JP3049125U - 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体 - Google Patents

非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体

Info

Publication number
JP3049125U
JP3049125U JP1997004145U JP414597U JP3049125U JP 3049125 U JP3049125 U JP 3049125U JP 1997004145 U JP1997004145 U JP 1997004145U JP 414597 U JP414597 U JP 414597U JP 3049125 U JP3049125 U JP 3049125U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconductor
superconducting
vortex
current density
critical current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1997004145U
Other languages
English (en)
Inventor
香司 花木
Original Assignee
香司 花木
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 香司 花木 filed Critical 香司 花木
Priority to JP1997004145U priority Critical patent/JP3049125U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3049125U publication Critical patent/JP3049125U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】脆くて塑性加工に耐えぬため転位等の格子欠陥
を十分に導入できぬ超電導体や、熱処理により相平衡的
に適切な析出物が得られぬ超電導体や得られても渦糸の
運動に対する実用上十分有効なピン留め効果が得られぬ
超電導体、ために近年発見された酸化物高温超電導体の
液体窒素中における実用化のメドが立っていない。本考
案は臨界電流密度の向上と臨界電流密度の外部磁場によ
る劣化特性の低減に欠くべからざる渦糸の運動に対する
実用上有効な抵抗体を有する超電導導体を提供すること
にある。 【解決手段】本考案では渦糸の運動に対する実用上有効
なピン留めを加工熱処理等の超電導体の内在的特性に求
めず、図で示すように分子あるいは原子イオンビーム４
を超電導体２の表面に照射し、特に強磁性元素イオンを
注入し、超電導体２に非超電導第２相３を円状に三角格
子状に分散、分布せしめて意図的に創成された第２相に
より渦糸をピン留めしその運動を阻止して臨界電流密度
の向上と臨界電流密度の外部磁場による劣化持性の低減
を達成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【考案の属する技術分野】本考案は超電導導体とその製造方法、特に酸化物 高温超電導体による液体窒素中で使用可能な超電導磁石用コイル及び超電導ケー ブルのための超電導導体とその製造方法に関する。
【従来の技術】負荷された電流や外部磁場による超電導から常電導への転移 を阻止する技術の著しい進展により１９５０年代にＮｂ−Ｔｉ合金やＮｂ３Ｓｎ 金属間化合物による超電導磁石用コイルが実用されるに至った。常電導への転移 の主因は負荷された超電流との相互作用により動きだそうとする量子磁束線すな わち渦糸の運動による発熱である。Ｎｂ−Ｔｉ合金やＮｂ３Ｓｎ金属間化合物に よる実用コイルの出現は適切な加工熱処理の結果生じた転位、析出物により渦糸 のピン止めに成功したからである。
【考案が解決しようとする課題】しかし脆くて塑性加工に耐えぬため転位等 の格子欠陥を十分に導入できぬ超電導体や、熱処理により相平衡的に適切な析出 物が得られぬ超電導体や得られても渦糸の運動に対する実用上十分有効なピン留 め効果が得られぬ超電導体、ために例えば近年発見された酸化物高温超電導体で は液体窒素中での実用化のメドが立っていない。本考案は臨界電流密度の向上と 臨界電流密度の外部磁場による劣化特性の低減に欠くべからざる渦糸の運動に対 する実用上有効なピン留めを有する超電導導体、及びその製造方法をを提供する ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】本考案では渦糸の運動に対する実用上有効な ビン留めを加工熱処理等の超電導体の内在的特性に求めず、図で示すように分子 あるいは原子イオンビーム４を超電導体２の表面に照射し、特に強磁性元素イオ ンを注入し、超電導体２に非超電導第２相３を円状に三角格子状に分散、分布せ しめて意図的に創成された第２相により渦糸をピン留めしその運動を阻止して臨 界電流密度の向上と臨界電流密度の外部磁場による劣化特性の低減を達成する。
【考案の実施の形態】以下、実施例に基づいて、この発明を更に詳細に説明 する。
【実施例１】 以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。基板となるマグネシア１にス パッタリング物理蒸着された数ミクロンのＹＢＣＯ膜２に対して酸素イオンビー ム４を照射して、平均間隔ほぼ辺長０．６μｍ三角格子状に平均直径がほぼ０． ２μｍの円状の非超電導相３が分布するようにイオン注入して超電導導体とする 。
【実施例２】 基板となるマグネシアにスパッタリング物理蒸着された数ミクロンのＹＢＣＯ膜 全面に金を薄く蒸着し、さらにフォトレジストにより０．２μｍの孔が辺長０． ６μｍの三角格子を形成するように模様づけする。金をマスクにして酸素イオン をＹＢＣＯ膜に打ち込み孔の部分を非超電導化したものを超電導導体とする。
【考案の効果】以上の通り、元の超電導体の内在的特性に制限されていた渦 糸のピン止めを人工的に造れる本考案に係わる超電導導体によれば、臨界電流密 度の向上とその負の外部磁場依存性の低減が可能となり、特に大きな期待が寄せ られている酸化物高温超電導体の液体窒素中での実用を具現する。
【図面の簡単な説明】
図は本考案に係わる超電導導体の実施例を示す。 １…基板、２…超電導体、３…非超電導相、４…イオン
ビーム。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年８月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】考案の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【考案の名称】 非超電導相を幾何学的に分散分布さ
せた超電導導体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】実用新案登録請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】超電導導体として用いる超電導導体の表面
    に分子もしくは原子イオンを注入し０．０１ミクロンか
    ら１０ミクロンに渡る平均径の円状の、時には強磁性の
    非超電導相を超電導体の表面に三角格子状に分散分布さ
    せることを特徴とする超電導導体とその製造方法。
  2. 【請求項２】超電導導体として用いる超電導体の面に金
    や銀の良電導膜を薄く物理的、もしくは化学的に蒸着
    し、フォトレジストをつけて０．０１ミクロンから１０
    ミクロンに渡る平均径の円が三角格子状に分布するパタ
    ーニングを施し、上記良電導膜をマスクにして円状に、
    分子もしくは原子イオンを上記超電導体表面に注入し時
    には強磁性の超電導相を分散分布させることを特徴とす
    る超電導導体とその製造方法。
JP1997004145U 1997-04-14 1997-04-14 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体 Expired - Lifetime JP3049125U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1997004145U JP3049125U (ja) 1997-04-14 1997-04-14 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1997004145U JP3049125U (ja) 1997-04-14 1997-04-14 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3049125U true JP3049125U (ja) 1998-06-02

Family

ID=43183379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1997004145U Expired - Lifetime JP3049125U (ja) 1997-04-14 1997-04-14 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3049125U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101477989B1 (ko) * 2014-06-12 2015-01-08 한국과학기술원 자성체를 포함하는 초전도 박막

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101477989B1 (ko) * 2014-06-12 2015-01-08 한국과학기술원 자성체를 포함하는 초전도 박막

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3064306B2 (ja) 弱結合ジョセフソン接合の形成法及びこれを用いた超電導素子
EP0329603B1 (en) Grain boundary junction devices using high-tc superconductors
EP0496259B1 (en) High-Tc microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge sns junction
US6476413B1 (en) High temperature superconducting Josephson junctions and SQUIDs
US5821556A (en) Superconductive junction
JP3049125U (ja) 非超電導相を幾何学的に分散分布させた超電導導体
JPH0577347B2 (ja)
US20080146449A1 (en) Electrical device and method of manufacturing same
US5856205A (en) Josephson junction device of oxide superconductor having low noise level at liquid nitrogen temperature
Fujiwara et al. Changes of the dimensionality and T c through the iodine intercalation and oxidation in Bi 2 Sr 2 Ca Cu 2 O 8+ δ single crystals
Ono et al. Magnetic field dependence of the critical current anisotropy in normal metal‐YBa2Cu3O7− δ thin‐film bilayers
Kato et al. Fabrication of a ${\rm Bi} _ {2}{\rm Sr} _ {2}{\rm CaCu} _ {2}{\rm O} _ {8+ x} $ Intrinsic DC-SQUID With a Shunt Resistor
JP3076503B2 (ja) 超電導素子およびその製造方法
Pedyash et al. Weak link properties of YBa {sub 2} Cu {sub 3} O nanostructures
JP3221037B2 (ja) 電流変調装置
Seidel et al. High-Tc SQUIDs on silicon substrates
Kahn et al. Nano-engineering of Nb3Sn Thin Films to Improve Wire Performance and Reduce Cost
JP2994190B2 (ja) 高温超電導薄膜構造およびその作製方法
JP3016566B2 (ja) 超伝導スイッチ素子
JPS60189813A (ja) 化合物超電導線の製造方法
Ulrich et al. Fabrication of Josephson junctions
Kubota et al. Critical current densities of Nb sub (3) Sn multifilamentary composite conductors with fine filaments.
JP3232642B2 (ja) 電流変調装置
Matarazzo et al. DC SQUIDs based on YBCO step edge junctions
Koblischka Pinning in bulk high-Tc superconductors