JP3061684B2 - Ceramic resistor - Google Patents
Ceramic resistorInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はセラミック抵抗体に関す
る。更に詳細には、本発明は、耐熱材成分と導電材成分
とが混合、分散したセラミック抵抗体に係り、例えば、
電力制御用のインバーター保護用等の大容量用回路に使
用されるセラミック抵抗体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic resistor. More specifically, the present invention relates to a ceramic resistor in which a heat-resistant material component and a conductive material component are mixed and dispersed, for example,
The present invention relates to a ceramic resistor used in a circuit for large capacity such as protection of an inverter for power control.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高電圧大容量用抵抗体として利用される
抵抗体としては、一般的に金属抵抗材料からなる抵抗体
が使用されている。また、セラミック抵抗体では、カー
ボン−アルミナ系抵抗体、酸化亜鉛系抵抗体、Si（また
はFeSi）−アルミノケイ酸塩系抵抗体等が使用されてい
る。2. Description of the Related Art As a resistor used as a resistor for high voltage and large capacity, a resistor made of a metal resistor material is generally used. As the ceramic resistor, a carbon-alumina-based resistor, a zinc oxide-based resistor, a Si (or FeSi) -aluminosilicate-based resistor, and the like are used.
【０００３】また、SiC 焼結体を用いた抵抗体の使用も
検討されているが、実用には至ってない。[0003] The use of a resistor using a SiC sintered body has been studied, but has not been put to practical use.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】現在、装置のコンパク
ト化が進んできており、その流れは、抵抗体についても
例外ではなく、抵抗体の高容量化が必須になってきてい
る。しかし、金属材料からなる抵抗体には、無誘導性が
悪い、体積抵抗率が低い、残留インダクタンスが大き
い、電流容量が小さい等、大容量用抵抗体として使用す
る際に問題が生じてきている。At present, the size of the device has been reduced, and this trend is no exception for the resistor, and it is essential to increase the capacity of the resistor. However, a resistor made of a metal material has a problem when used as a resistor for large capacity, such as poor non-inductivity, low volume resistivity, large residual inductance, and small current capacity. .
【０００５】また、カーボン−アルミナ系及び酸化亜鉛
系のセラミック抵抗体では、長時間、大電流容量を負荷
していると、抵抗値が上昇して、使用困難となる。その
ため、安定負荷を１KW／枚、２KW／枚と制限している場
合がほとんどである。そのうえ、酸化亜鉛系抵抗体で
は、特開昭６０−１１３４０２号に開示されているよう
に、所望の抵抗値が得られにくいという問題も有してい
る。Further, when a large current capacity is applied to a carbon-alumina-based or zinc-oxide-based ceramic resistor for a long time, the resistance value increases and it becomes difficult to use the ceramic resistor. Therefore, in most cases, the stable load is limited to 1 kW / sheet and 2 kW / sheet. In addition, the zinc oxide-based resistor also has a problem that it is difficult to obtain a desired resistance value, as disclosed in JP-A-60-113402.
【０００６】また、SiC 焼結体を用いた抵抗体では、無
誘導性で電流容量が大きいという利点はあるが、所望の
抵抗値が得られにくいという重大な問題がある。また、
焼結体のため、価格も高価である。そのため、実際に使
用するには至っていない。また、Si（またはFeSi）−ア
ルミノケイ酸塩系抵抗体では無誘導性で電流容量が大き
く抵抗値上昇という問題はないので、大容量用抵抗体と
して好適なものであるが、通電負荷中に割れが発生する
場合があるため、結局は負荷率を制限している場合が多
い。A resistor using a SiC sintered body has the advantage of being non-inductive and having a large current capacity, but has a serious problem that it is difficult to obtain a desired resistance value. Also,
The price is expensive because of the sintered body. Therefore, it has not been actually used. In addition, a Si (or FeSi) -aluminosilicate-based resistor is non-inductive and has a large current capacity, and there is no problem of an increase in resistance. Therefore, it is suitable as a large-capacity resistor. In some cases, the load factor is ultimately limited because the load may occur.
【０００７】本発明は、このような問題点の解決を目的
とするものであり、SiC 焼結体に対して安価であり、従
来のSi（またはFeSi）−アルミノケイ酸塩系のセラミッ
ク抵抗体より１枚当りの負荷率を上昇させたセラミック
抵抗体を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a problem. The present invention is inexpensive for a SiC sintered body and is more expensive than a conventional Si (or FeSi) -aluminosilicate ceramic resistor. It is an object of the present invention to provide a ceramic resistor having an increased load factor per sheet.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のセラミック抵抗
体は、アルミノケイ酸塩を主とする耐熱性のセラミック
構造材料中に導電材料としてのSiまたはFeSiを５〜６０
重量％含有させた抵抗体において、SiC を５〜５０重量
％含有させた事を特徴としている。このアルミノケイ酸
塩は、Siの融点（１４１０℃）以下で焼結することがで
きるため、特に有利である。また、SiC は熱伝導度が大
きい、熱膨張が小さい等の長所があり、抵抗体にした
際、スポーリングに強くなる等の点で有利である。A ceramic resistor according to the present invention comprises a heat-resistant ceramic structure material mainly composed of aluminosilicate, wherein Si or FeSi as a conductive material is 5 to 60%.
The resistor is characterized by containing 5 to 50% by weight of SiC in the resistor containing 5% by weight. This aluminosilicate is particularly advantageous because it can be sintered below the melting point of Si (1410 ° C.). Further, SiC has advantages such as high thermal conductivity and small thermal expansion, and is advantageous in that it becomes resistant to spalling when formed into a resistor.
【０００９】本発明に使用されるその他の耐熱性構造材
料としては、次のようなものが挙げられる。 （１）ZrO2・TiO2系：ZrO2・SiO2 ４０〜６０％（重量
％、以下同じ）TiO2 ５〜２５％、ZrO2・SiO2 ３０〜
５０％、TiO2 ２５〜６０％、（２）Al2O3 ・TiO2系：
Al2O3 ４０〜７０％、TiO2＋SiO2 ２５〜４５％、
（３）TiO2系：TiO2 ９０％以上、Cr2O3 １０％以下、
（４）Fe2O3 ・SiO2系：Fe2O3 ２５〜４５％、SiO2 ２
５〜４５％（銅鉱石スラグ）SiO2 ３０〜８０％、Al2O
3 およびFe2O3 5.５〜６０％、（５）周期律表の第２、
３族に属する、少なくとも１種の元素の酸化物、炭化
物、窒化物などと第４、５族に属する少なくとも１種の
元素の酸化物、炭化物、窒化物などとの混合物からなる
もの。たとえば、 MgO −Fe2O3 −SiO2−TiO2−CaO −MnO2−ZrO2系 アルミノケイ酸塩を主とする構造材料は、通常、Al
2O3 、SiO2以外に金属酸化物（Fe2O3 、Cr2O3 、Mn
2O3 、ZrO2、TiO2、MnO2、Li2O、CaO 、MgO 、NiO 、Co
O 、Cu2O等のうち１種を含有するもの）を、0.５〜３０
％含んでいる。このような構造材料の具体例としては、
次のようなものがあげられる。Other heat resistant structural materials used in the present invention include the following. (1) ZrO 2 · TiO 2 system: ZrO 2 · SiO 2 40 to 60% (weight%, the same applies hereinafter) TiO 2 5 to 25%, ZrO 2 · SiO 2 30 to
50%, TiO 2 25-60%, (2) Al 2 O 3 .TiO 2 system:
Al 2 O 3 40-70%, TiO 2 + SiO 2 25-45%,
(3) TiO 2 system: TiO 2 90% or more, Cr 2 O 3 10% or less,
(4) Fe 2 O 3 · SiO 2 system: 25 to 45% of Fe 2 O 3 , SiO 2 2
5-45% (copper ore slag) SiO 2 30~80%, Al 2 O
3 and Fe 2 O 3 5.5-60%, (5) Second of the periodic table,
A mixture of an oxide, carbide, nitride, or the like of at least one element belonging to Group 3 and an oxide, carbide, nitride, or the like of at least one element belonging to Groups 4 and 5. For example, structural materials consisting mainly of MgO -Fe 2 O 3 -SiO 2 -TiO 2 -CaO -MnO 2 -ZrO 2 based aluminosilicate, typically, Al
In addition to 2 O 3 and SiO 2 , metal oxides (Fe 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Mn
2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , MnO 2 , Li 2 O, CaO, MgO, NiO, Co
O, Cu 2 O, etc.) containing 0.5 to 30
Contains%. Specific examples of such structural materials include:
Some examples include:
【００１０】 SiO2（％） Al2O3 （％） K2O （％） 木節粘土 ４９ ３３ 蛙目粘土 ４７ ３５ カオリン ４５ ４０ 天草陶石 ４７ ３６ カリ長石 ６５ ２０ １１ パイロフェライト ６６ ２７ ベントナイト ５９ １４ その他、ペタライト（Li2O、Na2O、Al2O3 、８SiO2）、
タルク（４SiO2、３MgO、H2O ）などが挙げられる。SiO 2 (%) Al 2 O 3 (%) K 2 O (%) Kibushi clay 49 33 Frogme clay 47 35 Kaolin 45 40 Amakusa pottery stone 47 36 Potash feldspar 65 20 11 Pyroferrite 66 27 Bentonite 59 14 Others, petalite (Li 2 O, Na 2 O, Al 2 O 3 , 8SiO 2 ),
Talc (4SiO 2 , 3MgO, H 2 O) and the like.
【００１１】本発明に使用される構造材料は、上記粘土
質材料などの構造材料単独でもよいが、さらにガラス成
分を配合したものが、より好ましい。ガラス成分は、抵
抗体としての使用温度以上の耐熱性があるものであれば
何でもよいが、抵抗体の耐熱衝撃性をよくするため特
に、低熱膨張性のケイ酸塩ガラス、例えば、SiO2−Al2O
3 系、SiO2−B2O3系、SiO2−Li2O系、SiO2−ZnO 系など
が好ましい。また、このガラス成分は焼成後セラミック
化する結晶化ガラスであってもよい。これらの具体例を
以下に示す。 非晶質ガラスの例 （１）SiO2系（SiO2 １００％〔石英粉〕、SiO2 ９６
％） （２）B2O3−SiO2系（SiO2 ８０％、B2O3 １０％、Al
2O3 ４％） （３）Al2O3 −SiO2系（SiO2 ５５％、Al2O3 ２３％、
B2O3 ７％） 結晶化ガラスの例 （１）Li2O−SiO2系（SiO2 ６５〜８１％、Li2O ７〜
１５％、Al2O3 ４〜２０％） （２）ZnO −SiO2系（SiO2 ４４〜５１％、ZnO １９〜
２６％、Al2O3 １７〜２３％） （３）MgO −Al2O3 −SiO2系（SiO2 ４３〜６４％、Al
2O3 １４〜３１％、MgO１３〜２５％） （４）Li2O−Al2O3 −SiO2系（SiO2 ５９〜７０％、Al
2O3 １２〜１５％、Li2O３〜４％） ガラス成分の好ましい配合量は、構造材料全量に対して
１０〜５０重量％が適当である。The structural material used in the present invention may be a single structural material such as the above-mentioned clay-like material, but more preferably further contains a glass component. The glass component is not particularly limited as long as it has heat resistance equal to or higher than the operating temperature of the resistor.In order to improve the thermal shock resistance of the resistor, particularly, a low thermal expansion silicate glass, for example, SiO 2 − Al 2 O
3 system, SiO 2 -B 2 O 3 system, SiO 2 -Li 2 O system, such as SiO 2 -ZnO system is preferred. The glass component may be crystallized glass that becomes ceramic after firing. Specific examples of these are shown below. Examples of amorphous glass (1) SiO 2 (SiO 2 100% [quartz powder], SiO 2 96
%) (2) B 2 O 3 —SiO 2 system (SiO 2 80%, B 2 O 3 10%, Al
2 O 3 4%) (3) Al 2 O 3 —SiO 2 system (SiO 2 55%, Al 2 O 3 23%,
B 2 O 3 7%) Examples of crystallized glass (1) Li 2 O-SiO 2 system (SiO 2 65~81%, Li 2 O 7~
15%, Al 2 O 3 4~20 %) (2) ZnO -SiO 2 system (SiO 2 44~51%, ZnO 19~
26%, Al 2 O 3 17~23 %) (3) MgO -Al 2 O 3 -SiO 2 system (SiO 2 43~64%, Al
2 O 3 14~31%, MgO13~25% ) (4) Li 2 O-Al 2 O 3 -SiO 2 system (SiO 2 59~70%, Al
2 O 3 12~15%, Li 2 O3~4%) preferred amount of glass component is suitably 10 to 50% by weight relative to the structural materials the total amount.
【００１２】本発明における構造材料の具体的な配合例
を以下に示す。 （１）木節粘土 ５０％、ホウケイ酸ガラス ２５％、
SiC ２５％ （２）蛙目粘土 ６０％、長石 ２５％、SiC １５％ （３）アルミナ ４０％、木節粘土 ３０％、アルミノ
ケイ酸ガラス ２５％、SiC ５％ （４）カオリン ３５％、木節粘土 ５％、タルク １
０％、マグネサイト １０％、SiC ４０％ （５）ペタライト ６０％、炭酸リチウム １０％、ア
ルミナ １０％、SiC２０％ 本発明の抵抗体は構造材料、たとえば、粘土質成分とSi
C 、または、粘土質成分とSiC とガラス成分に、導電性
材料すなわちSiまたはFeSi、および水、必要により適当
なバインダーを加えて混練し、所望の形状に成形後、１
０００℃〜１４００℃で焼成することにより製造され
る。Specific examples of the composition of the structural material in the present invention are shown below. (1) Kibushi clay 50%, borosilicate glass 25%,
SiC 25% (2) Frogme clay 60%, Feldspar 25%, SiC 15% (3) Alumina 40%, Kibushi clay 30%, Aluminosilicate glass 25%, SiC 5% (4) Kaolin 35%, Kibushi 5% clay, 1 talc
0%, magnesite 10%, SiC 40% (5) Petalite 60%, lithium carbonate 10%, alumina 10%, SiC 20% The resistor of the present invention is a structural material, for example, clay component and Si
C, or a clay component, SiC, and a glass component, a conductive material, ie, Si or FeSi, and water, and an appropriate binder, if necessary, are kneaded, and then formed into a desired shape.
It is manufactured by firing at 000 ° C to 1400 ° C.
【００１３】SiまたはFeSiは、粉末状のものを抵抗体の
全重量に対して５〜６０重量％の割合で使用する。Siま
たはFeSiの配合量をこのように変化させることによっ
て、抵抗体の抵抗値を１０-3〜１０3 Ω−cmの範囲で任
意に変える事ができる。また本発明の抵抗体は正の抵抗
温度係数をもっている。SiまたはFeSiの配合量が５％よ
り少ないと、抵抗値バラつきが大きくなり、製造上問題
がある。また６０％より多いと抵抗値が小さくなりすぎ
るとともに、機械的強度が小さくなり、好ましくない。The Si or FeSi is used in the form of powder at a ratio of 5 to 60% by weight based on the total weight of the resistor. By changing the compounding amount of Si or FeSi in this way, the resistance value of the resistor can be arbitrarily changed within a range of 10 −3 to 10 3 Ω-cm. Further, the resistor of the present invention has a positive temperature coefficient of resistance. If the compounding amount of Si or FeSi is less than 5%, the variation in resistance value becomes large and there is a problem in manufacturing. On the other hand, if it is more than 60%, the resistance value becomes too small and the mechanical strength becomes small, which is not preferable.
【００１４】SiC の配合量が５重量％より少ないと、熱
膨張率、熱伝導率等の特性の向上がほとんど見込めな
い。また、５０重量％より多いと、抵抗温度係数が負に
なり使用する上で範囲が制限されるため好ましくない。
構造材料成分としてガラス成分を添加すると１０００℃
〜１４００℃で焼成することによって、溶融したガラス
成分が表面に溶出し、抵抗体表面に絶縁性のガラス質保
護膜が形成される。一方、構造材料成分としてガラス成
分を添加しない場合には、大気中、１０００℃〜１４０
０℃で焼成することによって、表面のケイ素が酸化さ
れ、抵抗体表面の絶縁性のSiO2保護膜が形成される。ま
た、窒素などの不活性雰囲気中で焼成した後、空気など
の酸化性ガス雰囲気中で再度焼成して、表面に保護膜を
形成させることもできる。この保護膜は、抵抗体の使用
用途により、必要でない場合もある。If the amount of SiC is less than 5% by weight, little improvement in properties such as thermal expansion coefficient and thermal conductivity can be expected. On the other hand, if it is more than 50% by weight, the temperature coefficient of resistance becomes negative and the range for use is limited, which is not preferable.
1000 ° C when a glass component is added as a structural material component
By firing at で 1400 ° C., the molten glass component elutes on the surface, and an insulating vitreous protective film is formed on the resistor surface. On the other hand, when a glass component is not added as a structural material component, the
By firing at 0 ° C., silicon on the surface is oxidized, and an insulating SiO 2 protective film on the resistor surface is formed. Further, after baking in an inert atmosphere such as nitrogen, baking is again performed in an oxidizing gas atmosphere such as air to form a protective film on the surface. This protective film may not be necessary depending on the application of the resistor.
【００１５】成形方法としては、押出し成形、金型加圧
成形、ドクターブレード成形、ＣＩＰ成形など任意の方
法が適用できる。本発明の抵抗体は管状、棒状、円板
状、平板状、ハニカム状などの任意の形状となし得る。
焼成後、表面のガラス層あるいはSiO2保護膜を、サンド
ブラスト、エッチング、または研削、研磨などの方法で
除去し、この抵抗体の両端に金属溶射、ろう付け、導電
性ペーストの焼き付け、メッキ、蒸着などの方法によ
り、導電膜を形成し、抵抗体とする。このようにして得
られる本発明の抵抗体は、抵抗体の表面温度が６００℃
になるまで負荷して使用することができる。As a molding method, any method such as extrusion molding, mold pressure molding, doctor blade molding, and CIP molding can be applied. The resistor of the present invention can have any shape such as a tubular shape, a rod shape, a disc shape, a flat plate shape, a honeycomb shape and the like.
After firing, the surface glass layer or SiO 2 protective film is removed by sandblasting, etching, grinding or polishing, etc., and metal spraying, brazing, baking of conductive paste, plating, vapor deposition on both ends of this resistor A conductive film is formed by such a method as a resistor. The resistor of the present invention thus obtained has a surface temperature of 600 ° C.
It can be used by loading until it becomes.
【００１６】[0016]
【実施例】次に本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。Next, the present invention will be described in detail with reference to examples.
【実施例１】木節粘土４０重量％と熱膨張係数５０×１
０-7％／℃以上、軟化点７００℃以上のホウケイ酸ガラ
ス２５重量％とSiC １５重量％とSi粉末２０重量％を配
合した混合物を水和捏合後、円板状に金型成形し、その
成形乾燥品を大気中１３００℃で焼成することによっ
て、絶縁性のガラス質保護膜でコートされた外径１２０
mm、厚さ１３mmの抵抗体を得た。さらに、得られた前記
抵抗体の両端面のガラス質保護膜をサンドブラスト法で
除去した後、Al材を溶射し、電極を形成した。EXAMPLE 1 Kibushi clay 40% by weight and thermal expansion coefficient 50 × 1
0 -7% / ° C. or higher, after hydration kneading the mixture blended with the borosilicate glass 25 wt% and SiC 15 wt% and Si powder 20 wt% higher than the softening point of 700 ° C., and molding into a disc shape, The formed dried product is baked at 1300 ° C. in the air to obtain an outer diameter 120 coated with an insulating glassy protective film.
A resistor having a thickness of 13 mm and a thickness of 13 mm was obtained. Further, after removing the vitreous protective films on both end surfaces of the obtained resistor by sandblasting, an Al material was sprayed to form an electrode.
【００１７】[0017]
【実施例２】木節粘土４０重量％と熱膨張係数５０×１
０-7％／℃以上、軟化点７００℃以上のホウケイ酸ガラ
ス２５重量％とSiC １５重量％とSi粉末２０重量％を配
合した混合物を水和捏合後、円板状に金型成形し、その
成形乾燥品を大気中１３００℃で焼成することによっ
て、絶縁性のガラス質保護膜でコートされた外径１２０
mm、厚さ１３mmの抵抗体を得た。さらに、得られた前記
抵抗体の両端面のガラス質保護膜を平面研削盤で除去す
ると共に、平面研磨を行い、厚さ１2.８mm、平行度±５
０μm 以内、最大面粗さ6.３μm 以下に仕上げた。その
後、Al材を溶射し、電極を形成した。Example 2 Kibushi clay 40% by weight and thermal expansion coefficient 50 × 1
0 -7% / ° C. or higher, after hydration kneading the mixture blended with the borosilicate glass 25 wt% and SiC 15 wt% and Si powder 20 wt% higher than the softening point of 700 ° C., and molding into a disc shape, The formed dried product is baked at 1300 ° C. in the air to obtain an outer diameter 120 coated with an insulating glassy protective film.
A resistor having a thickness of 13 mm and a thickness of 13 mm was obtained. Further, the vitreous protective films on both end surfaces of the obtained resistor were removed with a surface grinder, and the surface was polished to a thickness of 12.8 mm and a parallelism of ± 5.
Finished within 0 μm and maximum surface roughness of 6.3 μm or less. Thereafter, an Al material was sprayed to form an electrode.
【００１８】[0018]
【比較例】従来品（Si（またはFeSi）−アルミノケイ酸
塩系抵抗体）は、木節粘土５５重量％と熱膨張係数５０
×１０-7％／℃以上、軟化点７００℃以上のホウケイ酸
ガラス２５重量％とSi粉末２０重量％を配合した混合物
を上記実施例２と同一の条件にて作成した。Comparative Example A conventional product (Si (or FeSi) -aluminosilicate-based resistor) is composed of 55% by weight of Kibushi clay and a thermal expansion coefficient of 50%.
× 10 -7% / ° C. or higher, a mixture obtained by blending 25 wt% and Si powder 20 wt% softening point 700 ° C. or more borosilicate glass was prepared in the same conditions as Example 2 above.
【００１９】このようにして得られた抵抗体試料を、特
開平２−１８１９０１号のセラミック抵抗器に記載のル
ープ形ヒートパイプで両側から締め付け、電極板を兼ね
ているヒートパイプに電気をかけ、抵抗体に負荷をかけ
た。１枚当りの負荷を変化させることにより、１０回の
試験（１０枚）中何枚割れるかを調査した。結果を表１
に示す。The resistor sample thus obtained was clamped from both sides with a loop-type heat pipe described in a ceramic resistor disclosed in JP-A-2-181901, and electricity was applied to the heat pipe also serving as an electrode plate. A load was applied to the resistor. By changing the load per sheet, it was investigated how many sheets were broken out of 10 tests (10 sheets). Table 1 shows the results
Shown in
【００２０】[0020]
【表１】 表−１ 各負荷時における破壊割合 ──────────────────────────────────── １枚当りの負荷（KW／枚） 1 2 4 6 8 10 ──────────────────────────────────── 本発明品 研磨無し 0/10 0/10 1/10 3/10 10/10 10/10 破壊数／ 研磨有り 0/10 0/10 0/10 0/10 1/10 3/10 試料数 ────────────────────────────── 従来品 (研磨有り) 0/10 1/10 10/10 10/10 10/10 10/10 ──────────────────────────────────── このように、従来品（Si（またはFeSi）−アルミノケイ
酸塩系抵抗体）では、割れが発生するため、２KW／枚程
度の負荷しかかけられない。しかし、本発明品では、従
来品に対し２倍以上もの負荷、すなわち４KW／枚以上の
負荷をかけることが可能であった。[Table 1] Table 1 Breakdown rate at each load ──────────────────────────────────── 1 Load per sheet (KW / sheet) 1 2 4 6 8 10 ─────────────────────────────────── ─ Product of the present invention No polishing 0/10 0/10 1/10 3/10 10/10 10/10 Number of destructions / With polishing 0/10 0/10 0/10 0/10 1/10 3/10 Number of samples ─ ───────────────────────────── Conventional product (with polishing) 0/10 1/10 10/10 10/10 10/10 10/10 ──────────────────────────────────── Thus, the conventional product (Si (or FeSi ) -Aluminosilicate-based resistor) cracks occur, so that only a load of about 2 KW / sheet can be applied. However, with the product of the present invention, it was possible to apply a load more than twice that of the conventional product, that is, a load of 4 KW / sheet or more.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明に係るセラミック抵抗体は、従来
のセラミック抵抗体（Si（またはFeSi）−アルミノケイ
酸塩系抵抗体）に対し、負荷率が２倍以上大きくなり、
そのため、同一負荷に対し、抵抗体が小さくなる、抵抗
体の使用枚数が減るなどの顕著な効果を奏するものであ
る。また、装置などに組込んで使用する上で、抵抗体の
使用枚数が減る、組み立て工数が減る等というコストメ
リットもある。The load factor of the ceramic resistor according to the present invention is at least twice as large as that of a conventional ceramic resistor (Si (or FeSi) -aluminosilicate resistor).
Therefore, for the same load, remarkable effects such as a reduction in the size of the resistor and a decrease in the number of used resistors are exhibited. In addition, there is also a cost merit in that the number of resistors used and the number of assembling steps are reduced when used in a device or the like.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/00 C04B 35/18 H01C 13/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01C 7/00 C04B 35/18 H01C 13/00
Claims (1)
に導電材としてのSiまたはFeSiを５〜６０重量％含有さ
せた抵抗体において、SiC 粉末を５〜５０重量％含有さ
せたことを特徴とするセラミック抵抗体。1. A resistor comprising 5 to 60% by weight of Si or FeSi as a conductive material in a structural material mainly composed of aluminosilicate, wherein 5 to 50% by weight of SiC powder is contained. And a ceramic resistor.
Applications Claiming Priority (2)
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| JP3-341468 | 1991-12-24 | ||
| JP34146891 | 1991-12-24 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH05234704A JPH05234704A (en) | 1993-09-10 |
| JP3061684B2 true JP3061684B2 (en) | 2000-07-10 |
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ID=18346301
Family Applications (1)
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| JP04121772A Expired - Fee Related JP3061684B2 (en) | 1991-12-24 | 1992-05-14 | Ceramic resistor |
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Families Citing this family (1)
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-
1992
- 1992-05-14 JP JP04121772A patent/JP3061684B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05234704A (en) | 1993-09-10 |
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