JP3080666U - ショートアークランプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２つの端部を有する放電容器を備えたショー
トアークランプであって、アノード７およびカソードが
放電容積内で対向しており、少なくともアノードがシャ
フト１０を備え、シャフト１０がそれに対応する放電容
器端部にて、金属製の補助部分１２と、モリブデン製の
３つ以上箔から成る箔セット１６とによってシールされ
ている形式のものを改良し、良好な機械的剛性を有する
電気接続部を備えており、該電気接続部が十分な耐熱性
を有し、かつ付加的に水銀に対する高い耐性を有してい
るようなものを提供する。 【解決手段】 溶接結合が溶接補助手段２０によって達
成されており、溶接補助手段２０が補助部分１２の接触
面の一部と、箔セット１６の接触面との間の中間層を形
成しており、溶接補助手段２０がタンタル、ニオブ、レ
ニウムまたはこれら３つの金属の混合物から成る金属薄
板、箔またはペーストである。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案は、２つの端部を有する放電容器を備えたショートアークランプであっ て、アノードおよびカソードが放電容積内で対向しており、放電容積が１０ｍｇ ／ｃｍ^３より大きい体積比量の水銀を有しており、少なくともアノードがシャフ トを備え、シャフトがそれに対応する放電容器端部にて、金属製の補助部分と、 モリブデン製の３つ以上箔から成る箔セットとによってシールされており、補助 部分がシャフトと箔セットとの間の導電接続部を形成しており、補助部分と箔セ ットとの間の結合部が溶接結合によって形成されている形式のものに関する。こ の場合本考案は、マイクロリソトグラフィのための水銀高圧放電ランプに関する 。このランプでは、特に高い水銀濃度を備えた水銀アークランプの電極と、モリ ブデンシール箔との間の導電接続部が特に問題である。

【０００２】

【従来の技術】

ショートアークランプでは、溶着された箔と電極との間の接続のために、通常 箔端部が電極シャフトを介して電極と接続されている。シャフトは電極と一体的 な構成部材であってよい。高ワットで高負荷されるランプでは、追加的に金属（ 通常はモリブデン）製の補助部分を、箔と電極シャフトとの間に挿入すると有利 である。補助部分として、約０．５ｍｍ（ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９ ６１８９６７号明細書）の厚さから、２〜２０ｍｍ（欧州特許公開第号４７９０ ８７明細書）までの間の厚さを有する金属薄板ディスクが公知である。ディスク の外縁部は杯状に折り曲げられていてもよい。

【０００３】 補助部分によって、多数の箔を電極に確実に固定することができる。３つ以上 の箔の箔端部を電極シャフトに確実に接続したい場合に、補助手段が必要である 。典型的な使用領域に存在するランプは、１０００ｗより大きな出力で４０Ａの 電流消費を有するランプである。

【０００４】 比較的頑丈な補助部分は、白金を用いたろう接（欧州特許公開第４７９０８９ 号明細書）、溶接またはプレスによって、確実に電極シャフトに結合することが できる。これに対し薄い箔（典型的な厚さ２０〜５０μｍ）を補助部分（たとえ ば頑丈な金属薄板またはディスク）に確実に結合するのは困難である。

【０００５】 結合部を製作するために箔が溶接される。この場合箔は複数箇所で補助部分に 結合されている（ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６１８９６７号明細書） 。

【０００６】 簡単な結合形式では、この結合部は機械的にそれほど頑丈ではない。なぜなら ば高い溶接温度では箔が局地的にもろくなり、溶接箇所が壊れやすくなるからで ある。

【０００７】 電極から発生する質量力が、ランプ製造またはランプの製造後の搬送の際に、 振動または衝撃によって、結合部の解離をもたらすことのないように、重たい電 極を備えた（５０ｇ以上、特に少なくとも１００ｇの質量を有するアノード）、 高出力ランプの場合、結合部の機械的な高い安定性が必要がある。

【０００８】 このような質量を有する電極は、大まかな基準で理解すると、約１０００Ｗか ら、特に２５００Ｗからの出力のランプで使用される。

【０００９】 結合部の剛性を高めるための簡単な手段によれば、極めて多数の溶接箇所（約 ２０〜４０）が設けられる。このために、頑丈な金属製の補助部分が強制的に必 要となり、製作コストを大幅に高めることになる。

【００１０】 モリブデン部分（融点２６１０度）の良好で持続的な結合部は、従来技術では 、低温で融解する金属（２４６８度の融点を有するＮｂまたは１７６９度の融点 を有するＰｔ）、もしくは延性を有する金属（３１８０度の融点を有するＲｅま たは２２９６度の融点を有するＴａ）から成る付加的な箔（溶接補助手段）によ って製作された。この溶接補助手段は、箔と補助部分との間の点溶接のための中 間層として使用される。これによって機械的に良好に負荷可能な結合部が形成さ れる。モリブデンから成る補助部分とモリブデン箔との間の溶接補助手段として 、元来白金箔が使用された。なぜならば白金はモリブデンに溶着する加工温度で はまだ十分に頑丈であり、モリブデンに対してかなり低い融点を有していて、良 好にモリブデンに結合するからである。

【００１１】 白金によって、簡単な管状の炉における還元ガスで完全な電極システムをクリ ーニングすることを可能にする、極めて不活性な材料が提供される。ランプ作動 中に電極から自由になるガス状の不純物（この不純物は反応性の金属の使用によ って生じる恐れがある）による、Ｐｔ溶接補助手段の崩壊が排除される。

【００１２】 白金が割高で、押しつぶしシール（Quetschungsabdichtungen）の際に、そこ で必要な高い加工温度に耐えられないので、たとえばモリブデンおよびレニウム から成る金属粉材（欧州特許公開第４９５５８８号明細書）のような代用材料が 用いられる。金属粉材から成る焼結体はもろく、たとえば丸形箔溶着（Rundfoli eneinschmelzung）のようなカーブされた面では使用不能である。また炭素材料 をモリブデン部分に加えることも提案されている（欧州特許公開第６５７９１２ 号明細書）。もちろん炭素材料は脆くさせる性質を有しているので、この技術の 適用は困難である。

【００１３】 白金の欠点は、水銀ランプの特定の条件下で生じる、水銀に対する耐性が十分 でないことである。

【００１４】 多くの調査によって、水銀ショートアークランプの作動中に、白金の、水銀に 対する耐性がもはや十分でなくなる条件の生じることが明らかになった。この場 合白金アマルガムの形成によって溶接結合部が溶解し、これによってランプが故 障することになる。ランプは、不良のコンタクト箇所の領域における過熱が原因 で、消えるかまたは切れる。

【００１５】 多くの分析によって、１０ｍｇ／ｃｍ^３Ｈｇより少ない水銀充填を有するラン プの場合、白金溶接補助手段が確実に機能することが明らかになった。

【００１６】 水銀濃度が次第に高められると、不良頻度が多く生じることが確認されている 。たとえば米国特許第５６７０８４４号明細書で開示されているような、１０ｍ ｇ／ｃｍ^３を超える高い水銀含有量によって、電気接続部の不良が原因で、ラン プが故障しやすくなっている。

【００１７】 前述の電気的な不良による故障の回数を以下の表に記載する。

【００１８】 表１ Ｈｇ濃度 故障頻度ｐｐｍ アノード重量（ｇ） 出力（Ｗ） （任意の単位） ＜１０ｍｇ／ｃｍ^３ ＜５（特に問題なし） ７１ ２０００ １０〜２０ｍｇ／ｃｍ^３ ３０ ±２０ ５９ １７５０ ２０〜３０ｍｇ／ｃｍ^３ ６０ ±２０ ７３ １７５０ ３０〜４０ｍｇ／ｃｍ^３ ５０ ±１０ ２０４ ２０００ ４０〜５０ｍｇ／ｃｍ^３ １１０ ±３０ ６５ ２０００ 実施された統計分析は、１０００Ｗを超える入力電力と少なくとも５０ｇのア ノード質量とを有するランプを含んでおり、この場合溶接補助手段が必要である 。表１には、Ｈｇ濃度が高くなればなるほど、より大きい故障頻度がもたらされ ることが示されている。高いアノード質量によって、一般的に、必要な剛性を得 るために、溶接補助手段の使用が必要である。出力は作動電流と関連している。

【００１９】

【考案が解決しようとする課題】

したがって本考案の課題は、冒頭で述べたような形式のショートアークランプ を改良し、良好な機械的剛性を有する電気接続部を備えており、該電気接続部が 十分な耐熱性を有し、かつ付加的に水銀に対する高い耐性を有しているようなも のを提供することである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】

この課題を解決するための本考案の装置によれば、溶接結合が溶接補助手段に よって達成されており、溶接補助手段が補助部分の接触面の一部と、箔セットの 接触面との間の中間層を形成しており、溶接補助手段がタンタル、ニオブ、レニ ウムまたはこれら３つの金属の混合物から成る金属薄板、箔またはペーストであ る。特に有利な実施形態は従属請求項に記載されている。

【００２１】

【考案の効果】

水銀ショートアークランプは、集積回路、フラットスクリーンおよび基板の製 作のためのホトリソトグラフィプロセスに使用される。そのような製造装置のた めのコストは極めて高いので、使用されるランプに、破裂に対する安全性および 早期の故障に関する極めて高い要求が課せられる。

【００２２】 製造装置の生産性が次第に高められるにつれ、ランプ出力に対する要求が連続 的に高められている。高いランプ出力は、短い照明時間、ひいては高い生産性に とって決定的な役割を有している。

【００２３】 同時にランプは、高いランプ効率を得るために、１０ｍｇ／ｃｍ^３を超える高 い水銀濃度で作動される。

【００２４】 水銀ショートアークランプを製造する場合、石英に埋め込まれたモリブデンシ ール箔と、ランプ内側に位置する電極との間の電気接続部を形成することが可能 で、そのためには以下の要求が満たされている。：つまり、 高い機械的剛性（なぜならばランプ出力が高くなるにつれ、より重くなる電極が 質量力を接続部に及ぼして、接続部が破損し得るからである。）、および 十分な耐熱性（これによって製造過程における石英ガラスの高い加工温度と、ラ ンプの高い作動温度とに耐えることができる。）、 が満たされている。

【００２５】 集中的な調査によって、水銀作用に対する電気接続部の耐性が不足しているこ とによって、高ワットで、高濃度の水銀を含んだランプの故障が生じることが明 らかになった。

【００２６】 したがって本考案では、２つの端部を有する放電容器を備えたショートアーク ランプが提案されており、この場合アノードおよびカソードが放電容積内で対向 している。放電容積は１０ｍｇ／ｃｍ３を超える体積比量の水銀を有している。

【００２７】 少なくともアノード（場合によってはカソードも、しかしながら多くの場合カ ソードの重量は小さい）がシャフトを備えており、シャフトがそれに対応する放 電容器の端部にて、特にカーブする接触面を備えた金属製の補助部分と、特にカ ーブする接触面を備えた、モリブデンから成る３つ以上の箔セットとによってシ ールされており、この場合補助部分は、シャフトと箔セットとの間の導電接続部 を形成しており、この場合補助部分と箔セットとの間の結合部が溶接結合によっ て形成されている。溶接結合は溶接補助手段を用いて行われ、この溶接補助手段 は補助手段の接触面の一部と、箔セットの接触面（これら両方は有利には、丸形 箔溶接のように、屈曲されている）との間の中間層を形成しており、この場合溶 接補助手段はタンタル、ニオブまたはレニウムから成っている。

【００２８】 多くの場合補助部分はモリブデンから成っている。一般的には補助部分はディ スク形状を有しており、補助部分は０．３ｍｍ〜２０ｍｍの間の厚さを有する皿 または孔付ディスクである。補助部分の外縁部は折り曲げることができる。

【００２９】 溶接補助手段は、補助部分の前面に配置可能で、または補助部分がディスクで ある場合、その外周面に配置可能である。この場合外周面はディスクの外縁部に よって形成されている。

【００３０】 これに関して、特に問題なのはアノードの重量である。本考案の特に有利な電 気接続部によれば、ヘッドとシャフトとから成るアノードが少なくとも５０ｇの 質量を有している。アノードが少なくとも１００ｇの質量のアノードを有してい ると特に有利である。なぜならばこの場合溶接補助手段が、十分な機械的剛性を 得るために、ほぼ不可欠であるという理由による。大きなアノード質量は、一般 的に高い出力（約１０００Ｗ以上）および／または高い電流（約４０Ａ以上）の 場合に必要である。

【００３１】 本考案に基づく溶接補助手段は、有利には箔、特に１０μｍ〜１００μｍの厚 さを有する箔である。このような箔は簡単に取り扱うことができる。選択的に溶 接補助手段をペーストから形成することもできる。

【００３２】 有利な実施形態のシール部分によれば、少なくとも３つの箔が絶縁性の円筒形 体（特に長手方向に延びる頑丈な石英ガラスロール小片または中空石英ガラスロ ール小片）の外周面にそって分配されている。この場合補助部分は円筒形体の電 極側の端部に接触している。補助部および円筒形体はほぼ同じ外径を有している 。

【００３３】 適当な溶接補助手段を求めるために、１８００度を超える融点を有する種々異 なる金属箔および金属ペーストのテストが行われた。

【００３４】 この場合金属の選択を、水銀に対する耐性を有する金属に限定した。良好な機 械的剛性に関して、点溶接でテストを行った。結合部の剛性は、箔方向の点溶接 箇所における引っ張り試験によって求めた。この場合３クラス分けが行われた。 ：つまり、 高い剛性：２０Ｎを超える破断力に相応、 中位の剛性：５〜２０Ｎの破断力に相応、 低い剛性：５Ｎより小さい破断力に相応、 の３つのクラス分けが行われた。

【００３５】 表２ 金属 機械的剛性 材料強さ Ｔａ 高 ０．０５ｍｍの厚さを有する箔 Ｔａ 中 ペースト Ｎｂ 高 ０．０１ｍｍの厚さを有する箔 Ｒｅ 高 ０．０２５ｍｍの厚さを有する箔 Ｚｒ 低 ペースト ＭｏＢ 低 ペースト ＭｏＲｕ 低 ペースト 溶接補助手段として良好な結果は、タンタル、ニオブおよびレニウムで確認さ れた。この場合金属は箔（１０〜１００μｍの間の厚さを有する）として使用す ると有利であるが、ペーストとして使用することもできる。タンタルおよびニオ ブ（これら両方は白金よりもかなり安価である）の加工は、真空で行われなけれ ばならない。なぜならばこれら両方の金属はゲッタとしても作用するからである 。これに対して、レニウムの場合、Ｐｔの場合と同じようにＨ_２における加工で 十分である。しかしながらこれら両方の金属は同じ位高価である。

【００３６】 これらの金属の融点がモリブデンの融点と同じ位であるにもかかわらず、これ によって得られる電気接続部の剛性はかなり高くなっている。この特性は、タン タル、ニオブならびにレニウムの溶接補助手段の高い延性、および、溶接区域に 形成されるＭｏｔａ、ＭｏＮｂならびにＭｏＲｅの合金の高い延性によって説明 される。

【００３７】 ＴａまたはＮｂを備えた特に有利な実施形態によれば、放電容積にさらにゲッ タが追加される。これには以下の理由が挙げられる。つまり、溶接補助手段のた めの、水銀に対する耐性を有していると見なされる金属が、ゲッタとして働くに は明らかに不都合な性質を有しているという理由である。タンタルもニオブもそ れに関して公知である。したがってＴａおよびＮｂの使用によって、溶接された 電極システムの、コスト的に有利に還元を行う、白熱によるクリーニング（Rein igungsgluehung）が禁止されている。この白熱によるクリーニングは通常複雑な 電極システムの場合必要である。その代わりに高真空における、割高な、白熱に よるクリーニングを行うことができる。これは従来、溶接補助手段として使用す ることの妨げとなっていた。なぜならばゲッタ反応によって電気接続部の耐性が 損なわれるからである。溶接補助手段の、入念で適当に選択された作動温度（１ ２００度未満）では、ゲッタ効果は損なわれず、電気接続部の耐性の悪化がみら れない。

【００３８】 約１２００度を越える溶接補助手段の作動温度では、ランプの長い耐用年数に わたって、溶接補助手段の確実な機能を保証するために、溶接補助手段と同時に 別のゲッタ材料も放電容積に導入される。このゲッタが溶接補助手段の材料より も積極的に反応することが重要である。この特性は、同じ材料を（しかしながら より高い温度で）使用するか、または反応材料（タンタルの代わりのニオブまた はジルコン）を使用することによって保証される。

【００３９】 具体的には、タンタルを溶接補助手段として使用する場合、タンタルゲッタが 電極に設けられるか（そこに高い作動温度が支配するので）、またはＮｂゲッタ またはＺｒゲッタが放電容積における別の位置に設けられている。

【００４０】 選択的にニオブを溶接補助手段として使用する場合、ニオブゲッタが電極に設 けられるか（そこに高い作動温度が支配するので）またはＺｒゲッタが放電容積 における別の位置に設けられている。

【００４１】 このような反応を要約すると、放電容積に、溶接補助手段と同様の材料かまた は反応材料から成るゲッタが設けられており、この場合ゲッターが特に溶接補助 手段よりも高い作動温度に達する位置に固定されている。

【００４２】

【考案の実施の形態】 次に本考案の実施の形態を図示の実施例を用いて詳しく説明する。

【００４３】 図１には、１．５ｋＷ平均の出力を有する水銀高圧放電ランプ１が示されてい る。水銀高圧放電ランプ１は、楕円形または樽型などに形成されている石英ガラ スから成るバルブ２を備えている。このバルブ２に互いに反対側で、２つの端部 ３が接続しており、これらの端部３はバルブネック４として構成されていてそれ ぞれ保持部８を備えている。ネック４は円錐形の前方部分４ａと円筒形の後方部 分４ｂとを備えており、円錐形の前方部分４ａは保持部８の主要な構成要素とし て石英ガラスから成る支持ロール小片５を備えており、円筒形の後方部分４ｂは シールされた溶着（Einschmelzen）を形成している。前方部分４ａは約５ｍｍの 長さの引込部６を備えている。この引込部６に、中心の孔を備えた、円錐形に形 成されている支持ロール小片５がそれぞれ接続している。

【００４４】 第１の支持ロール小片５の孔に、アノード７のバーまたはシャフト１０が軸方 向に案内されており、バーまたはシャフト１０は放電容積に到達し、そこでヘッ ド１１を保持している。バー１０は支持ロール小片５を越えて突出して後方に延 び、モリブデンから成る第１の皿１２で終了しており、この第１の皿１２に円筒 形の石英ブロック１３が接続している。石英ブロック１３の後方で、モリブデン から成る第２の皿１４が続いており、この第２の皿１４は中心部に、モリブデン バー１５の形状の外側給電部を保持している。石英ブロック１３の外周面に沿っ て、モリブデンから成る４つの箔１６が公知の形式で案内され、バルブネック４ の壁部に溶着されている。

【００４５】 類似の形式で、別個のヘッド１８とシャフト１９とから成るカソード１７が、 第２の支持ロール小片５の孔に保持されている。

【００４６】 さらに放電容積はニオブから成るゲッタ２０を備えており、このゲッタ２０は シャフト１０に設けられている。

【００４７】 図２には、石英ブロック１３上に設けられた４つの箔１６と皿部１２との電気 接続部が詳しく示されている。４０μｍの厚さを有するモリブデン箔１６は皿１ ２の前方縁部で終了しており、皿１２の厚さは５mmである。皿１２はシャフト１ ０にろう接されている。皿１２と箔１６との間に、溶接補助手段として、皿１２ の厚さに相応する幅を有するタンタル箔２０が挿入されている。タンタル箔２０ は５０μｍの厚さを有し、かつ箔１６と同じような幅を有している。モリブデン 箔１６はタンタル箔２０を介して皿１２（モリブデン製）に確実に溶接される。 この溶接は外周面に沿って約５箇所の点溶接で行われる。アノード７の質量は全 体（シャフト１０を備えたヘッド１１）で７５ｇである。

【００４８】 図３には、石英ブロック１３上に設けられた４つの箔１６と、皿１２との間に おける別の実施例の電気接続部が詳しく示されている。４０μｍの厚さを有する モリブデン箔１６は、５ｍｍの厚さを有する皿１２の前方縁部に沿って屈曲され 、皿半径の約半分の高さ部分で終了している。図２で示した実施例と同様に、皿 １２はシャフト１０にろう接されている。皿１２の前面２６と、箔１６の屈曲さ れた端部２７との間に、溶接補助手段として、短いタンタル箔２８が挿入されて いる（上半部に示した実施例）。（下半部に示した）別の実施例ではタンタル箔 ２８′はわずかにシャフト１０に沿って案内されている。タンタル箔２８，２８ ′は５０μｍの厚さを有している。モリブデン箔１６は、タンタル箔２８を介し て皿１２（モリブデン製）に確実に溶接される。この溶接は列状の点溶接で行わ れる。アノード７の質量は全体（シャフトを備えたヘッド）で２００ｇである。

【００４９】 図４には、石英ブロック１３上に設けられた４つの箔１６と、皿２２との間に おけるさらに別の実施例の電気接続部が詳しく示されている。２２μｍの厚さを 有するモリブデン箔１６は、皿２２の前方縁部で終了している。皿２２は０．５ ｍｍの厚さを有しており、この場合皿２２の外縁部２１は前方に、つまりシャフ ト１０に向かって折り曲げられている。したがって皿２２は、杯状の孔付ディス ク２２を形成しており、この孔付ディスク２２はシャフト１０に被せ嵌められて いて、そこで中心の孔の領域でろう接されている。杯状の皿は、石英ガラスから 成る小さな孔付ディスク２５によって支持され、この孔付ディスク２５は皿２２ の前方で、孔付ディスク２２と同様にシャフト１０に被せ嵌められている。皿２ ２の外縁部２１と、箔１６との間には、溶接補助手段として、皿２２の外縁部２ １の幅を有するタンタル箔２９が挿入されている。タンタル箔２９は２０μｍの 厚さを有し、皿２２の外縁部２１の外周面全体を取り囲んで配置されている。モ リブデン箔１６はタンタル箔２９を介して皿２２（モリブデン製）に確実に溶接 されており、この溶接は列状の点溶接で行われる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の水銀ショートアークランプの断面図で
ある。

【図２】図１に基づく箔と皿との間の接続部を拡大して
示す詳細図である。

【図３】図２とは別の実施例の接続部を示す詳細図であ
る。

【図４】さらに別の実施例の接続部を示す詳細図であ
る。

【符号の説明】

１ 水銀高圧放電ランプ、 ２ バルブ、 ３ 端部、
４ ネック、 ５支持ロール小片、 ６ 引込部、
７ アノード、 ８ 保持部、 １０ シャフトまたは
バー、 １１ ヘッド、 １２ 第１の皿、 １３ 石
英ブロック、１４ 第２の皿、 １５ モリブデンバ
ー、 １６ 箔、 １７ カソード、１８ ヘッド、
１９ シャフト、 ２０ ゲッタ、 ２１ 外縁部、
２２皿、 ２５ 孔付ディスク、 ２６ 前面、 ２７
端部、 ２８，２８′タンタル箔、 ２９ タンタル
箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 ディートマー エーリヒマン ドイツ連邦共和国 ベルリン ツヴァイブ リュッケンシュトラーセ 78 (72)考案者 インゴルフ シュレーダー ドイツ連邦共和国 ツェーペルニク ブリ クセナーシュトラーセ 27

Claims (12)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２つの端部（３）を有する放電容器
   （２）を備えたショートアークランプであって、アノー
   ド（７）およびカソード（１７）が放電容積内で対向し
   ており、該放電容積が１０ｍｇ／ｃｍ^３より大きい体積
   比量の水銀を有しており、少なくとも前記アノード
   （７）がシャフト（１０）を備え、該シャフト（１０）
   がそれに対応する放電容器端部（３）にて、金属製の補
   助部分（１２）と、モリブデン製の３つ以上箔から成る
   箔セット（１６）とによってシールされており、前記補
   助部分（１２）が前記シャフト（１０）と前記箔セット
   （１６）との間の導電接続部を形成しており、前記補助
   部分（１２）と前記箔セット（１６）との間の結合部が
   溶接結合によって形成されている形式のものにおいて、 前記溶接結合が溶接補助手段（２０）によって達成され
   ており、該溶接補助手段（２０）が前記補助部分（１
   ２）の接触面の一部と、前記箔セット（１６）の接触面
   との間の中間層を形成しており、前記溶接補助手段（２
   ０）がタンタル、ニオブ、レニウムまたはこれら３つの
   金属の混合物から成る金属薄板、箔またはペーストであ
   ることを特徴とする、ショートアークランプ。
2. 【請求項２】 前記補助部分（１２）がモリブデンから
   成っている、請求項１記載のショートアークランプ。
3. 【請求項３】 前記補助部分（１２）がディスク形状を
   有しており、皿（１２）または孔付ディスク（２２）が
   ０．３ｍｍから２０ｍｍまでの間の厚さを有している、
   請求項１記載のショートアークランプ。
4. 【請求項４】 前記補助部分（１２）の外縁部（２１）
   が屈曲されている、請求項３記載のショートアークラン
   プ。
5. 【請求項５】 前記溶接補助手段（２０）が、ディスク
   の外周面または前方面に配置されている、請求項３記載
   のショートアークランプ。
6. 【請求項６】 前記溶接補助手段（２０）が、ディスク
   の外縁部によって形成されている外周面に配置されてい
   る、請求項３記載のショートアークランプ。
7. 【請求項７】 ヘッドとシャフトとから成る前記アノー
   ド（７）の重量が少なくとも５０ｇである、請求項１記
   載のショートアークランプ。
8. 【請求項８】 前記補助部分（１２）と前記箔（１６）
   との接触面がカーブしている、請求項１記載のショート
   アークランプ。
9. 【請求項９】 前記溶接補助手段が、たとえば１０μｍ
   から１００μｍまでの間の厚さを有する箔である、請求
   項１記載のショートアークランプ。
10. 【請求項１０】 少なくとも３つの箔（１６）が絶縁性
    の円筒形体（１３）の外周面に沿って分配されており、
    前記補助部分（１２）が前記円筒形体（１３）の電極側
    の端部に接触している、請求項１記載のショートアーク
    ランプ。
11. 【請求項１１】 ランプの電流消費が少なくとも４０
    Ａ、有利には６０Ａである、請求項１記載のショートア
    ークランプ。
12. 【請求項１２】 前記放電容積にゲッタ（２０）が設け
    られており、該ゲッタ（２０）が前記溶接補助手段と同
    じ材料または反応材料から成っており、前記ゲッタ（２
    ０）が、前記溶接補助手段よりも高い作動温度に達する
    場所に固定されている、請求項１記載のショートアーク
    ランプ。