JP3024583B2 - バス終端回路 - Google Patents

バス終端回路

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JP3024583B2
JP3024583B2 JP9070205A JP7020597A JP3024583B2 JP 3024583 B2 JP3024583 B2 JP 3024583B2 JP 9070205 A JP9070205 A JP 9070205A JP 7020597 A JP7020597 A JP 7020597A JP 3024583 B2 JP3024583 B2 JP 3024583B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バス終端回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来のMOS LSIを使用したバス回
路では、入力信号レベルが中間値レベル、シュレショル
ドレベル付近にあると、LSIの消費電力が増加すると
いう問題があり、一般的には終端を行わないか、また
は、行う場合にはテブナン終端ではなくシリーズ終端を
行うのが通例であった。
【0003】しかし、最近の高速バス回路では、シリー
ズ終端のみを使用するとバス回路端での反射が起こり、
波形の整合性を失うという欠点があった。
【0004】また、SCSI(ANSI X3.131
−1986)等の一部の規格化されたバス回路では、テ
ブナン終端することが規定されている。このようなバス
で、テブナン終端の欠点であるところの消費電力増加を
防ぐために、終端抵抗と電源とを切り離す方法が知られ
ている(例えば、特開平5−67047号公報参照)。
しかし、この従来の方法では、終端抵抗を電源より切断
/接続するための信号線が別途必要となり、さらに、そ
の信号線を制御するための回路も必要になるという欠点
があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術の
第1の問題点は、バス回路の終端を行う際にCMOSL
SIを使用したバス回路では、テブナン終端を採用する
と消費電力が増加するということである。
【0006】その理由は、テブナン終端を採用すると、
バスの信号線に信号が送られていない時にはバスの信号
レベルが中間値レベルになり、バスに接続されているC
MOS LSIの入力バッファに中間値レベルの信号が
入力されることにより、LSIの消費電力が増加し、テ
ブナン終端を付けることによっても抵抗を介して電源−
グランド間に電流が流れ、その分だけ消費電力が増加す
るからである。
【0007】第2の問題点は、消費電力を考慮し、シリ
ーズ終端を採用すると、波形がバス端での反射波により
乱れ、信号の高速伝送ができなくなることである。
【0008】その理由は、最近では高速データ処理のた
めにバスの高速化が必要とされており、バスに接続され
るLSIのI/Oバッファも高駆動能力のものが使用さ
れるが、これによって波形のtr/tfも速くなり、シ
リーズ終端ではバス端での反射波が防げないからであ
る。
【0009】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
伝送波形の整合性を確保することでバスのメディアディ
レイを低減し、バスの高速化を行うと共に、低消費電力
化を達成できるバス終端回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のバス終端回路
は、バスが遷移状態すなわち波形の立ち上がり/立ち下
がり状態にあるかまたは定常状態すなわちHighレベ
ルかLowレベルのどちらかの一定レベル状態にあるか
を検出する検出手段と、バスをテブナン終端するための
終端抵抗と、前記検出手段から信号を受け取りバス回路
から前記終端抵抗を切り離す手段と、前記検出手段から
信号を受け取り前記終端抵抗を電源から切り離す手段と
を有する。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
【0012】図1は、本発明の実施の形態を示すブロッ
ク図である。
【0013】図1(a)において、LSI入出力バッフ
ァ1a〜1fはバスの信号線2に接続されている。バス
信号線2には端子3が設けられている。図1(b)を参
照すると、本発明のバス終端回路は、バス信号線2より
波形が入力されることでバスが遷移状態にあるかまたは
HighレベルあるいはLowレベルの一定レベル出力
状態にあるかを検出するバス状態検出回路4と、テブナ
ン終端回路を構成するバスの終端抵抗8および9と、こ
のテブナン終端回路の電源端子5とから構成される。
【0014】また、バス状態検出回路4から信号を受
け、テブナン終端抵抗8および9を、バス信号線の状態
によって、バス信号線に接続したり、切断したりするた
めの回路7が設けられており、さらに、バス状態検出回
路4から信号を受け、テブナン終端抵抗8および9をバ
ス信号線の状態に応じて電源に接続したり切断したりす
る回路6が設けられている。
【0015】図1(b)に示される本発明のバス終端回
路がバスの両端のバス信号線端子にそれぞれ接続されて
いる。
【0016】次に、本発明の実施の形態の動作について
図1を参照して詳細に説明する。
【0017】バスの信号線2に接続されたLSIの入出
力バッファ1a〜1fのいずれかがバスを駆動すると、
バス信号線2は遷移状態すなわち波形の立ち上がり/立
ち下がり状態になる。この波形がバスを伝播していき、
バスの両端に設けられた本発明のバス終端回路(図1
(b))に入力される。入力された波形によって、バス
状態検出回路4が動作し、バスが遷移状態になったこと
が判明すると、バス状態検出回路4は、テブナン終端抵
抗8および9をバス信号線および電源に接続するための
回路7および6に信号を送り、テブナン終端抵抗8およ
び9をバス信号線および電源に接続する。
【0018】これによって、バスは整合終端されるの
で、バス信号線より本発明の終端回路に入力された波形
に対して反射が起こらず整合終端されるので、充分なノ
イズ・マージンを見込んでもメディアディレイとしては
バスの伝搬時間τだけを考えればよく、反射分を見て2
τにする必要がないので信号の高速伝播が可能になる。
【0019】一方、バスがレベル出力状態であると、バ
ス状態検出回路4が動作し、回路7および6によりテブ
ナン終端抵抗をバス信号線および電源から切り離す。こ
の結果、終端抵抗を通して流れる電流が無くなり、消費
電力も少なくすることができる。
【0020】図2は、本発明のバス終端回路の実施例を
示す回路図である。
【0021】図2を参照すると、バス状態検出回路4
(図1)は、Vref1端子10と、Vref2端子11と、前
記各電位レベルとバス波形との比較回路12および13
とから構成される。この2つの比較回路12および13
の出力をEx−OR回路14に入力することで、バスが
遷移状態にあれば、Ex−OR回路14がHigh出力
を出す。この信号を受けて、NチャンネルMOSトラン
ジスタ16がテブナン終端抵抗17および18をバスの
信号線へ接続し、NチャンネルMOSトランジスタ15
が終端抵抗17および18を電源端子5に接続する。
【0022】次に、本発明の実施例の動作について図2
および図3を参照して詳細に説明する。
【0023】図3のI〜Lは、図2のI〜Lの点での波形を
示している。バスが遷移状態例えば立ち上がり波形にな
ると、本発明のバス終端回路に図3Iのような波形が入
力される。波形がリファレンス電圧Vref1以上になる
と、Vref1端子10を持つ比較回路12の出力はHig
hレベルになり(図3J)、一方の比較回路13はリフ
ァレンス電圧Vref2にバス波形が達するまでLowレベ
ルを出力する(図3K)。従って、図3JとKの波形が入
力されるEx−OR回路14の出力は図3Lのようにバ
スの波形(図3I)がリファレンス電圧Vref1からリフ
ァレンス電圧Vref2までの間、すなわち、バスが遷移状
態にある間、Highレベルを出力することになる。
【0024】一方、その信号を受けるNチャンネルMO
Sトランジスタ15および16は、Highレベルがゲ
ートに入力されるとドレイン−ソース間がONする性質
があり、これによって、NチャンネルMOSトランジス
タ16はバス信号線と終端抵抗17および18を接続
し、トランジスタ15は電源端子5と終端抵抗17およ
び18を接続するので、バスを伝搬してきた波形は整合
終端され反射が起こらず、従って、見積るメディアディ
レイも反射を考慮しなくてすむので信号高速伝播が可能
となる。
【0025】バスが一定のレベル状態にある時には、図
3JおよびKの波形は共に同じレベルを出力するのでEx
−OR回路14の出力はLowレベルになり、トランジ
スタ15および16はその信号を受けて共にOFFとな
り、終端抵抗17および18は、バス信号線および電源
から切り離される。従って、電源より終端抵抗17およ
び18を通して流れる電流も無くなるので消費電力を減
らすことが可能となる。
【0026】
【発明の効果】第1の効果は、バスに伝送する波形に対
して、バスの特性インピーダンスに整合した低い終端抵
抗値で終端できるということである。これにより反射を
考慮する必要がなくなるため、バスのメディアディレイ
はτ分だけを考慮すればよく、最短のメディアディレイ
で波形伝送が可能なので高速伝送が可能となる。
【0027】その理由は、終端回路が必要なとき、即
ち、バスが遷移状態すなわち波形が立ち上がり/立ち下
がり状態にある時のみ終端回路がバスに接続されるの
で、定常時の消費電力、LSI入出力バッファ駆動能力
を考慮する必要がなく、バスの特性インピーダンスに整
合した低い終端抵抗値で終端できるためである。
【0028】第2の効果は、消費電力が増加するテブナ
ン終端で消費電力を抑えて終端できることで、LSIの
入出力バッファ駆動能力をHigh側とLow側でバラ
ンスが取れることにより、波形の立ち上がり/立ち下が
り共に同じヒートリングタイムになるので、無駄なメデ
ィアディレイを考えることが必要なくなり、高速伝送が
可能となる。
【0029】その理由は、テブナン終端は、信号ライン
(バスライン)と電源−グランドの間に各抵抗が入る。
これにより、電源−グランド間に電流パスが増えるので
終端抵抗が入る分消費電力が増加する。しかし、本発明
の終端回路を使用すると終端が必要無い時、即ち、バス
のレベルが一定レベルを出力している場合は、終端回路
が電源より切り離されるので消費電力を低く抑えること
ができるためである。
【0030】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のブロック図である。
【図2】本発明の実施例を示す回路図である。
【図3】本発明の実施例の動作波形を示すタイムチャー
トである。
【符号の説明】
1a〜1f LSI入出力バッファ 2 バス信号線 3 バス信号線端 4 バス状態検出回路 5 電源端子 6 テブナン終端抵抗 7 テブナン終端抵抗 8,9 テブナン終端用抵抗 10 Vref1端子 11 Vref2端子 12,13 比較回路 14 Ex−OR回路 15,16 NチャンネルMOSトランジスタ 17,18 テブナン終端用抵抗 19 シリーズ終端抵抗

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バス回路の波形が遷移状態であるかまた
    はレベル出力状態であるかを検出する検出手段と、電源
    および前記バス回路に接続された終端抵抗と、前記検出
    手段が前記遷移状態を検出している場合には前記終端抵
    抗を前記電源および前記バス回路に接続し、一方、前記
    検出手段が前記レベル出力状態を検出している場合には
    前記終端抵抗を前記電源および前記バス回路から切り離
    す接続/切断手段とを備えたことを特徴とするバス終端
    回路。
  2. 【請求項2】 前記終端抵抗は、第1の抵抗素子と、該
    第1の抵抗素子に接続された第2の抵抗素子とからな
    り、前記第1の抵抗素子と前記第2の抵抗素子との接続
    点が前記バス回路に接続されたことを特徴とする請求項
    1記載のバス終端回路。
  3. 【請求項3】 前記検出手段は、 第1および第2の入力端子を有し、前記第1の入力端子
    に第1のリファレンス電圧が供給され、前記第2の入力
    端子が前記バス回路に接続された第1の比較手段と、 第1および第2の入力端子を有し、前記第1の入力端子
    に第2のリファレンス電圧が供給され、前記第2の入力
    端子が前記バス回路に接続された第2の比較手段と、 前記第1および第2の比較手段の出力が供給される排他
    的論理和回路とを備えたことを特徴とする請求項1また
    は2記載のバス終端回路。
  4. 【請求項4】 前記接続/切断手段は、NチャンネルM
    OSトランジスタであることを特徴とする請求項1、2
    または3記載のバス終端回路。
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