JP3060477B2 - Atmospheric pressure vapor deposition equipment - Google Patents
Atmospheric pressure vapor deposition equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は常圧気相成長装置に関し、特にウェハーをキ
ャリアとトレー間で搬送する際に発生するパーティクル
の減少を図った常圧気相成長装置のウェハー搬送機構に
関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an atmospheric pressure vapor phase growth apparatus, and more particularly to an atmospheric pressure vapor phase growth apparatus for reducing particles generated when a wafer is transferred between a carrier and a tray. The present invention relates to a wafer transfer mechanism.
従来この種の常圧CVD装置のウェハー搬送機構は、ウ
ェハーをトレーへ載せる時、まずウェハーをベルトでハ
ンドラーの待機位置まで持って行きハンドラーが半導体
ウェハー周辺をつかんで水平になったトレー上へ運び、
ある高さのとろこからトレー上へ落下させていた。Conventionally, the wafer transfer mechanism of this type of atmospheric pressure CVD equipment, when placing a wafer on a tray, first takes the wafer to the handler standby position with a belt, and the handler grabs the periphery of the semiconductor wafer and transports it to a horizontal tray. ,
He dropped it from a certain height on a tray.
〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の常圧CVD装置のウェハー搬送機構は、
ウェハーをトレーへ載せる時、トレー上の受け皿の上へ
ハンドラーがウェハーをつかんで搬送し、ある高さのと
ころからトレー上へ落下させていたが、この場合、ウェ
ハーをつかむハンドラーが水平に保たれていないとハン
ドラー自体がトレーへ接触したりウェハーがトレー上へ
斜めに落下するため、トレー上に成長されている膜が削
れて舞い上がりパーティクルが発生してしまうという欠
点がある。[Problems to be Solved by the Invention] The wafer transfer mechanism of the conventional atmospheric pressure CVD apparatus described above is
When placing a wafer on the tray, the handler grabbed the wafer onto the tray on the tray, transported it, and dropped it onto the tray from a certain height.In this case, the handler holding the wafer was kept horizontal. If not, the handler itself comes into contact with the tray or the wafer falls obliquely onto the tray, so that the film grown on the tray is shaved off and flutters to generate particles.
上述した従来の常圧CVD装置のウェハー搬送機構に対
し、本発明はキャリアとトレー上のピン間の搬送をオー
トハンドラーで行いピンを静かに下げる事によりウェハ
ーを常に水平な状態でトレー上受け皿へ載せることが出
来、それによってウェハー搬送の際のパーティクルを減
少させることができるという相違点を有する。In contrast to the wafer transfer mechanism of the conventional atmospheric pressure CVD apparatus described above, the present invention uses an auto-handler to transfer the pins between the carrier and the tray, and gently lowers the pins so that the wafer is always kept horizontally in the tray on the tray. It has the difference that it can be loaded, thereby reducing particles during wafer transfer.
本発明の常圧気相成長装置は、ウェハー支持板の加熱
機構部と、ウェハー搬送機構及び膜形成機構部とを有し
て構成される常圧気相成長装置において、ウェハー搬送
機構がウェハー支持板に埋設されているウェハー押し上
げ機構と、前記ウェハー支持板を移動させるウェハー転
送機構とを備え、前記ウェハー転送機構は、ベルトによ
りローダー側からアンローダー側にウェハー支持板を移
動させるウェハー転送機構であって、前記ウェハー押し
上げ機構は、前記ウェハー支持板に半導体ウェハーをセ
ットする際に前記ウェハー支持板から突出する複数のピ
ンを備え、前記複数のピンで前記半導体ウェハーを水平
に保ちながら、前記複数のピンを静かに下げ、前記ウェ
ハー支持板に前記半導体ウェハーをパーティクルが発生
しないようにセットするようにしたウェハー押し上げ機
構である。An atmospheric pressure vapor phase epitaxy apparatus of the present invention is an atmospheric pressure vapor phase epitaxy apparatus comprising a heating mechanism for a wafer support plate, a wafer transport mechanism and a film forming mechanism, wherein the wafer transport mechanism is mounted on the wafer support plate. An embedded wafer push-up mechanism and a wafer transfer mechanism for moving the wafer support plate, wherein the wafer transfer mechanism is a wafer transfer mechanism for moving the wafer support plate from the loader side to the unloader side by a belt, The wafer lifting mechanism includes a plurality of pins projecting from the wafer support plate when setting a semiconductor wafer on the wafer support plate, and the plurality of pins while keeping the semiconductor wafer horizontal with the plurality of pins. Gently set the semiconductor wafer on the wafer support plate so that no particles are generated. A wafer push-up mechanism that was to so that.
[実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。Example Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例のウェハー搬送機構で
トレー中のピンが3本の場合の縦断面図である。ピン2
はトレー3の中に入れる事が出来、実際に半導体ウェハ
ー1の受け渡しを行う時にのみb〔mm〕だけトレー3の
表面より上に位置する。FIG. 1 is a vertical sectional view of a wafer transfer mechanism according to a first embodiment of the present invention in a case where three pins are provided in a tray. Pin 2
Can be put in the tray 3 and is positioned above the surface of the tray 3 by b [mm] only when the semiconductor wafer 1 is actually delivered.
第2図は第1図のトレー3と、その前後のトレーを横
から見た場合の正面図である。Aのトレーはまだ水平に
なっておらずピン2のみが出ている状態である。またB
のトレー3は完全に水平になっておりピン2の上にすで
にウェハー1が搬送されてきた状態である。Cのトレー
はピン2がトレー中に収納されている。次に本発明であ
る半導体ウェハー搬送機構の動作を説明する。従来、半
導体ウェハー1はハンドラーによって第2図Bの位置ま
で搬送されてハンドラーが半導体ウェハー1を離すと第
2図Cの状態になっていた。よってハンドラーが水平で
ない場合、半導体ウェハー1はトレー3上へ斜めに落下
することになり、パーティクルを発生させていた。そこ
で本発明のウェハー搬送機構ではトレー3が第2図Aの
状態でトレー3から3本のピンを出し、同図Bの様にト
レー3が水平になったところでオートロボットハンドラ
ーによって半導体ウェハー1の裏面がチャックされキャ
リアからトレー3のピン上へ搬送されてくる。半導体ウ
ェハー1を置いたロボットハンドラーは次のキャリア溝
の半導体ウェハー1をチャックし、ピン2が出て水平に
なったトレー3へ搬送して行く。また第2図Bの状態の
ピン2はゆっくりとトレー3の中へ収納され、トレー表
面へ半導体ウェハー1がセットされる。これにより半導
体ウェハーの落下による膜の削れはなく、搬送時のパー
ティクルを減少させることができる。FIG. 2 is a front view of the tray 3 of FIG. 1 and the trays before and after the tray 3 as viewed from the side. The tray of A is not yet horizontal and only the pin 2 is exposed. Also B
The tray 3 is completely horizontal and the wafer 1 has already been transferred onto the pins 2. The tray C has the pins 2 stored in the tray. Next, the operation of the semiconductor wafer transfer mechanism according to the present invention will be described. Conventionally, the semiconductor wafer 1 is transported to the position shown in FIG. 2B by the handler, and when the handler releases the semiconductor wafer 1, the state shown in FIG. 2C is obtained. Therefore, when the handler is not horizontal, the semiconductor wafer 1 falls obliquely onto the tray 3 and generates particles. Therefore, in the wafer transfer mechanism of the present invention, three pins are pulled out from the tray 3 when the tray 3 is in the state shown in FIG. 2A, and when the tray 3 is horizontal as shown in FIG. The back surface is chucked and transported from the carrier onto the pins of the tray 3. The robot handler on which the semiconductor wafer 1 is placed chucks the semiconductor wafer 1 in the next carrier groove, and transports it to the horizontal tray 3 from which the pins 2 come out. The pins 2 in the state shown in FIG. 2B are slowly accommodated in the tray 3, and the semiconductor wafer 1 is set on the tray surface. As a result, there is no shaving of the film due to the falling of the semiconductor wafer, and particles during transportation can be reduced.
第3図は本発明の第2の実施例の装置のアンローダー
側のトレー3を横から見た場合の図である。第1の実施
例の時とは逆であり、トレー3がアンローダ側へ近づく
と膜成長済の半導体ウェハー1は再びトレー中のピン2
によりb〔mm〕ほど持ち上げられEの位置でアンローダ
ー用のオートロボットハンドラーに半導体ウェハー裏面
を真空チャックされアンローダーのキャリアへ収納され
る。この実施例ではアンロード時、半導体ウェハーを直
接つかんで搬送を行わないので、半導体ウェハー搬送時
のパーティクルを減少させることができる。FIG. 3 is a view when the tray 3 on the unloader side of the apparatus according to the second embodiment of the present invention is viewed from the side. When the tray 3 approaches the unloader side, the semiconductor wafer 1 on which the film has been grown is removed again from the pins 2 in the tray.
Then, at the position of E, the back surface of the semiconductor wafer is vacuum-chucked by the unloader auto-robot handler and stored in the carrier of the unloader. In this embodiment, when the semiconductor wafer is unloaded, the semiconductor wafer is not directly conveyed and is not conveyed, so that particles during the conveyance of the semiconductor wafer can be reduced.
以上説明したように本発明は、半導体ウェハーをキャ
リア,トレー間で搬送する時にトレー中のピンを出させ
てそれにより半導体ウェハーの受け渡しを容易に行うこ
とができ、半導体ウェハー搬送に伴うパーティクルの発
生を減少させることができる効果がある。As described above, according to the present invention, when a semiconductor wafer is transferred between a carrier and a tray, the pins in the tray are made to come out so that the transfer of the semiconductor wafer can be easily performed. There is an effect that can be reduced.
第1図は本発明である半導体ウェハー搬送機構のトレー
の縦断面図、第2図はローダー側のトレーの側面図、第
3図はアンローダー側のトレーは側面図である。 1……半導体ウェハー、2……ピン、3……トレー、4
……トレーホルダー、5……レール、6……ローラー、
7……ベルト取付部、8……ベルト。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a tray of a semiconductor wafer transfer mechanism according to the present invention, FIG. 2 is a side view of a tray on a loader side, and FIG. 3 is a side view of a tray on an unloader side. 1 ... Semiconductor wafer, 2 ... Pin, 3 ... Tray, 4
…… Tray holder, 5… Rail, 6… Roller,
7 ... Belt mounting part, 8 ... Belt.
Claims (1)
搬送機構及び膜形成機構部とを有して構成される常圧気
相成長装置において、ウェハー搬送機構がウェハー支持
板に埋設されているウェハー押し上げ機構と、前記ウェ
ハー支持板を移動させるウェハー転送機構とを備え、 前記ウェハー転送機構は、ベルトによりローダー側から
アンローダー側にウェハー支持板を移動させるウェハー
転送機構であって、 前記ウェハー押し上げ機構は、前記ウェハー支持板に半
導体ウェハーをセットする際に前記ウェハー支持板から
突出する複数のピンを備え、前記複数のピンで前記半導
体ウェハーを水平に保ちながら、前記複数のピンを静か
に下げ、前記ウェハー支持板に前記半導体ウェハーをパ
ーティクルが発生しないようにセットするようにしたウ
ェハー押し上げ機構であることを特徴とする常圧気相成
長装置。1. An atmospheric pressure vapor deposition apparatus comprising a wafer support plate heating mechanism, a wafer transfer mechanism and a film forming mechanism, wherein the wafer transfer mechanism is embedded in the wafer support plate. A push-up mechanism, and a wafer transfer mechanism that moves the wafer support plate, wherein the wafer transfer mechanism is a wafer transfer mechanism that moves the wafer support plate from the loader side to the unloader side by a belt, and the wafer push-up mechanism Comprises a plurality of pins projecting from the wafer support plate when setting a semiconductor wafer on the wafer support plate, while keeping the semiconductor wafer horizontal with the plurality of pins, gently lower the plurality of pins, The semiconductor wafer is set on the wafer support plate so that particles are not generated. Atmospheric gas phase growth apparatus characterized in that it is a Eha lifting mechanism.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2079223A JP3060477B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Atmospheric pressure vapor deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2079223A JP3060477B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Atmospheric pressure vapor deposition equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03278521A JPH03278521A (en) | 1991-12-10 |
JP3060477B2 true JP3060477B2 (en) | 2000-07-10 |
Family
ID=13683917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2079223A Expired - Lifetime JP3060477B2 (en) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | Atmospheric pressure vapor deposition equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3060477B2 (en) |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079223A patent/JP3060477B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03278521A (en) | 1991-12-10 |
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