JP3091817B2 - マイクロ磁気素子磁心 - Google Patents
マイクロ磁気素子磁心Info
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- JP3091817B2 JP3091817B2 JP06041118A JP4111894A JP3091817B2 JP 3091817 B2 JP3091817 B2 JP 3091817B2 JP 06041118 A JP06041118 A JP 06041118A JP 4111894 A JP4111894 A JP 4111894A JP 3091817 B2 JP3091817 B2 JP 3091817B2
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波で動作する高周波
磁気素子における、マイクロ磁心の損失を下げるマイク
ロ磁気素子磁心に関するものである。
磁気素子における、マイクロ磁心の損失を下げるマイク
ロ磁気素子磁心に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】機能デバイスの高周波化にともない、磁
気素子の小型化薄膜化が求められている。これらの素子
が求められる特性にはインピーダンスやインダクタンス
の他に性能指数Ｑの値が重要であることは良く知られて
いる。従って、磁気素子に用いられる磁性体膜磁心も高
い磁束密度や透磁率の他に高周波での損失が小さいこと
が必要である。磁性体材料において損失係数の逆数（１
／tan δ）は複素透磁率の実数部（μ′）と虚数部
（μ″）の値を用い、μ′／μ″で定義される。従っ
て、この値が大きいほど損失係数（tan δ）は小さい。
すなわち、低損失材料である。従来、高周波での損失を
下げるために、一般に、（１）磁心の抵抗を大きくす
る。（２）磁心の厚さを薄くする。（３）磁区を細分化
する。（４）磁性体膜と絶縁体膜を積層して渦電流損を
低減する等の方法がとられている。しかし、高周波領域
での軟磁気特性として、透磁率が高周波まで高く、一定
であることに注目され、高周波での損失についての検討
はなされなかった。特開平４−３６３００６号公報には
高周波に適した薄膜磁心の構造に関して、コイルの発生
する磁界の方向と直交する方向に一軸異方性を有するこ
とを特徴とする磁心について述べられているが、各磁心
の磁化容易軸方向の長さと磁心または磁気素子の損失あ
るいは性能指数Ｑとの関係については述べられていな
い。また、特願平２−０８１３７３号（特開平３−２８
３５１４号公報）には金属磁性膜／絶縁膜／金属磁性膜
よりなる多層膜において、高周波領域で高い透磁率を示
すことが開示されているが、この多層膜の高周波特性と
磁性膜の寸法との関係については全く言及されていな
い。また多層膜の構造すなわち磁性膜および絶縁膜の最
適膜厚範囲についても磁性膜の寸法が明示されておら
ず、この特性がマイクロ化された磁心においても得られ
るか明確でない。
気素子の小型化薄膜化が求められている。これらの素子
が求められる特性にはインピーダンスやインダクタンス
の他に性能指数Ｑの値が重要であることは良く知られて
いる。従って、磁気素子に用いられる磁性体膜磁心も高
い磁束密度や透磁率の他に高周波での損失が小さいこと
が必要である。磁性体材料において損失係数の逆数（１
／tan δ）は複素透磁率の実数部（μ′）と虚数部
（μ″）の値を用い、μ′／μ″で定義される。従っ
て、この値が大きいほど損失係数（tan δ）は小さい。
すなわち、低損失材料である。従来、高周波での損失を
下げるために、一般に、（１）磁心の抵抗を大きくす
る。（２）磁心の厚さを薄くする。（３）磁区を細分化
する。（４）磁性体膜と絶縁体膜を積層して渦電流損を
低減する等の方法がとられている。しかし、高周波領域
での軟磁気特性として、透磁率が高周波まで高く、一定
であることに注目され、高周波での損失についての検討
はなされなかった。特開平４−３６３００６号公報には
高周波に適した薄膜磁心の構造に関して、コイルの発生
する磁界の方向と直交する方向に一軸異方性を有するこ
とを特徴とする磁心について述べられているが、各磁心
の磁化容易軸方向の長さと磁心または磁気素子の損失あ
るいは性能指数Ｑとの関係については述べられていな
い。また、特願平２−０８１３７３号（特開平３−２８
３５１４号公報）には金属磁性膜／絶縁膜／金属磁性膜
よりなる多層膜において、高周波領域で高い透磁率を示
すことが開示されているが、この多層膜の高周波特性と
磁性膜の寸法との関係については全く言及されていな
い。また多層膜の構造すなわち磁性膜および絶縁膜の最
適膜厚範囲についても磁性膜の寸法が明示されておら
ず、この特性がマイクロ化された磁心においても得られ
るか明確でない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に磁性体膜の磁気
特性評価には測定感度や扱いやすさ等の理由により試料
寸法には余りこだわらず１０〜２０ｍｍの矩形のものが
用いられていた。この場合の多層膜の複素透磁率の実数
部（μ′）および虚数部（μ″）の周波数特性の一例を
図１に示す。図１で用いた多層膜は磁性体（ＣｏＦｅＳ
ｉＢ）膜厚０．１μｍ、絶縁体（ＳｉＯ 2 ）膜厚０．０
５μｍを２０層積層したものである。１００ＭＨｚにお
いてμ′＝５３０、μ″＝９０である。ところが、同じ
積層構造の多層膜について、実際に磁気素子に作製する
寸法である、短径０．３ｍｍ、長径２ｍｍにマイクロ化
した場合の高周波特性の測定を可能にした結果、図２に
示すように、図１の場合とは全く異なっていることを見
いだした。このサイズでの１００ＭＨｚにおける複素透
磁率の値はμ′＝２８０、μ″＝５であった。両者の高
周波領域での損失の差異について説明する。高周波での
損失係数の逆数（１／tan δ）はμ′／μ″で定義さ
れ、従って、この値が大きいほど損失係数（tanδ）は
小さいことを示す。上記マクロな寸法の多層膜での測定
ではμ′／μ″＝６、マイクロ化した多層膜μ′／μ″
＝５６と損失に大きな差が生じている。このことは、こ
のように多層膜をマイクロ化して磁気素子に用いる場合
に、従来のように、マクロな寸法で磁性体膜の評価をお
こなってたのでは、実際のマイクロ化された磁性体膜の
特性を把握できないことを示している。本発明の目的
は、数十ＭＨｚ以上の高周波領域で従来の技術では得ら
れなかった低損失で、かつ実効的な透磁率が高いマイク
ロ磁気素子磁心を提供することにある。
特性評価には測定感度や扱いやすさ等の理由により試料
寸法には余りこだわらず１０〜２０ｍｍの矩形のものが
用いられていた。この場合の多層膜の複素透磁率の実数
部（μ′）および虚数部（μ″）の周波数特性の一例を
図１に示す。図１で用いた多層膜は磁性体（ＣｏＦｅＳ
ｉＢ）膜厚０．１μｍ、絶縁体（ＳｉＯ 2 ）膜厚０．０
５μｍを２０層積層したものである。１００ＭＨｚにお
いてμ′＝５３０、μ″＝９０である。ところが、同じ
積層構造の多層膜について、実際に磁気素子に作製する
寸法である、短径０．３ｍｍ、長径２ｍｍにマイクロ化
した場合の高周波特性の測定を可能にした結果、図２に
示すように、図１の場合とは全く異なっていることを見
いだした。このサイズでの１００ＭＨｚにおける複素透
磁率の値はμ′＝２８０、μ″＝５であった。両者の高
周波領域での損失の差異について説明する。高周波での
損失係数の逆数（１／tan δ）はμ′／μ″で定義さ
れ、従って、この値が大きいほど損失係数（tanδ）は
小さいことを示す。上記マクロな寸法の多層膜での測定
ではμ′／μ″＝６、マイクロ化した多層膜μ′／μ″
＝５６と損失に大きな差が生じている。このことは、こ
のように多層膜をマイクロ化して磁気素子に用いる場合
に、従来のように、マクロな寸法で磁性体膜の評価をお
こなってたのでは、実際のマイクロ化された磁性体膜の
特性を把握できないことを示している。本発明の目的
は、数十ＭＨｚ以上の高周波領域で従来の技術では得ら
れなかった低損失で、かつ実効的な透磁率が高いマイク
ロ磁気素子磁心を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、一軸磁気異方性を有し、磁化容易軸方向の
長さが２００μｍ以上５００μｍ以下である短冊状金属
磁性体膜を数個同一平面上に互いに分離して設けた金属
磁性体膜と絶縁体膜が交互に積層された軟磁性多層膜構
造からなるマイクロ磁気素子磁心において、前記金属磁
性体膜厚が０．０１μｍ〜０．３μｍ、前記絶縁体膜厚
が０．０２μｍ〜０．２５μｍの範囲にあり、数十ＭＨ
ｚ以上の高周波領域で低損失多層膜を得ることを特徴と
するものである。
に本発明は、一軸磁気異方性を有し、磁化容易軸方向の
長さが２００μｍ以上５００μｍ以下である短冊状金属
磁性体膜を数個同一平面上に互いに分離して設けた金属
磁性体膜と絶縁体膜が交互に積層された軟磁性多層膜構
造からなるマイクロ磁気素子磁心において、前記金属磁
性体膜厚が０．０１μｍ〜０．３μｍ、前記絶縁体膜厚
が０．０２μｍ〜０．２５μｍの範囲にあり、数十ＭＨ
ｚ以上の高周波領域で低損失多層膜を得ることを特徴と
するものである。
【０００５】
【実施例】以下に、本発明のマイクロ磁気素子磁心の実
施例を説明する。先ず、高周波領域での損失と軟磁性多
層膜の積層構成との関係例を調べた。図３は一般に磁気
特性評価に用いられてきたマクロな寸法の多層膜につい
ての結果である。図中の数字は１００ＭＨｚでの複素透
磁率の実数部（μ′）および虚数部（μ″）の比μ′／
μ″より求めた損失係数の逆数である。横軸は絶縁体
（ＳｉＯ2 ）膜の膜厚（Ｔｉ）、縦軸は磁性体（ＣｏＦ
ｅＳｉＢ）膜の膜厚（Ｔｍ）である。図３で磁性体膜の
総膜厚が２μｍになるように積層数（ｎ）を変えてあ
る。損失係数が小さい領域は磁性体膜が薄く絶縁体膜が
厚い領域にある。本例の範囲では高々１６であった。一
方、図４に、上記多層膜の磁心として短径を０．５ｍ
ｍ、長径を２ｍｍの短冊型磁心とマイクロ化の磁心にお
ける磁性体、絶縁体膜厚と損失係数の逆数の関係を示
す。図中に示した数字は図３と同様に１００ＭＨｚでの
損失係数の逆数の値である。図３と図４の比較より、従
来の評価方法によれば、損失の小さい多層膜を得るに
は、磁性体膜はできるだけ薄く、絶縁体膜は０．２μｍ
以上のできるだけ厚いことが要求されることになる。と
ころが、実際に使用するマイクロサイズの多層膜におい
ては、磁性体膜、絶縁体膜双方に最適値があることが分
かった。すなわち、マイクロ化した多層膜では、０．０
１μｍ＜Ｔｍ＜０．３μｍ、０．０２５μｍ＜Ｔｉ＜
０．２５μｍの範囲で損失係数の逆数が４０を越し、ま
たＴｍ＝０．１μｍ、Ｔｉ＝０．０５μｍ近傍で７０と
高い値を示すことがみいだされた。次に、磁心細分化の
最適サイズ例を調べた。図５は実験に用いた巻線型薄膜
インダクタの概念図である。絶縁基板１１上に、数個互
いに分離して設けた矩形磁心群１４の各周りをレジスト
をキュアした絶縁体膜（図示せず）を介してトロイダル
状に下部コイル１２ｂおよび上部コイル１２ａで巻いた
構造になっている。図５は上記短冊状金属磁性体膜の磁
心幅（ｗ）を有する磁心の本数（ｎ）をｎ×ｗが１ｍｍ
になるようにしてある。長径はいずれの場合も２ｍｍで
ある。励磁方向は短冊形状の長形方向すなわち磁化容易
軸方向に対して直角方向である。図６は上記磁心幅Ｗの
値を変えた場合の２０ＭＨｚでのインダクタンス（Ｌ）
および性能指数の最大値Ｑmax の変化を示す。２００μ
ｍ以下に磁心幅を小さくすると、従来の反磁界係数の概
念からは、Ｌが大きくなるはずであるが、従来の概念と
は逆に低下し、Ｑも低下していることがわかった。Ｌお
よびＱ値が共に大きい範囲は２００μｍ＜Ｗ＜５００μ
ｍである。
施例を説明する。先ず、高周波領域での損失と軟磁性多
層膜の積層構成との関係例を調べた。図３は一般に磁気
特性評価に用いられてきたマクロな寸法の多層膜につい
ての結果である。図中の数字は１００ＭＨｚでの複素透
磁率の実数部（μ′）および虚数部（μ″）の比μ′／
μ″より求めた損失係数の逆数である。横軸は絶縁体
（ＳｉＯ2 ）膜の膜厚（Ｔｉ）、縦軸は磁性体（ＣｏＦ
ｅＳｉＢ）膜の膜厚（Ｔｍ）である。図３で磁性体膜の
総膜厚が２μｍになるように積層数（ｎ）を変えてあ
る。損失係数が小さい領域は磁性体膜が薄く絶縁体膜が
厚い領域にある。本例の範囲では高々１６であった。一
方、図４に、上記多層膜の磁心として短径を０．５ｍ
ｍ、長径を２ｍｍの短冊型磁心とマイクロ化の磁心にお
ける磁性体、絶縁体膜厚と損失係数の逆数の関係を示
す。図中に示した数字は図３と同様に１００ＭＨｚでの
損失係数の逆数の値である。図３と図４の比較より、従
来の評価方法によれば、損失の小さい多層膜を得るに
は、磁性体膜はできるだけ薄く、絶縁体膜は０．２μｍ
以上のできるだけ厚いことが要求されることになる。と
ころが、実際に使用するマイクロサイズの多層膜におい
ては、磁性体膜、絶縁体膜双方に最適値があることが分
かった。すなわち、マイクロ化した多層膜では、０．０
１μｍ＜Ｔｍ＜０．３μｍ、０．０２５μｍ＜Ｔｉ＜
０．２５μｍの範囲で損失係数の逆数が４０を越し、ま
たＴｍ＝０．１μｍ、Ｔｉ＝０．０５μｍ近傍で７０と
高い値を示すことがみいだされた。次に、磁心細分化の
最適サイズ例を調べた。図５は実験に用いた巻線型薄膜
インダクタの概念図である。絶縁基板１１上に、数個互
いに分離して設けた矩形磁心群１４の各周りをレジスト
をキュアした絶縁体膜（図示せず）を介してトロイダル
状に下部コイル１２ｂおよび上部コイル１２ａで巻いた
構造になっている。図５は上記短冊状金属磁性体膜の磁
心幅（ｗ）を有する磁心の本数（ｎ）をｎ×ｗが１ｍｍ
になるようにしてある。長径はいずれの場合も２ｍｍで
ある。励磁方向は短冊形状の長形方向すなわち磁化容易
軸方向に対して直角方向である。図６は上記磁心幅Ｗの
値を変えた場合の２０ＭＨｚでのインダクタンス（Ｌ）
および性能指数の最大値Ｑmax の変化を示す。２００μ
ｍ以下に磁心幅を小さくすると、従来の反磁界係数の概
念からは、Ｌが大きくなるはずであるが、従来の概念と
は逆に低下し、Ｑも低下していることがわかった。Ｌお
よびＱ値が共に大きい範囲は２００μｍ＜Ｗ＜５００μ
ｍである。
【０００６】上記実施例のように薄膜インダクタに用い
る短冊型磁心に最適幅があることがわかった。そこで多
層膜磁心の形状と複素透磁率の関係を述べるに、従来、
反磁界係数を小さくするために、磁心幅を限りなく狭く
することで磁心の特性向上を図ってきた。図７に、短冊
形磁心の長径を２ｍｍと一定にして、短径（Ｗ）を変え
た場合の複素透磁率の実数部（μ′）および虚数部
（μ″）の値および損失係数の逆数（１／tan δ）の変
化を示す。磁心は磁性体（ＣｏＦｅＳｉＢ）膜厚０．１
μｍ、絶縁体（ＳｉＯ2 ）膜厚０．０５μｍを３０層積
層した軟磁性多層膜である。２００μｍ以下に磁心幅を
小さくすると、従来の反磁界係数の概念とは異なり、
μ′、μ″共に小さくなる。しかもμ′の低下が大きい
ため、損失係数の逆数 （１／tan δ）は小さくなって
いることがわかった。μ′値を下げずに１／tan δが大
きい範囲は２００μｍ＜Ｗ＜５００μｍである。
る短冊型磁心に最適幅があることがわかった。そこで多
層膜磁心の形状と複素透磁率の関係を述べるに、従来、
反磁界係数を小さくするために、磁心幅を限りなく狭く
することで磁心の特性向上を図ってきた。図７に、短冊
形磁心の長径を２ｍｍと一定にして、短径（Ｗ）を変え
た場合の複素透磁率の実数部（μ′）および虚数部
（μ″）の値および損失係数の逆数（１／tan δ）の変
化を示す。磁心は磁性体（ＣｏＦｅＳｉＢ）膜厚０．１
μｍ、絶縁体（ＳｉＯ2 ）膜厚０．０５μｍを３０層積
層した軟磁性多層膜である。２００μｍ以下に磁心幅を
小さくすると、従来の反磁界係数の概念とは異なり、
μ′、μ″共に小さくなる。しかもμ′の低下が大きい
ため、損失係数の逆数 （１／tan δ）は小さくなって
いることがわかった。μ′値を下げずに１／tan δが大
きい範囲は２００μｍ＜Ｗ＜５００μｍである。
【０００７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、数十
ＭＨｚ以上の高周波で損失の小さいマイクロ磁心を用い
ることにより、高周波領域で高い性能指数を示すマイク
ロ磁気素子磁心が得られる。
ＭＨｚ以上の高周波で損失の小さいマイクロ磁心を用い
ることにより、高周波領域で高い性能指数を示すマイク
ロ磁気素子磁心が得られる。
【図１】本発明の実施例を説明するためのマクロ多層膜
の透磁率の周波数特性の一例を示す特性図である。
の透磁率の周波数特性の一例を示す特性図である。
【図２】本発明の実施例を説明するためのマイクロ多層
膜の透磁率の周波数特性の一例を示す特性図である。
膜の透磁率の周波数特性の一例を示す特性図である。
【図３】本発明の実施例を説明するためのマクロ多層膜
の損失係数の逆数の等値曲線の一例を示す特性図であ
る。
の損失係数の逆数の等値曲線の一例を示す特性図であ
る。
【図４】本発明の実施例に係るマイクロ多層膜の損失係
数の逆数の等値曲線の一例を示す特性図である。
数の逆数の等値曲線の一例を示す特性図である。
【図５】本発明の実施例のインダクタの概念図である。
【図６】本発明の実施例を説明するための１本の磁心幅
ｗとＬ、Ｑの関係の一例を示す特性図である。
ｗとＬ、Ｑの関係の一例を示す特性図である。
【図７】本発明の実施例を説明するためのマイクロ化し
た多層膜の各短冊磁心の短径に対する透磁率の変化の一
例を示す特性図である。
た多層膜の各短冊磁心の短径に対する透磁率の変化の一
例を示す特性図である。
１１…絶縁基板、１２ａ…上部コイル、１２ｂ…下部コ
イル、１４…矩形磁心群。
イル、１４…矩形磁心群。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉田 啓明 宮城県仙台市青葉区南吉成６丁目６番地 の３ 株式会社アモルファス・電子デバ イス研究所内 (72)発明者 三寺 正雄 宮城県仙台市青葉区南吉成６丁目６番地 の３ 株式会社アモルファス・電子デバ イス研究所内 (72)発明者 中島 治 宮城県仙台市青葉区南吉成６丁目６番地 の３ 株式会社アモルファス・電子デバ イス研究所内 (56)参考文献 特開 平５−326262（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−221812（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−350908（ＪＰ，Ａ) 電気学会研究会資料，マグネティック ス研究会 ＭＡＧ−90−125
Claims (1)
- 【請求項１】 一軸磁気異方性を有し、磁化容易軸方向
の長さが２００μｍ以上５００μｍ以下である短冊状金
属磁性体膜を数個同一平面上に互いに分離して設けた金
属磁性体膜と絶縁体膜が交互に積層された軟磁性多層膜
構造からなるマイクロ磁気素子磁心において、前記金属
磁性体膜厚が０．０１μｍ〜０．３μｍ、前記絶縁体膜
厚が０．０２μｍ〜０．２５μｍの範囲にあり、数十Ｍ
Ｈｚ以上の高周波領域で低損失多層膜を得ることを特徴
とするマイクロ磁気素子磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041118A JP3091817B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | マイクロ磁気素子磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041118A JP3091817B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | マイクロ磁気素子磁心 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249516A JPH07249516A (ja) | 1995-09-26 |
| JP3091817B2 true JP3091817B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=12599550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06041118A Expired - Fee Related JP3091817B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | マイクロ磁気素子磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3091817B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200919498A (en) * | 2007-10-19 | 2009-05-01 | Delta Electronics Inc | Inductor and core thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3109839B2 (ja) * | 1990-12-21 | 2000-11-20 | 日本電信電話株式会社 | 高周波用薄膜トランス |
| JPH04350908A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Nippon Steel Corp | 薄形インダクタ／トランス |
| JP2744945B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1998-04-28 | 日本電信電話株式会社 | 磁性多層膜 |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP06041118A patent/JP3091817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電気学会研究会資料，マグネティックス研究会 ＭＡＧ−９０−１２５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07249516A (ja) | 1995-09-26 |
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