JP3037447B2 - 非金属基板の選択めっき方法 - Google Patents
非金属基板の選択めっき方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無電解めっき方法に関
し、特に非金属基板の所望の任意の位置にめっき金属を
析出させる非金属基板の選択めっき方法に関する。
し、特に非金属基板の所望の任意の位置にめっき金属を
析出させる非金属基板の選択めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非金属基板上に形成された電子素子のた
めの電極としての、あるいは前記電子素子相互の接続の
ための配線用導体としての金属膜パターンを前記非金属
基板の表面に形成する方法として、無電解めっきを利用
した選択めっき方法がある。
めの電極としての、あるいは前記電子素子相互の接続の
ための配線用導体としての金属膜パターンを前記非金属
基板の表面に形成する方法として、無電解めっきを利用
した選択めっき方法がある。
【０００３】非金属基板表面に金属膜パターンを形成す
る選択めっき方法は、一般にレジストを用い、まず基
板表面全面に金属パラジウムなどの触媒物質を付着さ
せ、次にめっき部分を除く表面をレジストパターンで被
覆し、基板を無電解めっき液に浸漬して触媒物質の露出
した部分にのみ選択的にめっき金属を析出させる方法
と、最初に基板表面にレジストパターンを形成したの
ち、金属パラジウムなどの触媒物質を付着させ、レジス
トを剥離することによって所望の触媒パターンを形成
し、そののち無電解めっき液に浸漬して前記触媒パター
ンにしたがってめっき金属を選択的に析出させる、の２
通りの方法がある。いずれの場合もレジストパターン
は、スクリーン印刷によって形成するか、フォトレジス
トを用いて露光、現像工程からなるフォトリソグラフィ
によって形成されるようになっていた。
る選択めっき方法は、一般にレジストを用い、まず基
板表面全面に金属パラジウムなどの触媒物質を付着さ
せ、次にめっき部分を除く表面をレジストパターンで被
覆し、基板を無電解めっき液に浸漬して触媒物質の露出
した部分にのみ選択的にめっき金属を析出させる方法
と、最初に基板表面にレジストパターンを形成したの
ち、金属パラジウムなどの触媒物質を付着させ、レジス
トを剥離することによって所望の触媒パターンを形成
し、そののち無電解めっき液に浸漬して前記触媒パター
ンにしたがってめっき金属を選択的に析出させる、の２
通りの方法がある。いずれの場合もレジストパターン
は、スクリーン印刷によって形成するか、フォトレジス
トを用いて露光、現像工程からなるフォトリソグラフィ
によって形成されるようになっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の選択め
っき方法では、レジストパターンの形成やレジストの剥
離といった繁雑な工程が必要であり、またこれらの工程
によって基板上の素子に損傷を与えるおそれもあるとい
う問題点がある。
っき方法では、レジストパターンの形成やレジストの剥
離といった繁雑な工程が必要であり、またこれらの工程
によって基板上の素子に損傷を与えるおそれもあるとい
う問題点がある。
【０００５】本発明の目的は、きわめて簡単な工程によ
り、基板上の素子に損傷を与えることなく、非金属基板
の上に所望の金属膜パターンを形成できる非金属基板の
選択めっき方法を提供することにある。
り、基板上の素子に損傷を与えることなく、非金属基板
の上に所望の金属膜パターンを形成できる非金属基板の
選択めっき方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の非金属基板の選択めっき方法は、非金属基板
の表面に酸化パラジウム（ＰｄＯ）を主成分とする微粒
子を含む層を形成する工程と、前記微粒子を含む層に、
レーザビームおよび電子ビームの中から選ばれたビーム
を照射して、所望のパターン状に前記微粒子中の酸化パ
ラジウムを金属パラジウムに還元する還元工程と、前記
非金属基板を無電解めっき液に浸漬し、前記金属パラジ
ウムを核としてめっき金属を析出させる工程とからな
る。
の本発明の非金属基板の選択めっき方法は、非金属基板
の表面に酸化パラジウム（ＰｄＯ）を主成分とする微粒
子を含む層を形成する工程と、前記微粒子を含む層に、
レーザビームおよび電子ビームの中から選ばれたビーム
を照射して、所望のパターン状に前記微粒子中の酸化パ
ラジウムを金属パラジウムに還元する還元工程と、前記
非金属基板を無電解めっき液に浸漬し、前記金属パラジ
ウムを核としてめっき金属を析出させる工程とからな
る。
【０００７】非金属基板の表面に酸化パラジウム（Ｐｄ
Ｏ）を主成分とする微粒子を含む層を形成する方法とし
ては種々のものが考えられるが、例えば非金属基板の表
面に有機パラジウムペーストを塗布し空気中で３００℃
以上に加熱して分解酸化させて形成する方法、真空蒸着
で得られたパラジウム微粒子膜を空気中で３００℃以上
に加熱して酸化させて形成する方法などがある。
Ｏ）を主成分とする微粒子を含む層を形成する方法とし
ては種々のものが考えられるが、例えば非金属基板の表
面に有機パラジウムペーストを塗布し空気中で３００℃
以上に加熱して分解酸化させて形成する方法、真空蒸着
で得られたパラジウム微粒子膜を空気中で３００℃以上
に加熱して酸化させて形成する方法などがある。
【０００８】酸化パラジウム（ＰｄＯ）を主成分とする
微粒子の直径は、還元工程で生成される金属パラジウム
の微粒子が十分に触媒活性を有するように定められ、５
ｎｍ以上５０ｎｍ未満とすることが望ましく、５ｎｍ以
上１０ｎｍ未満とすることが好ましい。微粒子を含む層
の膜厚には特に制限はないが、析出しためっき金属を配
線パターンとして使用する場合には、配線パターン間に
酸化パラジウム微粒子が存在することとなるので、配線
パターン間の短絡を防止するため、前記膜厚をあまり厚
くすることはできない。微粒子を含む層の平均膜厚を微
粒子の直径と同程度とすることにより、配線パターン間
の短絡は防止される。
微粒子の直径は、還元工程で生成される金属パラジウム
の微粒子が十分に触媒活性を有するように定められ、５
ｎｍ以上５０ｎｍ未満とすることが望ましく、５ｎｍ以
上１０ｎｍ未満とすることが好ましい。微粒子を含む層
の膜厚には特に制限はないが、析出しためっき金属を配
線パターンとして使用する場合には、配線パターン間に
酸化パラジウム微粒子が存在することとなるので、配線
パターン間の短絡を防止するため、前記膜厚をあまり厚
くすることはできない。微粒子を含む層の平均膜厚を微
粒子の直径と同程度とすることにより、配線パターン間
の短絡は防止される。
【０００９】還元工程において酸化パラジウムを還元す
る方法としては、真空中または不活性ガス中で、非金
属基板上の微粒子層にレーザービームを照射して局所的
に加熱し、酸化パラジウムを還元する、真空中で非金
属基板上の微粒子層に電子ビームを照射し、照射された
部位の酸化パラジウムを還元する、などの方法がある。
る方法としては、真空中または不活性ガス中で、非金
属基板上の微粒子層にレーザービームを照射して局所的
に加熱し、酸化パラジウムを還元する、真空中で非金
属基板上の微粒子層に電子ビームを照射し、照射された
部位の酸化パラジウムを還元する、などの方法がある。
【００１０】めっき金属としては、無電解めっきの可能
な金属、例えばニッケル、コバルト、銅、銀、金、パラ
ジウムなどやこれらの金属をベースとする合金などが挙
げられる。
な金属、例えばニッケル、コバルト、銅、銀、金、パラ
ジウムなどやこれらの金属をベースとする合金などが挙
げられる。
【００１１】
【作用】酸化パラジウムを主成分とする微粒子を含む層
を設け、前記微粒子を含む層の所望の位置の前記微粒子
中の酸化パラジウムを金属パラジウムに還元するので、
還元によって生成された金属パラジウムも微粒子であっ
て触媒活性を有し、そののち無電解めっき液に浸漬する
ことにより、金属パラジウムを触媒としてめっき金属が
析出し、前記所望の位置にめっき金属が析出することに
なる。
を設け、前記微粒子を含む層の所望の位置の前記微粒子
中の酸化パラジウムを金属パラジウムに還元するので、
還元によって生成された金属パラジウムも微粒子であっ
て触媒活性を有し、そののち無電解めっき液に浸漬する
ことにより、金属パラジウムを触媒としてめっき金属が
析出し、前記所望の位置にめっき金属が析出することに
なる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１３】まず、図１に示すように、石英ガラスなど
の非金属基板１の上に酸化パラジウム微粒子層２を形成
する。酸化パラジウム微粒子層２は、酸化パラジウム
（ＰｄＯ）の微粒子からなる。次に、酸化パラジウム微
粒子層２の形成された非金属基板１を真空容器（不図
示）内に移し、図２に示すように、非金属基板１上のめ
っき金属を析出させようとする位置に電子ビーム３を走
査して照射する。その結果、酸化パラジウム微粒子層２
の電子ビーム３を照射された部分の酸化パラジウム微粒
子は還元されて金属パラジウムの微粒子となる。一方、
電子ビームを照射されなかった部分の酸化パラジウム微
粒子は還元されずそのままである。そののち非金属基板
１を無電解めっき液に浸漬すると、金属パラジウムの微
粒子が触媒となって、金属パラジウムの微粒子を核とし
てめっき金属が析出する。酸化パラジウム微粒子は無電
解めっき反応に対する触媒活性を有しないので、金属パ
ラジウムの微粒子が存在せず酸化パラジウム微粒子のみ
が存在する部分、すなわち電子ビーム３の照射を受けな
かった部分にはめっき金属は析出しない。このようにし
て、めっき金属からなる所望の金属膜パターンが非金属
基板１の上に形成される。
の非金属基板１の上に酸化パラジウム微粒子層２を形成
する。酸化パラジウム微粒子層２は、酸化パラジウム
（ＰｄＯ）の微粒子からなる。次に、酸化パラジウム微
粒子層２の形成された非金属基板１を真空容器（不図
示）内に移し、図２に示すように、非金属基板１上のめ
っき金属を析出させようとする位置に電子ビーム３を走
査して照射する。その結果、酸化パラジウム微粒子層２
の電子ビーム３を照射された部分の酸化パラジウム微粒
子は還元されて金属パラジウムの微粒子となる。一方、
電子ビームを照射されなかった部分の酸化パラジウム微
粒子は還元されずそのままである。そののち非金属基板
１を無電解めっき液に浸漬すると、金属パラジウムの微
粒子が触媒となって、金属パラジウムの微粒子を核とし
てめっき金属が析出する。酸化パラジウム微粒子は無電
解めっき反応に対する触媒活性を有しないので、金属パ
ラジウムの微粒子が存在せず酸化パラジウム微粒子のみ
が存在する部分、すなわち電子ビーム３の照射を受けな
かった部分にはめっき金属は析出しない。このようにし
て、めっき金属からなる所望の金属膜パターンが非金属
基板１の上に形成される。
【００１４】次に、この実施例について実際に行なった
結果について説明する。
結果について説明する。
【００１５】非金属基板１として石英ガラスを用い、こ
の非金属基板１の表面に有機パラジウムペースト［奥野
製薬工業（株）製 ＣＣＰ−４２３０（登録商標）］を
スピナーで塗布し、その後空気中で３５０℃３０分間加
熱することにより、酸化パラジウム微粒子層２を形成し
た。酸化パラジウム微粒子層２は、粒径が５ｎｍから１
０ｎｍの酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなり、そ
の膜厚は約１０ｎｍであった。次に、所望のパターンに
したがって電子ビーム３を照射し、そののち無電解ニッ
ケルめっき液に浸漬したところ、電子ビーム３を照射し
た部分にニッケル金属が析出し、良好なめっきパターン
を得ることができた。
の非金属基板１の表面に有機パラジウムペースト［奥野
製薬工業（株）製 ＣＣＰ−４２３０（登録商標）］を
スピナーで塗布し、その後空気中で３５０℃３０分間加
熱することにより、酸化パラジウム微粒子層２を形成し
た。酸化パラジウム微粒子層２は、粒径が５ｎｍから１
０ｎｍの酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなり、そ
の膜厚は約１０ｎｍであった。次に、所望のパターンに
したがって電子ビーム３を照射し、そののち無電解ニッ
ケルめっき液に浸漬したところ、電子ビーム３を照射し
た部分にニッケル金属が析出し、良好なめっきパターン
を得ることができた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、酸化パラ
ジウムを主成分とする微粒子を含む層を設け、前記微粒
子を含む層の所望の位置の前記微粒子中の酸化パラジウ
ムを金属パラジウムに還元し、そののち無電解めっき液
に浸漬させて金属パラジウムを核としてめっき金属が析
出させるので、レジストを使用する必要がなくなり、基
板上の素子に損傷を与えることなくきわめて簡単な工程
で非金属基板に選択めっきを行なうことができるという
効果がある。
ジウムを主成分とする微粒子を含む層を設け、前記微粒
子を含む層の所望の位置の前記微粒子中の酸化パラジウ
ムを金属パラジウムに還元し、そののち無電解めっき液
に浸漬させて金属パラジウムを核としてめっき金属が析
出させるので、レジストを使用する必要がなくなり、基
板上の素子に損傷を与えることなくきわめて簡単な工程
で非金属基板に選択めっきを行なうことができるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例の非金属基板の選択めっき方
法で使用した非金属基板の説明図である。
法で使用した非金属基板の説明図である。
【図２】図１の実施例における還元工程の構成を示す説
明図である。
明図である。
１ 非金属基板 ２ 酸化パラジウム微粒子層 ３ 電子ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/16 - 18/52
Claims (4)
- 【請求項１】 非金属基板の表面に酸化パラジウム（Ｐ
ｄＯ）を主成分とする微粒子を含む層を形成する工程
と、 前記微粒子を含む層に、レーザビームおよび電子ビーム
の中から選ばれたビームを照射して、所望のパターン状
に前記微粒子中の酸化パラジウムを金属パラジウムに還
元する還元工程と、 前記非金属基板を無電解めっき液に浸漬し、前記金属パ
ラジウムを核としてめっき金属を析出させる工程とから
なる非金属基板の選択めっき方法。 - 【請求項２】 微粒子の直径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満
である請求項１記載の非金属基板の選択めっき方法。 - 【請求項３】 無電解めっきにより析出される金属が、
ニッケル、コバルト、銅、銀、金およびパラジウムから
選ばれる金属である請求項１記載の非金属基板の選択め
っき方法。 - 【請求項４】 微粒子を含む層の平均膜厚が、微粒子の
直径と同程度である請求項１記載の非金属基板の選択め
っき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019176A JP3037447B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 非金属基板の選択めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019176A JP3037447B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 非金属基板の選択めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04236784A JPH04236784A (ja) | 1992-08-25 |
| JP3037447B2 true JP3037447B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=11992042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019176A Expired - Fee Related JP3037447B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 非金属基板の選択めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3037447B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3019176A patent/JP3037447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04236784A (ja) | 1992-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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