JP3085390B2 - 荷電ビーム局所処理装置 - Google Patents
荷電ビーム局所処理装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は局所加工あるいは局所成膜といった局所処理
技術に係り、特に大型試料に対応し、且つモニタリング
により、微細で精度の良い局所処理を可能とする荷電ビ
ーム局所処理装置に関する。
技術に係り、特に大型試料に対応し、且つモニタリング
により、微細で精度の良い局所処理を可能とする荷電ビ
ーム局所処理装置に関する。
イオンビーム，電子ビーム等の荷電ビームは0.1μｍ
以下に集束が可能で、そのエネルギーを用いて局所加工
や局所成膜を行うことができる。近年、荷電ビームによ
る局所加工や局所成膜をLSI修正等に適用する研究が盛
んに進められている。
以下に集束が可能で、そのエネルギーを用いて局所加工
や局所成膜を行うことができる。近年、荷電ビームによ
る局所加工や局所成膜をLSI修正等に適用する研究が盛
んに進められている。
荷電ビームを用いて局所加工や局所成膜を行う局所処
理装置において、従来、複数のビームを用いたスループ
ットの向上や、補助ビームのモニタリングを用いた処理
精度の向上等が試みられている。例えば、電子ビーム露
光において２つの電子ビームを用いてスループットの向
上を行った例として、特開昭58−56420号公報に記載さ
れた装置が挙げられる。
理装置において、従来、複数のビームを用いたスループ
ットの向上や、補助ビームのモニタリングを用いた処理
精度の向上等が試みられている。例えば、電子ビーム露
光において２つの電子ビームを用いてスループットの向
上を行った例として、特開昭58−56420号公報に記載さ
れた装置が挙げられる。
上記従来例がそうであるように、従来の電子ビーム照
射装置において電子線の集束手段としては磁界型レンズ
が用いらていた。ところが、磁界型レンズはコイルが必
要であるためレンズ自体が大きくなり、また集束性能を
高くするためには作動距離を非常に短くする必要があっ
た。従って、電子ビーム照射部を小型化したり、作動距
離を長くして大型試料に対応することは困難であった。
射装置において電子線の集束手段としては磁界型レンズ
が用いらていた。ところが、磁界型レンズはコイルが必
要であるためレンズ自体が大きくなり、また集束性能を
高くするためには作動距離を非常に短くする必要があっ
た。従って、電子ビーム照射部を小型化したり、作動距
離を長くして大型試料に対応することは困難であった。
一方荷電ビームを用いて局所加工や局所成膜を行う局
所処理装置においては、複数のビームを用いたスループ
ットの向上や、補助ビームのモニタリングを用いた処理
精度の向上等の要求がある。ここで複数ビームや補助ビ
ームとして用いる電子ビームの照射部を小型化し移動可
能にできれば、複数ビームや補助ビームの照射条件を容
易に最適条件に制御できる。また電子ビームの照射部の
作動距離を長くできれば大型試料の処理にも対応するこ
とができる。
所処理装置においては、複数のビームを用いたスループ
ットの向上や、補助ビームのモニタリングを用いた処理
精度の向上等の要求がある。ここで複数ビームや補助ビ
ームとして用いる電子ビームの照射部を小型化し移動可
能にできれば、複数ビームや補助ビームの照射条件を容
易に最適条件に制御できる。また電子ビームの照射部の
作動距離を長くできれば大型試料の処理にも対応するこ
とができる。
本発明の目的は、スループットの向上やモニタリング
による精度の向上を行うための電子ビームの照射手段と
して、小型で移動可能な電子ビーム照射手段を設けた荷
電ビーム局所処理装置を提供することにある。
による精度の向上を行うための電子ビームの照射手段と
して、小型で移動可能な電子ビーム照射手段を設けた荷
電ビーム局所処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、荷電ビーム
局所処理装置を、集束させたイオンビームを試料上に照
射する集束イオンビーム照射手段と、試料表面の集束イ
オンビーム照射手段により集束したイオンビームを照射
した箇所に集束させた電子ビームを照射する電子ビーム
照射手段と、集束イオンビーム照射手段の集束させたイ
オンビームの光軸に対する電子ビーム照射手段の集束さ
せた電子ビームの光軸の傾き角度を設定する傾き角度設
定手段とを備えて構成した。
局所処理装置を、集束させたイオンビームを試料上に照
射する集束イオンビーム照射手段と、試料表面の集束イ
オンビーム照射手段により集束したイオンビームを照射
した箇所に集束させた電子ビームを照射する電子ビーム
照射手段と、集束イオンビーム照射手段の集束させたイ
オンビームの光軸に対する電子ビーム照射手段の集束さ
せた電子ビームの光軸の傾き角度を設定する傾き角度設
定手段とを備えて構成した。
なお、本発明の原理を説明するための電子ビーム照射
手段の装置構成図および組立図をそれぞれ第１図および
第２図に示す。
手段の装置構成図および組立図をそれぞれ第１図および
第２図に示す。
第１図および第２図の示した本発明の原理を説明する
ための電子ビーム照射手段の構成によれば、電子ビーム
照射手段の対物レンズの主面は静電レンズ電極の外部、
すなわち対物レンズと試料の間に位置する。それによ
り、作動距離を長くしても比較的高い集束性能を維持で
きる。従って、大型試料に対して高い精度の局所処理が
可能となる。また、本発明の電子ビーム照射部の対物レ
ンズは構成が簡単な静電レンズであり小型化が容易であ
る。従って、電子ビーム照射部を小型化し移動可能とす
ることができ、電子ビームを容易に最適位置から照射で
きる。これにより、微細に集束した電子ビームを常に最
適位置から照射しモニタリングを行うことができるた
め、高い精度で荷電ビームによる局所処理を行うことが
できる。
ための電子ビーム照射手段の構成によれば、電子ビーム
照射手段の対物レンズの主面は静電レンズ電極の外部、
すなわち対物レンズと試料の間に位置する。それによ
り、作動距離を長くしても比較的高い集束性能を維持で
きる。従って、大型試料に対して高い精度の局所処理が
可能となる。また、本発明の電子ビーム照射部の対物レ
ンズは構成が簡単な静電レンズであり小型化が容易であ
る。従って、電子ビーム照射部を小型化し移動可能とす
ることができ、電子ビームを容易に最適位置から照射で
きる。これにより、微細に集束した電子ビームを常に最
適位置から照射しモニタリングを行うことができるた
め、高い精度で荷電ビームによる局所処理を行うことが
できる。
以下、本発明の原理の説明と実施例とを、図面を用い
て説明する。
て説明する。
本発明の第１の原理の説明： 本発明の第１の原理の説明として、移動可能な小型の
電子ビーム照射手段自身が局所処理を行うための荷電ビ
ーム照射手段である例を説明する。第３図にその装置構
成を示す。
電子ビーム照射手段自身が局所処理を行うための荷電ビ
ーム照射手段である例を説明する。第３図にその装置構
成を示す。
図において、電子源１から電子引出電極３により引き
出した電子線２は、第1,第2,第３レンズ電極それぞれ4,
5,6により、試料９上に集束する。このとき、アライメ
ントコイル７により、第1,第２レンズ電極のつくる第１
のレンズ電界と、第2,第３レンズ電極のつくる第２のレ
ンズ電界との光軸合わせを行い、集束性能を向上してい
る。また、偏向コイル８により電子線２を偏向して、電
子線２を試料９上の所望の領域に照射する。電子線２の
照射と同時に、エッチングガスボンベ11からノズル10a
を通してエッチングガスを試料９表面に供給し、電子線
２の照射部で局所反応性エッチングを行う。また、電子
線２の照射と同時に、CVDガスボンベ12からノズル10bを
通してCVDガスを試料９表面に供給し、電子線２の照射
部で局所CVDを行う。ここで、メインチャンバ13と電子
ビームチャンバ14は、それぞれ図示されない独立の排気
系により排気され、電子ビームチャンバ14内は常に高真
空に維持される。電子ビームチャンバ14はXY駆動部15に
固定してあり、電子ビーム照射部全体を試料９に対して
移動させる構成としている。これは、本発明の第１の原
理を用いて電子ビーム照射部を小型化したことにより可
能となったものである。これにより、大型試料の端から
端まで微細な局所処理を行うことができ、且つメインチ
ャンバ13は大型試料が入るだけの大きさが有れば良く、
試料交換を短時間で行うことができる。
出した電子線２は、第1,第2,第３レンズ電極それぞれ4,
5,6により、試料９上に集束する。このとき、アライメ
ントコイル７により、第1,第２レンズ電極のつくる第１
のレンズ電界と、第2,第３レンズ電極のつくる第２のレ
ンズ電界との光軸合わせを行い、集束性能を向上してい
る。また、偏向コイル８により電子線２を偏向して、電
子線２を試料９上の所望の領域に照射する。電子線２の
照射と同時に、エッチングガスボンベ11からノズル10a
を通してエッチングガスを試料９表面に供給し、電子線
２の照射部で局所反応性エッチングを行う。また、電子
線２の照射と同時に、CVDガスボンベ12からノズル10bを
通してCVDガスを試料９表面に供給し、電子線２の照射
部で局所CVDを行う。ここで、メインチャンバ13と電子
ビームチャンバ14は、それぞれ図示されない独立の排気
系により排気され、電子ビームチャンバ14内は常に高真
空に維持される。電子ビームチャンバ14はXY駆動部15に
固定してあり、電子ビーム照射部全体を試料９に対して
移動させる構成としている。これは、本発明の第１の原
理を用いて電子ビーム照射部を小型化したことにより可
能となったものである。これにより、大型試料の端から
端まで微細な局所処理を行うことができ、且つメインチ
ャンバ13は大型試料が入るだけの大きさが有れば良く、
試料交換を短時間で行うことができる。
第４図に、本発明の第１の原理を用いた電子ビーム照
射部の他の構成を示す。第３図の構成では電子ビーム照
射部はXY駆動部15に固定してあるのみであったが、第４
図の構成ではさらにθ駆動部16,φ駆動部17を設けたも
のである。これにより、電子線２を試料９に対してあら
ゆる方向から照射することができるので、常に最適な方
向から電子線２を照射でき、凹凸の激しい試料の凹凸の
影の部分に対しても局所処理を行うことができる。
射部の他の構成を示す。第３図の構成では電子ビーム照
射部はXY駆動部15に固定してあるのみであったが、第４
図の構成ではさらにθ駆動部16,φ駆動部17を設けたも
のである。これにより、電子線２を試料９に対してあら
ゆる方向から照射することができるので、常に最適な方
向から電子線２を照射でき、凹凸の激しい試料の凹凸の
影の部分に対しても局所処理を行うことができる。
また、本発明の第１の原理を用いた電子ビーム照射部
は小型であるため、本発明の第１の原理を用いた構成に
おいて複数個の電子ビーム照射部を設けることも容易で
あり、スループットを向上できる。
は小型であるため、本発明の第１の原理を用いた構成に
おいて複数個の電子ビーム照射部を設けることも容易で
あり、スループットを向上できる。
実施例： 本発明の実施例として、移動可能の小型の電子ビーム
照射手段が、主として局所処理のモニタを行うための観
察あるいは分析手段である例を説明する。第５図にその
装置構成を示す。
照射手段が、主として局所処理のモニタを行うための観
察あるいは分析手段である例を説明する。第５図にその
装置構成を示す。
図において、イオン源18からイオン引出電極20により
引き出したイオンビーム19は、第１集束レンズ21および
第２集束レンズ23により、試料９上に集束する。このと
き、ブランキング電極22によりビームのON,OFFを、偏向
電極24によりビームの偏向をそれぞれ制御する。イオン
ビーム19の照射と同時に、エッチングガスボンベ11から
ノズル10aを通してエッチングガスを試料９表面に供給
し、イオンビーム19の照射部で局所反応性エッチングを
行う。また、イオンビーム19の照射と同時に、CVDガス
ボンベ12からノズル10bを通してCVDガスを試料９表面に
供給し、イオンビーム19の照射部で局所CVDを行う。こ
れらの局所処理を行うと同時に、モニタ用の電子ビーム
を照射するため、電子ビーム照射部を設けてある。電子
ビーム照射部内の構成は、前記した本発明の第１の原理
の説明において説明した電子ビーム照射部内の構成と同
様である。ここで、メインチャンバ13とイオンビームチ
ャンバ25および電子ビームチャンバ14は、それぞれ図示
されない独立の排気系により排気され、イオンビームチ
ャンバ25および電子ビームチャンバ14内は常に高真空に
維持される。電子ビーム照射部は、θ駆動部16,φ駆動
部17に取り付けてあり、電子線２を試料９に対してあら
ゆる方向から照射することができ、常に最適な方向から
電子線２を照射できる。これにより、イオンビーム19の
照射により局所処理を行うと同時に、より微細な電子線
２を照射して、局所処理部の形状を詳細にモニタするこ
とができる。また、電子線２を分析用プローブとして用
い、オージェ分析等を行うこともでき、局所CVD膜の成
分モニタや局所エッチング穴底部の元素分析をリアルタ
イムで行うことができる。
引き出したイオンビーム19は、第１集束レンズ21および
第２集束レンズ23により、試料９上に集束する。このと
き、ブランキング電極22によりビームのON,OFFを、偏向
電極24によりビームの偏向をそれぞれ制御する。イオン
ビーム19の照射と同時に、エッチングガスボンベ11から
ノズル10aを通してエッチングガスを試料９表面に供給
し、イオンビーム19の照射部で局所反応性エッチングを
行う。また、イオンビーム19の照射と同時に、CVDガス
ボンベ12からノズル10bを通してCVDガスを試料９表面に
供給し、イオンビーム19の照射部で局所CVDを行う。こ
れらの局所処理を行うと同時に、モニタ用の電子ビーム
を照射するため、電子ビーム照射部を設けてある。電子
ビーム照射部内の構成は、前記した本発明の第１の原理
の説明において説明した電子ビーム照射部内の構成と同
様である。ここで、メインチャンバ13とイオンビームチ
ャンバ25および電子ビームチャンバ14は、それぞれ図示
されない独立の排気系により排気され、イオンビームチ
ャンバ25および電子ビームチャンバ14内は常に高真空に
維持される。電子ビーム照射部は、θ駆動部16,φ駆動
部17に取り付けてあり、電子線２を試料９に対してあら
ゆる方向から照射することができ、常に最適な方向から
電子線２を照射できる。これにより、イオンビーム19の
照射により局所処理を行うと同時に、より微細な電子線
２を照射して、局所処理部の形状を詳細にモニタするこ
とができる。また、電子線２を分析用プローブとして用
い、オージェ分析等を行うこともでき、局所CVD膜の成
分モニタや局所エッチング穴底部の元素分析をリアルタ
イムで行うことができる。
一方、イオンビーム19と電子線２を両方用いて局所処
理を行うこともできる。例えば、イオンビーム19による
局所エッチングでスルーホールを形成した後、より微細
な電子線２による局所CVDで穴埋めを行えば、スルーホ
ール形成は高速にでき、且つ穴埋めは穴の縁からCVD膜
が析出することもなく、より高い信頼性で行うことがで
きる。
理を行うこともできる。例えば、イオンビーム19による
局所エッチングでスルーホールを形成した後、より微細
な電子線２による局所CVDで穴埋めを行えば、スルーホ
ール形成は高速にでき、且つ穴埋めは穴の縁からCVD膜
が析出することもなく、より高い信頼性で行うことがで
きる。
また、イオンビーム19により試料９の所望の箇所に矩
形の穴を形成して、その穴の側面を電子線２により観察
することで、試料９の任意の箇所の内部の断面を容易に
観察することができる。このとき、電子線２は任意の方
向から照射できるので、常に最適な方向から断面観察を
行うことができる。
形の穴を形成して、その穴の側面を電子線２により観察
することで、試料９の任意の箇所の内部の断面を容易に
観察することができる。このとき、電子線２は任意の方
向から照射できるので、常に最適な方向から断面観察を
行うことができる。
本発明の第２の原理の説明： 本発明の第２の原理の説明として、移動可能な小型の
電子ビーム照射手段と、他の荷電ビーム照射手段の、共
通のビーム集束手段として静電型対物レンズを用いた例
を説明する。第６図にその装置構成を示す。
電子ビーム照射手段と、他の荷電ビーム照射手段の、共
通のビーム集束手段として静電型対物レンズを用いた例
を説明する。第６図にその装置構成を示す。
図において、イオン源18からイオン引出電極20により
引き出したイオンビーム19は、第１集束レンズ21および
静電型対物レンズにより、試料９上に集束する。ここ
で、静電型対物レンズは第1,第2,第３レンズ電極それぞ
れ4,5,6により構成する。このとき、アライメント電極2
8により、第1,第２レンズ電極のつくる第１のレンズ電
界と、第2,第３レンズ電極のつくる第２のレンズ電界と
の光軸合わせを行い、集束性能を向上している。また、
ブランキング電極22によりビームのON,OFFを、偏向電極
29によりビームの偏向をそれぞれ制御する。イオンビー
ム19の照射と同時に、エッチングガスボンベ11からノズ
ル10aを通してエッチングガスを試料９表面に供給し、
イオンビーム19の照射部で局所反応性エッチングを行
う。また、イオンビーム19の照射と同時に、CVDガスボ
ンベ12からノズル10bを通してCVDガスを試料９表面に供
給し、イオンビーム19の照射部で局所CVDを行う。一
方、電子源１から電子引出電極３により引き出した電子
線２は、軸合わせユニット27のつくる磁場により曲げら
れ、イオンビーム19の光軸に一致した後、静電型対物レ
ンズにより、試料９上に集束する。このとき、アライン
メント電極28および偏向電極29は電子線２に対しても、
それぞれ光軸合わせと偏向制御に用いられるが、イオン
ビーム19と共通に用いるためいずれも静電型の偏向器を
用いる。従来のイオンと電子の複合型装置では、静電型
と磁界型の２つの対物レンズを設ける必要が有り、対物
レンズの作動距離が長くなるため集束性能の劣化が避け
られなかった。本発明の第２の原理の説明においては、
イオンと電子の共通のビーム集束手段として静電型対物
レンズを用いており、対物レンズの作動距離を短くでき
高い集束性能が得られる。以上の構成により、電子線２
を照射し観察や分析を行いながら、イオンビーム19によ
り局所処理を行うことができる。また、イオンビーム19
と電子線２の両方をプローブとして用い局所処理を行う
ことができる。
引き出したイオンビーム19は、第１集束レンズ21および
静電型対物レンズにより、試料９上に集束する。ここ
で、静電型対物レンズは第1,第2,第３レンズ電極それぞ
れ4,5,6により構成する。このとき、アライメント電極2
8により、第1,第２レンズ電極のつくる第１のレンズ電
界と、第2,第３レンズ電極のつくる第２のレンズ電界と
の光軸合わせを行い、集束性能を向上している。また、
ブランキング電極22によりビームのON,OFFを、偏向電極
29によりビームの偏向をそれぞれ制御する。イオンビー
ム19の照射と同時に、エッチングガスボンベ11からノズ
ル10aを通してエッチングガスを試料９表面に供給し、
イオンビーム19の照射部で局所反応性エッチングを行
う。また、イオンビーム19の照射と同時に、CVDガスボ
ンベ12からノズル10bを通してCVDガスを試料９表面に供
給し、イオンビーム19の照射部で局所CVDを行う。一
方、電子源１から電子引出電極３により引き出した電子
線２は、軸合わせユニット27のつくる磁場により曲げら
れ、イオンビーム19の光軸に一致した後、静電型対物レ
ンズにより、試料９上に集束する。このとき、アライン
メント電極28および偏向電極29は電子線２に対しても、
それぞれ光軸合わせと偏向制御に用いられるが、イオン
ビーム19と共通に用いるためいずれも静電型の偏向器を
用いる。従来のイオンと電子の複合型装置では、静電型
と磁界型の２つの対物レンズを設ける必要が有り、対物
レンズの作動距離が長くなるため集束性能の劣化が避け
られなかった。本発明の第２の原理の説明においては、
イオンと電子の共通のビーム集束手段として静電型対物
レンズを用いており、対物レンズの作動距離を短くでき
高い集束性能が得られる。以上の構成により、電子線２
を照射し観察や分析を行いながら、イオンビーム19によ
り局所処理を行うことができる。また、イオンビーム19
と電子線２の両方をプローブとして用い局所処理を行う
ことができる。
第７図に、本発明の第２の原理を説明する他の装置構
成を示す。イオンビーム照射部は第６図の装置と同様で
あり、電子源１および電子引出電極３を、電子源スライ
ド機構30によりイオン光軸上に出し入れして、イオンビ
ーム19と電子線２を交互に照射する構成である。イオン
ビーム19と電子線２を同時に用いることはできないが、
光軸合わせは容易である。イオンビーム19により局所処
理を行った後、電子線２により被処理部を観察あるいは
分析したり、イオンビーム19と電子線２により局所処理
を連続して行うことができる。
成を示す。イオンビーム照射部は第６図の装置と同様で
あり、電子源１および電子引出電極３を、電子源スライ
ド機構30によりイオン光軸上に出し入れして、イオンビ
ーム19と電子線２を交互に照射する構成である。イオン
ビーム19と電子線２を同時に用いることはできないが、
光軸合わせは容易である。イオンビーム19により局所処
理を行った後、電子線２により被処理部を観察あるいは
分析したり、イオンビーム19と電子線２により局所処理
を連続して行うことができる。
本発明によれば、荷電ビームの照射部で局所的に直接
加工，露光，反応性エッチング,CVD等の処理を行う装置
において、小型で移動可能な電子ビーム照射手段を設け
て常に最適な位置から電子ビームを照射できるので、ス
ループットの向上やモニタリングによる処理精度の向上
を常に最適条件で行える効果が有り、また大型試料を高
精度に局所処理できる効果がある。
加工，露光，反応性エッチング,CVD等の処理を行う装置
において、小型で移動可能な電子ビーム照射手段を設け
て常に最適な位置から電子ビームを照射できるので、ス
ループットの向上やモニタリングによる処理精度の向上
を常に最適条件で行える効果が有り、また大型試料を高
精度に局所処理できる効果がある。
第１図は、本発明の第１の原理を説明する電子ビーム照
射部の装置構成図、第２図は、本発明の第１の原理を説
明する電子ビーム照射部の組立図、第３図は、本発明の
第１の原理を説明する装置構成図、第４図は、本発明の
第１の原理に基く他の電子ビーム照射部の構成図、第５
図は、本発明の装置構成図、第６図は、本発明の第２の
原理を説明する装置構成図、第７図は、本発明の第２の
原理に基く他の装置構成図である。 １……電子源、２……電子線、 ３……電子引出電極、４……第１レンズ電極、 ５……第２レンズ電極、６……第３レンズ電極、 ７……アラインメントコイル、 ８……偏向コイル、９……試料、 10……ノズル、 11……エッチングガスボンベ、 12……CVDガスボンベ、13……メインチャンバ、 14……電子ビームチャンバ、 15……XY駆動部、16……θ駆動部、 17……φ駆動部、18……イオン源、 19……イオンビーム、20……イオン引出電極、 21……第１集束レンズ、22……ブランキング電極、 23……第２集束レンズ、24……偏向電極、 25……イオンビームチャンバ、 26……XYステージ、27……軸合わせユニット、 28……アライメント電極、29……偏向電極、 30……電子源スライド機構。
射部の装置構成図、第２図は、本発明の第１の原理を説
明する電子ビーム照射部の組立図、第３図は、本発明の
第１の原理を説明する装置構成図、第４図は、本発明の
第１の原理に基く他の電子ビーム照射部の構成図、第５
図は、本発明の装置構成図、第６図は、本発明の第２の
原理を説明する装置構成図、第７図は、本発明の第２の
原理に基く他の装置構成図である。 １……電子源、２……電子線、 ３……電子引出電極、４……第１レンズ電極、 ５……第２レンズ電極、６……第３レンズ電極、 ７……アラインメントコイル、 ８……偏向コイル、９……試料、 10……ノズル、 11……エッチングガスボンベ、 12……CVDガスボンベ、13……メインチャンバ、 14……電子ビームチャンバ、 15……XY駆動部、16……θ駆動部、 17……φ駆動部、18……イオン源、 19……イオンビーム、20……イオン引出電極、 21……第１集束レンズ、22……ブランキング電極、 23……第２集束レンズ、24……偏向電極、 25……イオンビームチャンバ、 26……XYステージ、27……軸合わせユニット、 28……アライメント電極、29……偏向電極、 30……電子源スライド機構。
フロントページの続き (72)発明者 市橋 幹雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松井 宏信 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−27648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−154442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−56419（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−257170（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200346（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−112138（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01J 37/305
Claims (5)
- 【請求項１】集束させたイオンビームを試料上に照射す
る集束イオンビーム照射手段と、前記試料表面の前記集
束イオンビーム照射手段により集束したイオンビームを
照射した箇所に集束させた電子ビームを照射する電子ビ
ーム照射手段と、前記集束イオンビーム照射手段の集束
させたイオンビームの光軸に対する前記電子ビーム照射
手段の集束させた電子ビームの光軸の傾き角度を設定す
る傾き角度設定手段とを備えたことを特徴とする荷電ビ
ーム局所処理装置。 - 【請求項２】前記電子ビーム照射手段が、電子源部と、
該電子源部で発生させた電子ビームを引出す引出電極部
と、該引出し電極部で引出した前記電子ビームを集束さ
せる電子ビーム集束部と、試料を載置する載置台と、前
記電子ビームを偏向させて前記載置台に載置された試料
上に照射する電子ビーム偏向部とを備え、前記電子ビー
ム集束部が複数の電極を組み合わせた静電型レンズ電極
を備え、前記電子ビーム偏向部を、前記電子ビーム集束
部で集束させた電子ビームの光軸に対して前記静電型レ
ンズ電極の前記複数の電極のうちの前記引出電極部側に
最も近い電極と前記載置台側に最も近い電極との間に配
置したことを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム局所
処理装置。 - 【請求項３】前記電子ビーム偏向部を、電磁石で構成し
たことを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム局所処理
装置。 - 【請求項４】前記電子ビーム偏向部を、静電型の偏向電
極で構成したことを特徴とする請求項２記載の荷電ビー
ム局所処理装置。 - 【請求項５】前記電子ビームの光軸に対して前記静電型
レンズ電極の前記複数の電極のうちの前記引出電極部側
に最も近い電極と前記載置台側に最も近い電極との間
に、アライメント電極部を更に配置したことを特徴とす
る請求項２記載の荷電ビーム局所処理装置。
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| JP02138196A JP3085390B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 荷電ビーム局所処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02138196A JP3085390B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 荷電ビーム局所処理装置 |
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|---|---|
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1990
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