JP3075237B2 - 高周波濾波器およびその周波数特性の調整方法 - Google Patents
高周波濾波器およびその周波数特性の調整方法Info
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- JP3075237B2 JP3075237B2 JP09306014A JP30601497A JP3075237B2 JP 3075237 B2 JP3075237 B2 JP 3075237B2 JP 09306014 A JP09306014 A JP 09306014A JP 30601497 A JP30601497 A JP 30601497A JP 3075237 B2 JP3075237 B2 JP 3075237B2
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、基板に複数の回路
部品を搭載あるいは形成して作られる高周波用集積回路
またはマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）による高周波濾波
器に関する。本発明は、通信装置、レーダ装置、、計測
装置、その他に利用する。本発明は、１０ＧＨｚを越え
る高周波用の回路に利用することをねらって開発された
ものであるが、利用周波数を限定するものではなく、１
０ＧＨｚ以下の周波数帯の回路にも利用することができ
る。
部品を搭載あるいは形成して作られる高周波用集積回路
またはマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）による高周波濾波
器に関する。本発明は、通信装置、レーダ装置、、計測
装置、その他に利用する。本発明は、１０ＧＨｚを越え
る高周波用の回路に利用することをねらって開発された
ものであるが、利用周波数を限定するものではなく、１
０ＧＨｚ以下の周波数帯の回路にも利用することができ
る。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基板に接着剤を用いて複数の
回路部品を取付け、マイクロ波集積回路（ＭＩＣ）を形
成する技術が知られている。この技術は、本願出願人の
先願である特開平６−３３４４１３号公報に開示された
ものであり、半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜の上に導体線路を形成し、さらにその導体線路の
近傍に誘電体共振器を取付けるものであり、この誘電体
共振器は接着剤により基板に固着するように説明されて
いる。
回路部品を取付け、マイクロ波集積回路（ＭＩＣ）を形
成する技術が知られている。この技術は、本願出願人の
先願である特開平６−３３４４１３号公報に開示された
ものであり、半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜の上に導体線路を形成し、さらにその導体線路の
近傍に誘電体共振器を取付けるものであり、この誘電体
共振器は接着剤により基板に固着するように説明されて
いる。
【０００３】また、アルミナ基板に焼成前の状態で孔を
あけ、この孔にフェライトを嵌め込み、焼成によりこの
フェライトを基板に固定する技術が、特開昭６１−２８
８４８６号公報に開示されている。これはフェライトを
セラミック基板に取付けるための有用な技術であり、本
発明もこの技術の流れの中にあるが、この従来技術はあ
くまでもフェライト単体をアルミナ基板に取付ける技術
であり、そのアルミナ基板に複数の相互に関連する回路
部品を配置して、集積回路として一体化するとの思想に
は至っていない。誘電体部品を同一基板に搭載すること
も思い至っていない。また、そのフェライトとしてハー
ドフェライトを用いること、そのハードフェライトを回
路の電気的な特性に合わせて着磁することなどの技術思
想には達していない。
あけ、この孔にフェライトを嵌め込み、焼成によりこの
フェライトを基板に固定する技術が、特開昭６１−２８
８４８６号公報に開示されている。これはフェライトを
セラミック基板に取付けるための有用な技術であり、本
発明もこの技術の流れの中にあるが、この従来技術はあ
くまでもフェライト単体をアルミナ基板に取付ける技術
であり、そのアルミナ基板に複数の相互に関連する回路
部品を配置して、集積回路として一体化するとの思想に
は至っていない。誘電体部品を同一基板に搭載すること
も思い至っていない。また、そのフェライトとしてハー
ドフェライトを用いること、そのハードフェライトを回
路の電気的な特性に合わせて着磁することなどの技術思
想には達していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、１０ＧＨｚを越
える高周波帯がさまざまな装置に利用されるようになっ
た。特に、６０ＧＨｚ帯あるいは７０ＧＨｚ帯に自動車
用レーダ装置あるいは距離測定装置の周波数が割当てら
れることになり、この周波数帯で安定に利用できるとと
もに、大量にかつ安価に、しかも均一な特性の高周波濾
波器を製造する技術が求められることになった。また、
フェライトの技術が向上し、低損失で異方性磁界が調整
可能であり、高保持力を有するハードフェライトが利用
できるようになった。
える高周波帯がさまざまな装置に利用されるようになっ
た。特に、６０ＧＨｚ帯あるいは７０ＧＨｚ帯に自動車
用レーダ装置あるいは距離測定装置の周波数が割当てら
れることになり、この周波数帯で安定に利用できるとと
もに、大量にかつ安価に、しかも均一な特性の高周波濾
波器を製造する技術が求められることになった。また、
フェライトの技術が向上し、低損失で異方性磁界が調整
可能であり、高保持力を有するハードフェライトが利用
できるようになった。
【０００５】上記のように導体線路の近傍に誘電体共振
器を取付ける技術は基本的に優れた技術である。しか
し、その工作のために接着剤を用いることから、作業工
数が大きくなるとともに、特性にばらつきが生じやすく
必ずしも量産には適さない。また、上記のような数十Ｇ
Ｈｚの周波数帯で使用するフィルタ回路やアンテナ回路
を設計すると、その回路基板に取付ける回路部品は、例
えば円柱形状の誘電体部品ではその直径が２〜３ミリメ
ートル程度であり、磁性体部品はそれよりさらに小形に
なることがある。このようなサイズの部品を基板に正し
く接着するには、数十μｍの工作精度が必要になる。こ
のためには、高度な機械精度を有する工作機械が必要で
あり、このような回路を量産するには相当な設備投資を
必要とすることになる。
器を取付ける技術は基本的に優れた技術である。しか
し、その工作のために接着剤を用いることから、作業工
数が大きくなるとともに、特性にばらつきが生じやすく
必ずしも量産には適さない。また、上記のような数十Ｇ
Ｈｚの周波数帯で使用するフィルタ回路やアンテナ回路
を設計すると、その回路基板に取付ける回路部品は、例
えば円柱形状の誘電体部品ではその直径が２〜３ミリメ
ートル程度であり、磁性体部品はそれよりさらに小形に
なることがある。このようなサイズの部品を基板に正し
く接着するには、数十μｍの工作精度が必要になる。こ
のためには、高度な機械精度を有する工作機械が必要で
あり、このような回路を量産するには相当な設備投資を
必要とすることになる。
【０００６】上記従来例として説明したように、フェラ
イトをアルミナ基板にその焼成前に装着する技術は直径
が２ミリメートルのフェライト部品について、試験をす
るときわめて有用な技術であることがわかったが、上記
のように数十ＧＨｚの周波数帯でフィルタ回路やアンテ
ナ回路を製作するには、前記公報に開示されたようなフ
ェライト部品単体では所望のフィルタ回路を設計するこ
とはできない。かりに、そのような部品を一つの基板に
複数配置して回路接続を行っても、その工作作業は大き
い工数を要することになるとともに、接続の損失や、接
続点の信頼性などが問題となる。それには、ほぼ同様な
サイズの導体のマイクロストリップ線路や、誘電体部品
を同一基板の中に一体的に組み込む集積回路化が必要で
ある。
イトをアルミナ基板にその焼成前に装着する技術は直径
が２ミリメートルのフェライト部品について、試験をす
るときわめて有用な技術であることがわかったが、上記
のように数十ＧＨｚの周波数帯でフィルタ回路やアンテ
ナ回路を製作するには、前記公報に開示されたようなフ
ェライト部品単体では所望のフィルタ回路を設計するこ
とはできない。かりに、そのような部品を一つの基板に
複数配置して回路接続を行っても、その工作作業は大き
い工数を要することになるとともに、接続の損失や、接
続点の信頼性などが問題となる。それには、ほぼ同様な
サイズの導体のマイクロストリップ線路や、誘電体部品
を同一基板の中に一体的に組み込む集積回路化が必要で
ある。
【０００７】上記のような数十ＧＨｚの周波数帯で使用
する高周波濾波器をマイクロ波集積回路により設計する
と、その基板のサイズはきわめて小形になる。一例で
は、８ｍｍ×３ｍｍ×０．３ｍｍである。このように小
形の回路では、わずかな寸法誤差が全体の電気的な特性
に大きく影響することになり、製造後に周波数特性を調
整することが不可欠になる。従来技術では、これが経験
に頼るところが大きく、均一な製品を作るには適当では
なく、また再現性が悪いなどの問題があった。さらに、
磁性体部品を機械的に削るような調整を行う場合には、
その調整は一方向に限られ、削り過ぎたときにはこれを
元に戻すことはできないから、製造歩留りを悪くする原
因となっていた。
する高周波濾波器をマイクロ波集積回路により設計する
と、その基板のサイズはきわめて小形になる。一例で
は、８ｍｍ×３ｍｍ×０．３ｍｍである。このように小
形の回路では、わずかな寸法誤差が全体の電気的な特性
に大きく影響することになり、製造後に周波数特性を調
整することが不可欠になる。従来技術では、これが経験
に頼るところが大きく、均一な製品を作るには適当では
なく、また再現性が悪いなどの問題があった。さらに、
磁性体部品を機械的に削るような調整を行う場合には、
その調整は一方向に限られ、削り過ぎたときにはこれを
元に戻すことはできないから、製造歩留りを悪くする原
因となっていた。
【０００８】本発明はこのような背景に行われたもので
あって、誘電体部品と磁性体部品とを共に１つの基板に
配置したマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）により高周波濾
波器を提供することを目的とする。本発明は、個別部品
を基板に配置し、接続する構造に比べて、機械的な工作
精度を向上することを目的とする。本発明は、機械的な
工作精度を向上することにより、高周波特性を均一化し
かつ安定化することを目的とする。本発明は、信頼性が
高い高周波濾波器を提供することを目的とする。本発明
は、電気的特性が安定であり、かつ電気的特性を均一に
製造することができる高周波濾波器を提供することを目
的とする。本発明は、製造工数の小さい高周波集積回路
による高周波濾波器を提供することを目的とする。本発
明は、量産により安価に製造することができる高周波濾
波器を提供することを目的とする。本発明は、製造後に
電気的特性を観測しながらその特性を調整する方法、特
にその特性を可逆的に調節することができる高周波濾波
器の周波数特性調整方法を提供することを目的とする。
本発明は、製造後に周波数特性を調整することを可能と
し、製品の製造歩留りを向上することを目的とする。
あって、誘電体部品と磁性体部品とを共に１つの基板に
配置したマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）により高周波濾
波器を提供することを目的とする。本発明は、個別部品
を基板に配置し、接続する構造に比べて、機械的な工作
精度を向上することを目的とする。本発明は、機械的な
工作精度を向上することにより、高周波特性を均一化し
かつ安定化することを目的とする。本発明は、信頼性が
高い高周波濾波器を提供することを目的とする。本発明
は、電気的特性が安定であり、かつ電気的特性を均一に
製造することができる高周波濾波器を提供することを目
的とする。本発明は、製造工数の小さい高周波集積回路
による高周波濾波器を提供することを目的とする。本発
明は、量産により安価に製造することができる高周波濾
波器を提供することを目的とする。本発明は、製造後に
電気的特性を観測しながらその特性を調整する方法、特
にその特性を可逆的に調節することができる高周波濾波
器の周波数特性調整方法を提供することを目的とする。
本発明は、製造後に周波数特性を調整することを可能と
し、製品の製造歩留りを向上することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の観点は高
周波濾波器であり、誘電体基板に複数の孔が設けられ、
この孔に、それぞれ共振器となる誘電体部品と、その発
生する磁界によりこの誘電体部品の共振周波数を調整す
る磁性体部品とが嵌め込まれ、その誘電体基板の表面に
導体線路が印刷形成されたことを特徴とする。この誘電
体基板は、プラスチックとし、特にポリテトラフルオロ
エチレンとすることがよい。この誘電体基板の裏面にそ
の基板の機械的な歪みを防止する補強板が設けられるこ
とがよい。この誘電体基板はセラミックとすることもで
きる。
周波濾波器であり、誘電体基板に複数の孔が設けられ、
この孔に、それぞれ共振器となる誘電体部品と、その発
生する磁界によりこの誘電体部品の共振周波数を調整す
る磁性体部品とが嵌め込まれ、その誘電体基板の表面に
導体線路が印刷形成されたことを特徴とする。この誘電
体基板は、プラスチックとし、特にポリテトラフルオロ
エチレンとすることがよい。この誘電体基板の裏面にそ
の基板の機械的な歪みを防止する補強板が設けられるこ
とがよい。この誘電体基板はセラミックとすることもで
きる。
【００１０】前記基板に取付ける磁性体部品の材料はハ
ードフェライトとすることが、周波数特性の調整に便利
である。
ードフェライトとすることが、周波数特性の調整に便利
である。
【００１１】本発明の第二の観点は、この高周波濾波器
の周波数特性調整方法であり、上記濾波器について、前
記磁性体部品の材料はハードフェライトであり、その磁
性体部品に外部から磁界を印加してその着磁状態を変更
する工程を含むことを特徴とする。着磁状態を変更する
工程では、その磁性体部品を加温したり、あるいは冷却
しながら磁界を印加することがよい。磁性体部品に熱を
印加してその温度をいったん材料のキュリー温度以上に
上昇させて消磁させ、ついで冷却しながら磁界を印加し
て着磁することが有効である。その着磁状態を変更する
工程は、その高周波濾波器の周波数特性を観測しながら
実行することがよい。
の周波数特性調整方法であり、上記濾波器について、前
記磁性体部品の材料はハードフェライトであり、その磁
性体部品に外部から磁界を印加してその着磁状態を変更
する工程を含むことを特徴とする。着磁状態を変更する
工程では、その磁性体部品を加温したり、あるいは冷却
しながら磁界を印加することがよい。磁性体部品に熱を
印加してその温度をいったん材料のキュリー温度以上に
上昇させて消磁させ、ついで冷却しながら磁界を印加し
て着磁することが有効である。その着磁状態を変更する
工程は、その高周波濾波器の周波数特性を観測しながら
実行することがよい。
【００１２】その他の周波数特性調整方法は、前記磁性
体部品の一部を機械的に削り取る工程を含むことを特徴
とする。その場合には、その磁性体部品は、前記基板の
表面から突出するようにその高さがあらかじめ設定され
ることが望ましい。
体部品の一部を機械的に削り取る工程を含むことを特徴
とする。その場合には、その磁性体部品は、前記基板の
表面から突出するようにその高さがあらかじめ設定され
ることが望ましい。
【００１３】基板として有機材料あるいはプラスチック
を用いる場合には、ポリテトラフルオロエチレンがよ
い。
を用いる場合には、ポリテトラフルオロエチレンがよ
い。
【００１４】基板としてセラミック基板を用いる場合に
は、セラミック基板を焼成する前のグリーンシートの段
階でそのグリーンシートに複数の孔を穿ち、この孔にそ
れぞれ回路部品を嵌め、その回路部品の形状が変形する
温度以下であってそのグリーンシートの焼成温度以上の
温度で焼成を行いセラミック基板を形成し、そのセラミ
ック基板の焼成過程で、前記孔の径が収縮する性質を利
用して、前記回路部品をそのセラミック基板に固着させ
る。このようにして、磁性体部品および誘電体部品を共
に含みこれらが１つの基板に一体化させることができ
る。
は、セラミック基板を焼成する前のグリーンシートの段
階でそのグリーンシートに複数の孔を穿ち、この孔にそ
れぞれ回路部品を嵌め、その回路部品の形状が変形する
温度以下であってそのグリーンシートの焼成温度以上の
温度で焼成を行いセラミック基板を形成し、そのセラミ
ック基板の焼成過程で、前記孔の径が収縮する性質を利
用して、前記回路部品をそのセラミック基板に固着させ
る。このようにして、磁性体部品および誘電体部品を共
に含みこれらが１つの基板に一体化させることができ
る。
【００１５】前記磁性体部品の材質はハードフェライト
であり、前記グリーンシートを焼成する温度はそのハー
ドフェライトが焼成される温度以下で行われる。そし
て、そのセラミック基板の焼成後に、そのハードフェラ
イトの温度がキュリー温度近傍になってから、あるいは
キュリー温度を下回ってからそのハードフェライトに磁
場を印加して着磁するように行うことがよい。前記セラ
ミック基板を焼成する温度は８００〜１２００°Ｃであ
る。ハードフェライトのキュリー温度は材料の種類によ
り異なるがおよそ４００〜７００°Ｃである。さらに、
着磁の調節はそのハードフェライトに印加する磁場を加
減することにより行われる。着磁状態の調節は、その集
積回路の電気的特性を観測しながら行うことが望まし
い。
であり、前記グリーンシートを焼成する温度はそのハー
ドフェライトが焼成される温度以下で行われる。そし
て、そのセラミック基板の焼成後に、そのハードフェラ
イトの温度がキュリー温度近傍になってから、あるいは
キュリー温度を下回ってからそのハードフェライトに磁
場を印加して着磁するように行うことがよい。前記セラ
ミック基板を焼成する温度は８００〜１２００°Ｃであ
る。ハードフェライトのキュリー温度は材料の種類によ
り異なるがおよそ４００〜７００°Ｃである。さらに、
着磁の調節はそのハードフェライトに印加する磁場を加
減することにより行われる。着磁状態の調節は、その集
積回路の電気的特性を観測しながら行うことが望まし
い。
【００１６】セラミック基板の焼成前にグリーンシート
の段階で、パンチング加工により複数の孔を穿ち、この
孔にそれぞれ回路部品を嵌め、その後に焼成を行う。パ
ンチング加工により孔をあけることにより、相互の位置
関係は簡単に高い精度で製作することができる。この相
互の位置関係は、焼成による形状の収縮があることか
ら、複数回の試作により、それぞれの焼成後の最終形状
が所望の形状になるように調節する。いったんこの調節
ができると、同一形状の集積回路を多数それぞれ個別に
形状を調節することなく製造することができる。
の段階で、パンチング加工により複数の孔を穿ち、この
孔にそれぞれ回路部品を嵌め、その後に焼成を行う。パ
ンチング加工により孔をあけることにより、相互の位置
関係は簡単に高い精度で製作することができる。この相
互の位置関係は、焼成による形状の収縮があることか
ら、複数回の試作により、それぞれの焼成後の最終形状
が所望の形状になるように調節する。いったんこの調節
ができると、同一形状の集積回路を多数それぞれ個別に
形状を調節することなく製造することができる。
【００１７】グリーンシートにあける孔の大きさについ
ても、それぞれ焼成後に磁性体部品および誘電体部品が
適当に堅固に固着されるように、これも複数回の試作に
より調節する。いったん調節ができると、同一形状の集
積回路を多数均一に製造することができる。
ても、それぞれ焼成後に磁性体部品および誘電体部品が
適当に堅固に固着されるように、これも複数回の試作に
より調節する。いったん調節ができると、同一形状の集
積回路を多数均一に製造することができる。
【００１８】回路部品の高さ（セラミック基板表面に垂
直な方向の長さ）は基板の厚さと同等あるいはそれ以上
とすることがよい。誘電体部品の場合には、部品の高さ
が基板の厚さより高い場合も工作が可能であり、その場
合には、部品の形状の自由度が大きくなり、多様な回路
を設計することができる。
直な方向の長さ）は基板の厚さと同等あるいはそれ以上
とすることがよい。誘電体部品の場合には、部品の高さ
が基板の厚さより高い場合も工作が可能であり、その場
合には、部品の形状の自由度が大きくなり、多様な回路
を設計することができる。
【００１９】グリーンシートに設ける孔の形状は円形と
し、その孔に嵌める回路部品の形状は、少なくともその
基板に接する部分では円筒形状とすることが、部品を締
めつける力が均一になることから最も望ましい。回路部
品の外面形状を楕円筒形状とすることも可能であるが、
この場合には、最適に固着されるように繰り返し試験を
行う回数が多くなる。
し、その孔に嵌める回路部品の形状は、少なくともその
基板に接する部分では円筒形状とすることが、部品を締
めつける力が均一になることから最も望ましい。回路部
品の外面形状を楕円筒形状とすることも可能であるが、
この場合には、最適に固着されるように繰り返し試験を
行う回数が多くなる。
【００２０】グリーンシートの焼成温度は、磁性体部
品、特にハードフェライトの性質が変わらないような温
度を選ぶことが必要であるが、試験をした結果、ハード
フェライトのキュリー温度以上で焼成を行う場合にも、
焼成完了後に温度を降下させ、ハードフェライトのキュ
リー温度より低くなったときに、ハードフェライトに磁
界を与えてふたたび磁気配列を整えることにより、所望
の特性が得られることがわかった。ハードフェライトの
焼成温度はおよびキュリー温度はフェライトの種類によ
り一律ではないから、焼成工程の温度および着磁工程の
温度はそれぞれの材料の性質により選択する。焼成温度
を必ずしもハードフェライトのキュリー温度以上に設定
する必要はない。
品、特にハードフェライトの性質が変わらないような温
度を選ぶことが必要であるが、試験をした結果、ハード
フェライトのキュリー温度以上で焼成を行う場合にも、
焼成完了後に温度を降下させ、ハードフェライトのキュ
リー温度より低くなったときに、ハードフェライトに磁
界を与えてふたたび磁気配列を整えることにより、所望
の特性が得られることがわかった。ハードフェライトの
焼成温度はおよびキュリー温度はフェライトの種類によ
り一律ではないから、焼成工程の温度および着磁工程の
温度はそれぞれの材料の性質により選択する。焼成温度
を必ずしもハードフェライトのキュリー温度以上に設定
する必要はない。
【００２１】焼成完了後に着磁を行う場合に、試料が室
温に到達してから行うことも可能であるが、比較的高温
度から温度を下げながら行うと所望の値に着磁しやす
い。また、いったん着磁してから、高周波回路を電気的
に動作させ、その特性を観測しながら着磁の状態を強く
あるいは弱く変更することができる。
温に到達してから行うことも可能であるが、比較的高温
度から温度を下げながら行うと所望の値に着磁しやす
い。また、いったん着磁してから、高周波回路を電気的
に動作させ、その特性を観測しながら着磁の状態を強く
あるいは弱く変更することができる。
【００２２】
【００２３】
【実施例】（第一実施例）図１は本発明実施例高周波濾
波器を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面
図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図である。この実施例は、その
基板のサイズは大略１０×４×０．３ｍｍであり、基板
はセラミックにより形成されている。基板１に３個の大
きい孔と、１０個の小さい孔があけられ、大きい孔には
それぞれ誘電体部品２が嵌め込まれ、小さい孔には磁性
体部品３が嵌め込まれる。そしてその基板１の表面には
導体が印刷されマイクロストリップ線路４となる。
波器を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面
図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図である。この実施例は、その
基板のサイズは大略１０×４×０．３ｍｍであり、基板
はセラミックにより形成されている。基板１に３個の大
きい孔と、１０個の小さい孔があけられ、大きい孔には
それぞれ誘電体部品２が嵌め込まれ、小さい孔には磁性
体部品３が嵌め込まれる。そしてその基板１の表面には
導体が印刷されマイクロストリップ線路４となる。
【００２４】さらに詳しくその製造工程を説明すると、
セラミック基板の焼成前のグリーンシートに、パンチン
グ加工により孔をあける。そしてその孔にはそれぞれ円
柱形状に加工された、誘電体部品２、磁性体部品３を嵌
め込む。磁性体部品３の材料はハードフェライトであ
る。このように回路部品を基板のグリーンシートの状態
で嵌め込み、その後、セラミックの焼成が行われる。こ
の焼成温度は、ハードフェライトの焼成温度より低い温
度が選ばれる。印刷マスクを使用して、金導体ペースト
を印刷し、焼き付けを行いマイクロストリップ線路４を
形成する。焼成後に空気中で自然に冷却を行い、その表
面温度が約６００°Ｃに達したときに、冷却を続けなが
ら磁性体部品３に磁界を与えて着磁する。
セラミック基板の焼成前のグリーンシートに、パンチン
グ加工により孔をあける。そしてその孔にはそれぞれ円
柱形状に加工された、誘電体部品２、磁性体部品３を嵌
め込む。磁性体部品３の材料はハードフェライトであ
る。このように回路部品を基板のグリーンシートの状態
で嵌め込み、その後、セラミックの焼成が行われる。こ
の焼成温度は、ハードフェライトの焼成温度より低い温
度が選ばれる。印刷マスクを使用して、金導体ペースト
を印刷し、焼き付けを行いマイクロストリップ線路４を
形成する。焼成後に空気中で自然に冷却を行い、その表
面温度が約６００°Ｃに達したときに、冷却を続けなが
ら磁性体部品３に磁界を与えて着磁する。
【００２５】セラミック基板の比誘電率（εｒ）は約７
であり、誘電体部品２はＢａ系のセラミックで形成され
その比誘電率（εｒ）は約２４である。
であり、誘電体部品２はＢａ系のセラミックで形成され
その比誘電率（εｒ）は約２４である。
【００２６】磁性体部品３に対する着磁は、それぞれ個
別に磁界を印加して行う。このとき、この高周波濾波器
の周波数特性（周波数損失特性）を観測しながら、その
特性曲線が最も設計値に近づくように着磁を繰り返し変
更して行う。
別に磁界を印加して行う。このとき、この高周波濾波器
の周波数特性（周波数損失特性）を観測しながら、その
特性曲線が最も設計値に近づくように着磁を繰り返し変
更して行う。
【００２７】図２はこの実施例高周波濾波器の周波数特
性を説明する図である。実線はこの高周波濾波器の設計
値である。点線はこの実施例高周波濾波器の最終特性を
示す図である。破線は比較例として、従来方法により誘
電体部品２および磁性体部品３をマニピュレータを用い
てセラミック基板の上に配置し、接着により固定した場
合の最終特性図である。
性を説明する図である。実線はこの高周波濾波器の設計
値である。点線はこの実施例高周波濾波器の最終特性を
示す図である。破線は比較例として、従来方法により誘
電体部品２および磁性体部品３をマニピュレータを用い
てセラミック基板の上に配置し、接着により固定した場
合の最終特性図である。
【００２８】（第二実施例）有機材料系基板を用いた実
施例高周波濾波器の製造工程を説明する。基板に嵌め込
む部品の直径より０．０５〜０．１ｍｍ程度大きい穴を
あける。その穴の内壁に接着剤を塗布し、磁性体部品お
よび誘電体部品を嵌め込み接着する。その後、基板の一
方の面に磁性体部品および誘電体部品との間が所望の位
置関係になるようにメッキにより金属導体を形成する。
基板の反対面には全面に金属導体を形成する。
施例高周波濾波器の製造工程を説明する。基板に嵌め込
む部品の直径より０．０５〜０．１ｍｍ程度大きい穴を
あける。その穴の内壁に接着剤を塗布し、磁性体部品お
よび誘電体部品を嵌め込み接着する。その後、基板の一
方の面に磁性体部品および誘電体部品との間が所望の位
置関係になるようにメッキにより金属導体を形成する。
基板の反対面には全面に金属導体を形成する。
【００２９】（第三実施例）有機材料系基板を用いた別
の高周波濾波器の製造工程を説明する。金属箔の上に磁
性体部品を導電性接着剤で貼り付け、誘電体部品を導電
性接着剤もしくは絶縁性接着剤ではり付ける。この金属
箔の前記部品がはり付けられた面と同一面上に、有機樹
脂を磁性体部品および誘電体部品とほぼ同じ高さになる
ように塗布し硬化させる。その後、この有機樹脂の表面
に、磁性体部品および誘電体部品と所望の位置関係にな
るように、メッキにより金属導体を形成する。
の高周波濾波器の製造工程を説明する。金属箔の上に磁
性体部品を導電性接着剤で貼り付け、誘電体部品を導電
性接着剤もしくは絶縁性接着剤ではり付ける。この金属
箔の前記部品がはり付けられた面と同一面上に、有機樹
脂を磁性体部品および誘電体部品とほぼ同じ高さになる
ように塗布し硬化させる。その後、この有機樹脂の表面
に、磁性体部品および誘電体部品と所望の位置関係にな
るように、メッキにより金属導体を形成する。
【００３０】（第四実施例）有機材料系基板を用いたさ
らに別の高周波濾波器の製造工程を説明する。基板に嵌
め込む部品の直径より０．０５〜０．１ｍｍ程度大きい
直径の穴をあける。一方金属箔の上に磁性体部品を導電
性接着剤で貼り付け、誘電体部品を導電性接着剤でもし
くは絶縁性接着剤で貼り付ける。この金属箔にはり付け
られた部品を基板の穴に挿入し、金属箔を基板表面に接
着剤で接着する。その後、前記金属箔を接着した面とは
基板の反対面に、各部品と所望の位置関係になるように
金属導体をメッキにより形成する。
らに別の高周波濾波器の製造工程を説明する。基板に嵌
め込む部品の直径より０．０５〜０．１ｍｍ程度大きい
直径の穴をあける。一方金属箔の上に磁性体部品を導電
性接着剤で貼り付け、誘電体部品を導電性接着剤でもし
くは絶縁性接着剤で貼り付ける。この金属箔にはり付け
られた部品を基板の穴に挿入し、金属箔を基板表面に接
着剤で接着する。その後、前記金属箔を接着した面とは
基板の反対面に、各部品と所望の位置関係になるように
金属導体をメッキにより形成する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、基
板に孔あけすることにより誘電体部品と磁性体部品とを
一つの回路基板の上に高い機械的な精度で集積化して構
成することができる。したがって、数十ＧＨｚの周波数
領域で、特性の均一な高周波濾波器を大量に製造するこ
とができる。また、本発明のようにハードフェライトを
利用して、その着磁を調節することにより、製造後に濾
波器の周波数特性を調整することになり、しかもその調
節を可逆的に行うことができるようになるから、製品の
製造歩留りが向上するとともに、精度の高い調整を行う
ことができる効果がある。
板に孔あけすることにより誘電体部品と磁性体部品とを
一つの回路基板の上に高い機械的な精度で集積化して構
成することができる。したがって、数十ＧＨｚの周波数
領域で、特性の均一な高周波濾波器を大量に製造するこ
とができる。また、本発明のようにハードフェライトを
利用して、その着磁を調節することにより、製造後に濾
波器の周波数特性を調整することになり、しかもその調
節を可逆的に行うことができるようになるから、製品の
製造歩留りが向上するとともに、精度の高い調整を行う
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例高周波濾波器の構造図。（ａ）は
平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図。
平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図。
【図２】本発明実施例の高周波濾波器について周波数特
性を説明する図。
性を説明する図。
１ 基板 ２ 誘電体部品 ３ 磁性体部品 ４ マイクロストリップ線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−246820（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58505（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−37202（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−212009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−76301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−288486（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−194504（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−117310（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−113303（ＪＰ，Ｕ) 米国特許5448211（ＵＳ，Ａ) Ｇｏｎｆ．Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒ．Ｍｉｃ ｒｏｗ．Ｃｏｎｆ，Ｖｏｒ．23ｒｄ, 1993，ｐｐ．581−584 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 H01P 7/10 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (11)
- 【請求項１】 誘電体基板に複数の孔が設けられ、この
孔に、それぞれ共振器となる誘電体部品と、その発生す
る磁界によりこの誘電体部品の共振周波数を設定する磁
性体部品とが嵌め込まれ、その誘電体部品の表面に導体
線路が形成されたことを特徴とする高周波濾波器。 - 【請求項２】 前記誘電体基板は、プラスチックである
請求項１記載の高周波濾波器。 - 【請求項３】 前記誘電体基板は、ポリテトラフルオロ
エチレンである請求項２記載の高周波濾波器。 - 【請求項４】 前記誘電体基板の裏面にその基板の機械
的な歪みを防止する補強板が設けられた請求項３記載の
高周波濾波器。 - 【請求項５】 前記誘電体基板はセラミックである請求
項１記載の高周波濾波器。 - 【請求項６】 前記磁性体部品の材料はハードフェライ
トである請求項１記載の高周波濾波器。 - 【請求項７】 誘電体基板に複数の孔が設けられ、この
孔に、それぞれ共振器となる誘電体部品と、その発生す
る磁界によりこの誘電体部品の共振周波数を設定する磁
性体部品とが嵌め込まれ、その誘電体基板の表面に導体
線路が印刷形成された高周波濾波器の周波数特性を調整
する方法において、 前記磁性体部品の材料はハードフェライトであり、その
磁性体部品に外部から磁界を印加してその着磁状態を変
更する工程を含む高周波濾波器の周波数特性調整方法。 - 【請求項８】 前記着磁状態を変更する工程は、前記磁
性体部品に熱を印加してその温度を材料のキュリー温度
以上に上昇させて消磁させ、冷却しながら磁界を印加し
て着磁させる請求項７記載の高周波濾波器の周波数特性
調整方法。 - 【請求項９】 前記着磁状態を変更する工程は、その高
周波濾波器の周波数特性を観測しながら実行する請求項
７記載の高周波濾波器の周波数特性調整方法。 - 【請求項１０】 誘電体基板に複数の孔が設けられ、こ
の孔に、それぞれ共振器となる誘電体部品と、その発生
する磁界によりこの誘電体部品の共振周波数を設定する
磁性体部品とが嵌め込まれ、その誘電体基板の表面に導
体線路が印刷形成された高周波濾波器の周波数特性を調
整する方法において、 前記磁性体部品の一部を機械的に削り取る工程を含む高
周波濾波器の周波数特性調整方法。 - 【請求項１１】 前記磁性体部品は、前記基板の表面か
ら突出するようにその高さがあらかじめ設定された請求
項１０記載の高周波濾波器の周波数特性調整方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09306014A JP3075237B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 高周波濾波器およびその周波数特性の調整方法 |
| EP98121239A EP0915528A3 (en) | 1997-11-07 | 1998-11-06 | High frequency filter and frequency characteristics regulation method therefor |
| US09/187,873 US6127907A (en) | 1997-11-07 | 1998-11-06 | High frequency filter and frequency characteristics regulation method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09306014A JP3075237B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 高周波濾波器およびその周波数特性の調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145703A JPH11145703A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3075237B2 true JP3075237B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17952051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09306014A Expired - Fee Related JP3075237B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 高周波濾波器およびその周波数特性の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075237B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058185A1 (fr) | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element de circuit haute frequence et module de circuit haute frequence |
| DE10229188A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Kontakten zu Teilen eines in einem Halbleitersubstrat integrierten Bauelementes |
| JP2006238027A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Tdk Corp | 誘電体フィルタ、及び、誘電体フィルタの製造方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP09306014A patent/JP3075237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｇｏｎｆ．Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒ．Ｍｉｃｒｏｗ．Ｃｏｎｆ，Ｖｏｒ．２３ｒｄ，１９９３，ｐｐ．５８１−５８４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11145703A (ja) | 1999-05-28 |
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