also becomes almost 0 volt, so that the transistor Q3 also keeps turning off.
【0035】従って、この整流器のカソードの電位がア
ノードの電位より高い状態では、駆動電圧源から電源電
圧を供給しても、この整流器のアノード−カソード間は
実質的に遮断され続ける。Accordingly, when the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode, the voltage between the anode and the cathode of the rectifier is substantially cut off even when the power supply voltage is supplied from the drive voltage source.
【0036】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くしたとする。この状態では、トランジスタQ1のコ
レクタの電位は、トランジスタQBのコレクタの電位よ
り低くなる。このため、トランジスタQ1のベース−コ
レクタ間の電圧は、トランジスタQ1のエミッタをコレ
クタとして機能させ、トランジスタQ1のコレクタをエ
ミッタとして機能させた場合において、トランジスタQ
1をオンさせるような電圧に達し、トランジスタQ1は
オンする。Next, it is assumed that the potential of the cathode of this rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source. In this state, the potential of the collector of transistor Q1 is lower than the potential of the collector of transistor QB. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is equal to the voltage of the transistor Q1 when the emitter of the transistor Q1 functions as the collector and the collector of the transistor Q1 functions as the emitter.
1 is turned on, and the transistor Q1 is turned on.
【0037】すると、駆動電圧源の正極から、抵抗器R
1、トランジスタQ1のエミッタ及びコレクタを順に経
てこの整流器のカソードに至る電流路が形成され、抵抗
器R1の両端間には、トランジスタQ2のエミッタに対
するベースの極性を負極性とするような向きの電圧降下
が発生する。従って、トランジスタQ2もオンする。Then, from the positive electrode of the drive voltage source, the resistor R
1. A current path is formed through the emitter and the collector of the transistor Q1 to the cathode of the rectifier in order, and a voltage is applied across the resistor R1 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 is negative. Descent occurs. Therefore, the transistor Q2 is also turned on.
【0038】トランジスタQ2がオンすると、駆動電圧
源の正極から、トランジスタQ2のエミッタ及びコレク
タと、抵抗器R2と、を順に経て駆動電圧源の負極に至
る電流路が形成される。この結果、抵抗器R2の両端間
には、トランジスタQ3のエミッタに対するベースの極
性を正極性とするような向きの電圧降下が発生する。従
って、トランジスタQ3はオンする。When the transistor Q2 is turned on, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source through the emitter and collector of the transistor Q2 and the resistor R2 in order. As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R2 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q3 becomes positive. Therefore, the transistor Q3 turns on.
【0039】従って、この整流器のアノードが、この整
流器のカソードに対して正極性である間は、この整流器
のアノードからカソードへと電流が流れる。Thus, while the anode of the rectifier is positive with respect to the cathode of the rectifier, current flows from the anode to the cathode of the rectifier.
【0040】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ3のコ
レクタ−エミッタ間の電圧降下の量が増大する。すなわ
ち、この整流器が発生する損失の量が増大する。する
と、トランジスタQBのコレクタの電位を基準とした場
合のトランジスタQ1のコレクタの電圧は低下し、トラ
ンジスタQ1のコレクタの電圧とトランジスタQBのコ
レクタの電圧との差が増大する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q3 increases. That is, the amount of loss generated by the rectifier increases. Then, the voltage of the collector of the transistor Q1 based on the potential of the collector of the transistor QB decreases, and the difference between the voltage of the collector of the transistor Q1 and the voltage of the collector of the transistor QB increases.
【0041】この結果、トランジスタQ1のベース−コ
レクタ間の電圧が増大する。すなわち、トランジスタQ
1のエミッタをコレクタとして機能させ、トランジスタ
Q1のコレクタをエミッタとして機能させた場合におけ
る、トランジスタQ1への順バイアスがより深くなる。
従って、トランジスタQ1のコレクタ−エミッタ間のイ
ンピーダンスが減少し、トランジスタQ1のコレクタ−
エミッタ間に流れる電流は増大する。As a result, the voltage between the base and collector of transistor Q1 increases. That is, the transistor Q
When the emitter of the transistor Q1 functions as the collector and the collector of the transistor Q1 functions as the emitter, the forward bias to the transistor Q1 becomes deeper.
Therefore, the impedance between the collector and the emitter of the transistor Q1 decreases, and the collector and the emitter of the transistor Q1
The current flowing between the emitters increases.
【0042】すると、抵抗器R1の両端間の電圧降下の
大きさは増大し、トランジスタQ2への順バイアスがよ
り深くなる。従って、トランジスタQ2のコレクタ−エ
ミッタ間に流れる電流は増大する。そしてさらに、トラ
ンジスタQ2のコレクタ−エミッタ間の電流の増大によ
り、抵抗器R2の両端間の電圧降下の大きさも増大し、
この結果、トランジスタQ3への順バイアスがより深く
なる。従って、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ
間のインピーダンスが減少し、トランジスタQ3のコレ
クタ−エミッタ間の電圧降下の大きさも減少する。従っ
て、この整流器が発生する損失の量は減少する。Then, the magnitude of the voltage drop across the resistor R1 increases, and the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper. Therefore, the current flowing between the collector and the emitter of the transistor Q2 increases. Further, the magnitude of the voltage drop across the resistor R2 increases due to the increase in the current between the collector and the emitter of the transistor Q2,
As a result, the forward bias to the transistor Q3 becomes deeper. Therefore, the impedance between the collector and the emitter of the transistor Q3 decreases, and the magnitude of the voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q3 also decreases. Therefore, the amount of loss generated by this rectifier is reduced.
【0043】以上説明した動作により、この整流器は整
流を行う。この整流器がオフしているとき(すなわち、
トランジスタQ3がオフしているとき)、トランジスタ
Q1及びQ2もオフするので、トランジスタQ1〜Q
3、抵抗器R1及びR2は電力を消費しない。With the operation described above, the rectifier performs rectification. When this rectifier is off (ie,
When the transistor Q3 is turned off), the transistors Q1 and Q2 are also turned off.
3. The resistors R1 and R2 do not consume power.
【0044】また、トランジスタQBのコレクタ電流
は、トランジスタQBがオン状態で流れるコレクタ電流
の量としては実質的に最低限の量に抑えられるため、ト
ランジスタQB及び抵抗器RBによる電力消費も最低限
に抑えられる。従って、トランジスタQBの電流増幅率
を十分大きいものとし、また抵抗器RBの抵抗値を十分
大きなものとすれば、トランジスタQB及び抵抗器RB
による電力消費は、無視できる程度になるよう十分小さ
くすることができる。Further, since the collector current of the transistor QB is substantially suppressed to the minimum amount of the collector current flowing when the transistor QB is turned on, the power consumption by the transistor QB and the resistor RB is also minimized. Can be suppressed. Therefore, if the current amplification factor of the transistor QB is made sufficiently large and the resistance value of the resistor RB is made sufficiently large, the transistor QB and the resistor RB
Power consumption can be made small enough to be negligible.
【0045】なお、この整流器の構成は、上述のものに
限られない。例えば、トランジスタQB、Q1〜Q3は
各々、コレクタが接続されるべき箇所にエミッタを接続
し、エミッタが接続されるべき箇所にコレクタが接続さ
れるようにして用いられてもよい。The configuration of the rectifier is not limited to the one described above. For example, each of the transistors QB and Q1 to Q3 may be used such that an emitter is connected to a location to which a collector is to be connected and a collector is connected to a location to which an emitter is to be connected.
【0046】また、図1の整流器は、抵抗器RBに代え
て、定電流ダイオード等より構成され、正極及び負極を
備えた定電流源を備えるようにしてもよい。ただしこの
場合、定電流源の正極はトランジスタQBのエミッタに
接続され、負極は、駆動電圧源の正極と、トランジスタ
Q2のエミッタとに接続されているものとし、駆動電圧
源から電源電圧が供給されているとき、自己の負極から
正極へと一定の大きさの電流を流すものとする。Further, the rectifier in FIG. 1 may be configured by a constant current diode or the like instead of the resistor RB, and may include a constant current source having a positive electrode and a negative electrode. However, in this case, the positive electrode of the constant current source is connected to the emitter of the transistor QB, and the negative electrode is connected to the positive electrode of the drive voltage source and the emitter of the transistor Q2. The power supply voltage is supplied from the drive voltage source. In this case, a certain amount of current flows from the negative electrode to the positive electrode.
【0047】また、この整流器は、図2に示すように、
トランジスタQB、Q1及びQ3がPNP型バイポーラ
トランジスタから構成され、トランジスタQ2がNPN
型バイポーラトランジスタから構成されていてもよい。This rectifier has, as shown in FIG.
Transistors QB, Q1 and Q3 are PNP bipolar transistors, and transistor Q2 is an NPN transistor.
It may be composed of a bipolar transistor.
【0048】この場合は、図2に示すように、図1の構
成において駆動電圧源の正極が接続されている箇所には
駆動電圧源の負極を接続し、図1の構成において駆動電
圧源の負極が接続されている箇所には駆動電圧源の正極
を接続する。そして、トランジスタQ3のコレクタは図
2の整流器のアノードを形成し、トランジスタQ3のエ
ミッタは図2の整流器のカソードを形成する。また、抵
抗器RBに代えて上述の定電流源を備えるものとする場
合、定電流源の負極はトランジスタQBのエミッタに接
続され、正極は、駆動電圧源の負極と、トランジスタQ
2のエミッタとに接続されているものとする。In this case, as shown in FIG. 2, the negative electrode of the drive voltage source is connected to the portion where the positive electrode of the drive voltage source is connected in the configuration of FIG. The positive electrode of the drive voltage source is connected to the point where the negative electrode is connected. The collector of transistor Q3 forms the anode of the rectifier of FIG. 2, and the emitter of transistor Q3 forms the cathode of the rectifier of FIG. When the above-described constant current source is provided instead of the resistor RB, the negative electrode of the constant current source is connected to the emitter of the transistor QB, and the positive electrode is connected to the negative electrode of the drive voltage source and the transistor QB.
2 are connected to the second emitter.
【0049】図2の整流器の動作は、この整流器各部を
流れる電流の向きが逆向きであることを除き、図1の構
成の動作と実質的に同一である。すなわち、駆動電圧源
から電源電圧を供給した状態で、この整流器のアノード
の電位を、この整流器のカソードの電位より低くする
と、トランジスタQBのベース−コレクタ間の電圧は、
トランジスタQBをオンさせるために必要な最低の電圧
にほぼ等しくなる一方、トランジスタQ1のベース−コ
レクタ間の電圧は、トランジスタQ1をオンさせるに必
要な電圧にわずかに足らない値となる。The operation of the rectifier of FIG. 2 is substantially the same as the operation of the configuration of FIG. 1 except that the direction of the current flowing through each part of the rectifier is opposite. That is, when the potential of the anode of this rectifier is made lower than the potential of the cathode of this rectifier while the power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the voltage between the base and collector of the transistor QB becomes
While the voltage is substantially equal to the minimum voltage required to turn on the transistor QB, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1.
【0050】このためトランジスタQ1はオフ状態を保
つ。従って、抵抗器R1の両端間には、実質的に電圧降
下が発生せず、従ってトランジスタQ2もオフし続け
る。このためさらに、抵抗器R2の両端間にも実質的に
電圧降下が発生せず、トランジスタQ3もオフし続け
る。従って、図2の整流器のアノード−カソード間は実
質的に遮断され続ける。Therefore, transistor Q1 is kept off. Accordingly, substantially no voltage drop occurs between both ends of the resistor R1, and the transistor Q2 continues to be turned off. Therefore, substantially no voltage drop occurs between both ends of the resistor R2, and the transistor Q3 keeps turning off. Accordingly, the anode-cathode portion of the rectifier of FIG.
【0051】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のアノードの電位をカソードの電位より
高くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より高くなる。このた
め、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、
トランジスタQ1をオンさせるような電圧に達し、トラ
ンジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the anode of the rectifier is made higher than the potential of the cathode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes higher than the potential of the collector of the transistor QB. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is
The voltage reaches a voltage that turns on the transistor Q1, and the transistor Q1 turns on.
【0052】これにより、この整流器のアノードから、
トランジスタQ1のコレクタ及びエミッタ、抵抗器R1
を順に経てこの駆動電圧源の負極に至る電流路が形成さ
れ、抵抗器R1の両端間には、トランジスタQ2のエミ
ッタに対するベースの極性を正極性とするような向きの
電圧降下が発生する。従って、トランジスタQ2もオン
する。Thus, from the anode of the rectifier,
Collector and emitter of transistor Q1, resistor R1
, A current path leading to the negative electrode of this drive voltage source is formed, and a voltage drop is generated between both ends of the resistor R1 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 becomes positive. Therefore, the transistor Q2 is also turned on.
【0053】トランジスタQ2がオンすると、駆動電圧
源の正極から、抵抗器R2、トランジスタQ2のコレク
タ及びエミッタを順に経て駆動電圧源の負極に至る電流
路が形成される。この結果、抵抗器R2の両端間には、
トランジスタQ3のエミッタに対するベースの極性を負
極性とするような向きの電圧降下が発生し、トランジス
タQ3はオンする。これにより、この整流器のアノード
からカソードへと電流が流れる。When the transistor Q2 is turned on, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source through the resistor R2, the collector and the emitter of the transistor Q2 in this order. As a result, between both ends of the resistor R2,
A voltage drop occurs such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q3 becomes negative, and the transistor Q3 turns on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0054】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ3のコ
レクタ−エミッタ間の電圧降下の量が増大して、この整
流器が発生する損失の量が増大する。この結果、トラン
ジスタQ1のコレクタの電圧とトランジスタQBのコレ
クタの電圧との差が増大して、トランジスタQ1のコレ
クタ−エミッタ間に流れる電流は増大する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q3 increases, and the amount of loss generated by the rectifier increases. As a result, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the collector and the emitter of transistor Q1 increases.
【0055】これにより抵抗器R1の両端間の電圧降下
の大きさも増大して、トランジスタQ2への順バイアス
がより深くなり、トランジスタQ2のコレクタ−エミッ
タ間に流れる電流は増大する。この結果、抵抗器R2の
両端間の電圧降下の大きさも増大して、トランジスタQ
3への順バイアスがより深くなり、トランジスタQ3の
コレクタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。従
って、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発生
する電圧降下は小さくなり、この整流器が発生する損失
の量は減少する。As a result, the magnitude of the voltage drop across the resistor R1 also increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the current flowing between the collector and the emitter of the transistor Q2 increases. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R2 also increases, and the transistor Q
3 becomes deeper and the collector-emitter impedance of transistor Q3 decreases. Therefore, the voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q3 is small, and the amount of loss generated by the rectifier is reduced.
【0056】また、図1及び図2の構成において、トラ
ンジスタQ2及びQ3のうち、NPN型バイポーラトラ
ンジスタから構成されるものはエンハンスメント型nチ
ャネルMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effe
ct Transistor)に置き換えられてもよい。また、PN
P型バイポーラトランジスタから構成されるものは、エ
ンハンスメント型pチャネルMOSFETに置き換えら
れてもよい。In the configuration shown in FIGS. 1 and 2, of the transistors Q2 and Q3, the one composed of an NPN type bipolar transistor is an enhancement type n-channel MOSFET (Metal-Oxide-Silicon Field Effe
ct Transistor). Also, PN
A device composed of a P-type bipolar transistor may be replaced with an enhancement-type p-channel MOSFET.
【0057】バイポーラトランジスタに代えてエンハン
スメント型のMOSFETを用いる場合、バイポーラト
ランジスタのベースが接続されるべき箇所にはMOSF
ETのゲートが接続されるようにする。また、バイポー
ラトランジスタのエミッタが接続されるべき箇所にはM
OSFETのソースが接続されるようにする。また、バ
イポーラトランジスタのコレクタが接続されるべき箇所
にはMOSFETのドレインが接続されるようにする。When an enhancement type MOSFET is used in place of the bipolar transistor, a MOSF is provided at a place where the base of the bipolar transistor is to be connected.
The gate of the ET is connected. In addition, a portion to which the emitter of the bipolar transistor is to be connected is M
The source of the OSFET is connected. Also, the drain of the MOSFET is connected to a place where the collector of the bipolar transistor is to be connected.
【0058】従って、この整流器は、例えば図3に示す
ように、トランジスタQ2がエンハンスメント型pチャ
ネルMOSFETから構成され、トランジスタQ3がエ
ンハンスメント型nチャネルMOSFETから構成され
ていてもよい。Accordingly, in this rectifier, as shown in FIG. 3, for example, the transistor Q2 may be formed of an enhancement p-channel MOSFET, and the transistor Q3 may be formed of an enhancement n-channel MOSFET.
【0059】図3の整流器の動作は、図1の構成の動作
と実質的に同一である。すなわち、駆動電圧源から電源
電圧を供給した状態で、この整流器のカソードの電位
を、この整流器のアノードの電位より高くすると、トラ
ンジスタQ1はオフ状態を保つので、抵抗器R1の両端
間には、実質的に電圧降下が発生せず、従ってトランジ
スタQ2もオフし続ける。このためさらに、抵抗器R2
の両端間にも実質的に電圧降下が発生せず、トランジス
タQ3もオフし続ける。従って、図3の整流器のアノー
ド−カソード間は実質的に遮断され続ける。The operation of the rectifier of FIG. 3 is substantially the same as the operation of the configuration of FIG. That is, when the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode of the rectifier in a state where the power supply voltage is supplied from the driving voltage source, the transistor Q1 keeps the off state. Substantially no voltage drop occurs, so that the transistor Q2 also keeps turning off. Therefore, the resistor R2
Substantially no voltage drop occurs between both ends of the transistor Q3, and the transistor Q3 keeps turning off. Thus, the anode-cathode of the rectifier of FIG.
【0060】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1はオンするので、抵抗器
R1の両端間には、トランジスタQ2のソースに対する
ゲートの極性を負極性とするような向きの電圧降下が発
生し、トランジスタQ2もオンする。すると、駆動電圧
源の正極から、トランジスタQ2のソース及びドレイ
ン、抵抗器R2を順に経て駆動電圧源の負極に至る電流
路が形成される。この結果、抵抗器R2の両端間には、
トランジスタQ3のソースに対するゲートの極性を正極
性とするような向きの電圧降下が発生し、トランジスタ
Q3はオンする。これにより、この整流器のアノードか
らカソードへと電流が流れる。Next, when the potential of the cathode of the rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the driving voltage source, the transistor Q1 is turned on, so that the transistor Q2 is connected between both ends of the resistor R1. A voltage drop occurs such that the polarity of the gate with respect to the source becomes negative, and the transistor Q2 also turns on. Then, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source via the source and drain of the transistor Q2 and the resistor R2 in this order. As a result, between both ends of the resistor R2,
A voltage drop occurs such that the polarity of the gate with respect to the source of the transistor Q3 is positive, and the transistor Q3 is turned on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0061】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ3のド
レイン−ソース間の電圧降下の量が増大して、この整流
器が発生する損失の量が増大する。この結果、トランジ
スタQ1のコレクタの電圧とトランジスタQBのコレク
タの電圧との差が増大して、トランジスタQ1のエミッ
タ−コレクタ間に流れる電流は増大する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the drain and source of transistor Q3 increases, and the amount of loss generated by the rectifier increases. As a result, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases.
【0062】これにより抵抗器R1の両端間の電圧降下
の大きさも増大して、トランジスタQ2への順バイアス
がより深くなり、トランジスタQ2のドレイン−ソース
間に流れる電流は増大する。この結果、抵抗器R2の両
端間の電圧降下の大きさも増大して、トランジスタQ3
への順バイアスがより深くなり、トランジスタQ3のド
レイン−ソース間のインピーダンスが減少する。従っ
て、トランジスタQ3のドレイン−ソース間に発生する
電圧降下は小さくなり、この整流器が発生する損失の量
は減少する。As a result, the magnitude of the voltage drop across the resistor R1 also increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the current flowing between the drain and source of the transistor Q2 increases. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R2 also increases, and the transistor Q3
, The forward bias to the transistor Q3 becomes deeper, and the impedance between the drain and source of the transistor Q3 decreases. Therefore, the voltage drop between the drain and the source of the transistor Q3 is reduced, and the amount of loss generated by the rectifier is reduced.
【0063】また、図1及び図3の構成において、トラ
ンジスタQB及びQ1のうち、NPN型バイポーラトラ
ンジスタから構成されるものはエンハンスメント型nチ
ャネルMOSFETに置き換えられてもよい。従って、
この整流器は、例えば図4に示す構成を有していてもよ
い。ただしこの場合、この整流器は、図4に示すよう
に、例えば、ダイオードD1〜D3と、抵抗器R3とを
更に備えるものとする。In the configuration shown in FIGS. 1 and 3, of the transistors QB and Q1, the one composed of an NPN bipolar transistor may be replaced with an enhancement type n-channel MOSFET. Therefore,
This rectifier may have, for example, the configuration shown in FIG. In this case, however, the rectifier further includes, for example, diodes D1 to D3 and a resistor R3, as shown in FIG.
【0064】トランジスタQB及びQ1のうち、NPN
型バイポーラトランジスタから構成されるものがエンハ
ンスメント型nチャネルMOSFETに置き換えられる
場合において、トランジスタQB及びQ1〜Q3、抵抗
器R1、R2及び外部の駆動電圧源の相互間の接続関係
は、(a)トランジスタQBのドレインが、ダイオード
D3を介して、抵抗器RBの両端のうち駆動電圧源に直
接接続されていない方の端に接続され、ソースがトラン
ジスタQ3のエミッタ(又はソース)に接続され、ゲー
トが、自己のドレインに接続されている点と、(b)ト
ランジスタQ1のドレインがダイオードD1を介してト
ランジスタQ2のベース(又はゲート)に接続され、ソ
ースがトランジスタQ3のコレクタ(又はドレイン)に
接続され、ゲートが、ダイオードD2を介して、抵抗器
RBの両端のうち駆動電圧源に直接接続されていない方
の端に接続されている点と、を除いて、図1〜図3に示
す整流器の接続関係と実質的に同一である。Of the transistors QB and Q1, NPN
In the case where a transistor composed of a bipolar transistor is replaced by an enhancement type n-channel MOSFET, the connection relationship among the transistors QB and Q1 to Q3, the resistors R1 and R2, and the external drive voltage source is as follows: The drain of QB is connected to the other end of resistor RB that is not directly connected to the drive voltage source through diode D3, the source is connected to the emitter (or source) of transistor Q3, and the gate is connected to the gate. (B) the drain of transistor Q1 is connected to the base (or gate) of transistor Q2 via diode D1, and the source is connected to the collector (or drain) of transistor Q3. , The gate is connected between the two ends of the resistor RB through the diode D2. Except a point that is connected to the end towards which the dynamic voltage source is not directly connected, and is substantially identical to the connection of the rectifier shown in FIGS.
【0065】ダイオードD1は、トランジスタQ1のソ
ースからドレインへと電流が逆流することを阻止するた
めのものである。ダイオードD1のアノードは、トラン
ジスタQ2のベース(又はゲート)に接続され、ダイオ
ードD1のカソードはトランジスタQ1のドレインに接
続されている。The diode D1 is for preventing a current from flowing backward from the source to the drain of the transistor Q1. The anode of the diode D1 is connected to the base (or gate) of the transistor Q2, and the cathode of the diode D1 is connected to the drain of the transistor Q1.
【0066】ダイオードD2は、ダイオードD3の電圧
降下と実質的に等量の電圧降下を発生させることによっ
て、トランジスタQ1及びQBの各ゲートを互いに実質
的に同電位とするためのものである。ダイオードD2の
アノードは抵抗器RBの両端のうち駆動電圧源の正極に
接続されていない方の端に接続され、ダイオードD2の
カソードはトランジスタQ1のゲートに接続されてい
る。The diode D2 is for making the gates of the transistors Q1 and QB substantially equal to each other by generating a voltage drop substantially equal to the voltage drop of the diode D3. The anode of the diode D2 is connected to the other end of the resistor RB that is not connected to the positive terminal of the drive voltage source, and the cathode of the diode D2 is connected to the gate of the transistor Q1.
【0067】ダイオードD3は、トランジスタQBのソ
ースからドレインへと電流が逆流することを阻止するた
めのものである。ダイオードD3のアノードは抵抗器R
Bの両端のうち駆動電圧源の正極に接続されていない方
の端に接続され、ダイオードD3のカソードはトランジ
スタQBのドレイン及びゲートに接続されている。The diode D3 is for preventing current from flowing backward from the source to the drain of the transistor QB. The anode of the diode D3 is a resistor R
B is connected to the other end of the drive voltage source that is not connected to the positive electrode, and the cathode of the diode D3 is connected to the drain and gate of the transistor QB.
【0068】抵抗器R3は、ダイオードD2に電流を流
すための電流路を形成するものであり、トランジスタQ
1のゲート−ソース間に接続されている。The resistor R3 forms a current path for allowing a current to flow through the diode D2.
1 is connected between the gate and the source.
【0069】図4の構成の動作は、図1の構成の動作及
び図3の構成の動作と実質的に同一である。すなわち、
駆動電圧源から電源電圧を供給し、この整流器のカソー
ドの電位を、この整流器のアノードの電位より高くする
と、トランジスタQ1のソースの電位は、トランジスタ
QBのソースの電位より高くなる。The operation of the configuration of FIG. 4 is substantially the same as the operation of the configuration of FIG. 1 and the operation of the configuration of FIG. That is,
When a power supply voltage is supplied from a drive voltage source and the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode of the rectifier, the potential of the source of the transistor Q1 becomes higher than the potential of the source of the transistor QB.
【0070】また、駆動用電源の正極から、抵抗器R
B、ダイオードD3のアノード及びカソード、トランジ
スタQBのドレイン及びソースを経てこの整流器のカソ
ードに至る電流路には電流が流れ、抵抗器RBの両端に
は電圧降下が発生し、ダイオードD3のアノード−カソ
ード間にはダイオードD3の順方向電圧が発生する。一
方、駆動用電源の正極から、抵抗器RB、ダイオードD
2のアノード及びカソードを経てこの整流器のカソード
に至る電流路にも電流が流れ、ダイオードD2のアノー
ド−カソード間にはダイオードD2の順方向電圧が発生
する。従って、ダイオードD2及びD3の順方向電圧が
互いに実質的に等しいものとすれば、トランジスタQB
及びQ1の各ゲートは、互いに実質的に同電位である。Further, a resistor R
B, a current flows through a current path from the anode and cathode of the diode D3 to the cathode of the rectifier via the drain and source of the transistor QB, and a voltage drop occurs across the resistor RB. A forward voltage of the diode D3 is generated between them. On the other hand, the resistor RB and the diode D
Current also flows through the current path through the anode and cathode of the diode 2 to the cathode of the rectifier, and a forward voltage of the diode D2 is generated between the anode and the cathode of the diode D2. Therefore, assuming that the forward voltages of the diodes D2 and D3 are substantially equal to each other, the transistor QB
And Q1 have substantially the same potential as each other.
【0071】そして、トランジスタQBのゲートの電位
の高さは、駆動用電源の正極の電位から、抵抗器RBの
両端の電圧降下及びダイオードD3の順方向電圧を差し
引いたものに実質的に等しい。このため、トランジスタ
QBのゲートの電位は、トランジスタQBのドレイン電
流が減少すれば上昇し、該コレクタ電流が増加すれば降
下する。従って、トランジスタQBのゲートの電圧は、
トランジスタQBをオンさせるために必要な最低の電圧
にほぼ等しくなる。この結果、トランジスタQ1のゲー
トの電圧は、トランジスタQ1をオンさせるに必要な電
圧にわずかに足らない。このためトランジスタQ1はオ
フ状態を保つ。The height of the potential of the gate of the transistor QB is substantially equal to a value obtained by subtracting the voltage drop across the resistor RB and the forward voltage of the diode D3 from the potential of the positive electrode of the driving power supply. Therefore, the potential of the gate of the transistor QB increases when the drain current of the transistor QB decreases, and decreases when the collector current increases. Therefore, the voltage of the gate of the transistor QB is
It is almost equal to the minimum voltage required to turn on transistor QB. As a result, the voltage at the gate of transistor Q1 is slightly less than the voltage required to turn on transistor Q1. Therefore, the transistor Q1 remains off.
【0072】このため、駆動電圧源の正極とトランジス
タQ1との間の電流路を形成する抵抗器R1には実質的
に電流が流れず、従ってトランジスタQ2もオフし続け
る。このため更に、駆動電圧源の負極とトランジスタQ
2との間の電流路を形成する抵抗器R2にも実質的に電
流が流れず、従ってトランジスタQ3もオフし続ける。
すなわち、この整流器のカソードの電位がアノードの電
位より高い状態では、駆動電圧源から電源電圧を供給し
ても、この整流器のアノード−カソード間は実質的に遮
断され続ける。Therefore, substantially no current flows through the resistor R1 which forms a current path between the positive electrode of the drive voltage source and the transistor Q1, and the transistor Q2 continues to be turned off. Therefore, the negative electrode of the driving voltage source and the transistor Q
No current flows substantially through the resistor R2 which forms a current path between the resistor R2 and the transistor Q3, and the transistor Q3 also keeps turning off.
That is, when the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode, the voltage between the anode and the cathode of the rectifier continues to be substantially cut off even when the power supply voltage is supplied from the drive voltage source.
【0073】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くしたとすると、トランジスタQ1のソースの電位
は、トランジスタQBのソース電位より低くなる。この
ため、トランジスタQ1のゲートの電圧は、トランジス
タQ1をオンさせるような電圧に達し、トランジスタQ
1はオンする。Next, assuming that the potential of the cathode of the rectifier is lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the driving voltage source, the potential of the source of the transistor Q1 becomes lower than the source potential of the transistor QB. Therefore, the voltage of the gate of the transistor Q1 reaches a voltage at which the transistor Q1 is turned on, and the transistor Q1 is turned on.
1 turns on.
【0074】すると、駆動電圧源の正極から、抵抗器R
1、ダイオードD1、トランジスタQ1のドレイン及び
ソースを順に経てこの整流器のカソードに至る電流路が
形成され、抵抗器R1の両端間には、トランジスタQ2
のエミッタ(又はソース)に対するベース(又はゲー
ト)の極性を負極性とするような向きの電圧降下が発生
する。従って、トランジスタQ2もオンする。Then, from the positive electrode of the driving voltage source, the resistor R
1, a current path is formed through the diode D1, the drain and the source of the transistor Q1, in order, to the cathode of the rectifier, and a transistor Q2 is connected between both ends of the resistor R1.
A voltage drop occurs such that the polarity of the base (or the gate) with respect to the emitter (or the source) becomes negative. Therefore, the transistor Q2 is also turned on.
【0075】すると、駆動電圧源の正極から、トランジ
スタQ2のエミッタ(又はソース)及びコレクタ(又は
ドレイン)と、抵抗器R2と、を順に経て駆動電圧源の
負極に至る電流路が形成される。この結果、抵抗器R3
の両端間には、トランジスタQ3のエミッタ(又はソー
ス)に対するベース(又はゲート)の極性を正極性とす
るような向きの電圧降下が発生する。従って、トランジ
スタQ3はオンする。従って、この整流器のアノード
が、この整流器のカソードに対して正極性である間は、
この整流器のアノードからカソードへと電流が流れる。Then, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source through the emitter (or source) and collector (or drain) of the transistor Q2 and the resistor R2 in order. As a result, the resistor R3
, A voltage drop occurs such that the polarity of the base (or gate) with respect to the emitter (or source) of the transistor Q3 becomes positive. Therefore, the transistor Q3 turns on. Thus, while the anode of the rectifier is positive with respect to the cathode of the rectifier,
Current flows from the anode to the cathode of the rectifier.
【0076】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ3のコ
レクタ(又はドレイン)−エミッタ(又はソース)間の
電圧降下の量が増大して、この整流器が発生する損失の
量が増大する。この結果、トランジスタQ1のソースの
電圧とトランジスタQBのソースの電圧との差が増大し
て、トランジスタQ1のドレイン−ソース間に流れる電
流は増大する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the collector (or drain) and the emitter (or source) of the transistor Q3 increases, and the loss generated by the rectifier increases. Increases. As a result, the difference between the voltage at the source of transistor Q1 and the voltage at the source of transistor QB increases, and the current flowing between the drain and source of transistor Q1 increases.
【0077】これにより抵抗器R1の両端間の電圧降下
の大きさも増大して、トランジスタQ2への順バイアス
がより深くなり、トランジスタQ2のコレクタ(又はド
レイン)−エミッタ(又はソース)間に流れる電流は増
大する。この結果、抵抗器R2の両端間の電圧降下の大
きさも増大して、トランジスタQ3への順バイアスがよ
り深くなり、トランジスタQ3のコレクタ(又はドレイ
ン)−エミッタ(又はソース)間のインピーダンスが減
少する。従って、トランジスタQ3のコレクタ(又はド
レイン)−エミッタ(又はソース)間に発生する電圧降
下は小さくなり、この整流器が発生する損失の量は減少
する。As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R1 also increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the current flowing between the collector (or drain) and the emitter (or source) of the transistor Q2. Increases. As a result, the magnitude of the voltage drop across the resistor R2 also increases, the forward bias on the transistor Q3 becomes deeper, and the impedance between the collector (or drain) and the emitter (or source) of the transistor Q3 decreases. . Thus, the voltage drop across the collector (or drain) -emitter (or source) of transistor Q3 is reduced and the amount of loss generated by this rectifier is reduced.
【0078】また、図4を参照して説明した構成におい
て、トランジスタQB及びQ1がpチャネルMOSFE
Tから構成され、トランジスタQ3がPNP型バイポー
ラトランジスタ又はpチャネルMOSFETから構成さ
れ、トランジスタQ2がNPN型バイポーラトランジス
タ又はnチャネルMOSFETから構成されていてもよ
い。従って、この整流器は、例えば図5に示す構成を有
していてもよい。In the structure described with reference to FIG. 4, transistors QB and Q1 are p-channel MOSFETs.
The transistor Q3 may be formed of a PNP bipolar transistor or a p-channel MOSFET, and the transistor Q2 may be formed of an NPN bipolar transistor or an n-channel MOSFET. Therefore, this rectifier may have, for example, the configuration shown in FIG.
【0079】ただし、この場合は、例えば図5に示すよ
うに、図4の構成において駆動電圧源の正極が接続され
ている箇所には駆動電圧源の負極を接続し、図4の構成
において駆動電圧源の負極が接続されている箇所には駆
動電圧源の正極を接続する。そして、トランジスタQ3
のコレクタ(又はドレイン)がこの整流器のアノードを
形成し、トランジスタQ3のエミッタ(又はソース)が
この整流器のカソードを形成する。However, in this case, as shown in FIG. 5, for example, the negative electrode of the drive voltage source is connected to the portion where the positive electrode of the drive voltage source is connected in the configuration of FIG. The positive electrode of the drive voltage source is connected to the point where the negative electrode of the voltage source is connected. And the transistor Q3
Forms the anode of the rectifier, and the emitter (or source) of transistor Q3 forms the cathode of the rectifier.
【0080】また、図示するように、ダイオードD1の
カソードは、トランジスタQ2のベース(又はゲート)
に接続され、ダイオードD1のアノードはトランジスタ
Q1のドレインに接続されている。また、ダイオードD
2のカソードは抵抗器RBの両端のうち駆動電圧源の負
極に接続されていない方の端に接続され、ダイオードD
2のアノードはトランジスタQ1のゲートに接続されて
いる。また、ダイオードD3のカソードは抵抗器RBの
両端のうち駆動電圧源の負極に接続されていない方の端
に接続され、ダイオードD3のアノードはトランジスタ
QBのドレイン及びゲートに接続されている。As shown, the cathode of the diode D1 is connected to the base (or gate) of the transistor Q2.
, And the anode of the diode D1 is connected to the drain of the transistor Q1. The diode D
2 is connected to the other end of the resistor RB that is not connected to the negative electrode of the drive voltage source, and a diode D
The anode of 2 is connected to the gate of transistor Q1. The cathode of the diode D3 is connected to the other end of the resistor RB that is not connected to the negative electrode of the drive voltage source, and the anode of the diode D3 is connected to the drain and gate of the transistor QB.
【0081】図5を参照して説明した整流器の動作は、
この整流器各部を流れる電流の向きが逆向きであること
を除き、図4を参照して説明した整流器の構成の動作と
実質的に同一である。The operation of the rectifier described with reference to FIG.
Except that the direction of the current flowing through each part of the rectifier is opposite, the operation of the configuration of the rectifier described with reference to FIG. 4 is substantially the same.
【0082】すなわち、駆動電圧源から電源電圧を供給
し この整流器のカソードの電位を、この整流器のアノ
ードの電位より高くすると、トランジスタQ1のソース
の電位は、トランジスタQBのソースの電位より低くな
る。また、ダイオードD2及びD3の順方向電圧が互い
に実質的に等しいものとすれば、トランジスタQB及び
Q1の各ゲートは、互いに実質的に同電位である。That is, when a power supply voltage is supplied from the drive voltage source and the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode of the rectifier, the potential of the source of the transistor Q1 becomes lower than the potential of the source of the transistor QB. Also, assuming that the forward voltages of the diodes D2 and D3 are substantially equal to each other, the gates of the transistors QB and Q1 are substantially at the same potential.
【0083】そして、トランジスタQBのゲートの電位
の高さは、駆動用電源の負極の電位に、抵抗器RBの両
端の電圧降下及びダイオードD3の順方向電圧を加えた
ものに実質的に等しい。このため、トランジスタQBの
ゲートの電位は、トランジスタQBのドレイン電流が減
少すれば降下し、該コレクタ電流が増加すれば上昇す
る。従って、トランジスタQBのゲートの電圧は、トラ
ンジスタQBをオンさせるために必要な最低の電圧にほ
ぼ等しくなる。この結果、トランジスタQ1のゲートの
電圧は、トランジスタQ1をオンさせるに必要な電圧に
わずかに足らない電圧となり、トランジスタQ1はオフ
状態を保つ。The height of the potential of the gate of the transistor QB is substantially equal to the sum of the potential of the negative electrode of the driving power source and the voltage drop across the resistor RB and the forward voltage of the diode D3. Therefore, the potential of the gate of the transistor QB decreases when the drain current of the transistor QB decreases, and increases when the collector current increases. Therefore, the voltage at the gate of transistor QB is substantially equal to the minimum voltage required to turn on transistor QB. As a result, the voltage at the gate of the transistor Q1 becomes slightly lower than the voltage required to turn on the transistor Q1, and the transistor Q1 remains off.
【0084】このため、抵抗器R1には実質的に電流が
流れず、従ってトランジスタQ2もオフし続ける。更に
抵抗器R2にも実質的に電流が流れず、従ってトランジ
スタQ3もオフし続ける。このため、この整流器のカソ
ードの電位がアノードの電位より高い状態では、この整
流器のアノード−カソード間は実質的に遮断され続け
る。Therefore, substantially no current flows through the resistor R1, and the transistor Q2 also keeps turning off. Further, substantially no current flows through the resistor R2, and the transistor Q3 also keeps turning off. Therefore, when the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode, the connection between the anode and the cathode of the rectifier continues to be substantially shut off.
【0085】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くしたとすると、トランジスタQ1のソースの電位
は、トランジスタQBのソース電位より高くなり、トラ
ンジスタQ1はオンする。Next, assuming that the potential of the cathode of the rectifier is lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the driving voltage source, the potential of the source of the transistor Q1 becomes higher than the source potential of the transistor QB. The transistor Q1 turns on.
【0086】すると、この整流器のアノードから、トラ
ンジスタQ1のソース及びドレイン、ダイオードD1、
抵抗器R1を経て駆動電圧源の負極に至る電流路が形成
され、抵抗器R1の両端間には、トランジスタQ2のエ
ミッタ(又はソース)に対するベース(又はゲート)の
極性を正極性とするような向きの電圧降下が発生する。
従って、トランジスタQ2もオンする。Then, from the anode of this rectifier, the source and drain of the transistor Q1, the diode D1,
A current path is formed through the resistor R1 to the negative electrode of the drive voltage source. Between both ends of the resistor R1, the polarity of the base (or gate) with respect to the emitter (or source) of the transistor Q2 is set to be positive. A voltage drop occurs in the direction.
Therefore, the transistor Q2 is also turned on.
【0087】すると、駆動電圧源の正極から、抵抗器R
2、トランジスタQ2のコレクタ(又はドレイン)及び
エミッタ(又はソース)を順に経て駆動電圧源の負極に
至る電流路が形成される。この結果、抵抗器R3の両端
間には、トランジスタQ3のエミッタ(又はソース)に
対するベース(又はゲート)の極性を負極性とするよう
な向きの電圧降下が発生する。従って、トランジスタQ
3はオンする。従って、この整流器のアノードが、この
整流器のカソードに対して正極性である間は、この整流
器のアノードからカソードへと電流が流れる。Then, from the positive electrode of the driving voltage source, the resistor R
2. A current path is formed through the collector (or drain) and the emitter (or source) of the transistor Q2 in order and reaching the negative electrode of the drive voltage source. As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R3 such that the polarity of the base (or the gate) with respect to the emitter (or the source) of the transistor Q3 becomes negative. Therefore, transistor Q
3 turns on. Thus, while the anode of the rectifier is positive with respect to the cathode of the rectifier, current flows from the anode of the rectifier to the cathode.
【0088】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大し、トランジスタQ3のコレク
タ(又はドレイン)−エミッタ(又はソース)間の電圧
降下の量が増大して、この整流器が発生する損失の量が
増大すると、抵抗器R1の両端間の電圧降下及び抵抗器
R2の両端間の電圧降下の大きさも増大して、トランジ
スタQ2及びQ3への順バイアスがより深くなり、この
結果、トランジスタQ3のコレクタ(又はドレイン)−
エミッタ(又はソース)間のインピーダンスが減少す
る。従って、トランジスタQ3のコレクタ(又はドレイ
ン)−エミッタ(又はソース)間に発生する電圧降下は
小さくなり、この整流器が発生する損失の量は減少す
る。The current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the collector (or drain) and the emitter (or source) of transistor Q3 increases, and the loss generated by the rectifier increases. Increases, the magnitude of the voltage drop across resistor R1 and the magnitude of the voltage drop across resistor R2 also increase, resulting in a deeper forward bias on transistors Q2 and Q3, which results in transistor Q3 Collector (or drain)-
The impedance between the emitters (or sources) decreases. Thus, the voltage drop across the collector (or drain) -emitter (or source) of transistor Q3 is reduced and the amount of loss generated by this rectifier is reduced.
【0089】(第2の実施の形態)次に、この発明の第
2の実施の形態にかかる整流回路を図6に示す。この整
流回路は、図示するように、交流入力端と、出力端と、
整流器Rectと、コンデンサCとより構成される。整
流器Rectは、図6に示すように、第1の実施の形態
における図2の整流器の構成と実質的に同一の構成を有
する。(Second Embodiment) Next, a rectifier circuit according to a second embodiment of the present invention is shown in FIG. This rectifier circuit includes an AC input terminal, an output terminal,
It comprises a rectifier Rect and a capacitor C. As shown in FIG. 6, the rectifier Rect has substantially the same configuration as the rectifier of FIG. 2 in the first embodiment.
【0090】コンデンサCは、1対の極を備える交流入
力端の一方の極と、整流器Rectのカソードとの間に
接続される。整流器Rectのアノードは、交流入力端
の各極のうち、コンデンサCが接続されていない方の極
に接続されている。The capacitor C is connected between one pole of the AC input terminal having a pair of poles and the cathode of the rectifier Rect. The anode of the rectifier Rect is connected to the pole of the AC input terminal to which the capacitor C is not connected.
【0091】出力端は正極及び負極を備え、正極は整流
器Rectのカソードに接続され、負極は、コンデンサ
Cと交流入力端との接続点に接続されている。また、整
流器Rectのうち、外部の駆動電圧源の負極に接続さ
れるべき箇所は、出力端の負極に接続されている。The output terminal has a positive electrode and a negative electrode. The positive electrode is connected to the cathode of the rectifier Rect, and the negative electrode is connected to a connection point between the capacitor C and the AC input terminal. In the rectifier Rect, a portion to be connected to the negative electrode of the external drive voltage source is connected to the negative electrode of the output terminal.
【0092】この整流回路の出力端の正極と負極との間
に外部の負荷を接続し、交流入力端の両極間に、整流す
る対象の単相交流電圧を印加したとする。そして交流入
力端の各極のうち、整流器Rectのアノードに接続さ
れている方の極の電圧が、他方の極の電位に対して正極
性となったとする。この場合、整流器Rectのカソー
ドは、負荷を介して、交流入力端のうち整流器Rect
のアノードに接続されていない方の極に接続されている
ため、整流器Rectのアノードは、整流器Rectの
カソードより高電位となる。It is assumed that an external load is connected between the positive electrode and the negative electrode at the output terminal of the rectifier circuit, and a single-phase AC voltage to be rectified is applied between the two electrodes at the AC input terminal. Then, it is assumed that the voltage of the pole connected to the anode of the rectifier Rect becomes positive with respect to the potential of the other pole among the poles of the AC input terminal. In this case, the cathode of the rectifier Rect is connected to the rectifier Rect of the AC input terminal via a load.
The anode of the rectifier Rect has a higher potential than the cathode of the rectifier Rect because it is connected to the other pole not connected to the anode of the rectifier Rect.
【0093】また、整流器Rectのうち出力端の負極
に接続されている箇所には、交流入力端の両極のうち出
力端の負極に接続されている方の極に発生している電圧
が印加される。当該電圧は、交流入力端の両極のうち整
流器Rectのアノードに接続されているほうの極の電
位に対し負極性である。従ってこの電圧は、整流器Re
ctを駆動するための電源電圧として、整流器Rect
に供給される。The voltage generated at the pole of the rectifier Rect which is connected to the negative pole at the output end is applied to the portion of the rectifier Rect connected to the negative pole at the output end. You. The voltage has a negative polarity with respect to the potential of one of the two poles of the AC input terminal connected to the anode of the rectifier Rect. Therefore, this voltage is applied to the rectifier Re.
The rectifier Rect is used as a power supply voltage for driving ct.
Supplied to
【0094】従って、整流器Rectのアノード−カソ
ード間は導通し、交流入力端の両極のうち整流器Rec
tのアノードに接続されている方の極から、整流器Re
ctのアノード及びカソードを経て、次いで外部の負荷
及びコンデンサCの並列回路を経て、交流入力端の他方
の極に至る電流が流れる。Accordingly, the rectifier Rect conducts between the anode and the cathode, and the rectifier Rec among the two poles at the AC input terminal.
From the pole connected to the anode of t, the rectifier Re
A current flows through the ct anode and the cathode, and then through a parallel circuit of an external load and a capacitor C to the other pole of the AC input terminal.
【0095】一方、交流入力端の各極のうち、整流器R
ectのアノードに接続されている方の極の電圧が、他
方の極の電位に対して負極性となった場合は、整流器R
ectのアノードは、整流器Rectのカソードより低
電位となる。従って、整流器Rectのアノード−カソ
ード間は実質的に遮断される。On the other hand, the rectifier R
When the voltage of the pole connected to the anode of the rect becomes negative with respect to the potential of the other pole, the rectifier R
The anode of ect is at a lower potential than the cathode of rectifier Rect. Therefore, the connection between the anode and the cathode of the rectifier Rect is substantially shut off.
【0096】以上の動作が繰り返されることにより、図
6の整流回路は、半波整流を行う。そして、コンデンサ
Cは、出力端の両極間に発生する半波整流電圧を平滑化
する。図6の整流回路においては、整流する対象の単相
交流電圧として交流入力端に印加された電圧が、整流器
Rectを駆動するための電源電圧として、整流器Re
ctに供給される。このため、図6の整流回路は、整流
器Rectを駆動するための駆動電圧源を別途用意する
ことなく動作する。By repeating the above operation, the rectifier circuit of FIG. 6 performs half-wave rectification. Then, the capacitor C smoothes the half-wave rectified voltage generated between the two electrodes at the output terminal. In the rectifier circuit shown in FIG. 6, a voltage applied to an AC input terminal as a single-phase AC voltage to be rectified is supplied to a rectifier Re as a power supply voltage for driving the rectifier Rect.
ct. For this reason, the rectifier circuit of FIG. 6 operates without separately preparing a drive voltage source for driving the rectifier Rect.
【0097】なお、この整流回路の構成も、上述のもの
に限られない。例えば、この整流回路の整流器Rect
は、例えば図7に示すように、図1の整流器と実質的に
同一の構成を有していてもよい。The configuration of this rectifier circuit is not limited to the one described above. For example, the rectifier Rect of this rectifier circuit
May have substantially the same configuration as the rectifier of FIG. 1, for example, as shown in FIG.
【0098】ただしこの場合、図示するように、コンデ
ンサCは、交流入力端の一方の極と、整流器Rectの
アノードとの間に接続される。整流器Rectのカソー
ドは、交流入力端の各極のうち、コンデンサCが接続さ
れていない方の極に接続されている。また、出力端の正
極は、コンデンサCと交流入力端との接続点に接続さ
れ、負極は、整流器Rectのアノードに接続されてい
る。また、整流器Rectのうち、外部の駆動電圧源の
正極に接続されるべき箇所は、出力端の正極に接続され
ている。In this case, however, as shown, the capacitor C is connected between one pole of the AC input terminal and the anode of the rectifier Rect. The cathode of the rectifier Rect is connected to the pole of the AC input terminal to which the capacitor C is not connected. The positive terminal of the output terminal is connected to a connection point between the capacitor C and the AC input terminal, and the negative terminal is connected to the anode of the rectifier Rect. In the rectifier Rect, a portion to be connected to the positive electrode of the external driving voltage source is connected to the positive electrode of the output terminal.
【0099】図7の整流回路の出力端の両極間に外部の
負荷を接続し、交流入力端の両極間に、整流する対象の
単相交流電圧を印加して、交流入力端の各極のうち、整
流器Rectのカソードに接続されている方の極の電圧
が、他方の極の電位に対して負極性となったとする。こ
の場合、整流器Rectのアノードは、負荷を介して、
交流入力端のうち整流器Rectのカソードに接続され
ていない方の極に接続されているため、整流器Rect
のアノードは、整流器Rectのカソードより高電位と
なる。An external load is connected between the two electrodes at the output terminal of the rectifier circuit of FIG. 7, and a single-phase AC voltage to be rectified is applied between the two electrodes at the AC input terminal. It is assumed that the voltage of the pole connected to the cathode of the rectifier Rect has a negative polarity with respect to the potential of the other pole. In this case, the anode of the rectifier Rect, via the load,
The rectifier Rect is connected to the other pole of the AC input terminal that is not connected to the cathode of the rectifier Rect.
Has a higher potential than the cathode of the rectifier Rect.
【0100】また、整流器Rectのうち出力端の正極
に接続されている箇所には、交流入力端の各極のうち出
力端の正極に接続されている方の極に発生している電圧
が印加される。当該電圧は、交流入力端の両極のうち整
流器Rectのアノードに接続されているほうの極の電
位に対し正極性である。従ってこの電圧は、整流器Re
ctを駆動するための電源電圧として、整流器Rect
に供給される。The voltage generated at the pole of the rectifier Rect connected to the positive pole at the output end is applied to the portion of the rectifier Rect connected to the positive pole at the output end. Is done. This voltage has a positive polarity with respect to the potential of the other pole of the AC input terminal that is connected to the anode of the rectifier Rect. Therefore, this voltage is applied to the rectifier Re.
The rectifier Rect is used as a power supply voltage for driving ct.
Supplied to
【0101】従って、整流器Rectのアノード−カソ
ード間は導通し、交流入力端の両極のうち出力端の正極
に接続されている方の極から、負荷及びコンデンサの並
列回路を経て、次いで整流器Rectのアノード及びカ
ソードを経て、交流入力端の他方の極に至る電流が流れ
る。Accordingly, the rectifier Rect conducts between the anode and the cathode, and from the two poles of the AC input end, the pole connected to the positive pole of the output end passes through a parallel circuit of a load and a capacitor, and then the rectifier Rect. A current flows through the anode and the cathode to the other pole of the AC input terminal.
【0102】一方、交流入力端の各極のうち、整流器R
ectのカソードに接続されている方の極の電圧が、他
方の極の電位に対して正極性となった場合は、整流器R
ectのアノードは、整流器Rectのカソードより低
電位となる。従って、整流器Rectのアノード−カソ
ード間は実質的に遮断される。On the other hand, the rectifier R
When the voltage of the pole connected to the cathode of the rect becomes positive with respect to the potential of the other pole, the rectifier R
The anode of ect is at a lower potential than the cathode of rectifier Rect. Therefore, the connection between the anode and the cathode of the rectifier Rect is substantially shut off.
【0103】以上の動作により、図7の整流回路は、半
波整流を行う。図7の整流回路においても、整流する対
象の単相交流電圧として交流入力端に印加された電圧
が、整流器Rectを駆動するための電源電圧として、
整流器Rectに供給されるので、駆動電圧源を別途用
意する必要がない。With the above operation, the rectifier circuit of FIG. 7 performs half-wave rectification. Also in the rectifier circuit of FIG. 7, the voltage applied to the AC input terminal as a single-phase AC voltage to be rectified is used as a power supply voltage for driving the rectifier Rect.
Since the power is supplied to the rectifier Rect, there is no need to separately prepare a drive voltage source.
【0104】(第3の実施の形態)次に、この発明の第
3の実施の形態にかかるスイッチングレギュレータを説
明する。このスイッチングレギュレータは、図8に示す
ように、パルス入力端と、出力端と、整流器Rect
と、コンデンサCと、コイルLとより構成される。整流
器Rectは、図8に示すように、第1の実施の形態に
おける図1の整流器及び第2の実施の形態における図7
の整流器Rectと実質的に同一の構成を有する。(Third Embodiment) Next, a switching regulator according to a third embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 8, this switching regulator includes a pulse input terminal, an output terminal, a rectifier Rect.
, A capacitor C, and a coil L. As shown in FIG. 8, the rectifier Rect includes the rectifier shown in FIG. 1 according to the first embodiment and the rectifier shown in FIG. 7 according to the second embodiment.
Has substantially the same configuration as the rectifier Rect.
【0105】コンデンサCは、正極及び負極を備える出
力端の両極間に接続される。整流器Rectのアノード
は、正極及び負極を備えるパルス入力端の負極と、出力
端の負極とに接続されている。整流器Rectのカソー
ドはパルス入力端の正極に接続されている。また、整流
器Rectのうち、外部の駆動電圧源の正極に接続され
るべき箇所は、出力端の正極に接続されている。コイル
Lは、出力端の正極とパルス入力端の正極との間に接続
されている。The capacitor C is connected between both electrodes at the output terminal having a positive electrode and a negative electrode. The anode of the rectifier Rect is connected to a negative electrode at a pulse input terminal having a positive electrode and a negative electrode, and a negative electrode at an output terminal. The cathode of the rectifier Rect is connected to the positive electrode of the pulse input terminal. In the rectifier Rect, a portion to be connected to the positive electrode of the external driving voltage source is connected to the positive electrode of the output terminal. The coil L is connected between the positive terminal of the output terminal and the positive terminal of the pulse input terminal.
【0106】このスイッチングレギュレータの出力端の
正極と負極との間に外部の負荷を接続し、パルス入力端
の両極間に、パルス入力端の正極がパルス入力端の負極
に対して正極性となるように、矩形パルスが印加された
とする。An external load is connected between the positive terminal and the negative terminal of the output terminal of the switching regulator, and the positive terminal of the pulse input terminal has a positive polarity with respect to the negative terminal of the pulse input terminal between both terminals of the pulse input terminal. Thus, it is assumed that a rectangular pulse is applied.
【0107】この場合、整流器Rectのカソードは、
整流器Rectのアノードより高電位となり、従って整
流器Rectのアノード−カソード間は実質的に遮断さ
れる。また、パルス入力端の正極から、コイルLを経
て、次いで負荷及びコンデンサCの並列回路を更に経
て、パルス入力端の負極に至る電流が流れる。この結
果、出力端の正極には、出力端の負極の電位に対して正
極性の電圧が発生し、コンデンサCはこの電圧により充
電される。In this case, the cathode of the rectifier Rect is
The potential becomes higher than the anode of the rectifier Rect, so that the anode-cathode of the rectifier Rect is substantially shut off. Further, a current flows from the positive electrode at the pulse input terminal to the negative electrode at the pulse input terminal via the coil L, and then further through the parallel circuit of the load and the capacitor C. As a result, a voltage having a positive polarity with respect to the potential of the negative electrode at the output terminal is generated at the positive electrode at the output terminal, and the capacitor C is charged by this voltage.
【0108】なお、整流器Rectのうち出力端の正極
に接続されている箇所には出力端の正極の電圧が印加さ
れる。当該電圧は、出力端の負極に接続されている整流
器Rectのアノードの電位に対して正極性であるの
で、当該電圧は、整流器Rectを駆動するための電源
電圧として整流器Rectに供給される。しかし、パル
ス入力端に矩形波が印加されている間は上述の通り整流
器Rectのカソードはアノードより高電位であるの
で、整流器Rectのアノード−カソード間は実質的に
遮断される。The voltage of the positive terminal of the output terminal is applied to the portion of the rectifier Rect connected to the positive terminal of the output terminal. Since the voltage is positive with respect to the potential of the anode of the rectifier Rect connected to the negative electrode of the output terminal, the voltage is supplied to the rectifier Rect as a power supply voltage for driving the rectifier Rect. However, while the rectangular wave is applied to the pulse input terminal, the cathode of the rectifier Rect has a higher potential than the anode as described above, so that the anode-cathode of the rectifier Rect is substantially shut off.
【0109】次に、矩形パルスの印加が終了して、この
スイッチングレギュレータのパルス入力端の正極が、パ
ルス入力端の負極の電位以下になったとする。この場
合、整流器Rectのカソードは、整流器Rectのア
ノードより低電位である。Next, it is assumed that the application of the rectangular pulse is completed, and the positive electrode at the pulse input terminal of the switching regulator becomes lower than the potential of the negative electrode at the pulse input terminal. In this case, the cathode of the rectifier Rect is at a lower potential than the anode of the rectifier Rect.
【0110】そして、コイルLの両端には、パルス入力
端の正極に接続された方の端が他方の端に対して負極性
となるような向きの逆起電力が発生する。また、矩形パ
ルスがパルス入力端に印加されていた間に充電されたコ
ンデンサCの両端には、出力端の正極に接続されている
方の端が正極性となる向きの電圧が発生する。At both ends of the coil L, back electromotive force is generated such that the end connected to the positive terminal of the pulse input terminal has a negative polarity with respect to the other terminal. Further, a voltage is generated at both ends of the capacitor C charged while the rectangular pulse is being applied to the pulse input terminal, such that the terminal connected to the positive terminal of the output terminal has a positive polarity.
【0111】このため、整流器Rectのうち出力端の
正極に接続されている箇所には、引き続き、整流器Re
ctのアノードの電位に対して正極性の電圧が印加され
続ける。従って、この電圧により整流器Rectは駆動
され、整流器Rectのアノード−カソード間は導通す
る。For this reason, the portion of the rectifier Rect connected to the positive terminal of the output terminal continues to have the rectifier Re.
The voltage of the positive polarity is continuously applied to the potential of the anode of ct. Therefore, the rectifier Rect is driven by this voltage, and the rectifier Rect conducts between the anode and the cathode.
【0112】これにより、コイルLから、負荷及びコン
デンサCの並列回路、整流器Rectのアノード及びカ
ソードを経て、コイルLに至る電流が流れる。この結
果、出力端の正極には、出力端の負極の電位に対して正
極性の電圧が引き続き印加される。As a result, a current flows from the coil L to the coil L via the parallel circuit of the load and the capacitor C and the anode and the cathode of the rectifier Rect. As a result, a voltage having a positive polarity with respect to the potential of the negative electrode at the output terminal is continuously applied to the positive electrode at the output terminal.
【0113】以上の動作が繰り返されることにより、図
8のスイッチングレギュレータは、負荷に極性が一定の
電力を供給する。図8のスイッチングレギュレータにお
いては、コイルLが発生する逆起電力や、コンデンサC
の両端間に発生する電圧が、整流器Rectを駆動する
ための電源電圧として、整流器Rectに供給される。
このため、図8のスイッチングレギュレータは、整流器
Rectを駆動するための駆動電圧源を別途用意するこ
となく動作する。By repeating the above operation, the switching regulator of FIG. 8 supplies power having a constant polarity to the load. In the switching regulator of FIG. 8, the back electromotive force generated by the coil L and the capacitor C
Is supplied to the rectifier Rect as a power supply voltage for driving the rectifier Rect.
For this reason, the switching regulator of FIG. 8 operates without separately preparing a drive voltage source for driving the rectifier Rect.
【0114】なお、このスイッチングレギュレータの構
成も、上述のものに限られない。例えば、このスイッチ
ングレギュレータの整流器Rectは、例えば図9に示
すように、図2の整流器と実質的に同一の構成を有して
いてもよい。ただしこの場合、整流器Rectのうち、
外部の駆動電圧源の負極に接続されるべき箇所は、出力
端の負極に接続されている。また、コイルLは、出力端
の負極とパルス入力端の負極との間に接続されている。The configuration of this switching regulator is not limited to the above. For example, the rectifier Rect of this switching regulator may have substantially the same configuration as the rectifier of FIG. 2, as shown in FIG. 9, for example. However, in this case, of the rectifier Rect,
The portion to be connected to the negative electrode of the external drive voltage source is connected to the negative electrode of the output terminal. The coil L is connected between the negative electrode at the output terminal and the negative electrode at the pulse input terminal.
【0115】図9のスイッチングレギュレータの出力端
の正極と負極との間に外部の負荷を接続し、パルス入力
端の両極間に、パルス入力端の正極がパルス入力端の負
極に対して正極性となるように、矩形パルスが印加され
たとすると、整流器Rectのアノード−カソード間は
実質的に遮断される。An external load is connected between the positive terminal and the negative terminal of the output terminal of the switching regulator shown in FIG. 9, and the positive terminal of the pulse input terminal has a positive polarity with respect to the negative terminal of the pulse input terminal between both terminals of the pulse input terminal. Assuming that a rectangular pulse is applied, the gap between the anode and the cathode of the rectifier Rect is substantially cut off.
【0116】また、パルス入力端の正極から、負荷及び
コンデンサCの並列回路を経て、コイルLを更に経て、
パルス入力端の負極に至る電流が流れる。この結果、出
力端の正極には、出力端の負極の電位に対して正極性の
電圧が発生し、コンデンサCはこの電圧により充電され
る。From the positive electrode at the pulse input terminal, through a parallel circuit of a load and a capacitor C, further through a coil L,
A current flows to the negative electrode of the pulse input terminal. As a result, a voltage having a positive polarity with respect to the potential of the negative electrode at the output terminal is generated at the positive electrode at the output terminal, and the capacitor C is charged by this voltage.
【0117】次に、矩形パルスの印加が終了して、この
スイッチングレギュレータのパルス入力端の正極が、パ
ルス入力端の負極の電位以下になると、コイルLの両端
には、パルス入力端の負極に接続された方の端が他方の
端に対して正極性となるような向きの逆起電力が発生す
る。また、コンデンサCの両端には、出力端の正極に接
続されている方の端が正極性となる向きの電圧が発生す
る。Next, when the application of the rectangular pulse is completed and the positive electrode of the pulse input terminal of the switching regulator becomes lower than the potential of the negative electrode of the pulse input terminal, both ends of the coil L are connected to the negative electrode of the pulse input terminal. Back electromotive force is generated such that the connected end has a positive polarity with respect to the other end. Further, a voltage is generated at both ends of the capacitor C such that the end connected to the positive terminal of the output terminal has a positive polarity.
【0118】このため、整流器Rectのうち出力端の
負極に接続されている箇所には、引き続き、整流器Re
ctのカソードの電位に対して負極性の電圧が印加され
続ける。そして、整流器Rectのカソードは、整流器
Rectのアノードより低電位である。従って、この電
圧により整流器Rectは駆動され、整流器Rectの
アノード−カソード間は導通する。For this reason, the portion of the rectifier Rect connected to the negative electrode of the output terminal continues to have the rectifier Re.
The voltage of the negative polarity is continuously applied to the potential of the cathode of ct. The cathode of the rectifier Rect has a lower potential than the anode of the rectifier Rect. Therefore, the rectifier Rect is driven by this voltage, and the rectifier Rect conducts between the anode and the cathode.
【0119】これにより、コイルLから、整流器Rec
tのアノード及びカソード、負荷及びコンデンサCの並
列回路を順に経て、コイルLに至る電流が流れる。この
結果、出力端の正極には、出力端の負極の電位に対して
正極性の電圧が引き続き印加される。As a result, the rectifier Rec is output from the coil L.
A current flows to the coil L through the parallel circuit of the anode and the cathode t, the load, and the capacitor C in order. As a result, a voltage having a positive polarity with respect to the potential of the negative electrode at the output terminal is continuously applied to the positive electrode at the output terminal.
【0120】以上の動作により、図9のスイッチングレ
ギュレータも、整流器Rectを駆動するための駆動電
圧源を別途用意することなく負荷に極性が一定の電力を
供給する。With the above operation, the switching regulator of FIG. 9 also supplies power having a constant polarity to the load without separately preparing a drive voltage source for driving the rectifier Rect.
【0121】(第4の実施の形態)次に、この発明の第
4の実施の形態にかかる整流器を説明する。この整流器
は、例えば図10に示すように、トランジスタQB及び
Q1〜Q4と、抵抗器R1、R2及びR4と、ダイオー
ドDと、定電流源CSとより構成されている。(Fourth Embodiment) Next, a rectifier according to a fourth embodiment of the present invention will be described. This rectifier comprises, for example, as shown in FIG. 10, transistors QB and Q1 to Q4, resistors R1, R2 and R4, a diode D, and a constant current source CS.
【0122】トランジスタQB及びQ1〜Q3と、抵抗
器R1及びR2とは、図1に示す構成におけるものと実
質的に同一のものである。トランジスタQB及びQ1〜
Q3、抵抗器R1、R2及び外部の駆動電圧源の相互間
の接続関係は、(A)トランジスタQ1のエミッタが、
トランジスタQ2のベースや抵抗器R1と直接には接続
されていない点と、(B)トランジスタQBのエミッタ
と駆動電圧源との間に抵抗器RBに代えて定電流源CS
が後述するように接続されている点と、を除いて、図1
に示す整流器の接続関係と実質的に同一である。The transistors QB and Q1 to Q3 and the resistors R1 and R2 are substantially the same as those in the configuration shown in FIG. Transistors QB and Q1
The connection relationship between Q3, resistors R1, R2 and an external drive voltage source is as follows: (A) The emitter of transistor Q1 is:
A point that is not directly connected to the base of the transistor Q2 or the resistor R1, and (B) a constant current source CS between the emitter of the transistor QB and the driving voltage source instead of the resistor RB.
Are connected as shown in FIG. 1 except that
Is substantially the same as the connection relationship of the rectifier shown in FIG.
【0123】トランジスタQ4は、NPN型バイポーラ
トランジスタから構成されており、ベース、エミッタ及
びコレクタを備える。トランジスタQ4のベースはトラ
ンジスタQBのベース及びエミッタに接続されており、
トランジスタQ4のエミッタはトランジスタQ1のエミ
ッタに接続されており、トランジスタQ4のコレクタ
は、トランジスタQ2のベースに接続されている。トラ
ンジスタQ4のベース及びエミッタの間には、抵抗器R
4が接続されている。The transistor Q4 is formed of an NPN type bipolar transistor and has a base, an emitter and a collector. The base of the transistor Q4 is connected to the base and the emitter of the transistor QB,
The emitter of the transistor Q4 is connected to the emitter of the transistor Q1, and the collector of the transistor Q4 is connected to the base of the transistor Q2. A resistor R is connected between the base and the emitter of the transistor Q4.
4 are connected.
【0124】定電流源CSは定電流ダイオード等より構
成され、正極及び負極を備え、正極はトランジスタQB
のエミッタに接続され、負極は、駆動電圧源の正極と、
トランジスタQ2のエミッタとに接続されている。そし
て、定電流源CSは、駆動電圧源から電源電圧が供給さ
れているとき、後述するように、自己の負極から正極へ
と一定の大きさの電流を流す。The constant current source CS is composed of a constant current diode and the like, and has a positive electrode and a negative electrode.
The negative electrode is connected to the positive electrode of the driving voltage source,
It is connected to the emitter of the transistor Q2. When the power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the constant current source CS flows a current of a certain magnitude from its own negative electrode to its positive electrode as described later.
【0125】ダイオードDは、トランジスタQ3が後述
する動作に従ってオンするときにトランジスタQ3のベ
ースにベース電流を供給する。ダイオードDは、アノー
ド及びカソードを備え、ダイオードDのアノードはトラ
ンジスタQ3のエミッタに接続され、ダイオードDのカ
ソードはトランジスタQ3のベースに接続されている。Diode D supplies a base current to the base of transistor Q3 when transistor Q3 is turned on in accordance with the operation described later. The diode D has an anode and a cathode. The anode of the diode D is connected to the emitter of the transistor Q3, and the cathode of the diode D is connected to the base of the transistor Q3.
【0126】図10に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給したとする。この場合、トランジスタ
QBのベースの電位の高さは、駆動用電源の正極の電位
から、定電流源CSの両端に発生する電圧降下を差し引
いたものに実質的に等しい。そして、トランジスタQB
のコレクタ電流は、トランジスタQBのベースの電位が
上昇すれば増加し、ベースの電位が降下すれば減少する
関係にある。従って、トランジスタQBのベース−コレ
クタ間の電圧は、定電流源CSを流れる電流をトランジ
スタQBのエミッタ−コレクタ間に流すために必要な電
圧となる。In the configuration shown in FIG. 10, it is assumed that a power supply voltage is supplied from a drive voltage source. In this case, the height of the potential of the base of the transistor QB is substantially equal to the potential of the positive electrode of the driving power supply minus the voltage drop generated across the constant current source CS. And the transistor QB
Collector current increases when the potential at the base of the transistor QB increases, and decreases when the potential at the base decreases. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor QB is a voltage necessary for flowing the current flowing through the constant current source CS between the emitter and the collector of the transistor QB.
【0127】そして、この状態で、この整流器のカソー
ドの電位を、この整流器のアノードの電位より高くした
とする。すると、トランジスタQ1のベース−コレクタ
間の電圧は、トランジスタQ1をオンさせるに必要な電
圧にわずかに足らない値となる。このためトランジスタ
Q1はオフ状態を保つ。従って、抵抗器R1の両端間に
は、トランジスタQ4のオン又はオフの状態のいかんに
関わらず実質的に電圧降下が発生せず、従ってトランジ
スタQ2もオフし続ける。このためさらに、抵抗器R2
の両端間にも実質的に電圧降下が発生せず、トランジス
タQ3もオフし続ける。従って、図10の整流器のアノ
ード−カソード間は実質的に遮断され続ける。In this state, it is assumed that the potential of the cathode of the rectifier is higher than the potential of the anode of the rectifier. Then, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 becomes a value slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. Therefore, the transistor Q1 remains off. Therefore, substantially no voltage drop occurs across the resistor R1 irrespective of whether the transistor Q4 is on or off, and the transistor Q2 also keeps off. Therefore, the resistor R2
Substantially no voltage drop occurs between both ends of the transistor Q3, and the transistor Q3 keeps turning off. Therefore, the connection between the anode and the cathode of the rectifier in FIG.
【0128】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より低くなる。このた
め、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、
トランジスタQ1をオンさせるような電圧に達し、トラ
ンジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the cathode of the rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes lower than the potential of the collector of the transistor QB. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is
The voltage reaches a voltage that turns on the transistor Q1, and the transistor Q1 turns on.
【0129】すると、駆動電圧源の正極から、定電流源
CS、抵抗器R4、トランジスタQ1のエミッタ及びコ
レクタを経てこの整流器のカソードに至る電流路が形成
される。この結果、抵抗器R4とトランジスタQBのベ
ースとの接続点の電位は、抵抗器R4に流れる電流及び
トランジスタQBのエミッタ−コレクタ間に流れる電流
の和が実質的に定電流源CSに流れる電流の大きさに等
しくなるような電位になる。Then, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the cathode of the rectifier via the constant current source CS, the resistor R4, the emitter and the collector of the transistor Q1, and the like. As a result, the potential at the connection point between the resistor R4 and the base of the transistor QB is substantially equal to the sum of the current flowing through the resistor R4 and the current flowing between the emitter and the collector of the transistor QB. The potential becomes equal to the magnitude.
【0130】そして、抵抗器R4に流れる電流により、
抵抗器R4の両端には、トランジスタQ4のエミッタに
対するベースの極性を正極性とするような向きの電圧降
下が発生する。この結果、駆動電圧源の正極から、抵抗
器R1、トランジスタQ4のコレクタ及びエミッタ、ト
ランジスタQ1のエミッタ及びコレクタを経てこの整流
器のカソードに至る電流路が形成される。Then, by the current flowing through the resistor R4,
A voltage drop occurs at both ends of the resistor R4 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q4 becomes positive. As a result, a current path is formed from the positive electrode of the driving voltage source to the cathode of the rectifier via the resistor R1, the collector and the emitter of the transistor Q4, and the emitter and the collector of the transistor Q1.
【0131】これにより、抵抗器R1の両端間には、ト
ランジスタQ2のエミッタに対するベースの極性を負極
性とするような向きの電圧降下が発生する。従って、ト
ランジスタQ2もオンする。As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R1 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 becomes negative. Therefore, the transistor Q2 is also turned on.
【0132】トランジスタQ2がオンすると、駆動電圧
源の正極から、トランジスタQ2のエミッタ及びコレク
タ、抵抗器R2を順に経て駆動電圧源の負極に至る電流
路が形成される。この結果、抵抗器R2の両端間には、
トランジスタQ3のエミッタに対するベースの極性を正
極性とするような向きの電圧降下が発生し、トランジス
タQ3はオンする。これにより、この整流器のアノード
からカソードへと電流が流れる。When the transistor Q2 is turned on, a current path is formed from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source through the emitter and collector of the transistor Q2 and the resistor R2 in this order. As a result, between both ends of the resistor R2,
A voltage drop occurs such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q3 becomes positive, and the transistor Q3 turns on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0133】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ3のコ
レクタ−エミッタ間の電圧降下の量が増大して、この整
流器が発生する損失の量が増大する。この結果、トラン
ジスタQ1のコレクタの電圧とトランジスタQBのコレ
クタの電圧との差が増大して、トランジスタQ1のエミ
ッタ−コレクタ間に流れる電流は増大する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the amount of voltage drop between the collector and the emitter of transistor Q3 increases, and the amount of loss generated by the rectifier increases. As a result, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases.
【0134】これにより抵抗器R1の両端間の電圧降下
の大きさも増大して、トランジスタQ2への順バイアス
がより深くなり、トランジスタQ2のコレクタ−エミッ
タ間に流れる電流は増大する。この結果、抵抗器R2の
両端間の電圧降下の大きさも増大して、トランジスタQ
3への順バイアスがより深くなり、トランジスタQ3の
コレクタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。従
って、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発生
する電圧降下は小さくなり、この整流器が発生させる損
失の量は減少する。As a result, the magnitude of the voltage drop across the resistor R1 also increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the current flowing between the collector and the emitter of the transistor Q2 increases. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R2 also increases, and the transistor Q
3 becomes deeper and the collector-emitter impedance of transistor Q3 decreases. Thus, the voltage drop across the collector-emitter of transistor Q3 is reduced, and the amount of loss created by this rectifier is reduced.
【0135】図10の整流器においては、抵抗器R1に
流れる電流は、トランジスタQ4のコレクタ−エミッタ
間にも電圧降下を発生させるので、駆動用電源の電圧
は、図1に示す構成の整流器を駆動するための駆動用電
源の電圧より高いものを用いることが出来る。In the rectifier shown in FIG. 10, since the current flowing through the resistor R1 causes a voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q4, the voltage of the driving power supply drives the rectifier shown in FIG. For example, a voltage higher than the voltage of the driving power supply can be used.
【0136】従って、例えば図7の整流回路を、図1の
整流器に代えて図10の整流器により構成すれば、図1
の整流器より構成された図7の整流回路より大きな振幅
の交流電圧を整流することが可能となる。また、例えば
図8のスイッチングレギュレータを、図1の整流器に代
えて図10の整流器により構成すれば、図1の整流器よ
り構成された図8のスイッチングレギュレータより高電
圧の直流電圧を発生することが可能となる。Therefore, for example, if the rectifier of FIG. 7 is constituted by the rectifier of FIG. 10 instead of the rectifier of FIG.
It is possible to rectify an AC voltage having a larger amplitude than the rectifier circuit shown in FIG. Also, for example, if the switching regulator of FIG. 8 is configured by the rectifier of FIG. 10 instead of the rectifier of FIG. 1, a DC voltage higher than that of the switching regulator of FIG. 8 configured by the rectifier of FIG. 1 can be generated. It becomes possible.
【0137】なお、この整流器の構成も上述のものに限
られない。例えば、トランジスタQ4は、コレクタが接
続されるべき箇所にエミッタを接続し、エミッタが接続
されるべき箇所にコレクタが接続されるようにして用い
られてもよい。また、図11に示すように、トランジス
タQB及びQ1〜Q3と、抵抗器R1及びR2とは、図
2に示す構成におけるものと実質的に同一のものであっ
てもよい。The configuration of the rectifier is not limited to the one described above. For example, the transistor Q4 may be used such that an emitter is connected to a place where a collector is to be connected, and a collector is connected to a place where an emitter is to be connected. Also, as shown in FIG. 11, the transistors QB and Q1 to Q3 and the resistors R1 and R2 may be substantially the same as those in the configuration shown in FIG.
【0138】ただしこの場合、トランジスタQ4は、P
NP型バイポーラトランジスタから構成されるものとす
る。また、定電流源CSの正極は、駆動電圧源の負極
と、トランジスタQ2のエミッタとに接続され、負極は
トランジスタQBのエミッタに接続されるものとする。
また、ダイオードDのアノードはトランジスタQ3のベ
ースに接続され、ダイオードDのカソードはトランジス
タQ3のエミッタに接続されるものとする。However, in this case, the transistor Q4
It is assumed that it is formed of an NP-type bipolar transistor. The positive electrode of the constant current source CS is connected to the negative electrode of the drive voltage source and the emitter of the transistor Q2, and the negative electrode is connected to the emitter of the transistor QB.
The anode of the diode D is connected to the base of the transistor Q3, and the cathode of the diode D is connected to the emitter of the transistor Q3.
【0139】図11に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給すると、トランジスタQBのベースの
電位の高さは、駆動用電源の負極の電位に、定電流源C
Sの両端に発生する電圧降下を加えたものに実質的に等
しくなる。そして、トランジスタQBのベース−コレク
タ間の電圧は、定電流源CSを流れる電流をトランジス
タQBのエミッタ−コレクタ間に流すために必要な電圧
となる。In the configuration shown in FIG. 11, when a power supply voltage is supplied from a drive voltage source, the height of the potential of the base of transistor QB is changed to the potential of the negative electrode of the drive power supply by constant current source C.
It is substantially equal to the sum of the voltage drop occurring across S. Then, the voltage between the base and the collector of the transistor QB is a voltage necessary for flowing the current flowing through the constant current source CS between the emitter and the collector of the transistor QB.
【0140】この状態で、この整流器のアノードの電位
をカソードの電位より低くしたとすると、トランジスタ
Q1のゲート−ソース間の電圧は、トランジスタQ1を
オンさせるに必要な電圧にわずかに足らない値となり、
トランジスタQ1はオフ状態を保つ。In this state, assuming that the potential of the anode of the rectifier is lower than the potential of the cathode, the voltage between the gate and source of the transistor Q1 becomes slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. ,
Transistor Q1 remains off.
【0141】従って、抵抗器R1の両端間には実質的に
電圧降下が発生せず、従ってトランジスタQ2もオフし
続ける。このためさらに、抵抗器R2の両端間にも実質
的に電圧降下が発生せず、トランジスタQ3もオフし続
け、結局、この整流器のアノード−カソード間は実質的
に遮断され続ける。Therefore, substantially no voltage drop occurs between both ends of the resistor R1, and the transistor Q2 also keeps turning off. Therefore, substantially no voltage drop occurs between both ends of the resistor R2, and the transistor Q3 continues to be turned off. As a result, the voltage between the anode and the cathode of the rectifier continues to be substantially cut off.
【0142】次に、この整流器のアノードの電位をカソ
ードの電位より高くすると、トランジスタQ1のコレク
タの電位は、トランジスタQBのコレクタの電位より高
くなるので、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の
電圧は、トランジスタQ1をオンさせるような電圧に達
し、トランジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the anode of the rectifier is made higher than the potential of the cathode, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes higher than the potential of the collector of the transistor QB. The voltage reaches a voltage that turns on the transistor Q1, and the transistor Q1 turns on.
【0143】すると、この整流器のアノードから、トラ
ンジスタQ1のコレクタ及びエミッタ、抵抗器R4及び
定電流源CSを経て、駆動電圧源の負極に至る電流路が
形成される。この結果、抵抗器R4とトランジスタQB
のベースとの接続点の電位は、抵抗器R4に流れる電流
及びトランジスタQBのエミッタ−コレクタ間に流れる
電流の和が実質的に定電流源CSに流れる電流の大きさ
に等しくなるような電位になる。Then, a current path from the anode of the rectifier to the negative electrode of the drive voltage source is formed through the collector and emitter of the transistor Q1, the resistor R4, and the constant current source CS. As a result, the resistor R4 and the transistor QB
Of the current flowing through the resistor R4 and the current flowing between the emitter and the collector of the transistor QB are substantially equal to the magnitude of the current flowing through the constant current source CS. Become.
【0144】そして、抵抗器R4の両端には、トランジ
スタQ4のエミッタに対するベースの極性を負極性とす
るような向きの電圧降下が発生する。この結果、この整
流器のアノードから、トランジスタQ1のコレクタ及び
エミッタ、トランジスタQ4のエミッタ及びコレクタ及
び抵抗器R1を順に経て、駆動電圧源の負極に至る電流
路が形成される。これにより、抵抗器R1の両端間に
は、トランジスタQ2のエミッタに対するベースの極性
を正極性とするような向きの電圧降下が発生し、トラン
ジスタQ2もオンする。Then, a voltage drop is generated at both ends of the resistor R4 in such a direction that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q4 becomes negative. As a result, a current path is formed from the anode of the rectifier to the negative electrode of the drive voltage source through the collector and emitter of the transistor Q1, the emitter and collector of the transistor Q4, and the resistor R1 in that order. As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R1 such that the polarity of the base of the transistor Q2 with respect to the emitter becomes positive, and the transistor Q2 also turns on.
【0145】トランジスタQ2がオンすると、駆動電圧
源の正極から、抵抗器R2、トランジスタQ2のコレク
タ及びエミッタを順に経て駆動電圧源の負極に至る電流
路が形成され、抵抗器R2の両端間には、トランジスタ
Q3のエミッタに対するベースの極性を負極性とする向
きの電圧降下が発生し、トランジスタQ3はオンする。
これにより、この整流器のアノードからカソードへと電
流が流れる。When the transistor Q2 is turned on, a current path is formed from the positive electrode of the driving voltage source to the negative electrode of the driving voltage source through the resistor R2, the collector and the emitter of the transistor Q2 in this order, and between both ends of the resistor R2. Then, a voltage drop occurs in which the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q3 is set to the negative polarity, and the transistor Q3 is turned on.
This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0146】そして、図11の整流器のアノードからカ
ソードへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ1
のコレクタの電圧とトランジスタQBのコレクタの電圧
との差が増大して、トランジスタQ1のエミッタ−コレ
クタ間に流れる電流は増大する。これにより抵抗器R1
の両端間の電圧降下の大きさも増大して、トランジスタ
Q2への順バイアスがより深くなり、トランジスタQ2
のコレクタ−エミッタ間に流れる電流は増大する。この
結果、抵抗器R2の両端間の電圧降下の大きさも増大し
て、トランジスタQ3への順バイアスがより深くなり、
トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間のインピーダ
ンスが減少する。従って、トランジスタQ3のコレクタ
−エミッタ間に発生する電圧降下は小さくなり、この整
流器が発生する損失の量は減少する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier in FIG. 11 increases, the transistor Q1
The difference between the collector voltage of the transistor Q1 and the collector voltage of the transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and the collector of the transistor Q1 increases. This allows the resistor R1
The magnitude of the voltage drop between both ends of the transistor Q2 also increases, and the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper.
The current flowing between the collector and the emitter of the transistor increases. As a result, the magnitude of the voltage drop across the resistor R2 also increases, and the forward bias on the transistor Q3 becomes deeper,
The impedance between the collector and the emitter of the transistor Q3 decreases. Therefore, the voltage drop between the collector and the emitter of the transistor Q3 is small, and the amount of loss generated by the rectifier is reduced.
【0147】(第5の実施の形態)次に、この発明の第
5の実施の形態にかかる整流器を説明する。この整流器
は、例えば図12に示すように、トランジスタQB及び
Q1〜Q4と、抵抗器R1及びR2と、ダイオードD
と、定電流源CSとより構成されている。(Fifth Embodiment) Next, a rectifier according to a fifth embodiment of the present invention will be described. This rectifier includes transistors QB and Q1 to Q4, resistors R1 and R2, and a diode D as shown in FIG.
And a constant current source CS.
【0148】トランジスタQB及びQ1〜Q3と、ダイ
オードDと、定電流源CSと、抵抗器R1及びR2と
は、図10に示す構成におけるものと実質的に同一のも
のである。トランジスタQB及びQ1〜Q3、ダイオー
ドD、定電流源CS、抵抗器R1、R2及び外部の駆動
電圧源の相互間の接続関係は、図10に示す整流器の接
続関係と実質的に同一である。The transistors QB and Q1 to Q3, the diode D, the constant current source CS, and the resistors R1 and R2 are substantially the same as those in the configuration shown in FIG. The connection relationship among the transistors QB and Q1 to Q3, the diode D, the constant current source CS, the resistors R1 and R2, and the external drive voltage source is substantially the same as the connection relationship of the rectifier shown in FIG.
【0149】図12の構成において、トランジスタQ4
は、ディプレッション型nチャネルFETから構成され
ており、ゲート、ソース及びドレインを備える。トラン
ジスタQ4のゲートはトランジスタQBのベース及びエ
ミッタに接続されており、トランジスタQ4のソースは
トランジスタQ1のエミッタに接続されており、トラン
ジスタQ4のドレインは、トランジスタQ2のベースに
接続されている。In the structure of FIG. 12, transistor Q4
Is composed of a depletion-type n-channel FET and has a gate, a source, and a drain. The gate of the transistor Q4 is connected to the base and the emitter of the transistor QB, the source of the transistor Q4 is connected to the emitter of the transistor Q1, and the drain of the transistor Q4 is connected to the base of the transistor Q2.
【0150】図12に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給すると、トランジスタQBのベース−
コレクタ間の電圧は、定電流源CSを流れる電流をトラ
ンジスタQBのエミッタ−コレクタ間に流すために必要
な電圧となる。In the structure shown in FIG. 12, when the power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the base of transistor QB
The voltage between the collectors is a voltage necessary for flowing the current flowing through the constant current source CS between the emitter and the collector of the transistor QB.
【0151】そして、この状態で、この整流器のカソー
ドの電位を、この整流器のアノードの電位より高くする
と、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、
トランジスタQ1をオンさせるに必要な電圧にわずかに
足らない値となる。このためトランジスタQ1はオフ
し、更に、トランジスタQ4のオン又はオフの状態のい
かんに関わらずトランジスタQ2及びQ3もオフし続け
る。このため、図12の整流器のアノード−カソード間
は実質的に遮断され続ける。In this state, if the potential of the cathode of the rectifier is made higher than the potential of the anode of the rectifier, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 becomes
The value is slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. Therefore, the transistor Q1 is turned off, and the transistors Q2 and Q3 continue to be turned off regardless of whether the transistor Q4 is on or off. Therefore, the connection between the anode and the cathode of the rectifier in FIG.
【0152】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より低くなり、トラン
ジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the cathode of this rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes lower than the potential of the collector of the transistor QB, Q1 turns on.
【0153】すると、トランジスタQ1のエミッタの電
位はトランジスタQ1のコレクタとほぼ等しくなり、従
って、トランジスタQ1のベースの電位より0.6ボル
ト程度低い電位となる。このため、ディプレッション型
nチャネルFETから構成されるトランジスタQ4のド
レイン−ソース間が導通し、駆動電圧源の正極から、抵
抗器R1、トランジスタQ4のドレイン及びソース、ト
ランジスタQ1のエミッタ及びコレクタを経てこの整流
器のカソードに至る電流路が形成される。Then, the potential of the emitter of the transistor Q1 becomes substantially equal to the collector of the transistor Q1, and is therefore lower than the potential of the base of the transistor Q1 by about 0.6 volt. For this reason, the drain-source of the transistor Q4 composed of a depletion-type n-channel FET conducts, and the positive electrode of the drive voltage source passes through the resistor R1, the drain and source of the transistor Q4, and the emitter and collector of the transistor Q1. A current path to the rectifier cathode is formed.
【0154】これにより、抵抗器R1の両端間に、トラ
ンジスタQ2のエミッタに対するベースの極性を負極性
とするような向きの電圧降下が発生してトランジスタQ
2もオンし、更にトランジスタQ3もオンする。これに
より、この整流器のアノードからカソードへと電流が流
れる。As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R1 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 becomes negative.
2 is turned on, and the transistor Q3 is also turned on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0155】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ1のコ
レクタの電圧とトランジスタQBのコレクタの電圧との
差が増大して、トランジスタQ1のエミッタ−コレクタ
間に流れる電流は増大する。これにより抵抗器R1の両
端間の電圧降下の大きさも増大してトランジスタQ2へ
の順バイアスがより深くなり、更にトランジスタQ3へ
の順バイアスもより深くなり、トランジスタQ3のコレ
クタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。従っ
て、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発生す
る電圧降下は小さくなり、この整流器が発生させる損失
の量は減少する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases. Increases. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R1 increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, the forward bias to the transistor Q3 becomes deeper, and the impedance between the collector and the emitter of the transistor Q3 decreases. Decrease. Thus, the voltage drop across the collector-emitter of transistor Q3 is reduced, and the amount of loss created by this rectifier is reduced.
【0156】図12の整流器においては、抵抗器R1に
流れる電流は、トランジスタQ4のドレイン−ソース間
にも電圧降下を発生させるので、図12の整流器におい
ても、駆動用電源の電圧は、図1に示す構成の整流器を
駆動するための駆動用電源の電圧より高いものを用いる
ことが出来る。In the rectifier of FIG. 12, since the current flowing through the resistor R1 causes a voltage drop between the drain and source of the transistor Q4, the voltage of the driving power supply is also the same as that of the rectifier of FIG. A voltage higher than the voltage of the driving power supply for driving the rectifier having the configuration shown in FIG.
【0157】なお、この整流器の構成も上述のものに限
られない。例えば、図13に示すように、トランジスタ
QB及びQ1〜Q3と、ダイオードDと、定電流源CS
と、抵抗器R1及びR2とは、図11に示す構成におけ
るものと実質的に同一のものであってもよい。The configuration of the rectifier is not limited to the one described above. For example, as shown in FIG. 13, transistors QB and Q1 to Q3, a diode D, and a constant current source CS
And resistors R1 and R2 may be substantially the same as in the configuration shown in FIG.
【0158】この場合、トランジスタQB及びQ1〜Q
3、ダイオードD、定電流源CS、抵抗器R1、R2及
び外部の駆動電圧源の相互間の接続関係は、図11に示
す整流器の接続関係と実質的に同一とする。そして、ト
ランジスタQ4は、ディプレッション型pチャネルFE
Tから構成されるものとする。In this case, transistors QB and Q1-Q
3. The connection relation among the diode D, the constant current source CS, the resistors R1, R2 and the external drive voltage source is substantially the same as the connection relation of the rectifier shown in FIG. The transistor Q4 has a depletion-type p-channel FE
T.
【0159】図13に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給し、この整流器のカソードの電位を、
この整流器のアノードの電位より高くすると、トランジ
スタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、トランジスタ
Q1をオンさせるに必要な電圧にわずかに足らない値と
なる。このためトランジスタQ1はオフし、更に、トラ
ンジスタQ4のオン又はオフの状態のいかんに関わらず
トランジスタQ2及びQ3もオフし続ける。このため、
図13の整流器のアノード−カソード間は実質的に遮断
され続ける。In the configuration shown in FIG. 13, a power supply voltage is supplied from a drive voltage source, and the potential of the cathode of this rectifier is
If the potential is higher than the anode potential of the rectifier, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 becomes slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. Therefore, the transistor Q1 is turned off, and the transistors Q2 and Q3 continue to be turned off regardless of whether the transistor Q4 is on or off. For this reason,
The anode-cathode gap of the rectifier of FIG.
【0160】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より高くなり、トラン
ジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the cathode of the rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes higher than the potential of the collector of the transistor QB, Q1 turns on.
【0161】すると、トランジスタQ1のエミッタの電
位はトランジスタQ1のコレクタとほぼ等しくなり、従
って、トランジスタQ1のベースの電位より0.6ボル
ト程度高い電位となる。このため、ディプレッション型
pチャネルFETから構成されるトランジスタQ4のド
レイン−ソース間が導通し、この整流器のアノードか
ら、トランジスタQ1のコレクタ及びエミッタ、トラン
ジスタQ4のソース及びドレイン、抵抗器R1を順に経
て駆動電圧源の負極に至る電流路が形成される。なおこ
の場合も、トランジスタQ4のドレイン−ソース間には
電圧降下が発生する。Then, the potential of the emitter of the transistor Q1 becomes substantially equal to the collector of the transistor Q1, and therefore becomes a potential higher by about 0.6 volts than the potential of the base of the transistor Q1. As a result, conduction is established between the drain and source of the transistor Q4 composed of a depletion-type p-channel FET. A current path leading to the negative electrode of the voltage source is formed. Also in this case, a voltage drop occurs between the drain and the source of the transistor Q4.
【0162】これにより、抵抗器R1の両端間に、トラ
ンジスタQ2のエミッタに対するベースの極性を正極性
とするような向きの電圧降下が発生してトランジスタQ
2もオンし、更にトランジスタQ3もオンする。これに
より、この整流器のアノードからカソードへと電流が流
れる。As a result, a voltage drop occurs between both ends of the resistor R1 such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 becomes positive.
2 is turned on, and the transistor Q3 is also turned on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0163】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ1のコ
レクタの電圧とトランジスタQBのコレクタの電圧との
差が増大して、トランジスタQ1のエミッタ−コレクタ
間に流れる電流は増大する。これにより抵抗器R1の両
端間の電圧降下の大きさも増大してトランジスタQ2へ
の順バイアスがより深くなり、更にトランジスタQ3へ
の順バイアスもより深くなり、トランジスタQ3のコレ
クタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。従っ
て、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発生す
る電圧降下は小さくなり、この整流器が発生させる損失
の量は減少する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases. Increases. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R1 increases, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, the forward bias to the transistor Q3 becomes deeper, and the impedance between the collector and the emitter of the transistor Q3 decreases. Decrease. Thus, the voltage drop across the collector-emitter of transistor Q3 is reduced, and the amount of loss created by this rectifier is reduced.
【0164】また、図12の構成において、定電流源C
Sは、例えば図14に示すように、トランジスタQ5及
び抵抗器R4より構成されていてもよい。また、図13
の構成においても、定電流源CSは、例えば図15に示
すように、トランジスタQ5及び抵抗器R4より構成さ
れていてもよい。In the configuration shown in FIG. 12, the constant current source C
S may be composed of a transistor Q5 and a resistor R4, for example, as shown in FIG. FIG.
In the above configuration, the constant current source CS may be composed of a transistor Q5 and a resistor R4 as shown in FIG. 15, for example.
【0165】図14の構成におけるトランジスタQ5
は、ディプレッション型nチャネルFETより構成さ
れ、ドレイン、ソース及びゲートを備える。トランジス
タQ5のドレインは定電流源CSの負極を形成し、トラ
ンジスタQ5のゲート及びソースの間には抵抗器R4が
接続され、抵抗器R4の両端のうち、トランジスタQ5
のゲートに接続された方の端は、定電流源CSの正極を
形成する。Transistor Q5 in the structure of FIG.
Is composed of a depletion-type n-channel FET and has a drain, a source, and a gate. The drain of the transistor Q5 forms the negative electrode of the constant current source CS. A resistor R4 is connected between the gate and the source of the transistor Q5.
The other end connected to the gate forms the positive electrode of the constant current source CS.
【0166】図15の構成におけるトランジスタQ5
は、ディプレッション型pチャネルFETより構成さ
れ、ドレイン、ソース及びゲートを備える。トランジス
タQ5のドレインは定電流源CSの正極を形成し、トラ
ンジスタQ5のゲート及びソースの間には抵抗器R4が
接続され、抵抗器R4の両端のうち、トランジスタQ5
のゲートに接続された方の端は、定電流源CSの負極を
形成する。Transistor Q5 in the structure of FIG.
Is composed of a depletion-type p-channel FET and has a drain, a source, and a gate. The drain of the transistor Q5 forms the positive electrode of the constant current source CS, and a resistor R4 is connected between the gate and the source of the transistor Q5.
The other end connected to the gate forms the negative electrode of the constant current source CS.
【0167】図14に示す構成においては、駆動電圧源
から電源電圧を供給すると、駆動電圧源の正極から、ト
ランジスタQ5のドレイン及びソース、抵抗器R4、ト
ラントランジスタQBのエミッタ及びコレクタを経て、
駆動電圧源の負極に至る電流が流れる。この電流は、抵
抗器R4の両端間に、トランジスタQ5のゲートをトラ
ンジスタQ5のソースより低電位とする向きの(すなわ
ち、トランジスタQ5を逆バイアスする向きの)電圧降
下を発生させる。そして、抵抗器R4に流れるこの電流
は、トランジスタQ5の逆バイアスが深くなれば減少
し、トランジスタQ5の逆バイアスが浅くなれば増加す
る関係にある。従ってこの電流の大きさは一定の値に収
束する。In the configuration shown in FIG. 14, when a power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the positive electrode of the drive voltage source passes through the drain and source of transistor Q5, resistor R4, and the emitter and collector of transistor QB.
A current flows to the negative electrode of the drive voltage source. This current creates a voltage drop across resistor R4 that causes the gate of transistor Q5 to be lower in potential than the source of transistor Q5 (ie, reverse biases transistor Q5). The current flowing through the resistor R4 decreases as the reverse bias of the transistor Q5 increases and increases as the reverse bias of the transistor Q5 decreases. Therefore, the magnitude of this current converges to a constant value.
【0168】また、図15に示す構成においては、駆動
電圧源から電源電圧を供給すると、駆動電圧源の正極か
ら、トランジスタQBのコレクタ及びエミッタ、抵抗器
R4、トランジスタQ5のソース及びドレインを経て、
駆動電圧源の負極に至る電流が流れる。この電流は、抵
抗器R4の両端間に、トランジスタQ5のゲートをトラ
ンジスタQ5のソースより高電位とする向きの(すなわ
ち、トランジスタQ5を逆バイアスする向きの)電圧降
下を発生させる。そして、抵抗器R4に流れるこの電流
は、トランジスタQ5の逆バイアスが深くなれば減少
し、トランジスタQ5の逆バイアスが浅くなれば増加す
る。従ってこの電流の大きさは一定の値に収束する。In the configuration shown in FIG. 15, when the power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the positive electrode of the drive voltage source passes through the collector and emitter of the transistor QB, the resistor R4, and the source and drain of the transistor Q5.
A current flows to the negative electrode of the drive voltage source. This current creates a voltage drop across resistor R4 that causes the gate of transistor Q5 to be at a higher potential than the source of transistor Q5 (ie, reverse biases transistor Q5). This current flowing through the resistor R4 decreases as the reverse bias of the transistor Q5 increases, and increases as the reverse bias of the transistor Q5 decreases. Therefore, the magnitude of this current converges to a constant value.
【0169】すなわち、図14あるいは図15に示す通
りに接続されたトランジスタQ5及び抵抗器R4は、定
電流源CSとして機能する。That is, the transistor Q5 and the resistor R4 connected as shown in FIG. 14 or FIG. 15 function as a constant current source CS.
【0170】(第6の実施の形態)次に、この発明の第
6の実施の形態にかかる整流器を説明する。この整流器
は、例えば図16に示すように、トランジスタQB及び
Q1〜Q4と、抵抗器R1、R2及びR4と、ダイオー
ドDとより構成されている。(Sixth Embodiment) Next, a rectifier according to a sixth embodiment of the present invention will be described. This rectifier includes, for example, transistors QB and Q1 to Q4, resistors R1, R2 and R4, and a diode D, as shown in FIG.
【0171】トランジスタQB及びQ1〜Q4と、ダイ
オードDと、抵抗器R1及びR2とは、図12に示す構
成におけるものと実質的に同一のものである。トランジ
スタQB及びQ1〜Q4、ダイオードD、抵抗器R1、
R2及び外部の駆動電圧源の相互間の接続関係は、図1
2に示す整流器の接続関係と実質的に同一である。The transistors QB and Q1 to Q4, the diode D, and the resistors R1 and R2 are substantially the same as those in the configuration shown in FIG. Transistors QB and Q1-Q4, diode D, resistor R1,
The connection relationship between R2 and the external drive voltage source is shown in FIG.
The connection relation of the rectifier shown in FIG.
【0172】図16の構成において、抵抗器R4は、ト
ランジスタQ4のゲート及びソースの間に接続されてい
る。図16の構成における抵抗器R4の抵抗値は、駆動
電圧源の正極から、抵抗器R1、トランジスタQ4のド
レイン及びソース、抵抗器R4、トランジスタQBのベ
ース及びコレクタを経て駆動電圧源の負極に至る電流が
流れ、且つトランジスタQ1のコレクタの電位がトラン
ジスタQBのコレクタの電位以上のとき、抵抗器R1の
両端間に発生する電圧降下によってトランジスタQ2が
オンすることがないような値に選ばれている。In the configuration of FIG. 16, the resistor R4 is connected between the gate and the source of the transistor Q4. The resistance value of the resistor R4 in the configuration of FIG. 16 ranges from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source via the resistor R1, the drain and source of the transistor Q4, the resistor R4, and the base and collector of the transistor QB. When a current flows and the potential of the collector of the transistor Q1 is equal to or higher than the potential of the collector of the transistor QB, the value is selected so that the transistor Q2 does not turn on due to the voltage drop generated across the resistor R1. .
【0173】図16に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給すると、駆動電圧源の正極から、抵抗
器R1、トランジスタQ4のドレイン及びソース、抵抗
器R4、トランジスタQBのベース及びコレクタを経
て、駆動電圧源の負極に至る電流が流れる。この電流
は、抵抗器R4の両端間に、トランジスタQ4のゲート
をトランジスタQ4のソースより低電位とする向きの
(すなわち、トランジスタQ4を逆バイアスする向き
の)電圧降下を発生させる。そして、抵抗器R4に流れ
るこの電流は、トランジスタQ4の逆バイアスが深くな
れば減少し、トランジスタQ4の逆バイアスが浅くなれ
ば増加する関係にある。従ってこの電流の大きさは一定
の値に収束する。In the configuration shown in FIG. 16, when a power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the positive electrode of the drive voltage source passes through resistor R1, the drain and source of transistor Q4, resistor R4, and the base and collector of transistor QB. Then, a current that reaches the negative electrode of the drive voltage source flows. This current causes a voltage drop across resistor R4 that causes the gate of transistor Q4 to be lower in potential than the source of transistor Q4 (ie, reverse biases transistor Q4). The current flowing through the resistor R4 decreases as the reverse bias of the transistor Q4 increases, and increases as the reverse bias of the transistor Q4 decreases. Therefore, the magnitude of this current converges to a constant value.
【0174】そして、トランジスタQBのベースの電位
の高さは、駆動用電源の正極の電位から、抵抗器R1の
両端間に発生する電圧降下と、トランジスタQ4のドレ
イン−ソース間の電圧と、抵抗器R4の両端間に発生す
る電圧降下とを差し引いたものに実質的に等しい。そし
て、トランジスタQBのコレクタ電流は、トランジスタ
QBのベースの電位が上昇すれば増加し、ベースの電位
が降下すれば減少する関係にある。従って、トランジス
タQBのベース−コレクタ間の電圧は、トランジスタQ
4のドレイン−ソース間を流れる電流をトランジスタQ
Bのエミッタ−コレクタ間に流すために必要な電圧とな
る。The height of the potential of the base of the transistor QB is determined by the voltage drop generated across the resistor R1 from the potential of the positive electrode of the driving power supply, the voltage between the drain and source of the transistor Q4, Is substantially equal to the voltage drop across R4. The collector current of the transistor QB increases as the potential at the base of the transistor QB increases, and decreases as the potential at the base decreases. Therefore, the voltage between the base and the collector of the transistor QB is
The current flowing between the drain and source of the transistor 4
This is a voltage required to flow between the emitter and collector of B.
【0175】そして、この状態で、この整流器のカソー
ドの電位を、この整流器のアノードの電位より高くする
と、トランジスタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、
トランジスタQ1をオンさせるに必要な電圧にわずかに
足らない値となる。このためトランジスタQ1はオフす
る。In this state, when the potential of the cathode of the rectifier is made higher than the potential of the anode of the rectifier, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 becomes
The value is slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. Therefore, the transistor Q1 turns off.
【0176】また、抵抗器R1の両端間には、駆動電圧
源の正極から、抵抗器R1、トランジスタQ4のドレイ
ン及びソース、抵抗器R4、トランジスタQBのベース
及びコレクタを経て駆動電圧源の負極に至る電流によっ
て、トランジスタQ2のエミッタに対するベースの極性
を負極性とするような向きの電圧降下が発生する。しか
し、抵抗器R1の両端間に発生するこの電圧降下の大き
さは、トランジスタQ1がオフしている状態では、トラ
ンジスタQ2がオンするには足らない値となる。Further, between both ends of the resistor R1, from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source via the resistor R1, the drain and source of the transistor Q4, the resistor R4, and the base and collector of the transistor QB. The resulting current causes a voltage drop in a direction such that the polarity of the base with respect to the emitter of the transistor Q2 becomes negative. However, the magnitude of the voltage drop generated between both ends of the resistor R1 is insufficient for the transistor Q2 to be turned on when the transistor Q1 is turned off.
【0177】従って、トランジスタQ2はオフし続け、
更にトランジスタQ3もオフし続ける。このため、図1
6の整流器のアノード−カソード間は実質的に遮断され
続ける。Therefore, the transistor Q2 keeps turning off,
Further, the transistor Q3 also keeps turning off. Therefore, FIG.
The rectifier of No. 6 keeps substantially shut off between the anode and the cathode.
【0178】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より低くなり、トラン
ジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the cathode of this rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes lower than the potential of the collector of the transistor QB, Q1 turns on.
【0179】すると、トランジスタQ1に流れる電流が
トランジスタQ4のドレイン−ソース間及び抵抗器R1
にも流れるようになる。この結果、トランジスタQ4の
ドレイン−ソース間に流れる電流の大きさが収束する値
は、トランジスタQ1がオフしている場合に比べて大き
くなる。Then, the current flowing through the transistor Q1 is changed between the drain-source of the transistor Q4 and the resistor R1.
Will also flow. As a result, the value at which the magnitude of the current flowing between the drain and source of the transistor Q4 converges is larger than when the transistor Q1 is off.
【0180】これにより、抵抗器R1の両端間の電圧降
下の大きさは、トランジスタQ2をオンさせるに足る値
まで上昇し、従ってトランジスタQ2もオンし、更にト
ランジスタQ3もオンする。これにより、この整流器の
アノードからカソードへと電流が流れる。As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R1 increases to a value sufficient to turn on the transistor Q2, so that the transistor Q2 turns on, and further the transistor Q3 turns on. This causes current to flow from the anode to the cathode of the rectifier.
【0181】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ1のコ
レクタの電圧とトランジスタQBのコレクタの電圧との
差が増大して、トランジスタQ1のエミッタ−コレクタ
間に流れる電流も増大する。これにより、トランジスタ
Q4のドレイン−ソース間に流れる電流の大きさもより
大きな値に収束するようになり、値抵抗器R1の両端間
の電圧降下の大きさも増大する。従って、トランジスタ
Q2への順バイアスがより深くなり、更にトランジスタ
Q3への順バイアスもより深くなり、トランジスタQ3
のコレクタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。
従って、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発
生する電圧降下は小さくなり、この整流器が発生させる
損失の量は減少する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases. Also increase. As a result, the magnitude of the current flowing between the drain and source of the transistor Q4 also converges to a larger value, and the magnitude of the voltage drop across the value resistor R1 also increases. Therefore, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the forward bias to the transistor Q3 becomes deeper.
, The impedance between the collector and the emitter decreases.
Thus, the voltage drop across the collector-emitter of transistor Q3 is reduced, and the amount of loss created by this rectifier is reduced.
【0182】図16の整流器においては、抵抗器R1に
流れる電流は、トランジスタQ4のドレイン−ソース間
にも電圧降下を発生させるので、図16の整流器におい
ても、駆動用電源の電圧は、図1に示す構成の整流器を
駆動するための駆動用電源の電圧より高いものを用いる
ことが出来る。In the rectifier of FIG. 16, since the current flowing through the resistor R1 causes a voltage drop between the drain and source of the transistor Q4, the voltage of the driving power supply is also the same as that of the rectifier of FIG. A voltage higher than the voltage of the driving power supply for driving the rectifier having the configuration shown in FIG.
【0183】なお、この整流器の構成も上述のものに限
られない。例えば、図17に示すように、トランジスタ
QB及びQ1〜Q4と、ダイオードDとは、図13に示
す構成におけるものと実質的に同一のものであってもよ
い。この場合、図示するように、トランジスタQB及び
Q1〜Q4、ダイオードD、抵抗器R1、R2及び外部
の駆動電圧源の相互間の接続関係は、図13に示す整流
器の接続関係と実質的に同一となるようにする。The structure of the rectifier is not limited to the above. For example, as shown in FIG. 17, the transistors QB and Q1 to Q4 and the diode D may be substantially the same as those in the configuration shown in FIG. In this case, as shown, the connection relationship among the transistors QB and Q1 to Q4, the diode D, the resistors R1 and R2, and the external driving voltage source is substantially the same as the connection relationship of the rectifier shown in FIG. So that
【0184】図17に示す構成において、駆動電圧源か
ら電源電圧を供給すると、駆動電圧源の正極から、トラ
ンジスタQBのコレクタ、トランジスタQBのエミッタ
(及びベース)、抵抗器R4、トランジスタQ4のソー
ス及びドレイン、抵抗器R1、を順に経て駆動電圧源の
負極に至る電流が流れる。この電流は、抵抗器R4の両
端間に、トランジスタQ4のゲートをトランジスタQ4
のソースより高電位とする向きの(すなわち、トランジ
スタQ4を逆バイアスする向きの)電圧降下を発生させ
る。そして、抵抗器R4に流れるこの電流の大きさは一
定の値に収束する。そして、トランジスタQBのベース
−コレクタ間の電圧は、トランジスタQ4のドレイン−
ソース間を流れるこの電流をトランジスタQBのエミッ
タ−コレクタ間に流すために必要な電圧となる。In the configuration shown in FIG. 17, when a power supply voltage is supplied from the drive voltage source, the collector of the transistor QB, the emitter (and base) of the transistor QB, the resistor R4, the source of the transistor Q4, A current flows to the negative electrode of the drive voltage source via the drain and the resistor R1 in order. This current is applied across the resistor R4 across the gate of transistor Q4.
, A voltage drop is generated in a direction in which the potential is higher than the source (ie, a direction in which the transistor Q4 is reverse biased). Then, the magnitude of this current flowing through the resistor R4 converges to a constant value. The voltage between the base and the collector of the transistor QB is equal to the voltage between the drain and the transistor Q4.
This voltage is required to cause this current flowing between the sources to flow between the emitter and collector of the transistor QB.
【0185】この状態で、この整流器のカソードの電位
を、この整流器のアノードの電位より高くすると、トラ
ンジスタQ1のベース−コレクタ間の電圧は、トランジ
スタQ1をオンさせるに必要な電圧にわずかに足らない
値となる。このためトランジスタQ1はオフする。In this state, if the potential of the cathode of the rectifier is made higher than the potential of the anode of the rectifier, the voltage between the base and the collector of the transistor Q1 is slightly less than the voltage required to turn on the transistor Q1. Value. Therefore, the transistor Q1 turns off.
【0186】また、駆動電圧源の正極から、トランジス
タQBのコレクタ及びベース、抵抗器R4、トランジス
タQ4のソース及びドレイン、抵抗器R1を経て駆動電
圧源の負極に至る電流が、抵抗器R1の両端間に発生さ
せる電圧降下の大きさは、トランジスタQ1がオフして
いる状態では、トランジスタQ2がオンするには足らな
い値となる。従って、トランジスタQ2及びQ3はオフ
し続け、図17の整流器のアノード−カソード間は実質
的に遮断され続ける。A current from the positive electrode of the drive voltage source to the negative electrode of the drive voltage source via the collector and base of the transistor QB, the resistor R4, the source and drain of the transistor Q4, and the resistor R1 is applied to both ends of the resistor R1. The magnitude of the voltage drop generated between the transistors Q1 is not enough to turn on the transistor Q2 when the transistor Q1 is off. Accordingly, the transistors Q2 and Q3 continue to be turned off, and the anode-cathode of the rectifier in FIG. 17 continues to be substantially shut off.
【0187】次に、駆動電圧源から電源電圧を供給しつ
つ、この整流器のカソードの電位をアノードの電位より
低くすると、トランジスタQ1のコレクタの電位は、ト
ランジスタQBのコレクタの電位より高くなり、トラン
ジスタQ1はオンする。Next, when the potential of the cathode of the rectifier is made lower than the potential of the anode while supplying the power supply voltage from the drive voltage source, the potential of the collector of the transistor Q1 becomes higher than the potential of the collector of the transistor QB, Q1 turns on.
【0188】すると、トランジスタQ1のエミッタ−コ
レクタ間に流れる電流もトランジスタQ4のドレイン−
ソース間及び抵抗器R1に流れるようになり、トランジ
スタQ4のドレイン−ソース間に流れる電流の大きさが
収束する値は、トランジスタQ1がオフしている場合に
比べて大きくなる。これにより、抵抗器R1の両端間の
電圧降下の大きさが上昇し、トランジスタQ2がオンす
る。これによりトランジスタQ3もオンし、この整流器
のアノードからカソードへと電流が流れる。Then, the current flowing between the emitter and the collector of the transistor Q1 also increases
The current that flows between the source and the resistor R1 and the magnitude of the current flowing between the drain and the source of the transistor Q4 converges are larger than when the transistor Q1 is off. As a result, the magnitude of the voltage drop between both ends of the resistor R1 increases, and the transistor Q2 turns on. As a result, the transistor Q3 is also turned on, and a current flows from the anode to the cathode of the rectifier.
【0189】そして、この整流器のアノードからカソー
ドへと流れる電流が増大すると、トランジスタQ1のコ
レクタの電圧とトランジスタQBのコレクタの電圧との
差が増大して、トランジスタQ1のエミッタ−コレクタ
間に流れる電流が増大する。これにより、トランジスタ
Q4のドレイン−ソース間に流れる電流の大きさもより
大きな値に収束するようになり、値抵抗器R1の両端間
の電圧降下の大きさも増大する。従って、トランジスタ
Q2への順バイアスがより深くなり、更にトランジスタ
Q3への順バイアスもより深くなり、トランジスタQ3
のコレクタ−エミッタ間のインピーダンスが減少する。
従って、トランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間に発
生する電圧降下は小さくなり、この整流器が発生させる
損失の量は減少する。When the current flowing from the anode to the cathode of the rectifier increases, the difference between the voltage at the collector of transistor Q1 and the voltage at the collector of transistor QB increases, and the current flowing between the emitter and collector of transistor Q1 increases. Increase. As a result, the magnitude of the current flowing between the drain and source of the transistor Q4 also converges to a larger value, and the magnitude of the voltage drop across the value resistor R1 also increases. Therefore, the forward bias to the transistor Q2 becomes deeper, and the forward bias to the transistor Q3 becomes deeper.
, The impedance between the collector and the emitter decreases.
Thus, the voltage drop across the collector-emitter of transistor Q3 is reduced, and the amount of loss created by this rectifier is reduced.
【0190】[0190]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、損失が少なく、耐圧が大きい整流器及び電源装置が
実現される。As described above, according to the present invention, a rectifier and a power supply having a small loss and a high withstand voltage can be realized.
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る整流器の構
成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の整流器の変形例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図3】図1の整流器の変形例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図4】図1の整流器の変形例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図5】図1の整流器の変形例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図6】この発明の第2の実施の形態に係る整流回路の
構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図7】図6の整流回路の変形例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier circuit of FIG.
【図8】この発明の第3の実施の形態に係るスイッチン
グレギュレータの構成を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a switching regulator according to a third embodiment of the present invention.
【図9】図8のスイッチングレギュレータの変形例を示
す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a modification of the switching regulator of FIG.
【図10】この発明の第4の実施の形態に係る整流器の
構成を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】図10の整流器の変形例を示す回路図であ
る。FIG. 11 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図12】この発明の第5の実施の形態に係る整流器の
構成を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier according to a fifth embodiment of the present invention.
【図13】図12の整流器の変形例を示す回路図であ
る。FIG. 13 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図14】図12の整流器の変形例を示す回路図であ
る。FIG. 14 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図15】図13の整流器の変形例を示す回路図であ
る。FIG. 15 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
【図16】この発明の第6の実施の形態に係る整流器の
構成を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a rectifier according to a sixth embodiment of the present invention.
【図17】図16の整流器の変形例を示す回路図であ
る。FIG. 17 is a circuit diagram showing a modification of the rectifier of FIG.
QB、Q1〜Q5 トランジスタ RB、R1〜R4 抵抗器 CS 定電流源 D、D1〜D3 ダイオード Rect 整流器 C コンデンサ L コイル QB, Q1-Q5 Transistor RB, R1-R4 Resistor CS Constant current source D, D1-D3 Diode Rect Rectifier C Capacitor L Coil
Claims (9)
び前記基準電位の電位差を検知し、検知した結果に従っ
て、前記第1の電流路を断続制御する第1の電流路制御
素子と、 前記第1の電流路に直列に接続された第1の負荷と、 第2の電流路を備え、前記第1の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第2の電流路を断続制御する第2の電流路制御素子
と、 前記第2の電流路に直列に接続された第2の負荷と、 第3の電流路を備え、前記第2の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第3の電流路を断続制御する第3の電流路制御素子
と、を備え、 前記第1の電流路の前記一端は前記第3の電流路の一端
に接続されており、 前記基準電位源は、 前記第3の電流路の他端の電位を検出する検出手段と、 前記検出手段が検出した電位に基づいて、前記第1の電
流路制御素子が、前記第3の電流路の両端間に所定の方
向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第1の
電流路を実質的に導通させるように前記基準電位を決定
し、決定した前記基準電位を発生する手段と、を備え、 前記第2及び第3の電流路制御素子は、前記第1の電流
路に電流が流れたとき、前記第3の電流路を実質的に導
通させるように、前記第2及び第3の電流路を断続制御
する、 ことを特徴とする整流器。1. A reference potential source for generating a reference potential, a first current path, and a potential difference between one end of the first current path and the reference potential is detected. A first current path control element for intermittently controlling one current path; a first load connected in series to the first current path; and a second current path, both ends of the first load Detects the magnitude of the voltage drop that occurred between them, and according to the detected result,
A second current path control element for intermittently controlling the second current path; a second load connected in series to the second current path; and a third current path, wherein the second load is provided. The magnitude of the voltage drop that occurs between both ends of the
A third current path control element for intermittently controlling the third current path, wherein the one end of the first current path is connected to one end of the third current path, and the reference potential source Detecting means for detecting the potential of the other end of the third current path; and detecting the potential of the third current path based on the potential detected by the detecting means. Means for determining the reference potential so as to substantially conduct the first current path when a voltage for flowing a current in a predetermined direction is applied, and generating the determined reference potential. The second and third current path control elements are configured to cause the second and third current paths to substantially conduct when the current flows through the first current path. A rectifier for intermittently controlling a road.
は、各自が検知した電圧降下の大きさに従って前記電流
路のインピーダンスを連続的に変化させる連続制御手段
を備え、各前記連続制御手段は、前記第3の電流路制御
素子の電流路の両端間に流れる電流が増大したとき、前
記第3の電流路制御素子の電流路のインピーダンスが減
少するように、前記第1、第2及び第3の電流路制御素
子の各前記電流路のインピーダンスを変化させる 、 ことを特徴とする請求項1に記載の整流器。Wherein said first, second and third current path control device is provided with a continuous control means for continuously changing the impedance of the current path according to the magnitude of the voltage drop their senses, each of said The continuous control means is configured to reduce the impedance of the current path of the third current path control element so that the impedance of the current path of the third current path control element decreases when the current flowing between both ends of the current path of the third current path control element increases . Second and third current path control elements
The rectifier according to claim 1, wherein the impedance of each of the current paths of the child is changed .
の各前記連続制御手段は、制御端を備え、各自の電流路
のいずれかの端と前記制御端との間の電圧を検知し、検
知した結果に従って、各自の前記電流路のインピーダン
スを変化させるものであり、 前記基準電位源は前記基準電位を前記第1の電流路制御
素子の制御端に供給し、 前記第1の負荷は前記第2の電流路制御素子の電流路の
一端と制御端との間に接続されており、 前記第2の負荷は前記第3の電流路制御素子の電流路の
一端と制御端との間に接続されている、 ことを特徴とする請求項2に記載の整流器。3. The first, second, and third current path control elements.
Each of the continuous control means includes a control terminal, detects a voltage between any one end of the current path of the respective one and the control terminal, and changes the impedance of the current path of the respective one according to the detected result. Wherein the reference potential source supplies the reference potential to a control terminal of the first current path control element, and the first load is connected to one end of a current path of the second current path control element and a control terminal. 3. The second load is connected between one end of a current path of the third current path control element and a control end of the third current path control element. 4. Rectifier.
の電流路と、制御端とを備え、前記第4の電流路の一端
と自己の前記制御端との間の電圧を検知し、検知した結
果に従って、前記第4の電流路のインピーダンスを変化
させる第4の電流路制御素子と、 前記第4の電流路の前記一端、及び前記第4の電流路制
御素子の制御端との間に接続された第3の負荷と、を備
え、 前記基準電位源は、 電流路を備え、自己の前記電流路に所定量の電流を流す
定電流源と、 前記定電流源の電流路に直列に接続され、一端が前記第
3の電流路の他端に接続された第5の電流路と、前記第
5の電流路の前記他端、前記第1の電流路制御素子の制
御端及び前記第4の電流路制御素子の制御端に接続され
た制御端とを備え、前記第5の電流路の前記一端と自己
の前記制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従
って、自己の前記電流路のインピーダンスを変化させ、
自己の前 記制御端に前記基準電位を発生させる第5の電
流路制御素子と、を備え、前記第4の電流路制御素子は、前記第4の電流路の両端
をなすエミッタ及びコレクタと、前記第4の電流路制御
素子の制御端をなすベースと、を備えるバイポーラトラ
ンジスタより構成されており、 前記第5の電流路制御素子は、前記第5の電流路の両端
をなすエミッタ及びコレクタと、前記第5の電流路制御
素子の制御端をなすベースと、を備えるバイポーラトラ
ンジスタより構成されている、 ことを特徴とする請求項3に記載の整流器。A fourth current path connected in series to said first current path;
A current path, and a control terminal, detecting a voltage between one end of the fourth current path and the control terminal of the fourth current path, and changing the impedance of the fourth current path according to the detected result. A fourth current path control element; a third load connected between the one end of the fourth current path and a control end of the fourth current path control element; the source includes a current path, and a constant current source for supplying a predetermined amount of current to the current path of the self, are connected in series in a current path of the constant current source, said one end first
A fifth current path connected to the other end of the third current path, the other end of the fifth current path, and the control of the first current path control element.
And a control terminal connected to a control terminal of the fourth current path control element, and a voltage between the one end of the fifth current path and the control terminal of the fifth current path is detected and detected. According to the result, change the impedance of the current path of its own ,
Comprising a fifth current path control elements Ru generates said reference potential before Symbol control end of the self, and the fourth current path control element, both ends of the fourth current path
Emitter and collector, and the fourth current path control
A bipolar tiger comprising: a base forming a control end of the element;
And the fifth current path control element is connected to both ends of the fifth current path.
Emitter and collector, and the fifth current path control
A bipolar tiger comprising: a base forming a control end of the element;
4. The rectifier according to claim 3, wherein the rectifier comprises a transistor .
の電流路と、制御端とを備え、前記第4の電流路の一端
と自己の前記制御端との間の電圧を検知し、検知した結
果に従って、前記第4の電流路のインピーダンスを変化
させる第4の電流路制御素子を備え、 前記基準電位源は、 電流路を備え、自己の前記電流路に所定量の電流を流す
定電流源と、 前記定電流源の電流路に直列に接続され、一端が前記第
3の電流路の他端に接続された第5の電流路と、前記第
5の電流路の前記他端、前記第1の電流路制御素子の制
御端及び前記第4の電流路制御素子の制御端に接続され
た制御端とを備え、前記第5の電流路の前記一端と自己
の前記制御端との間の電圧を検知し、検知した結果に従
って、自己の前記電流路のインピーダンスを変化させ、
自己の前記制御端に前記基準電位を発生させる第5の電
流路制御素子と、を備え、前記第4の電流路制御素子は、前記第4の電流路の両端
をなすソース及びドレインと、前記第4の電流路制御素
子の制御端をなすゲートと、を備えるディプレッション
型電界効果トランジスタより構成されており、 前記第5の電流路制御素子は、前記第5の電流路の両端
をなすエミッタ及びコレクタと、前記第5の電流路制御
素子の制御端をなすベースと、を備えるバイポーラトラ
ンジスタより構成されている、 ことを特徴とする請求項3に記載の整流器。5. A fourth power supply connected in series with said first current path.
A current path, and a control terminal, detecting a voltage between one end of the fourth current path and the control terminal of the fourth current path, and changing the impedance of the fourth current path according to the detected result. A fourth current path control element, wherein the reference potential source has a current path, and a constant current source that supplies a predetermined amount of current to the current path of the reference current source; and a serial current path connected to the current path of the constant current source. , One end of the
A fifth current path connected to the other end of the third current path, the other end of the fifth current path, and the control of the first current path control element.
And a control terminal connected to a control terminal of the fourth current path control element, and a voltage between the one end of the fifth current path and the control terminal of the fifth current path is detected and detected. According to the result, change the impedance of the current path of its own ,
Comprising a fifth current path control elements Ru to generate the reference potential to the control terminal of the self, and the fourth current path control element, both ends of the fourth current path
Source and drain, and the fourth current path control element
A gate that forms the control end of the child
A fifth field-effect transistor, wherein the fifth current path control element is provided at both ends of the fifth current path.
Emitter and collector, and the fifth current path control
A bipolar tiger comprising: a base forming a control end of the element;
4. The rectifier according to claim 3, wherein the rectifier comprises a transistor .
少なくとも1つは、ベースから構成される前記制御端
と、エミッタ及びコレクタを両端とする前記電流路とを
備えるバイポーラトランジスタから構成される、 ことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載
の整流器。6. At least one of the first to third current path control elements comprises a bipolar transistor having the control terminal composed of a base and the current path having both ends of an emitter and a collector. The rectifier according to any one of claims 3 to 5 , wherein:
少なくとも1つは、ゲートから構成される前記制御端
と、ソース及びドレインを両端とする前記電流路とを備
える電界効果トランジスタから構成される、 ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載
の整流器。7. At least one of the first to third current path control elements is a field effect transistor including the control terminal formed of a gate and the current path having both ends of a source and a drain. The rectifier according to any one of claims 3 to 6 , wherein the rectifier is configured.
る電源装置であって、 基準電位を発生する基準電位源と、 第1の電流路を備え、前記第1の電流路の一端の電位及
び前記基準電位の電位差を検知し、検知した結果に従っ
て、前記第1の電流路を断続制御する第1の電流路制御
素子と、 一端が前記第1の電流路の他端に接続された第1の負荷
と、 第2の電流路を備え、前記第1の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第2の電流路を断続制御する第2の電流路制御素子
と、 前記第2の電流路に直列に接続された第2の負荷と、 第3の電流路を備え、前記第2の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第3の電流路を断続制御する第3の電流路制御素子
と、を備え、 前記第1の電流路の前記一端は前記第3の電流路の一端
に接続されており、 前記第2の電流路及び前記第2の負荷が形成する直列回
路の一端は、前記第3の電流路の他端に接続されてお
り、 前記第1の負荷の他端は、前記第2の電流路及び前記第
2の負荷が形成する直列回路の他端に接続されており、 前記基準電位源は、 前記第3の電流路の他端の電位を検出する検出手段と、 前記検出手段が検出した電位に基づいて、前記第1の電
流路制御素子が、前記第3の電流路の両端間に所定の方
向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第1の
電流路を実質的に導通させるように前記基準電位を決定
し、決定した前記基準電位を発生する手段と、を備え、 前記第2及び第3の電流路制御素子は、前記第1の電流
路に電流が流れたとき、前記第3の電流路を実質的に導
通させるように、前記第2及び第3の電流路を断続制御
するものであり、 前記第2の電流路及び前記第2の負荷が形成する前記直
列回路の他端と、前記第3の電流路の前記一端との間に
整流する対象の単相交流電圧が印加されたとき、前記第
2の電流路及び前記第2の負荷が形成する前記直列回路
の前記一端と、前記第3の電流路の前記他端との間に整
流電圧を出力する、 ことを特徴とする電源装置。8. A power supply device for rectifying a single-phase AC voltage and outputting a rectified voltage, comprising: a reference potential source for generating a reference potential; and a first current path, one end of the first current path. And a first current path control element for intermittently controlling the first current path according to the detection result, and one end connected to the other end of the first current path. A first load, and a second current path, wherein the magnitude of a voltage drop generated between both ends of the first load is detected, and according to the detected result,
A second current path control element for intermittently controlling the second current path; a second load connected in series to the second current path; and a third current path, wherein the second load is provided. The magnitude of the voltage drop that occurs between both ends of the
A third current path control element for intermittently controlling the third current path; wherein the one end of the first current path is connected to one end of the third current path; One end of the series circuit formed by the current path and the second load is connected to the other end of the third current path, and the other end of the first load is connected to the second current path and the second load. The reference potential source is connected to the other end of a series circuit formed by a second load, and the reference potential source detects a potential at the other end of the third current path; The first current path control element substantially conducts the first current path when a voltage is applied across both ends of the third current path in a direction in which current flows in a predetermined direction. Means for determining the reference potential, and generating the determined reference potential. A third current path control element intermittently controls the second and third current paths so as to substantially conduct the third current path when a current flows in the first current path; A single-phase AC voltage to be rectified is applied between the other end of the series circuit formed by the second current path and the second load and the one end of the third current path. And outputting a rectified voltage between the one end of the series circuit formed by the second current path and the second load and the other end of the third current path. And power supply.
び前記基準電位の電位差を検知し、検知した結果に従っ
て、前記第1の電流路を断続制御する第1の電流路制御
素子と、 一端が前記第1の電流路の他端に接続された第1の負荷
と、 第2の電流路を備え、前記第1の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第2の電流路を断続制御する第2の電流路制御素子
と、 前記第2の電流路に直列に接続された第2の負荷と、 第3の電流路を備え、前記第2の負荷の両端間に発生し
た電圧降下の大きさを検知し、検知した結果に従って、
前記第3の電流路を断続制御する第3の電流路制御素子
と、 一端が前記第3の電流路の一端に接続され、他端が、前
記第2の電流路及び前記第2の負荷が形成する直列回路
の一端及び前記第1の負荷の他端に接続されたインダク
タと、を備え、 前記第1の電流路の前記一端は前記第3の電流路の前記
一端に接続されており、 前記直列回路の他端は、前記第3の電流路の他端に接続
されており、 前記基準電位源は、 前記第3の電流路の他端の電位を検出する検出手段と、 前記検出手段が検出した電位に基づいて、前記第1の電
流路制御素子が、前記第3の電流路の両端間に所定の方
向に電流を流す向きの電圧が印加されたとき前記第1の
電流路を実質的に導通させるように前記基準電位を決定
し、決定した前記基準電位を発生する手段と、を備え、 前記第2及び第3の電流路制御素子は、前記第1の電流
路に電流が流れたとき、前記第3の電流路を実質的に導
通させるように、前記第2及び第3の電流路を断続制御
するものであり、 前記インダクタの前記他端と前記第3の電流路の前記他
端との間に外部の負荷が接続され、外部の電圧源から前
記第3の電流路の両端間に入力電圧が印加されたとき、
前記外部の電圧源から前記インダクタに供給される電流
を前記外部の負荷に流し、前記入力電圧の印加が停止さ
れたとき、前記インダクタが自己誘導する起電力により
前記第3の電流路に流れる電流を前記外部の負荷に流
す、 ことを特徴とする電源装置。9. A reference potential source for generating a reference potential, a first current path, and a potential difference between one end of the first current path and the reference potential is detected. A first current path control element for intermittently controlling one current path, a first load having one end connected to the other end of the first current path, and a second current path; Detects the magnitude of the voltage drop that occurs across the load, and according to the detected result,
A second current path control element for intermittently controlling the second current path; a second load connected in series to the second current path; and a third current path, wherein the second load is provided. The magnitude of the voltage drop that occurs between both ends of the
A third current path control element for intermittently controlling the third current path; one end connected to one end of the third current path, and the other end connected to the second current path and the second load; An inductor connected to one end of a series circuit to be formed and the other end of the first load, wherein the one end of the first current path is connected to the one end of the third current path, The other end of the series circuit is connected to the other end of the third current path, the reference potential source detects a potential at the other end of the third current path, and the detection means The first current path control element switches the first current path when a voltage is applied across both ends of the third current path in a direction in which a current flows in a predetermined direction. Means for determining the reference potential so as to substantially conduct, means for generating the determined reference potential, The second and third current path control elements are configured such that when current flows through the first current path, the second and third current path control elements substantially conduct the third current path. An intermittent control of a current path, wherein an external load is connected between the other end of the inductor and the other end of the third current path, and an external voltage source is connected to the third current path. When an input voltage is applied between both ends,
A current supplied from the external voltage source to the inductor flows to the external load, and when the application of the input voltage is stopped, a current flowing in the third current path by an electromotive force induced by the inductor. To the external load.
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