JP3037316B1 - Solder resist forming method - Google Patents

Solder resist forming method

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JP3037316B1
JP3037316B1 JP1574799A JP1574799A JP3037316B1 JP 3037316 B1 JP3037316 B1 JP 3037316B1 JP 1574799 A JP1574799 A JP 1574799A JP 1574799 A JP1574799 A JP 1574799A JP 3037316 B1 JP3037316 B1 JP 3037316B1
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opening
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利秀 伊藤
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】 本発明は、低エネルギーかつ同一条件でレー
ザ加工が可能で、マイクロビア底にレーザで焼き付いた
ソルダーレジスト残渣が生じず、レーザ加工の生産性が
高く、安定した精度と品質が得られるソルダーレジスト
形成方法を提供する。 【解決手段】 CSPパッド2a、2bにソルダーレジ
スト開口部を形成するという構成に対し、図1(d)の
ようにフォトマスク5を介してソルダーレジスト4を露
光した後、現像して図1(e)のように、マイクロビア
径より大きいソルダーレジスト開口部7bを得る。図1
(f)のように、炭酸ガスレーザ8を照射して、図1
(g)のように、パッド形状のソルダーレジスト開口部
9を得る。
An object of the present invention is to enable laser processing under low energy and under the same conditions, without generating a solder resist residue burnt by a laser on the bottom of a micro via, high productivity of laser processing, stable accuracy and quality. Is provided. In contrast to a configuration in which solder resist openings are formed in CSP pads (2a, 2b), after exposing a solder resist (4) via a photomask (5) as shown in FIG. As shown in e), a solder resist opening 7b larger than the micro via diameter is obtained. FIG.
As shown in FIG.
As shown in (g), a pad-shaped solder resist opening 9 is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、通常の表面実装部
品とCSP(チップサイズパッケージ)などの高精度実
装部品が搭載されるビルドアップ基板のソルダーレジス
ト形成方法に属する。特にCSPパッドのマイクロビア
有無にかかわらず、低エネルギーかつ同一条件のレーザ
加工により、ソルダーレジスト残渣の除去が可能なソル
ダーレジスト形成方法に属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a solder resist on a build-up board on which a normal surface-mounted component and a high-precision mounted component such as a CSP (chip size package) are mounted. In particular, the present invention belongs to a solder resist forming method capable of removing a solder resist residue by laser processing under low energy and the same condition regardless of the presence or absence of the micro via of the CSP pad.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来 ソルダーレジスト形成方法は、C
SPなど高密度部品が搭載される基板における高密度配
線設計で用いられ、パッドをソルダーレジストから完全
に露出させて、かつ、隣接回路をソルダーレジストで被
覆するために、パッドや回路位置に対する高精度なソル
ダーレジスト位置精度が要求される。また、さらにCS
Pのパッドの列数が増加するとさらに配線数が増加し、
一層で配線を引き出せず、ビルドアップ基板を使用して
マイクロビアを通じて下層に配線を落とし二層で配線を
引き出すことが多い。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming a solder resist is described in US Pat.
Used in high-density wiring design on boards on which high-density components such as SPs are mounted. Highly accurate pads and circuit positions are used to completely expose pads from solder resist and cover adjacent circuits with solder resist. High solder resist position accuracy is required. Also, CS
As the number of rows of P pads increases, the number of wirings further increases,
In many cases, the wiring cannot be pulled out by one layer, and the wiring is dropped to the lower layer through a micro via using a build-up substrate, and the wiring is drawn out in two layers.

【0003】高位置精度のソルダーレジスト形成する方
法としては、従来のマスクフィルムを使用して露光・現
像によりソルダーレジスト開口部を形成する方法に替え
て、レーザ加工によりソルダーレジストを焼成気化して
開口部を形成という手法が採用されている。
As a method of forming a solder resist with high positional accuracy, the solder resist is baked and vaporized by laser processing instead of the conventional method of forming a solder resist opening by exposure and development using a mask film. A technique of forming a portion is employed.

【0004】特開平4−267582号公報、特許公報
第2615120号では、レーザ加工によりソルダーレ
ジスト開口部を精度良く形成する方法が示されている。
特開平4−267582号公報には、高精度部品を実装
するためのパッドと通常部品を実装するためのパッドと
を有する基板全面にソルダーレジストを形成し、通常部
品を実装するためのパッド上のソルダーレジストは露光
・現像処理で除去し、高精度部品を実装するためのパッ
ド上のソルダーレジストを、レーザ光の照射により除去
する技術が記載されている。また、レーザ光はマスクを
使用して所望のパッド上に照射する技術が例示されてい
る。特許公報第2615120号には、導体パターン上
のレジストを除去するのに、パルス状のレーザの照射光
路中に複数種の透過口を設けたステンシルを配置して、
レーザの照射スポットの形状をステンシルの選択された
透過口により成形する技術が記載されている。
[0004] Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-267582 and Japanese Patent Publication No. 2615120 disclose a method of accurately forming a solder resist opening by laser processing.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-267852 discloses that a solder resist is formed on the entire surface of a substrate having pads for mounting high-precision parts and pads for mounting normal parts, A technique is described in which a solder resist is removed by exposure and development processing, and a solder resist on a pad for mounting a high-precision component is removed by laser light irradiation. In addition, a technique of irradiating a laser beam onto a desired pad using a mask is exemplified. In Japanese Patent Publication No. 2615120, in order to remove a resist on a conductor pattern, a stencil provided with a plurality of types of transmission ports is arranged in an irradiation optical path of a pulsed laser,
A technique is described in which the shape of a laser irradiation spot is formed by a selected transmission opening of a stencil.

【0005】また、特開平9−237958号公報によ
れば、パッド上にあらかじめ半田めっきを施し、その上
にソルダーレジストを形成し、基板全体にレーザ光を照
射して、ソルダーレジストを除去する。焼き付けられた
ソルダーレジスト残渣の固着を防止し、ソルダーレジス
ト残渣を除去する後工程を不要とする技術が記載されて
いる。
According to Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-237958, a solder resist is formed on a pad in advance, a solder resist is formed thereon, and the entire substrate is irradiated with a laser beam to remove the solder resist. There is described a technique for preventing sticking of a baked solder resist residue and eliminating a post-process for removing the solder resist residue.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術には以下に掲げる問題点があった。特開平4−267
582号公報、特許公報第2615120号などに示さ
れるような、レーザ加工によりソルダーレジストを焼成
気化して開口部を形成する手法では、レーザ照射によっ
て焼き付けられたソルダーレジストがパッド表面に固着
する。そのため、レーザ加工後に、焼き付けられたソル
ダーレジスト残渣を除去する膨潤、エッチング、中和か
らなる後工程を行うが、ビルドアップ基板のようにマイ
クロビアを有するパッドではビア底に固着するため、焼
き付いたソルダーレジストのクリーニングが困難を極
め、しばしば完全に除去できないためにCSP実装時の
接続信頼性問題を引き起している。
However, the prior art has the following problems. JP-A-4-267
In the method of forming an opening by baking and evaporating a solder resist by laser processing as disclosed in Japanese Patent No. 582, Patent Publication No. 2615120, etc., the solder resist baked by laser irradiation adheres to the pad surface. For this reason, after laser processing, a post-process consisting of swelling, etching, and neutralization is performed to remove the baked solder resist residue. Cleaning of the solder resist is extremely difficult, and often cannot be completely removed, causing a connection reliability problem at the time of mounting the CSP.

【0007】また、ソルダーレジスト開口部形成に必要
なレーザ照射のエネルギーは、ソルダーレジストの厚み
との間で相関関係にある。ソルダーレジストの厚みとレ
ーザ照射のエネルギーについて実験を行ったところ、ス
ポット径φ0.3mmの炭酸ガスレーザでソルダーレジ
スト開口部を形成するために、ソルダーレジスト厚み3
5μmでは16mJ、70μmでは22〜28mJ、1
05μmでは32〜44mJのエネルギー量が必要であ
ることがわかっている。平均的なソルダーレジスト塗布
の場合では、マイクロビアが無いパッド上のソルダーレ
ジスト厚みは20〜30μmしかない。これに対して、
ビルドアップ基板に見られるマイクロビア接続を有する
パッドでは、ソルダーレジスト塗布後、ソルダーレジス
トがパッド内部に流れ込んでしまうので、マイクロビア
部では80〜110μmの厚みを生じてしまう。したが
って、マイクロビアがある場合には、通常の2〜3倍の
エネルギー量のレーザを照射しなければソルダーレジス
ト開口を形成できない。
The energy of laser irradiation necessary for forming the solder resist opening has a correlation with the thickness of the solder resist. An experiment was performed on the thickness of the solder resist and the energy of the laser irradiation. In order to form a solder resist opening with a carbon dioxide laser having a spot diameter of 0.3 mm, the solder resist thickness was 3 mm.
16 mJ at 5 μm, 22-28 mJ at 70 μm, 1
It has been found that an energy of 32 to 44 mJ is required at 05 μm. In the case of an average solder resist application, the thickness of the solder resist on a pad having no micro via is only 20 to 30 μm. On the contrary,
In a pad having a micro via connection seen in a build-up substrate, the solder resist flows into the pad after the solder resist is applied, so that the micro via portion has a thickness of 80 to 110 μm. Therefore, when there is a micro via, a solder resist opening cannot be formed without irradiating a laser with an energy amount of two to three times the normal amount.

【0008】レーザ加工機は投資が大きい装置なので高
いスループットが求められるが、上記理由により、マイ
クロビアを有するCSPパッドのソルダーレジスト形成
では、レーザ加工時間は長くかかる分、生産性が落ちる
という欠点がある。
[0008] The laser processing machine requires a large investment because it has a large investment. However, for the above reasons, the formation of a solder resist for a CSP pad having micro vias has a disadvantage that the laser processing time is long and the productivity is reduced. is there.

【0009】さらに、レーザ照射のエネルギーとソルダ
ーレジストの開口形状に関する実験結果から、ソルダー
レジストの開口形状は、一義的にはレーザ経路におかれ
たマスク形状に規定されるが、エネルギー量が増加する
と、パッド上で反射したレーザの影響を受けて、開口形
状が大きくなる傾向にあることが判っている。スポット
径φ0.3mmの炭酸ガスレーザで厚み35μmのソル
ダーレジストに開口部を形成した場合、エネルギー量1
6mJでは0.294mm、28mJでは0.316m
m、44mJでは0.366mmとなることが判明して
いる。マイクロビア内部のソルダーレジストを開口させ
るために高エネルギーのレーザ条件を適用した場合に
は、同一CSPパッド群にあるマイクロビアの無いCS
Pパッドの開口部は過大になり、隣接回路が露出すると
いう欠点も生じる。
Further, from the experimental results on the energy of the laser irradiation and the opening shape of the solder resist, the opening shape of the solder resist is uniquely defined by the mask shape placed in the laser path. It has been found that the shape of the opening tends to become larger under the influence of the laser reflected on the pad. When an opening is formed in a 35 μm-thick solder resist with a carbon dioxide gas laser having a spot diameter of 0.3 mm, the energy amount is 1
0.294mm at 6mJ, 0.316m at 28mJ
It has been found that at m and 44 mJ, it is 0.366 mm. When high-energy laser conditions are applied to open the solder resist inside the microvia, the CS with no microvia in the same CSP pad group
The opening of the P pad becomes excessively large, and there is a disadvantage that an adjacent circuit is exposed.

【0010】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、CSPパッドのマ
イクロビア有無にかかわらず、低エネルギーかつ同一条
件でレーザ加工が可能で、マイクロビア底にレーザで焼
き付いたソルダーレジスト残渣が生じず、レーザ加工の
生産性が高く、安定した精度と品質が得られるソルダー
レジスト形成方法を提供する点にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to be able to perform laser processing under low energy and the same condition regardless of the presence or absence of a micro via of a CSP pad. An object of the present invention is to provide a solder resist forming method which does not generate a solder resist residue burnt by a laser on the bottom, has high laser processing productivity, and can obtain stable accuracy and quality.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の撮像方法
は、通常の表面実装部品パッドとマイクロビアを有する
CSPパッドを設けたビルドアップ基板のソルダーレジ
スト形成方法において、ソルダーレジスト材料を塗布し
た前記ビルドアップ基板のCSPパッド中心部のソルダ
ーレジストを除去し、前記CSPパッド表面の周辺部に
のみソルダーレジストを残して、ソルダーレジスト開口
部を設ける露光・現像処理工程と、前記CSPパッド表
面の周辺部にのみに残っているソルダーレジストを処理
して、前記CSPパッドの前記ソルダーレジスト開口部
を整形し、前記CSPパッド表面の周辺部のみに残って
いるソルダーレジスト残渣を除去するレーザ加工工程と
を行うことを特徴とするソルダーレジスト形成方法に存
する。請求項2記載の撮像方法は、前記レーザ加工工程
は、前記露光・現像処理工程で設けられたソルダーレジ
スト開口部に半田めっきを塗布した後、行われることを
特徴とする請求項1記載のソルダーレジスト形成方法に
存する。請求項3記載の撮像方法は、前記露光・現像処
理工程では、前記CSPパッドのマイクロビア径より大
きく、前記CSPパッドより小さいソルダーレジスト開
口部を設けることを特徴とする請求項1記載のソルダー
レジスト形成方法に存する。請求項4記載の撮像方法
は、前記露光・現像処理工程では、フォトマスクと基板
との位置精度の誤差量以上、マイクロビア径より大きい
ソルダーレジスト開口部を設けることを特徴とする請求
項1記載のソルダーレジスト形成方法に存する。請求項
5記載の撮像方法は、前記露光・現像処理工程では、フ
ォトマスクと基板との位置精度の誤差量以上、パッドよ
り小さいソルダーレジスト開口部を設けることを特徴と
する請求項1記載のソルダーレジスト形成方法に存す
る。
An image pickup method according to claim 1.
Has normal surface mount component pads and micro vias
Solder register for build-up board with CSP pad
In the strike forming method, a solder resist material is applied
Solder at the center of the CSP pad of the build-up substrate
-Remove the resist and apply it to the periphery of the CSP pad surface
Leaving only the solder resist, solder resist opening
Exposure / development process for providing a section and the CSP pad table
Processing solder resist remaining only on the periphery of the surface
The solder resist opening of the CSP pad
And left only on the periphery of the CSP pad surface
Laser processing to remove solder resist residue
Solder resist forming method characterized by performing
I do. The imaging method according to claim 2, wherein the laser processing step
Is the solder resist provided in the exposure / development process.
After applying solder plating to the strike opening,
The method for forming a solder resist according to claim 1, wherein
Exist. The imaging method according to claim 3, wherein the exposure and development process is performed.
In the process, the diameter is larger than the micro via diameter of the CSP pad.
Open solder resist smaller than the CSP pad
2. The solder according to claim 1, wherein a mouth is provided.
A method for forming a resist. An imaging method according to claim 4.
Means that the photomask and the substrate
Larger than the microvia diameter
Claims characterized by providing a solder resist opening
Item 1 is a solder resist forming method according to Item 1. Claim
5. The imaging method according to item 5, wherein in the exposure / development processing step,
If the position error between the photomask and the substrate is
It is characterized by providing a smaller solder resist opening
The method for forming a solder resist according to claim 1,
You.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明のソルダーレジスト形成方
法は、ビルドアップ基板などパッド内マイクロビアで接
続されたチップサイズパッケージ(以下CSP)などの
微細パッドに対するソルダーレジスト形成方法に関し
て、あらかじめフォト法でマイクロビア径より大きい形
状でソルダーレジストを開口させた後、再度、レーザ加
工にてパッド形状にソルダーレジストを開口させるもの
である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The solder resist forming method of the present invention relates to a method of forming a solder resist for a fine pad such as a chip size package (hereinafter referred to as a CSP) connected by micro vias in a pad such as a build-up substrate by a photo method in advance. After the solder resist is opened in a shape larger than the micro via diameter, the solder resist is again opened in a pad shape by laser processing.

【0013】本発明のソルダーレジスト形成方法につい
て、図1を参照すると、CSPパッド2a、2bにソル
ダーレジスト開口部を形成するという構成に対し、まず
図1(d)にようにフォトマスク5を介してソルダーレ
ジスト4を露光した後、現像して図1(e)に示すごと
く、マイクロビア径より大きいソルダーレジスト開口部
7bを得る。次に、図1(f)のごとく、炭酸ガスレー
ザ8を照射して、図1(g)のごとく、パッド形状のソ
ルダーレジスト開口部9を得るものである。
Referring to FIG. 1, the method of forming a solder resist according to the present invention is different from the method of forming a solder resist opening in CSP pads 2a and 2b through a photomask 5 as shown in FIG. After exposing the solder resist 4, the solder resist 4 is developed to obtain a solder resist opening 7b larger than the micro via diameter as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 1 (f), a carbon dioxide laser 8 is irradiated to obtain a pad-shaped solder resist opening 9 as shown in FIG. 1 (g).

【0014】前記フォトマスクを介してソルダーレジス
トを露光・現像する工程は、CSPパッド2aのマイク
ロビア内部に流れ込んだソルダーレジストを含めて、C
SPパッド中心部のソルダーレジストを除去し、CSP
パッド表面の周辺部にのみソルダーレジストを残すとい
う役目を果たす。
In the step of exposing and developing the solder resist through the photomask, the step of exposing and developing the solder resist flowing into the micro via of the CSP pad 2a is performed.
Remove the solder resist at the center of the SP pad and remove the CSP
It serves to leave the solder resist only on the periphery of the pad surface.

【0015】次のレーザ加工工程では、CSPパッド表
面の周辺部にのみに残っているソルダーレジストのみを
処理して、ソルダーレジスト開口部を整形し、ソルダー
レジストスカムを除去すれば良く、マイクロビアの有無
にかかわらず、低エネルギーかつ同一条件のレーザを使
用できる。
In the next laser processing step, only the solder resist remaining only on the peripheral portion of the CSP pad surface is processed, the solder resist opening is shaped, and the solder resist scum is removed. Regardless of the presence or absence, a laser with low energy and the same conditions can be used.

【0016】以下、本発明のソルダーレジスト形成方法
の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明す
る。
Hereinafter, an embodiment of a method for forming a solder resist according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0017】(第1実施形態)図1(a)〜(h)は、
本発明のソルダーレジスト形成方法の実施の形態を説明
する平面図および断面図である。図1(a)は回路形成
まで完了したビルドアップ配線板の平面図を示す。基板
の表面には、通常の表面実装部品パッド1とCSPパッ
ド2a、2bが混在している。CSPパッド2aは、深
さ40〜100μmのマイクロビアを有し、下層のラン
ド3と接続している。図1(b)〜(h)は、図1
(a)のA−A’断面を工程順に示している。以下に、
本実施形態におけるソルダーレジスト形成方法をA−A
‘断面図で説明する。
(First Embodiment) FIGS. 1 (a) to 1 (h)
It is a top view and a sectional view explaining an embodiment of a solder resist formation method of the present invention. FIG. 1A is a plan view of a build-up wiring board completed up to circuit formation. Normal surface mount component pads 1 and CSP pads 2a and 2b are mixed on the surface of the substrate. The CSP pad 2a has a micro via with a depth of 40 to 100 μm, and is connected to the lower land 3. 1 (b) to 1 (h) correspond to FIG.
The AA 'cross section of FIG. less than,
The method of forming the solder resist according to the present embodiment is described as AA
'A cross-sectional view will be used.

【0018】図1(b)の回路形成が完了したビルドア
ップ基板の全面に感光性のソルダーレジスト4(太陽イ
ンキ製造(株)製PSR−4000)をカーテンコート
法により片面当たり50〜200g/mを塗布して、
80〜90℃の熱風循環乾燥炉で20〜60分間乾燥
し、図1(c)のごとく15〜70μmのソルダーレジ
スト乾燥膜を得る。
A photosensitive solder resist 4 (PSR-4000 manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.) is applied to the entire surface of the build-up substrate on which the circuit formation of FIG. Apply 2 and
It is dried in a hot air circulating drying oven at 80 to 90 ° C. for 20 to 60 minutes to obtain a solder resist dry film of 15 to 70 μm as shown in FIG.

【0019】好適には片面当たり90〜110g/m
を塗布して乾燥し、25〜35μmのソルダーレジスト
膜を得る。また、感光性ソルダーレジスト材料は前記に
限定するものではなく、一般的に使用されている感光性
ソルダーレジスト材料が適用可能である。感光性ソルダ
ーレジストの塗工方法は、カーテンコート方法に限定さ
れない。例えば、液状の感光性ソルダーレジストであれ
ば、スクリーン印刷法、スプレーコート法、ロールコー
ト法など一般的に使用される塗布方法が適用可能であ
る。また、ドライフィルム型の感光性ソルダーレジスト
をラミネートしてコーティングしても適用可能である。
Preferably, 90 to 110 g / m 2 per side.
Is applied and dried to obtain a solder resist film of 25 to 35 μm. Further, the photosensitive solder resist material is not limited to the above, and a commonly used photosensitive solder resist material can be applied. The method for applying the photosensitive solder resist is not limited to the curtain coating method. For example, in the case of a liquid photosensitive solder resist, a commonly used coating method such as a screen printing method, a spray coating method, and a roll coating method can be applied. Further, the present invention is also applicable when laminating and coating a dry film type photosensitive solder resist.

【0020】次に、図1(d)のように、密着露光機を
使用して、所定のパターンを有するフォトマスク5を介
して350〜420nmの波長の紫外線6を250〜1
000mJ/cm照射して、ソルダーレジスト膜を露
光する。
Next, as shown in FIG. 1 (d), ultraviolet rays 6 having a wavelength of 350 to 420 nm are irradiated with a UV light having a wavelength of 350 to 420 nm through a photomask 5 having a predetermined pattern using a contact exposure device.
The solder resist film is exposed by irradiating 000 mJ / cm 2 .

【0021】本実施の形態では感光性ソルダーレジスト
がネガ型であるため、ネガマスクフィルムを使用する
が、感光性ソルダーレジストがポジ型の場合はポジマス
クフィルムを使用して適用可能である。感光性ソルダー
レジストの種類が異なる場合には、照射する波長、およ
び、露光エネルギー量は使用する感光性ソルダーレジス
トの感光性能に合わせた条件を使用すれば良い。
In the present embodiment, a negative mask film is used because the photosensitive solder resist is a negative type. However, when the photosensitive solder resist is a positive type, the present invention can be applied using a positive mask film. When the type of the photosensitive solder resist is different, the irradiation wavelength and the amount of exposure energy may be set to conditions suitable for the photosensitive performance of the photosensitive solder resist to be used.

【0022】次に、25〜35℃で0.5〜2wt%の
炭酸ナトリム水溶液からなる現像液で未露光部分を溶解
除去して、図1(e)のごとく、通常の表面実装部品パ
ッド1に対してソルダーレジスト開口部7a、CSPパ
ッドに対してソルダーレジスト開口部7bを形成する。
通常の表面実装部品パッド1に対してはパッドの外形よ
り大きい相似形で開口させる。CSPパッド2a,2b
については、マイクロビアより大きく、パッドの外形よ
り小さく開口させる。
Next, the unexposed portion is dissolved and removed with a developing solution consisting of a 0.5 to 2 wt% aqueous solution of sodium carbonate at 25 to 35 ° C., as shown in FIG. A solder resist opening 7a for the CSP pad and a solder resist opening 7b for the CSP pad.
An opening is formed in the ordinary surface mount component pad 1 in a similar shape larger than the outer shape of the pad. CSP pads 2a, 2b
The opening is larger than the micro via and smaller than the outer shape of the pad.

【0023】現像液は本実施形態に挙げた物質に限定さ
れるものではなく、使用する感光性ソルダーレジストに
適した現像液であれば良い。感光性ソルダーレジストの
種類によって、有機溶剤やその他のアルカリ水溶液、ア
ルカリ水溶液と有機溶剤の混合物など、最適な現像液を
使用すれば良い。
The developing solution is not limited to the substances described in the present embodiment, but may be any developing solution suitable for the photosensitive solder resist to be used. Depending on the type of the photosensitive solder resist, an optimal developing solution such as an organic solvent or another aqueous alkaline solution, or a mixture of an aqueous alkaline solution and an organic solvent may be used.

【0024】ここで、0.5mmピッチCSPパッド
で、パッド間に回路を二本配線したケースについて、マ
イクロビアを有するCSPパッド2aのソルダーレジス
ト開口部を図2で説明する。図2(a)〜(b)は、本
発明の実施の形態に係るCSPパッドとソルダーレジス
ト開口部を説明する平面図および断面図である。
Here, a description will be given of a solder resist opening of a CSP pad 2a having a micro via in a case where two circuits are wired between pads using a CSP pad having a pitch of 0.5 mm, with reference to FIG. 2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a CSP pad and a solder resist opening according to the embodiment of the present invention.

【0025】図2(a)はマイクロビアを有するCSP
パッドを上から見た図で、図2(b)はA−A’断面図
を示している。マイクロビア(直径D1=0.125m
m)が形成されたCSPパッド(外径=0.275m
m)がソルダーレジスト4に覆われている。この時、ソ
ルダーレジスト開口部7bは直径D2=0.200mm
の円形とする。
FIG. 2A shows a CSP having micro vias.
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the pad as viewed from above. Micro via (diameter D1 = 0.125m
m) formed CSP pad (outer diameter = 0.275m)
m) is covered with the solder resist 4. At this time, the solder resist opening 7b has a diameter D2 = 0.200 mm.
Circle.

【0026】上記設計値である理由は、基板とマスクフ
ィルムを整合する位置精度は±0.025mmであるの
で、不整合が生じた場合でも、マイクロビア内部のソル
ダーレジストを完全に除去することができ、また、パッ
ドに隣接する回路がソルダーレジスト開口から露出しな
いようにするためである。D2<0.175mmの場合
では、不整合が大きい場合にマイクロビア内部のソルダ
ーレジストを露光してしまい、現像工程でマイクロビア
内部のソルダーレジストを除去しきれない危険がある。
また、D2>0.225mmの場合では、パッドに隣接
する回路上のソルダーレジストが露光されず、隣接回路
の銅が露出する危険がある。
The reason for the above design values is that, since the positional accuracy for aligning the substrate and the mask film is ± 0.025 mm, even when mismatching occurs, it is necessary to completely remove the solder resist inside the microvia. It is also possible to prevent the circuit adjacent to the pad from being exposed from the solder resist opening. In the case of D2 <0.175 mm, when the mismatch is large, the solder resist inside the microvia is exposed, and there is a risk that the solder resist inside the microvia cannot be completely removed in the developing process.
When D2> 0.225 mm, the solder resist on the circuit adjacent to the pad is not exposed, and there is a risk that copper in the adjacent circuit is exposed.

【0027】図3は、本発明の実施の形態に係るCSP
パッドを例示する平面図である。CSPパッドの形状、
および、ソルダーレジスト開口部の形状は、図2に示す
ような円形に限らず、図3に例示する形状も含め、多様
な形状に適用可能である。いずれの形状の場合でも、ソ
ルダーレジスト開口部はパッド内のマイクロビア部を全
体に露出させて、パッドに隣接回路の銅が露出しない設
計にしなければならない。
FIG. 3 shows a CSP according to an embodiment of the present invention.
It is a top view which illustrates a pad. CSP pad shape,
Further, the shape of the solder resist opening is not limited to a circle as shown in FIG. 2, but can be applied to various shapes including the shape illustrated in FIG. Regardless of the shape, the solder resist opening must be designed so that the micro via portion in the pad is entirely exposed and the copper of the adjacent circuit is not exposed on the pad.

【0028】図1(f)のように、CSPパッドに対し
て、炭酸ガスレーザ8を照射してCSPパッド2a、2
bの周辺に残っているソルダーレジストを焼成気化させ
て、ソルダーレジスト開口部9を形成する。
As shown in FIG. 1 (f), the CSP pad is irradiated with a carbon dioxide gas laser
By baking and evaporating the solder resist remaining around b, the solder resist opening 9 is formed.

【0029】レーザ加工条件は、CSPパッドの直径、
ソルダーレジストの種類、塗布方法、厚み、硬化度によ
って、最適条件が異なるが、前記0.5mmピッチCS
Pの場合では、スポット径φ0.275〜0.300m
mの炭酸ガスレーザ8を5〜20mJで1〜2パルス照
射するのが好適である。
The laser processing conditions include the diameter of the CSP pad,
Optimum conditions vary depending on the type of solder resist, coating method, thickness, and degree of curing.
In case of P, spot diameter φ0.275 ~ 0.300m
It is preferable to irradiate 1 to 2 pulses of the carbon dioxide laser 8 of 5 m at 5 to 20 mJ.

【0030】図1(g)に示すように、レーザで開口し
たCSPパッド2a、2bのパッド表面の周辺部にはレ
ーザで焼き付いたソルダーレジストスカム10が付着し
た状態である。
As shown in FIG. 1 (g), the solder resist scum 10 burned by the laser is adhered to the periphery of the pad surface of the CSP pads 2a and 2b opened by the laser.

【0031】さらに、シプレイ・ファーイースト(株)
製MLB211が20vol%、キューポジットZが1
0vol%からなる60〜85℃の膨潤浴に1〜5分間
浸漬し、次に、MLB213Aが10vol%、213
Bが15vol%からなる55〜75℃のエッチング浴
に2〜10分間浸漬し、最後にMLB216−2が20
vol%からなる35〜55℃の中和浴に2〜10分間
浸漬することにより、ソルダーレジストスカム10をク
リーニングして、図1(h)に示すような、清浄なCS
Pパッドを得る。
Further, Shipley Far East Co., Ltd.
MLB211 is 20 vol%, Cupposit Z is 1
Immersion in a swelling bath of 60 to 85 ° C. consisting of 0 vol% for 1 to 5 minutes.
B was immersed for 2 to 10 minutes in an etching bath at 55 to 75 ° C. containing 15 vol%, and finally MLB216-2 was 20
The solder resist scum 10 is cleaned by immersing it in a neutralization bath of 35% to 55 ° C. of 30% by volume for 2 to 10 minutes to obtain a clean CS as shown in FIG.
Obtain a P pad.

【0032】本実施の形態に係るソルダーレジスト形成
方法においては、ソルダーレジスト開口部の形成が、マ
スクフィルムによる露光・現像工程とレーザ加工工程の
二段階で行われる。CSPパッドにおいては、あらかじ
め、マイクロビア内部のソルダーレジストを現像工程で
除去してあるため、レーザ加工におけるソルダーレジス
ト除去はマイクロビアの有無にかかわらず、CSPパッ
ドの周辺部のみに残存するソルダーレジストに対しての
み行えば良く、マイクロビア内部のソルダーレジスト除
去は不要となる。
In the method for forming a solder resist according to the present embodiment, the formation of the solder resist opening is performed in two steps, ie, an exposure / development step using a mask film and a laser processing step. In the CSP pad, since the solder resist inside the micro via has been removed in advance in the development process, the solder resist removal in laser processing is performed on the solder resist remaining only in the peripheral part of the CSP pad regardless of the presence or absence of the micro via. And the solder resist inside the micro via is not required.

【0033】従って、マイクロビア内のソルダーレジス
トを除去するための過剰なエネルギーのレーザ照射が不
要であり、マイクロビアの有無にかかわらず全てのCS
Pパッドに対して、同一レーザ加工条件が適用できる。
これにより、管理の容易さとレーザ加工速度の高速化が
図られる。また、マイクロビア内部にレーザで焼き付い
たソルダーレジストの残りを生じることはないので、部
品実装時の半田接続信頼性も高いという効果がもたらさ
れる。
Therefore, laser irradiation with excessive energy for removing the solder resist in the micro via is not required, and all CSs are irrespective of the presence or absence of the micro via.
The same laser processing conditions can be applied to the P pad.
This facilitates management and increases the laser processing speed. Further, since there is no residue of the solder resist burned by the laser inside the micro via, an effect that the reliability of solder connection at the time of component mounting is high is brought about.

【0034】(第2実施形態)本発明のソルダーレジス
ト形成方法の他の実施の形態について、図4を参照して
説明する。
(Second Embodiment) Another embodiment of the solder resist forming method of the present invention will be described with reference to FIG.

【0035】図4(a)〜(i)は、本発明のソルダー
レジスト形成方法の他の実施の形態を説明する平面図お
よび断面図である。図4(a)は、第1実施形態と同様
に回路形成まで完了したプリント配線板の平面図で、図
4(b)〜(i)は、図4(a)のA−A’断面を工程
順に示している。
FIGS. 4A to 4I are a plan view and a sectional view for explaining another embodiment of the solder resist forming method of the present invention. FIG. 4A is a plan view of a printed wiring board which has been completed up to circuit formation as in the first embodiment, and FIGS. 4B to 4I are cross-sectional views taken along the line AA ′ of FIG. It is shown in the order of steps.

【0036】図4(b)〜(e)までは、上述した第1
実施形態と同様の方法で処理する。次に、図4(f)の
ように、半田ペースト11をCSPパッド群全面に供給
した後、半田を溶融して、図4(g)のようにソルダー
レジスト下に浸み込ませて、パッド部全体を半田で覆
う。
FIGS. 4 (b) to 4 (e) show the above-described first embodiment.
Processing is performed in the same manner as in the embodiment. Next, as shown in FIG. 4F, after the solder paste 11 is supplied to the entire surface of the CSP pad group, the solder is melted and soaked under the solder resist as shown in FIG. Cover the entire part with solder.

【0037】半田を供給する方法は、アディティブ法で
製作した厚み0.2mmのメタルマスクを使用して、
(株)タムラ製作所製半田ペーストNSP−95を印刷
した。半田を印刷した後、ピーク温度220〜240℃
に設定した窒素リフロー炉で加熱して半田溶融させた。
The method of supplying the solder is to use a metal mask having a thickness of 0.2 mm manufactured by the additive method.
The solder paste NSP-95 manufactured by Tamura Corporation was printed. After printing solder, peak temperature 220-240 ° C
Was heated in a nitrogen reflow furnace set to the above to melt the solder.

【0038】さらに、図4(h)のように、第1実施形
態と同様の方法で、CSPパッド上に炭酸ガスレーザ8
を照射して、ソルダーレジストを焼成気化する。この
時、同時に半田は再溶融されて、焼き付いたソルダーレ
ジストは半田上に浮き出す。冷却後、半田表面に浮き出
したソルダーレジストを洗浄した後、図4(i)のごと
きプリント配線板が得られる。
Further, as shown in FIG. 4H, the carbon dioxide laser 8 is formed on the CSP pad in the same manner as in the first embodiment.
To bake and evaporate the solder resist. At this time, the solder is re-melted at the same time, and the burned-in solder resist emerges on the solder. After cooling, the solder resist protruding from the solder surface is washed, and a printed wiring board as shown in FIG. 4 (i) is obtained.

【0039】本実施の形態に係るソルダーレジスト形成
方法は、第1実施形態と同様の効果がある。さらに、レ
ーザ加工により焼き付いたソルダーレジストが銅パッド
に付着することはないため、膨潤、粗化、中和工程は不
要となる。
The method for forming a solder resist according to the present embodiment has the same effects as the first embodiment. Further, since the solder resist baked by the laser processing does not adhere to the copper pad, the swelling, roughening, and neutralizing steps are not required.

【0040】なお、本実施の形態においては、本発明は
それに限定されず、本発明を適用する上で好適な配線基
板のレジスト形成に適用することができる。
In the present embodiment, the present invention is not limited to this, and can be applied to the formation of a resist for a wiring board suitable for applying the present invention.

【0041】また、CSPパッドや通常の表面実装部品
パッド、配線等、上記構成部材の数、位置、形状等は上
記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適
な数、位置、形状等にすることができる。
Further, the number, position, shape, etc. of the above-mentioned constituent members, such as CSP pads, ordinary surface-mounted component pads, wiring, etc., are not limited to the above-described embodiment, but are suitable numbers and positions for carrying out the invention. , Shape, etc.

【0042】なお、各図において、同一構成要素には同
一符号を付している。
In each of the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、レーザ加工工程では、CSPパッド表面の周辺部に
のみに残っているソルダーレジストのみを除去すれば良
い。マイクロビア内部に流れ込んだ過剰なソルダーレジ
ストを除去するための高エネルギーのレーザ加工条件は
必要がなく、低エネルギーのレーザ加工条件が使用でき
るため、生産性が向上する。また、CSPパッドのマイ
クロビア有無にかかわらず、レーザ加工条件は同一条件
にできるため、品質管理が容易となる。さらに、マイク
ロビア底にレーザで焼き付いたソルダーレジスト残渣が
生じる心配がないという効果が得られる。
Since the present invention is configured as described above, only the solder resist remaining on the peripheral portion of the CSP pad surface needs to be removed in the laser processing step. There is no need for high-energy laser processing conditions for removing the excessive solder resist that has flowed into the microvias, and low-energy laser processing conditions can be used, so that productivity is improved. Further, regardless of the presence or absence of the micro via of the CSP pad, the laser processing conditions can be set to the same conditions, so that quality control becomes easy. Further, there is obtained an effect that there is no fear that a solder resist residue burned by a laser is formed on the bottom of the micro via.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(h) 本発明のソルダーレジスト形成方法の実施の形態を説明
する平面図および断面図である。
1A to 1H are a plan view and a cross-sectional view illustrating an embodiment of a solder resist forming method according to the present invention.

【図2】(a)〜(b) 本発明の実施の形態に係るCSPパッドとソルダーレジ
スト開口部を説明する平面図および断面図である。
FIGS. 2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a CSP pad and a solder resist opening according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態に係るCSPパッドを例示
する平面図である。
FIG. 3 is a plan view illustrating a CSP pad according to the embodiment of the present invention;

【図4】(a)〜(i) 本発明のソルダーレジスト形成方法の実施の形態を説明
する平面図および断面図である。
FIGS. 4A to 4I are a plan view and a cross-sectional view illustrating an embodiment of a solder resist forming method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 表面実装部品パッド 2a CSPパッド(マイクロビアあり) 2b CSPパッド(マイクロビアなし) 3 ランド 4 ソルダーレジスト 5 フォトマスク 6 紫外線 7a ソルダーレジスト開口部(表面実装部品パッド) 7b ソルダーレジスト開口部(CSPパッド) 8 炭酸ガスレーザ 9 ソルダーレジスト開口部 10 ソルダーレジストスカム 11 半田ペースト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface mount component pad 2a CSP pad (with micro via) 2b CSP pad (without micro via) 3 Land 4 Solder resist 5 Photomask 6 Ultraviolet 7a Solder resist opening (surface mount component pad) 7b Solder resist opening (CSP pad) 8) Carbon dioxide gas laser 9 Solder resist opening 10 Solder resist scum 11 Solder paste

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/28 H05K 3/46 H05K 3/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 3/28 H05K 3/46 H05K 3/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 通常の表面実装部品パッドとマイクロビ
アを有するCSPパッドを設けたビルドアップ基板のソ
ルダーレジスト形成方法において、 ソルダーレジスト材料を塗布した前記ビルドアップ基板
のCSPパッド中心部のソルダーレジストを除去し、前
記CSPパッド表面の周辺部にのみソルダーレジストを
残して、ソルダーレジスト開口部を設ける露光・現像処
理工程と、前記CSPパッド表面の周辺部のみに残っているソルダ
ーレジストのみを処理して、前記CSPパッドの 前記ソ
ルダーレジスト開口部を整形し、前記CSPパッドの周
辺に残っているソルダーレジスト残渣を除去するレーザ
加工工程とを行うことを特徴とするソルダーレジスト形
成方法。
1. A method of forming a solder resist for a build-up board provided with a normal surface mount component pad and a CSP pad having micro vias, wherein the build-up board coated with a solder resist material is provided.
Remove the solder resist at the center of the CSP pad
Apply solder resist only to the periphery of the CSP pad surface
An exposure / development process for providing a solder resist opening, and a solder remaining only in a peripheral portion of the CSP pad surface.
-Only the resist is processed to shape the solder resist opening of the CSP pad, and the periphery of the CSP pad is
Performing a laser processing step of removing a solder resist residue remaining on the side .
【請求項2】 前記レーザ加工工程は、前記露光・現像
処理工程で設けられたソルダーレジスト開口部に半田め
っきを塗布した後、行われることを特徴とする請求項1
記載のソルダーレジスト形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein the laser processing step is performed after applying solder plating to a solder resist opening provided in the exposure / development processing step.
The method for forming a solder resist according to the above.
【請求項3】 前記露光・現像処理工程では、前記CS
Pパッドのマイクロビア径より大きく、前記CSPパッ
ドより小さいソルダーレジスト開口部を設けることを特
徴とする請求項1記載のソルダーレジスト形成方法。
3. The method according to claim 1, wherein the exposing and developing process comprises
2. The method according to claim 1, further comprising providing a solder resist opening that is larger than the micro via diameter of the P pad and smaller than the CSP pad.
【請求項4】 前記露光・現像処理工程では、フォトマ
スクと基板との位置精度の誤差量以上、マイクロビア径
より大きいソルダーレジスト開口部を設けることを特徴
とする請求項1記載のソルダーレジスト形成方法。
4. The solder resist formation according to claim 1, wherein in the exposure / development processing step, a solder resist opening is provided which is equal to or larger than a positional accuracy error between the photomask and the substrate and larger than a micro via diameter. Method.
【請求項5】 前記露光・現像処理工程では、フォトマ
スクと基板との位置精度の誤差量以上、パッドより小さ
いソルダーレジスト開口部を設けることを特徴とする請
求項1記載のソルダーレジスト形成方法。
5. The solder resist forming method according to claim 1, wherein, in the exposure / development process, a solder resist opening smaller than a pad is provided with an error of positional accuracy between the photomask and the substrate.
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