JP3087721B2 - メモリモジュール - Google Patents

メモリモジュール

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JP3087721B2 JP12137098A JP12137098A JP3087721B2 JP 3087721 B2 JP3087721 B2 JP 3087721B2 JP 12137098 A JP12137098 A JP 12137098A JP 12137098 A JP12137098 A JP 12137098A JP 3087721 B2 JP3087721 B2 JP 3087721B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はメモリモジュールに
関し、特に高密度化及び軽量化を可能にしたメモリモジ
ュールに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器産業では小型、軽量化が
進められている。現在では、モールドパッケージからボ
ールグリッドアレイやチップサイズパッケージ、フリッ
プチップ等へと半導体パッケージが変化しつつあり、パ
ッケージの転換期であると考えられる。モールドパッケ
ージをプリント配線基板に実装したメモリモジュールに
対しても、今後は更なる高密度化及び軽量化が要求され
ると推測される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在のメモリモジュー
ルは、モールド封止及びリード加工された半導体素子を
多数個ハンダ接合技術にて平坦な板状のプリント配線基
板に実装しモジュール化している。このような態様にお
いては更なる高密度化及び軽量化に対応することは困難
であると考えられる。上記の点に鑑み、本発明は、高密
度化及び軽量化に対応可能なメモリモジュールを提供す
ることを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明に係るメモリモジ
ュールは、プリント配線基板上に設けた凹部に半導体素
子を収容し、この半導体素子を封止するとともにプリン
ト基板上に半導体素子の外部端子に電気的に接続された
三次元実装用のハンダボールを設け、プリント配線基板
には外部接続用のソケット端子を設けたことを特徴とす
る。また、本発明に係る他のメモリモジュールは、プリ
ント配線基板上に設けた凹部に半導体素子を収容し、こ
の半導体素子を封止するとともにプリント配線基板上に
半導体素子の外部端子に電気的に接続された三次元実装
用のハンダボールを設け、プリント配線基板の一つには
外部接続用のソケット端子を設け、ソケット端子を有す
るプリント配線基板を下層とし、ハンダボールを介して
1または2以上のソケット端子を有しないプリント配線
基板を三次元実装したことを特徴とする。すなわち、半
導体素子をプリント配線基板上に設けた凹部に収容し、
封止することで半導体素子を外力から保護することがで
きる。また、ハンダボールを半導体素子の外部端子とす
ることで、メモリモジュールの三次元実装が可能にな
る。これにより更なる高密度実装が可能となり軽量化を
図ることができる。
【0005】また、本発明に係るメモリモジュールは、
プリント配線基板と同等の熱膨張係数をもつ材料からな
るキャップを用いて半導体素子を封止したことを特徴と
する。すなわち、プリント配線基板とキャップの熱膨張
係数を同等にすることで、半導体素子の外部端子と電気
的に接続された接合部に力が加わり剥離が発生するなど
の恐れはない。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明について
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図1は本実施の形態のメモリ
モジュールを示す概略構成図、図2は断面図である。こ
のメモリモジュール1は、プリント配線基板2に凹部
(キャビティ)3、3…を設けて、その凹部3内にテー
プキャリアパッケージ4を収容している。このテープキ
ャリアパッケージ4の外部リード10とプリント配線基
板2の配線パッド6とは、超音波、熱及び荷重によりボ
ンディングツールにてアウターリードボンディングを行
い接合されている。
【0007】図1に示すように、テープキャリアパッケ
ージ4を実装するプリント配線基板2の凹部3、3…の
内壁面には、I/O用の配線パッド6、6…と段部7、
7…が設けられている。配線パッド6は、テープキャリ
アパッケージ4の外部リード10と接続するものであ
る。段部7は、キャップ5をプリント配線基板2に取り
付ける際にキャップ5の下面端部を固定するものであ
る。また、プリント配線基板2の上面、凹部3と凹部3
の間には外部接続用のハンダボール8、8…が設けら
れ、プリント配線基板2の一側面には、外部接続用のソ
ケット端子9が設けられている。
【0008】次に、メモリモジュール1の製造工程につ
いて説明する。まず、凹部3、3…、配線パッド6、6
…、段部7、7…、ソケット端子9を設けたプリント配
線基板2を作製する。各凹部3にインナーリードボンデ
ィングされたテープキャリアパッケージ4を収容した
後、テープキャリアパッケージ4の外部リード10とプ
リント配線基板2の配線パッド6をボンディングする。
【0009】プリント配線基板2の材料にはFR−4を
使用していることから、プリント配線基板2のI/O用
の配線パッド6には反りが生じることが予想される。そ
こで、ボンディングの方式としては、反りに対して不利
なギャング方式(一括ボンディング)ではなく、シング
ルポイント(テープキャリアパッケージの外部リードを
一本づつボンディングする)でのアウターリードボンデ
ィングを行う。ボンディングツールを介してテープキャ
リアパッケージ4の外部リード10と配線パッド6を超
音波、熱及び荷重を加えることで接合する。
【0010】次に、テープキャリアパッケージ4及びア
ウターリードボンディングの接合部保護のためにプリン
ト配線基板2の凹部3のキャップ封止を行う。この時に
使用するキャップ5には、テープキャリアパッケージ4
を収容したプリント配線基板2と同等の熱膨張係数をも
つ材料を使用する。これは、プリント配線基板2とキャ
ップ5の熱膨張係数に差があると、テープキャリアパッ
ケージ4の外部リード10とプリント配線基板2の配線
パッド6の接合部の剥離が発生する恐れがあるためであ
る。
【0011】こうして得られたメモリモジュール1のプ
リント配線基板2上面に、三次元実装用のハンダボール
8、8…を設け、これをソケット端子9とは別に接続端
子として配線パッド6と接続する。メモリモジュール同
士にて三次元実装を行う場合は、メモリモジュール同士
をハンダボール8を介してリフローにて接続する。これ
で、図3に示すように複数のメモリモジュール1を三次
元実装することが可能となる。
【0012】このように、本実施の形態のメモリモジュ
ール1は、プリント配線基板2に凹部3、3…を設け、
この凹部3にテープキャリアパッケージ4を収容してお
り、この凹部3を封止することでテープキャリアパッケ
ージ4を外力から保護することができる。また、ハンダ
ボール8をテープキャリアパッケージ4の外部リードと
接続することで、メモリモジュール1の三次元実装が可
能となる。これにより更なる高密度実装が可能となり軽
量化を図ることができる。
【0013】また、従来のメモリモジュールにおいて
は、テープキャリアパッケージを平坦な板状のプリント
配線基板に実装するため、図4(a)に示すように外部
リード12を成型する必要があった。本実施の形態のメ
モリモジュール1においては、プリント配線基板2の凹
部3にテープキャリアパッケージ4が収容されているの
で、図4(b)に示すように、テープキャリアパッケー
ジ4の外部リード10を加工せずにアウターリードボン
ディングを行うことが可能となる。これにより、テープ
キャリアパッケージ4の外部リード10の成形工程が不
要になり、工程数の削減を行うことができる。なお、本
発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変
更を加えることが可能である。
【0014】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明のメモ
リモジュールは、プリント配線基板上に接続用のハンダ
ボールを設けており、メモリモジュール同士での三次元
実装を行うことができる。これにより更なる高密度実装
が可能となり、軽量化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施の形態のメモリモジュールを示す概略
構成図である。
【図2】 本実施の形態のメモリモジュールを示す断面
図である。
【図3】 本実施の形態のメモリモジュールの三次元実
装状態を示す断面図である。
【図4】 (a)は、従来のテープキャリアパッケージ
を示す模式図であり、(b)は、本実施の形態のテープ
キャリアパッケージを示す模式図である。
【符号の説明】
1 メモリモジュール 2 プリント配線基板 3 凹部(キャビティ) 4 テープキャリアパッケージ 5 キャップ 6 配線パッド 7 段部 8 ハンダボール 9 ソケット端子 10 外部リード

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント配線基板上に設けた凹部に半導
    体素子を収容し、該半導体素子を封止するとともに前記
    プリント配線基板上に前記半導体素子の外部端子に電気
    的に接続された三次元実装用のハンダボールを設け、前
    記プリント配線基板には外部接続用のソケット端子を設
    けたことを特徴とするメモリモジュール。
  2. 【請求項2】 プリント配線基板上に設けた凹部に半導
    体素子を収容し、該半導体素子を封止するとともに前記
    プリント配線基板上に前記半導体素子の外部端子に電気
    的に接続された三次元実装用のハンダボールを設け、前
    記プリント配線基板の一つには外部接続用のソケット端
    子を設け、前記ソケット端子を有するプリント配線基板
    を下層とし、前記ハンダボールを介して1または2以上
    の前記ソケット端子を有しないプリント配線基板を三次
    元実装したことを特徴とするメモリモジュール。
  3. 【請求項3】 前記プリント配線基板と同等の熱膨張係
    数を持つ材料からなるキャップを用いて前記半導体素子
    を封止したことを特徴とする請求項1または2記載のメ
    モリモジュール。
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