JP3028018B2 - Pulse drive device for GTO thyristor inverter - Google Patents

Pulse drive device for GTO thyristor inverter

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JP3028018B2
JP3028018B2 JP6001811A JP181194A JP3028018B2 JP 3028018 B2 JP3028018 B2 JP 3028018B2 JP 6001811 A JP6001811 A JP 6001811A JP 181194 A JP181194 A JP 181194A JP 3028018 B2 JP3028018 B2 JP 3028018B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、大電力用GTO(ゲ
ートターンオフ)サイリスタをスイッチング素子として
使用した単相あるいは多相のGTOサイリスタインバー
タのパルス駆動装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse driving apparatus for a single-phase or multi-phase GTO thyristor inverter using a high power GTO (gate turn-off) thyristor as a switching element.

【0002】[0002]

【従来の技術】変電所に設置される無効電力補償装置な
どに使用されるGTOサイリスタインバータは、図4に
示すように、第1〜第4の変換用GTOサイリスタQ1
〜Q4をブリッジ接続したブリッジ回路3と、その直流
電源1と、直流電源1からブリッジ回路3への給電路中
に挿入接続された短絡電流遮断用GTOスイッチQS
備える。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a GTO thyristor inverter used for a reactive power compensator installed in a substation includes first to fourth GTO thyristors Q 1 for conversion.
~Q comprising 4 a bridge circuit 3 that bridge connection, and its direct current power source 1, GTO switch Q S for insertion-connected short-circuit current interruption to the power supply path from the DC power supply 1 to the bridge circuit 3.

【0003】ブリッジ回路3は、第1の変換用GTOサ
イリスタQ1と第2の変換用GTOサイリスタQ2の直列
回路と、第3の変換用GTOサイリスタQ3と第4の変
換用GTOサイリスタQ4の直列回路を並列接続し、各
直列回路の変換用GTOサイリスタ接続点の間に負荷2
を接続している。各変換用GTOサイリスタQ1〜Q4
は、還流ダイオードD1〜D4、スナバ回路S1〜S4が並
列接続される。スナバ回路S1〜S4は、例えばスナバコ
ンデンサとダイオードを直列接続し、ダイオードに抵抗
を並列接続して構成される。短絡電流遮断用GTOスイ
ッチQSはGT Oサイリスタで、これにも還流ダイオー
ドD5、スナバ回路S5が並列接続される。
The bridge circuit 3 includes a first conversion GTO circuit.
Irista Q1And second conversion GTO thyristor QTwoSeries
Circuit and third conversion GTO thyristor QThreeAnd the fourth change
Replacement GTO thyristor QFourConnected in parallel with each other
Load 2 between GTO thyristor connection points for conversion of series circuit
Are connected. GTO thyristor Q for each conversion1~ QFourTo
Is the reflux diode D1~ DFour, Snubber circuit S1~ SFourAverage
Column connected. Snubber circuit S1~ SFourIs, for example,
Connect a capacitor and a diode in series, and
Are connected in parallel. GTO switch for short-circuit current interruption
Switch QSIs GT O thyristor, this is also a circulating diode
Do DFive, Snubber circuit SFiveAre connected in parallel.

【0004】ブリッジ回路3の第1と第4の変換用GT
OサイリスタQ1、Q4がオンするときは、第2と第3の
変換用GTOサイリスタQ2、Q3がオフし、第2と第3
の変換用GTOサイリスタQ2、Q3がオンするときは、
第1と第4の変換用GTOサイリスタQ1、Q4がオフ
し、この交互のオンオフの繰り返しで負荷2に交流電力
が供給される。第1と第2の変換用GTOサイリスタQ
1、Q2、或いは、第3と第4の変換用GTOサイリスタ
3、Q4が同時オンするとブリッジ回路3が短絡される
ので、第1と第2の変換用GTOサイリスタQ1、Q2
及び、第3と第4の変換用GTOサイリスタQ3、Q4
両者は同時オンを避けるためのデッドタイム付加処理さ
れたパルス信号でオンオフ駆動制御される。
The first and fourth conversion GTs of the bridge circuit 3
When the O thyristors Q 1 and Q 4 are turned on, the second and third conversion GTO thyristors Q 2 and Q 3 are turned off, and the second and third GTO thyristors Q 2 and Q 3 are turned off.
When the conversion GTO thyristors Q 2 and Q 3 are turned on,
The first and fourth conversion GTO thyristors Q 1 and Q 4 are turned off, and the alternating power is supplied to the load 2 by repeating this alternate on and off. First and second conversion GTO thyristor Q
1, Q 2, or the third and fourth conversion GTO thyristor Q 3, since Q 4 is short-circuited bridge circuit 3 is turned on simultaneously, for the first and second conversion GTO thyristor Q 1, Q 2 ,
Further, both the third and fourth conversion GTO thyristors Q 3 and Q 4 are ON / OFF-driven controlled by a pulse signal subjected to a dead time addition process to avoid simultaneous ON.

【0005】また、短絡電流遮断用GTOスイッチQS
は、ブリッジ回路3に事故発生などで短絡電流が流れる
とオフして、ブリッジ回路3を保護する。
A short-circuit current interrupting GTO switch Q S
Turns off when a short-circuit current flows through the bridge circuit 3 due to an accident or the like, and protects the bridge circuit 3.

【0006】図4の直流遮断型GTOサイリスタインバ
ータを駆動させるパルス駆動装置の従来例を図5に、そ
の動作波形図を図6に示す。図5のパルス駆動装置は、
第1と第4の変換用GTOサイリスタQ1、Q4と短絡電
流遮断用GTOスイッチQSを、及び、第2と第3の変
換用GTOサイリスタQ2、Q3と短絡電流遮断用GTO
スイッチQSのハイゲート駆動を行わせるもので、負荷
2の駆動を制御する制 御信号Vに基づいて各変換用GT
OサイリスタQ1〜Q4と短絡電流遮断用GTOスイッチ
Sをオンオフ駆動させるパルス信号を発生するインタ
ーフェイス回路4'と、第1〜第4の変換用GTOサイ
リスタQ1〜Q4を駆動させる第1〜第4のゲート駆動回
路GD1〜GD4と、短絡電流遮断用GTOスイッチQS
を駆動させる第5のゲート駆動回路GD5を有する。
FIG. 4 shows a direct current cutoff type GTO thyristor invertor.
FIG. 5 shows a conventional example of a pulse driving device for driving a motor.
6 is shown in FIG. The pulse driving device of FIG.
First and fourth conversion GTO thyristors Q1, QFourAnd short circuit
GTO switch Q for flow cutoffSAnd the second and third transformations
Replacement GTO thyristor QTwo, QThreeAnd GTO for short-circuit current interruption
Switch QSThe high gate drive of
Control system for driving 2 GT for each conversion based on control signal V
O thyristor Q1~ QFourAnd GTO switch for short-circuit current interruption
QSTo generate a pulse signal to drive the
And the first to fourth GTO conversion circuits.
Lister Q1~ QFourThe first to fourth gate driving circuits
Road GD1~ GDFourAnd short-circuit current interrupting GTO switch QS
Gate drive circuit GD for drivingFiveHaving.

【0007】インターフェイス回路4'は、第1と第2
の変換用GTOサイリスタQ1、Q2及び第3と第4の変
換用GTOサイリスタQ3、Q4が同時オンするのを防止
するデッドタイム形成回路DT'と、短絡電流遮断用G
TOスイッチQSのハイゲート駆動を行うためのパルス
を与える論理回路5を備える。論理回路5は、一対のア
ンド回路6、7と1つのオア回路8で構成される。デッ
ドタイム形成回路DT'から図6(a)〜(d)の波形
のパルス信号が対応する第1〜第4のゲート駆動回路G
1〜GD4に出力される。各ゲート駆動回路GD1〜G
4から図6(e)〜(h)の波形のパルス信号が対応
する第1〜第4の変換用GTOサイリスタQ 1〜Q4のゲ
ートに出力されて、各変換用GTOサイリスタQ1〜Q4
のオンオフ駆動が行われる。同時に図6(e)〜(h)
の返り信号が論理回路5のアンド回路6、7に出力され
て、短絡電流遮断用GTOスイッチQSのハイゲート駆
動が行われる。
[0007] Interface circuit 4'Are the first and second
GTO thyristor Q for conversion1, QTwoAnd the third and fourth changes
Replacement GTO thyristor QThree, QFourTo prevent simultaneous turning on
Dead time forming circuit DT'And G for short-circuit current interruption
TO switch QSFor performing high gate drive of
Is provided. The logic circuit 5 includes a pair of
And OR circuits 8 and 7. D
6 (a) to 6 (d) from the dead time forming circuit DT '.
To fourth gate drive circuits G corresponding to the pulse signals of
D1~ GDFourIs output to Each gate drive circuit GD1~ G
DFour6 (e) to 6 (h) correspond to the pulse signals
First to fourth GTO thyristor Q for conversion 1~ QFourNo
GTO thyristor Q for each conversion1~ QFour
Is turned on and off. At the same time, FIG.
Is output to the AND circuits 6, 7 of the logic circuit 5.
GTO switch Q for short-circuit current interruptionSHigh gate drive
Action is performed.

【0008】図6(a)は、第1の変換用GTOサイリ
スタQ1をオンさせるパルス信号を、その立ち上がりか
ら所定のデッドタイムt'だけ削除したデッドタイム有
りのパルス信号が示される。図6(b)は、第2の変換
用GTOサイリスタQ2をオンさせるパルス信号を、そ
の立ち上がりから所定のデッドタイムt'だけ削除した
デッドタイム有りのパルス信号が示される。デッドタイ
ムt'は、第1と第2の変換用GTOサイリスタQ1、Q
2のオン信号が重なって同時オンするのを防止する時間
であり、例えば50μSに設定されている。図6(c)
と図6(d)は、第3と第4の変換用GTOサイリスタ
3、Q4をオンさせるパルス信号に50μsのデッドタ
イムt'を付与したデッドタイム有りのパルス信号であ
る。
FIG. 6A shows a pulse signal having a dead time obtained by removing a pulse signal for turning on the first conversion GTO thyristor Q 1 by a predetermined dead time t ′ from its rise. 6 (b) is a pulse signal for turning on the second conversion from GTO thyristor Q 2, pulse signals there dead time was removed from the rise predetermined dead time t 'is shown. The dead time t ′ is determined by the first and second GTO thyristors Q 1 and Q 2 for conversion.
This is the time to prevent the two ON signals from being simultaneously turned on simultaneously, and is set to, for example, 50 μS. FIG. 6 (c)
FIG. 6D shows a pulse signal having a dead time obtained by adding a dead time t ′ of 50 μs to the pulse signal for turning on the third and fourth GTO thyristors Q 3 and Q 4 for conversion.

【0009】インターフェイス回路4'から第1と第4
のゲート駆動回路GD1、GD4に図6(a)と図6
(d)のデッドタイム有りのパルス信号が出力される
と、第1と第4のゲート駆動回路GD1、GD4は、図6
(e)と図6(h)のオン信号を対応する第1と第4の
変換用GTOサイリスタQ1、Q4のゲートに出力してそ
れぞれをオン駆動させる。同時に第1と第4のゲート駆
動回路GD1、GD4のオン信号がインターフェイス回路
'のアンド回路6に返り信号として送られ、アンド回
路6からオア回路8に図6(i)のパルス信号が送られ
て、オア回路8から第5のゲート駆動回路GD5に図6
(k)のオン信号が出力される。第5のゲート駆動回路
GD5は入力されたオン信号の立ち上がりで、図6
(l)のハイゲート信号を短絡電流遮断用GTOスイッ
チQSのゲートに印加して、短絡電流遮断用GTOスイ
ッチQSをハイゲート駆動させる。
First and fourth interface circuits 4 '
The gate drive circuits GD 1 and GD 4 of FIG.
When the pulse signal with the dead time shown in (d) is output, the first and fourth gate drive circuits GD 1 and GD 4 operate as shown in FIG.
(E) and the ON signal of FIG. 6 (h) are output to the gates of the corresponding first and fourth GTO thyristors Q 1 and Q 4 for conversion to drive them ON. At the same time, the ON signals of the first and fourth gate drive circuits GD 1 , GD 4 are sent as return signals to the AND circuit 6 of the interface circuit 4 , and the AND circuit 6 sends the pulse signal of FIG. it is sent, Fig from the OR circuit 8 to the gate driver circuit GD 5 of the 5 6
The (k) ON signal is output. At the rise of the fifth gate driver circuit GD 5 is inputted ON signal, FIG. 6
Is applied to the gate of the Highgate signals the short-circuit current blocking GTO switch Q S of (l), to Highgate drive the short-circuit current blocking GTO switch Q S.

【0010】また、インターフェイス回路4'から第2
と第3のゲート駆動回路GD2、GD 3に図6(b)と図
6(c)のデッドタイム有りのパルス信号が出力される
と、第2と第3のゲート駆動回路GD2、GD3は、図6
(f)と図6(g)のオン信号を対応する第2と第3の
変換用GTOサイリスタQ2、Q3のゲートに出力してそ
れぞれをオン駆動させる。同時に第2と第3のゲート駆
動回路GD2、GD3のオン信号がインターフェイス回路
4'のアンド回路7に返り信号として送られ、アンド回
路7からオア回路8に図6(j)のパルス信号が送られ
る。この場合もオア回路8から第5のゲート駆動回路G
5への図6(k)のハイゲート駆動用のパルス信号で
短絡電流遮断用GTOスイッチQSがハイゲート駆動す
る。
Further, the second interface circuit 4 '
And the third gate drive circuit GDTwo, GD ThreeFigure 6 (b) and figure
A pulse signal with dead time of 6 (c) is output
And second and third gate drive circuits GDTwo, GDThreeFigure 6
(F) and second and third corresponding ON signals of FIG.
GTO thyristor Q for conversionTwo, QThreeOutput to the gate of
Each is turned on. At the same time, the second and third gate drive
Dynamic circuit GDTwo, GDThreeON signal is the interface circuit
4 'is sent to the AND circuit 7 as a return signal,
6 (j) is sent from the path 7 to the OR circuit 8.
You. Also in this case, the OR circuit 8 to the fifth gate drive circuit G
DFiveTo the high gate drive pulse signal of FIG.
GTO switch Q for short-circuit current interruptionSDrive high gate
You.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】図5のパルス駆動装置
は、第1と第4の変換用GTOサイリスタQ1、Q4をオ
ンさせるパルス信号のアンド信号で短絡電流遮断用GT
OスイッチQSを第1と第4の変換用GTOサイリスタ
1、Q4と同時にハイゲート駆動させている。ところ
が、短絡電流遮断用GTOスイッチQSを第1と第4の
変換用GTOサイリスタQ1、Q4と同時オンさせる図6
(i)のアンド信号の立ち上がりから短絡電流遮断用G
TOスイッチQSがハイゲート駆動するまでに数μs〜
10μs程度の制御遅れ時間αが生じることがある。こ
の制御遅れ時間αは、論理回路5の処理時間遅れや、短
絡電流遮断用GTOスイッチQSの特性上のオン動作遅
れが要因となっている。すなわち、短絡電流遮断用GT
OスイッチQSは、各変換用GTOサイリスタQ1、Q4
よりも電流遮断能力の大きなものが使用されている関係
で、オン時の立ち上がりが各変換用GTOサイリスタQ
1、Q4よりも遅くて、GTOスイッチQSと各GTOサ
イリスタQ1、Q4を同一パルスの立ち上がりでハイゲー
ト駆動させるようにしても、短絡電流遮断用GTOスイ
ッチQSが遅れてオンすることがある。かかる制御遅れ
時間αの発生は、第2と第3の変換用GTOサイリスタ
2、Q3をオンさせる場合においても同様である。
The pulse driving device shown in FIG. 5 uses a pulse signal for turning on the first and fourth GTO thyristors Q 1 and Q 4 for conversion and a short-circuit current interrupting GT with the AND signal.
O and the switch Q S in the first and allowed fourth conversion GTO thyristor Q 1, Q 4 simultaneously Highgate driven in. However, Figure is the first and fourth simultaneous ON and converting GTO thyristor Q 1, Q 4 of the short-circuit current blocking GTO switch Q S 6
(I) G for short-circuit current interruption from rising of AND signal
TO number in until the switch Q S is Highgate drive μs~
A control delay time α of about 10 μs may occur. The response delay time alpha, the processing time delay and the logic circuit 5, is turned on delay of the characteristic of the short-circuit current blocking GTO switch Q S is a factor. That is, GT for short-circuit current interruption
O switch Q S is, GTO thyristor Q 1, Q 4 for each conversion
GTO thyristor Q rises at the time of on because of the use of a current interrupting capability larger than that of each conversion GTO thyristor Q.
1, slower than Q 4, even if the GTO switch Q S and the GTO thyristor Q 1, Q 4 so as to Highgate driven at the rising edge of the same pulse, being turned on with a delay circuit current blocking GTO switch Q S There is. The generation of the control delay time α is the same when the second and third conversion GTO thyristors Q 2 and Q 3 are turned on.

【0012】上記のように短絡電流遮断用GTOスイッ
チQSがブリッジ回路3の各変換用GTOサイリスタQ1
〜Q4から遅れてオンすると、各変換用GTOサイリス
タQ 1〜Q4が制御信号Vに応じて正常にオンオフ動作し
ても、負荷2を駆動させる実質のインバータ動作は、制
御信号Vに正確に対応していないものとなり、高精度な
インバータ動作の駆動制御ができない問題があった。
As described above, the GTO switch for breaking the short-circuit current is used.
QSGTO thyristor Q for each conversion of bridge circuit 31
~ QFourGTO thyristor for each conversion
TA Q 1~ QFourNormally operates on and off according to the control signal V.
However, the actual inverter operation for driving the load 2 is restricted.
It does not correspond exactly to the control signal V,
There was a problem that drive control of the inverter operation could not be performed.

【0013】したがって、この発明の目的は、制御信号
に応じた正確なインバータ動作を行うGTOサイリスタ
インバータのパルス駆動装置を提供することにある。
It is therefore an object of the present invention to provide a pulse drive device for a GTO thyristor inverter that performs an accurate inverter operation according to a control signal.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明は、第1及び第
2の変換用GTOサイリスタの直列回路と第3及び第4
の変換用GTOサイリスタの直列回路を並列接続し、各
直列回路の変換用GTOサイリスタ接続点の間に負荷を
接続したブリッジ回路に短絡電流遮断用GTOスイッチ
を介して直流電源の直流電圧を供給するGTOサイリス
タインバータのパルス駆動装置であって、制御信号に基
づいてブリッジ回路の各変換用GTOサイリスタをオン
オフさせるパルス信号を発生するインターフェイス回路
と、インターフェイス回路からのパルス信号に基づきブ
リッジ回路の各変換用GTOサイリスタを独自にオンオ
フ駆動させる第1〜第4のゲート駆動回路と、インター
フェイス回路からのパルス信号に基づき短絡電流遮断用
GTOスイッチをオンオフ駆動させる第5のゲート駆動
回路とを設けている。上記インターフェイス回路は、ブ
リッジ回路の各変換用GTOサイリスタをオンさせるパ
ルス信号の立ち上がりを所定時間遅らせるデッドタイム
付加処理を行う前段デッドタイム形成回路と、第1〜第
4のゲート駆動回路からの返り信号を処理して第5のゲ
ート駆動回路に短絡電流遮断用GTOスイッチにハイゲ
ート信号を送る論理回路を備えている。上記第1〜第4
のゲート駆動回路は、インターフェイス回路からのデッ
ドタイム付加処理されたパルス信号の立ち上がりを所定
時間遅らせるデッドタイム付加処理を行う後段デッドタ
イム形成回路を有し、インターフェイス回路からのパル
ス信号を後段デッドタイム形成回路で処理しないデッド
タイム無しのパルス信号をインターフェイス回路の論理
回路に返り信号として送ると共に、インターフェイス回
路からのパルス信号を後段デッドタイム形成回路で処理
したデッドタイム有りのパルス信号を対応する第1〜第
4の変換用GTOサイリスタに出力する。
According to the present invention, there is provided a series circuit of first and second GTO thyristors for conversion, and third and fourth series circuits.
A series connection of the conversion GTO thyristors is connected in parallel, and a DC voltage of a DC power supply is supplied to a bridge circuit having a load connected between the connection points of the conversion GTO thyristors of each series circuit via a GTO switch for short-circuit current cutoff. A pulse driving device for a GTO thyristor inverter, comprising: an interface circuit for generating a pulse signal for turning on and off each conversion GTO thyristor of a bridge circuit based on a control signal; and a pulse drive device for converting each bridge circuit based on a pulse signal from the interface circuit. There are provided first to fourth gate drive circuits for independently driving the GTO thyristor on and off, and a fifth gate drive circuit for driving the short-circuit current cutoff GTO switch on and off based on a pulse signal from the interface circuit. The interface circuit includes a pre-stage dead time forming circuit for performing a dead time adding process for delaying a rise of a pulse signal for turning on each conversion GTO thyristor of the bridge circuit by a predetermined time, and a return signal from the first to fourth gate drive circuits. And a logic circuit for sending a high gate signal to the GTO switch for short-circuit current interruption to the fifth gate drive circuit. The above first to fourth
Has a post-stage dead-time forming circuit that performs a dead-time adding process for delaying the rise of the pulse signal subjected to the dead-time adding process from the interface circuit for a predetermined time, and forms a post-dead-time forming the pulse signal from the interface circuit. A pulse signal without dead time which is not processed by the circuit is sent as a return signal to the logic circuit of the interface circuit as a return signal, and a pulse signal with dead time obtained by processing a pulse signal from the interface circuit by a post-stage dead time forming circuit corresponds to the first to the first. The signal is output to the fourth conversion GTO thyristor.

【0015】[0015]

【作用】この発明のインターフェイス回路の論理回路
は、第1〜第4のゲート駆動回路からの返り信号を論理
和処理して、短絡電流遮断用GTOスイッチを第1〜第
4のゲート駆動回路の後段デッドタイム形成回路に設定
されたデッドタイムに応じた時間だけ変換用GTOサイ
リスタより先にハイゲート駆動させる。したがって、変
換用GTOサイリスタは、必ず短絡電流遮断用GTOス
イッチがオン状態のときにオンすることになって、ブリ
ッジ回路は、インターフェイス回路に入力される制御信
号に正確に対応したインバータ動作を行うようになる。
The logic circuit of the interface circuit according to the present invention performs a logical OR operation on the return signals from the first to fourth gate drive circuits to change the short-circuit current interrupting GTO switch to the first to fourth gate drive circuits. The high-gate drive is performed before the conversion GTO thyristor for a time corresponding to the dead time set in the subsequent dead time forming circuit. Therefore, the GTO thyristor for conversion is always turned on when the GTO switch for short-circuit current interruption is in the on state, and the bridge circuit performs an inverter operation accurately corresponding to the control signal input to the interface circuit. become.

【0016】[0016]

【実施例】以下、この発明の実施例を図1乃至図3を参
照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0017】図1は、図4のGTOサイリスタインバー
タを駆動させるパルス駆動装置が示され、このパルス駆
動装置は、第1と第4の変換用GTOサイリスタQ1
4がオンする直前に、及び、第2と第3の変換用GT
OサイリスタQ2、Q3がオンする直前に短絡電流遮断用
GTOスイッチQSをハイゲート駆動させる。なお、図
1のパルス駆動装置の図5装置と同一、または相当部分
には同一符号を付して、説明は省略する。
FIG. 1 shows a pulse driving device for driving the GTO thyristor inverter shown in FIG. 4. This pulse driving device comprises first and fourth conversion GTO thyristors Q 1 ,
Just before the Q 4 are turned on, and the second and third conversion GT
O thyristor Q 2, Q 3 is a GTO switch Q S for short-circuit current interrupting just before turned to Highgate drive. The same reference numerals are given to the same or corresponding parts as those of the pulse driving device in FIG. 1 and the device in FIG. 5, and the description is omitted.

【0018】この発明実施例は、第1と第2の変換用G
TOサイリスタQ1、Q2、及び、第3と第4の変換用G
TOサイリスタQ3、Q4が同時オンするのを防止するデ
ッドタイムをインターフェイス回路4側と、第1〜第4
のゲート駆動回路GD1〜GD4側の2つに分けて設定し
ている。インターフェイス回路4のデッドタイム形成回
路を前段デッドタイム形成回路DT0とすると、この発
明の構成上の特徴は、第1〜第4のゲート駆動回路GD
1〜GD4に後段デッドタイム回路DT1〜DT4を付設し
たことである。
The embodiment of the present invention employs first and second conversion Gs.
TO thyristors Q 1 , Q 2 and third and fourth conversion Gs
A dead time for preventing the TO thyristors Q 3 and Q 4 from turning on at the same time is provided between the interface circuit 4 and the first to fourth dead times.
It is set separately for the two gate driver circuits GD 1 to GD 4 side. Assuming that the dead time forming circuit of the interface circuit 4 is the preceding dead time forming circuit DT 0 , the feature of the configuration of the present invention is that the first to fourth gate drive circuits GD
In 1 to GD 4 is that annexed a subsequent dead time circuit DT 1 to DT 4.

【0019】第1〜第4のゲート駆動回路GD1〜GD4
は、それぞれの後段デッドタイム形成回路DT1〜DT4
でデッドタイム付加処理したデッドタイム有りのパルス
信号で対応する第1〜第4の変換用GTOサイリスタQ
1〜Q4をオンオフ駆動させる。同時に第1〜第4のゲー
ト駆動回路GD1〜GD4は、後段デッドタイム形成回路
DT1〜DT4でデッドタイム付加処理をしないデッドタ
イム無しのパルス信号をインターフェイス回路4の論理
回路5に送って、短絡電流遮断用GTOスイッチQS
ハイゲート駆動させる。このハイゲート駆動の具体例
を、図2と図3のパルス波形図を参照して以下説明す
る。
First to fourth gate drive circuits GD 1 to GD 4
Are the respective post-stage dead time forming circuits DT 1 to DT 4
To fourth conversion GTO thyristor Q corresponding to a pulse signal with dead time added with dead time
The 1 to Q 4 turns on and off the drive. At the same time, the first to fourth gate drive circuits GD 1 to GD 4 send to the logic circuit 5 of the interface circuit 4 a pulse signal without dead time which is not subjected to dead time addition processing in the subsequent dead time forming circuits DT 1 to DT 4. Te, thereby Highgate drive the short-circuit current blocking GTO switch Q S. A specific example of the high gate drive will be described below with reference to the pulse waveform diagrams of FIGS.

【0020】前段デッドタイム形成回路DT0に設定さ
れるデッドタイムt1と、第1のゲート駆動回路GD1
後段デッドタイム形成回路DT1に設定されるデッドタ
イムt 2の合計値(t1+t2)は、第1と第2の変換用
GTOサイリスタQ1、Q2が同時オンするのを防止する
に必要なデッドタイム値、例えば50μsである。前段
デッドタイム形成回路DT0のデッドタイムt1は、後段
デッドタイム形成回路DT1のデッドタイムt2より大き
く、2つのデッドタイムt1、t2の差は、短絡電流遮断
用GTOスイッチQSと変換用GTOサイリスタQ1、Q
4を仮に同時オンさせたときの短絡電流遮断用GTOス
イッチQSの遅れ時間(約10μs)に相当させてあ
る。例えば、前段デッドタイム形成回路DT0のデッド
タイムt1は40μs、後段デッドタイム形成回路DT1
のデッドタイムt2は10μsである。第1〜第4の各
ゲート駆動回路GD1〜GD4の後段デッドタイム形成回
路DT1〜DT4に設定されるデッドタイムt2は同一で
ある。
Pre-stage dead time forming circuit DT0Set to
Dead time t1And a first gate drive circuit GD1of
Post-stage dead time forming circuit DT1Dead set to
Im t TwoSum (t1+ TTwo) For the first and second conversion
GTO thyristor Q1, QTwoPrevent from turning on at the same time
Is required, for example, 50 μs. Former stage
Dead time forming circuit DT0Dead time t1Is the latter
Dead time forming circuit DT1Dead time tTwoBigger
And two dead times t1, TTwoThe difference between the short-circuit current interruption
GTO switch Q forSAnd GTO thyristor Q for conversion1, Q
FourGTO switch for short-circuit current interruption when the switches are turned on simultaneously
Switch QSTime delay (about 10 μs)
You. For example, the preceding stage dead time forming circuit DT0Dead
Time t1Is 40 μs, the post-stage dead time forming circuit DT1
Dead time tTwoIs 10 μs. First to fourth each
Gate drive circuit GD1~ GDFourSecond-stage dead time formation
Road DT1~ DTFourDead time t set toTwoAre the same
is there.

【0021】インターフェイス回路4に制御信号Vが入
力されると、制御信号Vに基づいて前段デッドタイム形
成回路DT0から例えば図2(a)〜(d)の波形のパ
ルス信号、すなわち40μsのデッドタイムt1だけ立
ち上がりを遅くらせたデッドタイム有りのパルス信号
が、対応する第1〜第4のゲート駆動回路GD1〜GD4
に出力される。
[0021] When the control signal V to the interface circuit 4 is inputted, the pulse signal of the waveform of the control signal, for example from a preceding dead time forming circuit DT 0 based on V FIG 2 (a) ~ (d) , namely 40μs Dead dead time there pulse signal was slowed et rise only time t 1 is the gate drive circuit GD 1 of the corresponding first through 4 to GD 4
Is output to

【0022】第1のゲート駆動回路GD1は、図2
(a)の40μsデッドタイム有りのパルス信号が入力
されると、図2(e)のパルス信号を出力する。このパ
ルス信号は、後段デッドタイム形成回路DT1を通さな
い図3(e1)のデッドタイム無しのパルス信号と、後
段デッドタイム形成回路DT1で10μsのデッドタイ
ムt2が付加された図3(e2)のデッドタイム有りのパ
ルス信号に分けられる。図3(e1)のデッドタイム無
しのパルス信号がインターフェイス回路4の論理ゲート
回路5のアンド回路6に返り信号として送られる。同時
に図3(e2)のデッドタイム有りのパルス信号が第1
の変換用GTOサイリスタQ1にオン信号として出力さ
れる。
The first gate drive circuit GD 1 is shown in FIG.
When the pulse signal having the dead time of 40 μs shown in FIG. 2A is input, the pulse signal shown in FIG. This pulse signal does not pass through the post-stage dead time forming circuit DT 1 and has no dead time shown in FIG. 3 (e 1 ), and the post-stage dead time forming circuit DT 1 has a 10 μs dead time t 2 added thereto. It is divided into pulse signals with dead time (e 2 ). The pulse signal without dead time shown in FIG. 3 (e 1 ) is sent as a return signal to the AND circuit 6 of the logic gate circuit 5 of the interface circuit 4. At the same time Fig. 3 (e 2) dead time there pulse signal is first
Is output to the conversion GTO thyristor to Q 1 as an on signal.

【0023】また、第4のゲート駆動回路GD4は、図
2(d)の40μsデッドタイム有りのパルス信号が入
力されると、図2(h)のパルス信号を出力する。この
パルス信号は、後段デッドタイム形成回路DT4を通さ
ない図3(h1)のデッドタイム無しのパルス信号と、
後段デッドタイム形成回路DT4で10μsのデッドタ
イムt2が付加された図3(h2)のデッドタイム有りの
パルス信号に分けられ、図3(h1)のデッドタイム無
しのパルス信号がインターフェイス回路4の論理ゲート
回路5のアンド回路6に返り信号として送られ、図3
(h2)のデッドタイム有りのパルス信号が第4の変換
用GTOサイリスタQ4にオン信号として送られる。
When the pulse signal having the dead time of 40 μs shown in FIG. 2D is input, the fourth gate drive circuit GD 4 outputs the pulse signal shown in FIG. 2H. This pulse signal is a pulse signal without dead time shown in FIG. 3 (h 1 ) which does not pass through the subsequent dead time forming circuit DT 4 ,
Divided into dead time there pulse signal from the subsequent dead time forming circuit DT 4 dead time t 2 of 10μs is added in FIG. 3 (h 2), a pulse signal with no dead time in FIG. 3 (h 1) the interface 3 is sent as a return signal to the AND circuit 6 of the logic gate circuit 5 of the circuit 4,
The pulse signal with the dead time of (h 2 ) is sent to the fourth conversion GTO thyristor Q 4 as an ON signal.

【0024】図3(e2)のデッドタイム有りのパルス
信号は、前段デッドタイム形成回路DT0の40μsデ
ッドタイムt1と後段デッドタイム形成回路DT1の10
μsデッドタイムt2を合わせた50μsデッドタイム
有りのパルス信号で、図6(e)の50μsデッドタイ
ム有りのパルス信号と同じである。このようなデッドタ
イム付加処理で第1と第2の変換用GTOサイリスタQ
1、Q2の同時オンが回避される。このことは図3
(h2)のデッドタイム有りのパルス信号も同じで、第
3と第4の変換用GTOサイリスタQ3、Q4の同時オン
が回避される。
The pulse signal having a dead time shown in FIG. 3 (e 2 ) is obtained by combining the 40 μs dead time t 1 of the preceding dead time forming circuit DT 0 and the 10 μm of the latter dead time forming circuit DT 1 .
This is a pulse signal having a 50 μs dead time obtained by adding the μs dead time t 2 , and is the same as the pulse signal having a 50 μs dead time shown in FIG. In such a dead time adding process, the first and second conversion GTO thyristors Q
1, turned on simultaneously Q 2 is avoided. This is illustrated in FIG.
The same applies to the pulse signal with a dead time of (h 2 ), and the simultaneous turning on of the third and fourth GTO thyristors Q 3 and Q 4 for conversion is avoided.

【0025】図3(e2)と図3(h2)のパルス信号で
第1と第4の変換用GTOサイリスタQ1、Q4がオンす
る少し前に、図3(e1)と図3(h1)のパルス信号の
論理和信号で短絡電流遮断用GTOスイッチQSがハイ
ゲート駆動する。すなわち、図3(e2)と図3(h2
のパルス信号より10μsのデッドタイムt2だけ先に
出力された図3(e1)と図3(h1)のパルス信号がア
ンド回路6で論理和処理されて図2(i)のパルス信号
となり、これがオア回路8を経て図2(k)のパルス信
号となって第5のゲート駆動回路GD5から図2(l)
のハイゲート駆動用のパルス信号を発生させ、短絡電流
遮断用GTOスイッチQSがハイゲート駆動する。ここ
で図2(i)のアンド信号の立ち上がりから短絡電流遮
断用GTOスイッチQSがハイゲート駆動するまでに制
御遅れ時間αがあっても、この制御遅れ時間αが後段デ
ッドタイム形成回路DT1のデッドタイムt2に含まれる
ので、短絡電流遮断用GTOスイッチQSは第1と第4
の変換用GTOサイリスタQ1、Q4よりも先にハイゲー
ト駆動する。このことは第2と第3の変換用GTOサイ
リスタQ2、Q3においても同様である。
Shortly before the first and fourth GTO thyristors Q 1 and Q 4 for conversion are turned on by the pulse signals of FIGS. 3 (e 2 ) and 3 (h 2 ), FIG. 3 (e 1 ) and FIG. 3 (h 1) the logical sum signal with the short-circuit current blocking GTO switch Q S of the pulse signal is Highgate driving. That is, FIGS. 3 (e 2 ) and 3 (h 2 )
3 (e 1 ) and FIG. 3 (h 1 ) outputted earlier by a dead time t 2 of 10 μs from the pulse signal of FIG. next, which via the OR circuit 8 2 from the fifth gate driver circuit GD 5 is a pulse signal (k) 2 (l)
Generates a pulse signal for Highgate drive, short-circuit current blocking GTO switch Q S is Highgate driving. Here, FIG. 2 (i) of the AND signal GTO switch Q S for short-circuit current interrupting the rise of even the response delay time α before Highgate drive, the response delay time α is the subsequent dead time forming circuit DT 1 because included in the dead time t 2, the short-circuit current blocking GTO switch Q S is the first and fourth
High-gate drive prior to the conversion GTO thyristors Q 1 and Q 4 . The same applies to the second and third conversion GTO thyristors Q 2 and Q 3 .

【0026】したがって、ブリッジ回路3の各変換用G
TOサイリスタQ1〜Q4は、常に短絡電流遮断用GTO
スイッチQSがオンした状態でオン駆動するので、各変
換用GTOサイリスタQ1〜Q4が制御信号Vに応じて正
常にオンオフ動作すると、ブリッジ回路3が制御信号V
に応じた正確なインバータ動作をする。
Therefore, each conversion G of the bridge circuit 3 is
The TO thyristors Q 1 to Q 4 are always GTOs for short-circuit current interruption.
Since on-driven in the state in which the switch Q S is turned on, when the conversion GTO thyristor Q 1 to Q 4 is normally turned on and off operation in response to the control signal V, the bridge circuit 3 is the control signal V
Performs accurate inverter operation according to.

【0027】[0027]

【発明の効果】この発明によれば、第1〜第4のゲート
駆動回路の後段デッドタイム形成回路に設定されたデッ
ドタイムに応じた時間だけ短絡電流遮断用GTOスイッ
チがブリッジ回路の変換用GTOサイリスタより先にハ
イゲート駆動するので、短絡電流遮断用GTOスイッチ
が変換用GTOサイリスタよりオンし難い電流遮断能力
の大きいものであっても、ブリッジ回路の各変換用GT
Oサイリスタを制御信号に正確に対応させてオンオフ動
作させることができて、高精度なインバータ動作が期待
できる高信頼度のGTOサイリスタインバータのパルス
駆動装置が提供できる。
According to the present invention, the GTO switch for interrupting the short-circuit current for a time corresponding to the dead time set in the subsequent dead time forming circuit of the first to fourth gate drive circuits is used as the GTO switch for converting the bridge circuit. Since the high-gate drive is performed before the thyristor, even if the short-circuit current interrupting GTO switch has a large current interrupting capability that is difficult to turn on than the converting GTO thyristor, each of the converting GT
A highly reliable GTO thyristor inverter pulse drive device can be provided in which an O-thyristor can be turned on / off in accordance with a control signal accurately and a highly accurate inverter operation can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例のGTOサイリスタインバ
ータのパルス駆動装置の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a pulse drive device of a GTO thyristor inverter according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1のパルス駆動装置の動作を示すタイムチャ
ートである。
FIG. 2 is a time chart illustrating an operation of the pulse driving device of FIG. 1;

【図3】図2の一部のパルス信号の内容を説明するため
のタイムチャートである。
FIG. 3 is a time chart for explaining the contents of some of the pulse signals shown in FIG. 2;

【図4】GTOサイリスタインバータの回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a GTO thyristor inverter.

【図5】従来のGTOサイリスタインバータのパルス駆
動装置の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional pulse drive device of a GTO thyristor inverter.

【図6】図5のパルス駆動装置の動作を示すタイムチャ
ートである
FIG. 6 is a time chart showing an operation of the pulse driving device of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の変換用GTOサイリスタ Q2 第2の変換用GTOサイリスタ Q3 第3の変換用GTOサイリスタ Q4 第4の変換用GTOサイリスタ QS 短絡電流遮断用GTOスイッチ 1 直流電源 2 負荷 3 ブリッジ回路 4 インターフェイス回路 5 論理回路 DT0 前段デッドタイム形成回路 DT1 後段デッドタイム形成回路 DT2 後段デッドタイム形成回路 DT3 後段デッドタイム形成回路 DT4 後段デッドタイム形成回路 t1 デッドタイム t2 デッドタイムQ 1 first conversion GTO thyristor Q 2 second conversion GTO thyristor Q 3 third conversion GTO thyristor Q 4 fourth conversion GTO thyristor Q S short-circuit current blocking GTO switch 1 DC power source 2 Load 3 Bridge circuit 4 Interface circuit 5 Logic circuit DT 0 Pre-stage dead time forming circuit DT 1 Post-stage dead time forming circuit DT 2 Post-stage dead time forming circuit DT 3 Post-stage dead time forming circuit DT 4 Post-stage dead time forming circuit t 1 Dead time t 2 Dead time

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1及び第2の変換用GTOサイリスタ
の直列回路と第3及び第4の変換用GTOサイリスタの
直列回路を並列接続し、各直列回路の変換用GTOサイ
リスタ接続点の間に負荷を接続したブリッジ回路と、ブ
リッジ回路に接続された直流電源と、直流電源とブリッ
ジ回路間に接続された短絡電流遮断用GTOスイッチを
備えたGTOサイリスタインバータのパルス駆動装置で
あって、 制御信号に基づいて前記ブリッジ回路の各変換用GTO
サイリスタをオンオフさせるパルス信号を発生するイン
ターフェイス回路と、 前記インターフェイス回路からのパルス信号に基づきブ
リッジ回路の各変換用GTOサイリスタを独自にオンオ
フ駆動させる第1〜第4のゲート駆動回路と、 前記インターフェイス回路からのパルス信号に基づき前
記短絡電流遮断用GTOスイッチをオンオフ駆動させる
第5のゲート駆動回路とを有し、 前記インターフェイス回路は、前記ブリッジ回路の各変
換用GTOサイリスタをオンさせるパルス信号の立ち上
がりを所定時間遅らせるデッドタイム付加処理を行う前
段デッドタイム形成回路、及び、前記第1〜第4のゲー
ト駆動回路からの返り信号を処理して第5のゲート駆動
回路に短絡電流遮断用GTOスイッチのハイゲート信号
を送る論理回路を備え、 前記第1〜第4のゲート駆動回路は、インターフェイス
回路からのデッドタイム付加処理されたパルス信号の立
ち上がりを所定時間遅らせるデッドタイム付加処理を行
う後段デッドタイム形成回路を有して、インターフェイ
ス回路からのパルス信号を後段デッドタイム形成回路で
処理しないデッドタイム無しのパルス信号をインターフ
ェイス回路の論理回路に返り信号として送ると共に、イ
ンターフェイス回路からのパルス信号を後段デッドタイ
ム形成回路で処理したデッドタイム有りのパルス信号を
対応する第1〜第4の変換用GTOサイリスタに送り、 前記インターフェイス回路の論理回路は、第1〜第4の
ゲート駆動回路からの返り信号を論理和処理して、短絡
電流遮断用GTOスイッチを第1〜第4のゲート駆動回
路の後段デッドタイム形成回路に設定されたデッドタイ
ムに応じた時間だけ第1〜第4の変換用GTOサイリス
タより先にハイゲート駆動させるパルス信号を第5のゲ
ート駆動回路に出力する、ことを特徴とするGTOサイ
リスタインバータのパルス駆動装置。
1. A series circuit of first and second GTO thyristors for conversion and a series circuit of third and fourth GTO thyristors for conversion are connected in parallel, and between the connection points of the GTO thyristors for conversion of each series circuit. A pulse drive device for a GTO thyristor inverter including a bridge circuit to which a load is connected, a DC power supply connected to the bridge circuit, and a GTO switch for short-circuit current interruption connected between the DC power supply and the bridge circuit, the control signal comprising: GTO for each conversion of the bridge circuit based on
An interface circuit for generating a pulse signal for turning on and off the thyristor; first to fourth gate drive circuits for individually driving each of the conversion GTO thyristors of the bridge circuit on and off based on the pulse signal from the interface circuit; and the interface circuit. And a fifth gate drive circuit for driving the short-circuit current interrupting GTO switch on / off based on the pulse signal from the interface circuit. The interface circuit detects a rising edge of the pulse signal for turning on each conversion GTO thyristor of the bridge circuit. A dead time forming circuit for performing a dead time adding process for delaying a predetermined time, and a high gate of a short-circuit current interrupting GTO switch for a fifth gate drive circuit by processing a return signal from the first to fourth gate drive circuits; Equipped with a logic circuit that sends signals, The first to fourth gate driving circuits each include a post-stage dead time forming circuit that performs a dead time adding process for delaying a rising time of the pulse signal subjected to the dead time adding process from the interface circuit for a predetermined time. The pulse signal without dead time is not processed by the post-dead-time forming circuit. The pulse signal without dead time is sent to the logic circuit of the interface circuit as a return signal, and the pulse signal from the interface circuit is processed by the post-dead-time forming circuit. The logic circuit of the interface circuit performs a logical OR operation on the return signals from the first to fourth gate drive circuits, and outputs a short-circuit current interruption GTO. A switch is connected to a post-stage dead gate of the first to fourth gate drive circuits. A GTO thyristor for outputting a pulse signal for high gate driving to the fifth gate driving circuit prior to the first to fourth conversion GTO thyristors for a time corresponding to the dead time set in the im-forming circuit. Inverter pulse drive.
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