JP3031174B2 - ガス遮断器 - Google Patents
ガス遮断器Info
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- JP3031174B2 JP3031174B2 JP6222957A JP22295794A JP3031174B2 JP 3031174 B2 JP3031174 B2 JP 3031174B2 JP 6222957 A JP6222957 A JP 6222957A JP 22295794 A JP22295794 A JP 22295794A JP 3031174 B2 JP3031174 B2 JP 3031174B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/02—Details
- H01H33/04—Means for extinguishing or preventing arc between current-carrying parts
- H01H33/16—Impedances connected with contacts
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- H—ELECTRICITY
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- H01H33/04—Means for extinguishing or preventing arc between current-carrying parts
- H01H33/16—Impedances connected with contacts
- H01H33/165—Details concerning the impedances
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/02—Details
- H01H33/24—Means for preventing discharge to non-current-carrying parts, e.g. using corona ring
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- Arc-Extinguishing Devices That Are Switches (AREA)
- Circuit Breakers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガス遮断器に係り、特
に、遮断部極間に、電流遮断直後に発生する再起電圧の
上昇を抑制する為のコンデンサなどのインピーダンスを
接続している遮断器の構造に関する。
に、遮断部極間に、電流遮断直後に発生する再起電圧の
上昇を抑制する為のコンデンサなどのインピーダンスを
接続している遮断器の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のガス遮断器は、絶縁ガスが充填さ
れている金属容器内に、固定及び可動接触子からなる遮
断部を有している。そして、再起電圧抑制の為のコンデ
ンサを、該遮断部の接触子間に電気的に並列接続して前
記可動接触子の切離方向に配置している。この種のガス
遮断器においては、従来、例えば実開昭58−41949 号に
記載されているように、遮断部の電界を低減するための
遮断部シールドを設けて、２つの接触子先端の電界を低
減し、さらに、その遮断部シールドとコンデンサの位置
関係を遮断部の電界が低減されるように設定することに
より、遮断性能及び極間の絶縁耐力を改善していた。
れている金属容器内に、固定及び可動接触子からなる遮
断部を有している。そして、再起電圧抑制の為のコンデ
ンサを、該遮断部の接触子間に電気的に並列接続して前
記可動接触子の切離方向に配置している。この種のガス
遮断器においては、従来、例えば実開昭58−41949 号に
記載されているように、遮断部の電界を低減するための
遮断部シールドを設けて、２つの接触子先端の電界を低
減し、さらに、その遮断部シールドとコンデンサの位置
関係を遮断部の電界が低減されるように設定することに
より、遮断性能及び極間の絶縁耐力を改善していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、電力系統のネッ
トワーク化が進んで、遮断器に要求される遮断電流は増
加しており、これに伴い極間に必要なコンデンサの静電
容量も増加する傾向にある。また、電力系統の高電圧化
に伴って、コンデンサの所要絶縁耐力も増加している。
トワーク化が進んで、遮断器に要求される遮断電流は増
加しており、これに伴い極間に必要なコンデンサの静電
容量も増加する傾向にある。また、電力系統の高電圧化
に伴って、コンデンサの所要絶縁耐力も増加している。
【０００４】上記従来技術においては、コンデンサ近傍
の電界について配慮されておらず、コンデンサの絶縁耐
力が低くなっていた。そのため、所要絶縁耐力を確保す
るために、コンデンサ素子の直列数を増やして絶縁距離
を長くしていたので、遮断器全体が大型化していた。ま
た、コンデンサ素子の直列数を増やすと合成静電容量が
小さくなるので、所要静電容量を確保するために並列数
を増やしており、このことも遮断器全体の大型化，高価
格化の要因となっていた。
の電界について配慮されておらず、コンデンサの絶縁耐
力が低くなっていた。そのため、所要絶縁耐力を確保す
るために、コンデンサ素子の直列数を増やして絶縁距離
を長くしていたので、遮断器全体が大型化していた。ま
た、コンデンサ素子の直列数を増やすと合成静電容量が
小さくなるので、所要静電容量を確保するために並列数
を増やしており、このことも遮断器全体の大型化，高価
格化の要因となっていた。
【０００５】本発明の目的は、コンデンサの絶縁耐力を
向上することにより、コンパクトな高電圧大容量のガス
遮断器を得ることである。
向上することにより、コンパクトな高電圧大容量のガス
遮断器を得ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、コンデンサ近傍の電界を緩和するための
シールドを金属容器側と遮断部側の両側に設置し、該シ
ールドの先端の位置を、コンデンサと電極の接触面より
もコンデンサ側に一定距離だけ突き出している。そし
て、前記一定距離を、コンデンサ側面と該シールド先端
との距離に対し１倍以上３倍以下としている。
成するために、コンデンサ近傍の電界を緩和するための
シールドを金属容器側と遮断部側の両側に設置し、該シ
ールドの先端の位置を、コンデンサと電極の接触面より
もコンデンサ側に一定距離だけ突き出している。そし
て、前記一定距離を、コンデンサ側面と該シールド先端
との距離に対し１倍以上３倍以下としている。
【０００７】
【作用】本発明によれば、コンデンサ近傍の電界の歪み
を低減でき、コンデンサの絶縁耐力を高くすることがで
きる。そのためコンデンサ素子の直列数を低減でき、さ
らには、静電容量を高くすることができるので、コンデ
ンサの並列数を減らすことができ、ガス遮断器のコンパ
クト化，低コスト化が実現できる。
を低減でき、コンデンサの絶縁耐力を高くすることがで
きる。そのためコンデンサ素子の直列数を低減でき、さ
らには、静電容量を高くすることができるので、コンデ
ンサの並列数を減らすことができ、ガス遮断器のコンパ
クト化，低コスト化が実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の代表的なガス遮断器を示す
一実施例である。
一実施例である。
【００１０】ガス遮断器は、例えば図１のように、密閉
された円筒状の金属容器１９の内部のほぼ中央に、固定
接触子１と可動接触子２とから構成される遮断部を配置
した構造になっている。金属容器１９の中には、消弧性
能，絶縁性能と共に優れたＳＦ6 ガスが充填されてい
る。固定接触子１と可動接触子２は、それぞれ導体４
ａ，４ｂに取り付けられ電気的に接続されており、導体
４ａ，４ｂは極間支持絶縁物３により固定接続されてい
る。可動接触子２は、図示されない絶縁操作棒を介して
金属容器１９の外部から力を伝達され、遮断と投入動作
を行う。極間支持絶縁物３には円筒状の穴が開いてい
て、複数のコンデンサ素子から構成される極間コンデン
サ７が収納されており、コンデンサ７に接触するコンデ
ンサ押え電極８ａ，８ｂを介して遮断部と並列接続され
ている。
された円筒状の金属容器１９の内部のほぼ中央に、固定
接触子１と可動接触子２とから構成される遮断部を配置
した構造になっている。金属容器１９の中には、消弧性
能，絶縁性能と共に優れたＳＦ6 ガスが充填されてい
る。固定接触子１と可動接触子２は、それぞれ導体４
ａ，４ｂに取り付けられ電気的に接続されており、導体
４ａ，４ｂは極間支持絶縁物３により固定接続されてい
る。可動接触子２は、図示されない絶縁操作棒を介して
金属容器１９の外部から力を伝達され、遮断と投入動作
を行う。極間支持絶縁物３には円筒状の穴が開いてい
て、複数のコンデンサ素子から構成される極間コンデン
サ７が収納されており、コンデンサ７に接触するコンデ
ンサ押え電極８ａ，８ｂを介して遮断部と並列接続され
ている。
【００１１】図２は、図１のガス遮断器をＡ−Ａ′より
見た断面図であり、コンデンサ７の並列数は１０であ
る。
見た断面図であり、コンデンサ７の並列数は１０であ
る。
【００１２】本発明では、以上のような構成を持つガス
遮断器において、コンデンサの電界を緩和するための外
側シールド５ａ，５ｂ、及び、内側シールド６ａ，６ｂ
を設けている。これにより、コンデンサの絶縁耐力が向
上してコンデンサ素子の直列数を少なくでき、さらには
コンデンサの並列数も低減できるので、遮断器を縮小化
することができる。また、遮断部シールド９ａ，９ｂを
シールド５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂとは別に設けて、固定
接触子１と可動接触子２の電界を低減し、遮断後、すな
わち固定接触子１と可動接触子２の切離後の極間絶縁耐
力を向上している。これにより、極間距離が短くなるの
で遮断部を縮小化できると同時に、可動接触子２のスト
ロークが小さくなるので操作器も縮小化できる。
遮断器において、コンデンサの電界を緩和するための外
側シールド５ａ，５ｂ、及び、内側シールド６ａ，６ｂ
を設けている。これにより、コンデンサの絶縁耐力が向
上してコンデンサ素子の直列数を少なくでき、さらには
コンデンサの並列数も低減できるので、遮断器を縮小化
することができる。また、遮断部シールド９ａ，９ｂを
シールド５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂとは別に設けて、固定
接触子１と可動接触子２の電界を低減し、遮断後、すな
わち固定接触子１と可動接触子２の切離後の極間絶縁耐
力を向上している。これにより、極間距離が短くなるの
で遮断部を縮小化できると同時に、可動接触子２のスト
ロークが小さくなるので操作器も縮小化できる。
【００１３】以下、上述の構成の遮断器における絶縁耐
力向上の原理について詳細に説明する。
力向上の原理について詳細に説明する。
【００１４】図３は、コンデンサ７の部分の拡大した断
面図である。コンデンサ用シールド５ａ，６ａはコンデ
ンサ押え電極８ａよりもコンデンサ側へ突き出してお
り、シールド５ａ，６ａの先端とコンデンサ押え電極８
ａの先端との距離Ｌｓは、コンデンサの側面とシールド
先端の距離Ｌｇとの約２倍としている。これにより、コ
ンデンサ近傍の電界の歪みが低減され絶縁耐力が向上す
る。
面図である。コンデンサ用シールド５ａ，６ａはコンデ
ンサ押え電極８ａよりもコンデンサ側へ突き出してお
り、シールド５ａ，６ａの先端とコンデンサ押え電極８
ａの先端との距離Ｌｓは、コンデンサの側面とシールド
先端の距離Ｌｇとの約２倍としている。これにより、コ
ンデンサ近傍の電界の歪みが低減され絶縁耐力が向上す
る。
【００１５】図４は、Ｌｓ／Ｌｇ（＝ＬｓとＬｇとの
比）とコンデンサ７の絶縁耐力との関係の一例である。
絶縁耐力は、Ｌｓ／Ｌｇが約２のときにもっとも高く、
Ｌｓ＝０のときの約１.５ 倍になっている。また、Ｌｓ
／Ｌｇが１以上３以下の範囲では、絶縁耐力はＬｓ／Ｌ
ｇ＝２のときと比較して３％以程度しか変わらない。し
かし、Ｌｓ／Ｌｇがこの範囲から離れると絶縁耐力は低
下していく。
比）とコンデンサ７の絶縁耐力との関係の一例である。
絶縁耐力は、Ｌｓ／Ｌｇが約２のときにもっとも高く、
Ｌｓ＝０のときの約１.５ 倍になっている。また、Ｌｓ
／Ｌｇが１以上３以下の範囲では、絶縁耐力はＬｓ／Ｌ
ｇ＝２のときと比較して３％以程度しか変わらない。し
かし、Ｌｓ／Ｌｇがこの範囲から離れると絶縁耐力は低
下していく。
【００１６】このように、Ｌｓの大きさによって絶縁耐
力が高くなるのは、コンデンサ近傍の電界の歪みが低減
されるためである。図５は，従来の一実施例におけるコ
ンデンサ押え電極８ａ付近の構造である。シールド５ａ
の先端とコンデンサ押え電極８ａの先端の位置はほぼ同
じである。このような場合、等電位線１２はシールド５
ａとコンデンサ押え電極８ａの間に入り込み、電極８ａ
の角部で電界の歪が大きくなり絶縁耐力低下の原因とな
る。また、遮断部シールド９ａは設けているが、コンデ
ンサの内側近傍にシールド６ａを設けていないため、電
極８ａの角部での電界の歪はさらに大きくなる。
力が高くなるのは、コンデンサ近傍の電界の歪みが低減
されるためである。図５は，従来の一実施例におけるコ
ンデンサ押え電極８ａ付近の構造である。シールド５ａ
の先端とコンデンサ押え電極８ａの先端の位置はほぼ同
じである。このような場合、等電位線１２はシールド５
ａとコンデンサ押え電極８ａの間に入り込み、電極８ａ
の角部で電界の歪が大きくなり絶縁耐力低下の原因とな
る。また、遮断部シールド９ａは設けているが、コンデ
ンサの内側近傍にシールド６ａを設けていないため、電
極８ａの角部での電界の歪はさらに大きくなる。
【００１７】これに対し、本実施例では、図３に示すよ
うに、等電位線１１がコンデンサの側面にほぼ垂直に入
ることにより、電極８ａ先端の電界の歪が低減されるた
め、絶縁耐力が向上する。しかし、Ｌｓを大きくしすぎ
ると、図５とは逆向きに歪んでしまうため、絶縁耐力
は、図４に示したようにかえって低下する。
うに、等電位線１１がコンデンサの側面にほぼ垂直に入
ることにより、電極８ａ先端の電界の歪が低減されるた
め、絶縁耐力が向上する。しかし、Ｌｓを大きくしすぎ
ると、図５とは逆向きに歪んでしまうため、絶縁耐力
は、図４に示したようにかえって低下する。
【００１８】以上述べたことは、コンデンサ７を極間支
持絶縁物３に挿入せず、別の絶縁筒に挿入して遮断部極
間に並列に配置した場合にも適用できる。通常、この絶
縁筒は極間支持絶縁物３よりも薄くＬｇが小さくなるの
で、それに比例して適切なＬｓの長さも短くなるが、Ｌ
ｓ／Ｌｇの関係については上述したことが適用できる。
また、コンデンサ以外のインピーダンス素子を遮断器内
に配置した場合にも上述したことを適用できる。
持絶縁物３に挿入せず、別の絶縁筒に挿入して遮断部極
間に並列に配置した場合にも適用できる。通常、この絶
縁筒は極間支持絶縁物３よりも薄くＬｇが小さくなるの
で、それに比例して適切なＬｓの長さも短くなるが、Ｌ
ｓ／Ｌｇの関係については上述したことが適用できる。
また、コンデンサ以外のインピーダンス素子を遮断器内
に配置した場合にも上述したことを適用できる。
【００１９】図１〜図３の実施例では、コンデンサ７を
極間支持絶縁物３の中に挿入する前に、極間支持絶縁物
３よりも誘電率の低い絶縁筒１０の中にコンデンサを挿
入している。これにも、コンデンサ側面の電界を低減し
コンデンサの絶縁耐力を低減する効果がある。図６は、
コンデンサ７の電界集中部の電界と絶縁筒１０の厚さと
の関係である。図６において、電界値は、絶縁筒１０の
厚さが十分厚い場合の電界値に対する相対値で示してい
る。絶縁筒１０の厚さが厚いほど電界集中が緩和され、
絶縁筒１０の厚さが０.１ mm以上の場合には、電界集中
は十分緩和されている。従って、絶縁筒１０の厚さを
０.１ mm以上とすることにより、絶縁耐力を高くするこ
とができる。
極間支持絶縁物３の中に挿入する前に、極間支持絶縁物
３よりも誘電率の低い絶縁筒１０の中にコンデンサを挿
入している。これにも、コンデンサ側面の電界を低減し
コンデンサの絶縁耐力を低減する効果がある。図６は、
コンデンサ７の電界集中部の電界と絶縁筒１０の厚さと
の関係である。図６において、電界値は、絶縁筒１０の
厚さが十分厚い場合の電界値に対する相対値で示してい
る。絶縁筒１０の厚さが厚いほど電界集中が緩和され、
絶縁筒１０の厚さが０.１ mm以上の場合には、電界集中
は十分緩和されている。従って、絶縁筒１０の厚さを
０.１ mm以上とすることにより、絶縁耐力を高くするこ
とができる。
【００２０】ただし、絶縁筒１０の厚さが１０mm以上で
は電界集中はほとんど変化なく、また、絶縁筒１０の厚
さを１０mm以上にすると極間支持絶縁物３にコンデンサ
を収納するために開ける穴の径が大きくなり過ぎ、極間
支持絶縁物３の機械的強度が低下するので、絶縁筒１０
の厚さは１０mm以下としている。
は電界集中はほとんど変化なく、また、絶縁筒１０の厚
さを１０mm以上にすると極間支持絶縁物３にコンデンサ
を収納するために開ける穴の径が大きくなり過ぎ、極間
支持絶縁物３の機械的強度が低下するので、絶縁筒１０
の厚さは１０mm以下としている。
【００２１】極間支持絶縁物３はアルミナ充填エポキシ
樹脂などで注型することが多く比誘電率は５〜６であ
る。従って、前述の誘電率の低い誘電体としては四フッ
化エチレンの重合体などのフッ素樹脂があり、比誘電率
が２.５ 以下のものがある。
樹脂などで注型することが多く比誘電率は５〜６であ
る。従って、前述の誘電率の低い誘電体としては四フッ
化エチレンの重合体などのフッ素樹脂があり、比誘電率
が２.５ 以下のものがある。
【００２２】図３においてコンデンサ押え電極８ａ，８
ｂの太さは、絶縁筒１０の内径より太くしている。これ
によりコンデンサ７を極間支持絶縁物３に挿入する際
に、絶縁筒１０を電極８ａ，８ｂで押し込むことができ
るので、絶縁筒１０はコンデンサの側面に確実に配置さ
れる。このとき絶縁筒１０の長さはコンデンサ７の長さ
以下としている。
ｂの太さは、絶縁筒１０の内径より太くしている。これ
によりコンデンサ７を極間支持絶縁物３に挿入する際
に、絶縁筒１０を電極８ａ，８ｂで押し込むことができ
るので、絶縁筒１０はコンデンサの側面に確実に配置さ
れる。このとき絶縁筒１０の長さはコンデンサ７の長さ
以下としている。
【００２３】さらに、コンデンサ押え電極８ａ，８ｂの
太さを、絶縁筒１０の外径より小さくすれば、極間支持
絶縁物３にコンデンサ挿入のために開ける穴の径と絶縁
筒１０の外径を同程度にできるので、穴の中でのコンデ
ンサの動きを抑制し、機械的な損傷を防止でき信頼性を
向上することができる。
太さを、絶縁筒１０の外径より小さくすれば、極間支持
絶縁物３にコンデンサ挿入のために開ける穴の径と絶縁
筒１０の外径を同程度にできるので、穴の中でのコンデ
ンサの動きを抑制し、機械的な損傷を防止でき信頼性を
向上することができる。
【００２４】以上述べたことにより、コンデンサ７の絶
縁耐力を高くすることができるので、コンデンサ７を構
成するコンデンサ素子の直列数を減らすことができ、コ
ンデンサ７の長さを短くすることができる。また、コン
デンサ素子の直列数が減ると合成静電容量が増えるの
で、所要静電容量の確保が容易になり、高電圧大容量の
ガス遮断器をコンパクト化・高信頼化することができ
る。また、コンデンサの長さを小さくできるので、極間
絶縁支持物３を短くすることができ、機械的強度の向
上，信頼性の向上，製作コストの低減を図ることができ
る。
縁耐力を高くすることができるので、コンデンサ７を構
成するコンデンサ素子の直列数を減らすことができ、コ
ンデンサ７の長さを短くすることができる。また、コン
デンサ素子の直列数が減ると合成静電容量が増えるの
で、所要静電容量の確保が容易になり、高電圧大容量の
ガス遮断器をコンパクト化・高信頼化することができ
る。また、コンデンサの長さを小さくできるので、極間
絶縁支持物３を短くすることができ、機械的強度の向
上，信頼性の向上，製作コストの低減を図ることができ
る。
【００２５】ところで、コンデンサ用シールド５ａ，５
ｂ，６ａ，６ｂを上述の構成とすることによりコンデン
サの絶縁耐力を確保すれば、遮断部シールド９ａ，９ｂ
は、コンデンサの絶縁耐力に影響しないので、遮断部の
電界低減を主目的にその位置や形状を設計することがで
きる。図７，図８は、投入抵抗接点２０を備えた遮断器
についての本発明の実施例における断面図である。図７
は、遮断部シールド９ａを外側シールド５ａにつなげた
実施例であり、図８は遮断部シールド９ａを外側シール
ド５ａと独立に設けた実施例である。例えば、図８の遮
断部シールド９ａはパイプ状の金属をつなぎあわせるこ
とにより容易に製作できる。
ｂ，６ａ，６ｂを上述の構成とすることによりコンデン
サの絶縁耐力を確保すれば、遮断部シールド９ａ，９ｂ
は、コンデンサの絶縁耐力に影響しないので、遮断部の
電界低減を主目的にその位置や形状を設計することがで
きる。図７，図８は、投入抵抗接点２０を備えた遮断器
についての本発明の実施例における断面図である。図７
は、遮断部シールド９ａを外側シールド５ａにつなげた
実施例であり、図８は遮断部シールド９ａを外側シール
ド５ａと独立に設けた実施例である。例えば、図８の遮
断部シールド９ａはパイプ状の金属をつなぎあわせるこ
とにより容易に製作できる。
【００２６】これらの構成により、固定接触子１，可動
接触子２の電界を低減して、遮断部極間の絶縁耐力を高
めることができ、遮断後の極間絶縁耐力を向上できる。
これにより、極間距離が短くなるので遮断部を縮小化で
きると同時に、可動接触子２のストロークが小さくなる
ので操作器も縮小化できる。
接触子２の電界を低減して、遮断部極間の絶縁耐力を高
めることができ、遮断後の極間絶縁耐力を向上できる。
これにより、極間距離が短くなるので遮断部を縮小化で
きると同時に、可動接触子２のストロークが小さくなる
ので操作器も縮小化できる。
【００２７】上述の構成により、コンデンサ７の絶縁耐
力と遮断部極間の絶縁耐力を同程度にして絶縁協調を図
ると、コンデンサ７の長さは、遮断部の極間距離の２倍
以上３倍以下の範囲となる。
力と遮断部極間の絶縁耐力を同程度にして絶縁協調を図
ると、コンデンサ７の長さは、遮断部の極間距離の２倍
以上３倍以下の範囲となる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガス遮
断器の所要絶縁耐力を確保したまま、遮断部に並列接続
されたコンデンサを少なくすることができ、また、遮断
部をも小さくすることができるので、信頼性が高く且つ
コンパクトな高電圧大容量のガス遮断器を提供すること
ができる。
断器の所要絶縁耐力を確保したまま、遮断部に並列接続
されたコンデンサを少なくすることができ、また、遮断
部をも小さくすることができるので、信頼性が高く且つ
コンパクトな高電圧大容量のガス遮断器を提供すること
ができる。
【図１】本発明の具体的実施例を示す遮断部の縦断面図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａより見た断面図である。
【図３】極間コンデンサの拡大した断面図である。
【図４】コンデンサ用シールドの位置Ｌｓと絶縁耐力と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図５】従来の実施例における極間コンデンサ部の電界
分布である。
分布である。
【図６】誘電率の低い絶縁筒の厚さと電界との関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図７】投入抵抗接点を備えた遮断器についての本発明
の一実施例における断面図である。
の一実施例における断面図である。
【図８】投入抵抗接点を備えた遮断器についての本発明
の一実施例における断面図である。
の一実施例における断面図である。
１…固定接触子、２…可動接触子、３…極間支持絶縁
物、４ａ，４ｂ…導体、５ａ，５ｂ…コンデンサ用外側
シールド、６ａ，６ｂ…コンデンサ用内側シールド、７
…極間コンデンサ、８ａ，８ｂ…コンデンサ押え電極、
９ａ，９ｂ…遮断部シールド、１０…絶縁筒、１１，１
２…等電位線、１９…金属容器、２０…投入抵抗接点。
物、４ａ，４ｂ…導体、５ａ，５ｂ…コンデンサ用外側
シールド、６ａ，６ｂ…コンデンサ用内側シールド、７
…極間コンデンサ、８ａ，８ｂ…コンデンサ押え電極、
９ａ，９ｂ…遮断部シールド、１０…絶縁筒、１１，１
２…等電位線、１９…金属容器、２０…投入抵抗接点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大門 五郎 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株 式会社 日立製作所 国分工場内 (72)発明者 土屋 賢治 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株 式会社 日立製作所 国分工場内 (56)参考文献 特開 平５−282969（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−123733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−9022（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−41949（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01H 33/16
Claims (7)
- 【請求項１】絶縁ガスが充填された金属容器内に第１接
触子と第２接触子が接離自在に相対する遮断部と、該遮
断部の周囲に設けられた遮断部シールドと、インピーダ
ンスとを配置したガス遮断器において、前記インピーダ
ンスの近傍に前記遮断部シールドとは別のシールドを設
け、該シールドの先端位置を前記インピーダンスに接触
する電極と前記インピーダンスとの接触面よりも前記イ
ンピーダンス側に一定距離突出させると共に、該突出し
た一定距離を前記インピーダンスの側面と前記遮断部シ
ールドとは別のシールドの先端との距離に対し１倍以上
３倍以下としたことを特徴とするガス遮断器。 - 【請求項２】絶縁ガスが充填された金属容器内に第１接
触子と第２接触子が接離自在に相対する遮断部と、該遮
断部の周囲に設けられた遮断部シールドと、インピーダ
ンスとを配置したガス遮断器において、前記インピーダ
ンスの近傍に前記遮断部シールドとは別のシールドを設
け、該シールドの先端位置を前記インピーダンスに接触
する電極と前記インピーダンスとの接触面よりも前記イ
ンピーダンス側に一定距離突出させると共に、前記遮断
部シールドとは別のシールドを前記インピーダンスの前
記金属容器側と前記遮断部側の両側に設けたことを特徴
とするガス遮断器。 - 【請求項３】絶縁ガスが充填された金属容器内に第１接
触子と第２接触子が接離自在に相対する遮断部と、該遮
断部の周囲に設けられた遮断部シールドと、前記遮断部
の２つの接触子間に並列接続されたコンデンサとを配置
したガス遮断器において、前記コンデンサの近傍に前記
遮断部シールドとは別のシールドを設け、該シールドの
先端位置を前記コンデンサに接触する電極と前記コンデ
ンサとの接触面よりも前記コンデンサ側に一定距離突出
させると共に、該突出した一定距離を前記コンデンサの
側面と前記遮断部シールドとは別のシールドの先端との
距離に対し１倍以上３倍以下としたことを特徴とするガ
ス遮断器。 - 【請求項４】絶縁ガスが充填された金属容器内に第１接
触子と第２接触子が接離自在に相対する遮断部と、該遮
断部の周囲に設けられた遮断部シールドと、前記遮断部
の２つの接触子間に並列接続されたコンデンサとを配置
したガス遮断器において、前記コンデンサの近傍に前記
遮断部シールドとは別のシールドを設け、該シールドの
先端位置を前記コンデンサに接触する電極と前記コンデ
ンサとの接触面よりも前記コンデンサ側に一定距離突出
させると共に、前記遮断部シールドとは別のシールドを
前記コンデンサの前記金属容器側と前記遮断部側の両側
に設けたことを特徴とするガス遮断器。 - 【請求項５】請求項３又は４において、前記コンデンサ
の長さを前記遮断部の前記接触子が最も離れている距離
に対し２倍以上３倍以下としたことを特徴とするガス遮
断器。 - 【請求項６】請求項３又は４において、前記遮断部の２
つの接触子間を極間絶縁支持物で支持すると共に、前記
コンデンサを前記極間絶縁支持物内に配置したことを特
徴とするガス遮断器。 - 【請求項７】請求項６において、前記コンデンサを前記
極間絶縁支持物の誘電率よりも小さい誘電率絶縁筒内に
収納した状態で前記極間絶縁支持物内に配置したことを
特徴とするガス遮断器。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP6222957A JP3031174B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | ガス遮断器 |
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| JP6222957A JP3031174B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | ガス遮断器 |
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