JP3098873B2 - 光ファイバ母材の製造装置 - Google Patents

光ファイバ母材の製造装置

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    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎加水分解反応によ
ってガラス微粒子を生成し、出発材上に堆積させて多孔
質ガラス体を得る光ファイバ母材の製造方法に係り、特
に反応室内の気流の乱れを抑制することによって外径、
屈折率分布の微小変動のない高品質光ファイバ母材を得
ることのできる光ファイバ母材の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、光ファイバにおいては、光は光
ファイバのコアとクラッドの境界面で全反射しながらコ
アの中を伝搬していく。この伝搬の仕方は、コアの屈折
率分布によって差が生じ、ステップインデックス形、グ
レーデッドインデックス形ともコア径が数10μm以上
になると、光の入射角によって光の通路が異なり多数の
光路が生じる。また、コアの外径を5〜15μm程度に
すると、光がコアとクラッドの境界面で反射しないでコ
アの中を直進し光路が一つとなる。このような光ファイ
バがシングルモード光ファイバである。
【0003】このような光ファイバにおいては、入射し
た光の強さが減衰することなく出射されるのが理想的で
あるが、光が光ファイバのコアの中を伝搬していく間に
種々の原因で伝送損失を生じる。光ファイバ中を伝搬し
ていく間に光の強さが弱くなっていく度合が光ファイバ
の伝送損失である。光ファイバの伝送損失は、紫外線領
域における電子遷移による吸収、赤外領域における分子
振動による吸収、波長の4乗に反比例するレイリー散
乱、不純物特に水(水酸イオン・OH基)による吸収が
主なものであり、これら全体の和として波長依存性を有
している。
【0004】また、光ファイバは、伝送帯域が広いほど
情報の伝送容量が大きい。すなわち、伝送帯域が広いほ
ど多くの信号を一度に送ることができる。この伝送帯域
は、長さ1Kmの光ファイバの片端に直流から高周波ま
での帯域をもつ振幅一定の信号を入力し、出力端での受
信信号の振幅が6dB低下した周波数の値で示したもの
である。
【0005】このような光ファイバ母材の製造は、従
来、図4に示す如くハイブリッド法に基づく光ファイバ
母材の製造装置によって製造されている。図中、1は反
応室、2はトーチ、3はガラス種棒、4はガラス微粒子
含有火炎、5はスート、6は排気ダクトである。
【0006】すなわち、反応室1内の下方に配置したト
ーチ2に、ガラス原料としてのSiCl、ド−プ原料
としてのGeClを供給し、トーチ2からその上方の
タ−ゲットとしてのガラス種棒3に向けてガラス微粒子
含有火炎4を噴射し、ガラス微粒子のスート5をガラス
種棒3の先端に付着、堆積させることにより多孔質の光
ファイバ母材を形成する。そして、この多孔質の光ファ
イバ母材を、反応室1において、電気炉(図示していな
い)で加熱したHe,Cl、Oなどの脱水作用およ
びド−パント揮発作用を有する高温のガスを導入し、こ
の高温のガス雰囲気中でスート5を図4に図示の矢印F
に示す如く回転させながらガラス種棒3を図4に図示の
矢印Gに示す如く右方に移動しつつ脱水、透明化し、長
尺で透明の光ファイバ母材を形成するものである。
【0007】トーチ2から噴射されたガラス微粒子含有
火炎4によってガラス種棒3の先端にコアスート5を堆
積する際に発生する腐食性ガス及び残余スートは、排気
ダクト6から図示されていない排気ガス処理装置に送ら
れる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来方法にお
いては、トーチ2から噴射されたガラス微粒子含有火炎
4によってガラス種棒3の先端にコアスート5を堆積す
る際に発生する腐食性ガス及び残余スートの量と排気ダ
クト6の排気能力とが一致せず、排気ダクト6の排気能
力が発生する腐食性ガス及び残余スートの量を上回って
おり、排気ダクト6のラッパ状に拡がった開口部に排気
ダクト6の開口部外周から反応室1内の汚れていない空
気が図4に図示の矢印Hに示す如く排気ダクト6内に回
り込み排気ダクト6に流れ込む。この排気ダクト6の開
口部に開口部外周から排気ダクト6内に反応室1内の汚
れていない空気が図4に図示の矢印Hに示す如く回り込
むと、反応室1内に乱流が生じる。この乱流が生じる
と、トーチ2から噴射されるガラス微粒子含有火炎4が
不規則に揺らぎ、このガラス微粒子含有火炎4の不規則
な揺らぎがガラス微粒子の均一な堆積を阻害し、光ファ
イバ母材の外径、屈折率差、RI分布の長手方向での微
小変動をもたらし製造される光ファイバ母材の品質を低
下させるという問題点を有している。
【0009】この反応室1内に乱流は、排気ダクト6の
排気口を小さくする等排気ダクト6の排気能力をガラス
微粒子含有火炎4の噴射によって発生する腐食性ガス及
び残余スートの量より下げることによって、ある程度の
改善はできる。しかし、排気ダクト6の排気能力をガラ
ス微粒子含有火炎4の噴射によって発生する腐食性ガス
及び残余スートの量より下げると、ガラス微粒子含有火
炎4の噴射によって発生する腐食性ガス及び残余スート
を十分に捕集できなくなり光ファイバ母材の品質の低下
を招いてしまう。
【0010】本発明は、排気ダクトによる腐食性ガスの
排気の際に生じる気流の乱れを防止し、光ファイバ母材
の長手方向での外径、屈折率差、RI分布の微小変動を
抑制することのできる光ファイバ母材の製造方法及び光
ファイバ母材の製造装置を提供することを目的としてい
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項1に記載の光ファイバ母材の製造装置
は、ガラス微粒子流を放射してターゲットにコアスート
を堆積させるトーチと、このコアスート堆積箇所近傍で
排気ガス処理室に接続される排気ダクト管を備えてなる
光ファイバ母材の製造装置において,前記排気ダクト管
内を壁面によって外管室と内管室とに仕切って内管と外
管の二重管構造とし、前記外管室と内管室とを隔離する
壁面に外管から内管へ気流を流通せしめる複数の連通孔
を形成し、前記内管には排気ガス処理装置を接続され、
前記外管には排気ガス処理装置方向の所定位置にて反応
室外部の外気を前記内管の排気能力が該内管に吸い込ま
れる腐食性ガス及び残余スートの量を上回ったときに前
記内管の排気能力に応じて外管室に導入する吸気ダクト
が接続され、前記内管の内径はトーチ側から排気ガス処
理装置方向へ向かって縮径して形成したものである。
【0012】そして、内管と外管のそれぞれにダンパと
ダンパ調整器を設け、吸・排気の調節ができるようにす
るのが好ましい。
【0013】
【作用】ガラス微粒子流を放射してターゲットにコアス
ートを堆積させるトーチと、このコアスート堆積箇所近
傍で排気ガス処理室に接続される排気ダクト管を備えて
なる光ファイバ母材の製造装置において,前記排気ダク
ト管内を壁面によって外管室と内管室とに仕切って内管
と外管の二重管構造とし、前記外管室と内管室とを隔離
する壁面に外管から内管へ気流を流通せしめる複数の連
通孔を形成し、前記内管には排気ガス処理装置を接続さ
れ、前記外管には排気ガス処理装置方向の所定位置にて
前記内管の排気能力が該内管に吸い込まれる腐食性ガス
及び残余スートの量を上回ったときに前記内管の排気能
力に応じて反応室外部の外気を外管室に導入する吸気ダ
クトが接続され、前記内管の内径はトーチ側から排気ガ
ス処理装置方向へ向かって縮径して形成してあるため、
トーチからガラス微粒子含有火炎を放射しガラス種棒に
コアスートを堆積させ、腐食性ガス及び残余スートを排
気ダクトから排気させて光ファイバ母材を製造する際
に、内管の腐食性ガス及び残余スートを排気する能力
が、内管に吸い込まれる量を上回ったときに、内管の排
気能力に応じて反応室外部から外管室に外気を導入する
ので、コアスートを堆積する際に発生する腐食性ガス及
び残余スートを排気ダクト内にスムーズに誘導すること
ができ、排気ダクトによる腐食性ガスの排気の際に生じ
る気流の乱れを防止でき、光ファイバ母材の長手方向で
の外径、屈折率差、RI分布の微小変動を抑制すること
ができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1、図2には、本発明に係る光ファイバ母材の製造装置
の一実施例が示されている。
【0015】図において、1は反応室で、光ファイバ母
材を連続的に製造していく場所である。すなわち、この
反応室1は、ガラス原料としてのSiCl、ド−プ原
料としてのGeClを供給し、ガラス微粒子含有火炎
を噴射して、ガラス微粒子のスートを堆積させ、光ファ
イバ母材を形成した後、この光ファイバ母材を、He,
Cl、Oなどの透明化作用、脱水作用およびド−パ
ント揮発抑制作用を有するガスを導入して、高温下でス
ートを脱水、透明化し、長尺で透明の光ファイバ母材を
形成するところである。2はトーチで、反応室1内の下
方に配置されている。このトーチ2は、供給されるガラ
ス原料としてのSiCl、ド−プ原料としてのGeC
をガラス微粒子含有火炎4として噴射するものであ
る。すなわち、このトーチ2は、SiClの蒸気を可
燃ガス(H2 )と酸素を用いて加水分解してSiO
ートを発生させ、種になる石英棒(ガラス種棒3)の先
端にSiOスートを堆積させるためのものである。3
はガラス種棒で、トーチ2から噴射されるガラス微粒子
含有火炎4によって発生するガラス微粒子のスート5を
堆積させるものである。すなわち、ガラス種棒3を図1
に図示の矢印Aに示す如き方向に回転しながら図1に図
示の矢印Bに示す如き方向に移動していくと、トーチ2
から供給されるSiOスートが連続的に堆積されて成
長していく。
【0016】10は排気ダクトで、反応室1の上部に設
けられている。この排気ダクト10は、トーチ2から噴
射されたガラス微粒子含有火炎4によってガラス種棒3
の先端にスート5を堆積する際に発生する腐食性ガス及
び残余スートを排気するものであり、図2に示す如き構
成を有している。すなわち、排気ダクト10は、内管2
0と外管30の二重管構造を有している。内管20は、
断面が四角形状の筒状部21を有し、この筒状部21の
下端部には、裾がラッパ状に拡がった開口部22が設け
られている。この筒状部21の上端部には、トーチ2か
ら噴射されたガラス微粒子含有火炎4によってガラス種
棒3の先端にスート5を堆積する際に発生する腐食性ガ
ス及び残余スートの処理を行う排気ガス処理装置(図示
されていない)が接続されている。23は内管室で、ガ
ラス種棒3の先端にスート5を堆積する際に発生する腐
食性ガス及び残余スートを誘導する通路である。
【0017】24は連通孔で、円形状の穴によって構成
されており、内管室23と外管室33とを連通するもの
である。この連通孔24は、内管20の壁面25に反応
室1の上部から略1/3の位置から下端部まで全域に渡
って複数個設けられている。この連通孔24の径は、吸
気ダクト34、35の先端の吸気口36、37から導入
した外気を外管室31から内管20の壁面25内部の内
管室23に導入できるだけの大きさを有していればよ
い。
【0018】外管30は、内管20と所定間隔を隔てて
内管20を覆うように反応室1上部に設けられている。
31は外管室で、反応室1の外部から外気を外管30内
に導入するためのものである。32は筒状部で、断面が
四角形に形成されている。34、35は吸気ダクトで、
一端が筒状部32の上端部に接続されており外管室31
と連通している。この吸気ダクト34と吸気ダクト35
は、外管30の筒状部32の互いに対向した位置に設け
られている。この吸気ダクト34、35は、反応室1の
上部壁面を這うように取り付けられており、吸気ダクト
34、35の他端が反応室1の両側壁面を貫通し、外部
に突出して設けられている。このように吸気ダクト3
4、35は、反応室1から吸気ダクト34、35の外部
に突出した先端の吸気口36、37から外気を導入する
誘導路になっている。この吸気ダクト34、35への吸
気口36、37からの外気の導入は、自然吸気でも強制
吸気であってもよい。
【0019】このように構成されるものであるから、ト
ーチ2から噴射されたガラス微粒子含有火炎4によって
ガラス種棒3の先端にコアスート5を堆積する際に発生
する腐食性ガス及び残余スートは、図1に図示の矢印C
に示す如く、真っ直ぐ上に上昇し、排気ダクト10に吸
い込まれていく。排気ダクト10においては、腐食性ガ
ス及び残余スートは内管20の内管室23に導入され
る。この内管室23に導入された腐食性ガス及び残余ス
ートは、真っ直ぐ上に上昇していく。このとき、排気ダ
クト10の内管20の排気能力が吸い込まれる腐食性ガ
ス及び残余スートの量を上回ってる場合、吸気ダクト3
4、35の吸気口36、37から導入された外気が内管
20の壁面25に設けられた連通孔24を介して図2に
図示の矢印Dに示す如く、内管室23内に吸い込まれ
る。
【0020】したがって、従来のように排気ダクトの排
気能力が腐食性ガス及び残余スートの量を上回っている
場合、排気ダクトの開口部に排気ダクトの開口部外周か
ら反応室内の汚れていない空気が回り込んで排気ダクト
内に流れ込むと言う事がない。すなわち、腐食性ガス及
び残余スートの流れは整流され、反応室1内には乱流が
生じていない。
【0021】なお、本実施例においては、吸気ダクトを
吸気ダクト34、吸気ダクト35と2本設けているが、
2本設けることは必ずしも必要なく、外気導入量が十分
確保できれば1本でもよく、また、外気導入量が十分確
保できれば吸気ダクトの径を小さくして3本、4本と複
数本設けてもよい。
【0022】図3には、内管の壁面に形成される連通孔
の別な実施例が示されている。本実施例は、図1に図示
の実施例が連通孔を、円形状の穴によって構成したのに
対し、連通孔40をスリットによって構成したものであ
る。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス微粒子流を放射
してターゲットにコアスートを堆積させるトーチと、こ
のコアスート堆積箇所近傍で排気ガス処理室に接続され
る排気ダクト管を備えてなる光ファイバ母材の製造装置
において,前記排気ダクト管内を壁面によって外管室と
内管室とに仕切って内管と外管の二重管構造とし、前記
外管室と内管室とを隔離する壁面に外管から内管へ気流
を流通せしめる複数の連通孔を形成し、前記内管には排
気ガス処理装置を接続され、前記外管には排気ガス処理
装置方向の所定位置にて反応室外部の外気を前記内管の
排気能力が該内管に吸い込まれる腐食性ガス及び残余ス
ートの量を上回ったときに前記内管の排気能力に応じて
外管室に導入する吸気ダクトが接続され、前記内管の内
径はトーチ側から排気ガス処理装置方向へ向かって縮径
して形成してあるため、トーチからガラス微粒子含有火
炎を放射しガラス種棒にコアスートを堆積させ、腐食性
ガス及び残余スートを排気ダクトから排気させて光ファ
イバ母材を製造する際に、内管の腐食性ガス及び残余ス
ートを排気する能力が、内管に吸い込まれる量を上回っ
たときに、内管の排気能力に応じて反応室外部から外管
室に外気を導入するので、コアスートを堆積する際に発
生する腐食性ガス及び残余スートを排気ダクト内にスム
ーズに誘導することができ、排気ダクトによる腐食性ガ
スの排気の際に生じる気流の乱れを防止でき、光ファイ
バ母材の長手方向での外径、屈折率差、RI分布の微小
変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光ファイバ母材の製造方法及び光
ファイバ母材の製造装置の実施例を示す模式図である。
【図2】図1に図示の排気ダクトの一部断面全体構成図
である。
【図3】図1に図示の排気ダクトの連通孔の別な実施例
を示す図である。
【図4】従来の光ファイバ母材の製造装置を示す模式図
である。
【符号の説明】
1……………………………………………………………反
応室 2……………………………………………………………ト
ーチ 3……………………………………………………………ガ
ラス種棒 4……………………………………………………………ガ
ラス微粒子含有火炎 5……………………………………………………………ス
ート 10…………………………………………………………排
気ダクト 20…………………………………………………………内
管 23…………………………………………………………内
管室 24,40…………………………………………………連
通孔 30…………………………………………………………外
管 31…………………………………………………………外
管室 34,35…………………………………………………吸
気ダクト

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス微粒子流を放射してターゲットに
    コアスートを堆積させるトーチと、このコアスート堆積
    箇所近傍で排気ガス処理室に接続される排気ダクト管を
    備えてなる光ファイバ母材の製造装置において, 前記排気ダクト管内を壁面によって外管室と内管室とに
    仕切って内管と外管の二重管構造とし、前記外管室と内
    管室とを隔離する壁面に外管から内管へ気流を流通せし
    める複数の連通孔を形成し、前記内管には排気ガス処理
    装置を接続され、前記外管には排気ガス処理装置方向の
    所定位置にて反応室外部の外気を前記内管の排気能力が
    該内管に吸い込まれる腐食性ガス及び残余スートの量を
    上回ったときに前記内管の排気能力に応じて外管室に導
    入する吸気ダクトが接続され、前記内管の内径はトーチ
    側から排気ガス処理装置方向へ向かって縮径して形成さ
    れたことを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
  2. 【請求項2】 前記内管と前記外管のそれぞれにダンパ
    とダンパ調整器を設け、吸・排気の調節ができるように
    した請求項1に記載の光ファイバ母材の製造装置。
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