JP3023788B1 - 単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボの分離方法及びその分離部材 - Google Patents
単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボの分離方法及びその分離部材Info
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Abstract
【要約】
【課題】 単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボ
の分離方法において、内槽ルツボを破壊することなく容
易に分離できると共に再使用可能とし、さらに内槽ルツ
ボのハンドリングを容易にする。 【解決手段】 単結晶半導体を製造する装置において、
外槽ルツボ２と内槽ルツボ３との間に、高純度で高温耐
熱性に優れ上記両ルツボ２，３からの分離性が良く且つ
柔軟性を有する材料から成り上記内槽ルツボ２を包み得
る分離部材１２を介在させておき、単結晶半導体の引き
上げ後において上記分離部材１２の周辺端部１３を掛止
して持ち上げることにより、外槽ルツボ２から内槽ルツ
ボ３を分離するものである。これにより、内槽ルツボ３
を破壊することなく容易に分離できると共に再使用可能
とし、さらに内槽ルツボ３のハンドリングを容易にする
ことができる。
の分離方法において、内槽ルツボを破壊することなく容
易に分離できると共に再使用可能とし、さらに内槽ルツ
ボのハンドリングを容易にする。 【解決手段】 単結晶半導体を製造する装置において、
外槽ルツボ２と内槽ルツボ３との間に、高純度で高温耐
熱性に優れ上記両ルツボ２，３からの分離性が良く且つ
柔軟性を有する材料から成り上記内槽ルツボ２を包み得
る分離部材１２を介在させておき、単結晶半導体の引き
上げ後において上記分離部材１２の周辺端部１３を掛止
して持ち上げることにより、外槽ルツボ２から内槽ルツ
ボ３を分離するものである。これにより、内槽ルツボ３
を破壊することなく容易に分離できると共に再使用可能
とし、さらに内槽ルツボ３のハンドリングを容易にする
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外槽ルツボと内槽
ルツボを備えた単結晶半導体の製造装置において外槽ル
ツボから内槽ルツボを分離する技術に関し、特に、内槽
ルツボを破壊することなく容易に分離できると共に再使
用可能とし、さらに内槽ルツボのハンドリングを容易に
することができる内槽ルツボの分離方法及びその分離部
材に関する。
ルツボを備えた単結晶半導体の製造装置において外槽ル
ツボから内槽ルツボを分離する技術に関し、特に、内槽
ルツボを破壊することなく容易に分離できると共に再使
用可能とし、さらに内槽ルツボのハンドリングを容易に
することができる内槽ルツボの分離方法及びその分離部
材に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の単結晶半導体の製造装置は、近
年の単結晶半導体の大口径化に伴い外槽ルツボと内槽ル
ツボを備えるようになってきた。その単結晶半導体の製
造装置は、図１に示すように、筐体１の内部に、例えば
カーボンで作られた外槽ルツボ２と、例えば石英で作ら
れ上記外槽ルツボ２の内側に嵌装される内槽ルツボ３
と、上記外槽ルツボ２の外側を囲んで設けられた加熱ヒ
ータ４と、この加熱ヒータ４の外側を囲んで設けられた
熱シールド５とを備えて成っていた。なお、図１におい
て、符号６は上記外槽ルツボ２を回転させる回転軸を示
し、符号７は上記加熱ヒータ４の電極を示し、符号８は
後述の種結晶の引上げ軸となるワイヤを示している。
年の単結晶半導体の大口径化に伴い外槽ルツボと内槽ル
ツボを備えるようになってきた。その単結晶半導体の製
造装置は、図１に示すように、筐体１の内部に、例えば
カーボンで作られた外槽ルツボ２と、例えば石英で作ら
れ上記外槽ルツボ２の内側に嵌装される内槽ルツボ３
と、上記外槽ルツボ２の外側を囲んで設けられた加熱ヒ
ータ４と、この加熱ヒータ４の外側を囲んで設けられた
熱シールド５とを備えて成っていた。なお、図１におい
て、符号６は上記外槽ルツボ２を回転させる回転軸を示
し、符号７は上記加熱ヒータ４の電極を示し、符号８は
後述の種結晶の引上げ軸となるワイヤを示している。
【０００３】そして、外槽ルツボ２の内側に内槽ルツボ
３を嵌装し、この内槽ルツボ３の内部に高純度の半導体
材料９を入れて、上記筐体１の内部を真空状態に保つと
共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中で、加熱ヒータ４
で１５００〜１６００℃という高温に加熱して溶融し、
この溶融材料（９）に上記ワイヤ８の先端に取り付けら
れた種結晶１０を接触させて単結晶の成長に合わせて回
転しながら引き上げることにより、丸棒状の単結晶半導
体１１（「インゴット」と呼ばれる）を製造するように
なっていた。
３を嵌装し、この内槽ルツボ３の内部に高純度の半導体
材料９を入れて、上記筐体１の内部を真空状態に保つと
共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中で、加熱ヒータ４
で１５００〜１６００℃という高温に加熱して溶融し、
この溶融材料（９）に上記ワイヤ８の先端に取り付けら
れた種結晶１０を接触させて単結晶の成長に合わせて回
転しながら引き上げることにより、丸棒状の単結晶半導
体１１（「インゴット」と呼ばれる）を製造するように
なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記単結晶半
導体の製造装置において、現在の１５００〜１６００℃
という使用条件下では、内槽ルツボ３が外槽ルツボ２の
内側で融着してしまい、単結晶半導体１１の製造後に内
槽ルツボ３を取り外そうとしても取り外すことができな
いことがあった。そこで、例えばタガネとハンマーを用
いて使用済みの内槽ルツボ３を割り砕いて取り外してい
た。したがって、例えば石英でできた高価な内槽ルツボ
３を再使用することができないと共に、単結晶半導体の
製造の度に新たな内槽ルツボ３を使用しなければなら
ず、コスト高となるものであった。また、上記タガネと
ハンマーを用いて使用済みの内槽ルツボ３を割り砕いて
取り外す際に、外槽ルツボ２に傷を付けたり、破損させ
ることがあり、例えばカーボンでできた高価な外槽ルツ
ボ２の使用に支障をきたすことがあった。
導体の製造装置において、現在の１５００〜１６００℃
という使用条件下では、内槽ルツボ３が外槽ルツボ２の
内側で融着してしまい、単結晶半導体１１の製造後に内
槽ルツボ３を取り外そうとしても取り外すことができな
いことがあった。そこで、例えばタガネとハンマーを用
いて使用済みの内槽ルツボ３を割り砕いて取り外してい
た。したがって、例えば石英でできた高価な内槽ルツボ
３を再使用することができないと共に、単結晶半導体の
製造の度に新たな内槽ルツボ３を使用しなければなら
ず、コスト高となるものであった。また、上記タガネと
ハンマーを用いて使用済みの内槽ルツボ３を割り砕いて
取り外す際に、外槽ルツボ２に傷を付けたり、破損させ
ることがあり、例えばカーボンでできた高価な外槽ルツ
ボ２の使用に支障をきたすことがあった。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、内槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる
と共に再使用可能とし、さらに内槽ルツボのハンドリン
グを容易にすることができる単結晶半導体の製造装置に
おける内槽ルツボの分離方法及びその分離部材を提供す
ることを目的とする。
処し、内槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる
と共に再使用可能とし、さらに内槽ルツボのハンドリン
グを容易にすることができる単結晶半導体の製造装置に
おける内槽ルツボの分離方法及びその分離部材を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による内槽ルツボの分離方法は、外槽ルツボ
の内側に内槽ルツボを嵌装し、この内槽ルツボの内部に
半導体材料を入れて溶融し、この溶融材料に種結晶を接
触させて単結晶の成長に合わせて回転しながら引き上げ
ることにより単結晶半導体を製造する装置において、上
記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に、高純度で高温耐熱
性に優れ上記両ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を
有する材料から成り上記内槽ルツボを包み得る部材を介
在させておき、単結晶半導体の引き上げ後において上記
部材の周辺端部を掛止して持ち上げることにより、外槽
ルツボから内槽ルツボを分離するものである。
に、本発明による内槽ルツボの分離方法は、外槽ルツボ
の内側に内槽ルツボを嵌装し、この内槽ルツボの内部に
半導体材料を入れて溶融し、この溶融材料に種結晶を接
触させて単結晶の成長に合わせて回転しながら引き上げ
ることにより単結晶半導体を製造する装置において、上
記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に、高純度で高温耐熱
性に優れ上記両ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を
有する材料から成り上記内槽ルツボを包み得る部材を介
在させておき、単結晶半導体の引き上げ後において上記
部材の周辺端部を掛止して持ち上げることにより、外槽
ルツボから内槽ルツボを分離するものである。
【０００７】また、本発明による内槽ルツボの分離部材
は、外槽ルツボの内側に内槽ルツボを嵌装し、この内槽
ルツボの内部に半導体材料を入れて溶融し、この溶融材
料に種結晶を接触させて単結晶の成長に合わせて回転し
ながら引き上げることにより単結晶半導体を製造する装
置において、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在
される部材であって、高純度で高温耐熱性に優れ上記両
ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を有する材料から
成り、上記内槽ルツボを包み得るように形成され、周辺
端部には外槽ルツボから内槽ルツボを持ち上げて分離す
るための掛止部を有するものである。
は、外槽ルツボの内側に内槽ルツボを嵌装し、この内槽
ルツボの内部に半導体材料を入れて溶融し、この溶融材
料に種結晶を接触させて単結晶の成長に合わせて回転し
ながら引き上げることにより単結晶半導体を製造する装
置において、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在
される部材であって、高純度で高温耐熱性に優れ上記両
ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を有する材料から
成り、上記内槽ルツボを包み得るように形成され、周辺
端部には外槽ルツボから内槽ルツボを持ち上げて分離す
るための掛止部を有するものである。
【０００８】そして、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの
間に介在される部材は、カーボン繊維から成るものであ
る。また、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在さ
れる部材は、ネット状に形成されたものとしてもよい。
間に介在される部材は、カーボン繊維から成るものであ
る。また、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在さ
れる部材は、ネット状に形成されたものとしてもよい。
【０００９】さらに、上記外槽ルツボと内槽ルツボとの
間に介在される部材は、シート状に形成されたものとし
てもよい。
間に介在される部材は、シート状に形成されたものとし
てもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。図１は本発明による内槽ルツ
ボの分離方法が適用される単結晶半導体の製造装置を示
す断面説明図である。この単結晶半導体の製造装置は、
筐体１の内部に、例えばカーボンで作られた外槽ルツボ
２と、例えば石英で作られ上記外槽ルツボ２の内側に嵌
装される内槽ルツボ３と、上記外槽ルツボ２の外側を囲
んで設けられた加熱ヒータ４と、この加熱ヒータ４の外
側を囲んで設けられた熱シールド５とを備えている。な
お、図１において、符号６は上記外槽ルツボ２を回転さ
せる回転軸を示し、符号７は上記加熱ヒータ４の電極を
示し、符号８は後述の種結晶の引上げ軸となるワイヤを
示している。
図面に基づいて説明する。図１は本発明による内槽ルツ
ボの分離方法が適用される単結晶半導体の製造装置を示
す断面説明図である。この単結晶半導体の製造装置は、
筐体１の内部に、例えばカーボンで作られた外槽ルツボ
２と、例えば石英で作られ上記外槽ルツボ２の内側に嵌
装される内槽ルツボ３と、上記外槽ルツボ２の外側を囲
んで設けられた加熱ヒータ４と、この加熱ヒータ４の外
側を囲んで設けられた熱シールド５とを備えている。な
お、図１において、符号６は上記外槽ルツボ２を回転さ
せる回転軸を示し、符号７は上記加熱ヒータ４の電極を
示し、符号８は後述の種結晶の引上げ軸となるワイヤを
示している。
【００１１】そして、外槽ルツボ２の内側に内槽ルツボ
３を嵌装し、この内槽ルツボ３の内部に高純度の半導体
材料９としてシリコンを入れて、上記筐体１の内部を真
空状態に保つと共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中
で、加熱ヒータ４で１５００〜１６００℃という高温に
加熱して溶融し、この溶融材料（９）に上記ワイヤ８の
先端に取り付けられた種結晶１０を接触させて単結晶の
成長に合わせて回転しながら引き上げることにより、丸
棒状の単結晶半導体１１（単結晶シリコンであり「イン
ゴット」と呼ばれる）を製造するようになっている。こ
のように製造される単結晶半導体１１は、近年大口径化
してきている。
３を嵌装し、この内槽ルツボ３の内部に高純度の半導体
材料９としてシリコンを入れて、上記筐体１の内部を真
空状態に保つと共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中
で、加熱ヒータ４で１５００〜１６００℃という高温に
加熱して溶融し、この溶融材料（９）に上記ワイヤ８の
先端に取り付けられた種結晶１０を接触させて単結晶の
成長に合わせて回転しながら引き上げることにより、丸
棒状の単結晶半導体１１（単結晶シリコンであり「イン
ゴット」と呼ばれる）を製造するようになっている。こ
のように製造される単結晶半導体１１は、近年大口径化
してきている。
【００１２】このような単結晶半導体の製造装置におい
て、上記単結晶半導体１１の製造後に外槽ルツボ２から
内槽ルツボ３を分離する方法について、図２を参照して
説明する。まず、図２（ａ）に示すように、単結晶半導
体の製造工程において、外槽ルツボ２の内側に内槽ルツ
ボ３を嵌装する際に、上記外槽ルツボ２と内槽ルツボ３
との間に、高純度で高温耐熱性に優れ上記両ルツボ２，
３からの分離性が良く且つ柔軟性を有する材料から成り
上記内槽ルツボ３を包み得る分離部材１２を介在させて
おく。このとき、上記分離部材１２の周辺端部１３は、
外槽ルツボ２の上縁周囲にて垂れ下がった状態になって
いる。
て、上記単結晶半導体１１の製造後に外槽ルツボ２から
内槽ルツボ３を分離する方法について、図２を参照して
説明する。まず、図２（ａ）に示すように、単結晶半導
体の製造工程において、外槽ルツボ２の内側に内槽ルツ
ボ３を嵌装する際に、上記外槽ルツボ２と内槽ルツボ３
との間に、高純度で高温耐熱性に優れ上記両ルツボ２，
３からの分離性が良く且つ柔軟性を有する材料から成り
上記内槽ルツボ３を包み得る分離部材１２を介在させて
おく。このとき、上記分離部材１２の周辺端部１３は、
外槽ルツボ２の上縁周囲にて垂れ下がった状態になって
いる。
【００１３】このようにして外槽ルツボ２の内側に内槽
ルツボ３を嵌装した後、図１において、上記内槽ルツボ
３の内部に高純度の半導体材料９を入れて、加熱ヒータ
４で１５００〜１６００℃という高温に加熱して溶融
し、この溶融材料（９）にワイヤ８の先端に取り付けら
れた種結晶１０を接触させて単結晶の成長に合わせて回
転しながら引き上げることにより、丸棒状の単結晶半導
体１１を製造する。
ルツボ３を嵌装した後、図１において、上記内槽ルツボ
３の内部に高純度の半導体材料９を入れて、加熱ヒータ
４で１５００〜１６００℃という高温に加熱して溶融
し、この溶融材料（９）にワイヤ８の先端に取り付けら
れた種結晶１０を接触させて単結晶の成長に合わせて回
転しながら引き上げることにより、丸棒状の単結晶半導
体１１を製造する。
【００１４】次に、上記単結晶半導体１１の引き上げ後
に、図２（ｂ）に示すように、上記分離部材１２の周辺
端部１３を一箇所にまとめ、このまとめた部分を例えば
クレーンなどのフック１４で掛止する。そして、上記ク
レーンを運転してフック１４を矢印Ａのように適宜の量
だけ上昇させて、分離部材１２の周辺端部１３を緊張さ
せる。このとき、要すれば、上記外槽ルツボ２の上端縁
部の端面をストッパ部材などで押さえておけばよい。
に、図２（ｂ）に示すように、上記分離部材１２の周辺
端部１３を一箇所にまとめ、このまとめた部分を例えば
クレーンなどのフック１４で掛止する。そして、上記ク
レーンを運転してフック１４を矢印Ａのように適宜の量
だけ上昇させて、分離部材１２の周辺端部１３を緊張さ
せる。このとき、要すれば、上記外槽ルツボ２の上端縁
部の端面をストッパ部材などで押さえておけばよい。
【００１５】その後、図２（ｃ）に示すように、クレー
ンを本格運転してフック１４を矢印Ａのようにさらに上
昇させる。すると、上記分離部材１２は、クレーンのフ
ック１４によって持ち上げられ、この分離部材１２で包
み込まれた内槽ルツボ３は該分離部材１２と共に持ち上
げられる。この結果、図２（ｃ）に示すように外槽ルツ
ボ２から内槽ルツボ３が上方へ分離される。これによ
り、内槽ルツボ３を破壊することなく容易に分離でき
る。なお、このとき、外槽ルツボ２を破損するおそれも
ない。
ンを本格運転してフック１４を矢印Ａのようにさらに上
昇させる。すると、上記分離部材１２は、クレーンのフ
ック１４によって持ち上げられ、この分離部材１２で包
み込まれた内槽ルツボ３は該分離部材１２と共に持ち上
げられる。この結果、図２（ｃ）に示すように外槽ルツ
ボ２から内槽ルツボ３が上方へ分離される。これによ
り、内槽ルツボ３を破壊することなく容易に分離でき
る。なお、このとき、外槽ルツボ２を破損するおそれも
ない。
【００１６】また、上記のように分離された内槽ルツボ
３は、そのまま分離部材１２に包み込まれた状態でクレ
ーン等で任意の場所にハンドリングすることができる。
さらに、このように分離された内槽ルツボ３は、所定の
場所にハンドリングされた後に上記分離部材１２が外さ
れ、次の洗浄工程に運ばれ、内部に残っている半導体材
料９が洗浄して洗い流され、窒素等で乾燥されて保管さ
れ、再使用に供される。
３は、そのまま分離部材１２に包み込まれた状態でクレ
ーン等で任意の場所にハンドリングすることができる。
さらに、このように分離された内槽ルツボ３は、所定の
場所にハンドリングされた後に上記分離部材１２が外さ
れ、次の洗浄工程に運ばれ、内部に残っている半導体材
料９が洗浄して洗い流され、窒素等で乾燥されて保管さ
れ、再使用に供される。
【００１７】次に、上述の内槽ルツボの分離方法の実施
に使用する分離部材１２について、図３を参照して説明
する。まず、この場合も、この分離部材１２が適用され
る単結晶半導体の製造装置は、前述の図１に示すように
構成されている。そして、図２に示す外槽ルツボ２と内
槽ルツボ３との間に介在される分離部材１２は、高純度
で高温耐熱性に優れ、上記両ルツボ２，３からの分離性
が良く、且つ柔軟性を有する材料から成り、上記内槽ル
ツボ３を包み得るように形成され、図３に示すように、
包み込み部１５の周辺端部には外槽ルツボ２から内槽ル
ツボ３を持ち上げて分離するための掛止部１６，１６，
…を有して成る。
に使用する分離部材１２について、図３を参照して説明
する。まず、この場合も、この分離部材１２が適用され
る単結晶半導体の製造装置は、前述の図１に示すように
構成されている。そして、図２に示す外槽ルツボ２と内
槽ルツボ３との間に介在される分離部材１２は、高純度
で高温耐熱性に優れ、上記両ルツボ２，３からの分離性
が良く、且つ柔軟性を有する材料から成り、上記内槽ル
ツボ３を包み得るように形成され、図３に示すように、
包み込み部１５の周辺端部には外槽ルツボ２から内槽ル
ツボ３を持ち上げて分離するための掛止部１６，１６，
…を有して成る。
【００１８】ここで、上記内槽ルツボ３の内部に高純度
の半導体材料としてシリコンを入れ、その周りを真空状
態に保つと共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中で、加
熱ヒータで１５００〜１６００℃という高温に加熱して
溶融するという使用条件下では、上記分離部材１２の材
料としては、高温耐熱性に優れたカーボン繊維が用いら
れる。また、高純度の単結晶半導体を製造することか
ら、上記分離部材１２の材料としてのカーボン繊維は、
高純度処理が施されている。
の半導体材料としてシリコンを入れ、その周りを真空状
態に保つと共にアルゴン（Ａr）ガスの雰囲気中で、加
熱ヒータで１５００〜１６００℃という高温に加熱して
溶融するという使用条件下では、上記分離部材１２の材
料としては、高温耐熱性に優れたカーボン繊維が用いら
れる。また、高純度の単結晶半導体を製造することか
ら、上記分離部材１２の材料としてのカーボン繊維は、
高純度処理が施されている。
【００１９】そして、上記分離部材１２は、カーボン繊
維を撚り合わせて紐状に形成し、この紐で適宜の大きさ
の網目を有する網を編んで、包み込み部１５はネット状
に形成されている。したがって、上記包み込み部１５
は、内槽ルツボ３を包み得る柔軟性を有している。ま
た、この包み込み部１５は、全体として例えば矩形状に
形成され、その大きさは上記内槽ルツボ３の全体を包み
得るような大きさとされている。さらに、上記矩形状の
包み込み部１５の周辺端部、例えば四隅部には、上記カ
ーボン繊維の紐でリング状に形成した掛止部１６，１
６，…が設けられている。
維を撚り合わせて紐状に形成し、この紐で適宜の大きさ
の網目を有する網を編んで、包み込み部１５はネット状
に形成されている。したがって、上記包み込み部１５
は、内槽ルツボ３を包み得る柔軟性を有している。ま
た、この包み込み部１５は、全体として例えば矩形状に
形成され、その大きさは上記内槽ルツボ３の全体を包み
得るような大きさとされている。さらに、上記矩形状の
包み込み部１５の周辺端部、例えば四隅部には、上記カ
ーボン繊維の紐でリング状に形成した掛止部１６，１
６，…が設けられている。
【００２０】このように構成された内槽ルツボの分離部
材１２の使用は、図２を参照して説明した内槽ルツボの
分離方法と同様である。したがって、クレーンなどのフ
ックで上記掛止部１６，１６，…を一箇所にまとめて掛
止し、持ち上げることにより、外槽ルツボ２から内槽ル
ツボ３を上方へ分離できる。これにより、内槽ルツボ３
を破壊することなく容易に分離できる。なお、このと
き、外槽ルツボ２を破損するおそれもない。
材１２の使用は、図２を参照して説明した内槽ルツボの
分離方法と同様である。したがって、クレーンなどのフ
ックで上記掛止部１６，１６，…を一箇所にまとめて掛
止し、持ち上げることにより、外槽ルツボ２から内槽ル
ツボ３を上方へ分離できる。これにより、内槽ルツボ３
を破壊することなく容易に分離できる。なお、このと
き、外槽ルツボ２を破損するおそれもない。
【００２１】図４は上記内槽ルツボの分離部材１２の他
の実施形態を示す平面説明図である。この実施形態の分
離部材１２は、カーボン繊維を織って布を形成し、この
布で包み込み部１５をシート状に形成したものである。
また、この包み込み部１５は、全体として例えば矩形状
に形成され、その大きさは上記内槽ルツボ３の全体を包
み得るような大きさとされている。さらに、上記矩形状
の包み込み部１５の周辺端部、例えば四隅部には、上記
カーボン繊維の布でリング状に形成した掛止部１６，１
６，…が設けられている。この場合は、外槽ルツボ２か
ら内槽ルツボ３に伝わる温度分布があまり変化しないよ
うにできる。
の実施形態を示す平面説明図である。この実施形態の分
離部材１２は、カーボン繊維を織って布を形成し、この
布で包み込み部１５をシート状に形成したものである。
また、この包み込み部１５は、全体として例えば矩形状
に形成され、その大きさは上記内槽ルツボ３の全体を包
み得るような大きさとされている。さらに、上記矩形状
の包み込み部１５の周辺端部、例えば四隅部には、上記
カーボン繊維の布でリング状に形成した掛止部１６，１
６，…が設けられている。この場合は、外槽ルツボ２か
ら内槽ルツボ３に伝わる温度分布があまり変化しないよ
うにできる。
【００２２】なお、図３及び図４の実施形態において
は、分離部材１２の包み込み部１５の形状は、矩形状と
したが、本発明はこれに限られず、六角形、八角形、円
形等の形状であってもよい。また、掛止部１６は、リン
グ状の形状に限られず、クレーンなどのフックに掛止で
きるものならば、他の形状であってもよい。
は、分離部材１２の包み込み部１５の形状は、矩形状と
したが、本発明はこれに限られず、六角形、八角形、円
形等の形状であってもよい。また、掛止部１６は、リン
グ状の形状に限られず、クレーンなどのフックに掛止で
きるものならば、他の形状であってもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明の内槽ルツボの分離方法は、外槽
ルツボと内槽ルツボとの間に、高純度で高温耐熱性に優
れ上記両ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を有する
材料から成り上記内槽ルツボを包み得る部材を介在させ
ておき、単結晶半導体の引き上げ後において上記部材の
周辺端部を掛止して持ち上げることにより、外槽ルツボ
から内槽ルツボを分離することができる。この場合、内
槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる。なお、
このとき、外槽ルツボを破損するおそれもない。また、
上記のように分離された内槽ルツボは、そのまま分離部
材に包み込まれた状態で任意の場所にハンドリングする
ことができる。さらに、このように分離された内槽ルツ
ボは、次の洗浄工程で洗浄、乾燥されて再使用に供する
ことができ、コスト低下を図ることができる。
ルツボと内槽ルツボとの間に、高純度で高温耐熱性に優
れ上記両ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を有する
材料から成り上記内槽ルツボを包み得る部材を介在させ
ておき、単結晶半導体の引き上げ後において上記部材の
周辺端部を掛止して持ち上げることにより、外槽ルツボ
から内槽ルツボを分離することができる。この場合、内
槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる。なお、
このとき、外槽ルツボを破損するおそれもない。また、
上記のように分離された内槽ルツボは、そのまま分離部
材に包み込まれた状態で任意の場所にハンドリングする
ことができる。さらに、このように分離された内槽ルツ
ボは、次の洗浄工程で洗浄、乾燥されて再使用に供する
ことができ、コスト低下を図ることができる。
【００２４】また、本発明の内槽ルツボの分離部材は、
外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在される部材であっ
て、高純度で高温耐熱性に優れ上記両ルツボからの分離
性が良く且つ柔軟性を有する材料から成り、上記内槽ル
ツボを包み得るように形成され、周辺端部には外槽ルツ
ボから内槽ルツボを持ち上げて分離するための掛止部を
有することにより、単結晶半導体の引き上げ後において
上記掛止部を掛止して持ち上げることにより、外槽ルツ
ボから内槽ルツボを分離することができる。この場合、
内槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる。な
お、このとき、外槽ルツボを破損するおそれもない。ま
た、上記のように分離された内槽ルツボは、そのまま分
離部材に包み込まれた状態で任意の場所にハンドリング
することができる。
外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介在される部材であっ
て、高純度で高温耐熱性に優れ上記両ルツボからの分離
性が良く且つ柔軟性を有する材料から成り、上記内槽ル
ツボを包み得るように形成され、周辺端部には外槽ルツ
ボから内槽ルツボを持ち上げて分離するための掛止部を
有することにより、単結晶半導体の引き上げ後において
上記掛止部を掛止して持ち上げることにより、外槽ルツ
ボから内槽ルツボを分離することができる。この場合、
内槽ルツボを破壊することなく容易に分離できる。な
お、このとき、外槽ルツボを破損するおそれもない。ま
た、上記のように分離された内槽ルツボは、そのまま分
離部材に包み込まれた状態で任意の場所にハンドリング
することができる。
【図１】本発明による内槽ルツボの分離方法が適用され
る単結晶半導体の製造装置を示す断面説明図である。
る単結晶半導体の製造装置を示す断面説明図である。
【図２】本発明による内槽ルツボの分離方法の手順を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図３】本発明による内槽ルツボの分離部材の実施形態
を示す平面説明図である。
を示す平面説明図である。
【図４】上記内槽ルツボの分離部材の他の実施形態を示
す平面説明図である。
す平面説明図である。
１…筐体 ２…外槽ルツボ ３…内槽ルツボ ４…加熱ヒータ ５…熱シールド ９…半導体材料 １０…種結晶 １１…単結晶半導体 １２…分離部材 １３…周辺端部 １４…フック １５…包み込み部 １６…掛止部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 外槽ルツボの内側に内槽ルツボを嵌装
し、この内槽ルツボの内部に半導体材料を入れて溶融
し、この溶融材料に種結晶を接触させて単結晶の成長に
合わせて回転しながら引き上げることにより単結晶半導
体を製造する装置において、上記外槽ルツボと内槽ルツ
ボとの間に、高純度で高温耐熱性に優れ上記両ルツボか
らの分離性が良く且つ柔軟性を有する材料から成り上記
内槽ルツボを包み得る部材を介在させておき、単結晶半
導体の引き上げ後において上記部材の周辺端部を掛止し
て持ち上げることにより、外槽ルツボから内槽ルツボを
分離することを特徴とする内槽ルツボの分離方法。 - 【請求項２】 外槽ルツボの内側に内槽ルツボを嵌装
し、この内槽ルツボの内部に半導体材料を入れて溶融
し、この溶融材料に種結晶を接触させて単結晶の成長に
合わせて回転しながら引き上げることにより単結晶半導
体を製造する装置において、上記外槽ルツボと内槽ルツ
ボとの間に介在される部材であって、高純度で高温耐熱
性に優れ上記両ルツボからの分離性が良く且つ柔軟性を
有する材料から成り、上記内槽ルツボを包み得るように
形成され、周辺端部には外槽ルツボから内槽ルツボを持
ち上げて分離するための掛止部を有することを特徴とす
る内槽ルツボの分離部材。 - 【請求項３】 上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介
在される部材は、カーボン繊維から成ることを特徴とす
る請求項２記載の内槽ルツボの分離部材。 - 【請求項４】 上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介
在される部材は、ネット状に形成されたことを特徴とす
る請求項３記載の内槽ルツボの分離部材。 - 【請求項５】 上記外槽ルツボと内槽ルツボとの間に介
在される部材は、シート状に形成されたことを特徴とす
る請求項３記載の内槽ルツボの分離部材。
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|---|---|---|---|
| JP11128222A JP3023788B1 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボの分離方法及びその分離部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11128222A JP3023788B1 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボの分離方法及びその分離部材 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3023788B1 true JP3023788B1 (ja) | 2000-03-21 |
| JP2000319089A JP2000319089A (ja) | 2000-11-21 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11128222A Expired - Fee Related JP3023788B1 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 単結晶半導体の製造装置における内槽ルツボの分離方法及びその分離部材 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023788B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| AT12783U1 (de) * | 2011-08-05 | 2012-11-15 | Plansee Se | Tiegel zur kristallzucht |
| KR101540570B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2015-07-31 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장용 도가니, 및 이를 포함하는 단결정 성장 장치 |
-
1999
- 1999-05-10 JP JP11128222A patent/JP3023788B1/ja not_active Expired - Fee Related
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