JP3063445B2 - 多空胴クライストロン - Google Patents

多空胴クライストロン

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JP3063445B2
JP3063445B2 JP5018303A JP1830393A JP3063445B2 JP 3063445 B2 JP3063445 B2 JP 3063445B2 JP 5018303 A JP5018303 A JP 5018303A JP 1830393 A JP1830393 A JP 1830393A JP 3063445 B2 JP3063445 B2 JP 3063445B2
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JP
Japan
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cavity
frequency
klystron
diaphragm
electron beam
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JP5018303A
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芳史 丸山
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多空胴クライストロン
に関し、空胴共振器の高周波損失体による空胴Q可変機
構の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に多空胴クライストロンは、電子ビ
ームを射出形成する電子銃と、高周波信号を相互作用さ
せて高周波信号の増幅を行なう複数個の空胴共振器から
成る高周波回路部と、電子ビームを収集し電子の運動エ
ネルギーを熱エネルギーに変換し放熱させるコレクタと
を主な構成要素としている。ここで、空胴共振器は対向
して配置されるドリフト管と可動端板とを有しており、
可動端板の位置を変えることによって空胴共振周波数を
可変する。
【0003】一般に多空胴クライストロンでは、入力空
胴共振器は入力ループを有し、入力ループの大きさ向き
等により高周波信号との結合度を決めており、出力空胴
共振器では、アイリスの形状により結合度が決まり外部
Qを決定している。これに対し、中間空胴は無負荷空胴
でありQが高くなるため、グラファイトやカンサル或い
はカーボン等の高周波損失体を付着させたセラミック等
の誘電体を挿入することで空胴共振器内を流れる高周波
電流を制限し空胴のQを下げている。
【0004】多空胴クライストロンにおいては、所要の
周波数帯域特性を得るためにこのQの設定が重要であ
り、一般に動作周波数範囲が広い多空胴クライストロン
では動作周波数によりQが変わるので、前述の高周波損
失体を付着させたセラミック等の誘電体の挿入深さを可
変することで空胴のQを可変する機構を設けている。
【0005】図4に従来の多空胴クライストロンの一例
を示す。図4において、電子銃1で射出形成された電子
ビーム2は、高周波回路部20で高周波信号と相互作用
し高周波信号の増幅を行ないコレクタ4で収集される。
高周波回路部20は複数個の中間空胴共振器21,入力
空胴共振器22および出力空胴共振器23を有する。図
5は従来の中間空胴共振器21の一例を示している。中
間空胴共振器は、セラミック誘電体部材27が支持体2
8を介してベローズ29にろう付され真空封止されてお
り、Q可変外部機構30を動かすことでセラミック誘電
体部材27の空胴共振器への挿入深さが変わりQが可変
できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来の多空胴クラ
イストロンの空胴共振器においては、高周波損失体を付
着させた誘電体が支持体を介してベローズにろう付さ
れ、外部のQ可変機構により高周波損失体を付着させた
誘電体の空胴共振器への挿入深さを変えていたので、構
造が複雑になるとともに真空封止ベローズを使用するの
で効果になるという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の多空胴クライス
トロンは、電子ビームを射出形成する電子銃と、電子ビ
ームと高周波信号を相互作用させる複数個の空胴共振器
より成る高周波回路部と、電子ビームを収集するコレク
タとを有し、前記高周波回路部の空胴共振器には表面に
高周波損失体を付着した誘電体部材を装着したダイアフ
ラムを有している。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の断面図であり、図2
はその空胴共振器の詳細図である。高周波回路部3の中
間空胴共振器5は、図2に示すように対向するドリフト
管6,7が空胴壁8にろう付されており、ドリフト管
6,7に対向して表面にグラファイト等の高周波損失体
35を付着したセラミック誘電体部材9をろう付したダ
イアフラム10が、空胴壁8の側面にドリフト管6,7
とセラミック誘電体部材9が垂直になるようにろう付さ
れている。このダイアフラム10は、ダイアフラム支持
体11を介してQ可変外部機構12に接続されており、
Q可変外部機構12を可動させることでダイアフラム面
にろう付されたセラミック誘電体部材9の位置が移動し
て空胴共振器のQを可変する。
【0009】図3は本発明の第2の実施例を示す図であ
る。この第2の実施例では空胴共振周波数を可変する可
動端板としてダイアフラム16を使用しており、このダ
イアフラム面に高周波損失体を36を付着したセラミッ
ク誘電体部材17がろう付されている。この実施例では
空胴共振周波数の可変と同時にQも変えることができ、
安価で構造も簡単であるという利点がある。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多空胴クラ
イストロンは中間空胴共振器においてQ可変機構として
表面に高周波損失体を付着した誘電体部材をダイアフラ
ムにろう付し、ダイアフラムにより空胴共振器内への表
面に高周波損失体を付着した誘電体部材の挿入深さを可
変し空胴のQを設定するので、従来のベローズを用いた
Q可変機構を有する多空胴クライストロンに比較し、安
価である上、セラミック誘電体部材を直接ダイアフラム
にろう付するため、セラミック支持体等も不要となり機
構を簡略化できるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の断面図である。
【図2】図1の中間空胴共振器の詳細図である。
【図3】本発明の第2の実施例の詳細図である。
【図4】従来例を示す断面図である。
【図5】図4の中間空胴共振器の詳細図である。
【符号の説明】
1 電子銃 2 電子ビーム 3,20 高周波回路部 4 コレクタ 5 中間空胴共振器 6,7,24,25 ドリフト管 8,26 空胴壁 9,17,27 誘電体部材 10,13,16,32 ダイアフラム 11,14,18 支持体 15,19,34 チューナ 12,30 Q可変外部機構 29 ベローズ 35,36 高周波損失体

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームを射出形成する電子銃と、電
    子ビームと高周波信号を相互作用させ高周波信号の増幅
    を行なう高周波回路部と、電子ビームを収集するコレク
    タとを有し、前記高周波回路部が対向するドリフト管と
    空胴壁と可動端板を有する複数個の空胴共振器から構成
    される多空胴クライストロンにおいて、前記空胴共振器
    に、空胴壁にろう付されるダイアクラムと、このダイア
    クラムのドリフト管対向面に、高周波損失体を付着させ
    た誘電体部材を備えることを特徴とする多空胴クライス
    トロン。
JP5018303A 1993-02-05 1993-02-05 多空胴クライストロン Expired - Lifetime JP3063445B2 (ja)

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JPH06231695A JPH06231695A (ja) 1994-08-19
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