JP3085151B2 - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents
プラズマ処理方法および装置Info
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- JP3085151B2 JP3085151B2 JP07177086A JP17708695A JP3085151B2 JP 3085151 B2 JP3085151 B2 JP 3085151B2 JP 07177086 A JP07177086 A JP 07177086A JP 17708695 A JP17708695 A JP 17708695A JP 3085151 B2 JP3085151 B2 JP 3085151B2
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- pulse
- plasma
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理方法および
装置に係り、特に試料へのバイアス印加を用いた処理に
好適なプラズマ処理方法および装置に関するものであ
る。
装置に係り、特に試料へのバイアス印加を用いた処理に
好適なプラズマ処理方法および装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＲＦバイアスの従来例を図５に示す。試
料１は試料台２上に載置されており、バイアス用高周波
電源３からは図６に示す高周波が出力され、コンデンサ
４を経由して正弦波状の電圧が印加される。処理室５内
には、処理ガスを流入しながら排気すると共に、プラズ
マ発生用高周波電源６からコイル７並びに絶縁体８を経
由して加えられる高周波電力によりプラズマが生成され
る。プラズマから試料に供給される電子の量が、正イオ
ンの量に比べて数十倍〜数百倍と多いため、コンデンサ
４の試料１側には負の電荷が蓄積される。この電荷のた
め、図７に示す様に負にシフトした電圧が基板上に表れ
る。この負電圧によってエッチング種である正イオンが
加速され、試料１に垂直に入射することにより垂直形状
のエッチングが可能となる。しかし、試料パターンが微
細化するにつれ、溝や穴の底面における正電荷のチャー
ジアップのため、次に述べる色々な問題点が出てきた。
料１は試料台２上に載置されており、バイアス用高周波
電源３からは図６に示す高周波が出力され、コンデンサ
４を経由して正弦波状の電圧が印加される。処理室５内
には、処理ガスを流入しながら排気すると共に、プラズ
マ発生用高周波電源６からコイル７並びに絶縁体８を経
由して加えられる高周波電力によりプラズマが生成され
る。プラズマから試料に供給される電子の量が、正イオ
ンの量に比べて数十倍〜数百倍と多いため、コンデンサ
４の試料１側には負の電荷が蓄積される。この電荷のた
め、図７に示す様に負にシフトした電圧が基板上に表れ
る。この負電圧によってエッチング種である正イオンが
加速され、試料１に垂直に入射することにより垂直形状
のエッチングが可能となる。しかし、試料パターンが微
細化するにつれ、溝や穴の底面における正電荷のチャー
ジアップのため、次に述べる色々な問題点が出てきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図７の基板バイアス波
形では、電子が試料に入射する正のサイクルで電子を加
速するための正電圧がほとんど０になっているため、電
子はほとんど加速されず基板に入射する。
形では、電子が試料に入射する正のサイクルで電子を加
速するための正電圧がほとんど０になっているため、電
子はほとんど加速されず基板に入射する。
【０００４】このようなバイアス印加法を用いて微細パ
ターンの加工を行った場合、試料に局所的チャージアッ
プが生じる。イオンは加速されて試料に垂直入射するた
め微細パターンの底面まで達するのに対して、電子は加
速されず試料に等方的に入射するため微細パターンでは
マスクに遮られて底面まで到達することができない（電
子シェーディング現象）。このため微細パターンの側面
が負にチャージアップし底面が正にチャージアップす
る。
ターンの加工を行った場合、試料に局所的チャージアッ
プが生じる。イオンは加速されて試料に垂直入射するた
め微細パターンの底面まで達するのに対して、電子は加
速されず試料に等方的に入射するため微細パターンでは
マスクに遮られて底面まで到達することができない（電
子シェーディング現象）。このため微細パターンの側面
が負にチャージアップし底面が正にチャージアップす
る。
【０００５】この電子シェーディングによるチャージア
ップは、プラズマエッチングにおいて様々な弊害をもた
らしている。その最も重大な問題の一つがゲート用ポリ
シリコン加工における局所異状サイドエッチ（ノッチ）
の発生である。
ップは、プラズマエッチングにおいて様々な弊害をもた
らしている。その最も重大な問題の一つがゲート用ポリ
シリコン加工における局所異状サイドエッチ（ノッチ）
の発生である。
【０００６】また、電子シェーディング現象によるチャ
ージアツプはメタル配線の加工においても発生し、ゲー
ト酸化膜にダメージを生じさせる。電子シェーディング
によって微細パターンの底面に生じた正電荷はメタル配
線につながっているフローティングゲートに集められ、
フローティングゲートと基板シリコンの間のゲート絶縁
膜に絶縁破壊等のダメージを発生させる。
ージアツプはメタル配線の加工においても発生し、ゲー
ト酸化膜にダメージを生じさせる。電子シェーディング
によって微細パターンの底面に生じた正電荷はメタル配
線につながっているフローティングゲートに集められ、
フローティングゲートと基板シリコンの間のゲート絶縁
膜に絶縁破壊等のダメージを発生させる。
【０００７】この他にも、電子シェーディング現象によ
るチャージアップはトレンチやコンタクトホール等の微
細孔エッチングにおいても問題となっており、サブトレ
ンチやボーイング等の異状形状を発生される原因になっ
ている。ポリシリコンのエッチング場合と同様、孔の側
面が負に、孔の底面が正に、それぞれチャージアップす
る。このチャージアップによってエッチング種であるイ
オンの軌道が曲げられ、イオンは孔の側面や孔底の端部
に入射するようになる。このため、孔側面や孔底面端部
がエッチングされ、ボーイングやサブトレンチ等の異状
形状が発生する。
るチャージアップはトレンチやコンタクトホール等の微
細孔エッチングにおいても問題となっており、サブトレ
ンチやボーイング等の異状形状を発生される原因になっ
ている。ポリシリコンのエッチング場合と同様、孔の側
面が負に、孔の底面が正に、それぞれチャージアップす
る。このチャージアップによってエッチング種であるイ
オンの軌道が曲げられ、イオンは孔の側面や孔底の端部
に入射するようになる。このため、孔側面や孔底面端部
がエッチングされ、ボーイングやサブトレンチ等の異状
形状が発生する。
【０００８】本発明は、電子シェーディング現象を解消
し、電子シェーディング現象に起因するノッチ、チャー
ジアップダメージ、ボーイング、サブトレンチ、マイク
ロローディング、穴深さ方向のエッチングレート低下等
の諸問題を解決する。
し、電子シェーディング現象に起因するノッチ、チャー
ジアップダメージ、ボーイング、サブトレンチ、マイク
ロローディング、穴深さ方向のエッチングレート低下等
の諸問題を解決する。
【０００９】本発明の目的は、微細パターンの形状制御
性の改善や深溝／深穴におけるエッチレート低下の改善
を行い、所望のエッチング形状を得ることのできるプラ
ズマ処理方法および装置を提供することにある。
性の改善や深溝／深穴におけるエッチレート低下の改善
を行い、所望のエッチング形状を得ることのできるプラ
ズマ処理方法および装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料の載置手
段と、試料の載置手段を内蔵する処理室と、処理室内に
ガスを供給する手段と、処理室内を排気する手段と、処
理室内にプラズマを発生する手段とを具備したプラズマ
処理装置において、試料に加わる電圧もしくはこれとほ
ぼ等価な電圧の直流分を検知する手段と、検知手段で検
知された信号と設定信号との差信号により、パルス幅、
パルス周期もしくはパルス振幅のうちの少なくとも１つ
を変化させる電子加速機能を有するパルス性電源と、パ
ルス性電源の出力を容量素子を経由して試料に印加する
手段とを設けた装置とし、減圧下でガスをプラズマ化
し、該プラズマを用いて処理室内に配置した試料を処理
するプラズマ処理方法において、試料に加わる電圧の直
流分を検知し、該検知された信号と設定信号との差信号
により、電子加速のためのパルス電源のパルス幅、パル
ス周期もしくはパルス振幅のうちの少なくとも１つを変
化させ、該パルス電源の出力を容量素子を経由して試料
に印加し、プラズマ処理中の前記試料に加わる電圧の直
流分を所定値に制御する方法とすることにより、達成さ
れる。
段と、試料の載置手段を内蔵する処理室と、処理室内に
ガスを供給する手段と、処理室内を排気する手段と、処
理室内にプラズマを発生する手段とを具備したプラズマ
処理装置において、試料に加わる電圧もしくはこれとほ
ぼ等価な電圧の直流分を検知する手段と、検知手段で検
知された信号と設定信号との差信号により、パルス幅、
パルス周期もしくはパルス振幅のうちの少なくとも１つ
を変化させる電子加速機能を有するパルス性電源と、パ
ルス性電源の出力を容量素子を経由して試料に印加する
手段とを設けた装置とし、減圧下でガスをプラズマ化
し、該プラズマを用いて処理室内に配置した試料を処理
するプラズマ処理方法において、試料に加わる電圧の直
流分を検知し、該検知された信号と設定信号との差信号
により、電子加速のためのパルス電源のパルス幅、パル
ス周期もしくはパルス振幅のうちの少なくとも１つを変
化させ、該パルス電源の出力を容量素子を経由して試料
に印加し、プラズマ処理中の前記試料に加わる電圧の直
流分を所定値に制御する方法とすることにより、達成さ
れる。
【００１１】
【作用】本発明において、試料にパルスバイアス電圧が
印加されるので電子が加速されて、微細パターンの底面
まで到達でき、底面における正電荷のチャージアップを
防止してノッチ等の発生を防止すると共に、試料に加わ
る電圧の直流分を検知しながら設定値との差がなくなる
様、パルス周期、パルス幅、パルス振幅等を制御するた
め、電子加速電圧やイオン加速電圧が所定値に制御さ
れ、常に安定した特性を得ることができる。
印加されるので電子が加速されて、微細パターンの底面
まで到達でき、底面における正電荷のチャージアップを
防止してノッチ等の発生を防止すると共に、試料に加わ
る電圧の直流分を検知しながら設定値との差がなくなる
様、パルス周期、パルス幅、パルス振幅等を制御するた
め、電子加速電圧やイオン加速電圧が所定値に制御さ
れ、常に安定した特性を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２によ
り説明する。図１は、本発明のプラズマ処理装置のバイ
アス電圧が印加される電極部分を示す構成図である。本
図の電極部分は、例えば、図５に示した従来装置の試料
台部分に代えて設けられる。本図において図５と同符号
は同一部材を示す。本実施例は、図５の従来構成のプラ
ズマ処理装置のバイアス用高周波電源３に代えて、図１
に示すバイアス用パルス電源３′を用いる。バイアス用
パルス電源３′は図２(ａ)に示す様に正方向のパルスを
周期的に出力する。このパルスを容量成分４を経由して
試料１に加えた場合、試料１には図２(ｂ)に示す様な試
料バイアス電圧が印加される。ここでτwはパルス幅、
Ｔはパルス周期、Ｖplsはパルス振幅、Ｖpはプラズマポ
テンシャル、ＶDCは試料１に加わる電圧の直流成分であ
る。
り説明する。図１は、本発明のプラズマ処理装置のバイ
アス電圧が印加される電極部分を示す構成図である。本
図の電極部分は、例えば、図５に示した従来装置の試料
台部分に代えて設けられる。本図において図５と同符号
は同一部材を示す。本実施例は、図５の従来構成のプラ
ズマ処理装置のバイアス用高周波電源３に代えて、図１
に示すバイアス用パルス電源３′を用いる。バイアス用
パルス電源３′は図２(ａ)に示す様に正方向のパルスを
周期的に出力する。このパルスを容量成分４を経由して
試料１に加えた場合、試料１には図２(ｂ)に示す様な試
料バイアス電圧が印加される。ここでτwはパルス幅、
Ｔはパルス周期、Ｖplsはパルス振幅、Ｖpはプラズマポ
テンシャル、ＶDCは試料１に加わる電圧の直流成分であ
る。
【００１３】τw及びＶplsを一定の下、パルス周期Ｔを
変化した時のＶDCの変化を図２(ｃ)に示す。（τw／
Ｔ）≪１の時、ＶDC≒０volt。ＶDC＞−１０voltの領域
はイオンの加速が不足するため、垂直形状が得られにく
く、またエッチングレートも低いため実用には好ましく
ない領域である。
変化した時のＶDCの変化を図２(ｃ)に示す。（τw／
Ｔ）≪１の時、ＶDC≒０volt。ＶDC＞−１０voltの領域
はイオンの加速が不足するため、垂直形状が得られにく
く、またエッチングレートも低いため実用には好ましく
ない領域である。
【００１４】また、ＶDC＜Ｖp−Ｖpls＋５なる領域は電
子の加速が５Ｖ以下のため、深溝や深穴の底面迄電子が
届きにくい。このため、電子加速による形状の改善や深
溝／穴でのエッチングレート低下を改善しにくい領域で
ある。
子の加速が５Ｖ以下のため、深溝や深穴の底面迄電子が
届きにくい。このため、電子加速による形状の改善や深
溝／穴でのエッチングレート低下を改善しにくい領域で
ある。
【００１５】好ましい特性が得られる部分は、 −１０volt＞ＶDC＞Ｖp−Ｖpls＋５volt の部分であるが、図２(ｃ)に示す通りこの部分ではパル
ス周期Ｔ等の少ない変化に対してもＶDCは大きく変化す
る。また、プラズマの性質が少し変化してもＶDCが大き
く変化する欠点がある。ＶDCの絶対値はイオン加速の平
均エネルギーに比例しており、試料１に電子電流が流入
する期間の平均電子加速エネルギーはＶpls−Ｖp＋ＶDC
にほぼ比例しており、この値が５volt以上で深穴や溝底
面での電荷中和効果がでてきて、この値が１０volt以上
で上記効果が顕著になる。
ス周期Ｔ等の少ない変化に対してもＶDCは大きく変化す
る。また、プラズマの性質が少し変化してもＶDCが大き
く変化する欠点がある。ＶDCの絶対値はイオン加速の平
均エネルギーに比例しており、試料１に電子電流が流入
する期間の平均電子加速エネルギーはＶpls−Ｖp＋ＶDC
にほぼ比例しており、この値が５volt以上で深穴や溝底
面での電荷中和効果がでてきて、この値が１０volt以上
で上記効果が顕著になる。
【００１６】尚、Ｖpls−Ｖp＋ＶDCの値が２００Volt程
度以上では、レジスト膜の削れが大きくなる等の逆効果
が顕著になる。Ｖpls−Ｖp＋ＶDCの値は前途の値の範囲
内で試料の材質、パターン、穴のアスペクト比等に合わ
せて最適化する。
度以上では、レジスト膜の削れが大きくなる等の逆効果
が顕著になる。Ｖpls−Ｖp＋ＶDCの値は前途の値の範囲
内で試料の材質、パターン、穴のアスペクト比等に合わ
せて最適化する。
【００１７】このため、ＶDCが変動するとイオンや電子
の加速エネルギーが変化するため、エッチングレートや
溝／穴底での電子の中和効果が大幅に変化する。
の加速エネルギーが変化するため、エッチングレートや
溝／穴底での電子の中和効果が大幅に変化する。
【００１８】これを改善するには、図１（処理室の他の
部分は図５と同じ）に示す様に試料台２に加わる電圧を
低域通過フィルタ１０を介し、ＶDC信号としてバイアス
用パルス電源３′にフィードバックし、試料１に加わる
電圧の直流成分であるＶDCが常に一定になる様制御す
る。このようにすることにより、プラズマ等が変動して
も常に一定のＶDCが試料に加わるため、電子加速電圧や
イオン加速電圧が所定値に制御され、安定した処理が可
能となる。
部分は図５と同じ）に示す様に試料台２に加わる電圧を
低域通過フィルタ１０を介し、ＶDC信号としてバイアス
用パルス電源３′にフィードバックし、試料１に加わる
電圧の直流成分であるＶDCが常に一定になる様制御す
る。このようにすることにより、プラズマ等が変動して
も常に一定のＶDCが試料に加わるため、電子加速電圧や
イオン加速電圧が所定値に制御され、安定した処理が可
能となる。
【００１９】試料１と試料台２間が導通している場合に
は、図１に示す方法にて試料１に加わるＶDCの検知が可
能であるが、図３（処理室の他の部分は図５と同じ）に
示す様に試料１と試料台２間に絶縁物１１が存在する場
合（例えば静電吸着機能付試料台等）には、試料１と直
接接触する電極１２を設置し、この信号を低域通過フィ
ルタを介してＶDC信号を得ることにより、図１と同様に
フィードバック制御が出来る。図３で１１は静電吸着用
絶縁物、１３は静電吸着用直流電源である。
は、図１に示す方法にて試料１に加わるＶDCの検知が可
能であるが、図３（処理室の他の部分は図５と同じ）に
示す様に試料１と試料台２間に絶縁物１１が存在する場
合（例えば静電吸着機能付試料台等）には、試料１と直
接接触する電極１２を設置し、この信号を低域通過フィ
ルタを介してＶDC信号を得ることにより、図１と同様に
フィードバック制御が出来る。図３で１１は静電吸着用
絶縁物、１３は静電吸着用直流電源である。
【００２０】尚、試料の裏面が絶縁物で覆われている場
合には、図６の方法でもＶDCを測定できない。この場合
には、プラズマと接する部分に導体を設置し、この導体
と試料台とを容量的に結合させると共に、この導体を低
域通過フィルタに接続すれば、試料とほぼ等しいＶDCを
得ることができる。
合には、図６の方法でもＶDCを測定できない。この場合
には、プラズマと接する部分に導体を設置し、この導体
と試料台とを容量的に結合させると共に、この導体を低
域通過フィルタに接続すれば、試料とほぼ等しいＶDCを
得ることができる。
【００２１】フィードバック制御が可能なバイアス用パ
ルス電源３′の一例を図４に示す。
ルス電源３′の一例を図４に示す。
【００２２】ＶDCの設定値（設定信号１）とＶDCのモニ
タ値（モニタ信号）との差を差動増幅器３−１で増幅
し、電圧制御発振器３−２に入力し、パルス周期Ｔを設
定する。その後、設定信号２の指示によりパルス幅発生
器３−３により所定のパルス幅τwを生成し、設定信号
３の指示により増幅器３−４により所定のパルス振幅Ｖ
plsに増幅して出力する。このバイアス用パルス電源
３′を用いることにより、試料１に加わる電圧の直流成
分ＶDCが常に設定に等しくなる様、パルスの周期Ｔが自
動的に制御される。尚、ＶDC等を常に一定にさせる為に
制御するパラメータとしては図４の例の外に、パルス幅
τwを制御したり、パルス振幅Ｖplsを制御してもよい。
但し、イオン加速エネルギーや電子加速エネルギーを一
定に保つ上では、パルス周期やパルス幅を制御する方が
好ましい。
タ値（モニタ信号）との差を差動増幅器３−１で増幅
し、電圧制御発振器３−２に入力し、パルス周期Ｔを設
定する。その後、設定信号２の指示によりパルス幅発生
器３−３により所定のパルス幅τwを生成し、設定信号
３の指示により増幅器３−４により所定のパルス振幅Ｖ
plsに増幅して出力する。このバイアス用パルス電源
３′を用いることにより、試料１に加わる電圧の直流成
分ＶDCが常に設定に等しくなる様、パルスの周期Ｔが自
動的に制御される。尚、ＶDC等を常に一定にさせる為に
制御するパラメータとしては図４の例の外に、パルス幅
τwを制御したり、パルス振幅Ｖplsを制御してもよい。
但し、イオン加速エネルギーや電子加速エネルギーを一
定に保つ上では、パルス周期やパルス幅を制御する方が
好ましい。
【００２３】尚、通常のプラズマでは、 ０.０１μｓ＜τw＜１０μｓ 好ましくは、０.０３μｓ＜τw＜０.５μｓ １／１０3＜（τw／Ｔ）＜１／１０ 好ましくは３／１０3＜（τw／Ｔ）＜５／１０2 Ｖp＋１５volt＜Ｖpls −１０volt＜ＶDC＜Ｖp−Ｖpls＋５volt Ｖp≒１０〜２０volt 尚、本実施例では図１に示しす誘導結合した高周波によ
りプラズマを発生させる場合について述べたが、本発明
はプラズマの発生方法によらず、例えば、マイクロ波プ
ラズマ、高周波＋直流磁場によるプラズマ、ＥＣＲプラ
ズマ等にも共通に適用できる。
りプラズマを発生させる場合について述べたが、本発明
はプラズマの発生方法によらず、例えば、マイクロ波プ
ラズマ、高周波＋直流磁場によるプラズマ、ＥＣＲプラ
ズマ等にも共通に適用できる。
【００２４】尚、バイアス用パルス電源３′の出力波形
は図２（ａ）に示した波形に限定するものではない。交
流を重畳したもの、交流の振幅を変化させたもの、複数
パルスを用いたもの等においても、試料の表面電位がプ
ラズマポテンシャル（Ｖp）より５Ｖ以上高い電位にな
る電子加速期間の一周期中の総和（τw）及びその周期
（Ｔ）等が前途の条件を満たせば同様に本発明を適用で
きる。
は図２（ａ）に示した波形に限定するものではない。交
流を重畳したもの、交流の振幅を変化させたもの、複数
パルスを用いたもの等においても、試料の表面電位がプ
ラズマポテンシャル（Ｖp）より５Ｖ以上高い電位にな
る電子加速期間の一周期中の総和（τw）及びその周期
（Ｔ）等が前途の条件を満たせば同様に本発明を適用で
きる。
【００２５】以上本実施例によれば、試料に５Ｖ以上の
電子加速を行うパルスバイアス電源を設け、かつ試料に
加わる電圧の直流分ＶDCが、 −１０volt＜ＶDC＜Ｖp−Ｖpls＋５ｖｏｌｔ の範囲でかつ一定になる様にフィードバック制御するの
で、微細パターン底面における正電荷のチャージアップ
を中和し、ノッチの発生、マイクロローディング、深溝
／穴でのエッチレートの低下等を防止でき、かつ電子加
速電圧やイオン加速電圧が所定値に制御され、プラズマ
特性が少々変動しても常に安定した特性が得られる。こ
れにより、電子やイオンを加速する電圧が一定するの
で、加速電子による溝底／穴底での電荷の中和や、加速
イオンによるエッチングレートが常に安定して得られ
る。
電子加速を行うパルスバイアス電源を設け、かつ試料に
加わる電圧の直流分ＶDCが、 −１０volt＜ＶDC＜Ｖp−Ｖpls＋５ｖｏｌｔ の範囲でかつ一定になる様にフィードバック制御するの
で、微細パターン底面における正電荷のチャージアップ
を中和し、ノッチの発生、マイクロローディング、深溝
／穴でのエッチレートの低下等を防止でき、かつ電子加
速電圧やイオン加速電圧が所定値に制御され、プラズマ
特性が少々変動しても常に安定した特性が得られる。こ
れにより、電子やイオンを加速する電圧が一定するの
で、加速電子による溝底／穴底での電荷の中和や、加速
イオンによるエッチングレートが常に安定して得られ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、試料に加わる電圧の直
流分ＶＤＣを一定にし、微細パターン底面における正電
荷のチャージアップを中和できるので、微細パターンの
形状制御性の改善や深溝／深穴におけるエッチレート低
下の改善が行え、所望のエッチング形状を得ることがで
きるという効果がある。
流分ＶＤＣを一定にし、微細パターン底面における正電
荷のチャージアップを中和できるので、微細パターンの
形状制御性の改善や深溝／深穴におけるエッチレート低
下の改善が行え、所望のエッチング形状を得ることがで
きるという効果がある。
【図１】本発明のプラズマ処理装置に用いられる電極部
の一実施例を示す構成図である。
の一実施例を示す構成図である。
【図２】図１の装置のバイアス用パルス電源の出力波
形，試料に加わるバイアス電圧波形およびその特性を示
す図である。
形，試料に加わるバイアス電圧波形およびその特性を示
す図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置に用いられる電極部
の他の実施例を示す構成図である。
の他の実施例を示す構成図である。
【図４】図１の装置のバイアス用パルス電源の一例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図５】従来のプラズマ処理装置を示す図である。
【図６】図６におけるバイアス用高周波電源の出力波形
を示す図である。
を示す図である。
【図７】図６における試料に加わるバイアス電圧波形を
示す図である。
示す図である。
１…試料、２…試料台、３…バイアス用高周波電源、
３′…バイアス用パルス電源、４…容量素子、５…処理
室、６…プラズマ発生用高周波電源、７…コイル、８…
絶縁体、１０…低域通過フィルタ、１１…絶縁物、１２
…電極、１３…静電吸着用直流電源。
３′…バイアス用パルス電源、４…容量素子、５…処理
室、６…プラズマ発生用高周波電源、７…コイル、８…
絶縁体、１０…低域通過フィルタ、１１…絶縁物、１２
…電極、１３…静電吸着用直流電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−255782（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193049（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94130（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 1/46 C23C 16/50 C23F 4/00 H01L 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】減圧下でガスをプラズマ化し、該プラズマ
を用いて処理室内に配置した試料を処理するプラズマ処
理方法において、 前記試料に加わる電圧の直流分を検知し、該検知された
信号と設定信号との差信号により、電子加速のためのパ
ルス電源のパルス幅、パルス周期もしくはパルス振幅の
うちの少なくとも１つを変化させ、該パルス電源の出力
を容量素子を経由して試料に印加し、プラズマ処理中の
前記試料に加わる電圧の直流分を所定値に制御すること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載において、（パルス幅／パル
ス周期）の値を０.１以下とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】請求項１記載において、前記試料に加わる
電圧の直流分を検知し、該検知された信号と設定信号と
の差信号により、電子加速のためのパルス電源のパルス
幅、もしくはパルス周期を変化させるプラズマ処理方
法。 - 【請求項４】試料の載置手段と、前記試料の載置手段を
内蔵する処理室と、前記処理室内にガスを供給する手段
と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内にプ
ラズマを発生する手段とを具備したプラズマ処理装置に
おいて、 前記試料に加わる電圧もしくはこれとほぼ等価な電圧の
直流分を検知する手段と、該検知手段で検知された信号
と設定信号との差信号により、パルス幅、パルス周期も
しくはパルス振幅のうちの少なくとも１つを変化させる
電子加速機能を有するパルス性電源と、該パルス性電源
の出力を容量素子を経由して試料に印加する手段とを設
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07177086A JP3085151B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | プラズマ処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07177086A JP3085151B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | プラズマ処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927399A JPH0927399A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3085151B2 true JP3085151B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=16024889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07177086A Expired - Fee Related JP3085151B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | プラズマ処理方法および装置 |
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