JP3007498B2 - 塗膜形成方法 - Google Patents
塗膜形成方法Info
- Publication number
- JP3007498B2 JP3007498B2 JP4349776A JP34977692A JP3007498B2 JP 3007498 B2 JP3007498 B2 JP 3007498B2 JP 4349776 A JP4349776 A JP 4349776A JP 34977692 A JP34977692 A JP 34977692A JP 3007498 B2 JP3007498 B2 JP 3007498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- inner cup
- sog
- cup
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＯＧ（Spin-On-Glas
s：珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液、及びこの溶
液を塗布・焼成することで形成される酸化珪素膜）等の
塗膜を形成する方法に関する。
s：珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液、及びこの溶
液を塗布・焼成することで形成される酸化珪素膜）等の
塗膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化、配線抵抗の
低減、配線レイアウトの自由度の増大更には処理速度の
高速化を図るため、図５に示すように半導体ウェハやガ
ラス基板１００の表面にＡl等からなる第１層目の配線
１０１を形成し、この第１層目の配線１０１上に絶縁膜
１０２を形成し、この絶縁膜１０２の上に第２層目の配
線１０３を形成し、これら第１層目１０１と第２層目の
配線１０３を絶縁膜１０２に形成したスルーホールを介
して接続するようにした多層配線構造がバイポーラデバ
イス等で行なわれている。
低減、配線レイアウトの自由度の増大更には処理速度の
高速化を図るため、図５に示すように半導体ウェハやガ
ラス基板１００の表面にＡl等からなる第１層目の配線
１０１を形成し、この第１層目の配線１０１上に絶縁膜
１０２を形成し、この絶縁膜１０２の上に第２層目の配
線１０３を形成し、これら第１層目１０１と第２層目の
配線１０３を絶縁膜１０２に形成したスルーホールを介
して接続するようにした多層配線構造がバイポーラデバ
イス等で行なわれている。
【０００３】上述した絶縁膜１０２や第２層目の配線１
０３はスパッタリングやＣＶＤ（化学蒸着）にて形成さ
れる。ここで、スパッタリングやＣＶＤにあっては凸部
の側面に膜を形成しにくい特性があり、このため図５に
示すように第２層目の配線１０３に断線箇所が生じる等
の問題が生じる。
０３はスパッタリングやＣＶＤ（化学蒸着）にて形成さ
れる。ここで、スパッタリングやＣＶＤにあっては凸部
の側面に膜を形成しにくい特性があり、このため図５に
示すように第２層目の配線１０３に断線箇所が生じる等
の問題が生じる。
【０００４】そこで、ＳＯＧを用いて平坦化する方法が
一般的に採用されている。この方法は先ず図６（ａ）に
示すように、半導体ウェハ１００の表面にＡl等からな
る第１層目の配線１０１を形成し、この第１層目の配線
１０１上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳiＯ2）１
０４を形成し、このヒロック防止膜１０４上に回転塗布
装置にてＳＯＧ膜１０５を形成し、このＳＯＧ膜１０５
の上に前記と同様の絶縁膜１０２を形成し、次いで図６
（ｂ）に示すようにエッチングによってスルーホール１
０６を形成し、この後図６（ｃ）に示すようにスパッタ
リング等によって第２層目の配線１０３を形成する。
一般的に採用されている。この方法は先ず図６（ａ）に
示すように、半導体ウェハ１００の表面にＡl等からな
る第１層目の配線１０１を形成し、この第１層目の配線
１０１上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳiＯ2）１
０４を形成し、このヒロック防止膜１０４上に回転塗布
装置にてＳＯＧ膜１０５を形成し、このＳＯＧ膜１０５
の上に前記と同様の絶縁膜１０２を形成し、次いで図６
（ｂ）に示すようにエッチングによってスルーホール１
０６を形成し、この後図６（ｃ）に示すようにスパッタ
リング等によって第２層目の配線１０３を形成する。
【０００５】上述したＳＯＧによる平坦化を行なうこと
で、多層配線構造が可能になるが、スルーホール１０６
を形成すると、ＳＯＧ膜１０５がスルーホール１０６の
一部に露出することになる。このようにＳＯＧ膜１０５
が露出した状態でスパッタリングを行なうと、スパッタ
リングは減圧雰囲気で行なうため、ＳＯＧ膜１０５から
の脱ガスが発生し、この脱ガスによって図７に示すよう
に配線材料（Ａl）が付着していない接続不良箇所（Poi
soned Via）が生じやすい。
で、多層配線構造が可能になるが、スルーホール１０６
を形成すると、ＳＯＧ膜１０５がスルーホール１０６の
一部に露出することになる。このようにＳＯＧ膜１０５
が露出した状態でスパッタリングを行なうと、スパッタ
リングは減圧雰囲気で行なうため、ＳＯＧ膜１０５から
の脱ガスが発生し、この脱ガスによって図７に示すよう
に配線材料（Ａl）が付着していない接続不良箇所（Poi
soned Via）が生じやすい。
【０００６】そこで、上記のＳＯＧによる平坦化に加え
てエッチバックを行なう方法もある。このエッチバック
は図８（ａ）に示すように一旦絶縁膜１０２まで形成し
た後、エッチングによりヒロック防止膜１０４が露出す
る程度まで除去し、次いで、図８（ｂ）に示すようにヒ
ロック防止膜１０４にスルーホール１０６を形成し、更
にスパッタリングにて第２層目の配線１０３を形成す
る。このようにすることで、スルーホール１０６にＳＯ
Ｇ膜１０５が露出しないので、脱ガスが生じない。
てエッチバックを行なう方法もある。このエッチバック
は図８（ａ）に示すように一旦絶縁膜１０２まで形成し
た後、エッチングによりヒロック防止膜１０４が露出す
る程度まで除去し、次いで、図８（ｂ）に示すようにヒ
ロック防止膜１０４にスルーホール１０６を形成し、更
にスパッタリングにて第２層目の配線１０３を形成す
る。このようにすることで、スルーホール１０６にＳＯ
Ｇ膜１０５が露出しないので、脱ガスが生じない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにＳＯＧ
膜を形成した後にエッチバックを行なえば、接続不良箇
所等のない多層配線構造を得ることができるが、エッチ
バック工程を付加しなければならず、またエッチバック
を行なうための装置を別途必要とする。また、一旦形成
したＳＯＧ膜を除去するのであるから材料的にも無駄が
生じる。
膜を形成した後にエッチバックを行なえば、接続不良箇
所等のない多層配線構造を得ることができるが、エッチ
バック工程を付加しなければならず、またエッチバック
を行なうための装置を別途必要とする。また、一旦形成
したＳＯＧ膜を除去するのであるから材料的にも無駄が
生じる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウェハ
やガラス基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあた
り、塗布装置のインナーカップ内の圧力が回転開始から
６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧、好ましく
は５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにした。
発明は、回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウェハ
やガラス基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあた
り、塗布装置のインナーカップ内の圧力が回転開始から
６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧、好ましく
は５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにした。
【０００９】
【作用】インナーカップの回転開始から６０秒以内にイ
ンナーカップ内の圧力が例えば５〜３０Ｔｏｒｒ減圧に
なるようにすることで、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけ
ることができる。ただし、Ａは第１層目の配線表面から
の膜厚、Ｂは板状被処理物表面（配線のない部分）から
の膜厚である。
ンナーカップ内の圧力が例えば５〜３０Ｔｏｒｒ減圧に
なるようにすることで、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけ
ることができる。ただし、Ａは第１層目の配線表面から
の膜厚、Ｂは板状被処理物表面（配線のない部分）から
の膜厚である。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる回
転カップ式塗布装置の開状態の断面図、図２は同回転カ
ップ式塗布装置の閉状態の断面図である。
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる回
転カップ式塗布装置の開状態の断面図、図２は同回転カ
ップ式塗布装置の閉状態の断面図である。
【００１１】回転カップ式塗布装置はベースプレートに
固定した環状のアウターカップ１内にインナーカップ２
を配置し、このインナーカップ２をスピンナー装置３の
軸に取り付け、インナーカップ２を高速で回転せしめる
ようにしている。このインナーカップ２の底部中央には
板状被処理物としての半導体ウェハＷを吸着固定する真
空チャック４を設け、インナーカップ２の側面にはアウ
ターカップに形成した回収通路５内に臨むドレインパイ
プ６を取り付けている。
固定した環状のアウターカップ１内にインナーカップ２
を配置し、このインナーカップ２をスピンナー装置３の
軸に取り付け、インナーカップ２を高速で回転せしめる
ようにしている。このインナーカップ２の底部中央には
板状被処理物としての半導体ウェハＷを吸着固定する真
空チャック４を設け、インナーカップ２の側面にはアウ
ターカップに形成した回収通路５内に臨むドレインパイ
プ６を取り付けている。
【００１２】前記アウターカップ１及びインナーカップ
２の上方にはアーム７を配置している。アーム７は直線
動、回転動、上下動或いはこれらを合成した動きが可能
で先端には下方に伸びる軸８を取り付け、この軸８には
ノズル孔９を穿設し、このノズル孔９をジョイント及び
アーム７内を通るホースを介してチッ素ガス供給源及び
洗浄液供給源につなげている。
２の上方にはアーム７を配置している。アーム７は直線
動、回転動、上下動或いはこれらを合成した動きが可能
で先端には下方に伸びる軸８を取り付け、この軸８には
ノズル孔９を穿設し、このノズル孔９をジョイント及び
アーム７内を通るホースを介してチッ素ガス供給源及び
洗浄液供給源につなげている。
【００１３】また、前記軸８にはベアリング及び磁気シ
ールを介してボス部１０を回転自在に嵌合し、このボス
部１０にインナーカップ２の上面開口を閉塞するための
円板状をなすアルミニウム製の蓋体１１を取り付けてい
る。また、この蓋体１１の上方のアーム７の先端下面に
はアウターカップ１の上面開口を閉塞するための蓋体１
２を固着している。
ールを介してボス部１０を回転自在に嵌合し、このボス
部１０にインナーカップ２の上面開口を閉塞するための
円板状をなすアルミニウム製の蓋体１１を取り付けてい
る。また、この蓋体１１の上方のアーム７の先端下面に
はアウターカップ１の上面開口を閉塞するための蓋体１
２を固着している。
【００１４】蓋体１２はアーム７の先端下面に取り付け
た筒体１３の外周にリング状のスライド部材１４を介し
て上下摺動自在に保持され、また蓋体１２の内周縁には
テフロン製の軸受１５を取り付け、この軸受１５に筒体
１３に植設したガイドポスト１６を係合している。而し
て、図１に示すようにアーム７が上昇している場合に
は、蓋体１２に形成した受け孔１７に蓋体１１に固着し
たピン１８が係合して蓋体１１の位置決めを行ない、ま
た図２に示すようにアーム７が降りて蓋体１１，１２が
それぞれインナーカップ２及びアウターカップ１の開口
を閉塞する場合には、蓋体１２はガイドポスト１６に沿
って上昇し、受け孔１７からピン１８が抜け出る。ま
た、蓋体１１の下面にはビス１９によってインナーカッ
プ２内の乱流を防止する整流板２０を取り付けている。
た筒体１３の外周にリング状のスライド部材１４を介し
て上下摺動自在に保持され、また蓋体１２の内周縁には
テフロン製の軸受１５を取り付け、この軸受１５に筒体
１３に植設したガイドポスト１６を係合している。而し
て、図１に示すようにアーム７が上昇している場合に
は、蓋体１２に形成した受け孔１７に蓋体１１に固着し
たピン１８が係合して蓋体１１の位置決めを行ない、ま
た図２に示すようにアーム７が降りて蓋体１１，１２が
それぞれインナーカップ２及びアウターカップ１の開口
を閉塞する場合には、蓋体１２はガイドポスト１６に沿
って上昇し、受け孔１７からピン１８が抜け出る。ま
た、蓋体１１の下面にはビス１９によってインナーカッ
プ２内の乱流を防止する整流板２０を取り付けている。
【００１５】以上において、半導体ウェハＷ表面にＳＯ
Ｇ液を均一に塗布するには、カップ１，２の上面を開放
して真空チャック４上に固着している半導体ウェハＷの
表面にＳＯＧ液を滴下し、次いで図１に示すようにイン
ナーカップ２及びアウターカップ１上にアーム７を回動
させて蓋体１１、１２を臨ませ、次いで図２に示すよう
に、アーム７を下降することで蓋体１１によりインナー
カップ２の上面を閉塞し、蓋体１２によりアウターカッ
プ１の上面開口を閉塞したならば、スピンナーによって
真空チャック４とインナーカップ２を一体的に回転せし
め、遠心力によりＳＯＧ液を半導体ウェハＷの表面に塗
布する。
Ｇ液を均一に塗布するには、カップ１，２の上面を開放
して真空チャック４上に固着している半導体ウェハＷの
表面にＳＯＧ液を滴下し、次いで図１に示すようにイン
ナーカップ２及びアウターカップ１上にアーム７を回動
させて蓋体１１、１２を臨ませ、次いで図２に示すよう
に、アーム７を下降することで蓋体１１によりインナー
カップ２の上面を閉塞し、蓋体１２によりアウターカッ
プ１の上面開口を閉塞したならば、スピンナーによって
真空チャック４とインナーカップ２を一体的に回転せし
め、遠心力によりＳＯＧ液を半導体ウェハＷの表面に塗
布する。
【００１６】また、上記したようにインナーカップ２が
真空チャック４とともに高速回転すると、ドレインパイ
プ６からインナーカップ２内のガス（空気）が外部（回
収通路）に排出され、インナーカップ２内は減圧され
る。
真空チャック４とともに高速回転すると、ドレインパイ
プ６からインナーカップ２内のガス（空気）が外部（回
収通路）に排出され、インナーカップ２内は減圧され
る。
【００１７】ここで、本発明にあってはインナーカップ
２内の圧力は回転の開始後６０秒以内に回転前より５Ｔ
ｏｒｒ以上減圧、好ましくは５〜３０Ｔｏｒｒ減圧にな
るようにする。このような条件で塗布を行なえるように
するには、高速回転可能（１，０００ｒｐｍ以上）なス
ピンナーを用いなければならないが、これよりもインナ
ーカップ２の形状をできるだけ扁平にすることが重要で
ある。扁平形状にすることで、インナーカップ２内の容
積を小さくできるので、短時間のうちに所望の減圧とす
ることができ、且つ作用する遠心力を最大限に利用する
ことができる。また、回転前より３０Ｔｏｒｒ以上減圧
するためには、更に構造を複雑にしなければならず好ま
しくない。
２内の圧力は回転の開始後６０秒以内に回転前より５Ｔ
ｏｒｒ以上減圧、好ましくは５〜３０Ｔｏｒｒ減圧にな
るようにする。このような条件で塗布を行なえるように
するには、高速回転可能（１，０００ｒｐｍ以上）なス
ピンナーを用いなければならないが、これよりもインナ
ーカップ２の形状をできるだけ扁平にすることが重要で
ある。扁平形状にすることで、インナーカップ２内の容
積を小さくできるので、短時間のうちに所望の減圧とす
ることができ、且つ作用する遠心力を最大限に利用する
ことができる。また、回転前より３０Ｔｏｒｒ以上減圧
するためには、更に構造を複雑にしなければならず好ま
しくない。
【００１８】図３（ａ）は本発明方法を適用した半導体
ウェハＷの断面図であり、半導体ウェハＷの表面には第
１層目の配線２１が形成され、この第１層目の配線２１
上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳｉＯ2）２２が
形成され、このヒロック防止膜２２の上に上記の塗布条
件によってＳＯＧ膜２３が形成されている。ここで、Ａ
を第１層目のヒロック防止膜２２表面からのＳＯＧ膜２
３の膜厚、Ｂを配線２１のない部分からのＳＯＧ膜２３
の膜厚とすると、本発明方法によって形成されたＳＯＧ
膜２３の膜厚比（Ａ／Ｂ）は０に近いことが分る。本発
明の塗布条件下でＳＯＧ液を塗布すると、凹凸形状を有
するヒロック防止膜上の凸部に塗布されたＳＯＧ液は凹
部に移動し、凹部が埋まったら過剰のＳＯＧ液が、その
ＳＯＧ液中の溶剤の揮発が十分でないために遠心力で振
り切られることにもなり、結果としてＡ／Ｂ≒０とな
る。
ウェハＷの断面図であり、半導体ウェハＷの表面には第
１層目の配線２１が形成され、この第１層目の配線２１
上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳｉＯ2）２２が
形成され、このヒロック防止膜２２の上に上記の塗布条
件によってＳＯＧ膜２３が形成されている。ここで、Ａ
を第１層目のヒロック防止膜２２表面からのＳＯＧ膜２
３の膜厚、Ｂを配線２１のない部分からのＳＯＧ膜２３
の膜厚とすると、本発明方法によって形成されたＳＯＧ
膜２３の膜厚比（Ａ／Ｂ）は０に近いことが分る。本発
明の塗布条件下でＳＯＧ液を塗布すると、凹凸形状を有
するヒロック防止膜上の凸部に塗布されたＳＯＧ液は凹
部に移動し、凹部が埋まったら過剰のＳＯＧ液が、その
ＳＯＧ液中の溶剤の揮発が十分でないために遠心力で振
り切られることにもなり、結果としてＡ／Ｂ≒０とな
る。
【００１９】したがって、図３（ｂ）に示すように、エ
ッチバックを行なうことなく、ＳＯＧ膜２３の上に低温
ＣＶＤで絶縁膜２４を成長させ、エッチングによってス
ルーホール２５を形成し、このスルーホール２５を介し
てスパッタリング等によって形成した第２層目の配線２
６と第１層目の配線２１とを接続して多層配線構造が完
成する。
ッチバックを行なうことなく、ＳＯＧ膜２３の上に低温
ＣＶＤで絶縁膜２４を成長させ、エッチングによってス
ルーホール２５を形成し、このスルーホール２５を介し
てスパッタリング等によって形成した第２層目の配線２
６と第１層目の配線２１とを接続して多層配線構造が完
成する。
【００２０】図４は膜厚比（Ａ／Ｂ）とインナーカップ
内の回転前と回転後６０秒後における圧力差の関係を示
すグラフであり、回転前よりも５Ｔｏｒｒ以上減圧する
と、膜厚比（Ａ／Ｂ）は限りなく０に近づくことが分
る。
内の回転前と回転後６０秒後における圧力差の関係を示
すグラフであり、回転前よりも５Ｔｏｒｒ以上減圧する
と、膜厚比（Ａ／Ｂ）は限りなく０に近づくことが分
る。
【００２１】尚、図４の結果を得るために用いたＳＯＧ
液はＯＣＤType７（東京応化工業製）であり、このＳＯ
Ｇ液の粘度は５ｃＰ以下とし、溶剤の沸点は２００℃以
下とし、配線の高さは１μｍ、幅は１〜１０μｍ、隣接
する配線との間隔は１〜１０μｍとした。このように粘
度を５ｃＰ以下とするのは、ヒロック防止膜の凸部から
凹部にＳＯＧ液が流れ込み易くなるからであり、沸点を
２００℃以下とするのはインナーカップ内で溶剤飽和状
態を生成し易くするためである。
液はＯＣＤType７（東京応化工業製）であり、このＳＯ
Ｇ液の粘度は５ｃＰ以下とし、溶剤の沸点は２００℃以
下とし、配線の高さは１μｍ、幅は１〜１０μｍ、隣接
する配線との間隔は１〜１０μｍとした。このように粘
度を５ｃＰ以下とするのは、ヒロック防止膜の凸部から
凹部にＳＯＧ液が流れ込み易くなるからであり、沸点を
２００℃以下とするのはインナーカップ内で溶剤飽和状
態を生成し易くするためである。
【００２２】また、本発明方法の効果つまりエッチバッ
クが必要でない程度まで膜厚比（Ａ／Ｂ）を小さくでき
る配線の高さは３μｍ以下、幅は０．３μｍ〜１００μ
ｍ、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ〜１００μ
ｍである。
クが必要でない程度まで膜厚比（Ａ／Ｂ）を小さくでき
る配線の高さは３μｍ以下、幅は０．３μｍ〜１００μ
ｍ、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ〜１００μ
ｍである。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウェハやガラス
基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあたり、塗布装
置のインナーカップ内の圧力が塗布液を滴下した後に６
０秒以内で回転前よりも５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるよ
うにしたので、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけることが
でき、エッチバック等の工程を省略して多層配線構造の
デバイスを製造することができる。
回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウェハやガラス
基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあたり、塗布装
置のインナーカップ内の圧力が塗布液を滴下した後に６
０秒以内で回転前よりも５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるよ
うにしたので、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけることが
でき、エッチバック等の工程を省略して多層配線構造の
デバイスを製造することができる。
【図１】本発明方法の実施に用いる回転カップ式塗布装
置の開状態の断面図
置の開状態の断面図
【図２】同回転カップ式塗布装置の閉状態の断面図
【図３】（ａ）は本発明方法によって塗膜を形成した板
状被処理物の断面図、（ｂ）は（ａ）の工程に続いて多
層配線構造とした板状被処理物の断面図
状被処理物の断面図、（ｂ）は（ａ）の工程に続いて多
層配線構造とした板状被処理物の断面図
【図４】膜厚比とインナーカップ内の回転前と回転後６
０秒後における圧力差との関係を示すグラフ
０秒後における圧力差との関係を示すグラフ
【図５】単純な多層配線構造とした場合の不利を説明し
た断面図
た断面図
【図６】（ａ）はＳＯＧを形成した状態の図、（ｂ）は
（ａ）の工程に続いてスルーホールを形成した状態の
図、（ｃ）は（ｂ）の工程に続いて２層目の配線を形成
した状態の図
（ａ）の工程に続いてスルーホールを形成した状態の
図、（ｃ）は（ｂ）の工程に続いて２層目の配線を形成
した状態の図
【図７】ＳＯＧからのガスによって接続不良を生じてい
る状態を示す図
る状態を示す図
【図８】（ａ）及び（ｂ）はエッチバック法を説明した
図
図
１…アウターカップ、２…インナーカップ、４…真空チ
ャック、５…回収通路、６…ドレインパイプ、２１…第
１層目の配線、２２…ヒロック防止膜２２、２３…ＳＯ
Ｇ膜、２４…絶縁膜、２５…スルーホール、２６…第２
層目の配線、Ｗ…板状被処理物。
ャック、５…回収通路、６…ドレインパイプ、２１…第
１層目の配線、２２…ヒロック防止膜２２、２３…ＳＯ
Ｇ膜、２４…絶縁膜、２５…スルーホール、２６…第２
層目の配線、Ｗ…板状被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 弘樹 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−272130（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05D 1/40 B05D 7/00 H01L 21/31 H05K 3/46
Claims (2)
- 【請求項１】 アウターカップ内にスピンナーによって
回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナ
ーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理
物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によっ
てインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力に
よって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜
形成方法において、前記塗布液は沸点が２００℃以下の
溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に
前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内
で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたこと
を特徴とする塗膜形成方法。 - 【請求項２】前記板状被処理物表面には配線が形成さ
れ、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃
至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μ
ｍ乃至１００μｍであることを特徴とする請求項１に記
載の塗膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349776A JP3007498B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 塗膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349776A JP3007498B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 塗膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06218322A JPH06218322A (ja) | 1994-08-09 |
| JP3007498B2 true JP3007498B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=18406039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349776A Expired - Fee Related JP3007498B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 塗膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3007498B2 (ja) |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP4349776A patent/JP3007498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06218322A (ja) | 1994-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5304515A (en) | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on substrate | |
| KR100225554B1 (ko) | 배리어메탈구조의 형성방법 | |
| US5776825A (en) | Method for forming a semiconductor device having reduced stepped portions | |
| JPH01503021A (ja) | シリコンウエハ内に貫通導体を形成する為の平担化方法 | |
| JPH10335458A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0574958A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3007498B2 (ja) | 塗膜形成方法 | |
| US5830804A (en) | Encapsulated dielectric and method of fabrication | |
| US6013579A (en) | Self-aligned via process for preventing poison via formation | |
| JP2994228B2 (ja) | 回転カップ式塗布装置及び塗布方法 | |
| JP3182013B2 (ja) | 回転カップ式塗布装置 | |
| US6375687B1 (en) | Filling connection hole with wiring material by using centrifugal force | |
| JP3251999B2 (ja) | 塗膜形成方法 | |
| JP3123450B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3231970B2 (ja) | 回転カップ式塗布方法及び塗布装置 | |
| JPH1197437A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| US6277441B1 (en) | Method of forming coating film on a substrate | |
| US5554884A (en) | Multilevel metallization process for use in fabricating microelectronic devices | |
| JP3439189B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3367490B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2856489B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259050A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
| JP3514298B2 (ja) | 密閉型回転塗布式薄膜形成装置 | |
| JP2923866B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH053257A (ja) | 半導体装置の被膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |