JP3092961B2 - Manufacturing method of oxide superconducting wire - Google Patents
Manufacturing method of oxide superconducting wireInfo
- Publication number
- JP3092961B2 JP3092961B2 JP03077889A JP7788991A JP3092961B2 JP 3092961 B2 JP3092961 B2 JP 3092961B2 JP 03077889 A JP03077889 A JP 03077889A JP 7788991 A JP7788991 A JP 7788991A JP 3092961 B2 JP3092961 B2 JP 3092961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxide superconducting
- tape
- film forming
- shaped substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、酸化物超電導線材の
製造方法に関するもので、特に、テープ状基材上に酸化
物超電導層が形成されてなる酸化物超電導線材の製造方
法に関するものである。The present invention relates to a method for producing an oxide superconducting wire, and more particularly to a method for producing an oxide superconducting wire having an oxide superconducting layer formed on a tape-like substrate. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】テープ状基材上に酸化物超電導層を形成
してなる酸化物超電導線材を製造しようとするとき、超
電導層の形成には、たとえば気相法が用いられる。2. Description of the Related Art When an oxide superconducting wire is formed by forming an oxide superconducting layer on a tape-shaped substrate, for example, a gas phase method is used for forming the superconducting layer.
【０００３】このような気相法を用いて製造される酸化
物超電導線材においては、通常、テープ状基材上に、基
材と超電導層との拡散を防ぐバッファ層、超電導層、超
電導状態の熱じょう乱によるクエンチを防ぐ安定化層が
それぞれ形成される。In an oxide superconducting wire manufactured using such a vapor phase method, a buffer layer, a superconducting layer, a superconducting state, and a superconducting layer which prevent diffusion of the superconducting layer from the substrate are usually formed on a tape-shaped substrate. A stabilization layer is formed to prevent quenching due to thermal disturbance.
【０００４】気相法のうち、レーザアブレーション法
は、超電導層を、高速（１μｍ／分以上）でかつ高い品
質をもって形成できる方法であることが確認されてい
る。[0004] Among the vapor phase methods, it has been confirmed that the laser ablation method can form a superconducting layer at a high speed (1 µm / min or more) and with high quality.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、テー
プ状基材上に、超電導層に加えて、バッファ層および安
定化層が形成される酸化物超電導線材の製造において、
バッファ層および安定化層は、いずれも、超電導層とは
別の種類の形成方法によって形成されていた。そのた
め、これらバッファ層および安定化層のような機能層の
形成と、超電導層の形成とを、タンデム形式の連続した
工程によって行なうことが困難であった。なぜなら、異
なる種類の形成方法のすべてについて、最適な成膜速度
範囲が一致することは極めて稀であり、それゆえに、タ
ンデム形式で複数工程を連続させることは、成膜速度お
よびラインの速度を同期させる上で無理があったためで
ある。As described above, in the production of an oxide superconducting wire in which a buffer layer and a stabilizing layer are formed on a tape-shaped substrate in addition to a superconducting layer,
Both the buffer layer and the stabilizing layer have been formed by a different type of forming method than the superconducting layer. Therefore, it has been difficult to form the functional layers such as the buffer layer and the stabilizing layer and the superconducting layer by tandem continuous steps. It is extremely rare that the optimal deposition rate range is consistent for all different types of deposition methods, and therefore, running multiple steps in tandem will synchronize the deposition rate and line speed. This is because it was impossible to do so.
【０００６】したがって、上述のような酸化物超電導線
材を製造するには、長時間必要とし、そのため、製造コ
ストも高いものであった。Therefore, it takes a long time to produce the above-described oxide superconducting wire, and the production cost is high.
【０００７】それゆえに、この発明の目的は、製造時間
の短縮およびコスト低減を可能にする、酸化物超電導線
材の製造方法を提供しようとすることである。It is therefore an object of the present invention to provide a method for manufacturing an oxide superconducting wire which enables a reduction in manufacturing time and cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、テープ状基
材上に酸化物超電導層および前記酸化物超電導層に接す
る少なくとも１つの機能層が積層されてなる酸化物超電
導線材の製造方法に向けられるものであって、上述した
技術的課題を解決するため、次のような構成を備えるこ
とを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a method for manufacturing an oxide superconducting wire in which an oxide superconducting layer and at least one functional layer in contact with the oxide superconducting layer are laminated on a tape-like substrate. In order to solve the above-mentioned technical problem, the present invention is characterized by having the following configuration.
【０００９】まず、この発明では、酸化物超電導層の形
成にレーザアブレーション法が用いられ、そして、酸化
物超電導層に接する少なくとも１つの機能層も、また、
レーザアブレーション法により形成される。このように
することにより、これら超電導層および少なくとも１つ
の機能層の形成は、タンデム形式の連続した工程によっ
て行なわれる。すなわち、この発明による酸化物超電導
線材の製造方法は、テープ状基材上に酸化物超電導層お
よび前記酸化物超電導層に接する少なくとも１つの機能
層が積層されてなる酸化物超電導線材の製造方法であっ
て、第１の成膜チャンバ内において、テープ状基材を所
定の移動速度で搬送しながら、酸化物超電導層および機
能層のいずれか一方の第１の層をテープ状基材上にレー
ザアブレーション法により形成する第１の成膜工程と、
第１の成膜チャンバから第２の成膜チャンバの内部へと
テープ状基材を搬送するとともに、第２の成膜チャンバ
内において、テープ状基材を上記移動速度で搬送しなが
ら、酸化物超電導層および機能層のうち第１の層とは異
なる第２の層をテープ状基材上にレーザアブレーション
法により形成する第２の成膜工程とを備え、第１および
第２の成膜工程のいずれか一方では、上記移動速度に基
いて、レーザアブレーション法におけるレーザ光のエネ
ルギおよびレーザ光の繰返し周波数が決定されている。 First, in the present invention, a laser ablation method is used for forming an oxide superconducting layer, and at least one functional layer in contact with the oxide superconducting layer also includes
It is formed by a laser ablation method. In this way, the formation of these superconducting layers and at least one functional layer is carried out by successive steps in tandem. That is, the oxide superconductor according to the present invention
The manufacturing method of the wire is such that an oxide superconducting layer and
And at least one function in contact with the oxide superconducting layer
A method for producing an oxide superconducting wire comprising a stack of layers.
Then, the tape-shaped substrate is placed in the first film forming chamber.
While transporting at a constant moving speed, the oxide superconducting layer and
The first layer of either of the active layers is laid on the tape-shaped substrate.
A first film forming step formed by the ablation method;
From the first film forming chamber to the inside of the second film forming chamber
The tape-shaped substrate is transported, and the second film forming chamber is
While the tape-shaped substrate is being conveyed at
Thus, the oxide superconducting layer and the functional layer are different from the first layer.
Ablation of a second layer on a tape-like substrate
A second film forming step of forming the first
In one of the second film forming steps,
The energy of the laser beam in the laser ablation method.
The repetition frequencies of lugi and laser light are determined.
【００１０】上述したように、酸化物超電導層とともに
レーザアブレーション法による形成が適用される機能層
としては、種々のものがある。[0010] As described above, there are various functional layers to be formed by the laser ablation method together with the oxide superconducting layer.
【００１１】たとえば、テープ状基材上に、バッファ層
が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さら
にその上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製
造においては、酸化物超電導層の形成に加えて、バッフ
ァ層の形成、もしくは安定化層の形成、またはこれらバ
ッファ層および安定化層の形成に、レーザアブレーショ
ン法を適用することができる。For example, in the production of an oxide superconducting wire in which a buffer layer is formed on a tape-shaped substrate, an oxide superconducting layer is formed thereon, and a stabilizing layer is formed thereon, The laser ablation method can be applied to the formation of the buffer layer or the stabilization layer, or the formation of the buffer layer and the stabilization layer, in addition to the formation of the material superconducting layer.
【００１２】また、テープ状基材上に、酸化物超電導層
が形成され、その上にバッファ層が形成され、さらにそ
の上に安定化層が形成される酸化物超電導線材の製造に
おいては、バッファ層の形成、またはバッファ層および
安定化層の形成にレーザアブレーション法を適用するこ
とができる。In the production of an oxide superconducting wire in which an oxide superconducting layer is formed on a tape-like substrate, a buffer layer is formed thereon, and a stabilizing layer is formed thereon, The laser ablation method can be applied to the formation of the layer or the formation of the buffer layer and the stabilization layer.
【００１３】また、テープ状基材上に、第１のバッファ
層が形成され、その上に酸化物超電導層が形成され、さ
らにその上に第２のバッファ層が形成され、さらにその
上に安定化層が形成された酸化物超電導線材の製造にお
いては、第１のバッファ層の形成、第２のバッファ層の
形成、第１および第２のバッファ層の形成、または第１
および第２のバッファ層ならびに安定化層の形成に、レ
ーザアブレーション法を適用することができる。Further, a first buffer layer is formed on a tape-like substrate, an oxide superconducting layer is formed thereon, and a second buffer layer is further formed thereon, and further a stable In the production of the oxide superconducting wire having the oxide layer formed thereon, the formation of the first buffer layer, the formation of the second buffer layer, the formation of the first and second buffer layers, or the formation of the first buffer layer
The laser ablation method can be applied to the formation of the second buffer layer and the stabilizing layer.
【００１４】[0014]
【作用】レーザアブレーション法によれば、バッファ
層、安定化層のような機能層を、高速の成膜速度によっ
て形成しても、良好な品質を得ることができる。したが
って、高速成膜で高品質が得られる酸化物超電導層のレ
ーザアブレーション法による形成に連続して、バッファ
層、安定化層のような機能層を、同じレーザアブレーシ
ョン法によって形成することができる。According to the laser ablation method, good quality can be obtained even if functional layers such as a buffer layer and a stabilizing layer are formed at a high film forming rate. Therefore, the functional layers such as the buffer layer and the stabilizing layer can be formed by the same laser ablation method, following the formation of the oxide superconducting layer that can obtain high quality by high-speed film formation by the laser ablation method.
【００１５】[0015]
【発明の効果】したがって、この発明によれば、酸化物
超電導層の形成に加えて、バッファ層、安定化層のよう
な機能層の形成も、ともにレーザアブレーション法によ
りタンデム形式の連続した工程をもって行なうことがで
きるので、酸化物超電導線材の製造の高速化を図れ、製
造コストの低減を可能にするとともに、装置の簡略化を
図ることができる。Therefore, according to the present invention, in addition to the formation of the oxide superconducting layer, the formation of the functional layers such as the buffer layer and the stabilizing layer can be performed by the laser ablation method in a continuous tandem process. As a result, the manufacturing speed of the oxide superconducting wire can be increased, the manufacturing cost can be reduced, and the apparatus can be simplified.
【００１６】また、レーザアブレーション法は、用いら
れるレーザ光の繰返し周波数を変えることにより、成膜
速度を調整することが容易である。そのため、タンデム
形式の連続した工程を採用しても、酸化物超電導層およ
び機能層の各々について、最適な成膜速度を設定するこ
とを容易に行なえる。In the laser ablation method, the film forming speed can be easily adjusted by changing the repetition frequency of the laser light used. Therefore, even if a tandem-type continuous process is adopted, it is easy to set an optimum film forming rate for each of the oxide superconducting layer and the functional layer.
【００１７】[0017]
【実施例】図１は、この発明の一実施例を実施している
状態を示している。FIG. 1 shows a state in which an embodiment of the present invention is implemented.
【００１８】長尺の可撓性を有するテープ状基材１は、
サプライチャンバ２内のリール３から引出され、第１の
成膜チャンバ４およびこれに後続する第２の成膜チャン
バ５を通った後、巻取チャンバ６内のリール７に巻取ら
れる。The long flexible tape-shaped substrate 1 is
After being pulled out from the reel 3 in the supply chamber 2 and passing through the first film forming chamber 4 and the second film forming chamber 5 following the first film forming chamber 4, it is taken up by the reel 7 in the take-up chamber 6.
【００１９】第１の成膜チャンバ４内には、バッファ層
となるべき、たとえばＭｇＯからなるターゲット８が配
置される。ターゲット８には、レーザ９によって発生さ
れたレーザ光が照射される。これによって、ターゲット
８から飛散した粒子は、バッファ層を形成するように、
テープ状基材１上に堆積される。In the first film forming chamber 4, a target 8 to be a buffer layer, for example, made of MgO is arranged. The target 8 is irradiated with laser light generated by a laser 9. Thereby, the particles scattered from the target 8 form a buffer layer,
It is deposited on the tape-shaped substrate 1.
【００２０】また、第２の成膜チャンバ５内には、酸化
物超電導層となるべき、たとえばＹ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなるターゲット１０が配置される。ターゲット
１０には、レーザ１１から発生されたレーザ光が照射さ
れる。これによって、ターゲット１０から飛散した粒子
は、酸化物超電導層を形成するように、テープ状基材１
上のバッファ層上に堆積される。In the second film forming chamber 5, oxidation
To be a material superconducting layer, for example, Y 1BaTwoCuThreeO
7-yIs disposed. target
10 is irradiated with laser light generated from a laser 11.
It is. Thereby, particles scattered from the target 10
Is a tape-shaped substrate 1 so as to form an oxide superconducting layer.
Deposited on the upper buffer layer.
【００２１】図１に示した装置において、サプライチャ
ンバ２から第１および第２の成膜チャンバ４および５を
経て巻取チャンバ６に至るまで、閉じられた空間または
実質的に閉じられた空間を形成している。第１および第
２の成膜チャンバ４および５内に、所望の雰囲気を形成
できるようにするためである。In the apparatus shown in FIG. 1, a closed space or a substantially closed space from the supply chamber 2 to the winding chamber 6 through the first and second film forming chambers 4 and 5 is formed. Has formed. This is because a desired atmosphere can be formed in the first and second film forming chambers 4 and 5.
【００２２】以下に、図１に示した装置を用いて行なっ
た実験例について説明する。An example of an experiment performed using the apparatus shown in FIG. 1 will be described below.
【００２３】実験例１ テープ状基材１として、厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼
からなるテープを用いた。第１の成膜チャンバ４におい
て、ＭｇＯからなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、ＭｇＯからなる厚さ
０．２μｍのバッファ層をテープ状基材１上に形成し
た。さらに、第２の成膜チャンバ５において、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなるターゲット１０を、ＫｒＦエキ
シマレーザ光によってアブレーションし、バッファ層が
形成されたテープ状基材１上に、Ｙ 1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-y からなる酸化物超電導層を形成した。Experimental Example 1 Stainless steel having a thickness of 0.1 mm was used as the tape-shaped substrate 1.
Was used. In the first deposition chamber 4
Then, a target 8 made of MgO is
Thickness made of MgO, ablated by laser light
Forming a 0.2 μm buffer layer on the tape-shaped substrate 1
Was. Further, in the second film forming chamber 5, Y1Ba
TwoCuThreeO7-yTarget 10 consisting of KrF
Ablation by Shima laser light, buffer layer
On the formed tape-like substrate 1, Y 1BaTwoCuThreeO
7-yWas formed.
【００２４】この場合、重要なことは、第１の成膜チャ
ンバ４および第２の成膜チャンバ５の各々におけるテー
プ状基材１の速度を同じにすることである。In this case, it is important that the speed of the tape-shaped substrate 1 in each of the first film forming chamber 4 and the second film forming chamber 5 is the same.
【００２５】第２の成膜チャンバ５におけるＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、１μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、３ｃｍ／分の速度をもってテープ状基材１を
搬送する必要がある。レーザアブレーション法によっ
て、厚さ０．２μｍのバッファ層を、これに先立って、
かつ３ｃｍ／分の速度を保って形成するには、ＫｒＦレ
ーザ光のエネルギが２００ｍＪ、ＭｇＯのターゲット８
上でのエネルギ密度が２．８Ｊ／ｃｍ2 であって、繰返
し周波数を３４Ｈｚで行なえばよいことを確認できた。Y 1 Ba 2 in the second film forming chamber 5
When the oxide superconducting layer made of Cu 3 O 7-y is formed under the conditions that the repetition frequency of the laser beam is 200 Hz and the film forming speed is 3 μm / min, the critical current density is 10 6 A / cm.
It is possible to form two or more oxide superconducting layers.
At this time, in order to form the oxide superconducting layer with a thickness of 1 μm, it is necessary to transport the tape-shaped substrate 1 at a speed of 3 cm / min. Prior to this, a buffer layer having a thickness of 0.2 μm was formed by a laser ablation method.
In addition, in order to form at a speed of 3 cm / min, the energy of the KrF laser beam is 200 mJ, and the target 8 of MgO is used.
It was confirmed that the above energy density was 2.8 J / cm 2 and the repetition frequency had to be set at 34 Hz.
【００２６】実験例２ 長尺の可撓性を有するテープ状基材１として、厚さ０．
１ｍｍ、幅１０ｍｍのイットリア安定化ジルコニアテー
プを用いた。サプライチャンバ２から、テープ状基材１
が第１の成膜チャンバ４に送られ、ここで、Ｙ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏx からなるターゲット８を、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光によってアブレーションし、厚さ２μｍのＹ1 Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層をテープ状基
材１上に形成した。続いて、この超電導層が形成された
テープ状基材１を第２の成膜チャンバ５に送り、ここ
で、Ａｇからなるターゲット１０をＫｒＦエキシマレー
ザ光によってアブレーションし、厚さ１μｍのＡｇから
なる安定化層を超電導層の上に形成した。EXPERIMENTAL EXAMPLE 2 A long and flexible tape-like substrate 1 having a thickness of 0.1 mm was used.
A 1 mm-width, 10 mm-width yttria-stabilized zirconia tape was used. From the supply chamber 2, the tape-shaped substrate 1
Is sent to the first film forming chamber 4 where Y 1 Ba 2
The target 8 made of Cu 3 O x is ablated by a KrF excimer laser beam to obtain a 2 μm thick Y 1 B
An oxide superconducting layer made of a 2 Cu 3 O 7-y was formed on the tape-shaped substrate 1. Subsequently, the tape-shaped substrate 1 on which the superconducting layer is formed is sent to the second film forming chamber 5, where the target 10 made of Ag is ablated by KrF excimer laser light, and made of Ag having a thickness of 1 μm. A stabilizing layer was formed on the superconducting layer.
【００２７】前述したバッファ層を形成した実験例１の
場合と同様、この実験例２においても、成膜チャンバ４
および５の各々におけるテープ状基材１の移動速度を同
じにすることが重要である。As in the case of the experimental example 1 in which the buffer layer was formed, in the experimental example 2, the film forming chamber 4 was formed.
It is important that the moving speed of the tape-shaped substrate 1 in each of the steps 5 and 5 be the same.
【００２８】第１の成膜チャンバ４におけるＹ1 Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-y からなる酸化物超電導層の形成を、レーザ
光の繰返し周波数が２００Ｈｚ、成膜速度が３μｍ／分
の条件で行なったとき、臨界電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ
2 以上の酸化物超電導層を形成することが可能である。
このとき、２μｍの厚さをもって酸化物超電導層を形成
するには、１５ｍｍ／分の速度でテープ状基材１を搬送
する必要がある。これに引続いて、Ａｇの安定化層を１
μｍの厚さで、かつ１５ｍｍ／分の速度を保って形成す
るには、ＫｒＦエキシマレーザ光のエネルギが４００ｍ
Ｊ、Ａｇターゲット１０上でのエネルギ密度が３．５Ｊ
／ｃｍ2 、レーザ光の繰返し周波数が６８Ｈｚという成
膜条件を用いればよいことが実験的に確認できた。Y 1 Ba 2 in the first film forming chamber 4
When the oxide superconducting layer made of Cu 3 O 7-y is formed under the conditions that the repetition frequency of the laser beam is 200 Hz and the film forming speed is 3 μm / min, the critical current density is 10 6 A / cm.
It is possible to form two or more oxide superconducting layers.
At this time, in order to form the oxide superconducting layer with a thickness of 2 μm, it is necessary to transport the tape-shaped substrate 1 at a speed of 15 mm / min. Following this, the Ag stabilization layer was
In order to form with a thickness of μm and maintain a speed of 15 mm / min, the energy of the KrF excimer laser light is 400 m
J, the energy density on the Ag target 10 is 3.5J
It has been experimentally confirmed that the film forming conditions of / cm 2 and a repetition frequency of the laser beam of 68 Hz may be used.
【図１】この発明の一実施例を実施するための装置を示
す概略的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an apparatus for carrying out an embodiment of the present invention.
１ テープ状基材 ４，５ 成膜チャンバ ８，１０ ターゲット ９，１１ レーザ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tape-shaped base material 4,5 Deposition chamber 8,10 Target 9,11 Laser
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 繁 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 林 憲器 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 佐藤 謙一 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 坂本 光正 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友 電気工業株式会社 大阪製作所内 (72)発明者 原 築志 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 岡庭 潔 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 山本 隆彦 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 (72)発明者 石井 英雄 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１ 号 東京電力株式会社内 審査官 酒井 美知子 (56)参考文献 特開 昭64−48317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−50314（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191777（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−47858（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 12/00 - 13/00 C23C 14/06 - 14/08 C23C 14/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shigeru Okuda 1-3-1 Shimaya, Konohana-ku, Osaka-shi Sumitomo Electric Industries, Ltd. Osaka Works (72) Inventor Nariki Hayashi 1-1-1-1 Shimaya, Konohana-ku, Osaka-shi No. 3 Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka Works (72) Inventor Kenichi Sato 1-3-1, Shimaya, Konohana-ku, Osaka-shi Sumitomo Electric Industries, Ltd. Osaka Works (72) Inventor Mitsumasa Sakamoto 1, Shimaya, Konohana-ku, Osaka-shi 1-3, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka Works (72) Inventor Tatsushi Hara 2-4-1 Nishi Azujigaoka, Chofu-shi, Tokyo Tokyo Electric Power Company (72) Inventor Kiyoshi Okana 2-chome, Nishi-Atsugigaoka, Chofu-shi, Tokyo No.4-1 Tokyo Electric Power Company (72) Inventor Takahiko Yamamoto 2-4-1 Nishi-Atsujigaoka, Chofu-shi, Tokyo East Inside Electric Power Company (72) Inventor Hideo Ishii 2-4-1 Nishi-Atsujigaoka, Chofu City, Tokyo Examiner, Tokyo Electric Power Company Michiko Sakai (56) References JP-A 64-48317 (JP, A) JP-A Sho 64-50314 (JP, A) JP-A-1-191777 (JP, A) JP-A-64-47858 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01B 12/00 -13/00 C23C 14/06-14/08 C23C 14/28
Claims (3)
前記酸化物超電導層に接する少なくとも１つの機能層が
積層されてなる酸化物超電導線材の製造方法において、第１の成膜チャンバ内において、前記テープ状基材を所
定の移動速度で搬送しながら、前記酸化物超電導層およ
び前記機能層のいずれか一方の第１の層を前記テープ状
基材上にレーザアブレーション法により形成する第１の
成膜工程と、 前記第１の成膜チャンバから第２の成膜チャンバの内部
へと前記テープ状基材を搬送するとともに、前記第２の
成膜チャンバ内において、前記テープ状基材を前記移動
速度で搬送しながら、前記酸化物超電導層および前記機
能層のうち前記第１の層とは異なる第２の層を前記テー
プ状基材上にレーザアブレーション法により形成する第
２の成膜工程とを備え、 前記第１および第２の成膜工程のいずれか一方では、前
記移動速度に基いて、レーザアブレーション法における
レーザ光のエネルギおよびレーザ光の繰返し周波数が決
定されている 、酸化物超電導線材の製造方法。 1. A method for manufacturing an oxide superconducting wire, comprising a tape-shaped substrate and an oxide superconducting layer and at least one functional layer in contact with the oxide superconducting layer, the method comprising: The tape-shaped substrate
While transporting at a constant moving speed, the oxide superconducting layer and
And the first layer of any one of the functional layers is in the form of a tape.
First method of forming a laser ablation method on a substrate
A film forming process and the inside of the first film forming chamber to the second film forming chamber.
While transporting the tape-shaped substrate to the, the second
The tape-shaped substrate is moved in the film forming chamber.
While transporting at a speed, the oxide superconducting layer and the machine
A second layer of the active layer, which is different from the first layer, is
Of laser-ablation method
2 in which one of the first and second film-forming steps is carried out.
In the laser ablation method,
The energy of the laser beam and the repetition frequency of the laser beam are determined.
A method for producing an oxide superconducting wire, which is specified .
項１に記載の酸化物超電導線材の製造方法。2. The method for manufacturing an oxide superconducting wire according to claim 1, wherein the functional layer is a buffer layer.
１に記載の酸化物超電導線材の製造方法。3. The method for producing an oxide superconducting wire according to claim 1, wherein the functional layer is a stabilizing layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03077889A JP3092961B2 (en) | 1990-04-11 | 1991-04-10 | Manufacturing method of oxide superconducting wire |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9546690 | 1990-04-11 | ||
| JP2-95466 | 1990-04-11 | ||
| JP03077889A JP3092961B2 (en) | 1990-04-11 | 1991-04-10 | Manufacturing method of oxide superconducting wire |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218216A JPH04218216A (en) | 1992-08-07 |
| JP3092961B2 true JP3092961B2 (en) | 2000-09-25 |
Family
ID=26418934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03077889A Expired - Fee Related JP3092961B2 (en) | 1990-04-11 | 1991-04-10 | Manufacturing method of oxide superconducting wire |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3092961B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040023810A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Alex Ignatiev | Superconductor material on a tape substrate |
| US20040016401A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Metal Oxide Technologies, Inc. | Method and apparatus for forming superconductor material on a tape substrate |
| US8124170B1 (en) | 2004-01-23 | 2012-02-28 | Metal Oxide Technologies, Inc | Method for forming superconductor material on a tape substrate |
| US20040266628A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Superpower, Inc. | Novel superconducting articles, and methods for forming and using same |
| US8716188B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-05-06 | Superpower, Inc. | Structure to reduce electroplated stabilizer content |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP03077889A patent/JP3092961B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04218216A (en) | 1992-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0398374B1 (en) | Method of and apparatus for fabricating oxide superconducting wire | |
| KR0148596B1 (en) | Superconducting field effect device with grain boundary channel and method for making the same | |
| US5127364A (en) | Apparatus for making A-15 type tape superconductors which includes means to melt a wire at its tip so a beam is formed and means for wiping the bead onto a continuous tape substrate | |
| CA2156878A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing superconducting components via laser ablation followed by laser material processing | |
| JP3092961B2 (en) | Manufacturing method of oxide superconducting wire | |
| JP4200843B2 (en) | Thin film superconducting wire and manufacturing method thereof | |
| GB2272911A (en) | Producing aligned Hi-Tc tape superconductors | |
| JP2023508619A (en) | Manufacturing method of superconducting wire | |
| KR960013372B1 (en) | Method for making a magnetic recording medium | |
| JP4128358B2 (en) | Manufacturing method of oxide superconductor | |
| EP0434246B1 (en) | Method and apparatus for producing tape superconductors | |
| JP3206924B2 (en) | Method and apparatus for producing oxide superconducting wire | |
| JP3005381B2 (en) | Superconductor sample etching method | |
| Maher et al. | Multi-layer coated conductor cylinders—an alternative approach to superconducting coil fabrication | |
| JPH05211355A (en) | Manufacture of josephson integrated circuit | |
| EP0631333B1 (en) | Process of fabrication of multilayer high temperature superconductor tapes | |
| JP2000128528A (en) | Production of superconducting thin film | |
| JPH05101923A (en) | Fabrication of oxide superconducting coil | |
| EP0512679A2 (en) | Method of making laser ablated oriented films on metal substrates and articles formed thereby | |
| JPH06291201A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3399184B2 (en) | Method of forming thin film by laser evaporation method | |
| JP2001357739A (en) | Manufacturing method and device of wire material of superconductive oxide | |
| JPH0193423A (en) | Formation of superconducting film | |
| JPH06305883A (en) | Production of oxide superconducting thin film | |
| JPH0652742A (en) | Manufacture of oxide superconductive film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000704 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080728 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080728 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |